JP5346430B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は本発明による半導体装置の第1の実施の形態を示している。本実施の形態においては、炭化珪素を基板材料とした半導体装置を一例として説明する。
上記第1の実施の形態においては、最下層ヘテロ半導体領域3と最上層ヘテロ半導体領域4が共にP+型の場合で説明してきたが、本実施の形態は、最下層ヘテロ半導体領域3が最上層ヘテロ半導体領域4よりも不純物濃度が小さいP−型の場合であり、これについても、同じく図1を用いて説明する。
(3)さらに、図9の(c)に示すように、最下層ヘテロ半導体領域3上に、例えばLP−CVD法により二層目の多結晶シリコン(最上層ヘテロ半導体領域4)を堆積する。その後、例えばボロンを用いて、二層目の多結晶シリコン層(最上層ヘテロ半導体領域4)にイオン注入ドーピングを行い、所定の活性化熱処理を行う。すると、図16に示す、本発明の発明者による実験の結果によって明らかなように、二層目の多結晶シリコン層と一層目の多結晶シリコン層の接合部を境に不純物濃度が不連続になる(深さ1μm付近に位置する接合部を挟んで層中の不純物濃度が異なっている)。このように、P−型の最下層ヘテロ半導体領域3と最上層ヘテロ半導体領域4を、ドーピング工程の前に、一括して形成し、1回のドーピングによって、複数層への不純物導入を行うことができる。このことから、製造工程を簡略化し、低コストで製造することが可能となる。このようにして形成された、最下層ヘテロ半導体領域3と最上層ヘテロ半導体領域4との間の境界においては、図16に示されるように、不純物の濃度が不連続となっている。
上記第1の実施の形態においては、最下層ヘテロ半導体領域3と最上層ヘテロ半導体領域4が共にP+型である場合、上記第2の実施の形態においては、最下層ヘテロ半導体領域3が最上層ヘテロ半導体領域4よりも不純物濃度が小さいP−型ある場合について、それぞれ、説明してきたが、本実施の形態においては、最下層ヘテロ半導体領域3が、図7に示すように、P+型の第一の最下層ヘテロ半導体領域23とP−型の第二の最下層ヘテロ半導体領域24とで構成された場合について説明する。
上記第3の実施の形態においては、一層目の多結晶シリコン層に2つの不純物濃度で所定の間隔に導入することにより、第一の最下層ヘテロ半導体領域23並びに第二の最下層ヘテロ半導体領域24を形成した場合を説明してきたが、本実施の形態においては、図8に示すように、P−型の最下層ヘテロ半導体領域33とP+型の最上層ヘテロ半導体領域35が共に、エピタキシャル領域32に接する場合について説明する。
(1)まず、図11の(a)に示したように、N+型の基板領域31並びにN−型のエピタキシャル領域32からなるN型の炭化珪素半導体基体上に堆積させた一層目の多結晶シリコン層を、所定のフォトリソグラフィとエッチングにより形成したマスク材を用いて、例えば反応性イオンエッチング(ドライエッチング)により所定の形状に整形し、
(2)さらに、図11の(b)に示したように、二層目の多結晶シリコンを堆積した後、イオン注入法を用いてボロンドーピングを行い、所定の活性化熱処理を行う。すると、図16に示す、本発明の発明者が実験した結果によって明らかなように、二層目の多結晶シリコン層と一層目の多結晶シリコン層の接合部を境に不純物濃度が不連続になる。このように、P−型の最下層ヘテロ半導体領域33と最上層ヘテロ半導体領域35を同時に形成することができる。このことから、製造工程を簡略化し、低コストで製造することが可能となる。その後、裏面側に相当する基板領域31には、例えば、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)からなる第二の電極38を形成し、表面側に相当する最上層ヘテロ半導体領域35上には、チタン(Ti)、アルミニウム(Al)を順に堆積することで第一の電極37を形成し、図8に示した本発明の第4の実施の形態による半導体装置を完成させる。
図17は、本発明に係る半導体装置が、ゲート電極を有し、電界効果トランジスタとして機能する場合の、半導体装置の断面図を示したものである。図において、高濃度のN型の炭化珪素基板71上に炭化珪素基板71より不純物濃度が低いN型の炭化珪素エピタキシャル層72を形成してなる半導体基体100の第一主面側の所定領域には電界緩和領域73が形成されている。また、半導体基体100の第一主面側の所定領域には、ヘテロ接合を形成し且つ炭化珪素とバンドギャップの異なるN型の多結晶シリコン層80、81が積層されたヘテロ半導体領域74が形成されている。多結晶シリコン層80、81が、それぞれ、ヘテロ半導体領域74の最下層半導体層、最上層半導体層に該当している。ゲート電極76が、ヘテロ半導体領域74と半導体基体100との接合部にゲート絶縁膜75を介して接するように形成されている。ヘテロ半導体領域74に接続するように第一の電極であるソース電極77が形成され、半導体基体100にオーミック接続するように第二の電極であるドレイン電極78が形成されている。また、ソース電極77とゲート電極76は層間絶縁膜90によって電気的に絶縁されている。なお、図17には図示していないが、電界緩和領域73とソース電極77は紙面奥行き方向で接触している。
Claims (15)
- 第一導電型の半導体基体よりなるカソード領域と、前記半導体基体の一主面に接して前記半導体基体とはバンドギャップが異なったヘテロ半導体領域よりなるアノード領域と、前記ヘテロ半導体領域に接続するアノード電極と、前記半導体基体にオーミック接続するカソード電極とを有する2端子の半導体装置において、
前記ヘテロ半導体領域は、少なくとも1つの半導体層は多結晶構造を有する複数の半導体層が積層されてなる積層ヘテロ半導体領域からなり、
前記積層ヘテロ半導体領域の最上層の半導体層は前記アノード電極に接続し、前記積層ヘテロ半導体領域の最下層の半導体層は前記半導体基体に接し、
多結晶構造を有する前記半導体層の結晶粒界が他の前記半導体層の結晶粒界と連続していないことを特徴とする半導体装置。 - 前記積層ヘテロ半導体領域は、不純物の濃度が不連続となっている部分を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記積層ヘテロ半導体領域の最上層の半導体層は前記アノード電極とオーミック接続していることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記積層ヘテロ半導体領域の最上層の半導体層が第二導電型であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体基体が、前記積層ヘテロ半導体領域の最下層の半導体層以外の前記半導体層とも接していることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体基体がSiC、GaN、ダイヤモンドのいずれかからなることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記積層ヘテロ半導体領域を形成する前記半導体層の材料が、シリコン、GaAs、Ge、SiGeのいずれかからなることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の半導体装置。
- 請求項1ないし7のいずれかに記載の半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法において、前記半導体装置の積層ヘテロ半導体領域を形成する工程が、多結晶構造を有する前記半導体層を積層する工程と、他の前記半導体層を積層する工程とが異なる工程よりなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基体上に最下層の多結晶半導体層を形成する工程と、前記最下層の多結晶半導体層の上、もしくは、前記最下層の多結晶半導体層の上に積層された単層または複層の中間層多結晶半導体層の上に最上層の多結晶半導体層を形成する、最上層多結晶半導体層形成工程と、前記最上層の多結晶半導体層に所定の濃度の不純物を導入する過程で、前記最下層の多結晶半導体層にも、前記所定の濃度とは異なる濃度の不純物を導入する工程とを有することを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記最上層多結晶半導体層形成工程を実行する前に、前記最下層の多結晶半導体層を所定のマスクパターンを用いて選択的にエッチングした後、前記最上層多結晶半導体層形成工程を実行して、前記半導体基体に直接、もしくは、前記単層または複層の中間層多結晶半導体層を介して接するように前記最上層の多結晶半導体層を形成することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記多結晶構造を有する半導体層に接するアモルファス半導体層を形成する工程と、該アモルファス半導体層を固相結晶成長によって結晶化させる工程とを有することを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置の半導体基体と前記多結晶構造を有する半導体層とに挟まれるアモルファス半導体層を形成する工程と、該アモルファス半導体層を固相結晶成長によって結晶化させる工程とを有することを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 二つの前記多結晶構造を有する半導体層に挟まれるアモルファス半導体層を形成する工程と、該アモルファス半導体層を固相結晶成長によって結晶化させる工程とを有することを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記アモルファス半導体層を形成する工程と、前記多結晶構造を有する半導体層を形成する工程とが、形成温度を連続的に変化させることによって連続して行われることを特徴とする請求項11ないし13のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 第一導電型の半導体基体よりなるカソード領域と、前記半導体基体の一主面に接して前記半導体基体とはバンドギャップが異なったヘテロ半導体領域よりなるアノード領域と、前記ヘテロ半導体領域に接続するアノード電極と、前記半導体基体にオーミック接続するカソード電極とを有する2端子の半導体装置において、
前記ヘテロ半導体領域は、少なくとも1つの半導体層は多結晶構造を有する複数の半導体層が積層されてなる積層ヘテロ半導体領域からなり、
前記積層ヘテロ半導体領域の最上層の半導体層は前記アノード電極に接続し、前記積層ヘテロ半導体領域の最下層の半導体層は前記半導体基体に接し、
多結晶構造を有する前記半導体層の結晶粒界が他の前記半導体層の内部に生じる結晶欠陥と連続していないことを特徴とする半導体装置。
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