JP5344056B2 - スイッチング素子の駆動回路 - Google Patents
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Description
以下、本発明にかかるスイッチング素子の駆動回路を車載主機に接続される電力変換回路に適用した第1の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
<第2の実施形態>
以下、第2の実施形態について、先の第1の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
<第3の実施形態>
以下、第3の実施形態について、先の第1の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
<その他の実施形態>
なお、上記各実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
上記実施形態において例示したものに限らず、たとえば定電流制御の開始を検出することと、ゲート電圧Vgeが規定電圧V2以下であることとの論理積が真となることを所定期間の始点としてもよい。
たとえば、スイッチング素子S*#のオン状態への切り替え時点から、これに伴ってスイッチング素子S*#に過電流が流れる状況下、フェール信号FLが出力されるまでに要する時間の方が閾値時間Tthよりも短いなら、禁止手段を備えなくても、スイッチング素子S*#に過電流が流れることを好適に回避することができる。
たとえばフェール信号FLによってインバータINVやコンバータCNVをシャットダウンする機能を有しない場合、退避走行が継続される間、ソフト遮断用スイッチング素子46をオン状態に固定してもよい。もっとも、この場合、ソフト遮断用スイッチング素子46を常時オン状態とすることに代えて、スイッチング素子S*#のゲートおよびエミッタ間を放電用スイッチング素子32およびゲート抵抗体30によって構成される放電経路の抵抗値よりも小さい抵抗値によって常時接続する(ゲートおよびエミッタ間を短絡させる)ことがより望ましい。これは、ドライブIC20の外部に、スイッチング素子S*#のゲートおよびエミッタ間を接続するスイッチング素子を設けることで実現することができる。
ツェナーダイオード40およびクランプ用スイッチング素子42を備えるクランプ回路に限らず、たとえばツェナーダイオードに代えて、ダイオードを複数直列接続したものを用いて、クランプ電圧Vcを生成してもよい。
上記第1の実施形態では、閾値時間Tthを、スイッチング素子S*#のオン状態への切り替えに伴ってスイッチング素子S*#に過度に大きい電流が流れる異常時において、端子T7に印加される電圧Vsdに基づきフェール信号FLが出力されるのに要する時間以上に設定したが、これに限らない。ただし、ソフト遮断用スイッチング素子46をオン操作する条件となる過電流の継続時間よりも、閾値時間Tthを長くすることが望ましい。図9に、先の図7および図8の実施例の場合について、これを例示する。ここでは、遮断用閾値時間TthFよりも閾値時間Tthの方が長いことを示している。なお、クランプ電圧Vcは、これによってスイッチング素子S*#に流すことのできる最大電流Imaxとそのときのコレクタおよびエミッタ電圧Vceと遮断用閾値時間TthFとの積が許容最大発熱量Qth以下となるように設定する。
図7において、図2に示したように、定電流用スイッチング素子26およびスイッチング素子S*#間(端子T3)の電位に基づき、ゲート電圧Vgeをモニタしてもよい。ただし、図7に示したように、ゲート電圧Vgeをモニタするための端子T10を別途設けることには、ドライブIC20の汎用性を高めるメリットがある。すなわち、単一のドライブユニットDUによって駆動するスイッチング素子S*#の数を増やす場合等にあっては、ドライブIC20に内蔵した定電流用スイッチング素子26では定格電流や耐熱性能等が不足する事態が生じうる。これに対し、図10に示すように、外付けの定電流用スイッチング素子27を備え、内蔵の定電流用スイッチング素子26を、定電流用スイッチング素子27を駆動するためのものとすることで、ドライブIC20の汎用性を高めることが可能となる。ただし、この場合、端子T3はスイッチング素子S*#のエミッタに短絡されるため、この端子T3をゲート電圧Vgeのモニタ用に用いることはできない。このため、ドライブIC20の汎用性を高めるうえでは、端子T10を備えることが望ましい。
駆動対象スイッチング素子としては、IGBTに限らず、たとえばパワーMOS電界効果トランジスタ等であってもよい。この際、Nチャネルにも限らず、Pチャネルであってもよい。ただしこの場合、電流の流通経路の一対の端部のうちのいずれか一方の電位(ソース電位)に対して開閉制御端子の電位(ゲート電位)を低下させることでオン状態となるため、ゲートに「負」の電荷を充電することで駆動対象スイッチング素子がオン状態となる。
駆動対象スイッチング素子によって構成される電力変換回路としては、回転機の端子を直流電源の正極および負極のそれぞれに選択的に接続する高電位側のスイッチング素子および低電位側のスイッチング素子を備える直流交流変換回路(インバータINV)や、高電位側のスイッチング素子および低電位側のスイッチング素子を備えるコンバータCNVに限らない。たとえば、高電圧バッテリ12の電圧を降圧して低電圧バッテリ16に印加する降圧コンバータであってもよい。この場合であっても、高電位側のスイッチング素子および低電位側のスイッチング素子の直列接続体を備えることで、スイッチング素子S*#のオン状態への切り替えに際して急激に過度に大きい電流が流れる事態が生じやすいため、過電流保護機能の利用価値が特に大きくなる。
・先の図2において、クランプ電圧を高精度に制御する上では、ツェナーダイオード40のカソードを、ゲート抵抗体30を介すことなくスイッチング素子S*#のゲートに短絡接続することが望ましい。
Claims (13)
- 電圧制御形のスイッチング素子を駆動対象スイッチング素子(S*#:*=u,v,w,c,#=p,n)とし、該駆動対象スイッチング素子の開閉制御端子に接続された直流電圧源(22)を電力供給源として、該開閉制御端子に該駆動対象スイッチング素子をオン状態とするための電荷を定電流制御によって充電する定電流制御手段(24,26,34)を備えるスイッチング素子の駆動回路において、
前記駆動対象スイッチング素子をオン状態に切り替えるべく前記定電流制御手段により前記開閉制御端子に前記電荷を充電する充電処理期間のうち、前記定電流制御の開始以降であって前記開閉制御端子の電圧が前記直流電圧源の端子電圧に収束する前の所定期間(Tth)にわたって、前記駆動対象スイッチング素子の開閉制御端子と該駆動対象スイッチング素子のエミッタ又はソースとの間の電圧を前記直流電圧源の端子電圧よりも低い基準電圧に制限する制限手段(40,42,34,60,62,64,66)と、
前記駆動対象スイッチング素子を流れる電流を検出する電流検出手段(48,50)と、
前記電流検出手段によって検出された電流が閾値電流以上である場合、前記所定期間の経過後であっても前記制限の解除を禁止する禁止手段と、
を備えることを特徴とするスイッチング素子の駆動回路。 - 前記制限手段による制限は、前記駆動対象スイッチング素子のオン状態への切り替え指令の入力タイミング以降であって且つ該オン状態への切り替え指令に伴って変化する物理量の少なくとも2つが前記切り替え指令に伴って変化したとの条件に基づき、開始されることを特徴とする請求項1記載のスイッチング素子の駆動回路。
- 前記物理量には、前記駆動対象スイッチング素子の開閉制御端子と前記エミッタ又は前記ソースとの間の電圧の検出値が含まれ、
前記条件は、前記駆動対象スイッチング素子の開閉制御端子と前記エミッタ又は前記ソースとの間の電圧の検出値がゼロよりも大きい規定値以上となる旨の条件を含むことを特徴とする請求項2記載のスイッチング素子の駆動回路。 - 前記定電流制御手段は、前記開閉制御端子および前記直流電圧源間に接続される定電流用抵抗体(24)および定電流用スイッチング素子(26)の直列接続体と、前記定電流用抵抗体の電圧降下量を目標値に制御すべく前記定電流用スイッチング素子の開閉制御端子を操作する操作手段(34)とを備え、
前記物理量には、前記定電流用スイッチング素子の開閉制御端子の電圧、前記定電流用抵抗体の両端の電圧降下量、定電流用スイッチング素子の入力端子および出力端子のいずれか一方の電位の少なくとも1つが含まれることを特徴とする請求項2記載のスイッチング素子の駆動回路。 - 前記物理量には、前記駆動対象スイッチング素子の開閉制御端子と前記エミッタ又は前記ソースとの間の電圧の検出値が含まれ、
前記条件は、前記駆動対象スイッチング素子の開閉制御端子と前記エミッタ又は前記ソースとの間の電圧の検出値が規定値以下である旨の条件を含むことを特徴とする請求項2記載のスイッチング素子の駆動回路。 - 前記物理量には、前記駆動対象スイッチング素子の操作信号が含まれ、
前記条件は、前記操作信号がオン状態への指令となった旨の条件を含むことを特徴とする請求項3〜5のいずれか1項に記載のスイッチング素子の駆動回路。 - 前記制限手段による制限は、前記駆動対象スイッチング素子の開閉制御端子と前記エミッタ又は前記ソースとの間の電圧の検出値がゼロよりも大きい規定値以上となることに基づき開始されることを特徴とする請求項1記載のスイッチング素子の駆動回路。
- 前記電流検出手段によって検出された電流が前記閾値電流以上である場合、前記駆動対象スイッチング素子を強制的にオフ操作するフェールセーフ手段をさらに備えることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のスイッチング素子の駆動回路。
- 前記フェールセーフ手段は、前記検出された電流が前記閾値電流以上である状態が規定時間(TthF)継続することで前記駆動対象スイッチング素子を強制的にオフ操作するものであり、
前記所定期間を前記規定時間よりも長い時間に設定することを特徴とする請求項8記載のスイッチング素子の駆動回路。 - 前記基準電圧は、前記駆動対象スイッチング素子の正常駆動時において前記駆動対象スイッチング素子に流れる最大電流を飽和電流とする前記エミッタ又は前記ソースと前記開閉制御端子との間の電圧よりも大きいことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載のスイッチング素子の駆動回路。
- 前記電流検出手段によって検出された電流が前記閾値電流以上である状態が規定時間継続する場合、前記駆動対象スイッチング素子を強制的にオフ操作するフェールセーフ手段をさらに備え、
前記基準電圧は、前記エミッタ又は前記ソースと前記開閉制御端子との間の電圧が前記基準電圧とされる際に前記駆動対象スイッチング素子に流すことのできる最大電流を前記規定時間に渡って流すことで生じる発熱量が許容最大発熱量以下となるように設定されていることを特徴とする請求項10記載のスイッチング素子の駆動回路。 - 前記制限手段は、前記駆動対象スイッチング素子の開閉制御端子と前記エミッタ又は前記ソースとの間に設けられたクランプ用スイッチング素子(60)と、前記エミッタ又は前記ソースと前記開閉制御端子との間の電圧を前記基準電圧とすべく前記クランプ用スイッチング素子の開閉制御端子の印加電圧を操作する操作手段(62)とを備えることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載のスイッチング素子の駆動回路。
- 前記制限手段は、前記駆動対象スイッチング素子の開閉制御端子と前記エミッタ又は前記ソースとの間に設けられたツェナーダイオード(40)およびクランプ用スイッチング素子(42)の直列接続体を備えることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載のスイッチング素子の駆動回路。
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