JP5941161B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5941161B2 JP5941161B2 JP2014554092A JP2014554092A JP5941161B2 JP 5941161 B2 JP5941161 B2 JP 5941161B2 JP 2014554092 A JP2014554092 A JP 2014554092A JP 2014554092 A JP2014554092 A JP 2014554092A JP 5941161 B2 JP5941161 B2 JP 5941161B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shield
- substrate
- substrate holder
- processing
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 216
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 110
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 54
- 239000010408 film Substances 0.000 description 46
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000617550 Dictyostelium discoideum Presenilin-A Proteins 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3441—Dark space shields
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3492—Variation of parameters during sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3464—Operating strategies
- H01J37/347—Thickness uniformity of coated layers or desired profile of target erosion
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
(第1の実施形態)
図2を参照して、基板ホルダ7の周辺におけるシールドについて説明する。基板ホルダ7には基板10が配置されている。さらに基板ホルダの外周部にはカバーリング21が設置されている。カバーリング21と所定の間隙を設けてシールド403が処理容器2に取り付けられている。基板ホルダ7はTS距離を調整するために基板保持面に対して垂直方向に駆動できる。この動きに伴って、カバーリング21も基板ホルダ7とともに移動する。一方、シールド403は処理容器2に固定されているため、基板ホルダ7の移動に伴うシールド403の位置変化はない。
ここで、Cは合成コンダクタンスである。式1から明らかなように、C2が十分大きいとき、合成コンダクタンスCはC1とほぼ等しくなる。
(第2の実施形態)
図3に本発明の第2の実施形態を示す。第2の実施形態ではカバーリング21の外側にシールド404が設けられており、シールド404とシールド403とによって排気路が形成される。カバーリング21とシールド404とが別部材である場合、カバーリング21を設計する際の制約が少なくできる。例えばシールド404とカバーリング21とを異なる材質で製造することが可能となる。勿論、カバーリング21とシールド404とを一体で形成してもよい。
(第3の実施形態)
図5に本発明の第3の実施形態を示す。第3の実施形態ではシールド404が、シールド403の先端を囲うように屈曲しており、さらにシールド404の先端がシールド403に向けて屈曲している。この屈曲部のシールド403に対向する面404hと、シールド403の屈曲部に対向する面403hとの間隙が最小間隙Dとなるように構成される。
(第4の実施形態)
図7に本発明の第4の実施形態を示す。第4の実施形態ではシールド405が基板ホルダ7の端部に設けられ、基板ホルダ7の下降方向に向かって延びている。一方、シールド403は先端が基板ホルダ7(シールド405)に向かって延びており、シールド403の先端の屈曲部とシールド405との間隙が最小間隙Dとなっている。シールド403の先端は、カバーリング21の先端よりも基板ホルダ7の側に延在しており、シールド403によって処理空間PSの中心(あるいは基板ホルダ7の中心軸)から外部空間OSに至る直線経路存在しないように構成されている。
2 処理容器
3 マグネットホルダ
4 ターゲット
5 バックプレート
6 ターゲットホルダ
7 基板ホルダ
8 排気チャンバー
10 基板
12 電源
13 マグネット
14 ターゲットシャッター
15 不活性ガス供給系
16 不活性ガス供給装置
17 反応性ガス供給系
18 反応性ガス供給装置
19 基板シャッター
20 基板シャッター支持機構
21 カバーリング
23 シャッター収納部
31 基板ホルダ駆動機構
32 基板シャッター駆動機構
33 ターゲットシャッター駆動機構
34 絶縁体
42 ゲートバルブ
47 メインバルブ
48 ターボ分子ポンプ
49 ドライポンプ
Claims (9)
- 処理容器と、
前記処理容器内を排気するための排気部と、
前記処理容器内にガスを導入するためのガス導入部と、
前記処理容器内において基板を保持するための基板ホルダと、
前記基板ホルダの外周部に設けられた第1シールドと、
前記処理容器の内側に設けられた第2シールドと、を備え、
前記処理容器の内部空間は、少なくとも前記第1シールドと前記第2シールドと前記基板ホルダとにより、前記基板を処理するための処理空間と外部空間とに区画され、
前記基板ホルダは前記基板を保持する基板保持面に対して垂直な駆動方向に沿って駆動可能であり、
前記基板ホルダが前記駆動方向に駆動されることによって前記第1シールドと前記第2シールドとの相対位置が変化し、
前記第1シールドおよび前記第2シールドは前記処理空間の中心または前記基板ホルダの中心軸から前記外部空間に至る直線経路が存在しないように設けられ、
前記第1シールドと前記第2シールドとで形成される間隙のうち前記駆動方向に垂直な方向における寸法が最小である最小間隙部分の、前記駆動方向に平行な方向の長さは、前記基板ホルダが前記駆動方向に駆動されることによって前記第1シールドと前記第2シールドとの前記相対位置が変化しても変化しないことを特徴とする基板処理装置。 - 前記第1シールドは、外側面を有する部分を含み、前記第2シールドは、前記外側面に対向する内側面を有する部分を含み、前記最小間隙部分は、前記外側面と前記内側面とによって形成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1シールドは、内側面を有する部分を含み、前記第2シールドは、前記内側面に対向する外側面を有する部分を含み、前記最小間隙部分は、前記内側面と前記外側面とによって形成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1シールドおよび前記第2シールドの少なくとも一方が筒状部分を有し、前記筒状部分によって前記最小間隙部分が形成されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第1シールドおよび前記第2シールドの一方は、前記基板ホルダの中心軸を通る平面で切断された断面において凹形状部を有し、前記第1シールドおよび前記第2シールドは、前記第1シールドおよび前記第2シールドの他方の端面が前記凹形状部の底面に対向するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第1シールドはリング形状部を含むことを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記基板処理装置は、前記基板にスパッタリング処理を施すスパッタリング処理装置であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記ガス導入部は前記外部空間に反応性ガスを導入する反応性ガス導入部であり、前記反応性ガスは第1シールドと前記第2シールドとの間隙を通して前記処理空間に導入されることを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
- 処理容器と、
前記処理容器内において基板を保持するための基板ホルダと、
前記基板ホルダの外周部に設けられた第1シールドと、
前記処理容器の内側に設けられた第2シールドと、を備え、
前記処理容器の内部空間は、少なくとも前記第1シールドと前記第2シールドと前記基板ホルダとにより、前記基板を処理するための処理空間と外部空間とに区画され、
前記基板ホルダは前記基板を保持する基板保持面に対して垂直な駆動方向に沿って駆動可能であり、
前記基板ホルダが前記駆動方向に駆動されることによって前記第1シールドと前記第2シールドとの相対位置が変化し、
前記第1シールドと前記第2シールドとで形成される間隙のうち前記駆動方向に垂直な方向における寸法が最小である最小間隙部分の、前記駆動方向に平行な方向の長さは、前記基板ホルダが前記駆動方向に駆動されることによって前記第1シールドと前記第2シールドとの前記相対位置が変化しても変化しないことを特徴とする基板処理装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012282467 | 2012-12-26 | ||
JP2012282467 | 2012-12-26 | ||
PCT/JP2013/006997 WO2014103168A1 (ja) | 2012-12-26 | 2013-11-28 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5941161B2 true JP5941161B2 (ja) | 2016-06-29 |
JPWO2014103168A1 JPWO2014103168A1 (ja) | 2017-01-12 |
Family
ID=51020296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014554092A Active JP5941161B2 (ja) | 2012-12-26 | 2013-11-28 | 基板処理装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9779921B2 (ja) |
JP (1) | JP5941161B2 (ja) |
KR (2) | KR101973879B1 (ja) |
CN (1) | CN104884667B (ja) |
DE (1) | DE112013006223B4 (ja) |
SG (1) | SG11201505064YA (ja) |
TW (1) | TW201437400A (ja) |
WO (1) | WO2014103168A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7185073B1 (ja) | 2021-02-26 | 2022-12-06 | 株式会社日立インダストリアルプロダクツ | 回転電機 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107002230B (zh) * | 2015-08-20 | 2018-04-10 | 株式会社爱发科 | 溅射装置及其状态的判断方法 |
JP6035002B1 (ja) * | 2015-08-20 | 2016-11-30 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及びその状態判別方法 |
US10640865B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-05-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same |
JP6832130B2 (ja) | 2016-11-04 | 2021-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP6741564B2 (ja) * | 2016-12-06 | 2020-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP7246148B2 (ja) * | 2018-06-26 | 2023-03-27 | 東京エレクトロン株式会社 | スパッタ装置 |
JP7225599B2 (ja) * | 2018-08-10 | 2023-02-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
WO2020100400A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
US20220098724A1 (en) * | 2018-12-19 | 2022-03-31 | Evatec Ag | Vacuum system and method to deposit a compound layer |
US20210140035A1 (en) * | 2019-11-08 | 2021-05-13 | Kurt J. Lesker Company | Compound Motion Vacuum Environment Deposition Source Shutter Mechanism |
TW202129045A (zh) | 2019-12-05 | 2021-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 多陰極沉積系統與方法 |
CN111508803B (zh) * | 2020-04-23 | 2023-01-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺腔室、晶片边缘保护方法及半导体设备 |
CN113838793A (zh) * | 2020-06-24 | 2021-12-24 | 拓荆科技股份有限公司 | 用于晶圆自动旋转的装置及设备 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004018885A (ja) * | 2002-06-12 | 2004-01-22 | Anelva Corp | 成膜装置 |
JP2008261047A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-10-30 | Applied Materials Inc | 基板処理チャンバ用処理キット |
WO2010061603A1 (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置、電子デバイスの製造方法 |
JP2011132580A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Canon Anelva Corp | 成膜装置および成膜方法 |
JP2012132064A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Canon Anelva Corp | 反応性スパッタリング装置 |
WO2013094200A1 (ja) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置 |
JP2013171273A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-02 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5108569A (en) * | 1989-11-30 | 1992-04-28 | Applied Materials, Inc. | Process and apparatus for forming stoichiometric layer of a metal compound by closed loop voltage controlled reactive sputtering |
US5518593A (en) * | 1994-04-29 | 1996-05-21 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Shield configuration for vacuum chamber |
JP3723712B2 (ja) | 2000-02-10 | 2005-12-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US8221602B2 (en) * | 2006-12-19 | 2012-07-17 | Applied Materials, Inc. | Non-contact process kit |
JP2010084169A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Canon Anelva Corp | 真空排気方法、真空排気プログラム、および真空処理装置 |
-
2013
- 2013-11-28 KR KR1020177018315A patent/KR101973879B1/ko active IP Right Grant
- 2013-11-28 KR KR1020157019966A patent/KR101953432B1/ko active IP Right Grant
- 2013-11-28 SG SG11201505064YA patent/SG11201505064YA/en unknown
- 2013-11-28 CN CN201380068235.8A patent/CN104884667B/zh active Active
- 2013-11-28 DE DE112013006223.2T patent/DE112013006223B4/de active Active
- 2013-11-28 WO PCT/JP2013/006997 patent/WO2014103168A1/ja active Application Filing
- 2013-11-28 JP JP2014554092A patent/JP5941161B2/ja active Active
- 2013-12-20 TW TW102147525A patent/TW201437400A/zh unknown
-
2015
- 2015-06-25 US US14/750,717 patent/US9779921B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004018885A (ja) * | 2002-06-12 | 2004-01-22 | Anelva Corp | 成膜装置 |
JP2008261047A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-10-30 | Applied Materials Inc | 基板処理チャンバ用処理キット |
WO2010061603A1 (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置、電子デバイスの製造方法 |
JP2011132580A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Canon Anelva Corp | 成膜装置および成膜方法 |
JP2012132064A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Canon Anelva Corp | 反応性スパッタリング装置 |
WO2013094200A1 (ja) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置 |
JP2013171273A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-02 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7185073B1 (ja) | 2021-02-26 | 2022-12-06 | 株式会社日立インダストリアルプロダクツ | 回転電機 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112013006223T5 (de) | 2015-09-24 |
KR101953432B1 (ko) | 2019-02-28 |
US20150294845A1 (en) | 2015-10-15 |
CN104884667B (zh) | 2017-03-22 |
WO2014103168A1 (ja) | 2014-07-03 |
US9779921B2 (en) | 2017-10-03 |
KR101973879B1 (ko) | 2019-04-29 |
JPWO2014103168A1 (ja) | 2017-01-12 |
SG11201505064YA (en) | 2015-08-28 |
TW201437400A (zh) | 2014-10-01 |
TWI561658B (ja) | 2016-12-11 |
KR20150099841A (ko) | 2015-09-01 |
KR20170082647A (ko) | 2017-07-14 |
CN104884667A (zh) | 2015-09-02 |
DE112013006223B4 (de) | 2022-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5941161B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5767308B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
JP4537479B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
JP5611803B2 (ja) | 反応性スパッタリング装置 | |
JP4562764B2 (ja) | スパッタ装置 | |
JP5395255B2 (ja) | 電子デバイスの製造方法およびスパッタリング方法 | |
WO2010061603A1 (ja) | 成膜装置、電子デバイスの製造方法 | |
EP2530182B1 (en) | Film-forming method, film-forming apparatus, and apparatus for controlling the film-forming apparatus | |
TWI500793B (zh) | Substrate processing device | |
US10519549B2 (en) | Apparatus for plasma atomic layer deposition | |
KR101046958B1 (ko) | 아크-스프레이 코팅 적용 및 기능을 용이하게 하는 하드웨어 피처의 설계 | |
WO2011077653A1 (ja) | 電子デバイスの製造方法、およびスパッタリング装置 | |
JP2023523434A (ja) | 前洗浄チャンバ内の欠陥を低減させるための方法および装置 | |
JP6354576B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP2014040670A (ja) | 遮蔽部材 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160513 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160519 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5941161 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |