JP5532200B2 - ビス(アミノフェノール)誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子 - Google Patents
ビス(アミノフェノール)誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5532200B2 JP5532200B2 JP2008541046A JP2008541046A JP5532200B2 JP 5532200 B2 JP5532200 B2 JP 5532200B2 JP 2008541046 A JP2008541046 A JP 2008541046A JP 2008541046 A JP2008541046 A JP 2008541046A JP 5532200 B2 JP5532200 B2 JP 5532200B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- bis
- aminophenol
- group
- derivative
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/18—Polybenzimidazoles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1003—Preparatory processes
- C08G73/1007—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines
- C08G73/1025—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines polymerised by radiations
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Polyamides (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
1.ポジ型感光性樹脂組成物用ポリアミド樹脂類の原料として使用されるビス(アミノフェノール)誘導体であって、両方のアミノ基の隣接する部位に置換基を有することを特徴とするビス(アミノフェノール)誘導体。
2.前記ビス(アミノフェノール)誘導体が、下記式(1)で示されるビス(アミノフェノール)誘導体である、請求項1に記載のビス(アミノフェノール)誘導体。
式(1):
3.前記式(1)で示されるビス(アミノフェノール)誘導体のR2がアルキル基であり、かつ、R3がアルキル基である請求項2に記載のビス(アミノフェノール)誘導体。
4.前記式(1)で示されるビス(アミノフェノール)誘導体のR1がアルキレン又は置換アルキレンである請求項2又は3のいずれかに記載のビス(アミノフェノール)誘導体。
5.ポジ型感光性樹脂組成物用ポリアミド樹脂の原料として使用されるビス(アミノフェノール)誘導体の製造方法であって、下記式(2)で示される化合物のニトロ基を還元する工程を有することを特徴とするビス(アミノフェノール)誘導体の製造方法。
式(2):
6.前記ニトロ基の還元が、水素雰囲気において、遷移金属触媒存在下で行われるものである請求項5に記載のビス(アミノフェノール)誘導体の製造方法。
7.ビス(アミノフェノール)と、カルボン酸由来の構造からなるポリアミド樹脂類であって、前記ビス(アミノフェノール)が、両方のアミノ基の隣接する部位に置換基を有するビス(アミノフェノール)誘導体であることを特徴とするポリアミド樹脂類。
8.ジアミン成分とカルボン酸成分との反応により得られるポリアミド樹脂類であって、前記ジアミン成分の全部又は一部が、両方のアミノ基の隣接する部位に置換基を有するビス(アミノフェノール)誘導体であることを特徴とするポリアミド樹脂類。
9.前記ビス(アミノフェノール)誘導体が、下記式(1)で示されるビス(アミノフェノール)誘導体である請求項7又は8に記載のポリアミド樹脂類。
式(1):
10.前記式(1)で示されるビス(アミノフェノール)誘導体のR2がアルキル基又はアルコキシ基であり、かつ、R3がアルキル基又はアルコキシ基である請求項9に記載のポリアミド樹脂類。
11.ポリアミド樹脂類が、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有する請求項7乃至10に記載のポリアミド樹脂類。
12.請求項7乃至11記載のポリアミド樹脂類(A)と感光性ジアゾキノン化合物(B)とを含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
13.請求項7乃至11記載のポリアミド樹脂類(A)100重量部に対して、前記感光性ジアゾキノン化合物(B)を1〜50重量部含むものである請求項12に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
14.更にフェノール化合物(C)を含むものである請求項12又は13のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
15.請求項7乃至11記載のポリアミド樹脂類(A)100重量部に対して、前記フェノール化合物(C)を1〜30重量部含むものである請求項14記載のポジ型感光性樹脂組成物。
16.請求項12乃至15のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする保護膜。
17.請求項12乃至15のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする層間絶縁膜。
18. 半導体素子又は表示素子の表面保護膜である請求項16に記載の保護膜。
19.請求項16に記載の保護膜を有していることを特徴とする半導体装置。
20. 請求項16に記載の保護膜を有していることを特徴とする表示素子。
21. 請求項17に記載の層間絶縁膜を有していることを特徴とする半導体装置。
22.請求項17に記載の層間絶縁膜を有していることを特徴とする表示素子。
式(1):
式(3):
本発明のビス(アミノフェノール)誘導体を、適切な条件下、テトラカルボン酸、テトラカルボン酸二無水物、或いはテトラジカルボン酸テトラクロライド等の、ジアミン化合物と反応してイミド結合を形成してポリイミド樹脂を与えるテトラカルボン酸誘導体と、反応させることにより、ポリイミド樹脂又はポリイミド前駆体樹脂が得られる。
前記式(1)で示されるビス(アミノフェノール)誘導体の構造は、具体的には下記式(4)〜下記式(9)で示されるものが挙げられるが、これらに制限されるものではない。
式(4):
式(10):
式(13−1):
式(37):
式(15):
式(16):
式(18):
式(19):
式(20):
式(22):
式(23):
式(27)、式(28):
式(29):
式(36):
<試験方法>
(1)核磁気共鳴スペクトル分析(1H−NMR、13C−NMR):日本電子株式会社製JNM−GSX400型を用いて測定した。1H−NMRは共鳴周波数400MHz、13C−NMRは共鳴周波数100MHzでそれぞれ測定した。測定溶媒は、重水素化溶媒である重水素化ジメチルスルホキシドDMSO−d6を用いた。
(2)赤外分光分析(IR):PERKIN ELMER製PARAGON1000型を用いて、KBr錠剤法により測定した。
(3)質量分析(MS):日本電子株式会社製JMS−700型を用いてフィールド脱着(FD)法で測定した。
4,4′−メチレンビス(2−ニトロ−3,6−ジメチルフェノール)の合成
温度計、攪拌機、原料投入口、窒素ガス導入管を備えた4つ口の撹拌装置付きセパラブルフラスコ(容量:3000mL)に、無水酢酸2244mL、Bis25X−F(本州化学工業株式会社製)を300.00g(1.170mol)仕込み、窒素雰囲気下、60%硝酸水溶液270.39g(2.575mol)を、滴下ロートを用いて攪拌下0〜10℃で1時間かけてゆっくりセパラブルフラスコに滴下した。滴下終了後、0〜10℃でさらに5時間攪拌を続けた。析出固体を吸引濾過で回収し、真空乾燥後、黄色固体115.72gを得た。分析の結果、4,4′−メチレンビス(2−ニトロ−3,6−ジメチルフェノール)であると確認した。
次いで、撹拌装置付きのナスフラスコ(容量:500mL)に、上記で得た4,4′−メチレンビス(2−ニトロ−3,6−ジメチルフェノール)を20.00g(0.058mol)、テトラヒドロフラン200mLおよび10%パラジウム/活性炭2.45g(0.002mol)を仕込み、水素雰囲気下で12時間攪拌した。固体を吸引濾過で除いた後、反応液中の溶媒を減圧下で留去した。真空乾燥後、白色固体16.54gを得た。この生成物を(M−1)とした。
この生成物(M−1)を用いてIR分析を行ったところ、アミノ基の吸収が3400cm−1、3335cm−1及び1606cm−1、1576cm−1にあること、1H−NMR分析を行ったところ、化学シフトが、1.87、1.88、1.93、1.99、2.03、2.08、2.19、3.60、4.27、5.94、7.72ppmにあること、13C−NMR分析を行ったところ、化学シフトが、13.06、16.68、36.40、118.10、119.44、120.97、130.34、135.34、139.69ppmにあること、質量分析を行ったところ、分子量286.4であることにより、得られた生成物(M−1)は前記式(4−2)で表される目的のビス(アミノフェノール)誘導体であることが確認された。得られた(M−1)の収率は、26%であった。
ポリアミド樹脂の合成
イソフタル酸0.045モルとジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸0.045モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール0.180モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)40.16g(0.090モル)と、実施例1で合成したビス(アミノフェノール)誘導体(M−1)28.64g(0.100モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン275gを加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて75℃にて16時間反応させた。次にN−メチル−2−ピロリドン10gに溶解させた4−エチニルフタル酸無水物3.44g(0.020モル)を加え、更に3時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、前記式(37)で示され、e=25で、第1表で示される化合物からなる目的のポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂(A−1)を得た。
ポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂(A−1)4.0gをN−メチル−2−ピロリドン4.0gとγ−ブチロラクトン4.0gの混合溶媒に溶解した樹脂を石英板にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分乾燥し、膜厚10μmの塗膜を得た。この塗膜の透過率を紫外可視分光光度計(島津製作所製)により測定した。波長365nmにおける透過率は65%であった。
下記式(B−1)で示されるフェノール14.01g(0.033モル)と、トリエチルアミン9.82g(0.097モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、アセトン137gを加えて溶解させた。この反応溶液を10℃以下に冷却した後に、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホニルクロライド26.07g(0.097モル)をアセトン100gと共に10℃以上にならないように徐々に滴下した。その後10℃以下で5分攪拌した後、室温で5時間攪拌して反応を終了させた。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、下記式(Q−1)の構造で示されるナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物を得た。
合成したポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂(A−1)100g、式(Q−1)の構造を有するナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物20gをN−メチル−2−ピロリドン100gとγ−ブチロラクトン100gの混合溶媒に溶解した後、0.2μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過しポジ型感光性樹脂組成物を得た。
このポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で3分プリベークし、膜厚約7.0μmの塗膜を得た。この塗膜に凸版印刷(株)製・マスク(テストチャートNo.1:幅0.88〜50μmの残しパターン及び抜きパターンが描かれている)を通して、i線ステッパー((株)ニコン製・4425i)を用いて、露光量を変化させて照射した。次に2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に130秒で2回パドル現像することによって露光部を溶解除去した後、純水で10秒間リンスした。その結果、露光量280mJ/cm2で照射した部分よりパターンが成形されていることが確認できた。(感度は280mJ/cm2)。現像後の膜厚は6.5μmと非常に高い値を示した。
上記ポジ型感光性樹脂組成物を2枚のシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分プリベークし、それぞれ膜厚約1μmの塗膜を得た。次に塗膜付きシリコンウエハーの1枚を2%フッ酸に浸け、フィルムを得た。このフィルムをフーリエ変換赤外分光光度計PARAGON1000(パーキンエルマー製)を用いて測定し、1650cm−1のアミド基と1490cm−1の全芳香族に伴うピークの比(A)を算出した。次にオーブンを用いて、もう一枚の塗膜付きシリコンウエハーを250℃/90分で加熱を行った後、同様にして硬化フィルムを得、フーリエ変換赤外分光光度計による測定から1650cm−1のアミド基と1490cm−1の全芳香族に伴うピークの比(B)を算出した。環化率は(1−(B/A))に100を乗じた値とした。このようにして求めた環化率は91%であった。
実施例2におけるポリアミド樹脂の合成において、ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸の替わりにテレフタル酸を用い、イソフタル酸とテレフタル酸のモル比をそれぞれ0.081モル、0.009モルに変更した他は実施例2と同様にして反応し、前記式(37)で示され、e=30で、第1表で示される化合物からなる目的のポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂(A−2)を得た。その他は実施例2と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を作製し、実施例2と同様の評価を行った。
4,4′−エチリデンビス(2−ニトロ−3,6−ジメチルフェノール)の合成
温度計、攪拌機、原料投入口、窒素ガス導入管を備えた4つ口の撹拌装置付きセパラブルフラスコ(容量:3000mL)に、無水酢酸2244mL、4,4‘−エチリデンビス(2,5−ジメチルフェノール)を300.00g(1.110mol)仕込み、窒素雰囲気下、60%硝酸水溶液256.40g(2.441mol)を、滴下ロートを用いて攪拌下0〜10℃で1時間かけてゆっくりセパラブルフラスコに滴下した。滴下終了後、0〜10℃でさらに5時間攪拌を続けた。析出固体を吸引濾過で回収し、真空乾燥後、黄色固体131.39gを得た。分析の結果、4,4′−エチリデンビス(2−ニトロ−3,6−ジメチルフェノール)であると確認した。
次いで、撹拌装置付きのナスフラスコ(容量:500mL)に、上記で得た4,4′−エチレンビス(2−ニトロ−3,6−ジメチルフェノール)を20.00g(0.056mol)、テトラヒドロフラン200mLおよび10%パラジウム/活性炭2.35g(0.002mol)を仕込み、水素雰囲気下で12時間攪拌した。固体を吸引濾過で除いた後、反応液中の溶媒を減圧下で留去した。真空乾燥後、白色固体14.85gを得た。この生成物を(M−2)とした。
この生成物(M−2)を用いてIR分析を行ったところ、アミノ基の吸収が3394cm−1、3370cm−1及び1614cm−1にあること、1H−NMR分析を行ったところ、化学シフトが、1.27、1.29、1.88、2.02、4.11、4.12、4.14、4.19、6.07、7.67ppmにあること、13C−NMR分析を行ったところ、化学シフトが、12.44、16.89、21.89、36.45、116.90、117.55、120.73、135.16、136.20、139.49ppmにあること、質量分析を行ったところ、分子量300.4であることにより、得られた生成物(M−2)は前記式(5−3)で表される目的のビス(アミノフェノール)誘導体であることが確認された。得られた(M−2)の収率は、32%であった。
実施例2におけるポリアミド樹脂の合成において、イソフタル酸とジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸のモル比をそれぞれ0.344モルと0.516モルに変更し、更にビス(アミノフェノール)誘導体(M−1)の替わりに、ビス(アミノフェノール)誘導体(M−2)300.40g(1.000モル)を用いた他は実施例2と同様にして反応し、前記式(37)で示され、e=21で、第1表で示される化合物からなる目的のポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂(A−3)を得た。その他は実施例2と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を作製し、実施例2と同様の評価を行った。
4,4′−エチリデンビス(2−ニトロ−3−メチル−6−シクロヘキシルフェノール)の合成
温度計、攪拌機、原料投入口、窒素ガス導入管を備えた4つ口の撹拌装置付きセパラブルフラスコ(容量:3000mL)に、無水酢酸2244mL、4,4‘−エチリデンビス(2−シクロヘキシル−5−メチルフェノール)を300.00g(0.738mol)仕込み、窒素雰囲気下、60%硝酸水溶液170.50g(1.623mol)を、滴下ロートを用いて攪拌下0〜10℃で1時間かけてゆっくりセパラブルフラスコに滴下した。滴下終了後、0〜10℃でさらに5時間攪拌を続けた。析出固体を吸引濾過で回収し、真空乾燥後、黄色固体85.27gを得た。分析の結果、4,4′−エチリデンビス(2−ニトロ−3−メチル−6−シクロヘキシルフェノール)であると確認した。
次いで、撹拌装置付きのナスフラスコ(容量:500mL)に、上記で得た4,4′−エチレンビス(2−ニトロ−3−メチル−6−シクロヘキシルフェノール)を20.00g(0.040mol)、テトラヒドロフラン200mLおよび10%パラジウム/活性炭1.71g(0.002mol)を仕込み、水素雰囲気下で12時間攪拌した。固体を吸引濾過で除いた後、反応液中の溶媒を減圧下で留去した。真空乾燥後、白色固体10.87gを得た。この生成物を(M−3)とした。
この生成物(M−3)を用いてIR分析を行ったところ、アミノ基の吸収が3418cm−1、3386cm−1及び1614cm−1にあること、1H−NMR分析を行ったところ、化学シフトが、1.12、1.13、1.14、1.15、1.18、1.21、1.24、1.28、1.30、1.34、1.36、1.57、1.60、1.66、1.69、1.74、1.75、1.92、2.77、2.80、2.83、4.17、4.18、4.20、4.22、6.28、7.49ppmにあること、13C−NMR分析を行ったところ、化学シフトが、12.43、22.39、26.05、26.67、33.30、33.41、36.25、36.41、113.12、117.09、131.17、135.10、136.24、138.00ppmにあること、質量分析を行ったところ、分子量436.7であることにより、得られた生成物(M−3)は前記式(9−11)で表される目的のビス(アミノフェノール)誘導体であることが確認された。得られた(M−3)の収率は、32%であった。
実施例5におけるポリアミド樹脂の合成において、ビス(アミノフェノール)誘導体(M−2)の替わりに、ビス(アミノフェノール)誘導体(M−3)436.64g(1.000モル)を用いた他は実施例2と同様にして反応し、前記式(37)で示され、e=15で、第1表で示される化合物からなる目的のポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂(A−4)を得た。その他は実施例2と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を作製し、実施例2と同様の評価を行った。
以下に、実施例のB−1、Q−1の構造、第1表を示す。
ポリアミド樹脂の合成
イソフタル酸0.360モルとジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸0.540モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール1.800モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)409.94g(0.900モル)と、4,4′−メチレンビス(2−アミノ−3,6−ジメチルフェノール)286.37g(1.000モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン2950gを加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間反応させた。
次にN−メチル−2−ピロリドン100gに溶解させた4−エチニルフタル酸無水物34.43g(0.200モル)を加え、更に12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、(14−1)及び式(14−2)と、式(14−3)とが、ランダムに共重合したポリアミド樹脂類で、{c/(c+d)}×100=100、{d/(c+d)}×100=0、数平均分子量が12000で、第2表で示される化合物からなる目的のポリアミド樹脂類(A−8)を得た。
ポリアミド樹脂式(A−8)4.0gをγ−ブチロラクトン8.0gに溶解した樹脂を石英板にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分乾燥し、膜厚10μmの塗膜を得た。この塗膜の透過率を紫外可視分光光度計(島津製作所製)により測定した。波長365nmにおける透過率は67%であった。
下記式(B−2)で示されるフェノール15.82g(0.025モル)と、トリエチルアミン8.40g(0.083モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、テトラヒドロフラン135gを加えて溶解させた。この反応溶液を10℃以下に冷却した後に、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホニルクロライド22.30g(0.083モル)をテトラヒドロフラン100gと共に10℃以上にならないように徐々に滴下した。その後10℃以下で5分攪拌した後、室温で5時間攪拌して反応を終了させた。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、下記式(Q−2)の構造で示されるナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物を得た。
合成したポリアミド樹脂(A−8)100g、下記式(Q−2)の構造を有するナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物15gをN−メチル−2−ピロリドン200gに溶解した後、0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過しポジ型感光性樹脂組成物を得た。
このポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で3分プリベークし、膜厚約8.1μmの塗膜を得た。この塗膜に凸版印刷(株)製・マスク(テストチャートNo.1:幅0.88〜50μmの残しパターン及び抜きパターンが描かれている)を通して、i線ステッパー((株)ニコン製・4425i)を用いて、露光量を変化させて照射した。
次に2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に150秒で2回パドル現像することによって露光部を溶解除去した後、純水で10秒間リンスした。その結果、露光量260mJ/cm2で照射した部分よりパターンが成形されていることが確認できた。(感度は260mJ/cm2)。現像後の膜厚は8.0μmと非常に高い値を示した。
上記ポジ型感光性樹脂組成物を2枚のシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分プリベークし、それぞれ膜厚約1μmの塗膜を得た。次に塗膜付きシリコンウエハーの1枚を2%フッ酸に浸け、フィルムを得た。このフィルムをフーリエ変換赤外分光光度計PARAGON1000(パーキンエルマー製)を用いて測定し、1650cm−1のアミド基と1490cm−1の全芳香族に伴うピークの比(A)を算出した。次にオーブンを用いて、もう一枚の塗膜付きシリコンウエハーを250℃/90分で加熱を行った後、同様にして硬化フィルムを得、フーリエ変換赤外分光光度計による測定から1650cm−1のアミド基と1490cm−1の全芳香族に伴うピークの比(B)を算出した。環化率は(1−(B/A))に100を乗じた値とした。このようにして求めた環化率は95%であった。
上記ポジ型感光性樹脂組成物を6インチのシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分プリベークし、膜厚約10μmの塗膜を得た。次にオーブンを用いて、塗膜付きシリコンウエハーを250℃/90分で加熱を行った。硬化後の塗膜に5cm四方の升目になるようカッターで切れ込みを入れた後、2%フッ酸に浸け、5cm四方のフィルムを得た。このフィルムの吸水率を試験規格JIS−K7209に従い、0.65%という値を得た。
実施例8におけるポリアミド樹脂の合成において、イソフタル酸とジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸のモル比をそれぞれ0.200モル、0.700モルに変更し、更に4,4′−メチレンビス(2−アミノ−3,6−ジメチルフェノール)を214.78g(0.750モル)に減らし、替わりに3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルフォン70.08g(0.250モル)を用いて同様にして反応し、(14−1)及び式(14−2)と、式(14−3)とが、ランダムに共重合したポリアミド樹脂類で、{c/(c+d)}×100=75、{d/(c+d)}×100=25、数平均分子量が13000で、第2表で示される化合物からなるポリアミド樹脂類(A−9)を合成した。その他は実施例8と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を作製し、実施例8と同様の評価を行った。
実施例8におけるポリアミド樹脂の合成において、イソフタル酸の替わりにジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸のモル比を0.900モルに変更し、更に4,4′−メチレンビス(2−アミノ−3,6−ジメチルフェノール)を114.55g(0.400モル)に減らし、替わりにヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパンを219.76g(0.600モル)を用いて同様にして反応し、(14−1)及び式(14−2)と、式(14−3)とが、ランダムに共重合したポリアミド樹脂類で、{c/(c+d)}×100=40、{d/(c+d)}×100=60、数平均分子量が13000で、第2表で示される化合物からなるポリアミド樹脂類(A−10)を合成した。その他は実施例8と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を作製し、実施例8と同様の評価を行った。
実施例8におけるポリアミド樹脂の合成において、イソフタル酸とジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸のモル比をそれぞれ0.340モル、0.510モルに変更し、更に4,4′−メチレンビス(2−アミノ−3,6−ジメチルフェノール)を200.46g(0.700モル)に減らし、替わりに3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルメタン69.08g(0.300モル)を用い、4−エチニルフタル酸無水物の添加量も51.64g(0.300モル)に変更して同様にして反応し、(14−1)及び式(14−2)と、式(14−3)とが、ランダムに共重合したポリアミド樹脂類で、{c/(c+d)}×100=70、{d/(c+d)}×100=30、数平均分子量が9100で、第2表で示される化合物からなるポリアミド樹脂類(A−11)を合成した。その他は実施例8と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を作製し、実施例8と同様の評価を行った。
実施例11におけるポリアミド樹脂の合成において、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルメタンの替わりに、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン77.50g(0.300モル)を用いて同様にして反応し、(14−1)及び式(14−2)と、式(14−3)とが、ランダムに共重合したポリアミド樹脂類で、{c/(c+d)}×100=70、{d/(c+d)}×100=30、数平均分子量が9400で、第2表で示される化合物からなるポリアミド樹脂類(A−12)を合成した。その他は実施例8と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を作製し、実施例8と同様の評価を行った。
実施例8におけるポリアミド樹脂の合成において、イソフタル酸とジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸のモル比をそれぞれ0.344モル、0.516モルに変更し、更に4,4′−メチレンビス(2−アミノ−3,6−ジメチルフェノール)の替わりに、
4,4′−エチリデンビス(2−アミノ−3,6−ジメチルフェノール)300.40g(1.000モル)を用い、4−エチニルフタル酸無水物の添加量も48.20g(0.280モル)に変更して同様にして反応し、(14−1)及び式(14−2)と、式(14−3)とが、ランダムに共重合したポリアミド樹脂類で、{c/(c+d)}×100=100、{d/(c+d)}×100=0、数平均分子量が10200で、第2表で示される化合物からなるポリアミド樹脂類(A−13)を合成した。その他は実施例8と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を作製し、実施例8と同様の評価を行った。
実施例13におけるポリアミド樹脂の合成において、イソフタル酸とジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸のモル比をそれぞれ0.252モル、0.588モルに変更し、更に4,4′−エチリデンビス(2−アミノ−3,6−ジメチルフェノール)を210.28g(0.700モル)に減らし、替わりに3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルメタン69.08g(0.300モル)を用い、4−エチニルフタル酸無水物の添加量も55.08g(0.320モル)に変更して同様にして反応し、(14−1)及び式(14−2)と、式(14−3)とが、ランダムに共重合したポリアミド樹脂類で、{c/(c+d)}×100=70、{d/(c+d)}×100=30、数平均分子量が9500で、第2表で示される化合物からなるポリアミド樹脂類(A−14)を合成した。その他は実施例8と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を作製し、実施例8と同様の評価を行った。
実施例14におけるポリアミド樹脂の合成において、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルメタンの替わりに、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン77.50g(0.300モル)を用いて同様にして反応し、(14−1)及び式(14−2)と、式(14−3)とが、ランダムに共重合したポリアミド樹脂類で、{c/(c+d)}×100=70、{d/(c+d)}×100=30、数平均分子量が9600で、第2表で示される化合物からなるポリアミド樹脂類(A−15)を合成した。その他は実施例8と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を作製し、実施例8と同様の評価を行った。
実施例13におけるポリアミド樹脂の合成において、4,4′−エチリデンビス(2−アミノ−3,6−ジメチルフェノール)の替わりに、4,4′−エチリデンビス(2−アミノ−3−メチル−6−シクロヘキシルフェノール)436.64g(1.000モル)を用いて同様にして反応し、(14−1)及び式(14−2)と、式(14−3)とが、ランダムに共重合したポリアミド樹脂類で、{c/(c+d)}×100=100、{d/(c+d)}×100=0、数平均分子量が9200で、第2表で示される化合物からなるポリアミド樹脂類(A−16)を合成した。その他は実施例8と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を作製し、実施例8と同様の評価を行った。
ポリアミド樹脂の合成
ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸0.900モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール1.800モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)443.21g(0.900モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン366.26g(1.000モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン3200gを加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間反応させた。
次にN−メチル−2−ピロリドン100gに溶解させた4−エチニルフタル酸無水物34.43g(0.200モル)を加え、更に12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、(14−1)及び式(14−2)と、式(14−3)とが、ランダムに共重合したポリアミド樹脂類で、{c/(c+d)}×100=0、{d/(c+d)}×100=100、数平均分子量が12000で、第2表で示される化合物からなる目的のポリアミド樹脂類(A−17)を得た。その他は実施例8と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を作製し、実施例8と同様にして評価した。
実施例9におけるポリアミド樹脂の合成において、4,4′−メチレンビス(2−アミノ−3,6−ジメチルフェノール)と3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルフォンの替わりに、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテル232.25g(1.000モル)を用いて同様にして反応し、(14−1)及び式(14−2)と、式(14−3)とが、ランダムに共重合したポリアミド樹脂類で、{c/(c+d)}×100=0、{d/(c+d)}×100=100、数平均分子量が11000で、第2表で示される化合物からなるポリアミド樹脂類(A−18)を合成した。その他は実施例8と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を作製し、実施例8と同様にして評価した。
比較例1におけるポリアミド樹脂の合成において、ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸のモル比を0.880モルに変更し、更にヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパンの替わりに、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン258.32g(1.000モル)を用いて同様にして反応し、(14−1)及び式(14−2)と、式(14−3)とが、ランダムに共重合したポリアミド樹脂類で、{c/(c+d)}×100=0、{d/(c+d)}×100=100、数平均分子量が10000で、第2表で示される化合物からなるポリアミド樹脂類(A−19)を合成した。その他は実施例8と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を作製し、実施例8と同様の評価を行った。
以下に、実施例及び比較例のB−2、Q−2の構造、第2表を示す。
→ PBO/PI共重合(ビスアミノフェノール/テトラカルボン酸/ジカルボン酸)
ポリアミド樹脂の合成
4,4′−メチレンビス(2−アミノ−3,6−ジメチルフェノール)286.37g(1.000モル)とN−メチル−2−ピロリドン2790gを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに 入れて溶解させた。その後、フラスコを水冷しながら4,4′−オキシジフタル酸無水物53.36g(0.172モル)を徐々に添加した。オイルバスを用いて60℃で2時間反応させた後、ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸0.688モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール1.376モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)338.81g(0.688モル)を添加し、更に60℃で14時間反応させた。
次にN−メチル−2−ピロリドン190gに溶解させた4−エチニルフタル酸無水物48.20g(0.280モル)を加え、更に3時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、(13−1)及び式(13−2)と、式(13−3)とが、ランダムに共重合したポリアミド樹脂類で、{a/(a+b)}×100=100、{b/(a+b)}×100=0、カルボン酸成分がジカルボン酸とテトラカルボン酸との組み合わせで、カルボン酸成分中、ジカルボン酸80モルパーセント、テトラカルボン酸20モルパーセント、数平均分子量が10800で、第2表で示される化合物からなる目的のポリアミド樹脂類(A−20)を得た。
その他は実施例8と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を作製し、実施例8と同様の評価を行った。
→ PBO/PI共重合(ジアミン/ビスアミノフェノール/テトラカルボン酸/ジカルボン酸)
ポリアミド樹脂の合成
4,4′−ジアミノジフェニルメタン39.65g(0.200モル)とN−メチル−2−ピロリドン2320gを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れて溶解させた。その後、フラスコを水冷しながら4,4′−オキシジフタル酸無水物139.59g(0.450モル)を徐々に添加した。オイルバスを用いて60℃で2時間反応させた後、4,4′−メチレンビス(2−アミノ−3,6−ジメチルフェノール)229.10g(0.800モル)をN−メチル−2−ピロリドン100gと共に添加し、更に60℃で1時間反応させた。
その後、ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸0.450モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール0.900モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)221.61g(0.450モル)をN−メチル−2−ピロリドン100gと共に添加し、更に60℃で14時間反応させた。
次にN−メチル−2−ピロリドン140gに溶解させた4−エチニルフタル酸無水物34.43g(0.200モル)を加え、更に3時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、(13−1)及び式(13−2)と、式(13−3)とが、ランダムに共重合したポリアミド樹脂類で、{a/(a+b)}×100=80、{b/(a+b)}×100=20、カルボン酸成分がジカルボン酸とテトラカルボン酸との組み合わせで、カルボン酸成分中、ジカルボン酸50モルパーセント、テトラカルボン酸50モルパーセント、数平均分子量が11800で、第2表で示される化合物からなる目的のポリアミド樹脂類(A−21)を得た。
実施例8のポジ型感光性樹脂組成物の作製において、式(Q−1)のナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物の添加量を25gに変更した。
実施例8の感度評価において、プリベーク後の膜厚と現像後の膜厚の差が1μmになるように現像時間を調節して評価を行った。
他は、実施例8と同様の評価を行った。
→ PBO/PI共重合(ビスアミノフェノール/テトラカルボン酸/ジカルボン酸)
2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン258.32g(1.000モル)とN−メチル−2−ピロリドン2680gを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れて溶解させた。その後、フラスコを水冷しながら4,4′−オキシジフタル酸無水物55.84g(0.180モル)を徐々に添加した。オイルバスを用いて60℃で2時間反応させた後、ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸0.720モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール1.440モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)354.57g(0.720モル)を添加し、更に60℃で14時間反応させた。
次にN−メチル−2−ピロリドン140gに溶解させた4−エチニルフタル酸無水物34.43g(0.200モル)を加え、更に3時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、(13−1)及び式(13−2)と、式(13−3)とが、ランダムに共重合したポリアミド樹脂類で、{a/(a+b)}×100=0、{b/(a+b)}×100=100、カルボン酸成分がジカルボン酸とテトラカルボン酸との組み合わせで、カルボン酸成分中、ジカルボン酸20モルパーセント、テトラカルボン酸80モルパーセント、数平均分子量が11300で、第2表で示される化合物からなる目的のポリアミド樹脂類(A−22)を得た。
その他は実施例8と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を作製した。
実施例8の感度評価において、プリベーク後の膜厚と現像後の膜厚の差が1μmになるように現像時間を調節して評価を行った。
他は、実施例8と同様の評価を行った。
→ PI(ジアミン/テトラカルボン酸)
4,4′−ジアミノジフェニルメタン198.26g(1.000モル)とN−メチル−2−ピロリドン1960gを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れて溶解させた。その後、フラスコを水冷しながら4,4′−オキシジフタル酸無水物291.60g(0.940モル)を徐々に添加した後、オイルバスを用いて40℃で14時間反応させた。
次にN−メチル−2−ピロリドン80gに溶解させた4−エチニルフタル酸無水物20.66g(0.120モル)を加え、更に3時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、(13−1)及び式(13−2)と、式(13−3)とが、ランダムに共重合したポリアミド樹脂類で、{a/(a+b)}×100=0、{b/(a+b)}×100=100、カルボン酸成分がテトラカルボン酸100モルパーセント、数平均分子量が12200で、第2表で示される化合物からなる目的のポリアミド樹脂類(A−23)を得た。
実施例8のポジ型感光性樹脂組成物の作製において、式(Q−1)のナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物の添加量を25gに変更した。
実施例8の感度評価において、プリベーク後の膜厚と現像後の膜厚の差が1μmになるように現像時間を調節して評価を行ったが、未露光部が直ぐ溶解してしまいパターン形成が出来なかった。
他は、実施例8と同様の評価を行った。
また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、高透明で高感度であり、低温で硬化した際にも高環化率の特性を有するものであり、半導体素子、表示素子の表面保護膜、層間絶縁膜等に好適に用いられる。また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、高透明で高感度であり、低温で硬化した際にも吸水率が低いという特性を有するものであり、半導体素子、表示素子の表面保護膜、層間絶縁膜等に好適に用いられる。
Claims (18)
- ポジ型感光性樹脂組成物用ポリアミド樹脂類の原料として使用されるビス(アミノフェノール)誘導体であって、両方のアミノ基の隣接する部位に置換基を有し、下記式(1)で示されるビス(アミノフェノール)誘導体であることを特徴とするビス(アミノフェノール)誘導体。
式(1):
(1)
(式中、R 1 はアルキレン、置換アルキレン、−O−、−S−、−SO 2 −、−CO−、−NHCO−、単結合から選ばれる有機基である。R 2 はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基のいずれかであり、同一でも異なっても良い。R 3 は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基のいずれかであり、同一でも異なっても良い。) - 前記式(1)で示されるビス(アミノフェノール)誘導体のR2がアルキル基であり、かつ、R3がアルキル基である請求項1に記載のビス(アミノフェノール)誘導体。
- 前記式(1)で示されるビス(アミノフェノール)誘導体のR1がアルキレン又は置換アルキレンである請求項1又は2のいずれかに記載のビス(アミノフェノール)誘導体。
- ビス(アミノフェノール)と、カルボン酸由来の構造からなるポリアミド樹脂類であって、前記ビス(アミノフェノール)が、両方のアミノ基の隣接する部位に置換基を有し、下記式(1)で示されるビス(アミノフェノール)誘導体であることを特徴とするポリアミド樹脂類。
式(1):
(1)
(式中、R 1 はアルキレン、置換アルキレン、−O−、−S−、−SO 2 −、−CO−、−NHCO−、単結合から選ばれる有機基である。R 2 はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基のいずれかであり、同一でも異なっても良い。R 3 は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基のいずれかであり、同一でも異なっても良い。) - ジアミン成分とカルボン酸成分との反応により得られるポリアミド樹脂類であって、前記ジアミン成分の全部又は一部が、両方のアミノ基の隣接する部位に置換基を有し、下記式(1)で示されるビス(アミノフェノール)誘導体であることを特徴とするポリアミド樹脂類。
式(1):
(1)
(式中、R 1 はアルキレン、置換アルキレン、−O−、−S−、−SO 2 −、−CO−、−NHCO−、単結合から選ばれる有機基である。R 2 はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基のいずれかであり、同一でも異なっても良い。R 3 は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基のいずれかであり、同一でも異なっても良い。) - 前記式(1)で示されるビス(アミノフェノール)誘導体のR2がアルキル基又はアルコキシ基であり、かつ、R3がアルキル基又はアルコキシ基である請求項4又は5いずれか1項に記載のポリアミド樹脂類。
- ポリアミド樹脂類が、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有する請求項4乃至6に記載のポリアミド樹脂類。
- 請求項4乃至7記載のポリアミド樹脂類(A)と感光性ジアゾキノン化合物(B)とを含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
- 請求項4乃至7記載のポリアミド樹脂類(A)100重量部に対して、前記感光性ジアゾキノン化合物(B)を1〜50重量部含むものである請求項8に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 更にフェノール化合物(C)を含むものである請求項8又は9のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 請求項4乃至7記載のポリアミド樹脂類(A)100重量部に対して、前記フェノール化合物(C)を1〜30重量部含むものである請求項10記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 請求項8乃至11のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする保護膜。
- 請求項8乃至11のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする層間絶縁膜。
- 半導体素子又は表示素子の表面保護膜である請求項12に記載の保護膜。
- 請求項12に記載の保護膜を有していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項12に記載の保護膜を有していることを特徴とする表示素子。
- 請求項13に記載の層間絶縁膜を有していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項13に記載の層間絶縁膜を有していることを特徴とする表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008541046A JP5532200B2 (ja) | 2006-10-24 | 2007-10-23 | ビス(アミノフェノール)誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子 |
Applications Claiming Priority (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006288191 | 2006-10-24 | ||
JP2006288191 | 2006-10-24 | ||
JP2006290798 | 2006-10-26 | ||
JP2006290798 | 2006-10-26 | ||
JP2007219345 | 2007-08-27 | ||
JP2007219344 | 2007-08-27 | ||
JP2007219344 | 2007-08-27 | ||
JP2007219345 | 2007-08-27 | ||
JP2008541046A JP5532200B2 (ja) | 2006-10-24 | 2007-10-23 | ビス(アミノフェノール)誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子 |
PCT/JP2007/070978 WO2008050886A1 (fr) | 2006-10-24 | 2007-10-23 | Dérivé de bis(aminophénol), procédé de production de celui-ci, résine de polyamide, compositions de résine photosensible positive, film protecteur, diélectrique intercouches, dispositif semi-conducteur et élément d'affichage |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013150412A Division JP5626546B2 (ja) | 2006-10-24 | 2013-07-19 | ビス(アミノフェノール)誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008050886A1 JPWO2008050886A1 (ja) | 2010-02-25 |
JP5532200B2 true JP5532200B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=39324666
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008541046A Active JP5532200B2 (ja) | 2006-10-24 | 2007-10-23 | ビス(アミノフェノール)誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子 |
JP2013150412A Active JP5626546B2 (ja) | 2006-10-24 | 2013-07-19 | ビス(アミノフェノール)誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013150412A Active JP5626546B2 (ja) | 2006-10-24 | 2013-07-19 | ビス(アミノフェノール)誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8269358B2 (ja) |
EP (1) | EP2077291B1 (ja) |
JP (2) | JP5532200B2 (ja) |
KR (1) | KR101398293B1 (ja) |
CN (1) | CN101535377B (ja) |
MY (1) | MY150769A (ja) |
SG (1) | SG175668A1 (ja) |
TW (1) | TWI457369B (ja) |
WO (1) | WO2008050886A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5035094B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2012-09-26 | 住友ベークライト株式会社 | 感光性樹脂組成物、絶縁膜、保護膜および電子機器 |
JP5133097B2 (ja) * | 2008-03-13 | 2013-01-30 | エア・ウォーター株式会社 | 4,4’−メチレンビス(2,5−ジメチル−6−ニトロフェノール)の製造方法 |
JP5133098B2 (ja) * | 2008-03-13 | 2013-01-30 | エア・ウォーター株式会社 | 4,4’−エチリデンビス(2,5−ジメチル−6−ニトロフェノール)の製造方法 |
US8440734B2 (en) | 2008-07-08 | 2013-05-14 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Positive photosensitive resin composition, cured film, protecting film, insulating film, and semiconductor device and display device using the same |
EP2309329B1 (en) * | 2008-07-22 | 2014-04-02 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Positive-type photosensitive resin composition, cured film and its use as protective film, as insulating film, in semiconductor device and display device |
JP5410918B2 (ja) * | 2008-10-20 | 2014-02-05 | チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド | ポジティブ型感光性樹脂組成物 |
JP5243303B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2013-07-24 | エア・ウォーター株式会社 | ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニル)類の製造方法 |
JP5197439B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2013-05-15 | エア・ウォーター株式会社 | ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニル)類の製造方法 |
WO2010150518A1 (ja) * | 2009-06-26 | 2010-12-29 | 住友ベークライト株式会社 | アルカリ可溶性樹脂、ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置 |
JP2011190191A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Air Water Inc | ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)類の製造方法 |
TW201525064A (zh) * | 2013-12-16 | 2015-07-01 | Daxin Materials Corp | 感光樹脂組成物、感光樹脂及有機發光二極體顯示元件 |
TWI634135B (zh) | 2015-12-25 | 2018-09-01 | 日商富士軟片股份有限公司 | 樹脂、組成物、硬化膜、硬化膜的製造方法及半導體元件 |
KR102363081B1 (ko) * | 2016-06-03 | 2022-02-16 | 디아이씨 가부시끼가이샤 | 다환 방향족 아미노페놀 화합물 및 수지 조성물의 제조 방법, 그리고 상기 다환 방향족 아미노페놀 화합물, 수지 조성물, 및 경화물 |
US11199776B2 (en) | 2016-07-27 | 2021-12-14 | Toray Industries, Inc. | Resin composition |
TWI781220B (zh) * | 2017-10-31 | 2022-10-21 | 日商太陽控股股份有限公司 | 感光性樹脂組成物、乾膜、硬化物、半導體元件、印刷配線板及電子零件 |
TW202248755A (zh) | 2021-03-22 | 2022-12-16 | 日商富士軟片股份有限公司 | 負型感光性樹脂組成物、硬化物、積層體、硬化物的製造方法以及半導體元件 |
WO2023032545A1 (ja) | 2021-08-31 | 2023-03-09 | 富士フイルム株式会社 | 硬化物の製造方法、積層体の製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法、並びに、処理液 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002173532A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-06-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プラスチック光導波路用材料 |
JP2002341169A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-11-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プラスチック光導波路の製造方法 |
JP2003222744A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光電気混載基板 |
JP2005239969A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾオキサゾール樹脂の製造方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2931297A1 (de) | 1979-08-01 | 1981-02-19 | Siemens Ag | Waermebestaendige positivresists und verfahren zur herstellung waermebestaendiger reliefstrukturen |
US5077436A (en) * | 1985-02-22 | 1991-12-31 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Bis(3-aminophenoxy) aromatics and method of preparing the same |
JPS62176657A (ja) | 1986-01-28 | 1987-08-03 | Nippon Steel Corp | 遠心鋳造複合ロ−ルの製造法 |
JPS6446862A (en) | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Fujitsu Ltd | Bus controller |
US4845183A (en) * | 1987-11-24 | 1989-07-04 | Hoechst Celanese Corporation | Heat resistant polyamide and polybenzoxazole from bis-((amino-hydroxyphenyl)hexafluoroisopropyl)diphenyl ethers |
TW502135B (en) | 1996-05-13 | 2002-09-11 | Sumitomo Bakelite Co | Positive type photosensitive resin composition and process for preparing polybenzoxazole resin film by using the same |
EP0906903B1 (de) * | 1997-09-24 | 2001-12-12 | Infineon Technologies AG | Bis-o-amino(thio)phenole und deren Herstellung |
SG104255A1 (en) * | 1998-09-29 | 2004-06-21 | Sumitomo Bakelite Co | Polybenzoxazole resin and precursor thereof |
JP2000143804A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-05-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリベンゾオキサゾール前駆体及び樹脂 |
JP4004004B2 (ja) * | 1999-01-27 | 2007-11-07 | 住友ベークライト株式会社 | ポリベンゾオキサゾール前駆体、絶縁材用樹脂組成物およびこれを用いた絶縁材 |
JP3667184B2 (ja) * | 1999-02-26 | 2005-07-06 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置 |
JP2003073345A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-03-12 | Mitsui Chemicals Inc | 新規な含フッ素ビスアミノフェノール類及びその製造方法 |
JP2003185857A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-07-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プラスチック光導波路用材料及び光導波路 |
JP4180284B2 (ja) | 2002-02-28 | 2008-11-12 | 住友ベークライト株式会社 | 耐熱性樹脂前駆体、耐熱性樹脂及び絶縁膜並びに半導体装置 |
JP4356446B2 (ja) * | 2002-12-20 | 2009-11-04 | 住友ベークライト株式会社 | ビスアミノフェノール誘導体 |
EP1491952B1 (en) * | 2003-06-23 | 2015-10-07 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Positive-working photosensitive resin composition, method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display device, and method for producing the semiconductor device and the display device |
US7416822B2 (en) * | 2004-01-20 | 2008-08-26 | Asahi Kasei Emd Corporation | Resin and resin composition |
JP2005241691A (ja) | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 熱現像感光材料 |
JP2006162791A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、並びにそれを用いた半導体装置及び表示素子 |
JP2006276094A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、並びにそれを用いた半導体装置及び表示装置 |
JP4400695B2 (ja) * | 2007-02-19 | 2010-01-20 | 住友ベークライト株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置 |
JP4245074B1 (ja) * | 2008-01-11 | 2009-03-25 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。 |
-
2007
- 2007-10-23 CN CN2007800424897A patent/CN101535377B/zh active Active
- 2007-10-23 WO PCT/JP2007/070978 patent/WO2008050886A1/ja active Application Filing
- 2007-10-23 JP JP2008541046A patent/JP5532200B2/ja active Active
- 2007-10-23 MY MYPI20091636 patent/MY150769A/en unknown
- 2007-10-23 EP EP07830712A patent/EP2077291B1/en not_active Not-in-force
- 2007-10-23 KR KR1020097008231A patent/KR101398293B1/ko active IP Right Grant
- 2007-10-23 SG SG2011077112A patent/SG175668A1/en unknown
- 2007-10-23 US US12/446,751 patent/US8269358B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-24 TW TW096139793A patent/TWI457369B/zh active
-
2013
- 2013-07-19 JP JP2013150412A patent/JP5626546B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002173532A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-06-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プラスチック光導波路用材料 |
JP2002341169A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-11-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プラスチック光導波路の製造方法 |
JP2003222744A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光電気混載基板 |
JP2005239969A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾオキサゾール樹脂の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101535377B (zh) | 2011-09-14 |
WO2008050886A1 (fr) | 2008-05-02 |
TWI457369B (zh) | 2014-10-21 |
JP2013256506A (ja) | 2013-12-26 |
SG175668A1 (en) | 2011-11-28 |
JP5626546B2 (ja) | 2014-11-19 |
KR20090069178A (ko) | 2009-06-29 |
EP2077291A4 (en) | 2010-07-14 |
JPWO2008050886A1 (ja) | 2010-02-25 |
KR101398293B1 (ko) | 2014-05-22 |
MY150769A (en) | 2014-02-28 |
CN101535377A (zh) | 2009-09-16 |
EP2077291A1 (en) | 2009-07-08 |
US20100044888A1 (en) | 2010-02-25 |
US8269358B2 (en) | 2012-09-18 |
TW200835721A (en) | 2008-09-01 |
EP2077291B1 (en) | 2013-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5626546B2 (ja) | ビス(アミノフェノール)誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子 | |
JP4400695B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置 | |
TWI308992B (en) | Positive-working photosensitive resin composition, method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display device, and method for producing the semiconductor device and the display device | |
JP4245074B1 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。 | |
JP5257450B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれらを用いた半導体装置、表示体装置 | |
JP5029307B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。 | |
JP4569211B2 (ja) | フェノール化合物、ポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法 | |
JP5617505B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜、半導体装置、および表示体装置 | |
JP5278431B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置 | |
JP2009155481A (ja) | アルカリ可溶性樹脂、ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置 | |
JP5374821B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置 | |
JP5169169B2 (ja) | ポリアミド樹脂、ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置 | |
WO2011004573A1 (ja) | アルカリ可溶性樹脂、ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置 | |
JP2010215594A (ja) | ナフトキノンジアジド化合物及びアミドフェノール化合物 | |
JP5169167B2 (ja) | ポリアミド樹脂、ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置 | |
JP5585026B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜および半導体装置装置 | |
JP2010250192A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。 | |
WO2010150518A1 (ja) | アルカリ可溶性樹脂、ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130522 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130719 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140326 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140408 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5532200 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |