JP2002173532A - プラスチック光導波路用材料 - Google Patents
プラスチック光導波路用材料Info
- Publication number
- JP2002173532A JP2002173532A JP2001097489A JP2001097489A JP2002173532A JP 2002173532 A JP2002173532 A JP 2002173532A JP 2001097489 A JP2001097489 A JP 2001097489A JP 2001097489 A JP2001097489 A JP 2001097489A JP 2002173532 A JP2002173532 A JP 2002173532A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluorine
- bis
- diamino
- organic group
- embedded image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気特性、耐熱性、及び透明性に優れ、低価
格で、大面積化を実現することができるプラスチック光
導波路用材料を提供する。 【課題手段】 一般式（１）で表される繰り返し単位を
有するポリベンゾオキサゾール前駆体を閉環した構造を
有するポリベンゾオキサゾール樹脂からなるなることを
特徴とする光通信用のプラスチック光導波路用材料。 【化１】 （式（１）中、ｎは１〜１０００までの整数を示し、Ｘ
及びＹは、２価の有機基を示し、少なくとも一方にフッ
素を含む。）
格で、大面積化を実現することができるプラスチック光
導波路用材料を提供する。 【課題手段】 一般式（１）で表される繰り返し単位を
有するポリベンゾオキサゾール前駆体を閉環した構造を
有するポリベンゾオキサゾール樹脂からなるなることを
特徴とする光通信用のプラスチック光導波路用材料。 【化１】 （式（１）中、ｎは１〜１０００までの整数を示し、Ｘ
及びＹは、２価の有機基を示し、少なくとも一方にフッ
素を含む。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐熱性、電気特性
に、機械特性、物理特性に優れたプラスチック光導波路
用材料に関するものであり、詳しくはレーザー光などを
低損失で結合伝送するプラスチック光導波路を用いたイ
ンターコネクション・光通信デバイス等に適用すること
ができる。
に、機械特性、物理特性に優れたプラスチック光導波路
用材料に関するものであり、詳しくはレーザー光などを
低損失で結合伝送するプラスチック光導波路を用いたイ
ンターコネクション・光通信デバイス等に適用すること
ができる。
【０００２】
【従来の技術】従来、光導波路材料としては、ガラス
（石英）やプラスチックなどの材料が検討されている。
そのうち、石英で構成した光導波路は、低損失および高
耐熱性などの利点を有するため、光ファイバーや光イン
ターコネクション・光通信デバイスなどの分野に置いて
数多く検討され実際に利用されている。
（石英）やプラスチックなどの材料が検討されている。
そのうち、石英で構成した光導波路は、低損失および高
耐熱性などの利点を有するため、光ファイバーや光イン
ターコネクション・光通信デバイスなどの分野に置いて
数多く検討され実際に利用されている。
【０００３】一方、プラスチックで構成された光導波路
は、石英光導波路よりも作成および大面積化が容易であ
り、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネートおよ
び紫外線硬化型樹脂などのポリマーを用いたプラスチッ
ク光導波路が検討されている。
は、石英光導波路よりも作成および大面積化が容易であ
り、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネートおよ
び紫外線硬化型樹脂などのポリマーを用いたプラスチッ
ク光導波路が検討されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の石英光導波路では、作製に長い工程を要するた
め、本質的に低価格化は困難である。また、製作プロセ
スに置いて１０００℃前後の高熱処理を要するため、電
気回路基板との融合性が悪い悪いうえ大面積化が困難で
ある問題があった。
た従来の石英光導波路では、作製に長い工程を要するた
め、本質的に低価格化は困難である。また、製作プロセ
スに置いて１０００℃前後の高熱処理を要するため、電
気回路基板との融合性が悪い悪いうえ大面積化が困難で
ある問題があった。
【０００５】また、ポリメタクリレート、ポリカーボネ
ートもしくは紫外線硬化型樹脂で構成したプラスチック
光導波路では、その構成材料の耐熱性は、１００℃前後
であるため使用環境が限定されると共に、実装回路とし
て組み込むためには数百度のハンダ工程を通過すること
が必要となり、電気回路基板との融合性が悪くなるとい
う問題があった。
ートもしくは紫外線硬化型樹脂で構成したプラスチック
光導波路では、その構成材料の耐熱性は、１００℃前後
であるため使用環境が限定されると共に、実装回路とし
て組み込むためには数百度のハンダ工程を通過すること
が必要となり、電気回路基板との融合性が悪くなるとい
う問題があった。
【０００６】また、プラスチック材料でありながら３０
０℃以上の耐熱性を有するポリイミドをプラスチック光
導波路に用いようとする試みも一部でなされているが、
現状のポリイミドでは、その特異な分子構造のため、構
造に起因する吸収による光損失がはなはだ大きく、光導
波路には適さないという問題があった。また、ポリイミ
ド樹脂において、その構造から結晶性の高い樹脂があ
り、膜厚が薄い場合は影響が少ないが、導波路に使用す
る膜厚になると、その結晶性の高さから膜が脆くなる場
合や、屈折率が変化することがある。
０℃以上の耐熱性を有するポリイミドをプラスチック光
導波路に用いようとする試みも一部でなされているが、
現状のポリイミドでは、その特異な分子構造のため、構
造に起因する吸収による光損失がはなはだ大きく、光導
波路には適さないという問題があった。また、ポリイミ
ド樹脂において、その構造から結晶性の高い樹脂があ
り、膜厚が薄い場合は影響が少ないが、導波路に使用す
る膜厚になると、その結晶性の高さから膜が脆くなる場
合や、屈折率が変化することがある。
【０００７】そこで、本発明は、電気特性、耐熱性、及
び透明性に優れ、低価格で、大面積化を実現することが
できるプラスチック光導波路用材料を提供することにあ
る。
び透明性に優れ、低価格で、大面積化を実現することが
できるプラスチック光導波路用材料を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記従来
の問題点を鑑み、鋭意検討を重ねた結果、一般式（１）
で表される繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾー
ル前駆体を閉環した構造を有するポリベンゾオキサゾー
ル樹脂からなるなることを特徴とする光通信用のプラス
チック光導波路用材料を見いだし、本発明を完成するに
至った。
の問題点を鑑み、鋭意検討を重ねた結果、一般式（１）
で表される繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾー
ル前駆体を閉環した構造を有するポリベンゾオキサゾー
ル樹脂からなるなることを特徴とする光通信用のプラス
チック光導波路用材料を見いだし、本発明を完成するに
至った。
【０００９】
【化１２】 式（１）中、ｎは１〜１０００までの整数を示し、Ｘ及
びＹは、２価の有機基を示し、少なくとも一方にフッ素
を含む。）
びＹは、２価の有機基を示し、少なくとも一方にフッ素
を含む。）
【００１０】又、式（１）中の構造Ｘが、一般式（２）
〜（４）で表される構造から選ばれることを特徴とする
前記光通信用のプラスチック光導波路用材料、
〜（４）で表される構造から選ばれることを特徴とする
前記光通信用のプラスチック光導波路用材料、
【００１１】
【化１３】
【００１２】
【化１４】
【００１３】
【化１５】
【００１４】式（２）〜（４）中、Ｒ1，Ｒ5，及びＲ32
は、フッ素またはフッ素を有する１価の有機基であり、
Ｒ2，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8， Ｒ33，Ｒ34，Ｒ35，Ｒ36及びＲ
37は、水素、フッ素またはフッ素を有する１価の有機基
であり、互いに同じであっても異なっても良く、Ｒ3，
Ｒ4，Ｒ9，Ｒ10， Ｒ38，Ｒ39は、水素または１価の有
機基であり、互いに同じであっても異なっても良い。Ｚ
は、単結合、−Ｏ−，−ＳＯ2−又は式（５）、式
（６）で表される構造の２価の有機基を示し、前記２価
の有機基は、フッ素を含んでいても良い。また、式
（２）〜（４）中の２個のＯＲ基は、式（１）中のアミ
ド基とＯＲ基が、それぞれ芳香族基の隣り合った炭素に
結合しているものを表す。
は、フッ素またはフッ素を有する１価の有機基であり、
Ｒ2，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8， Ｒ33，Ｒ34，Ｒ35，Ｒ36及びＲ
37は、水素、フッ素またはフッ素を有する１価の有機基
であり、互いに同じであっても異なっても良く、Ｒ3，
Ｒ4，Ｒ9，Ｒ10， Ｒ38，Ｒ39は、水素または１価の有
機基であり、互いに同じであっても異なっても良い。Ｚ
は、単結合、−Ｏ−，−ＳＯ2−又は式（５）、式
（６）で表される構造の２価の有機基を示し、前記２価
の有機基は、フッ素を含んでいても良い。また、式
（２）〜（４）中の２個のＯＲ基は、式（１）中のアミ
ド基とＯＲ基が、それぞれ芳香族基の隣り合った炭素に
結合しているものを表す。
【００１５】
【化１６】 式（５）中、 Ｒ48，Ｒ49，Ｒ50，Ｒ51，Ｒ52及びＲ53
はフッ素またはフルオロアルキル基であり互いに同じで
あっても異なってもよい。 ｉは１〜８までの整数、ｊ
は０〜７までの整数で、かつｉ＋ｊ≦８をみたすものと
する。
はフッ素またはフルオロアルキル基であり互いに同じで
あっても異なってもよい。 ｉは１〜８までの整数、ｊ
は０〜７までの整数で、かつｉ＋ｊ≦８をみたすものと
する。
【００１６】
【化１７】
【００１７】式（６）中、Ｒ54，Ｒ55，Ｒ56，Ｒ57，Ｒ
58，Ｒ59，Ｒ60及びＲ61は、水素、フッ素またはフッ素
を有する１価の有機基であり、互いに同じであっても異
なっても良い。
58，Ｒ59，Ｒ60及びＲ61は、水素、フッ素またはフッ素
を有する１価の有機基であり、互いに同じであっても異
なっても良い。
【００１８】また、式（１）中の構造Ｙが、一般式
（７）〜（９）で表される構造から選ばれることを特徴
とする前記光通信用のプラスチック光導波路用材料であ
る。
（７）〜（９）で表される構造から選ばれることを特徴
とする前記光通信用のプラスチック光導波路用材料であ
る。
【００１９】
【化１８】
【００２０】
【化１９】
【００２１】
【化２０】
【００２２】式（７）〜（９）中、Ｒ19，Ｒ23，及びＲ
40は、フッ素またはフッ素を有する１価の有機基であ
り、Ｒ20，Ｒ21，Ｒ22，Ｒ24，Ｒ25，Ｒ26，Ｒ27，
Ｒ28， Ｒ4 1，Ｒ42，Ｒ43，Ｒ44，Ｒ45，Ｒ46及びＲ47
は、水素、フッ素またはフッ素を有する１価の有機基で
あり、互いに同じであっても異なっても良い。Ｚは、単
結合、−Ｏ−，−ＳＯ2−又は式（１０）、式（１１）
で表される構造の２価の有機基を示し、前記２価の有機
基は、フッ素を含んでいても良い。
40は、フッ素またはフッ素を有する１価の有機基であ
り、Ｒ20，Ｒ21，Ｒ22，Ｒ24，Ｒ25，Ｒ26，Ｒ27，
Ｒ28， Ｒ4 1，Ｒ42，Ｒ43，Ｒ44，Ｒ45，Ｒ46及びＲ47
は、水素、フッ素またはフッ素を有する１価の有機基で
あり、互いに同じであっても異なっても良い。Ｚは、単
結合、−Ｏ−，−ＳＯ2−又は式（１０）、式（１１）
で表される構造の２価の有機基を示し、前記２価の有機
基は、フッ素を含んでいても良い。
【００２３】
【化２１】
【００２４】式（１０）中、 Ｒ62，Ｒ63，Ｒ64，
Ｒ65，Ｒ66及びＲ67はフッ素またはフルオロアルキル基
であり互いに同じであっても異なってもよい。 ｉは１
〜８までの整数、ｊは０〜７までの整数で、かつｉ＋ｊ
≦８をみたすものとする。
Ｒ65，Ｒ66及びＲ67はフッ素またはフルオロアルキル基
であり互いに同じであっても異なってもよい。 ｉは１
〜８までの整数、ｊは０〜７までの整数で、かつｉ＋ｊ
≦８をみたすものとする。
【００２５】
【化２２】 式（１１）中、Ｒ68，Ｒ69，Ｒ70，Ｒ71，Ｒ72，Ｒ73，
Ｒ74，及びＲ75は、水素、フッ素またはフッ素を有する
１価の有機基であり、互いに同じであても異なっても良
い。
Ｒ74，及びＲ75は、水素、フッ素またはフッ素を有する
１価の有機基であり、互いに同じであても異なっても良
い。
【００２６】
【発明の実施の形態】本発明に用いるポリベンゾオキサ
ゾール前駆体は、ビスアミノフェノール化合物もしくは
ジアミノジヒドロキシ化合物、またはそれらのエステル
化物やエーテル化物などの誘導体とジカルボン酸とか
ら、酸クロリド法、活性化エステル法またはポリリン酸
もしくはジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合
剤の存在下での縮合反応等の方法により得ることができ
る。
ゾール前駆体は、ビスアミノフェノール化合物もしくは
ジアミノジヒドロキシ化合物、またはそれらのエステル
化物やエーテル化物などの誘導体とジカルボン酸とか
ら、酸クロリド法、活性化エステル法またはポリリン酸
もしくはジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合
剤の存在下での縮合反応等の方法により得ることができ
る。
【００２７】本発明に用いるジアミノジヒドロキシ化合
物の例で、特に式（２）を構成するものとしては、１，
３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシジフルオロベンゼ
ン、１，４−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシジフルオ
ロベンゼン、１，４−ジアミノ−２，３−ジヒドロキシ
ジフルオロベンゼン、１，２−ジアミノ−３，６−ジヒ
ドロキシジフルオロベンゼン、１−トリフルオロメチル
−２，４−ジアミノ−３，５−ジヒドロキシベンゼン、
１−トリフルオロメチル−２，５−ジアミノ−３，６−
ジヒドロキシベンゼン、１−トリフルオロメチル−２，
４−ジアミノ−３，５−ジヒドロキシフルオロベンゼ
ン、１−トリフルオロメチル−２，５−ジアミノ−３，
６−ジヒドロキシフルオロベンゼン、１，４−ビス（ト
リフルオロメチル）−２，５−ジアミノ−３，６−ジヒ
ドロキシベンゼン、１−ペンタフルオロエチル−２，５
−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシベンゼン、１−パー
フルオロシクロヘキシル−２，５−ジアミノ−３，６−
ジヒドロキシベンゼン、１，３−ジアミノ−４，６−ジ
エトキシジフルオロベンゼン等を挙げることができ、ま
たこれらのエステル化合物やエーテル化合物などの誘導
体を挙げることができるが、これらに限定されるもので
はない。これらのジアミノジヒドロキシ化合物は単独、
または組み合わせて使用することができる。
物の例で、特に式（２）を構成するものとしては、１，
３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシジフルオロベンゼ
ン、１，４−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシジフルオ
ロベンゼン、１，４−ジアミノ−２，３−ジヒドロキシ
ジフルオロベンゼン、１，２−ジアミノ−３，６−ジヒ
ドロキシジフルオロベンゼン、１−トリフルオロメチル
−２，４−ジアミノ−３，５−ジヒドロキシベンゼン、
１−トリフルオロメチル−２，５−ジアミノ−３，６−
ジヒドロキシベンゼン、１−トリフルオロメチル−２，
４−ジアミノ−３，５−ジヒドロキシフルオロベンゼ
ン、１−トリフルオロメチル−２，５−ジアミノ−３，
６−ジヒドロキシフルオロベンゼン、１，４−ビス（ト
リフルオロメチル）−２，５−ジアミノ−３，６−ジヒ
ドロキシベンゼン、１−ペンタフルオロエチル−２，５
−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシベンゼン、１−パー
フルオロシクロヘキシル−２，５−ジアミノ−３，６−
ジヒドロキシベンゼン、１，３−ジアミノ−４，６−ジ
エトキシジフルオロベンゼン等を挙げることができ、ま
たこれらのエステル化合物やエーテル化合物などの誘導
体を挙げることができるが、これらに限定されるもので
はない。これらのジアミノジヒドロキシ化合物は単独、
または組み合わせて使用することができる。
【００２８】本発明に用いるジアミノジヒドロキシ化合
物の例で、特に式（３）を構成するものとしては、２，
７−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシテトラフルオロナ
フタレン、２，６−ジアミノ−３，７−ジヒドロキシテ
トラフルオロナフタレン、１，６−ジアミノ−２，５−
ジヒドロキシテトラフルオロナフタレン、３，６−ジア
ミノ−２，５−ジヒドロキシテトラフルオロナフタレ
ン、２，７−ジアミノ−１，８−ジヒドロキシテトラフ
ルオロナフタレン、１−トリフルオロメチル−３，６−
ジアミノ−２，７−ジヒドロキシナフタレン、１，５−
ビス（トリフルオロメチル）−３，７−ジアミノ−２，
６−ジヒドロキシナフタレン、１−トリフルオロメチル
−３，６−ジアミノ−２，５−ジヒドロキシナフタレ
ン、１−ペンタフルオロエチル−３，６−ジアミノ−
２，７−ジヒドロキシナフタレンン、１−パーフルオロ
シクロヘキシル−３，６−ジアミノ−２，７−ジヒドロ
キシナフタレン、１，５−ビス（トリフルオロメチル）
−３，７−ジアミノ−２，６−ジヒドロキシジフルオロ
ナフタレン、２，６−ジアミノ−３，７−ジエトキシテ
トラフルオロナフタレン、１，４，５，８−テトラ（ト
リフルオロメチル）−２，７−ジアミノ−３，６−ジヒ
ドロキシナフタレン等を挙げることができ、またこれら
のエステル化合物やエーテル化合物などの誘導体を挙げ
ることができるが、これらに限定されるものではない。
これらのジアミノジヒドロキシル化合物は単独、または
組み合わせて使用することができる。
物の例で、特に式（３）を構成するものとしては、２，
７−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシテトラフルオロナ
フタレン、２，６−ジアミノ−３，７−ジヒドロキシテ
トラフルオロナフタレン、１，６−ジアミノ−２，５−
ジヒドロキシテトラフルオロナフタレン、３，６−ジア
ミノ−２，５−ジヒドロキシテトラフルオロナフタレ
ン、２，７−ジアミノ−１，８−ジヒドロキシテトラフ
ルオロナフタレン、１−トリフルオロメチル−３，６−
ジアミノ−２，７−ジヒドロキシナフタレン、１，５−
ビス（トリフルオロメチル）−３，７−ジアミノ−２，
６−ジヒドロキシナフタレン、１−トリフルオロメチル
−３，６−ジアミノ−２，５−ジヒドロキシナフタレ
ン、１−ペンタフルオロエチル−３，６−ジアミノ−
２，７−ジヒドロキシナフタレンン、１−パーフルオロ
シクロヘキシル−３，６−ジアミノ−２，７−ジヒドロ
キシナフタレン、１，５−ビス（トリフルオロメチル）
−３，７−ジアミノ−２，６−ジヒドロキシジフルオロ
ナフタレン、２，６−ジアミノ−３，７−ジエトキシテ
トラフルオロナフタレン、１，４，５，８−テトラ（ト
リフルオロメチル）−２，７−ジアミノ−３，６−ジヒ
ドロキシナフタレン等を挙げることができ、またこれら
のエステル化合物やエーテル化合物などの誘導体を挙げ
ることができるが、これらに限定されるものではない。
これらのジアミノジヒドロキシル化合物は単独、または
組み合わせて使用することができる。
【００２９】本発明に用いるビスアミノフェノール化合
物の例で、特に、式（４）を構成するものとしては、
４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシ−５，
５’−トリフルオロメチルビフェニル、４，４’−ジア
ミノ−３，３’−ジヒドロキシ−５，５’−ペンタフル
オロエチルビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’
−ジヒドロキシ−６，６’−トリフルオロメチルビフェ
ニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシ−
６，６’−ペンタフルオロエチルビフェニル、３，３’
−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシ−５，５’−トリ
フルオロメチルビフェニル、３,３’−ジアミノ−４，
４’−ジヒドロキシ−５，５’−ペンタフルオロエチル
ビフェニル、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロ
キシ−６，６’−トリフルオロメチルビフェニル、３，
３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシ−６，６’−
ペンタフルオロエチルビフェニル、３，４’−ジアミノ
−４，３’−ジヒドロキシ−５，５’−トリフルオロメ
チルビフェニル、３，４’−ジアミノ−４，３’−ジヒ
ドロキシ−５，５’−ペンタフルオロエチルビフェニ
ル、３，４’−ジアミノ−４，３’−ジヒドロキシ−
６，６’−トリフルオロメチルビフェニル、３，４’−
ジアミノ−４，３’−ジヒドロキシ−６，６’−ペンタ
フルオロエチルビフェニル等を挙げることができ、また
これらのエステル化合物やエーテル化合物などの誘導体
を挙げることができる
物の例で、特に、式（４）を構成するものとしては、
４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシ−５，
５’−トリフルオロメチルビフェニル、４，４’−ジア
ミノ−３，３’−ジヒドロキシ−５，５’−ペンタフル
オロエチルビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’
−ジヒドロキシ−６，６’−トリフルオロメチルビフェ
ニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシ−
６，６’−ペンタフルオロエチルビフェニル、３，３’
−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシ−５，５’−トリ
フルオロメチルビフェニル、３,３’−ジアミノ−４，
４’−ジヒドロキシ−５，５’−ペンタフルオロエチル
ビフェニル、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロ
キシ−６，６’−トリフルオロメチルビフェニル、３，
３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシ−６，６’−
ペンタフルオロエチルビフェニル、３，４’−ジアミノ
−４，３’−ジヒドロキシ−５，５’−トリフルオロメ
チルビフェニル、３，４’−ジアミノ−４，３’−ジヒ
ドロキシ−５，５’−ペンタフルオロエチルビフェニ
ル、３，４’−ジアミノ−４，３’−ジヒドロキシ−
６，６’−トリフルオロメチルビフェニル、３，４’−
ジアミノ−４，３’−ジヒドロキシ−６，６’−ペンタ
フルオロエチルビフェニル等を挙げることができ、また
これらのエステル化合物やエーテル化合物などの誘導体
を挙げることができる
【００３０】また、２,２−ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２,２−ビス（４−アミ
ノ−３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２,２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチ
ルフェニル）プロパン、２,２−ビス（４−アミノ−３
−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチルフェニル）プロ
パン、２,２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−５
−トリフルオロメチルフェニル）プロパン、２,２−ビ
ス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−５−トリフルオロメ
チルフェニル）プロパン、２,２−ビス（３−アミノ−
４−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチルフェニル）プ
ロパン、２,２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−
６−トリフルオロメチルフェニル）プロパン、２,２−
ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−２−トリフルオロ
メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビ
ス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−２−トリフルオロメ
チルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（４−アミノ−３−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（４−アミノ−３−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４
−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、４，４’−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ
フェノキシ）オクタフルオロビフェニル、４，４’−ビ
ス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノキシ）オクタフ
ルオロビフェニル、２，２−ビス（３-アミノ-４-ヒド
ロキシ−５−ペンタフルオロフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン等が挙げられるが、これらに限定されるもので
はない。これらのビスアミノフェノール化合物は単独、
または組み合わせて使用することができる。
ドロキシフェニル）プロパン、２,２−ビス（４−アミ
ノ−３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２,２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチ
ルフェニル）プロパン、２,２−ビス（４−アミノ−３
−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチルフェニル）プロ
パン、２,２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−５
−トリフルオロメチルフェニル）プロパン、２,２−ビ
ス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−５−トリフルオロメ
チルフェニル）プロパン、２,２−ビス（３−アミノ−
４−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチルフェニル）プ
ロパン、２,２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−
６−トリフルオロメチルフェニル）プロパン、２,２−
ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−２−トリフルオロ
メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビ
ス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−２−トリフルオロメ
チルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（４−アミノ−３−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（４−アミノ−３−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４
−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、４，４’−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ
フェノキシ）オクタフルオロビフェニル、４，４’−ビ
ス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノキシ）オクタフ
ルオロビフェニル、２，２−ビス（３-アミノ-４-ヒド
ロキシ−５−ペンタフルオロフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン等が挙げられるが、これらに限定されるもので
はない。これらのビスアミノフェノール化合物は単独、
または組み合わせて使用することができる。
【００３１】本発明に用いるビスアミノフェノール化合
物の例で、特に、式（５）を構成するものとしては、
１，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニノキ
シ）テトラフルオロシクロプロパン、１，２−ビス（３
−アミノ−４−ヒドロキシフェニノキシ）テトラフルオ
ロシクロプロパン、１，２−ビス（４−アミノ−３−ヒ
ドロキシフェニノキシ）ヘキサフルオロシクロブタン、
１，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニノキ
シ）ヘキサフルオロシクロブタン、１，３−ビス（４−
アミノ−３−ヒドロキシフェニノキシ）ヘキサフルオロ
シクロブタン、１，３−ビス（３−アミノ−４−ヒドロ
キシフェニノキシ）ヘキサフルオロシクロブタン、１，
２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニノキシ）
オクタフルオロシクロヘキサン、１，２−ビス（３−ア
ミノ−４−ヒドロキシフェニノキシ）オクタフルオロシ
クロヘキサン、１，３−ビス（４−アミノ−３−ヒドロ
キシフェニノキシ）オクタフルオロシクロヘキサン、
１，３−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニノキ
シ）オクタフルオロシクロヘキサン、１，２−ビス（４
−アミノ−３−ヒドロキシフェニノキシ）デカルオロシ
クロヘキサン、１，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロ
キシフェニノキシ）デカルオロシクロヘキサン、１，３
−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニノキシ）デ
カルオロシクロヘキサン、１，３−ビス（３−アミノ−
４−ヒドロキシフェニノキシ）デカルオロシクロヘキサ
ン、１，４−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニ
ノキシ）デカルオロシクロヘキサン、１，４−ビス（３
−アミノ−４−ヒドロキシフェニノキシ）デカルオロシ
クロヘキサン等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。これらのビスアミノフェノール化合物は単
独、または組み合わせて使用することができる。
物の例で、特に、式（５）を構成するものとしては、
１，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニノキ
シ）テトラフルオロシクロプロパン、１，２−ビス（３
−アミノ−４−ヒドロキシフェニノキシ）テトラフルオ
ロシクロプロパン、１，２−ビス（４−アミノ−３−ヒ
ドロキシフェニノキシ）ヘキサフルオロシクロブタン、
１，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニノキ
シ）ヘキサフルオロシクロブタン、１，３−ビス（４−
アミノ−３−ヒドロキシフェニノキシ）ヘキサフルオロ
シクロブタン、１，３−ビス（３−アミノ−４−ヒドロ
キシフェニノキシ）ヘキサフルオロシクロブタン、１，
２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニノキシ）
オクタフルオロシクロヘキサン、１，２−ビス（３−ア
ミノ−４−ヒドロキシフェニノキシ）オクタフルオロシ
クロヘキサン、１，３−ビス（４−アミノ−３−ヒドロ
キシフェニノキシ）オクタフルオロシクロヘキサン、
１，３−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニノキ
シ）オクタフルオロシクロヘキサン、１，２−ビス（４
−アミノ−３−ヒドロキシフェニノキシ）デカルオロシ
クロヘキサン、１，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロ
キシフェニノキシ）デカルオロシクロヘキサン、１，３
−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニノキシ）デ
カルオロシクロヘキサン、１，３−ビス（３−アミノ−
４−ヒドロキシフェニノキシ）デカルオロシクロヘキサ
ン、１，４−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニ
ノキシ）デカルオロシクロヘキサン、１，４−ビス（３
−アミノ−４−ヒドロキシフェニノキシ）デカルオロシ
クロヘキサン等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。これらのビスアミノフェノール化合物は単
独、または組み合わせて使用することができる。
【００３２】本発明に用いるビスアミノフェノール化合
物の例で、特に、式（６）を構成するものとしては、
２，６−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−フェニノ
キシ）オクタフルオロフルオレン、２，６−ビス（３−
アミノ−４−ヒドロキシ−フェニノキシ）オクタフルオ
ロフルオレン、２，７−ビス（４−アミノ−３−ヒドロ
キシ−フェニノキシ）オクタフルオロフルオレン、２，
７−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−フェニノキ
シ）オクタフルオロフルオレン、３，６−ビス（４−ア
ミノ−３−ヒドロキシ−フェニノキシ）オクタフルオロ
フルオレン、３，６−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキ
シ−フェニノキシ）オクタフルオロフルオレン、４，６
−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−フェニノキシ）
オクタフルオロフルオレン等が挙げられるが、これらに
限定されるものではない。これらのビスアミノフェノー
ル化合物は単独、または組み合わせて使用することがで
きる。
物の例で、特に、式（６）を構成するものとしては、
２，６−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−フェニノ
キシ）オクタフルオロフルオレン、２，６−ビス（３−
アミノ−４−ヒドロキシ−フェニノキシ）オクタフルオ
ロフルオレン、２，７−ビス（４−アミノ−３−ヒドロ
キシ−フェニノキシ）オクタフルオロフルオレン、２，
７−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−フェニノキ
シ）オクタフルオロフルオレン、３，６−ビス（４−ア
ミノ−３−ヒドロキシ−フェニノキシ）オクタフルオロ
フルオレン、３，６−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキ
シ−フェニノキシ）オクタフルオロフルオレン、４，６
−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−フェニノキシ）
オクタフルオロフルオレン等が挙げられるが、これらに
限定されるものではない。これらのビスアミノフェノー
ル化合物は単独、または組み合わせて使用することがで
きる。
【００３３】また、本発明に用いるポリベンゾオキサゾ
ール前駆体において、式（２）及び式（３）で表される
構造を有するジアミノジヒドロキシ化合物や式（４）〜
（６）で表される構造を有するビスアミノフェノール化
合物から１種、または２種、あるいは、それぞれ１種以
上混合して用いることが出来る。
ール前駆体において、式（２）及び式（３）で表される
構造を有するジアミノジヒドロキシ化合物や式（４）〜
（６）で表される構造を有するビスアミノフェノール化
合物から１種、または２種、あるいは、それぞれ１種以
上混合して用いることが出来る。
【００３４】前記ジアミノジヒドロキシ化合物以外に
も、芳香族ジアミノジヒドロキ化合物の例を挙げると
３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシビフ
ェニル、３,３'−ジアミノ−４,４'−ジヒドロキシビフ
ェニル、４,４'−ジアミノ−３,３'−ジヒドロキシビフ
ェニル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）
エーテル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニ
ル）スルフィド、ビス（３−アミノー４ーヒドロキシフ
ェニル）ケトン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフ
ェニル）スルホン、２,２−ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、等であり、またこれらの
エステル化合物やエーテル化合物などの誘導体を挙げる
ことができるが、これらに限られるものではない。
も、芳香族ジアミノジヒドロキ化合物の例を挙げると
３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシビフ
ェニル、３,３'−ジアミノ−４,４'−ジヒドロキシビフ
ェニル、４,４'−ジアミノ−３,３'−ジヒドロキシビフ
ェニル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）
エーテル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニ
ル）スルフィド、ビス（３−アミノー４ーヒドロキシフ
ェニル）ケトン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフ
ェニル）スルホン、２,２−ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、等であり、またこれらの
エステル化合物やエーテル化合物などの誘導体を挙げる
ことができるが、これらに限られるものではない。
【００３５】本発明では、フッ素を含まない前記化合物
は、フッ素を含む前記化合物と併用するか、フッ素含有
ジカルボン酸と組み合わせて用いられる。また２種類以
上の芳香族ジアミノジヒドロキ化合物を組み合わせて使
用することも可能である。また、これらは、式（２）〜
（５）を構成する前記ビスアミノフェノール化合物やジ
アミノジヒドロキシ化合物と、得られる樹脂の性能を損
なわない範囲で併用することも可能である。
は、フッ素を含む前記化合物と併用するか、フッ素含有
ジカルボン酸と組み合わせて用いられる。また２種類以
上の芳香族ジアミノジヒドロキ化合物を組み合わせて使
用することも可能である。また、これらは、式（２）〜
（５）を構成する前記ビスアミノフェノール化合物やジ
アミノジヒドロキシ化合物と、得られる樹脂の性能を損
なわない範囲で併用することも可能である。
【００３６】本発明に用いるジカルボン酸として、代表
的には式（７）〜（１１）の構造を有するが、それらの
例を挙げるとイソフタル酸、テレフタル酸、２−フルオ
ロイソフタル酸、３−フルオロフタル酸、２−フルオロ
テレフタル酸、２，４，５，６−テトラフルオロイソフ
タル酸、３，４，５，６−テトラフルオロフタル酸、
４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェニル
−１，１’ジカルボン酸、パーフルオロスベリン酸、
２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ビ
フェニレンジカルボン酸、４，４’−オキシビス安息香
酸、２，３，４，６，７，８−ヘキサフルオロナフタレ
ン−１，５−ジカルボン酸、２，３，４，５，７，８−
ヘキサフルオロナフタレン−１，６−ジカルボン酸、
１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロナフタレン−
２，６−ジカルボン酸、１−トリフルオロメチルナフタ
レン−２，６−ジカルボン酸、１，５−ビス（トリフル
オロメチル）ナフタレン−２，６−ジカルボン酸、１−
ペンタフルオロエチルナフタレン−２，６−ジカルボン
酸、１−トリフルオロメチルナフタレン−３，７−ジカ
ルボン酸、１，５−ビス（トリフルオロメチル）ナフタ
レン−３，７−ジカルボン酸、１−ペンタフルオロエチ
ルナフタレン−３，７−ジカルボン酸、１−ウンデカフ
ルオロシクロヘキシルナフタレン−３，７−ジカルボン
酸、１−トリフルオロメチル−２，４，５，６，８−ペ
ンタフルオロナフタレン−３，７−ジカルボン酸、１−
ビス（トリフルオロメチル）メトキシ−２，４，５，
６，８−ペンタフルオロナフタレン−３，７−ジカルボ
ン酸、１，５−ビス（トリフルオロメチル）−２，４，
６，８−テトラフルオロナフタレン−３，７−ジカルボ
ン酸、１，５−ビス［ビス（トリフルオロメチル）メト
キシ］−２，４，６，８−テトラフルオロナフタレン−
３，７−ジカルボン酸、テトラフルオロプロピレン−
１，２−ジカルボン酸、ヘキサフルオロシクロブチレン
−１，３−ジカルボン酸、デカフルオロシクロヘキシレ
ン−１，２−ジカルボン酸、デカフルオロシクロヘキシ
レン−１，３−ジカルボン酸、デカフルオロシクロヘキ
シレン−１，４−ジカルボン酸、オクタシクロペンチレ
ン−１，３−ジカルボン酸、オクタシクロペンチレン−
１，２−ジカルボン酸、オクタフルオロフルオレニレン
−３，６−ジカルボン酸、オクタフルオロフルオレニレ
ン−３，５−ジカルボン酸、オクタフルオロフルオレニ
レン−４，５−ジカルボン酸、、オクタフルオロフルオ
レニレン−４，６−ジカルボン酸、オクタフルオロフル
オレニレン−２，６−ジカルボン酸、オクタフルオロフ
ルオレニレン−２，７−ジカルボン酸等を挙げることが
できるが、これらに限定されるものではない。これらの
ジカルボン酸は単独、または組み合わせて使用すること
ができる。本発明では、フッ素を含まないジカルボン酸
は、少なくとも１種のフッ素含有ビスアミノフェノール
化合物やフッ素含有ジアミノジヒドロキシ化合物と併用
しなければならない。
的には式（７）〜（１１）の構造を有するが、それらの
例を挙げるとイソフタル酸、テレフタル酸、２−フルオ
ロイソフタル酸、３−フルオロフタル酸、２−フルオロ
テレフタル酸、２，４，５，６−テトラフルオロイソフ
タル酸、３，４，５，６−テトラフルオロフタル酸、
４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェニル
−１，１’ジカルボン酸、パーフルオロスベリン酸、
２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ビ
フェニレンジカルボン酸、４，４’−オキシビス安息香
酸、２，３，４，６，７，８−ヘキサフルオロナフタレ
ン−１，５−ジカルボン酸、２，３，４，５，７，８−
ヘキサフルオロナフタレン−１，６−ジカルボン酸、
１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロナフタレン−
２，６−ジカルボン酸、１−トリフルオロメチルナフタ
レン−２，６−ジカルボン酸、１，５−ビス（トリフル
オロメチル）ナフタレン−２，６−ジカルボン酸、１−
ペンタフルオロエチルナフタレン−２，６−ジカルボン
酸、１−トリフルオロメチルナフタレン−３，７−ジカ
ルボン酸、１，５−ビス（トリフルオロメチル）ナフタ
レン−３，７−ジカルボン酸、１−ペンタフルオロエチ
ルナフタレン−３，７−ジカルボン酸、１−ウンデカフ
ルオロシクロヘキシルナフタレン−３，７−ジカルボン
酸、１−トリフルオロメチル−２，４，５，６，８−ペ
ンタフルオロナフタレン−３，７−ジカルボン酸、１−
ビス（トリフルオロメチル）メトキシ−２，４，５，
６，８−ペンタフルオロナフタレン−３，７−ジカルボ
ン酸、１，５−ビス（トリフルオロメチル）−２，４，
６，８−テトラフルオロナフタレン−３，７−ジカルボ
ン酸、１，５−ビス［ビス（トリフルオロメチル）メト
キシ］−２，４，６，８−テトラフルオロナフタレン−
３，７−ジカルボン酸、テトラフルオロプロピレン−
１，２−ジカルボン酸、ヘキサフルオロシクロブチレン
−１，３−ジカルボン酸、デカフルオロシクロヘキシレ
ン−１，２−ジカルボン酸、デカフルオロシクロヘキシ
レン−１，３−ジカルボン酸、デカフルオロシクロヘキ
シレン−１，４−ジカルボン酸、オクタシクロペンチレ
ン−１，３−ジカルボン酸、オクタシクロペンチレン−
１，２−ジカルボン酸、オクタフルオロフルオレニレン
−３，６−ジカルボン酸、オクタフルオロフルオレニレ
ン−３，５−ジカルボン酸、オクタフルオロフルオレニ
レン−４，５−ジカルボン酸、、オクタフルオロフルオ
レニレン−４，６−ジカルボン酸、オクタフルオロフル
オレニレン−２，６−ジカルボン酸、オクタフルオロフ
ルオレニレン−２，７−ジカルボン酸等を挙げることが
できるが、これらに限定されるものではない。これらの
ジカルボン酸は単独、または組み合わせて使用すること
ができる。本発明では、フッ素を含まないジカルボン酸
は、少なくとも１種のフッ素含有ビスアミノフェノール
化合物やフッ素含有ジアミノジヒドロキシ化合物と併用
しなければならない。
【００３７】本発明に用いるポリベンゾオキサゾール前
駆体製造方法の中で、酸クロリド法による合成の例を挙
げると、まず前記ジカルボン酸を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド等の触媒存在下、過剰量の塩化チオニルと、
室温から７５℃で反応させ、過剰の塩化チオニルを加熱
及び減圧により留去する。その後残査をヘキサン等の溶
媒で再結晶することにより、酸クロリドであるジカルボ
ン酸クロリドを得ることができる。次いで前記ビスアミ
ノフェノール化合物及び／またはジアミノジヒドロキシ
化合物を、通常Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の極性溶
媒に溶解し、ピリジン等の酸受容剤存在下で、ジカルボ
ン酸クロリドと、−３０℃から室温で反応することによ
りポリベンゾオキサゾール前駆体を得ることができる。
駆体製造方法の中で、酸クロリド法による合成の例を挙
げると、まず前記ジカルボン酸を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド等の触媒存在下、過剰量の塩化チオニルと、
室温から７５℃で反応させ、過剰の塩化チオニルを加熱
及び減圧により留去する。その後残査をヘキサン等の溶
媒で再結晶することにより、酸クロリドであるジカルボ
ン酸クロリドを得ることができる。次いで前記ビスアミ
ノフェノール化合物及び／またはジアミノジヒドロキシ
化合物を、通常Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の極性溶
媒に溶解し、ピリジン等の酸受容剤存在下で、ジカルボ
ン酸クロリドと、−３０℃から室温で反応することによ
りポリベンゾオキサゾール前駆体を得ることができる。
【００３８】本発明において、ポリベンゾオキサゾール
樹脂は、このようにして得られたポリベンゾオキサゾー
ル前駆体を、従来法の通り、加熱または脱水剤で処理す
るにより、閉環反応して得ることができる。このポリベ
ンゾオキサゾール前駆体又は樹脂に、必要により、各種
添加剤として、界面活性剤やカップリング剤等を添加し
て用いることができる。
樹脂は、このようにして得られたポリベンゾオキサゾー
ル前駆体を、従来法の通り、加熱または脱水剤で処理す
るにより、閉環反応して得ることができる。このポリベ
ンゾオキサゾール前駆体又は樹脂に、必要により、各種
添加剤として、界面活性剤やカップリング剤等を添加し
て用いることができる。
【００３９】また、本発明におけるポリベンゾオキサゾ
ール樹脂の前駆体は、一般式（１）のＸの構造を表す一
般式（２）〜（４）において、 Ｒ3もしくはＲ4の少な
くとも一方、Ｒ9もしくはＲ10の少なくとも一方、Ｒ38
もしくはＲ39の少なくとも一方が、Ｈである場合は、感
光剤としてのナフトキノンジアジド化合物と一緒に用い
ることで、ポジ型の感光性樹脂組成物として、一般式
（１）のＸの構造を表す一般式（２）〜（４）におい
て、 Ｒ3もしくはＲ4の少なくとも一方、Ｒ9もしくはＲ
10の少なくとも一方、Ｒ38もしくはＲ39の少なくとも一
方が、メタクリロイル基のような光架橋性基を有する基
である場合は、光開始剤を用いることでネガ型感光性樹
脂組成物として用いることが可能である。
ール樹脂の前駆体は、一般式（１）のＸの構造を表す一
般式（２）〜（４）において、 Ｒ3もしくはＲ4の少な
くとも一方、Ｒ9もしくはＲ10の少なくとも一方、Ｒ38
もしくはＲ39の少なくとも一方が、Ｈである場合は、感
光剤としてのナフトキノンジアジド化合物と一緒に用い
ることで、ポジ型の感光性樹脂組成物として、一般式
（１）のＸの構造を表す一般式（２）〜（４）におい
て、 Ｒ3もしくはＲ4の少なくとも一方、Ｒ9もしくはＲ
10の少なくとも一方、Ｒ38もしくはＲ39の少なくとも一
方が、メタクリロイル基のような光架橋性基を有する基
である場合は、光開始剤を用いることでネガ型感光性樹
脂組成物として用いることが可能である。
【００４０】本発明のプラスチック光導波路用材料は、
一般に製造されている基板上のシングルモード光導波路
と同様の構造に適用できる。例えば、スラブ型、リッジ
型、埋め込み型等がある。
一般に製造されている基板上のシングルモード光導波路
と同様の構造に適用できる。例えば、スラブ型、リッジ
型、埋め込み型等がある。
【００４１】前記光導波路構造の内、埋め込み型シング
ルモード光導波路の製造方法について、図１を参照しつ
つ説明する。まず、シリコン等の基板１の上に下部クラ
ッド用として、本発明の光導波路用材料のポリベンゾオ
キサゾールの前駆体溶液を、スピンコート等の方法によ
り塗布し、これを加熱等により硬化して閉環し樹脂とし
た下部クラッド層２を得る。次に、この上に下部クラッ
ド層として用いた前記ポリベンゾオキサゾールより、屈
折率が高い本発明の光導波路用材料のポリベンゾオキサ
ゾールの前駆体溶液を用いて、前記下部クラッド層２を
形成したときと同様の方法により、コア層３を形成す
る。次に、この上にコアパターンを形成するためのマス
ク層４を形成する（図１（ａ））。マスク層用材料とし
ては、Ａｌ、Ｔｉ等の金属、ＳｉＯ2、スピオングラス
（ＳＯＧ）、Ｓｉ含有レジスト、感光性ポリベンゾオキ
サゾール等を用いることができる。
ルモード光導波路の製造方法について、図１を参照しつ
つ説明する。まず、シリコン等の基板１の上に下部クラ
ッド用として、本発明の光導波路用材料のポリベンゾオ
キサゾールの前駆体溶液を、スピンコート等の方法によ
り塗布し、これを加熱等により硬化して閉環し樹脂とし
た下部クラッド層２を得る。次に、この上に下部クラッ
ド層として用いた前記ポリベンゾオキサゾールより、屈
折率が高い本発明の光導波路用材料のポリベンゾオキサ
ゾールの前駆体溶液を用いて、前記下部クラッド層２を
形成したときと同様の方法により、コア層３を形成す
る。次に、この上にコアパターンを形成するためのマス
ク層４を形成する（図１（ａ））。マスク層用材料とし
ては、Ａｌ、Ｔｉ等の金属、ＳｉＯ2、スピオングラス
（ＳＯＧ）、Ｓｉ含有レジスト、感光性ポリベンゾオキ
サゾール等を用いることができる。
【００４２】次いで、マスク層４の上に、レジストを塗
布して、プリベーク、露光、現像、アフターベークを行
い、パターニングされたレジスト層５を得る（図１
（ｂ））。次に、レジスト層５で保護されていないマス
ク層４をエッチングで除去（図１（ｃ））した後、レジ
スト層５をエッチング液で除去し、マスク層４でコア層
３のポリベンゾオキサゾールをドライエッチングにより
除去する（図１（ｄ））。マスク層４にＳｉ含有レジス
トや感光性ポリベンゾオキサゾールを用いた場合には、
フォトレジストを使用する必要はない。
布して、プリベーク、露光、現像、アフターベークを行
い、パターニングされたレジスト層５を得る（図１
（ｂ））。次に、レジスト層５で保護されていないマス
ク層４をエッチングで除去（図１（ｃ））した後、レジ
スト層５をエッチング液で除去し、マスク層４でコア層
３のポリベンゾオキサゾールをドライエッチングにより
除去する（図１（ｄ））。マスク層４にＳｉ含有レジス
トや感光性ポリベンゾオキサゾールを用いた場合には、
フォトレジストを使用する必要はない。
【００４３】次に、残ったマスク層４を、ドライエッチ
ングやはく離液を用いることにより除去する。（図１
（ｅ））。更に、この上に、前記下部クラッド材に用い
たのと同じ本発明の光導波路用材料であるポリベンゾオ
キサゾール前駆体を、スピンコート等で塗布して、上部
クラッド層６を形成し、これを加熱など硬化して閉環し
樹脂とした上部クラッド層６を得る（図１（ｆ））。こ
のようにして、光損失等の光導波路特性の良好なポリベ
ンゾオキサゾール樹脂からなるシングルモード光導波路
を作製できる。
ングやはく離液を用いることにより除去する。（図１
（ｅ））。更に、この上に、前記下部クラッド材に用い
たのと同じ本発明の光導波路用材料であるポリベンゾオ
キサゾール前駆体を、スピンコート等で塗布して、上部
クラッド層６を形成し、これを加熱など硬化して閉環し
樹脂とした上部クラッド層６を得る（図１（ｆ））。こ
のようにして、光損失等の光導波路特性の良好なポリベ
ンゾオキサゾール樹脂からなるシングルモード光導波路
を作製できる。
【００４４】本発明のプラスチック光導波路用材料であ
る含フッ素ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサ
ゾール共重合体及び混合物の前駆体溶液を閉環させた含
フッ素ポリベンゾオキサゾール樹脂からなるシングルモ
ード光導波路を作製することにより、その光導波路にお
ける光損失等の光導波特性の偏光波に対する相違を低減
できる。
る含フッ素ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサ
ゾール共重合体及び混合物の前駆体溶液を閉環させた含
フッ素ポリベンゾオキサゾール樹脂からなるシングルモ
ード光導波路を作製することにより、その光導波路にお
ける光損失等の光導波特性の偏光波に対する相違を低減
できる。
【００４５】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はこれらに限定されない。
するが、本発明はこれらに限定されない。
【００４６】合成例１ １，３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシジフルオロベ
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を乾燥したジメチル
アセトアミド２００部に溶解し、ピリジン３９．６部
（０．５ｍｏｌ）を添加後、乾燥窒素下、−１５℃でシ
クロヘキサン１００部に２，２’−ビス（トリフルオロ
メチル）−４，４’−ビフェニレンジカルボン酸クロリ
ド８３．０部（０．２ｍｏｌ）を溶解したものを３０分
掛けて滴下した。滴下終了後、室温まで戻し、室温で５
時間かく拌した。その後、反応溶液を蒸留水７Ｌに滴下
し、沈殿物を集め、乾燥することによりポリベンゾオキ
サゾール前駆体（Ａ）７５．８部を得た。前駆体の分子
量をゲル・パーミエイション・クロマトグラフィ（以下
ＧＰＣと略記）を用いて測定した所、１２,０００であ
った。屈折率は１．５１１であった。
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を乾燥したジメチル
アセトアミド２００部に溶解し、ピリジン３９．６部
（０．５ｍｏｌ）を添加後、乾燥窒素下、−１５℃でシ
クロヘキサン１００部に２，２’−ビス（トリフルオロ
メチル）−４，４’−ビフェニレンジカルボン酸クロリ
ド８３．０部（０．２ｍｏｌ）を溶解したものを３０分
掛けて滴下した。滴下終了後、室温まで戻し、室温で５
時間かく拌した。その後、反応溶液を蒸留水７Ｌに滴下
し、沈殿物を集め、乾燥することによりポリベンゾオキ
サゾール前駆体（Ａ）７５．８部を得た。前駆体の分子
量をゲル・パーミエイション・クロマトグラフィ（以下
ＧＰＣと略記）を用いて測定した所、１２,０００であ
った。屈折率は１．５１１であった。
【００４７】合成例２ １，３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシジフルオロベ
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を１−トリフルオロ
メチル−２，４−ジアミノ−３，５−ジヒドロキシフル
オロベンゼン４１．８部（０．２ｍｏｌ）に置き換えた
以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール
前駆体（Ｂ）７２．８部を得た。前駆体（Ｂ）の分子量
をＧＰＣを用いて測定した所、１３，０００であった。
屈折率は１．５２１であった。
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を１−トリフルオロ
メチル−２，４−ジアミノ−３，５−ジヒドロキシフル
オロベンゼン４１．８部（０．２ｍｏｌ）に置き換えた
以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール
前駆体（Ｂ）７２．８部を得た。前駆体（Ｂ）の分子量
をＧＰＣを用いて測定した所、１３，０００であった。
屈折率は１．５２１であった。
【００４８】合成例３ １，３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシジフルオロベ
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を１，３−ジアミノ
−４，６−ジエトキシジフルオロベンゼン４６．４部
（０．２ｍｏｌ）に、２，２’−ビス（トリフルオロメ
チル）−４，４’−ビフェニレンジカルボン酸クロリド
８３．０部（０．２ｍｏｌ）を１−トリフルオロメチル
ナフタレン−２，６−ジカルボン酸クロリド６４．２部
（０．２ｍｏｌ）に置き換えた以外は、合成例１と同様
にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｃ）７５．８
部を得た。前駆体（Ｃ）の分子量をＧＰＣを用いて測定
した所、１４，０００であった。屈折率は１．５１５で
あった。
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を１，３−ジアミノ
−４，６−ジエトキシジフルオロベンゼン４６．４部
（０．２ｍｏｌ）に、２，２’−ビス（トリフルオロメ
チル）−４，４’−ビフェニレンジカルボン酸クロリド
８３．０部（０．２ｍｏｌ）を１−トリフルオロメチル
ナフタレン−２，６−ジカルボン酸クロリド６４．２部
（０．２ｍｏｌ）に置き換えた以外は、合成例１と同様
にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｃ）７５．８
部を得た。前駆体（Ｃ）の分子量をＧＰＣを用いて測定
した所、１４，０００であった。屈折率は１．５１５で
あった。
【００４９】合成例４ １，３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシジフルオロベ
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を２，７−ジアミノ
−３，６−ジヒドロキシテトラフルオロナフタレン５
２．４部（０．２ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１
と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｄ）９
３．４部を得た。前駆体（Ｄ）の分子量をＧＰＣを用い
て測定した所、１３，０００であった。屈折率は１．５
２０であった。
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を２，７−ジアミノ
−３，６−ジヒドロキシテトラフルオロナフタレン５
２．４部（０．２ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１
と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｄ）９
３．４部を得た。前駆体（Ｄ）の分子量をＧＰＣを用い
て測定した所、１３，０００であった。屈折率は１．５
２０であった。
【００５０】合成例５ １，３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシジフルオロベ
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を１−トリフルオロ
メチル−３，６−ジアミノ−２，７−ジヒドロキシナフ
タレン５１．６部（０．２ｍｏｌ）に置き換えた以外は
合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体
（Ｅ）部を得た。前駆体（Ｅ）の分子量をＧＰＣを用い
て測定した所、１３，０００であった。屈折率は１．５
１８であった。
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を１−トリフルオロ
メチル−３，６−ジアミノ−２，７−ジヒドロキシナフ
タレン５１．６部（０．２ｍｏｌ）に置き換えた以外は
合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体
（Ｅ）部を得た。前駆体（Ｅ）の分子量をＧＰＣを用い
て測定した所、１３，０００であった。屈折率は１．５
１８であった。
【００５１】合成例６ １，３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシジフルオロベ
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を２，６−ジアミノ
−３，７−ジエトキシテトラフルオロナフタレン８５．
２部（０．２ｍｏｌ）に、２，２’−ビス（トリフルオ
ロメチル）−４，４’−ビフェニレンジカルボン酸クロ
リド８３．０部（０．２ｍｏｌ）を１−ペンタフルオロ
エチルナフタレン−３，７−ジカルボン酸７４．２部
（０．２ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様に
して、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｆ）７５．８部
を得た。前駆体（Ｆ）の分子量をＧＰＣを用いて測定し
た所、１３，０００であった。屈折率は１．５２４であ
った。
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を２，６−ジアミノ
−３，７−ジエトキシテトラフルオロナフタレン８５．
２部（０．２ｍｏｌ）に、２，２’−ビス（トリフルオ
ロメチル）−４，４’−ビフェニレンジカルボン酸クロ
リド８３．０部（０．２ｍｏｌ）を１−ペンタフルオロ
エチルナフタレン−３，７−ジカルボン酸７４．２部
（０．２ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様に
して、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｆ）７５．８部
を得た。前駆体（Ｆ）の分子量をＧＰＣを用いて測定し
た所、１３，０００であった。屈折率は１．５２４であ
った。
【００５２】合成例７ １，３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシジフルオロベ
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を４，４’−ジアミ
ノ−３，３’−ジヒドロキシ−５，５’−トリフルオロ
メチルビフェニル７０．８部（０．２ｍｏｌ）に置き換
えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾ
ール前駆体（Ｇ）７４．３部を得た。前駆体（Ｇ）の分
子量をＧＰＣを用いて測定した所、１４，０００であっ
た。屈折率は１．５９６であった。
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を４，４’−ジアミ
ノ−３，３’−ジヒドロキシ−５，５’−トリフルオロ
メチルビフェニル７０．８部（０．２ｍｏｌ）に置き換
えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾ
ール前駆体（Ｇ）７４．３部を得た。前駆体（Ｇ）の分
子量をＧＰＣを用いて測定した所、１４，０００であっ
た。屈折率は１．５９６であった。
【００５３】合成例８ １，３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシジフルオロベ
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を３，４’−ジアミ
ノ−４，３’−ジヒドロキシ−６，６’−トリフルオロ
メチルビフェニル７０．８部（０．２ｍｏｌ）に、２，
２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ビフェ
ニレンジカルボン酸クロリド８３．０部（０．２ｍｏ
ｌ）を１−ペンタフルオロエチルナフタレン−３，７−
ジカルボン酸７４．２部（０．２ｍｏｌ）に置き換えた
以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール
前駆体（Ｈ）７８．４部を得た。前駆体（Ｈ）の分子量
をＧＰＣを用いて測定した所、１２，０００であった。
屈折率は１．６００であった。
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を３，４’−ジアミ
ノ−４，３’−ジヒドロキシ−６，６’−トリフルオロ
メチルビフェニル７０．８部（０．２ｍｏｌ）に、２，
２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ビフェ
ニレンジカルボン酸クロリド８３．０部（０．２ｍｏ
ｌ）を１−ペンタフルオロエチルナフタレン−３，７−
ジカルボン酸７４．２部（０．２ｍｏｌ）に置き換えた
以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール
前駆体（Ｈ）７８．４部を得た。前駆体（Ｈ）の分子量
をＧＰＣを用いて測定した所、１２，０００であった。
屈折率は１．６００であった。
【００５４】合成例９ １，３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシジフルオロベ
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を２，２−ビス（３
−アミノ−４−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチルフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．４部（０．２ｍ
ｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリ
ベンゾオキサゾール前駆体（Ｉ）７７．４部を得た。前
駆体（Ｉ）の分子量をＧＰＣを用いて測定した所、１
４，０００であった。屈折率は１．５３５であった。
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を２，２−ビス（３
−アミノ−４−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチルフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．４部（０．２ｍ
ｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリ
ベンゾオキサゾール前駆体（Ｉ）７７．４部を得た。前
駆体（Ｉ）の分子量をＧＰＣを用いて測定した所、１
４，０００であった。屈折率は１．５３５であった。
【００５５】合成例１０ １，３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシジフルオロベ
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を２,２−ビス（３
−アミノ−４−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチルフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．４部（０．２ｍ
ｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリ
ベンゾオキサゾール前駆体（Ｊ）７８．５部を得た行っ
た。前駆体（Ｊ）の分子量をＧＰＣを用いて測定した
所、１４，０００であった。屈折率は１．５４５であっ
た。
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を２,２−ビス（３
−アミノ−４−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチルフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．４部（０．２ｍ
ｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリ
ベンゾオキサゾール前駆体（Ｊ）７８．５部を得た行っ
た。前駆体（Ｊ）の分子量をＧＰＣを用いて測定した
所、１４，０００であった。屈折率は１．５４５であっ
た。
【００５６】合成例１１ １，３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシジフルオロベ
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を１，３−ビス（４
−アミノ−３−ヒドロキシフェニノキシ）ヘキサフルオ
ロシクロブタン８２.０部（０．２ｍｏｌ）に置き換え
た以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾー
ル前駆体（Ｋ）８８．５部を得た行った。前駆体（Ｋ）
の分子量をＧＰＣを用いて測定した所、１３，０００で
あった。屈折率は１．５５８であった。
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を１，３−ビス（４
−アミノ−３−ヒドロキシフェニノキシ）ヘキサフルオ
ロシクロブタン８２.０部（０．２ｍｏｌ）に置き換え
た以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾー
ル前駆体（Ｋ）８８．５部を得た行った。前駆体（Ｋ）
の分子量をＧＰＣを用いて測定した所、１３，０００で
あった。屈折率は１．５５８であった。
【００５７】合成例１２ １，３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシジフルオロベ
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を２，６−ビス（４
−アミノ−３−ヒドロキシ−フェニノキシ）オクタフル
オロフルオレン９３．２部（０．２ｍｏｌ）に置き換え
た以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾー
ル前駆体（Ｌ）８８．５部を得た行った。前駆体（Ｌ）
の分子量をＧＰＣを用いて測定した所、１５，０００で
あった。屈折率は１．５７１であった。
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を２，６−ビス（４
−アミノ−３−ヒドロキシ−フェニノキシ）オクタフル
オロフルオレン９３．２部（０．２ｍｏｌ）に置き換え
た以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾー
ル前駆体（Ｌ）８８．５部を得た行った。前駆体（Ｌ）
の分子量をＧＰＣを用いて測定した所、１５，０００で
あった。屈折率は１．５７１であった。
【００５８】実施例１ 光導波路の製造；合成例１で合成したポリベンゾオキサ
ゾールの前駆体（Ａ）をスピンコート法により、シリコ
ン基板上に塗布して成膜した。形成した薄膜は、３２０
℃で１時間加熱することにより硬化し、下部クラッド層
とした。次いで、この上に合成例６で合成したポリベン
ゾオキサゾールの前駆体（Ｆ）を用いて、コア層をスピ
ンコート法により形成した。下部クラッド膜とコア膜の
間でインターミキシングはまったく認められなかった。
形成したコア層は３２０℃で１時間加熱することにより
硬化した。
ゾールの前駆体（Ａ）をスピンコート法により、シリコ
ン基板上に塗布して成膜した。形成した薄膜は、３２０
℃で１時間加熱することにより硬化し、下部クラッド層
とした。次いで、この上に合成例６で合成したポリベン
ゾオキサゾールの前駆体（Ｆ）を用いて、コア層をスピ
ンコート法により形成した。下部クラッド膜とコア膜の
間でインターミキシングはまったく認められなかった。
形成したコア層は３２０℃で１時間加熱することにより
硬化した。
【００５９】次に、このコア層上に膜厚０．３μｍのア
ルミニウム層を蒸着し、マスク層を形成した。次にこの
アルミニウム層上にポジ型フォトレジスト(ジアゾナフ
トキノン−ノボラック樹脂系、東京応化製、商品名ＯＦ
ＰＲ−８００)をスピンコート法により塗布した後約９
５℃でプリベークを行った。次にパターン形成用のフォ
トマスク(Ｔｉ)を超高圧水銀ランプを用いて紫外線を照
射した後ポジ型レジスト用現像液(ＴＭＡＨ：テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液、東京応化製、商
品名ＮＭＤ−３)を用いて現像した。その後、１３５℃
でポストベークを行った。これにより線幅８μｍを有す
る直線状のレジストパターンが得られた。次にアルミニ
ウムのウエットエッチングを行い、レジストパターンを
アルミニウム層に転写した。更にパターニングされたア
ルミニウムをマスクとしてコア層のポリベンゾオキサゾ
ールをドライエッチングにより加工した。次にポリベン
ゾオキサゾールの上層にあるアルミニウムをエッチング
液で除去した。更にこの上に下部クラッド層と同じポリ
ベンゾオキサゾールの前駆体（Ａ）をスピンコートによ
り塗布した。この塗膜を３２０℃で１時間熱処理して上
部クラッドを形成した。最後に光導波路の両端をダイシ
ングソーで切り落として光の入出射端面を形成した。こ
のようにしてアルミニウム基板上に埋め込み型シングル
モード光導波路が得られた。
ルミニウム層を蒸着し、マスク層を形成した。次にこの
アルミニウム層上にポジ型フォトレジスト(ジアゾナフ
トキノン−ノボラック樹脂系、東京応化製、商品名ＯＦ
ＰＲ−８００)をスピンコート法により塗布した後約９
５℃でプリベークを行った。次にパターン形成用のフォ
トマスク(Ｔｉ)を超高圧水銀ランプを用いて紫外線を照
射した後ポジ型レジスト用現像液(ＴＭＡＨ：テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液、東京応化製、商
品名ＮＭＤ−３)を用いて現像した。その後、１３５℃
でポストベークを行った。これにより線幅８μｍを有す
る直線状のレジストパターンが得られた。次にアルミニ
ウムのウエットエッチングを行い、レジストパターンを
アルミニウム層に転写した。更にパターニングされたア
ルミニウムをマスクとしてコア層のポリベンゾオキサゾ
ールをドライエッチングにより加工した。次にポリベン
ゾオキサゾールの上層にあるアルミニウムをエッチング
液で除去した。更にこの上に下部クラッド層と同じポリ
ベンゾオキサゾールの前駆体（Ａ）をスピンコートによ
り塗布した。この塗膜を３２０℃で１時間熱処理して上
部クラッドを形成した。最後に光導波路の両端をダイシ
ングソーで切り落として光の入出射端面を形成した。こ
のようにしてアルミニウム基板上に埋め込み型シングル
モード光導波路が得られた。
【００６０】上記で得られた埋め込み型シングルモード
光導波路の挿入損失を測定したところ、波長１．３μm
で０．３ｄＢ／ｃｍ以下１．５５μmで０．３ｄＢ／ｃ
ｍ以下であった。また、挿入損失の偏波依存性は波長
１．３μmでも波長１．５５μmでも０．５ｄＢ／ｃｍ以
下であった。さらに、この光導波路の損失は７５℃／９
０％ＲＨの条件以下においても１ヶ月以上変動しなかっ
た。
光導波路の挿入損失を測定したところ、波長１．３μm
で０．３ｄＢ／ｃｍ以下１．５５μmで０．３ｄＢ／ｃ
ｍ以下であった。また、挿入損失の偏波依存性は波長
１．３μmでも波長１．５５μmでも０．５ｄＢ／ｃｍ以
下であった。さらに、この光導波路の損失は７５℃／９
０％ＲＨの条件以下においても１ヶ月以上変動しなかっ
た。
【００６１】実施例２〜１２は表−１の組み合わせで実
施例１と同様にして行った。また、評価結果を表−１に
示す。
施例１と同様にして行った。また、評価結果を表−１に
示す。
【００６２】比較例１ ２、２‘−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジ
アミノビフェニル６．４部（２０．０ｍｍｏｌ）と２，
２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフル
オロプロパン二無水物、及びジメチルアセトアミド８
６．６部に溶解させ窒素雰囲気下、室温で３日間撹拌し
反応させ、ポリアミド酸（Ｍ）を得た。このポリアミド
酸の分子量をＧＰＣを用いて測定した所、１４,０００
であった。屈折率は１．５２３であった。
アミノビフェニル６．４部（２０．０ｍｍｏｌ）と２，
２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフル
オロプロパン二無水物、及びジメチルアセトアミド８
６．６部に溶解させ窒素雰囲気下、室温で３日間撹拌し
反応させ、ポリアミド酸（Ｍ）を得た。このポリアミド
酸の分子量をＧＰＣを用いて測定した所、１４,０００
であった。屈折率は１．５２３であった。
【００６３】上記で得られたポリアミド酸（Ｍ）をコア
層に、合成例１で得られたポリベンゾオキサゾールの前
駆体（Ａ）を上部及び下部クラッド層に用いて、これら
以外は、実施例１と同様にして、埋め込み型シングルモ
ード光導波路を作製し、評価した。結果を表−１に示
す。
層に、合成例１で得られたポリベンゾオキサゾールの前
駆体（Ａ）を上部及び下部クラッド層に用いて、これら
以外は、実施例１と同様にして、埋め込み型シングルモ
ード光導波路を作製し、評価した。結果を表−１に示
す。
【００６４】
【表１】
【００６５】
【発明の効果】本発明の光通信用のプラスチック光導波
路用材料は、電気特性、耐熱性、及び透明性に優れ、低
価格で、大面積化を実現することができ、特に、光通信
に利用される近赤外波長領域で透明度が高く、光損失の
小さい光導波路に有用である。
路用材料は、電気特性、耐熱性、及び透明性に優れ、低
価格で、大面積化を実現することができ、特に、光通信
に利用される近赤外波長領域で透明度が高く、光損失の
小さい光導波路に有用である。
【図１】本発明による埋め込み型光導波路の作成方法の
一例を示す工程図である。
一例を示す工程図である。
１ 基板 ２ 下部クラッド層 ３ コア層 ４ コアパターンを形成するためのマスク層 ５ レジスト層 ６ 上部クラッド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H047 PA02 PA15 QA05 4J043 PA02 PC015 PC016 PC115 PC116 PC145 PC146 QB08 RA05 RA52 SA06 SA54 SA71 TA12 TA47 UA011 UA021 UA022 UA031 UA032 UA041 UA042 UA121 UA122 UA131 UA132 UA231 UA261 UA262
Claims (3)
- 【請求項１】 一般式（１）で表される構造を有する含
フッ素ポリベンゾオキサゾール前駆体を閉環させた含フ
ッ素ポリベンゾオキサゾール樹脂からなることを特徴と
する光通信用のプラスチック光導波路用材料。 【化１】 （式中、ｎは１〜１０００までの整数を示し、Ｘ及びＹ
は、２価の有機基を示し、少なくとも一方にフッ素を含
む。） - 【請求項２】 一般式（１）中のＸが、一般式（２）〜
（４）から選ばれることを特徴とする請求項１記載の光
通信用のプラスチック光導波路用材料。 【化２】 【化３】 【化４】 式（２）〜（４）中、Ｒ1，Ｒ5，及びＲ32は、フッ素ま
たはフッ素を有する１価の有機基であり、Ｒ2，Ｒ6，Ｒ
7，Ｒ8， Ｒ33，Ｒ34，Ｒ35，Ｒ36及びＲ37は、水素、
フッ素またはフッ素を有する１価の有機基であり、互い
に同じであっても異なっても良く、Ｒ3，Ｒ4，Ｒ9，Ｒ
10， Ｒ38，Ｒ39は、水素または１価の有機基であり、
互いに同じであっても異なっても良い。Ｚは、単結合、
−Ｏ−，−ＳＯ2−又は式（５）、式（６）で表される
構造の２価の有機基を示し、前記２価の有機基は、フッ
素を含んでいても良い。また、式（２）〜（４）中の２
個のＯＲ基は、式（１）中のアミド基とＯＲ基が、それ
ぞれ芳香族基の隣り合った炭素に結合しているものを表
す。 【化５】 式（５）中、 Ｒ48，Ｒ49，Ｒ50，Ｒ51，Ｒ52及びＲ53
はフッ素またはフルオロアルキル基であり互いに同じで
あっても異なってもよい。 ｉは１〜８までの整数、ｊ
は０〜７までの整数で、かつｉ＋ｊ≦８をみたすものと
する。 【化６】 式（６）中、Ｒ54，Ｒ55，Ｒ56，Ｒ57，Ｒ58，Ｒ59，Ｒ
60及びＲ61は、水素、フッ素またはフッ素を有する１価
の有機基であり、互いに同じであっても異なっても良
い。 - 【請求項３】 一般式（１）中のＹが、一般式（７）〜
（９）から選ばれることを特徴とする請求項１記載の光
通信用のプラスチック光導波路用材料。 【化７】 【化８】 【化９】 式（７）〜（９）中、Ｒ19，Ｒ23，及びＲ40は、フッ素
またはフッ素を有する１価の有機基であり、Ｒ20，
Ｒ21，Ｒ22，Ｒ24，Ｒ25，Ｒ26，Ｒ27，Ｒ28， Ｒ4 1，
Ｒ42，Ｒ43，Ｒ44，Ｒ45，Ｒ46及びＲ47は、水素、フッ
素またはフッ素を有する１価の有機基であり、互いに同
じであっても異なっても良い。Ｚは、単結合、−Ｏ−，
−ＳＯ2−又は式（１０）、式（１１）で表される構造
の２価の有機基を示し、前記２価の有機基は、フッ素を
含んでいても良い。 【化１０】 式（１０）中、 Ｒ62，Ｒ63，Ｒ64，Ｒ65，Ｒ66及びＲ
67はフッ素またはフルオロアルキル基であり互いに同じ
であっても異なってもよい。 ｉは１〜８までの整数、
ｊは０〜７までの整数で、かつｉ＋ｊ≦８をみたすもの
とする。 【化１１】 式（１１）中、Ｒ68，Ｒ69，Ｒ70，Ｒ71，Ｒ72，Ｒ73，
Ｒ74，及びＲ75は、水素、フッ素またはフッ素を有する
１価の有機基であり、互いに同じであても異なっても良
い。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001097489A JP4556339B2 (ja) | 2000-09-29 | 2001-03-29 | プラスチック光導波路用材料 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000300726 | 2000-09-29 | ||
| JP2000-300726 | 2000-09-29 | ||
| JP2001097489A JP4556339B2 (ja) | 2000-09-29 | 2001-03-29 | プラスチック光導波路用材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002173532A true JP2002173532A (ja) | 2002-06-21 |
| JP4556339B2 JP4556339B2 (ja) | 2010-10-06 |
Family
ID=26601248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001097489A Expired - Fee Related JP4556339B2 (ja) | 2000-09-29 | 2001-03-29 | プラスチック光導波路用材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4556339B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003010223A1 (fr) * | 2001-07-27 | 2003-02-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Resine photosensible et son utilisation |
| JP2004294556A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリベンゾオキサゾール樹脂、その前駆体及びこれらを用いた光導波路材料並びに光導波路 |
| JP2005002330A (ja) * | 2003-05-19 | 2005-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光学樹脂材料、光学素子、光モジュール、フッ素化ポリマー前駆体及びフッ素化ポリマー |
| JP2005165063A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物および光導波路 |
| WO2008050886A1 (fr) * | 2006-10-24 | 2008-05-02 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Dérivé de bis(aminophénol), procédé de production de celui-ci, résine de polyamide, compositions de résine photosensible positive, film protecteur, diélectrique intercouches, dispositif semi-conducteur et élément d'affichage |
| WO2008059577A1 (fr) | 2006-11-16 | 2008-05-22 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Guide de lumière et structure de guide de lumière |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63121827A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-25 | ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション | 非線形光学デバイス |
| JPH04328504A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ポリイミド光導波路 |
| JPH0968620A (ja) * | 1995-09-04 | 1997-03-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路用組成物、光導波路、パッシブ光導波路、アクティブ光導波路及びその製造法 |
| JPH11181094A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 含フッ素ポリベンゾオキサゾールの製造方法及びその用途 |
| JP2000143804A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-05-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリベンゾオキサゾール前駆体及び樹脂 |
| JP2000169582A (ja) * | 1998-09-29 | 2000-06-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリベンゾオキサゾ―ル樹脂及びその前駆体 |
| JP2000186144A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリベンゾオキサゾール前駆体及びポリベンゾオキサゾール樹脂 |
| JP2000186146A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリベンゾオキサゾール前駆体及びポリベンゾオキサゾール樹脂 |
| JP2000186145A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリベンゾオキサゾール前駆体及びポリベンゾオキサゾール樹脂 |
-
2001
- 2001-03-29 JP JP2001097489A patent/JP4556339B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63121827A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-25 | ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション | 非線形光学デバイス |
| JPH04328504A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ポリイミド光導波路 |
| JPH0968620A (ja) * | 1995-09-04 | 1997-03-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路用組成物、光導波路、パッシブ光導波路、アクティブ光導波路及びその製造法 |
| JPH11181094A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 含フッ素ポリベンゾオキサゾールの製造方法及びその用途 |
| JP2000169582A (ja) * | 1998-09-29 | 2000-06-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリベンゾオキサゾ―ル樹脂及びその前駆体 |
| JP2000143804A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-05-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリベンゾオキサゾール前駆体及び樹脂 |
| JP2000186144A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリベンゾオキサゾール前駆体及びポリベンゾオキサゾール樹脂 |
| JP2000186146A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリベンゾオキサゾール前駆体及びポリベンゾオキサゾール樹脂 |
| JP2000186145A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリベンゾオキサゾール前駆体及びポリベンゾオキサゾール樹脂 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003010223A1 (fr) * | 2001-07-27 | 2003-02-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Resine photosensible et son utilisation |
| JP4595288B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2010-12-08 | 住友ベークライト株式会社 | ポリベンゾオキサゾール樹脂、その前駆体及びこれらを用いた光導波路材料並びに光導波路 |
| JP2004294556A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリベンゾオキサゾール樹脂、その前駆体及びこれらを用いた光導波路材料並びに光導波路 |
| JP2005002330A (ja) * | 2003-05-19 | 2005-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光学樹脂材料、光学素子、光モジュール、フッ素化ポリマー前駆体及びフッ素化ポリマー |
| JP2005165063A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物および光導波路 |
| JP4492113B2 (ja) * | 2003-12-03 | 2010-06-30 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物および光導波路 |
| EP2077291A1 (en) * | 2006-10-24 | 2009-07-08 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Bis(aminophenol) derivative, process for producing the same, polyamide resin, positive photosensitive resin compositions, protective film, interlayer dielectric, semiconductor device, and display element |
| EP2077291A4 (en) * | 2006-10-24 | 2010-07-14 | Sumitomo Bakelite Co | BIS (AMINOPHENOL) DERIVATE, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, POLYAMIDE RESIN, POSITIVELY WORKING LIGHT-SENSITIVE RESIN COMPOSITIONS, PROTECTIVE FILM, INTERMEDIATE-LAYERED TEMPORARILY, SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY ELEMENT |
| WO2008050886A1 (fr) * | 2006-10-24 | 2008-05-02 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Dérivé de bis(aminophénol), procédé de production de celui-ci, résine de polyamide, compositions de résine photosensible positive, film protecteur, diélectrique intercouches, dispositif semi-conducteur et élément d'affichage |
| CN101535377B (zh) * | 2006-10-24 | 2011-09-14 | 住友电木株式会社 | 双（氨基苯酚）衍生物及其制造方法以及聚酰胺树脂类、正型感光性树脂组合物、保护膜、层间绝缘膜、半导体装置和显示元件 |
| US8269358B2 (en) | 2006-10-24 | 2012-09-18 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Bis(aminophenol) derivative, process for producing same, polyamide resin, positive photosensitive resin composition, protective film, interlayer dielectric film, semiconductor device, and display element |
| JP2013256506A (ja) * | 2006-10-24 | 2013-12-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ビス（アミノフェノール）誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子 |
| JP5532200B2 (ja) * | 2006-10-24 | 2014-06-25 | 住友ベークライト株式会社 | ビス（アミノフェノール）誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子 |
| WO2008059577A1 (fr) | 2006-11-16 | 2008-05-22 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Guide de lumière et structure de guide de lumière |
| US8200058B2 (en) | 2006-11-16 | 2012-06-12 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Light guide and light guide structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4556339B2 (ja) | 2010-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4024579B2 (ja) | プラスチック光導波路用材料及び光導波路 | |
| JP2004059761A (ja) | ポリベンゾオキサゾール樹脂、その前駆体及びこれらを用いた光導波路材料並びに光導波路 | |
| JP4595288B2 (ja) | ポリベンゾオキサゾール樹脂、その前駆体及びこれらを用いた光導波路材料並びに光導波路 | |
| US6927012B2 (en) | Polyamic acid resin composition | |
| KR100840472B1 (ko) | 포지티브형 감광성 수지 전구체 조성물 및 그것을 이용한표시장치 | |
| JP4556339B2 (ja) | プラスチック光導波路用材料 | |
| JP3674878B2 (ja) | ポリイミド光導波路 | |
| JP2005208465A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JPH09251113A (ja) | 耐熱性高屈折率差高分子光導波路、及びその製造方法 | |
| JP4683377B2 (ja) | ポリマー光導波路デバイスの製造方法 | |
| JP4181921B2 (ja) | ポリマー光導波路 | |
| JP2002341169A (ja) | プラスチック光導波路の製造方法 | |
| JP2003286346A (ja) | プラスチック光導波路用材料及び光導波路 | |
| JP4137595B2 (ja) | 光導波路用材料ならびに光導波路 | |
| JP2004118123A (ja) | ポジ型感光性プラスチック光導波路用材料及び光導波路 | |
| JP4137653B2 (ja) | 光導波路用材料及び光導波路 | |
| JP2003185857A (ja) | プラスチック光導波路用材料及び光導波路 | |
| JP2005173039A (ja) | 光導波路の製法 | |
| JP4492113B2 (ja) | 樹脂組成物および光導波路 | |
| JP2003222744A (ja) | 光電気混載基板 | |
| JP2003292620A (ja) | 光導波路用材料及び光導波路 | |
| JP2003294967A (ja) | プラスチック光導波路の製造方法 | |
| JP4046614B2 (ja) | 光導波路の製法 | |
| JP2003248311A (ja) | 感光性ポリイミド樹脂前駆体組成物とそれより得られる光学用ポリイミドと光導波路 | |
| JP2004099806A (ja) | 樹脂組成物、光導波路用材料および光導波路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071107 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100621 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100629 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100712 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130730 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |