JP7039234B2 - 成膜装置 - Google Patents

Description

本発明は、成膜装置に関する。

半導体装置や液晶ディスプレイあるいは光ディスクなど各種の製品の製造工程において、例えばウエーハやガラス基板等のワーク上に薄膜を成膜することがある。薄膜は、ワークに対して金属等の膜を形成する成膜や、形成した膜に対してエッチング、酸化又は窒化等の膜処理を行うこと等によって、作成することができる。

このような成膜を行う装置として、プラズマを用いてスパッタリングにより成膜を行う成膜装置が提案されている。かかる成膜装置は、ターゲットを配置した真空容器に不活性ガスを導入し、直流電圧を印加する。これによりプラズマ化した不活性ガスのイオンを、成膜材料のターゲットに衝突させ、ターゲットから叩き出された材料をワークに堆積させて成膜を行う。

さらに、成膜処理を連続して行えるように、成膜装置として、一つの真空容器の内部に回転テーブルを配置し、回転テーブルの上方の周方向に、成膜を行う成膜ユニットを複数配置した構成のものがある。ワークを回転テーブル上に保持して循環搬送し、成膜ユニットの直下を繰り返し通過させることで、成膜処理を効率良く行うことができる。

特許第４４１６４２２号公報

ここで、成膜装置による成膜には、例えば、ＴｉＯ_２やＳｉＯ_２を何層も積層させて、光学干渉を利用した反射防止膜、増反射膜といった膜を作成する場合に、視覚性を向上させるために、膜の緻密性を高めたいという要望がある。

スパッタリングによる成膜において、膜の緻密性を高める技術としては、ターゲットの近傍の圧力を０．０１Ｐａ程度と比較的高くして、プラズマ生成のための放電に必要な圧力を維持しつつ、ワークである基板の近傍の圧力を低くすることが、特許文献１に記載されている。圧力が低いと、ターゲットから叩き出された成膜材料であるスパッタ粒子が、ワークへ到達するまでのガスの衝突回数が少なくなるため、エネルギーを失わず、方向の変化が抑えられる。高いエネルギーでワークに到達したスパッタ粒子は、ワークの表面で動くことができるので、薄膜の疎の部分へとスパッタ粒子が移動して、緻密な膜が形成される。

一方、ターゲットとワークとの距離が遠いと、スパッタ粒子のエネルギーが減衰し、方向の変化も生じやすい。このため、膜の緻密性を高めるためには、ターゲットとワークとの距離は近いことが好ましい。しかし、上記のようにターゲット近傍は比較的高い圧力とすることが必要であるため、ターゲットとワークとの距離を近づけると、ワーク近傍の圧力を低くすることが難しくなる。つまり、低減できるワーク近傍の圧力のレベルには限界がある。

しかも、上記のような循環搬送式の成膜装置の場合、チャンバ内に成膜ユニットと回転テーブルを収容するために、成膜ユニットにおけるターゲットとテーブル上のワークとの距離を離隔させることは、装置全体の大型化につながる。このため、ターゲットとワークとの距離が比較的近くなり、ターゲット近傍とワーク近傍との間に圧力差を設けることが難しい。また、特許文献１では、ターゲット近傍へのスパッタガスの供給を行うガス供給装置、ターゲットを囲むノズル形状部材、ワーク近傍を排気する排気装置を設けているが、回転テーブルに対向する各成膜ユニットのそれぞれにこのような構成を付加することは難しい。

さらに、ターゲットとワークとの距離を近づけ過ぎると、局所的に膜が厚くなるなど、膜厚分布の問題が生じる。特に、複数のターゲットを同時にスパッタさせて成膜する場合、各ターゲットに対応する位置に膜厚のピークが生じ、ターゲット間の膜厚が薄くなり、膜厚分布の均一性が低下する。

また、ワークに対してバイアス電圧を印加して、スパッタを行うことにより、膜の緻密性を向上させる方法がある。しかし、回転テーブルによって循環搬送されているワークに電圧を印加する構造を付加することは、成膜装置の構成が非常に複雑になる。さらに、ターゲットへの印加電圧を上げて、膜の緻密性を向上させる方法がある。しかし、現状で印加している電圧をさらに上昇させると、ターゲットが損傷する可能がある。

本発明は、上述のような課題を解決するために、移動するワーク近傍の圧力を低下させて、膜の緻密性を向上させることができる成膜装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の成膜装置は、
内部を真空とすることが可能な容器と、
前記容器内に設けられた、一端に開口を有する成膜室を有し、前記成膜室内に成膜材料からなるターゲットを備え、前記成膜室内のスパッタガスに生成されたプラズマによって、前記開口に対向するワークの表面に前記ターゲットの成膜材料を堆積させて成膜する成膜部と、
前記ワークを所定の搬送経路に沿って搬送することにより、前記成膜室の開口に対向する対向領域と、前記成膜室の開口に対向しない非対向領域とを繰り返し通過させる搬送体と、
を有し、
前記搬送体は、
前記ワークが載置される凹部を有し、前記対向領域を通過する際に、前記成膜室内をプラズマの着火下限圧力未満であり且つプラズマの放電維持下限圧力以上とする低圧ポジションと、
前記ワークが載置されず、前記対向領域を通過する際に、前記成膜室内を着火下限圧力以上とする高圧ポジションと、
を有し、
前記凹部は、前記ワークが載置される領域と前記ワークが載置されない領域を有し、前記凹部において前記ワークが載置されない領域であって前記開口に対向する対向面と前記ターゲットとの距離が、前記高圧ポジションの前記開口に対向する対向面と前記ターゲットとの距離よりも長いこと、
を特徴とする。

前記低圧ポジションの前記搬送経路に沿う方向の距離及び前記高圧ポジションの前記搬送経路に沿う方向の距離は、それぞれ前記開口の前記搬送経路に沿う方向の距離以上であってもよい。

前記低圧ポジションは、前記ワークが載置される凹部を有していてもよい。前記低圧ポジションと前記開口との間のコンダクタンスが、前記高圧ポジションと前記開口との間のコンダクタンスよりも大きくてもよい。

前記搬送体は、前記ワークを円周の軌跡で循環搬送させる回転テーブルであり、前記開口及び前記低圧ポジションは、略扇形であってもよい。

前記低圧ポジション及び前記高圧ポジションが対向する領域に、成膜部でワークＷに形成された膜に対して物質を化合させることにより、化合物膜を生成する処理を行う膜処理部を有し、前記高圧ポジションと前記開口との間のコンダクタンスに対して、前記低圧ポジションと前記開口との間のコンダクタンスが１．０を超え、１０．０倍以下であってもよい。

前記低圧ポジションが前記対向領域を通過する際の前記成膜室内の圧力をＰ１、前記低圧ポジションの前記開口に対向する対向面と前記ターゲットとの距離をＨ１、前記高圧ポジションが前記対向領域を通過する際の前記成膜室内の圧力をＰ２、前記高圧ポジションの前記開口に対向する対向面と前記ターゲットとの距離をＨ２とすると、Ｐ１×Ｈ１≦Ｐ２×Ｈ２であってもよい。

前記低圧ポジションの前記開口に対向する対向面と前記ターゲットとの距離が可変に設けられていてもよい。

前記低圧ポジションには、単数又は複数のトレイを介して、ワークが載置されていてもよい。

前記低圧ポジションが前記対向領域を通過する際に、前記成膜室内をプラズマの放電維持下限圧力以上、プラズマの着火下限圧力未満とし、前記高圧ポジションが前記対向領域を通過する際に、前記成膜室内を着火下限圧力以上とするように、前記スパッタガスを前記成膜室内へ供給するガス供給部を有していてもよい。

本発明は、移動するワーク近傍の圧力を低下させて、膜の緻密性を向上させることができる成膜装置を提供することができる。

本発明の実施形態に係る成膜装置の構成を模式的に示す平面図である。 図１のＡ－Ａ断面図である。 実施形態の搬送体を示す平面図である。 図２の高圧ポジションが成膜部に対向する位置に来た状態を示す断面図である。 搬送体の低圧ポジション、高圧ポジション、成膜室の開口の搬送経路に沿う長さを示す説明図である。 低圧ポジションが開口に重なり始めた状態を示す説明図である。 低圧ポジションが開口の直下に来た状態を示す説明図である。 低圧ポジションが開口の直下からずれた状態を示す説明図である。 低圧ポジションが開口との重なりがなくなる直前の状態を示す説明図である。 高圧ポジションが開口の直下に来た状態を示す説明図である。 成膜室内の圧力変動の一例を示すグラフである。 成膜装置内のスパッタガスの流れを示す説明図（Ａ）、シールド部材の外形寸法を示す説明図（Ｂ）である。 膜処理部に供給される酸素の流量とＮｂ_２Ｏ_ｘ膜の光の吸収率との関係を示したグラフである。 膜処理部に供給される酸素の流量と成膜部の放電電圧との関係を示したグラフである。 複数のチップへの成膜を行った実験のチップの配置を示す説明図である。 図１３の実験の結果を膜の屈折率で示したグラフである。

本実施形態の成膜装置を、図面を参照して説明する。図１は、成膜装置１の簡略平面図、図２は、図１のＡ－Ａ断面図である。
［概要］
本実施形態の成膜装置１は、図１に示すように、チャンバ２、成膜部３ａ～３ｆ、膜処理部４、搬送体５を有する。チャンバ２は、内部を真空とすることが可能な容器である。成膜部３ａ～３ｆは、図２に示すように、一端に開口３４ａを有する成膜室３４を有し、成膜室３４内に成膜材料からなるターゲット３０ａを備え、成膜室３４内のスパッタガスＧ１で生成されたプラズマによって、開口３４ａに対向するワークＷの表面に、ターゲット３０ａの成膜材料を堆積させて成膜する構成部である。

本実施形態では、成膜室３４は、後述するように、チャンバ２内に設けられたシールド部材３３の内部に形成される空間である。シールド部材３３は、チャンバ２の天井と反対側が開口３４ａとなっている。すなわち、成膜室３４及び開口３４ａは、シールド部材３３に形成されているが、本発明では便宜上、成膜室３４の開口３４ａと称する。なお、成膜装置１において処理されるワークＷは、ウエーハ、ガラス基板、電子部品等が適用可能だが、その他、表面に成膜が必要なあらゆる部材を適用できる。また、ワークＷの形状は、平板状であっても、曲面や凹凸を有してもよい。本実施形態では、図１及び図２に示すように曲面を有するワークＷを用いる。

膜処理部４は、成膜部３ａ～３ｆでワークＷに形成された膜に膜処理を行う構成部である。膜処理としては、後酸化処理等による酸化膜、窒化膜等の化合物膜の生成、エッチング、アッシング等の表面改質、クリーニング等を含む。後酸化処理とは、成膜部３で成膜された金属あるいは半導体の膜に対して、プラズマにより生成された酸素イオン等を反応させることによって、金属あるいは半導体の膜を酸化する処理である。

搬送体５は、ワークＷを所定の搬送経路Ｌに沿って搬送することにより、成膜室３４の開口３４ａに対向する対向領域と、成膜室３４の開口３４ａに対向しない非対向領域とを繰り返し通過させる構成部である。対向領域は、開口３４ａと離隔しつつ平面視で重なりが生じる領域であり、非成膜領域は開口３４ａと離隔しつつ平面視で重なりが生じない領域である。本実施形態では、開口３４ａの直下の領域が、対向領域となる。

複数の成膜部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ、３ｆ及び膜処理部４は、図１に示すように、搬送体５に形成されるワークＷの搬送経路Ｌに沿って、互いに所定の間隔を空けて隣接するように配置されている。ワークＷが成膜部３、膜処理部４の下を通過することで、各処理が行われる。なお、成膜部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ、３ｆを区別しない場合には、成膜部３として説明する。

［構成］
以下、上記のような成膜装置１の構成を具体的に説明する。
（チャンバ）
チャンバ２は、図１及び図２に示すように、略円筒型の密閉容器である。チャンバ２には、図示しないポンプ等の減圧装置に接続された排気部２ａが設けられており、この排気部２ａからの排気により、チャンバ２の内部を真空とすることが可能となる。

（成膜部）
成膜部３は、図２に示すように、スパッタ源３０、ＤＣ電源３１、スパッタガス導入部３２、シールド部材３３を有する。スパッタ源３０は、ターゲット３０ａ、バッキングプレート３０ｂ、電極３０ｃを有する。ターゲット３０ａは、ワークＷ上に堆積されて膜となる成膜材料で構成された板状の部材である。ターゲット３０ａは、ワークＷが成膜室３４の下を通過する際に、ワークＷと対向する位置に設置される。本実施形態のターゲット３０ａは、図１に示すように、円形のものが２つ設けられている。但し、ターゲット３０ａの数は、これには限定されない。ターゲット３０ａを１つとしても、３つ以上としてもよい。

バッキングプレート３０ｂは、ターゲット３０ａを保持する部材である。電極３０ｃは、チャンバ２の外部からターゲット３０ａに電力を印加するための導電性の部材である。なお、スパッタ源３０には、必要に応じてマグネット、冷却機構などが適宜具備されている。

ＤＣ電源３１は、ターゲット３０ａに電極３０ｃを介して直流電圧を印加する電源である。なお、電源に関してはＤＣパルス電源、ＲＦ電源等、周知のものが適用できる。スパッタガス導入部３２は、チャンバ２の上面の、ターゲット３０ａを取り付けた箇所の近傍から、スパッタガスＧ１を成膜室３４に導入するガス供給部である。スパッタガスＧ１は、例えば、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスを用いることができる。

シールド部材３３は、図１及び図２に示すように、平面視で略扇形の箱状の部材である。シールド部材３３の内部が成膜室３４であり、下部が搬送体５に向かう開口３４ａとなる。シールド部材３３の外周壁は、ターゲット３０ａの周囲からのプラズマの流出を低減するための隔壁３３ａとなる。なお、シールド部材３３の天井には、成膜室３４内に各ターゲット３０ａが露出するように、各ターゲット３０ａに対応する位置に、ターゲット３０ａの大きさ及び形状と同じ孔が形成されている。

なお、成膜室３４は、成膜の大半が行われる領域であるが、成膜室３４から外れる領域であっても、成膜室３４からの成膜材料の漏れはあるため、全く膜の堆積がないわけではない。つまり、成膜部３において成膜が行われる成膜領域は、シールド部材３３で画される成膜室３４よりもやや広い領域となる。従って、対向領域は成膜を受ける領域ではあるが、非対向領域であっても膜の堆積は生じる場合がある。

（膜処理部）
膜処理部４は、図１及び図２に示すように、チャンバ２の上面に設置された箱型の電極４０を備えている。電極４０の形状は特に限定されないが、本実施形態では、平面視で略扇形となっている。電極４０は底部に開口部４１を有している。開口部４１の外縁、すなわち電極４０の下端は、搬送体５の上面に対して、わずかな隙間を介して対向している。

電極４０には、高周波電圧を印加するためのＲＦ電源４２が接続されている。ＲＦ電源４２の出力側にはマッチングボックス（不図示）が接続されている。ＲＦ電源４２はチャンバ２にも接続されており、電極４０がカソード、チャンバ２がアノードとなっている。また、電極４０にはプロセスガス導入部４３が接続されており、プロセスガス導入部４３を介して外部のプロセスガス供給源から電極４０にプロセスガスＧ２が導入される。

プロセスガスＧ２は、膜処理の目的によって適宜変更可能である。例えば、エッチングを行う場合は、エッチングガスとしてアルゴン等の不活性ガスを用いる。酸化処理を行う場合は酸素を用いる。窒化処理を行う場合は窒素を用いる。プロセスガス導入部４３により電極４０にプロセスガスＧ２を導入し、ＲＦ電源４２により高周波電圧を印加することによって、電極４０の内部にプラズマが発生する。なお、成膜部３、膜処理部４の並び順及び数は特定のものに限定されない。

（搬送体）
搬送体５は、図１及び平面図である図３に示すように、チャンバ２の内部に設けられた円盤形状の回転テーブルである。搬送体５の中心軸５ａ（図２参照）には、不図示の駆動機構が連結される。駆動機構の駆動によって、搬送体５は中心軸５ａを回転軸として回転する。この搬送体５および駆動機構は、搬送部を構成する。

搬送体５は、低圧ポジション５１と高圧ポジション５２を有する。低圧ポジション５１は、ワークＷが載置され、対向領域を通過する際に、成膜室３４内をプラズマの着火下限圧力未満且つプラズマの放電維持下限圧力以上とするポジションである。着火下限圧力は、成膜室３４内に電圧を印加してプラズマを発生（以下、着火ともいう）させる際に、プラズマを着火できる下限の圧力をいう。

放電維持下限圧力とは、着火したプラズマを維持することができる下限の圧力をいう。着火下限圧力は放電維持下限圧力よりも高い圧力である。着火下限圧力未満の圧力であっても、一旦発生したプラズマが維持されていれば、成膜を行うことができる。このように、着火下限圧力未満の低圧で成膜を行うことにより、膜の緻密性を向上させることができる。なお、「通過する際に」とは、通過する途中のいずれかの時点でを意味する。また、本実施形態では、ワークＷはトレイＴを介して低圧ポジション５１に載置される。ワークＷは、低圧ポジション５１に直接載置されてもよいし、トレイＴを介して間接的に載置してもよい。

搬送体５が回転することによって、低圧ポジション５１に載置されたワークＷが搬送体５の周方向に移動する。つまり、図１に示すように、ワークＷの搬送経路Ｌは、搬送体５に円周状に形成される。ワークＷは、成膜部３の下を通過することにより成膜され、膜処理部４の下を通過することにより膜処理される。以降、単に「周方向」という場合には、「搬送体５の周方向」を意味し、単に「半径方向」という場合には、「搬送体５の半径方向」を意味する。なお、本実施形態では、図１に示すように、ワークＷの搬送方向は平面視で時計回りであるが、これは一例であり、反時計回りでもよい。

高圧ポジション５２は、ワークＷが載置されず、対向領域を通過する際に、成膜室３４内を着火下限圧力以上とするポジションである。着火下限圧力未満の圧力とすることにより、一旦発生したプラズマが消えてしまう場合もあり、この場合には、成膜室３４内の圧力を着火下限圧力以上に高める必要が生じる。本実施形態では、低圧ポジション５１で着火下限圧力未満とした成膜室３４内を、高圧ポジション５２によって着火下限圧力以上に高めることができる。

このため、低圧ポジション５１及び高圧ポジション５２は、具体的には以下のような構成を有している。まず、図２及び図４に示すように、低圧ポジション５１の開口３４ａに対向する対向面と、ターゲット３０ａとの距離Ｈ１は、高圧ポジション５２の開口３４ａに対向する対向面と、ターゲット３０ａとの距離Ｈ２よりも長い。つまり、低圧ポジション５１は、図２に示すように、ワークＷが載置される凹部５１ａを有するため、搬送体５の上面の高さである高圧ポジション５２よりも、ターゲット３０ａとの距離が長くなる。凹部５１ａは、搬送体５の上面に形成された窪みである。

なお、低圧ポジション５１が対向領域を通過する際の成膜室３４内の圧力をＰ１、高圧ポジション５２が対向領域を通過する際の成膜室内の圧力をＰ２とすると、Ｐ１×Ｈ１≦Ｐ２×Ｈ２であることが好ましい。これは、上記のように、膜を緻密にする方法として、低圧にする方法と近づけて緻密にする方法があり、近づけることには膜の均一性の問題があるため、ある程度遠ざけて低圧にしているが、あまり遠ざけてしまうと低圧としたことに意味がなくなってしまうからである。

低圧ポジション５１は、ワークＷの形状に応じて様々な形状とすることができるが、本実施形態では、図３及び図５の平面図に示すように、凹部５１ａを平面視で略扇形とした例で説明する。凹部５１ａの内底面は、開口３４ａに対向する平坦な対向面となっている（図２参照）。搬送体５の上面には、複数の凹部５１ａが、搬送体５の周方向に等間隔に設けられている。本実施形態では、３つの凹部５１ａが設けられているが、これには限定されない。つまり、低圧ポジション５１は、１つ以上であればよい。

搬送体５の上面において、低圧ポジション５１以外の部分が、高圧ポジション５２である。つまり、凹部５１ａが形成されていない平坦な対向面によって、高圧ポジション５２が形成されている。

また、図５に示すように、低圧ポジション５１の搬送経路Ｌに沿う距離α及び高圧ポジション５２の搬送経路Ｌに沿う距離βは、開口３４ａの搬送経路Ｌに沿う距離γ以上である。これにより、低圧ポジション５１と開口３４ａとの間のコンダクタンスが、高圧ポジション５２と開口３４ａとの間のコンダクタンスよりも大きくなる。つまり、成膜時において、低圧ポジション５１と開口３４ａとの隙間が広くなるために、スパッタガスＧ１が流出し易くなり、成膜室３４が低圧となる。非成膜時には、高圧ポジション５２と開口３４ａとの隙間が狭くなるために、スパッタガスＧ１が流出し難くなり、成膜室３４が高圧に維持される。なお、成膜時とは、ターゲット３０ａに電圧が印加された状態で、低圧ポジション５１が対向領域を通過する時のことをいう。非成膜時とは、ターゲット３０ａに電圧が印加された状態で、高圧ポジション５２が対向領域を通過する時のことをいう。

なお、図１に示すように、成膜部３ａ及び成膜部３ｆの間には、外部から未処理のワークＷをチャンバ２の内部に搬入し、処理済みのワークＷをチャンバ２の外部へ搬出するロードロック部６が設けられている。

成膜装置１は、さらに制御部７を備えている。制御部７はＣＰＵなどの演算部、メモリ等の記憶部を有するコンピュータにより構成される。制御部７は、チャンバ２へのスパッタガスＧ１および電極４０へのプロセスガスＧ２の導入および排気に関する制御、ＤＣ電源３１及びＲＦ電源４２の制御、および、搬送体５の回転速度の制御などを行う。

［動作］
本実施形態の成膜装置１の動作を説明する。なお、以下の動作は、成膜部３ａ～３ｅでニオブ（Ｎｂ）の膜を形成し、膜処理部４で後酸化処理を行うことにより、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_ｘ）とする例である。

（成膜処理の概要）
まず、チャンバ２の内部は、排気部２ａから排気されて真空状態にされる。チャンバ２内の真空状態を維持しつつ、ロードロック部６から、トレイＴに載置された未処理のワークＷをチャンバ２内に搬入する。搬入されたトレイＴは、ロードロック部６に順次位置決めされる搬送体５の低圧ポジション５１に載置される。さらに、搬送体５を連続して回転させることにより、ワークＷを搬送経路Ｌに沿って回転搬送して、図１及び図２に示すように、成膜部３ａ～３ｆ、膜処理部４の下を通過させる。

成膜部３ａでは、スパッタガス導入部３２からスパッタガスＧ１を導入し、ＤＣ電源３１からスパッタ源３０に直流電圧を印加する。直流電圧の印加によってスパッタガスＧ１がプラズマ化され、イオンが発生する。発生したイオンがターゲット３０ａに衝突すると、ターゲット３０ａの材料が飛び出す。飛び出した材料が成膜部３ａの下を通過するワークＷに堆積することで、ワークＷ上に薄膜が形成される。他の成膜部３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ、３ｆでも、同様の方法で成膜が行われる。ただし、必ずしもすべての成膜部３で成膜する必要はない。一例として、ここでは、ワークＷに対してＮｂの薄膜が生成される。

成膜部３ａ～３ｆで薄膜が生成されたワークＷは、図４に示すように、膜処理部４の下を通過する。膜処理部４では、プロセスガス導入部４３から電極４０内にプロセスガスＧ２である酸素ガスを導入し、ＲＦ電源４２から電極４０に高周波電圧を印加する。高周波電圧の印加によって酸素ガスがプラズマ化され、電子、イオン及びラジカル等が発生する。プラズマはアノードである電極４０の開口部４１から、カソードである搬送体５へ流れる。プラズマ中のイオンが開口部４１の下を通過するワークＷ上の薄膜に衝突することで、薄膜が後酸化される。

このような薄膜の生成とその後酸化処理が、搬送体５の回転に従って繰り返し行われ、所望の後酸化膜が形成されたワークＷは、トレイＴとともにロードロック部６からチャンバ２の外へ搬出される。

（成膜室の圧力変化）
以上のような成膜処理の過程での成膜室３４の内部圧力が変化する原理を、図６～図１０を参照して説明する。なお、図６～図１０は、搬送体５とシールド部材３３との位置関係を、図１のＢ方向から見た簡略縦断面図である。

図６に示すように、搬送体５の回転に従って、低圧ポジション５１が、成膜室３４の開口３４ａと上下の重なりが生じ始める位置に来ると、凹部５１ａによって、シールド部材３３の下端の搬送経路Ｌの回転方向における上流側（図中、右端側）と搬送体５との隙間が拡大する。このため、図中の白塗りの矢印で示すように、スパッタガスＧ１の漏れ量が増え始める。これにより、成膜室３４内の圧力低下が開始する。これにより、成膜室３４内の圧力が着火下限圧力未満まで低下する。

図７に示すように、低圧ポジション５１が、成膜室３４の開口３４ａの直下に来ると、凹部５１ａの搬送経路Ｌに沿う距離αが、開口３４ａの搬送経路Ｌに沿う距離γよりも長く形成されていることから、シールド部材３３の下端の搬送経路Ｌの両端側と搬送体５との隙間が拡大する。このため、図中の白塗りの矢印で示すように、スパッタガスＧ１の漏れ量がより一層増大する。

図８に示すように、搬送体５の回転に従って、低圧ポジション５１が、成膜室３４の開口３４ａの直下を過ぎた位置に来ると、凹部５１ａによって、シールド部材３３の下端の搬送経路Ｌの回転方向における下流側（図中、左端側）と搬送体５との隙間が縮小する。このため、図中の白塗りの矢印で示すように、スパッタガスＧ１の漏れ量が減少し始める。これにより、成膜室３４内の圧力が上昇し始める。

図９に示すように、搬送体５の回転に従って、開口３４ａに対向する凹部５１ａの容積が減少し、シールド部材３３の下端と搬送体５との隙間が減少すると、成膜室３４内の圧力がさらに上昇する。

さらに、図１０に示すように、搬送体５の回転に従って、高圧ポジション５２が、成膜室３４の開口３４ａの直下に来ると、シールド部材３３の下端と搬送体５との隙間がさらに縮小する。これにより、成膜室３４内の圧力が着火下限圧力以上に上昇する。

（実施例）
以上のような本実施形態を適用した具体的な実施例を説明する。まず、成膜中に成膜室３４内の圧力変動を測定した例を、図１１を参照して説明する。この例では、放電維持下限圧力が０．０８Ｐａ程度、着火下限圧力が０．１９Ｐａ程度となる成膜室３４、スパッタガスＧ１、スパッタ源３０を用いた。また、ワークＷを設置する低圧ポジション５１は、搬送体５に１箇所だけ設けた。低圧ポジション５１と隔壁３３ａとの間隔ｂ_１を３０ｍｍとし、高圧ポジション５２と隔壁３３ａとの間隔ｂ_２を５ｍｍとした（図２、図４参照）。

さらに、高圧ポジション５２の非成膜時のコンダクタンスは５２２Ｌ／ｓとし、低圧ポジション５１での成膜時のコンダクタンスは９６４Ｌ／ｓ（１．８５倍）とした。ここで、特定の領域の中を気体が流れるときに生じる抵抗を排気抵抗と呼び、その逆数がコンダクタンスである。つまり、コンダクタンスは気体の流れ易さを意味する。

図１１に示すように、成膜室３４にＡｒを７２ｓｃｃｍ流した際の成膜圧力は、非成膜時には０．２５Ｐａになり、成膜時には０．１５Ｐａとなった。これにより、放電が失われた場合でも、非成膜時に圧力を上昇させて再着火させ、放電を継続できるので、着火下限圧力未満での成膜が可能となった。

なお、コンダクタンスの求め方は種々存在する。本実施形態のような成膜装置１においては、図１２（Ａ）の黒塗りの太矢印で示すように、スパッタガスＧ１は、シールド部材３３と搬送体５である回転テーブルとの隙間を通って、チャンバ２の底部にある排気部２ａまで流れる。このような成膜装置１の内部の排気経路のすべての部分のコンダクタンスＣ１は、有効排気速度Ｓ^＊と減圧装置であるポンプの排気速度Ｓ_０から、以下の式を用いて求めることができる。
Ｃ１＝Ｓ^＊Ｓ_０／（Ｓ_０－Ｓ^＊）

有効排気速度Ｓ^＊は、Ｑ－Ｐ測定により求める。Ｑ－Ｐ測定とは、流量Ｑと圧力Ｐの測定値から有効排気速度を求める方法である。具体的には、シールド部材３３で区切られた成膜室３４にスパッタガスＧ１を流した際の成膜室３４内の圧力の値を測定する。そして、スパッタガス導入部３２によるガス流量の値を圧力の値で除することで、有効排気速度を求めることができる。

例えば、成膜時の有効排気速度を８６０Ｌ／ｓとし、非成膜時の有効排気速度を４９０Ｌ／ｓとする。ポンプ排気速度は８０００Ｌ／ｓで共通とすると、成膜時のコンダクタンスＣ１ｘは９６３．５８５Ｌ／ｓ、非成膜時のコンダクタンスＣ１ｙは５２１．９７１Ｌ／ｓとなる。

また、シールド部材３３と搬送体５である回転テーブルとの隙間部分のコンダクタンスＣ２は、以下のように求めることができる。シールド部材３３と搬送体５である回転テーブルとの隙間を、薄い平行２面の配管と仮定する。図１２（Ｂ）に示すように、シールド部材３３を平面視した場合に、スパッタガスＧ１の流路を形成する外周辺の長さをａ、シールド部材３３と回転テーブルとの隙間の長さをｂ、つまり成膜時は間隔ｂ_１、非成膜時は間隔ｂ_２（図１２（Ａ）、図２、図４参照）、シールド部材３３の板厚をｌ、補正係数Ｋとすると、コンダクタンスＣ２は、以下の式により求めることができる。
Ｃ２＝３０９Ｋａｂ^２／ｌ

成膜時のコンダクタンスＣ２ｘ、非成膜時のコンダクタンスＣ２ｙを考えると、共通のパラメータであるａ、ｌは以下の通りである。シールド部材３３の平面視で外側の円弧部分をｃ、半径方向に略平行な辺をｄ、内周側の辺をｅとすると、ａ＝ｃ＋２ｄ＋ｅとなる。例えば、ｃが４８７．５ｍｍ、ｄが１１３１ｍｍであり、ｅは流路として考慮しないため０ｍｍとすると、ａ＝２７４９．５ｍｍとなる。また、ｌは１２ｍｍである。なお、シールド部材３３のｃの部分は、凹部５１ａの形成の仕方によっては、搬送体５との間隔が変化する場合も、変化しない場合もある。

成膜時のｂは、上記と同様に、低圧ポジション５１の内底面と隔壁３３ａとの間隔ｂ_１で３０ｍｍとし、非成膜時のｂは、高圧ポジション５２の表面と隔壁３３ａとの間隔ｂ_２で５ｍｍとする。補正係数Ｋは、ｌ／ｂの値から適宜選択する。ｂ_１ならＫは、０．１３、ｂ_２ならＫは、０．４６である。すると、例えば、成膜時のコンダクタンスＣ２ｘは８２８４Ｌ／ｓ、非成膜時のコンダクタンスＣ２ｙは８１４Ｌ／ｓとなる。

なお、この演算でのコンダクタンスＣ２ｘは、最大となる時の値を求めている。しかし、凹部５１ａをシールド部材３３とほぼ同じ大きさの扇形とした場合、コンダクタンスＣ２ｘが計算式で求めた８２８４Ｌ／ｓになるのは一瞬である。実際には、片方のｄの部分の間隔ｂが広くなった後、だんだんｃの部分で間隔ｂの広い部分が増えていき、ｃの部分全域で間隔ｂが広くなった時点で、両方のｄの部分で間隔ｂが最大となる。

その後、最初に間隔ｂが広くなったｄの部分の間隔ｂは狭くなり、ｃの部分で間隔ｂが広い部分がだんだん少なくなり、最終的に後から間隔ｂが広くなったｄの部分の間隔ｂが狭くなる。そして、この全部の過程、つまり、先頭のｄの間隔ｂが広くなったときから、最後尾のｄの間隔ｂが狭くなるまでの間で、成膜室３４内の圧力が着火下限圧力よりも低くなっている必要がある。そこで、片方のｄの部分だけで、成膜室３４内の圧力を着火下限圧力よりも低くなるように、コンダクタンスＣ２ｘの変化を生じさせることが好ましい。

ところで、シールド部材３３と搬送体５である回転テーブルとの隙間部分が大きいと、膜処理部４のプロセスガスＧ２が成膜部３へ流入してしまう。プロセスガスＧ２の流入量が一定量を超えると、スパッタが酸化物モードに移行する。酸化物モードとは、ターゲット表面に酸化物が形成されることである。酸化物モードに移行すると、成膜レートが低下するので、生産性が落ちる。このため、後酸化処理をする場合、コンダクタンスＣ２は、大きくし過ぎてはいけない。

ここで、非成膜時のコンダクタンスＣ２ｙに対する成膜時のコンダクタンスＣ２ｘの上限について、コンダクタンスＣ２ｘとプロセスガスＧ２の流入との関係から検討した結果の一例を、図１３および図１４を参照して説明する。この例では、ターゲット３０ａを半径方向に３つ配置した成膜部３を備えた成膜装置１を用いた。成膜条件は、Ｎｂ_２Ｏ_ｘ膜を成膜する場合であって、３つのターゲット３０ａに印加するＤＣ電源３１の電力が１．６５／２．０８／３．３４［ｋＷ］、電極４０に印加するＲＦ電源４２の電力が５［ｋＷ］、スパッタガスＧ１であるアルゴンガスの流量が７２［ｓｃｃｍ］、プロセスガスＧ２である酸素の流量が４０～２００［ｓｃｃｍ］、回転テーブルの回転速度が６０［ｒｐｍ］である。

図１３は、膜処理部４に供給される酸素の流量とＮｂ_２Ｏ_ｘ膜の光の吸収率αとの関係を示したグラフである。吸収率αは、光が物質に入射したときに物質に吸収される割合であり、透過率をｔ、反射率をｒとすると、以下の式により求めることができる。
α＝１００－ｔ－ｒ

光学用途に用いられる膜において、吸収率αは、低いことが望ましい。一般的に、α≦１％なら光学用途に耐えうる。図１３に示すように、酸素の流量を４０、６０、９０、１２０、１５０、２００ｓｃｃｍとして、それぞれで成膜したＮｂ_２Ｏ_ｘ膜について光の吸収率αを求めたところ、１５０ｓｃｃｍ以上で吸収率αが１％以下となった。また、酸素の流量を１５０ｓｃｃｍとした時の吸収率αと酸素の流量を２００ｓｃｃｍとした時の吸収率αは、ほぼ同じであった。このことから、酸素の流量は、１５０ｓｃｃｍ以上導入することで、吸収率αの最も低いＮｂ_２Ｏ_ｘ膜が得られると考えられる。このため、プロセスガスＧ２である酸素の利用効率を考えると、１５０～２００ｓｃｃｍとすることが好ましい。なお、吸収率αは、Ｎｂ_２Ｏ_ｘの膜厚が６５ｎｍの時の値である。

一方、図１４は、膜処理部４に供給される酸素の流量と成膜部３の放電電圧との関係を示したグラフである。Ｎｂは、スパッタが酸化物モードとなると放電電圧が増加する。そこで、低圧ポジション５１の内底面と隔壁３３ａとの間隔ｂ_１が、５ｍｍ（最大となるＣ２ｘの値が８１４Ｌ／ｓ、つまり、Ｃ２ｙと同じ）とした場合と、３０ｍｍ（最大となるＣ２ｘの値が８２８４Ｌ／ｓ）とした場合とで、膜処理部４に供給される酸素の流量に対して成膜部３の放電電圧がどのように変化するかを調べた。

図１４に示すように、酸素の流量を増加させていくと、Ｃ２ｘ＝８１４Ｌ／ｓの場合では、酸素の流量が３００ｓｃｃｍ付近から放電電圧が急激に増加している。このことから、酸素の流量が３００ｓｃｃｍ付近で酸化物モードへ移行していると考えられる。したがって、この場合、酸素の流量を３００ｓｃｃｍ以下とすることが好ましい。ここで、上記のように、吸収率αを低くするためには、酸素の流量を１５０～２００ｓｃｃｍとするのが好ましい。つまり、Ｃ２ｘ＝８１４Ｌ／ｓの場合、酸素の流量を２００ｓｃｃｍとしても問題は無い。

Ｃ２ｘ＝８２８４Ｌ／ｓの場合、酸素の流量を増加させていくと、１５０ｓｃｃｍを超えたあたりから、放電電圧が急激に増加している。このことから、酸素の流量が１５０ｓｃｃｍを超えたあたりから酸化物モードへ移行していると考えられる。したがって、この場合は、酸素の流量を１５０ｓｃｃｍ以下とすることが好ましいと考えられる。ところで、上記のように、吸収率αを低くするためには、酸素の流量を１５０～２００ｓｃｃｍとするのが好ましい。よって、Ｃ２ｘ＝８２８４Ｌ／ｓの場合、酸素の流量は１５０ｓｃｃｍとなる。

上記の結果から、Ｃ２ｘ＞８２８４Ｌ／ｓとした場合には、酸素の流量が１５０ｓｃｃｍよりも少ない段階で、酸化物モードへ移行すると考えられる。吸収率αを低くするためには、酸素の流量が１５０ｓｃｃｍ以上必要なので、Ｃ２ｘ＝８２８４Ｌ／ｓがＣ２ｙ＝８１４Ｌ／ｓに対する上限となる。ここで、Ｃ２ｘ／Ｃ２ｙ＝１０．１８である。よって、Ｃ２ｙに対してＣ２ｘは、１．０を超え、１０．０倍以下で設定することが好ましい。

また、低圧ポジション５１において成膜することにより、緻密性が向上することを示す実験について、図１５及び図１６を参照して説明する。図１５は、この実験を行った際の搬送体５の構成を模式的に表した平面図である。搬送体５である回転テーブルには、一箇所だけ凹部５１ａを設けている。回転テーブル上には、シリコンウエーハのチップ（以下、チップＲと呼ぶ）を、１０°間隔で３６個セットした。この状態で、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）の成膜を行った。

図１６に、各チップＲに成膜されたＳｉＯ_２膜の屈折率を調べた実験結果を示す。屈折率を用いたのは、一般的に、成膜した膜の緻密性が増加すると、膜の屈折率が上昇するためである。この実験結果から、低圧ポジション５１、つまり凹部５１ａにセットされたチップＲに成膜されたＳｉＯ_２膜の屈折率が、他のチップＲと比較して上昇していることから、成膜圧力が低圧となっていると考えられる。なお、凹部５１ａに隣接した位置にあるチップＲも、屈折率が上昇しているが、凹部５１ａにおける圧力低下の影響を受けているものと推察される。

［作用効果］
（１）上述したように、本実施形態の成膜装置１は、一端に開口３４ａを有する成膜室３４を有し、成膜室３４内に成膜材料からなるターゲット３０ａを備え、成膜室３４内のスパッタガスＧ１に生成されたプラズマによって、開口３４ａに対向するワークＷの表面にターゲット３０ａの成膜材料を堆積させて成膜する成膜部３と、ワークＷを所定の搬送経路Ｌに沿って搬送することにより、成膜室３４の開口３４ａに対向する対向領域と、成膜室３４の開口３４ａに対向しない非対向領域とを繰り返し通過させる搬送体５と、を有し、搬送体５は、ワークＷが載置され、対向領域を通過する際に、成膜室３４内をプラズマの着火下限圧力未満であり且つプラズマの放電維持下限圧力以上とする低圧ポジション５１と、ワークＷが載置されず、対向領域を通過する際に、成膜室３４内を着火下限圧力以上とする高圧ポジション５２とを有する。

このため、低圧ポジション５１に載置されたワークＷが、成膜室３４の開口３４ａに対向する対向領域を通過して成膜がなされる際には、成膜室３４内がプラズマの着火下限圧力未満まで低圧となるので、緻密な膜が形成される。このとき、成膜室３４内のプラズマの放電維持下限圧力は維持されるので、プラズマが消える可能性を低減できる。また、もしプラズマが消えてしまっても、高圧ポジション５２が開口３４ａに対向する対向領域を通過する際に、成膜室３４内がプラズマの着火下限圧力以上となるので、再びプラズマを発生させることができる。

低圧にすることにより膜を緻密にすることができるので、ターゲット３０ａとワークＷとの距離を近づけ過ぎることなく、膜厚分布を均一にできる。特に、複数のターゲット３０ａを同時にスパッタさせて成膜する場合であっても、ターゲット３０ａとワークＷとの距離を適度にとることにより、膜厚分布を均一にできる。

（２）低圧ポジション５１の開口３４ａに対向する対向面とターゲット３０ａとの距離Ｈ１が、高圧ポジション５２の開口３４ａに対向する対向面とターゲット３０ａとの距離Ｈ２よりも長い。

このため、低圧ポジション５１が対向領域を通過する際には、成膜時のワークＷの周囲を囲む領域が拡大して低圧となり、高圧ポジション５２が対向領域を通過する際には、ワークＷの周囲を囲む領域が縮小して高圧が維持される。

（３）低圧ポジション５１の搬送経路Ｌに沿う方向の距離α及び高圧ポジション５２の搬送経路Ｌに沿う方向の距離βは、それぞれ開口３４ａの搬送経路に沿う方向の距離γ以上である。

このため、低圧ポジション５１においては開口３４ａからスパッタガスＧ１が流出しやすくなるため低圧となり、高圧ポジション５２においては開口３４ａからスパッタガスＧ１が流出し難くなるので高圧となる。

（４）低圧ポジション５１は、ワークＷが載置される凹部５１ａを有する。このため、凹部５１ａを形成することによって、低圧ポジション５１を簡単に形成することができる。

（５）低圧ポジション５１と開口３４ａとの間のコンダクタンスが、高圧ポジション５２と開口３４ａとの間のコンダクタンスよりも大きい。低圧ポジション５１では、スパッタガスＧ１が流出しやすくなり低圧となる。

（６）搬送体５は、ワークＷを円周の軌跡で循環搬送させる回転テーブルであり、開口３４ａ及び低圧ポジション５１は、略扇形である。このため、低圧ポジション５１が開口３４ａの対向領域を通過する際に、両者の辺縁部が直線状となっているので、成膜室３４の圧力の切り替えが即座に行われる。

（７）低圧ポジション５１及び高圧ポジション５２が対向する領域に、成膜部３でワークＷに形成された膜に対して物質を化合させることにより、化合物膜を生成する処理を行う膜処理部４を有し、高圧ポジション５２と開口３４ａとの間のコンダクタンスに対して、低圧ポジション５１と開口３４ａとの間のコンダクタンスが１．０を超え、１０．０倍以下である。このため、低圧ポジション５１における成膜時に、低圧化させるとともに、コンダクタンスを抑えて、酸素や窒素などの膜処理部４からの化合させる物質の回り込み、流入による成膜時の化合を防止できる。

（８）低圧ポジション５１が対向領域を通過する際の成膜室３４内の圧力をＰ１、低圧ポジション５１の開口３４ａに対向する対向面とターゲット３０ａとの距離をＨ１、高圧ポジション５２が対向領域を通過する際の成膜室３４内の圧力をＰ２、高圧ポジション５２の開口３４ａに対向する対向面とターゲット３０ａとの距離をＨ２とすると、Ｐ１×Ｈ１≦Ｐ２×Ｈ２である。このため、ターゲット３０ａとの距離を、膜厚分布を均一としつつも、低圧によって膜を緻密化する効果を維持できる距離とすることができる。

［変形例］
本発明の実施形態は、上記の態様に限定されるものではなく、以下のような態様も含む。なお、上記の態様と同様の構成については、説明を省略する。

（１）低圧ポジション５１の開口３４ａに対向する対向面とターゲット３０ａとの距離を可変に設けてもよい。例えば、凹部５１ａの内底面を昇降可能に設けることにより、凹部５１ａの容積を変更できるので、圧力を調整することができる。また、低圧ポジション５１に載置するトレイＴの積層数を調整することによっても、凹部５１ａの容積を変更できる。トレイＴの積層数で圧力を調整すると、簡易である。つまり、低圧ポジション５１には、単数又は複数のトレイＴを介して、ワークＷが載置されていてもよい。

（２）スパッタガス導入部３２が、低圧ポジション５１が対向領域を通過する際に、成膜室３４内をプラズマの放電維持下限圧力以上且つプラズマの着火下限圧力未満とし、高圧ポジション５２が対向領域を通過する際に、成膜室３４内を着火下限圧力以上とするように、スパッタガスＧ１を成膜室３４内へ供給してもよい。

つまり、上記のように、低圧ポジション５１と高圧ポジション５２の形状に相違を持たせるとともに、又は相違を持たせることなしに、低圧ポジション５１が対向領域を通過する際と、高圧ポジション５２が対向領域を通過する際とで、スパッタガスＧ１の供給量を変えることにより、圧力差を設けてもよい。

（３）低圧ポジション５１の形状は、扇形には限定されない。搭載するワークＷの形状、数等に応じて、種々の形状とすることができる。例えば、円形状、楕円形状、三角形、四角形、台形等の多角形状等とすることもできる。

（４）以上、本発明の実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。各請求項の発明をどのように組み合わせた態様とするかは自由であり、上記の実施形態、変形例（１）、（２）のいずれの特徴を選択して組み合わせてもよいし、省略してもよい。

１ 成膜装置
２ チャンバ
２ａ 排気部
３、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ、３ｆ 成膜部
３０ スパッタ源
３０ａ ターゲット
３０ｂ バッキングプレート
３０ｃ 電極
３１ ＤＣ電源
３２ スパッタガス導入部
３３ シールド部材
３３ａ 隔壁
３４ 成膜室
３４ａ 開口
４ 膜処理部
４０ 電極
４１ 開口部
４２ ＲＦ電源
４３ プロセスガス導入部
５ 搬送体
５ａ 中心軸
５１ 低圧ポジション
５１ａ 凹部
５２ 高圧ポジション
６ ロードロック部
７ 制御部
Ｇ１ スパッタガス
Ｇ２ プロセスガス
Ｌ 搬送経路
Ｗ ワーク

Claims (9)

1. 内部を真空とすることが可能な容器と、
   前記容器内に設けられた、一端に開口を有する成膜室を有し、前記成膜室内に成膜材料からなるターゲットを備え、前記成膜室内のスパッタガスに生成されたプラズマによって、前記開口に対向するワークの表面に前記ターゲットの成膜材料を堆積させて成膜する成膜部と、
   前記ワークを所定の搬送経路に沿って搬送することにより、前記成膜室の開口に対向する対向領域と、前記成膜室の開口に対向しない非対向領域とを繰り返し通過させる搬送体と、
   を有し、
   前記搬送体は、
   前記ワークが載置される凹部を有し、前記対向領域を通過する際に、前記成膜室内をプラズマの着火下限圧力未満であり且つプラズマの放電維持下限圧力以上とする低圧ポジションと、
   前記ワークが載置されず、前記対向領域を通過する際に、前記成膜室内を着火下限圧力以上とする高圧ポジションと、
   を有し、
   前記凹部は、前記ワークが載置される領域と前記ワークが載置されない領域を有し、前記凹部において前記ワークが載置されない領域であって前記開口に対向する対向面と前記ターゲットとの距離が、前記高圧ポジションの前記開口に対向する対向面と前記ターゲットとの距離よりも長いこと、
   を特徴とする成膜装置。
2. 前記低圧ポジションの前記搬送経路に沿う方向の距離及び前記高圧ポジションの前記搬送経路に沿う方向の距離は、それぞれ前記開口の前記搬送経路に沿う方向の距離以上であることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
3. 前記低圧ポジションと前記開口との間のコンダクタンスが、前記高圧ポジションと前記開口との間のコンダクタンスよりも大きいことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の成膜装置。
4. 前記搬送体は、前記ワークを円周の軌跡で循環搬送させる回転テーブルであり、
   前記開口及び前記低圧ポジションは、扇形であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の成膜装置。
5. 前記低圧ポジション及び前記高圧ポジションが対向する領域に、前記成膜部でワークに形成された膜に対して物質を化合させることにより、化合物膜を生成する処理を行う膜処理部を有し、
   前記高圧ポジションと前記開口との間のコンダクタンスに対して、前記低圧ポジションと前記開口との間のコンダクタンスが１．０を超え、１０．０倍以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の成膜装置。
6. 前記低圧ポジションが前記対向領域を通過する際の前記成膜室内の圧力をＰ１、前記低圧ポジションの前記開口に対向する対向面と前記ターゲットとの距離をＨ１、前記高圧ポジションが前記対向領域を通過する際の前記成膜室内の圧力をＰ２、前記高圧ポジションの前記開口に対向する対向面と前記ターゲットとの距離をＨ２とすると、Ｐ１×Ｈ１≦Ｐ２×Ｈ２であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の成膜装置。
7. 前記低圧ポジションの前記開口に対向する対向面と前記ターゲットとの距離が可変に設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の成膜装置。
8. 前記低圧ポジションには、単数又は複数のトレイを介して、ワークが載置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の成膜装置。
9. 前記低圧ポジションが前記対向領域を通過する際に、前記成膜室内をプラズマの放電維持下限圧力以上、プラズマの着火下限圧力未満とし、前記高圧ポジションが前記対向領域を通過する際に、前記成膜室内を着火下限圧力以上とするように、前記スパッタガスを前記成膜室内へ供給するガス供給部を有することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の成膜装置。

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