JPH05247639A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
- Publication number
- JPH05247639A JPH05247639A JP4848292A JP4848292A JPH05247639A JP H05247639 A JPH05247639 A JP H05247639A JP 4848292 A JP4848292 A JP 4848292A JP 4848292 A JP4848292 A JP 4848292A JP H05247639 A JPH05247639 A JP H05247639A
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- Japan
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- vacuum chamber
- sputtering
- wafer
- pressure
- gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の配線材料の薄膜を形成するのに
用いるスパッタ装置の構造の改良に関し、排気ガスの流
量を制限して供給する反応ガスの流量を減少させて必要
な室内圧を得ることにより、真空チャンバ内の不純物ガ
スの分圧を数ppm以下に抑え、かつクライオポンプの再
生周期を長くすることが可能となるスパッタ装置の提供
を目的とする。 【構成】 真空チャンバ１内にスパッタリング空間を画
定する防着板６を備え、この真空チャンバ１内のウエー
ハステージ７に搭載したウエーハ８の表面に、この真空
チャンバ１の上部に設けたスパッタターゲット５から飛
来した金属粒子の薄膜を形成するスパッタ装置におい
て、この防着板６にて画定された空間内に直接アルゴン
を導入する反応ガス導入口3aと、この防着板６にて画定
された空間内の圧力を直接計測することが可能な圧力計
４とを具備するように構成する。
用いるスパッタ装置の構造の改良に関し、排気ガスの流
量を制限して供給する反応ガスの流量を減少させて必要
な室内圧を得ることにより、真空チャンバ内の不純物ガ
スの分圧を数ppm以下に抑え、かつクライオポンプの再
生周期を長くすることが可能となるスパッタ装置の提供
を目的とする。 【構成】 真空チャンバ１内にスパッタリング空間を画
定する防着板６を備え、この真空チャンバ１内のウエー
ハステージ７に搭載したウエーハ８の表面に、この真空
チャンバ１の上部に設けたスパッタターゲット５から飛
来した金属粒子の薄膜を形成するスパッタ装置におい
て、この防着板６にて画定された空間内に直接アルゴン
を導入する反応ガス導入口3aと、この防着板６にて画定
された空間内の圧力を直接計測することが可能な圧力計
４とを具備するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の配線材料
の薄膜を形成するのに用いるスパッタ装置の構造の改良
に関するものである。
の薄膜を形成するのに用いるスパッタ装置の構造の改良
に関するものである。
【０００２】近年の半導体装置の微細化に伴い、結晶粒
が大きい低欠陥の配線材料の薄膜を形成することが要求
されており、この薄膜を形成するスパッタ工程において
は処理雰囲気中の残存不純物ガスの分圧を低くすること
が必要である。
が大きい低欠陥の配線材料の薄膜を形成することが要求
されており、この薄膜を形成するスパッタ工程において
は処理雰囲気中の残存不純物ガスの分圧を低くすること
が必要である。
【０００３】このため、薄膜形成中に供給する反応ガス
のガス流量をできるだけ少なくし、反応ガスとともに供
給される不純物ガスの量を減少させて真空チャンバ内の
雰囲気中の不純物ガスの分圧を低くすることが必要であ
る。
のガス流量をできるだけ少なくし、反応ガスとともに供
給される不純物ガスの量を減少させて真空チャンバ内の
雰囲気中の不純物ガスの分圧を低くすることが必要であ
る。
【０００４】また、リアクティブスパッタを行う場合に
は、反応性ガスはスパッタ処理中に反応が進むのに従っ
て消費されるので、反応性ガスをアルゴンより多く流す
ことができる効率の良い反応性ガスの供給を行うことが
必要である。
は、反応性ガスはスパッタ処理中に反応が進むのに従っ
て消費されるので、反応性ガスをアルゴンより多く流す
ことができる効率の良い反応性ガスの供給を行うことが
必要である。
【０００５】以上のような状況から、雰囲気中の不純物
ガスの分圧を低くすることができ、反応性ガスを効率よ
く供給することが可能なスパッタ装置が要望されてい
る。
ガスの分圧を低くすることができ、反応性ガスを効率よ
く供給することが可能なスパッタ装置が要望されてい
る。
【０００６】
【従来の技術】従来のスパッタ装置を図３により詳細に
説明する。図３は従来のスパッタ装置を示す図である。
説明する。図３は従来のスパッタ装置を示す図である。
【０００７】従来のスパッタ装置は図３に示すようにゲ
ートバルブ22a 及び排気コンダクタンス21c を介してク
ライオポンプ22と排気口21a で接続されている真空チャ
ンバ21内にウエーハステージ27を設け、真空チャンバ21
の上部にはこのウエーハステージ27に搭載したウエーハ
８と対向してスパッタターゲット25を設け、このスパッ
タターゲット25とウエーハ８の周囲を取り囲む防着板26
を設けたスパッタ装置である。
ートバルブ22a 及び排気コンダクタンス21c を介してク
ライオポンプ22と排気口21a で接続されている真空チャ
ンバ21内にウエーハステージ27を設け、真空チャンバ21
の上部にはこのウエーハステージ27に搭載したウエーハ
８と対向してスパッタターゲット25を設け、このスパッ
タターゲット25とウエーハ８の周囲を取り囲む防着板26
を設けたスパッタ装置である。
【０００８】この真空チャンバ21の側壁には、反応ガス
を供給する反応ガス導入口23a と、真空チャンバ21内の
室内圧を計測する圧力計24及び真空チャンバ21内へのウ
エーハ８の搬入取り出しに用いるウエーハ搬入口21b が
設けられている。
を供給する反応ガス導入口23a と、真空チャンバ21内の
室内圧を計測する圧力計24及び真空チャンバ21内へのウ
エーハ８の搬入取り出しに用いるウエーハ搬入口21b が
設けられている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来のス
パッタ装置において良質の被膜をウエーハの表面に形成
するためには、真空チャンバ内の不純物ガスの分圧を低
くすることが必要であるが、そのためにはまずクライオ
ポンプによる排気量を増加して排気しなければならな
い。その後真空チャンバの室内圧を一定の値に保持する
ためには、排気量の増加に応じて反応ガスの供給量を増
加しなければならないので、反応ガスのガス流量を減少
させることができなくなり、反応ガスの流量を増加する
と反応ガスに含有されている不純物ガスの総量が増える
という問題点があり、また、排気に用いるクライオポン
プが吸着方式のポンプであるため、排気ガス流量を多く
するとクライオポンプの再生周期が短くなり、度々再生
処理を行わねばならなくなるという問題点があった。
パッタ装置において良質の被膜をウエーハの表面に形成
するためには、真空チャンバ内の不純物ガスの分圧を低
くすることが必要であるが、そのためにはまずクライオ
ポンプによる排気量を増加して排気しなければならな
い。その後真空チャンバの室内圧を一定の値に保持する
ためには、排気量の増加に応じて反応ガスの供給量を増
加しなければならないので、反応ガスのガス流量を減少
させることができなくなり、反応ガスの流量を増加する
と反応ガスに含有されている不純物ガスの総量が増える
という問題点があり、また、排気に用いるクライオポン
プが吸着方式のポンプであるため、排気ガス流量を多く
するとクライオポンプの再生周期が短くなり、度々再生
処理を行わねばならなくなるという問題点があった。
【００１０】本発明は以上のような状況から、排気ガス
の流量を制限して供給する反応ガスの流量を減少させて
必要な室内圧を得ることにより、真空チャンバ内の不純
物ガスの分圧を数ppm 以下に抑え、かつクライオポンプ
の再生周期を長くすることが可能となるスパッタ装置の
提供を目的としたものである。
の流量を制限して供給する反応ガスの流量を減少させて
必要な室内圧を得ることにより、真空チャンバ内の不純
物ガスの分圧を数ppm 以下に抑え、かつクライオポンプ
の再生周期を長くすることが可能となるスパッタ装置の
提供を目的としたものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタ装置
は、真空チャンバ内にスパッタリング空間を画定する防
着板を備え、この真空チャンバ内のウエーハステージに
搭載したウエーハの表面に、この真空チャンバの上部に
設けたスパッタターゲットから飛来した金属粒子の薄膜
を形成するスパッタ装置において、この防着板にて画定
された空間内に直接アルゴンを導入する反応ガス導入口
と、この防着板にて画定された空間内の圧力を直接計測
することが可能な圧力計とを具備するように構成する
か、或いは、この真空チャンバ内にアルゴンを導入する
アルゴン導入口と、この防着板にて画定された空間内に
直接反応性ガスを導入する反応性ガス導入口と、この真
空チャンバ内の圧力を計測することが可能な圧力計とを
具備するように構成する。
は、真空チャンバ内にスパッタリング空間を画定する防
着板を備え、この真空チャンバ内のウエーハステージに
搭載したウエーハの表面に、この真空チャンバの上部に
設けたスパッタターゲットから飛来した金属粒子の薄膜
を形成するスパッタ装置において、この防着板にて画定
された空間内に直接アルゴンを導入する反応ガス導入口
と、この防着板にて画定された空間内の圧力を直接計測
することが可能な圧力計とを具備するように構成する
か、或いは、この真空チャンバ内にアルゴンを導入する
アルゴン導入口と、この防着板にて画定された空間内に
直接反応性ガスを導入する反応性ガス導入口と、この真
空チャンバ内の圧力を計測することが可能な圧力計とを
具備するように構成する。
【００１２】
【作用】即ち本発明においては、アルゴンのみを導入す
る場合には反応ガス導入口及び圧力計を防着板に直接接
続して、スパッタターゲットと防着板とウエーハとで包
囲された空間内に直接アルゴンを導入し、防着板の開口
部の大きさを調節できる構造にして排気コンダクタンス
を形成し、この開口部を通してアルゴンを真空チャンバ
内に排気して排気口を通してクライオポンプにより排気
している。
る場合には反応ガス導入口及び圧力計を防着板に直接接
続して、スパッタターゲットと防着板とウエーハとで包
囲された空間内に直接アルゴンを導入し、防着板の開口
部の大きさを調節できる構造にして排気コンダクタンス
を形成し、この開口部を通してアルゴンを真空チャンバ
内に排気して排気口を通してクライオポンプにより排気
している。
【００１３】従ってスパッタターゲットと防着板とウエ
ーハとで包囲された空間の容積と防着板の開口部の面積
を最適にすることにより、供給するガス流量やガス圧の
調整を行うことが可能となるので、真空チャンバ内にガ
スを導入する場合に比して防着板により限定された容積
の空間内のみを所定の圧力にすることにより、スパッタ
ガスのガス流量を減少させることができる。また、排気
口内の排気コンダクタンスを用いないで防着板の開口部
の面積を最適にして排気するので、クライオポンプの排
気能力を落とさずに使用して不純物ガスの分圧を低下さ
せることができ、クライオポンプの再生周期を遅らせる
ことが可能となる。
ーハとで包囲された空間の容積と防着板の開口部の面積
を最適にすることにより、供給するガス流量やガス圧の
調整を行うことが可能となるので、真空チャンバ内にガ
スを導入する場合に比して防着板により限定された容積
の空間内のみを所定の圧力にすることにより、スパッタ
ガスのガス流量を減少させることができる。また、排気
口内の排気コンダクタンスを用いないで防着板の開口部
の面積を最適にして排気するので、クライオポンプの排
気能力を落とさずに使用して不純物ガスの分圧を低下さ
せることができ、クライオポンプの再生周期を遅らせる
ことが可能となる。
【００１４】また、リアクティブスパッタを行う場合に
は、反応性ガスを反応性ガス導入口により防着板内に直
接導入し、アルゴンをアルゴン導入口により真空チャン
バ内に導入するので、反応により消費される反応性ガス
の補給を充分に行うことができ、安定したリアクティブ
スパッタを行うことが可能となる。
は、反応性ガスを反応性ガス導入口により防着板内に直
接導入し、アルゴンをアルゴン導入口により真空チャン
バ内に導入するので、反応により消費される反応性ガス
の補給を充分に行うことができ、安定したリアクティブ
スパッタを行うことが可能となる。
【００１５】
【実施例】以下図１〜図２により本発明の実施例につい
て詳細に説明する。図１は本発明による第１の実施例の
スパッタ装置を示す図、図２は本発明による第２の実施
例のスパッタ装置を示す図である。
て詳細に説明する。図１は本発明による第１の実施例の
スパッタ装置を示す図、図２は本発明による第２の実施
例のスパッタ装置を示す図である。
【００１６】第１の実施例のスパッタ装置は図１に示す
ようにゲートバルブ2aを介してクライオポンプ２と排気
口1aで接続されている真空チャンバ１内にウエーハステ
ージ７を設け、真空チャンバ１の上部にはこのウエーハ
ステージ７に搭載したウエーハ８と対向してスパッタタ
ーゲット５を設け、このスパッタターゲット５とウエー
ハ８の周囲を取り囲む防着板６を設けたスパッタ装置で
ある。
ようにゲートバルブ2aを介してクライオポンプ２と排気
口1aで接続されている真空チャンバ１内にウエーハステ
ージ７を設け、真空チャンバ１の上部にはこのウエーハ
ステージ７に搭載したウエーハ８と対向してスパッタタ
ーゲット５を設け、このスパッタターゲット５とウエー
ハ８の周囲を取り囲む防着板６を設けたスパッタ装置で
ある。
【００１７】この防着板６の側壁には、反応性ガスを供
給する反応ガス導入口3aと、スパッタターゲット５と防
着板６とウエーハ８とで包囲された空間内の圧力を計測
する圧力計４が設けられており、ウエーハ８の真空チャ
ンバ１内への搬入取り出しに用いるウエーハ搬入口1bが
設けられている。
給する反応ガス導入口3aと、スパッタターゲット５と防
着板６とウエーハ８とで包囲された空間内の圧力を計測
する圧力計４が設けられており、ウエーハ８の真空チャ
ンバ１内への搬入取り出しに用いるウエーハ搬入口1bが
設けられている。
【００１８】このようなスパッタ装置でウエーハ８を処
理するには、ウエーハステージ７を図に示す点線の矢印
の方向に下降し、図に示す実線の矢印の方向に移動し、
ウエーハ搬入口1bを通してウエーハ８をウエーハステー
ジ７に搭載し、図示する位置にウエーハステージ７を移
動して停止する。
理するには、ウエーハステージ７を図に示す点線の矢印
の方向に下降し、図に示す実線の矢印の方向に移動し、
ウエーハ搬入口1bを通してウエーハ８をウエーハステー
ジ７に搭載し、図示する位置にウエーハステージ７を移
動して停止する。
【００１９】この状態でまず図示しない粗引き用の排気
手段により真空チャンバ１内の空気を排気し、ついで圧
力計４が１〜５×10-9Torrを示すまでクライオポンプ２
により排気を行う。
手段により真空チャンバ１内の空気を排気し、ついで圧
力計４が１〜５×10-9Torrを示すまでクライオポンプ２
により排気を行う。
【００２０】その後防着板６の開口部6aを排気コンダク
タンスとして用いてスパッタターゲット５と防着板６と
ウエーハ８とで包囲された空間内の圧力を１〜５×10-3
Torrに保持できるように、スパッタ処理を行う場合には
反応ガス導入口3aからアルゴンの流量を、リアクティブ
スパッタ処理を行う場合には反応ガス導入口3aから反応
性ガスとアルゴンの混合ガスの流量を調節しながら供給
する。
タンスとして用いてスパッタターゲット５と防着板６と
ウエーハ８とで包囲された空間内の圧力を１〜５×10-3
Torrに保持できるように、スパッタ処理を行う場合には
反応ガス導入口3aからアルゴンの流量を、リアクティブ
スパッタ処理を行う場合には反応ガス導入口3aから反応
性ガスとアルゴンの混合ガスの流量を調節しながら供給
する。
【００２１】このように先ず１〜５×10-9Torrまで減圧
し、その後反応ガスの流量を調節しながら反応ガスを供
給して１〜５×10-3Torrまで室内圧を高めるので、不純
物ガスの分圧を数 ppm以下に減少させることが可能とな
り、防着板６の開口部6aを排気コンダクタンスとして用
いながら反応ガスを供給するので反応ガスに含有されて
いる不純物ガスの分圧をも数 ppm以下にして良質な被膜
をウエーハ８の表面に形成することが可能となる。
し、その後反応ガスの流量を調節しながら反応ガスを供
給して１〜５×10-3Torrまで室内圧を高めるので、不純
物ガスの分圧を数 ppm以下に減少させることが可能とな
り、防着板６の開口部6aを排気コンダクタンスとして用
いながら反応ガスを供給するので反応ガスに含有されて
いる不純物ガスの分圧をも数 ppm以下にして良質な被膜
をウエーハ８の表面に形成することが可能となる。
【００２２】第２の実施例のスパッタ装置は図２に示す
ようにゲートバルブ12a を介してクライオポンプ12と排
気口11a で接続されている真空チャンバ11内にウエーハ
ステージ17を設け、真空チャンバ11の上部にはこのウエ
ーハステージ17に搭載したウエーハ８と対向してスパッ
タターゲット15を設け、このスパッタターゲット15とウ
エーハ８の周囲を取り囲む防着板16を設けたスパッタ装
置である。
ようにゲートバルブ12a を介してクライオポンプ12と排
気口11a で接続されている真空チャンバ11内にウエーハ
ステージ17を設け、真空チャンバ11の上部にはこのウエ
ーハステージ17に搭載したウエーハ８と対向してスパッ
タターゲット15を設け、このスパッタターゲット15とウ
エーハ８の周囲を取り囲む防着板16を設けたスパッタ装
置である。
【００２３】この防着板16の側壁には、反応性ガスを供
給する反応性ガス導入口13b が設けられており、真空チ
ャンバ11の側壁にはアルゴンを供給するアルゴン導入口
13aと、真空チャンバ11内の室内圧を計測する圧力計14
とウエーハ８の真空チャンバ11内への搬入取り出しに用
いるウエーハ搬入口11b が設けられている。
給する反応性ガス導入口13b が設けられており、真空チ
ャンバ11の側壁にはアルゴンを供給するアルゴン導入口
13aと、真空チャンバ11内の室内圧を計測する圧力計14
とウエーハ８の真空チャンバ11内への搬入取り出しに用
いるウエーハ搬入口11b が設けられている。
【００２４】このようなスパッタ装置でウエーハ８を処
理するには、第１の実施例と同様にウエーハ８を真空チ
ャンバ11内に搬入し、この状態で第１の実施例と同様に
まず図示しない排気手段により真空チャンバ11内の空気
を排気し、ついで圧力計14が１〜５×10-9Torrを示すま
でクライオポンプ12により排気を行う。
理するには、第１の実施例と同様にウエーハ８を真空チ
ャンバ11内に搬入し、この状態で第１の実施例と同様に
まず図示しない排気手段により真空チャンバ11内の空気
を排気し、ついで圧力計14が１〜５×10-9Torrを示すま
でクライオポンプ12により排気を行う。
【００２５】その後、防着板16の開口部16a を排気コン
ダクタンスとして用いてスパッタターゲット15と防着板
16とウエーハ８とで包囲された空間内の圧力を１〜５×
10-3Torrに保持できるように、スパッタ処理を行う場合
には反応性ガス導入口13b からはガスを供給せず、アル
ゴン導入口13a からアルゴンの流量を調節しながら供給
する。またリアクティブスパッタ処理を行う場合にはア
ルゴン導入口13a からアルゴンを、反応性ガス導入口13
b から反応性ガスのみをアルゴンよりも大きな流量で調
節しながら供給する。
ダクタンスとして用いてスパッタターゲット15と防着板
16とウエーハ８とで包囲された空間内の圧力を１〜５×
10-3Torrに保持できるように、スパッタ処理を行う場合
には反応性ガス導入口13b からはガスを供給せず、アル
ゴン導入口13a からアルゴンの流量を調節しながら供給
する。またリアクティブスパッタ処理を行う場合にはア
ルゴン導入口13a からアルゴンを、反応性ガス導入口13
b から反応性ガスのみをアルゴンよりも大きな流量で調
節しながら供給する。
【００２６】このように先ず１〜５×10-9Torrまで室内
圧を減圧し、その後反応ガスの流量を調節しながらアル
ゴンのみ或いはアルゴンと反応性ガスとを別々に反応性
ガスの流量をアルゴンの流量よりも多く供給して１〜５
×10-3Torrまで室内圧を高めるので、不純物ガスの分圧
を数 ppm以下に減少させることが可能となり、防着板６
の開口部6aを排気コンダクタンスとして用いながら反応
ガスを供給するので反応ガスに含有されている不純物ガ
スの分圧をも数 ppm以下にして良質な被膜をウエーハ８
の表面に形成することが可能となる。
圧を減圧し、その後反応ガスの流量を調節しながらアル
ゴンのみ或いはアルゴンと反応性ガスとを別々に反応性
ガスの流量をアルゴンの流量よりも多く供給して１〜５
×10-3Torrまで室内圧を高めるので、不純物ガスの分圧
を数 ppm以下に減少させることが可能となり、防着板６
の開口部6aを排気コンダクタンスとして用いながら反応
ガスを供給するので反応ガスに含有されている不純物ガ
スの分圧をも数 ppm以下にして良質な被膜をウエーハ８
の表面に形成することが可能となる。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単な構造の変更により、真空チャンバ
内の不純物ガスの分圧を減少することが可能となり、ウ
エーハに形成する被膜の膜質を向上させることが可能と
なる利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果
が期待できるスパッタ装置の提供が可能である。
によれば極めて簡単な構造の変更により、真空チャンバ
内の不純物ガスの分圧を減少することが可能となり、ウ
エーハに形成する被膜の膜質を向上させることが可能と
なる利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果
が期待できるスパッタ装置の提供が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による第１の実施例のスパッタ装置を
示す図、
示す図、
【図２】 本発明による第２の実施例のスパッタ装置を
示す図、
示す図、
【図３】 従来のスパッタ装置を示す図、
1,11は真空チャンバ、 1a,11aは排気口、 1b,11bはウエーハ搬入口、 2,12はクライオポンプ、 2a,12aはゲートバルブ、 3aは反応ガス導入口、 13aはアルゴン導入口、 13bは反応性ガス導入口、 4,14は圧力計、 5,15はスパッタターゲット、 6,16は防着板、 6a,16aは開口部、 7,17はウエーハステージ、 ８はウエーハ、
Claims (2)
- 【請求項１】 真空チャンバ(1) 内にスパッタリング空
間を画定する防着板(6) を備え、前記真空チャンバ(1)
内のウエーハステージ(7) に搭載したウエーハ(8) の表
面に、前記真空チャンバ(1) の上部に設けたスパッタタ
ーゲット(5)から飛来した金属粒子の薄膜を形成するス
パッタ装置において、 前記防着板(6) にて画定された空間内に直接アルゴンを
導入する反応ガス導入口(3a)と、 前記防着板(6) にて画定された空間内の圧力を直接計測
することが可能な圧力計(4) と、 を具備することを特徴とするスパッタ装置。 - 【請求項２】 真空チャンバ(11)内にスパッタリング空
間を画定する防着板(16)を備え、前記真空チャンバ(11)
内のウエーハステージ(17)に搭載したウエーハ(8) の表
面に、前記真空チャンバ(11)の上部に設けたスパッタタ
ーゲット(15)から飛来した金属粒子の薄膜を形成するス
パッタ装置において、 前記真空チャンバ(11)内にアルゴンを導入するアルゴン
導入口(13a) と、 前記防着板(16)にて画定された空間内に直接反応性ガス
を導入する反応性ガス導入口(13b) と、 前記真空チャンバ(11)内の圧力を計測することが可能な
圧力計(14)と、 を具備することを特徴とするスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4848292A JPH05247639A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4848292A JPH05247639A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05247639A true JPH05247639A (ja) | 1993-09-24 |
Family
ID=12804608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4848292A Withdrawn JPH05247639A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05247639A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011077653A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 電子デバイスの製造方法、およびスパッタリング装置 |
| CN102373424A (zh) * | 2010-08-06 | 2012-03-14 | 佳能安内华股份有限公司 | 膜形成设备和膜形成设备用的校准方法 |
| US9034152B2 (en) | 2010-12-21 | 2015-05-19 | Canon Anelva Corporation | Reactive sputtering apparatus |
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