JP5250911B2 - 高集積密度画像センサの製造プロセス - Google Patents
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Description
−半導体材料で作られた第1の基板の前面から画像センサを形成するステップであって、センサは、関連する集積回路の対応する第2の導電エリアとの接触の確立を意図した第1の導電エリアを備える、ステップと;
−第2の導電エリアを有する関連する集積回路を第2の基板の前面上に形成するステップであって、第2の基板の第2の導電エリアは、2つの基板がそれらの最終位置において重なっているときに第1または第2の基板の他の導電層により覆われていない、ステップと;
−2つの基板を前面同士で互いに接合するステップと;
−第1の基板を厚さ約2〜30ミクロンに薄型化するステップと;
−第1の導電エリアの上方および第2の導電エリアの上方において、第1の薄型基板の半導体材料を、その全厚さの分だけ局所的にエッチングするステップと;
−第1のエリアおよび第2のエリアを、それらを覆う絶縁層を除去することにより局所的に剥き出しにするステップと;
−剥き出しにされた第1および第2のエリアに接触する導電層を堆積させるステップと;
−導電層をエッチングすることにより、画像センサの第1のエリアと関連する集積回路の第2のエリアとの間に個々の電気的接続を定義するステップと;
を含む、方法を提供する。
Claims (14)
- 薄型基板上の画像センサと、関連する集積回路とを備える電子部品を製造するための方法であって:
−半導体材料で作られた第1の基板(10,12)の前面から前記画像センサを形成するステップであって、前記センサは、前記関連する集積回路の対応する第2の導電エリア(P2)との接触の確立を意図した第1の導電エリア(P1)を備える、ステップと;
−前記第2の導電エリアを有する前記関連する集積回路を第2の基板(30)の前面上に形成するステップであって、前記第2の基板の前記第2の導電エリア(P2)は、前記2つの基板がそれらの最終位置において重なっているときに前記第1または前記第2の基板の他の導電層により覆われていない、ステップと;
−その後、前記2つの基板を前面同士で互いに接合するステップと;
−その後、前記第1の基板を厚さ約2〜30ミクロンに薄型化するステップと;
−その後、前記第1の導電エリアの上方および前記第2の導電エリアの上方において、前記第1の薄型基板の半導体材料を、その全厚さの分だけ局所的にエッチングするステップと;
−その後、前記第1のエリアおよび前記第2のエリアを、それらを覆う絶縁層を除去することにより局所的に剥き出しにするステップと;
−その後、前記剥き出しにされた第1(P1)および第2(P2)のエリアに接触する導電層(50)を堆積させるステップと;
−その後、前記導電層をエッチングすることにより、前記画像センサの第1のエリアと前記関連する集積回路の第2のエリアとの間に個々の電気的接続を定義するステップと;
を含む、方法。 - 前記2つの基板の各々の前面を平坦化後、前記2つの基板が、直接ウェーハ接合(分子付着)により互いに接合されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の導電エリア(P1)が、前記部品の外部接続パッド(PL1、図13)をも形成する導電層(16)に属することを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 互いに接続された少なくとも1つの第1および1つの第2のエリアが、前記部品の外部接続パッドにも接続されることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 前記接続パッド(PL1、図8および図12)が、その表面のほとんどにわたり、前記第1の導電エリア(P1)に接触していることを特徴とする、請求項4に記載の方法。
- 前記外部接続パッド(PL1、図9および図11)が、前記第1の導電エリアに対して横方向にオフセットされていることを特徴とする、請求項4に記載の方法。
- 前記第1の導電エリアの上方および前記第2の導電エリアの上方において、前記第1の薄型基板を局所的にエッチングするステップに続き、パッシベーション層を堆積させるステップが行われ、かつ前記第1および第2のエリアを局所的に露出させるステップが、前記第1および第2のエリアの反対側において前記パッシベーション層に開口を設けるステップを含むことを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 第1の導電エリアの上方および前記第1の導電エリアに電気的に接続されることを意図した第2の導電エリアの上方において局所的に前記第1の薄型基板をエッチングするステップが、互いに横方向に隔てられた2つの異なる開口を形成するステップ(図10)を含むことを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1の導電エリア(P1)が、前記部品の外部接続パッド(PL1、図13)をも形成する導電層(16)に属することを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 互いに接続された少なくとも1つの第1および1つの第2のエリアが、前記部品の外部接続パッドにも接続されることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記接続パッド(PL1、図8)が、その表面のほとんどにわたり、前記第1の導電エリア(P1)に接触していることを特徴とする、請求項10に記載の方法。
- 前記外部接続パッド(PL1、図9)が、前記第1の導電エリアに対して横方向にオフセットされていることを特徴とする、請求項10に記載の方法。
- 前記接続パッド(PL1)が、前記第1の基板の半導体物質の全厚さにわたりアイランドの全周囲に切り込まれたトレンチにより前記第1の基板の半導体物質の残りから完全に隔離された第1の基板の半導体物質中に形成される半導体アイランド上に形成されていることを特徴とする、請求項10に記載の方法。
- 前記センサが、背面を介して照光されることを意図した薄層シリコン上の画像センサであることを特徴とする、請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
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