JP5411430B2 - 測距装置 - Google Patents
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Description
本発明の目的は、低コスト化や小型化を実現でき、且つ、近距離から遠距離までの測定を正確に行うことができる測距装置を提供することにある。
本実施形態の測距装置10には、図1に示す通り、コリメートレンズ11と、半導体レーザ12と、駆動回路13と、モニタ回路14と、集光レンズ15と、光検出器16と、増幅器17と、2値化回路18と、閾値設定回路19と、レベルサンプリング回路20と、エッジサンプリング回路21と、発振器22と、カウンタ回路23と、メモリ24と、MPU25とが設けられる。
半導体レーザ12は、不図示の測定対象物に向けてパルス光L1を出射する発光素子であり、MPU25による発光タイミングの制御に応じて、複数のパルス光L1を順に出射する。各々のパルス光L1が実際に出射されるタイミングは、モニタ回路14によりモニタされ、MPU25に出力される。MPU25では、実際の発光タイミングを時間計測の基準として様々なタイミング制御を行う。
また、本実施形態で用いた一般的な増幅器17は、測定対象物で反射したパルス光L2の強度が強いと飽和する可能性がある。飽和した場合には時系列信号のパルス幅が本来のパルス幅より広がってしまう場合がある。
ただし、メモリ24に実際に出力されるカウント値は、レベルサンプリング回路20によるカウント値とエッジサンプリング回路21によるカウント値との何れか一方である。本実施形態では、例えば図4に示す通り、レベルサンプリング回路20とエッジサンプリング回路21の後段にセレクタ26を設け、セレクタ26の切り替え制御をMPU25により行い、何れか一方のカウント値をメモリ24に出力させる。
一方、エッジサンプリング回路21では、図3(b)に示す通り、2値化信号の立ち上がりエッジで、サンプリングクロックとは非同期にラッチを行っている。そして、非同期ラッチの後、1つ目のサンプリングクロックの立ち上がりエッジでサンプルし、2つ目のサンプリングクロックの立ち上がりエッジで非同期ラッチをクリアしている(セットアップ/ホールドを確保するため)。1クロック間隔で2つの信号を合成すればマスクされない。
また、上記のエッジサンプリング回路21では、S/N比が低下して2値化信号の立ち上がりエッジが不明確になってしまう(ノイズに対して信号の立ち上がりエッジの位置が検出されにくくなる)と、パルス光L2の時間差を正確に計測できない。つまり、エッジサンプリング回路21から図4のセレクタ26に出力されるカウント値が不正確になる。例えば、図3(b)のパルス(3)が真のパルス光L2に起因し、その前のパルス(2)が偽のパルス光L2(例えば雨粒などで反射したノイズ成分)に起因する場合、そのノイズ成分の影響でパルス(3)の立ち上がりエッジが不明確になると、カウント値が不正確になる。
さらに、パルス光L1の出射から所定時間t1が経過するまでの間、エッジサンプリング回路21によるカウント値を選択するため、増幅器17が飽和しても正確なカウント値を得ることができ、さらに、所定時間t1以降は、レベルサンプリング回路20によるカウント値を選択するため、S/N比が低くても正確なカウント値を得ることができる。つまり、パルス光L1の出射からの経過時間に拘わらず、常に、正確なカウント値を得ることができる。したがって、近距離から遠距離までの正確な測定を確実に行える。
(変形例1)
なお、上記した実施形態では、エッジサンプリング回路21において2値化信号の立ち上がりエッジでサンプリングクロックとは非同期にラッチした(図3(b))が、本発明はこれに限定されない。増幅器の飽和の程度が小さいか無い場合には、2値化信号の立ち下がりエッジで非同期にラッチしてもよい。
さらに、上記した実施形態では、増幅器17が飽和するような場合にエッジサンプリング回路21を選択する例で説明したが、本発明はこれに限定されない。その他、測定対象物に依存して、戻り光に含まれるパルスL2の特性が変化する(例えばパルス幅が広くなる)ことがある。例えば、厚みのあるガラスで反射したパルス光L2や、平面でない乱反射するような表面からのパルス光L2は、そのパルス幅が広くなる。このような場合にも、エッジサンプリング回路21を選択することにより(例えば切り替えボタンの操作により手動で選択することが好ましい)、距離の測定を正確に行える。
(変形例2)
上記した実施形態では、S/N比が低下して2値化信号の立ち上がりエッジが不明確になると、エッジサンプリング回路21から図4のセレクタ26に出力されるカウント値が不正確になるとの説明を行ったが、この場合、予めオフセット量を設定して測距値を修正し、表示するようにしてもよい。
(変形例3)
上記した実施形態では、パルス光L1の出射から所定時間t1が経過するまでの間はエッジサンプリング回路21、所定時間t1以降はレベルサンプリング回路20によりカウント値をメモリ24に出力しているが、本発明はこれに限定されない。
この場合、増幅器の飽和を検出する手段を設けてもよい。例えば、予め検出信号の正常と思われる範囲のパルス幅を記憶しておき、それを超えた場合には、レベルサンプリングは不能と判断して、エッジサンプリングに切替えるようにすることが可能である。
(変形例4)
さらに、図10に示す通り、上記のMPU25の内部にコントローラ30を設け、このコントローラ30に対して、第1および第2の操作ボタン31,32からの操作信号を入力してもよい。これらの操作ボタン31,32を操作することで、次に説明する2種類の測定モードを切り換えることができる。第1の測定モードは「遠距離モード」であり、第2の測定モードは「近距離モード」である。
「近距離モード」とは、算出された複数の測距値のうち、測距装置から最も近い物体までの距離を、物体までの測距値と見なすモードである。または、測距値を算出するために受信された複数の反射信号のうち、測距装置から最も近い物体からの反射信号を物体までの信号と見なし、測距値を算出するモードである。
操作ボタン31,32の操作により測定モードが切り換えられるとき、操作ボタン31,32からの操作信号に応じて、コントローラ30内のモード判断部33が測定モード(遠距離モードまたは近距離モード)の判断を行う。そして、被測定物までの距離を判定するために、測定モードに応じた度数分布表(ヒストグラム)上の判定閾値が、コントローラ30内の閾値選択部37により選択される。
さらに、近距離モードが選択された場合、コントローラ30は、受信信号が第1計測手段であるエッジサンプリング回路21に送信されるように制御する。これにより、予め近距離側の受信信号を受信することが判っているので、受信器が飽和すること予め防止することができる。
Claims (6)
- 測定対象物に向けて第1パルス光を出射する出射手段と、
前記測定対象物で反射した前記第1パルス光を検出する光検出手段と、
前記光検出手段から出力される信号を所定の周期でサンプリングして、前記信号の強度が所定値より大きい期間に前記反射した第1パルス光が検出されたことを示す受信信号を生成し、前記第1パルス光の出射タイミングと前記受信信号とに基づいて前記第1パルス光の出射から検出までの時間差を計測する第1計測手段と、
前記光検出手段から出力される信号を所定の周期でサンプリングして、前記信号の強度が前記所定値未満から該所定値以上へ変化したタイミングで前記受信信号を生成し、前記第1パルス光の出射タイミングと前記受信信号とに基づいて前記第1パルス光の出射から検出までの時間差を計測する第2計測手段と、
前記反射した第1パルス光の強度またはS/N比と所定の閾値との比較に基づいて、前記第1計測手段と前記第2計測手段とのいずれか一方によって計測される時間差を選択し、前記測定対象物までの距離を算出する算出手段とを備えた
ことを特徴とする測距装置。 - 請求項1に記載の測距装置において、
前記出射手段は、複数の前記第1パルス光を順に出射し、
前記算出手段は、前記第1計測手段による時間差と前記第2計測手段による時間差との少なくとも一方に関わる度数分布を作成し、該度数分布のうち時間差が所定値以下の区間における度数に基づいて前記反射した第1パルス光の強度を判定して、前記第1計測手段による時間差または前記第2計測手段による時間差を選択し、前記測定対象物までの距離を算出する
ことを特徴とする測距装置。 - 請求項1または請求項2に記載の測距装置において、
前記第1計測手段は、前記信号を2値化し、該2値化によって生成される信号の強度を前記サンプリングクロックの立上がりエッジでラッチすることにより、前記受信信号を生成して前記時間差を計測し、
前記第2計測手段は、前記信号を2値化し、該2値化によって生成される信号の強度を前記サンプリングクロックとは非同期にラッチした後、該サンプリングクロックの1つ目の立上がりエッジでサンプルして、2つ目の立上がりエッジでクリアすることにより、前記受信信号を生成して前記時間差を計測する
ことを特徴とする測距装置。 - 請求項3に記載の測距装置において、
前記第1パルス光の出射前に該第1パルス光の背景レベルを推定する推定手段を備え、
前記背景レベルから前記2値化の閾値を設定する
ことを特徴とする測距装置。 - 測定対象物に向けて第1パルス光を出射する出射手段と、
前記測定対象物で反射した前記第1パルス光を検出する光検出手段と、
前記光検出手段から出力される信号を所定の周期でサンプリングして、前記光検出手段で検出された前記反射した第1パルス光の強度が所定値より大きい期間に前記反射した第1パルス光が検出されたことを示す受信信号を生成し、前記第1パルス光の出射タイミングと前記受信信号とに基づいて前記第1パルス光の出射から検出までの時間差を計測する第1計測手段と、
前記光検出手段から出力される信号を所定の周期でサンプリングして、前記光検出手段で検出された前記反射した第1パルス光の強度が前記所定値未満から該所定値以上へ変化したタイミングで前記受信信号を生成し、前記第1パルス光の出射タイミングと前記受信信号とに基づいて前記第1パルス光の出射から検出までの時間差を計測する第2計測手段と、
前記第1パルス光の出射からの経過時間が所定時間を経過するまでの間は前記第2計測手段による時間差を選択し、前記第1パルス光の出射からの経過時間が前記所定時間を経過した場合には第1計測手段による時間差を選択して、前記測定対象物までの距離を算出する算出手段とを備えた
ことを特徴とする測距装置。 - 請求項5に記載の測距装置において、
前記算出手段は、前記所定時間を前記反射した第1パルス光のS/N比に基づいて設定して、前記第1計測手段による時間差または前記第2計測手段による時間差を選択し、前記測定対象物までの距離を算出する
ことを特徴とする測距装置。
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