JP5233483B2 - ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法に関するものである。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置においては、基板ステージ等のステージを駆動する際のガイドして、例えば定盤の表面に対してエアを噴出することと並行して負圧吸引を行うことにより、定盤の表面との間に微小量の隙間を形成してステージを非接触とする、いわゆる真空予圧型のエアベアリング（気体軸受）が用いられている。
また、近年では、パターンの微細化を図って、例えば下記特許文献１に開示されているような、露光光として極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）光を用いるＥＵＶ露光装置が案出されている。
特開２００５−３２５１０号公報

しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
ＥＵＶ露光装置は、真空環境下で露光処理を行うため、ステージの駆動ガイドとしてエアベアリングを用いると、エアが各種機器に悪影響を及ぼす可能性がある。
そこで、エアベアリングの周囲のエアを吸引しながら駆動ガイドとして用いることも考えられるが、パターンの線幅の微細化に伴い高精度の露光処理が要求されている現状を考慮すると、吸引しきれないエアが及ぼす悪影響を無視することはできない。
また、エアを用いずに他の駆動源（例えば電磁力）を用いることも考えられるが、重量が大きいステージに対して駆動時のガイド精度を確保することは困難である。

本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、重量が大きな移動体に対しても各種機器に悪影響を与えることなく駆動時のガイド精度を確保できるステージ装置及び露光装置並びにこの露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図１ないし図８に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明のステージ装置は、移動体（２）を支持して第１方向（Ｙ）に移動する可動子（７５Ａ）と、可動子を第１方向に沿って駆動する固定子（７４Ａ）とを有するステージ装置（ＳＴ）であって、磁力により可動子に対して第１方向と交差する第２方向（Ｚ）に作用する力を発生させて、可動子と固定子とを非接触状態とする第１駆動装置（７８）と、可動子と固定子との相対位置に応じて、可動子に対して第２方向に作用する電磁力を発生させ、可動子の第１方向への移動に伴う第１駆動装置の駆動に関する較正に用いられる第２駆動装置（７９）とを有するものである。
従って、本発明のステージ装置では、第１駆動装置において磁力により可動子に第２方向の力を作用させることにより、エアによる悪影響を排除しつつ移動体を移動させることができる。また、本発明では、可動子の第１方向への移動時に、第１駆動装置により可動子に第２方向の力を作用させる際の誤差を第２駆動装置による電磁力で較正することにより、移動体の駆動時に第２方向のガイド精度を確保することができる。

また、本発明の露光装置は、先に記載のステージ装置（ＳＴ）を備えるものである。
従って、本発明の露光装置では、例えばマスクステージや基板ステージ等の移動体の第１方向の移動時に、エアによる悪影響を排除しつつ、第２方向の移動時のガイド精度を確保することができる。

また、本発明のデバイス製造方法は、先に記載の露光装置（ＥＸ）を用いるものである。
従って、本発明のデバイス製造方法では、移動体の移動時のガイド精度を確保しつつ、エアによる悪影響を排除できるため、高品質のデバイスを製造することが可能になる。
なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。

本発明では、重量が大きな移動体に対しても各種機器に悪影響を与えることなく駆動時のガイド精度を確保できる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。
ここでは、ステージ装置として、露光装置においてウエハ等の基板を保持して移動する基板ステージに適用する例を用いて説明する。

そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

図１は、露光装置ＥＸを示す概略構成図である。本実施形態においては、露光装置ＥＸが、極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）光で基板Ｐを露光するＥＵＶ露光装置である場合を例にして説明する。極端紫外光は、例えば波長５〜５０ｎｍ程度の軟Ｘ線領域の電磁波である。以下の説明において、極端紫外光を適宜、ＥＵＶ光、と称する。一例として、本実施形態では、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を露光光ＥＬとして用いる。

まず、本実施形態に係る露光装置ＥＸの概略について説明する。
図１において、露光装置ＥＸは、パターンが形成されたマスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ２を含むステージ装置ＳＴと、露光光ＥＬを発生する光源装置３と、光源装置３からの露光光ＥＬでマスクＭを照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置４とを備えている。基板Ｐは、半導体ウエハ等の基材の表面に感光材（レジスト）等の膜が形成されたものを含む。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。

本実施形態において、マスクＭは、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を有する反射型マスクである。露光装置ＥＸは、多層膜でパターンが形成されたマスクＭの表面（反射面）を照明光ＥＬ（ＥＵＶ光）で照明し、そのマスクＭで反射した露光光ＥＬで感光性を有する基板Ｐを露光する。

本実施形態の露光装置ＥＸは、露光光ＥＬが進行する第１空間５を覆って所定状態の環境に設定可能なチャンバ装置（収容体）６を備えている。チャンバ装置６は、露光光ＥＬが進行する第１空間５を形成する第１空間形成部材７と、第１空間５の環境を調整する第１調整装置８とを備える。
本実施形態において、第１調整装置８は、真空システムを含み、第１空間５を真空状態に調整する。制御装置４は、第１調整装置８を用いて、露光光ＥＬが進行する第１空間５をほぼ真空状態に調整する。一例として、本実施形態においては、第１空間５の圧力は、１×１０^−７〔Ｐａ〕程度の減圧雰囲気に調整される。

光源装置３から射出された照明光は、第１空間５を進行する。本実施形態においては、第１空間５に、照明光学系ＩＬの少なくとも一部、及び投影光学系ＰＬが配置される。光源装置３から射出された照明光は、第１空間５に配置されている照明光学系ＩＬを通ってマスクＭを照明する。そして、マスクＭのパターンの像の情報を含む露光光ＥＬとなって投影光学系ＰＬを通る。また、本実施形態においては、第１空間５に基板ステージ２が配置される。
なお、本実施の形態での説明では、光源装置３からマスクＭを照明するまでのＥＵＶ光を照明光、マスクＭで反射して基板Ｐに投影されるまでのＥＵＶ光を露光光ＥＬとして説明するが、説明の都合上名称を使い分けたものであり、両者を露光光ＥＬとして扱ってもよい。

第１空間形成部材７は、第１開口９と、第１開口９の周囲に設けられた第１面１１とを有する。第１開口９は、第１空間５を進行した照明光が入射可能な位置に形成されている。また、本実施形態においては、第１開口９は、照明光学系ＩＬから射出された照明光が入射可能な位置に形成されている。

マスクステージ１は、マスクＭを保持しつつ、このマスク１を移動させるように構成されており、第１開口９を覆うように配置される。マスクステージ１は、第１空間形成部材７（ガイド部材１８）に設けられた第１面１１と対向する第２面１２を有し、この第２面１２は第１面１１にガイドされつつ第１開口９との間で相対運動が可能である。本実施形態において、第１空間形成部材７の第１面１１とマスクステージ１の第２面１２との間にガスシール機構１０が形成される。このとき、第１面１１と第２面１２との間に所定のギャップＧ１が形成される。ギャップＧ１は、所定量（例えば０．１〜１μｍ程度）に調整されており、ギャップＧ１を介して第１空間５の内側にガスが流入することが抑制されている。本実施形態においては、第１開口９がマスクステージ１によって覆われ、前述のように、第１面１１と第２面１２との間にガスシール機構１０が形成されることによって、第１空間５は、ほぼ密閉された状態となる。これにより、チャンバ装置６は、第１空間５を所定状態（真空状態）に制御することができる。

マスクステージ１は、第１開口９を介して、マスクＭが第１空間５に配置されるように、そのマスクＭを保持する。本実施形態においては、マスクステージ１は、第１空間５の＋Ｚ側に配置され、マスクＭの反射面が−Ｚ側（第１空間５側）を向くように、マスクＭを保持する。また、本実施形態においては、マスクステージ１は、マスクＭの反射面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。照明光学系ＩＬから射出された照明光は、マスクステージ１に保持されているマスクＭの反射面に照射される。

マスクステージ１についてさらに詳述すると、マスクステージ１は、第１開口９より大きく、第２面１２が形成されて、第１面１１および第1開口に対して移動可能に構成された第１ステージ１３と、第１開口９より小さく、マスクＭを保持しながら第１ステージ１３に対して移動可能に構成された第２ステージ１４とを含む。第１ステージ１３は、第１開口９を覆うように配置され、その第１ステージ１３の第２面１２と第１空間形成部材７の第１面１１との間にガスシール機構１０が形成される。第１ステージ１３は、第１面１１にガイドされつつ、第１面１１および第１開口９に対して移動可能である。第２ステージ１４は、第１ステージ１３の−Ｚ側（第１空間５側）に配置されている。第２ステージ１４に保持されたマスクＭは、第１開口９を介して第１空間５に配置される。第２ステージ１４は、マスクＭを保持した状態で、第１ステージ１３に対して移動可能である。このような構成により、マスクＭを移動させるための粗動ステージとして第１ステージ１３を機能させ、マスクＭを移動させるための微動ステージとして第２ステージを機能させることができる。なお、第１ステージ１３、第２ステージ１４は、図示されていないが、各ステージをそれぞれ移動させる駆動装置を有している。

また、チャンバ装置６は、第１空間形成部材７の外面との間で、第２空間１５を形成する第２部材１６と、第２空間１５の環境を調整する第２調整装置１７とを備えている。第２空間１５は、マスクステージ１の少なくとも一部（例えば、第１ステージ１３等）を収容する。本実施形態において、第１空間５及び第２空間１５の外側は、大気空間であり、その圧力は、大気圧である。第２調整装置１７は、第２空間１５を、第１空間５の圧力よりも高く、大気圧よりも低い圧力に調整する。一例として、本実施形態においては、第２空間１５の圧力は、１×１０^−１〔Ｐａ〕程度の減圧雰囲気に調整される。

以上のような構成により、マスクステージ１の少なくとも一部は第２空間１５に配置され、マスクステージ１に保持されたマスクＭは、第１空間５に配置される。

露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、マスクＭの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。露光装置ＥＸは、基板Ｐのショット領域を投影光学系ＰＬの投影領域に対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板Ｐのショット領域のＹ軸方向への移動と同期して、照明光学系ＩＬの照明領域に対してマスクＭのパターン形成領域をＹ軸方向に移動しつつ、マスクＭを露光光ＥＬで照明し、そのマスクＭからの露光光ＥＬを基板Ｐに照射して、その基板Ｐを露光する。

マスクステージ１の第１ステージ１３は、基板Ｐ上の１つのショット領域の走査露光中に、マスクＭのパターン形成領域全体が照明光学系ＩＬの照明領域を通過するように、Ｙ軸方向（走査方向）に、比較的大きなストロークを有している。第１ステージ１３がＹ軸方向に移動することによって、第１ステージ１３に支持されている第２ステージ１４も、第１ステージ１３とともにＹ軸方向に移動する。したがって、第１ステージ１３がＹ軸方向に移動することによって、第２ステージ１４に保持されているマスクＭも、第１ステージ１３とともにＹ軸方向に移動する。第２ステージ１４は、第１ステージ１３に対して、微かに移動可能であり、第１ステージ１３のストロークよりも小さなストロークで移動するようになっている。また、第２ステージ１４が第１ステージ１３に対してＸ方向にも小さなストロークで移動できるようにしてもよい。

また、第１空間形成部材７の第１面１１と第１ステージ１３の第２面１２との間にガスシール機構１０が形成されており、第１空間形成部材７に対して第１ステージ１３を移動した場合においても、第１空間５の内側にガスが流入することが抑制される。また、本実施形態においては、第１面１１と第２面１２とのギャップＧ１を調整するギャップ調整機構が設けられており、第１空間形成部材７に対して第１ステージ１３を移動している状態においても、第１面１１と第２面１２とのギャップＧ１は所定量に維持される。
これにより、第１空間形成部材７に対して第１ステージ１３を移動した場合においても、第１空間５の内側にガスが流入することが抑制される。

第１空間形成部材７は、第１面１１が形成されたガイド部材１８と、ガイド部材１８の少なくとも一部と対向するチャンバ部材１９とを含む。ガイド部材１８は、マスクステージ１の移動をガイドする。マスクステージ１（第１ステージ１３）は、前述のように、ガイド部材１８の第１面１１にガイドされつつ、第１開口９に対して移動する。

チャンバ装置６は、第１空間形成部材７と第１調整装置８の他に、ガイド部材１８とチャンバ部材１９とを接続するベローズ部材２０を有する。べローズ部材２０は、可撓性を有し、弾性変形可能である。本実施形態において、ベローズ部材２０はステンレス製である。ステンレスは、脱ガス（アウトガス）が少ない。そのため、ベローズ部材２０が第１空間５に与える影響を抑制することができる。なお、ベローズ部材２０を用いたのは一例であり、脱ガス等の影響が少なければ、ステンレス以外の材料を用いることも可能である。

第１空間形成部材７は、第１の開口９、第１面１１を有する共に、ガイド部材１８、チャンバ部材１９を含むように構成される。そして、ガイド部材１８、チャンバ部材１９、ベローズ部材２０、マスクステージ１（主に第１ステージ１３）、及びステージ装置ＳＴに設けられたチャンバ部材ＳＣ（収容体の一部、詳細は後述）によって、ほぼ密閉された第１空間５が形成される。チャンバ部材１９は、ガイド部材１８の下面１８Ｂと対向する上面１９Ａを有し、ベローズ部材２０は、ガイド部材１８の下面１８Ｂとチャンバ部材１９の上面１９Ａとを接続するように配置されている。

本実施形態において、露光装置ＥＸは、ベース部材２１と、ベース部材２１上に第１防振システム２２を介して支持された第１支持部材２３とを備えている。チャンバ部材１９は、第１支持部材２３に支持されている。また、ベース部材２１上には、第１フレーム部材２４が配置されている。第１フレーム部材２４は、支柱部２５と、支柱部２５の上端に接続された支持部２６とを含む。支持部２６上には、ガイド部材１８の下面を支持する第２支持部材２７が接続されている。チャンバ部材１９と第２支持部材２７とは離れている。また、チャンバ部材１９と第１フレーム部材２４とは離れており、チャンバ部材１９と第１フレーム部材２４との間に、ベローズ部材等の可撓性（弾性）を有するシール機構が配置される。チャンバ部材１９は、第２支持部材２７に支持されたガイド部材１８の下面１８Ｂと対向する上面１９Ａを有する。ベローズ部材２０は、ガイド部材１８の下面１８Ｂとチャンバ部材１９の上面１９Ａとを接続するように配置されている。

光源装置３は、例えばキセノン（Ｘｅ）等のターゲット材料にレーザー光を照射して、そのターゲット材料をプラズマ化し、ＥＵＶ光を発生させるレーザ生成プラズマ光源装置、所謂ＬＰＰ（Laser Produced Plasma）方式の光源装置である。なお、光源装置３としては、所定ガス中で放電を発生させて、その所定ガスをプラズマ化し、ＥＵＶ光を発生させる放電生成プラズマ光源装置、所謂ＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の光源装置であってもよい。光源装置３で発生したＥＵＶ光（照明光）は、波長選択フィルタ（不図示）を介して、照明光学系ＩＬに入射する。ここで、波長選択フィルタは、光源装置３が供給する光から、所定波長（たとえば１３．４ｎｍ）のＥＵＶ光だけを選択的に透過させ、他の波長の光の透過を遮る特性を有する。波長選択フィルタを透過したＥＵＶ光は、照明光学系ＩＬを介して、転写すべきパターンが形成された反射型のマスク（レチクル）Ｍを照明する。

照明光学系ＩＬは、光源装置３からの露光光ＥＬでマスクＭを照明する。照明光学系ＩＬは、複数の光学素子を含み、マスクＭ上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明光学系ＩＬの光学素子は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜を含む。

マスクステージ１の第１ステージ１３は、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。マスクステージ１の第２ステージ１４は、マスクＭ保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ１（マスクＭ）の位置情報を計測可能なレーザ干渉計（不図示）、及びマスクＭの反射面の面位置情報を検出可能なフォーカス・レベリング検出システム（不図示）が設けられており、制御装置４は、レーザ干渉計の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置を制御する。

マスクステージ１の第１ステージ１３及び第２ステージ１４は、金属製である。一例として、本実施形態の第１ステージ１３及び第２ステージ１４は、脱ガス（アウトガス）が少ないステンレス製である。

図１に戻り、投影光学系ＰＬは、複数の光学素子を含み、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。投影光学系ＰＬの光学素子は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜を含む。
投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒２８に保持されている。鏡筒２８は、フランジ２９を有する。フランジ２９には、第２フレーム部材３０の下端が接続されている。第２フレーム部材３０の上端は、防振システム３１を介して、第１フレーム部材２４の支持部２６と接続されている。鏡筒２８(フランジ２９）は、第２フレーム部材３０に吊り下げられている。

図２は、ステージ装置ＳＴの外観斜視図である。
図２に示すように、ステージ装置ＳＴは、定盤ＪＢと、ウエハ等の基板を保持してＹ軸方向に連続移動するとともにＸ軸方向にステップ移動し、更にθＺ方向に微少移動可能な基板ステージ（移動体）２とを主体に構成されている。

基板ステージ２を駆動する駆動装置は、基板ステージ２をＸ方向にロングストロークで駆動するとともに、Ｙ方向、Ｚ方向、θｘ、θｙ、θｚに微小駆動する第１駆動系９０と、基板ステージ２及び第１駆動系９０をＹ方向（第１方向）にロングストロークで駆動する第２駆動系７３Ａ、７３Ｂとを備えている。これら第１駆動系９０、第２駆動系７３Ａ、７３Ｂの駆動は、制御装置４に制御される。

第２駆動系７３Ａは、Ｙ方向に延びる固定子７４Ａと、当該固定子７４Ａに対して駆動されるＹ粗動ステージである可動子７５Ａとから構成される。同様に、第２駆動系７３Ｂは、Ｙ方向に延びる固定子７４Ｂと、当該固定子７４Ｂに対して駆動されるＹ粗動ステージである可動子７５Ｂとから構成される。
固定子７４Ａは、内部に複数のコイル体（不図示）を有し、当該コイル体への通電を制御することにより、可動子７５ＡをＹ方向及びＸ方向（第３方向）の２方向に（２自由度で）駆動する。

図３は、第２駆動系７３ＡをＸＺ平面で断面した図であり、図４はＹＺ平面で断面した図である。
これらの図に示すように、第２駆動系７３Ａには、磁力により可動子７５ＡをＺ方向（第２方向）に作用させる力を発生させて、可動子７５Ａと固定子７４Ａとを非接触状態とするＥ型コアとＩ型コアとの結合によるＥＩコア型の第１駆動装置７８が設けられている。

第１駆動装置７８は、第２駆動系７３Ａにおける固定子７４ＡのＺ方向両側に、可動子７５Ａの移動範囲に亘る長さ（すなわち固定子７４Ａと同等の長さ）でＹ方向に延在して設けられたＩ型コア７８Ａと、可動子７５Ａの内部にＹ方向に互いに間隔をあけて配置され、それぞれＩ型コア７８ＡとＺ方向に対向して設けられた複数（ここでは２つ）のＥ型コア７８Ｂとから構成される。第１駆動装置７８においては、Ｅ型コア７８Ｂに巻回されたコイル部７８Ｃの通電を制御することにより、Ｉ型コア７８Ａを接近させるＺ方向の力が付与される。

また、第２駆動系７３Ａには、固定子７４Ａと可動子７５ＡとをＺ方向に相対移動させる第２駆動装置７９が設けられている。 第２駆動装置７９は、固定子７４Ａの−Ｚ側に延出し、可動子７５Ａの移動範囲に亘る長さ（すなわち固定子７４Ａと同等の長さ）でＹ方向に延在して設けられた固定子７９Ａと、可動子７５Ａの内部にＹ方向に間隔をあけて配置され、それぞれ固定子７９Ａを挟んだＸ方向両側に対向して設けられた可動子７９Ｂとから構成される。可動子７９Ｂは、Ｙ方向についてＥ型コア７８Ｂと略同一の位置に配置されている。

本実施形態における第２駆動装置７９としては、可動子７９Ｂに対してＺ方向に作用する電磁力を作用させる、例えばボイスコイルモータが用いられている。この第２駆動装置７９は、後述するように、第１駆動装置７８の駆動に関する較正に用いられるものである。
これら第１駆動装置７８、第２駆動装置７９の駆動は、制御装置４に制御される。

第２駆動系７３Ｂは、Ｙ方向に延びる固定子７４Ｂと、当該固定子７４Ｂに対して駆動されるＹ粗動ステージである可動子７５Ｂとから構成される。
固定子７４Ｂは、内部に複数のコイル体（不図示）を有し、当該コイル体への通電を制御することにより、可動子７５ＢをＹ方向及びＺ方向（ここでは第３方向）の２方向に駆動可能である。すなわち、第２駆動系７３Ａと第２駆動系７３Ｂとは、基板ステージ２を挟んだ両側に設けられるが、可動子７５Ａ、７５Ｂを駆動する方向が長ストロークのＹ方向については同一方向であるが、短ストロークで駆動する方向についてはＸ方向とＺ方向とで異ならせてある。

図５は、第２駆動系７３ＢをＸＺ平面で断面した図である。
第２駆動系７３Ｂにおいても、第２駆動系７３Ａと同様に、磁力により可動子７５ＢをＺ方向に作用させる力を発生させて、可動子７５Ｂと固定子７４Ｂとを非接触状態とするＥ型コアとＩ型コアとの結合によるＥＩコア型の第１駆動装置８８が設けられている。

第１駆動装置８８は、第２駆動系７３Ｂにおける固定子７４Ｂの＋Ｘ側端部に、可動子７５Ｂの移動範囲に亘る長さ（すなわち固定子７４Ｂと同等の長さ）でＹ方向に延在して設けられたＩ型コア８８Ａと、可動子７５Ｂの内部にＹ方向に互いに間隔をあけて複数（ここでは２つ）配置され、それぞれＩ型コア８８ＡとＺ方向に対向して設けられたＥ型コア８８Ｂとから構成される。第１駆動装置８８においては、Ｅ型コア８８Ｂに巻回されたコイル部（不図示）の通電を制御することにより、Ｉ型コア８８Ａを接近させるＺ方向の力が付与される。

基板ステージ２は、図２に示すように、可動子７５Ａ、７５Ｂの間にＸ方向に延在する固定子９０Ａと、図６に示すように、当該基板ステージ２に設けられ固定子９０Ａに対してＸ方向に相対移動する可動子９０Ｂとを有するリニアモータ等の上記第１駆動系９０の駆動により、固定子９０Ａに沿ってＸ方向に移動する。

また、第１駆動系９０には、第２駆動系７３Ａと同様に、磁力により可動子９０Ｂ（基板ステージ２）をＺ方向に作用させる力を発生させて、可動子９０Ｂと固定子９０Ａとを非接触状態とするＥ型コアとＩ型コアとの結合によるＥＩコア型の第１駆動装置９８が設けられている。

第１駆動装置９８は、固定子９０ＡのＺ方向両側に、可動子９０Ｂ（基板ステージ２）の移動範囲に亘る長さ（すなわち固定子９０Ａと同等の長さ）でＸ方向に延在して設けられたＩ型コア９８Ａと、基板ステージ２の内部にＸ方向に互いに間隔をあけて複数（ここでは２つ）配置され、それぞれＩ型コア７８ＡとＺ方向に対向して設けられたＥ型コア９８Ｂとから構成される。第１駆動装置９８においては、Ｅ型コア９８Ｂに巻回されたコイル部（不図示）の通電を制御することにより、Ｉ型コア９８Ａを接近させるＺ方向の力が付与される。

また、第１駆動系９０には、固定子９８Ａと可動子９０Ｂ（基板ステージ２）とをＺ方向に相対移動させる第２駆動装置９９が設けられている。 第２駆動装置９９は、固定子９８Ａの−Ｚ側に延出し、可動子９０Ｂの移動範囲に亘る長さ（すなわち固定子９８Ａと同等の長さ）でＸ方向に延在して設けられた固定子９９Ａと、基板ステージ２の内部にＸ方向に互いに間隔をあけて複数（ここでは２つ）配置され、それぞれ固定子９９Ａを挟んだＹ方向両側に対向して設けられた可動子９９Ｂとから構成される。可動子９９Ｂは、Ｘ方向についてＥ型コア９８Ｂと略同一の位置に配置されている。

本実施形態における第２駆動装置９９としては、可動子９９Ｂに対してＺ方向に作用する電磁力を作用させる、例えばボイスコイルモータが用いられている。この第２駆動装置９９は、後述するように、第１駆動装置９８の駆動に関する較正に用いられるものである。
これら第１駆動装置８８、９８、第２駆動装置９９の駆動は、制御装置４に制御される。

次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸのうち、ステージ装置ＳＴの動作の一例について説明する。
基板ステージ２は、第１駆動系９０の駆動により固定子９０Ａに沿ってＸ方向に移動し、第２駆動系７３Ａ、７３Ｂの駆動による可動子７５Ａ、７５Ｂの移動に伴って、固定子９０Ａを介してＹ方向に移動する。

基板ステージ２のＸ方向の移動時には、第１駆動装置９８の駆動による（Ｅ型コア９８Ｂへの通電量制御による）Ｚ方向へ作用する磁力で浮上し（磁気浮上し）、基板ステージ２は固定子９０Ａに対して非接触状態が維持される。同様に、可動子７５Ａ、７５Ｂを介した基板ステージ２のＹ方向の移動時には、第１駆動装置７８、８８の駆動による（Ｅ型コア７８Ｂ、８８Ｂへの通電量制御による）Ｚ方向へ作用する磁力で浮上し、可動子７５Ａ、７５Ｂは固定子７４Ａ、７４Ｂに対して非接触状態が維持される。

ここで、第１駆動装置９８は、可動子９８Ｂが固定子９８Ａに対してバネ性を有しているため、基板ステージ２のＸ方向への移動時に可動子９８ＢのＺ方向の位置が、基板ステージ２のＸ方向の位置に応じて変動する可能性がある。すなわち、基板ステージ２のＸ方向への移動時に基板ステージ２のＺ方向の位置が基板ステージ２のＸ方向の位置に応じて変動する可能性がある。

同様の理由により、第１駆動装置７８、８８は、可動子７８Ｂ、８８Ｂが固定子７８Ａ、８８Ａに対してそれぞれバネ性を有しているため、可動子７５Ａ、７５ＢのＹ方向への移動時に可動子７８Ｂ、８８ＢのＺ方向の位置が、可動子７５Ａ、７５ＢのＹ方向の位置に応じて変動する可能性がある。すなわち、基板ステージ２のＹ方向への移動時に基板ステージ２のＺ方向の位置が基板ステージ２のＹ方向の位置に応じて変動する可能性がある。

そのため、本実施形態では、可動子７５Ａ、７５ＢのＹ方向への移動に伴う第１駆動装置７８、８８の駆動に関して第２駆動装置７９を用いて較正する。同様に、基板ステージ２のＸ方向への移動に伴う第１駆動装置９８の駆動に関して第２駆動装置９９を用いて較正する。

具体的には、例えば基板ステージ２をＸ方向に駆動する際には、第１駆動装置９８の駆動により、固定子９０Ａに対して可動子９０Ｂ（基板ステージ２）を所定量の隙間をもって浮上させた状態とし、また第２駆動装置９９における可動子９９Ｂが固定子９９Ａに対して相対移動する力を計測しながら基板ステージ２を移動させる。
基板ステージ２の移動に伴い、バネ性により固定子９８Ａに対する可動子９８ＢのＺ方向の位置が変動すると、第２駆動装置９９において固定子９９Ａに対する可動子９９ＢのＺ方向の位置も変動するため、制御装置４は計測装置として、第２駆動装置９９における推力の変動に基づいて、基板ステージ２のＸ方向の位置に応じた可動子９８ＢのＺ方向の位置変動を計測することができる。そして、計測した可動子９８ＢのＺ方向の位置変動をキャンセルする補正値を基板ステージ２のＸ方向の位置に応じて求め記憶しておく。

同様に、例えば基板ステージ２をＹ方向に駆動する際には、第１駆動装置７８、８８の駆動により、固定子７４Ａに対して可動子７５Ａを所定量の隙間をもって浮上させるとともに、固定子７４Ｂに対して可動子７５Ｂを所定量の隙間をもって浮上させた状態とし、また第２駆動装置７９における可動子７９Ｂが固定子７９Ａに対して相対移動する力を計測しながら可動子７５Ａ、７５Ｂを移動させる。
可動子７５Ａ、７５Ｂの移動に伴い、バネ性により固定子７８Ａに対する可動子７８ＢのＺ方向の位置が変動すると、第２駆動装置７９において固定子７９Ａに対する可動子７９ＢのＺ方向の位置も変動するため、制御装置４は計測装置として、第２駆動装置７９における推力の変動に基づいて、基板ステージ２のＹ方向の位置に応じた可動子７８ＢのＺ方向の位置変動を計測することができる。そして、計測した可動子７８ＢのＺ方向の位置変動をキャンセルする補正値を基板ステージ２のＹ方向の位置に応じて求め記憶しておく。

このように、露光処理前に基板ステージ２のＸ方向、及びＹ方向への移動に伴う第１駆動装置９８、７８、８８の補正量が求められたら、実際の露光処理時の基板ステージ２の移動の際に、制御装置４は基板ステージ２のＸ方向の位置及びＹ方向の位置、及び当該位置に対応する補正量を用いて、第１駆動装置９８、７８、８８の駆動を調整する。
これにより、基板ステージ２は、Ｚ方向の位置が変動することなく、所定の軌跡で移動することになる。なお、露光処理時には、第２駆動装置７９、９９の作動は停止させればよい。

次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。
第１空間５は、第１調整装置８によって、真空状態（第１の圧力値）に調整される。また、第２空間１５が、第２調整装置１７によって、第１空間５の圧力とほぼ同じか、または第１空間５の圧力より高く、かつ大気圧よりも低い圧力（第２の圧力値）に調整される。あるいは、第２空間１５が第１空間５よりも低い圧力に設定されるようにしてもよい。第１面１１と第２面１２とのギャップＧ１は、ギャップ調整機構３５によって所定量に調整されており、第１面１１と第２面１２との間に形成されたガスシール機構１０によって、第１空間５の内側にガスが流入することが抑制されている。これにより、第１空間５の真空状態、環境が維持される。

マスクＭがマスクステージ１に保持されるとともに、基板Ｐが基板ステージ２に保持された後、制御装置４は、基板Ｐの露光処理を開始する。マスクＭを照明光で照明するために、制御装置４は、光源装置３の発光動作を開始する。

光源装置３の発光動作により光源装置３から射出されたＥＵＶ光は、照明光学系ＩＬに入射する。照明光学系ＩＬに入射したＥＵＶ光は、その照明光学系ＩＬを進行した後、第１開口９に供給される。第１開口９に供給されたＥＵＶ光は、照明光として、第１開口９を介してマスクステージ１に保持されているマスクＭに入射する。つまり、マスクステージ１に保持されているマスクＭは、光源装置３より射出され、照明光学系ＩＬを介した照明光（ＥＵＶ光）で照明される。マスクＭの反射面に照射され、その反射面で反射した照明光は、マスクＭのパターンの像の情報を含む露光光ＥＬとして第１空間５に配置されている投影光学系ＰＬに入射する。投影光学系ＰＬに入射した露光光ＥＬは、その投影光学系ＰＬを進行した後、基板ステージ２に保持されている基板Ｐに照射される。

制御装置４は、マスクＭのＹ軸方向への移動と同期して、第２駆動系７３Ａ、７３Ｂの駆動により基板ＰをＹ軸方向に走査移動しつつ、マスクＭを露光光ＥＬで照明する。これにより、基板Ｐは露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。そして、制御装置４は、第１駆動系９０の駆動による基板ＰのＸ軸方向へのステップ移動と、上記第２駆動系７３Ａ、７３Ｂの駆動による基板ＰのＹ軸方向への走査移動とを繰り返すことにより、基板ＰにマスクＭのパターンを露光する。

以上、説明したように、本実施形態では、第１駆動装置７８、８８、９８を用いて基板ステージ２を磁力により浮上させるため、重量が大きな基板ステージ２に対しても、真空環境下でエアベアリング等の気体軸受を用いた場合のような気体に起因する各種機器に与える悪影響を回避しつつ移動させることが可能である。また、本実施形態では、Ｅ型コアとＩ型コアとを有するＥＩコア型の第１駆動装置７８、９８の駆動時に生じる可能性があるバネ性による位置変動に対しても、予め第２駆動装置７９、９９を用いて較正しているため、基板ステージ２の駆動時のガイド精度を容易、且つ確実に確保することができる。

また、本実施形態では、第２駆動系７３Ａ、７３Ｂで可動子に対する駆動方向を異ならせているため、例えば可動子７５Ｂの＋Ｚ方向への突出量を可動子７５Ａの＋Ｚ方向への突出量よりも小さくすることができる。そのため、本実施形態では、例えばレーザ干渉計等の検知光を用いて基板ステージ２の位置を計測する場合に、可動子７５Ｂに遮光されることなく基板ステージ２における最適な位置に検知光を投光することが可能になり、基板Ｐの位置検出精度を効果的に高めることができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

例えば、上記実施形態では、第２駆動装置７９、９９の推力変動に基づいて、可動子７５Ａ、９０Ｂ（基板ステージ２）の位置変動を計測する構成としたが、これに加えて、例えば可動子７５Ａ、基板ステージ２に固定子７４Ａ、９０Ａに臨ませて静電容量センサ等の位置計測装置を設け、位置計測結果と併用する構成とすることで、位置計測精度をより高めることも可能である。

また、上記実施形態では、可動子７５Ａの位置変動の補正量を可動子７５Ｂの位置変動の較正に用いる構成としたが、これに限定されるものではなく、例えば第２駆動系７３Ｂについても第２駆動系７３Ａと同様に、第１駆動装置８８の駆動に関する較正用にボイスコイルモータ等からなる第２駆動装置を設ける構成としてもよい。

また、上記実施形態では、固定子７４Ａ、７４Ｂ、９０ＡのＺ方向両側に第１駆動装置７８、８８、９８をそれぞれ配置する構成としたが、これに限られず、第１駆動装置７８、８８、９８が基板ステージ２等の重量を支持可能な十分な推力を発現できる場合には、−Ｚ側のみ配置する構成としてもよい。

また、上記実施形態ではステージ装置ＳＴに本発明を適用した場合について説明したが、マスクステージ１にも適用することができ、更にはマスクステージ１とステージ装置ＳＴの両ステージに適用することも可能である。
また、露光装置以外でも本発明を使用することができる。例えば、真空環境下で用いられる各種計測機器や製造装置に対しても本発明は適用可能である。本発明の技術思想及び技術的範囲から逸脱することなく、本発明に対して様々な変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

また、ステージ装置ＳＴにおいても、基板ステージ２に電力、エア等の用力を供給するための各種用力部材を支持・中継し、例えばＹ方向に関しては可動子７５Ａ、７５Ｂに接続されて基板ステージ２と一体的に移動し、Ｘ方向に関しては、基板ステージ２と同期移動するチューブキャリア（配線用ステージ）が設けられる構成であっても本発明を適用可能である。
この場合、従来では基板ステージ２に搭載されていたセンサ類（照明むらセンサ等）をチューブキャリアに設ける構成としてもよい。
これにより、基板ステージ２の軽量化を図ることができ、基板ステージ２の駆動に伴う発熱を抑制することができる。

なお、上記各実施形態の基板（物体）としては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明は基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

また、本実施形態においては、露光光ＥＬがＥＵＶ光である場合を例にして説明したが、露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等を用いることもできる。その場合、第１空間５は必ずしも真空状態に調整される必要はなく、例えば第１空間５を第１のガスで満たすことができる。第１空間５を第１のガスで満たす場合、第１のガスが満たされた第１空間５の環境を維持するために、本実施形態のガスシール機構１０を用いることができる。また、第２部材１６で形成される第２空間１５を第２のガスで満たすことができる。

また、本発明は、基板ステージ（ウエハステージ）が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許６，３４１，００７号、６，４００，４４１号、６，５４９，２６９号及び６，５９０，６３４号）、特表２０００−５０５９５８号（対応米国特許５，９６９，４４１号）或いは米国特許６，２０８，４０７号に開示されている。更に、本発明を本願出願人が先に出願した特願２００４−１６８４８１号のウエハステージに適用してもよい。

また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図７は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。

図８は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。

また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。

本発明の実施の形態を示す図であって、露光装置ＥＸを示す概略構成図である。 ステージ装置ＳＴの外観斜視図である。 第２駆動系７３ＡをＸＺ平面で断面した図である。 第２駆動系７３ＡをＹＺ平面で断面した図である。 第２駆動系７３ＢをＸＺ平面で断面した図である。 第１駆動系９０をＹＺ平面で断面した図である。 本発明のマイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。 図７におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。

符号の説明

ＥＸ…露光装置、 ＳＴ…ステージ装置、 ２…基板ステージ（移動体）、 ４…制御装置（計測装置）、 ６…チャンバ装置（収容体）、 ７４Ａ…固定子、 ７５Ａ…可動子、 ７８、９８…第１駆動装置、 ７８Ａ、８８Ａ…Ｉ型コア、 ７８Ｂ、８８Ｂ…Ｅ型コア、 ７９、９９…第２駆動装置

Claims (9)

1. 移動体を支持して第１方向に移動する可動子と、前記可動子を前記第１方向に沿って駆動する固定子とを有するステージ装置であって、
   磁力により前記可動子に対して前記第１方向と交差する第２方向に作用する力を発生させて、前記可動子と前記固定子とを非接触状態とする第１駆動装置と、
   前記可動子と前記固定子との相対位置に応じて、前記可動子に対して前記第２方向に作用する電磁力を発生させ、前記可動子の前記第１方向への移動に伴う前記第１駆動装置の駆動に関する較正に用いられる第２駆動装置とを有するステージ装置。
2. 前記可動子の前記第１方向への移動時に、前記第１駆動装置の駆動よる前記可動子と前記固定子との相対位置を前記第２駆動装置の推力に基づいて予め計測する計測装置と、
   前記計測装置の計測結果に基づいて、前記可動子の前記第１方向への移動時に、前記第１駆動装置の駆動を制御する制御装置とを有する請求項１記載のステージ装置。
3. 前記固定子は前記可動子に対して、前記第１方向及び前記第２方向とそれぞれ交差する第３方向に作用する力を発生させる請求項１または２記載のステージ装置。
4. 前記固定子及び前記可動子は、前記移動体を挟んだ両側にそれぞれ対で、且つ前記第３方向を異ならせて設けられる請求項３記載のステージ装置。
5. 前記第１駆動装置は、前記可動子に設けられたＥ型コアと、前記固定子に前記可動子の移動範囲に亘って設けられたＩ型コアとを有する請求項１から４のいずれか一項に記載のステージ装置。
6. 前記第２駆動装置は、リニアモータを有する請求項１から５のいずれか一項に記載のステージ装置。
7. 請求項１から６のいずれか一項に記載のステージ装置を備える露光装置。
8. 前記ステージ装置を収容する空間を負圧状態に維持する収容体を有する請求項７記載の露光措置。
9. 請求項７または８記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。

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