JP5123528B2 - 光導波路、光デバイスおよび光導波路の製造方法 - Google Patents
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Description
実施の形態1は、この発明の光導波路に関するものである。図1は、この発明の光導波路の実施の形態1の構成を示す平面図、図2は、図1の断面図である。図1には、光導波路の要部である曲がり部を主に示している。光導波路1は、チタン拡散ニオブ酸リチウム(Ti−LiNbO3)拡散導波路である。図示の曲がり部1aは、円弧状に180°の折り返し角度を有して折り返した形状である。光導波路1のパターン幅Lは、光のモードフィールドを小さくするために5〜9μmに設定している。光導波路1を伝搬する光波は、一般にシングルモード(SM)の光であるが、この発明の光導波路1の光伝搬モードはSMに限定されるものではない。
実施の形態2では、実施の形態1により説明した光導波路1を用いた光デバイスについて説明する。光導波路1を用いた光デバイスとしては、光スイッチや光変調器などがある。
前記曲がり部の両側に位置する前記基板を、前記曲がり部の形状に沿って掘り下げ形成したリッジ構造部と、
前記リッジ構造部の少なくとも前記曲がり部に面する側面に、前記基板が有する屈折率よりも低屈折率の材質を用いて膜形成したバッファ層と、
を備えたことを特徴とする光導波路。
前記光導波路の前記曲がり部の両側に位置する前記基板を、前記曲がり部の形状に沿って掘り下げ形成したリッジ構造部と、
前記リッジ構造部の少なくとも前記曲がり部に面する側面に、前記基板が有する屈折率よりも低屈折率の材質を用いて膜形成したバッファ層と、
前記光導波路の上部に該光導波路に沿って配置された信号電極と、
を備えたことを特徴とする位相変調可能な光デバイス。
前記2つの各光導波路の上部に、それぞれの光導波路に沿って配置された信号電極と、
を備えたことを特徴とする付記17に記載の位相変調可能な光デバイス。
前記リッジ構造部は、前記光導波路の全長に渡り一定な幅を有することを特徴とする付記17または18に記載の光デバイス。
該曲がり部に連結され、前記光導波路に対する光の入出力部が同一の側面に位置する直線部と、
を有することを特徴とする付記17〜19のいずれか一つに記載の光デバイス。
を有することを特徴とする付記20に記載の光デバイス。
光導波路となる曲がり部を含むパターン形成を、チタン(Ti)を用いて行うパターン形成工程と、
前記パターン形成工程により形成された前記チタンのパターンを高温中で熱拡散させる熱拡散工程と、
前記熱拡散工程により形成された光導波路のうち、前記曲がり部の両側、あるいは外側に位置する前記基板を、前記曲がり部の形状に沿ってエッチングによりリッジ構造部を掘り下げ形成するリッジ形成工程と、
前記リッジ形成工程により形成された前記リッジ構造部の少なくとも前記曲がり部に面する側面に、前記基板が有する屈折率よりも低屈折率の材質を膜形成するバッファ層形成工程と、
を含むことを特徴とする光導波路の製造方法。
1a 曲がり部
1b 直線部
2 基板
3 リッジ構造部
3a 側面
3c,3d 延出部
4 バッファ層
5 変換部
10 光変調器
11 基板
12 信号ライン
12a,12b 信号電極
Claims (15)
- 基板上に形成される光導波路の一部が折り返された曲がり部を有する光導波路において、
電気光学結晶のうち強誘電体により形成された基板と、
前記曲がり部の内側および外側に位置する前記基板を、前記曲がり部の形状に沿って掘り下げてリッジ構造部を形成するための溝部とを備え、
少なくとも外側に位置する前記溝の曲がり部側の側面に前記基板が有する屈折率よりも低屈折率の材質を用いてバッファ層を設け、前記曲がり部の曲率半径が4mm以下であり、
前記光導波路の前記曲がり部の中心位置を前記リッジ構造部の中心位置に対し内側あるいは外側に所定量ずれて配置し、前記曲がり部の幅と、該曲がり部に結合される他の光導波路の幅が異なって形成され、前記曲がり部と、前記他の曲がり部あるいは直線部との結合個所に、幅が徐々に変化するテーパー状の変換部を形成したことを特徴とする光導波路。 - 前記バッファ層は、酸化シリコン(SiO2)であることを特徴とする請求項1に記載の光導波路。
- 前記基板がニオブ酸リチウム(LiNbO3)であることを特徴とする請求項1または2に記載の光導波路。
- 前記曲がり部は、5μm以上9μm以下の幅で形成されたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の光導波路。
- 前記光導波路の前記曲がり部は、90°以上180°までの折り返し角度を有して形成されたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の光導波路。
- 前記リッジ構造部の幅は、前記光導波路の幅に対して+6μm以下の幅を有することを特徴とする請求項2〜5のいずれか一つに記載の光導波路。
- 前記溝部は、3μm以上の深さを有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の光導波路。
- 前記溝部は、前記光導波路の前記曲がり部の端部位置では、当該光導波路から離れる方向に拡がって形成したことを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の光導波路。
- 前記光導波路の前記曲がり部は、前記光導波路の内側および外側に前記溝部を設けて形成されるリッジ構造部の中心位置に対し外側方向にずれて配置されたことを特徴とする請求項2〜8のいずれか一つに記載の光導波路。
- 基板上に形成される光導波路の一部が折り返された曲がり部を有する光導波路と該光導波路の屈折率を変化させる信号電極とを有する光デバイスにおいて、
前記基板は、電気光学結晶のうち強誘電体により形成され、
前記曲がり部の内側および外側に位置する前記基板を、前記曲がり部の形状に沿って掘り下げてリッジ構造部を形成するための溝部とを備え、
少なくとも外側に位置する前記溝の曲がり部側の側面に前記基板が有する屈折率より低屈折率の材質を用いてバッファ層を設け、前記光導波路は、前記曲がり部の曲率半径が4mm以下であり、
前記光導波路の前記曲がり部の中心位置を前記リッジ構造部の中心位置に対し内側あるいは外側に所定量ずれて配置し、前記曲がり部の幅と、該曲がり部に結合される他の光導波路の幅が異なって形成され、前記曲がり部と、前記他の曲がり部あるいは直線部との結合個所に、幅が徐々に変化するテーパー状の変換部を形成し、
さらに、前記光導波路の上部に該光導波路に沿って配置された信号電極と、
を備えたことを特徴とする位相変調可能な光デバイス。 - 前記光導波路は、分岐部から2分岐する形で2つ平行に配置され、
前記光導波路の一方の上部に、光導波路に沿って配置された信号電極と、
前記光導波路の他方の上部に、光導波路に沿って配置された接地電極と、
を備えたことを特徴とする請求項10に記載の位相変調可能な光デバイス。 - 前記光導波路は、180°の折り返しによる曲がり部と、
前記曲がり部に連結され、前記光導波路の一部をなし、前記光導波路に対する光の入出力部が前記基板の同一の側面に位置するように形成された、直線部と、
を有することを特徴とする請求項10または11に記載の光デバイス。 - 前記曲がり部は、一定な曲率半径を有する一定曲率部と、該一定曲率部と、前記直線部との間に設けられ、該一定曲率部と該直線部との間で曲率半径が連続的に変化するように該一定曲率部と該直線部とを接続する円弧部と、
を有することを特徴とする請求項12に記載の光デバイス。 - 基板上に形成される光導波路の一部が折り返された曲がり部を有する光導波路の製造方法において、
電気光学結晶のうち強誘電体の基板上に光導波路となる曲がり部を含むパターン形成を、チタンを用いて行うパターン形成工程と、
前記パターン形成工程により形成された前記チタンのパターンを高温中で熱拡散させる熱拡散工程と、
前記熱拡散工程により形成された光導波路の内側および外側に位置する前記基板を、前記曲がり部の形状に沿って掘り下げてリッジ構造部を形成するための溝部を形成する溝形成工程とを含み、
前記パターン形成工程は、少なくとも外側に位置する前記溝の曲がり部側の側面に前記基板が有する屈折率よりも低屈折率の材質を用いてバッファ層を設け、前記光導波路の曲がり部の曲率半径を4mm以下とし、
前記光導波路の前記曲がり部の中心位置を前記リッジ構造部の中心位置に対し内側あるいは外側に所定量ずれて配置し、前記曲がり部の幅と、該曲がり部に結合される他の光導波路の幅が異なって形成され、前記曲がり部と、前記他の曲がり部あるいは直線部との結合個所に、幅が徐々に変化するテーパー状の変換部を形成したことを特徴とする光導波路の製造方法。 - 前記熱拡散工程に代えて、前記光導波路をプロトン交換で形成させるプロトン交換工程を含むことを特徴とする請求項14に記載の光導波路の製造方法。
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JPS63306404A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 反射型方向性結合器 |
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JPH05232417A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-10 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
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JPH0954291A (ja) * | 1995-08-11 | 1997-02-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光位相シフタ及びこれを用いた光スイッチ |
JPH1114849A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光学素子の製造方法 |
JPH1114850A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光学素子の製造方法 |
JPH1152155A (ja) * | 1997-08-05 | 1999-02-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | リッジ構造を有する光導波路およびその製造方法 |
JPH1164664A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-03-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光導波路の製造方法 |
JPH11167032A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 曲がり光導波路回路 |
JP2000162057A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 光導波路応力センサ |
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US6501886B1 (en) * | 2001-07-30 | 2002-12-31 | Agilent Technologies, Inc. | Compact optical splitter and combiner |
JP2004287093A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Fujitsu Ltd | 光導波路、光デバイスおよび光導波路の製造方法 |
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