JP4482979B2 - 波長変換装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポンプ光と信号光とが入力され、これら入力されたポンプ光の波長及び信号光の波長に基づく波長の変換光を出力する波長変換装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ドメイン反転グレーティング周期が擬似位相整合(QPM:quasi-phase matching)条件を満たす波長変換素子は、差周波発生(DFG:difference frequency generation)又は和周波発生(SFG:sum frequency generation)によって波長変換を行うことができる。この種の波長変換素子は、例えば、文献C.Q.Xu, H.Okayama & M.Kawahara; Appl. Phys. Lett. Vol.63, 3559 (27.12.1993); "1.5μm band efficient broadband wavelength conversion by difference frequency generation in a periodically domain-inverted LiNbO3 channel waveguide" (徐、岡山、及び川原;アプライド フィジックス レター、第63号第3559頁、1993年12月27日、「周期的なドメイン反転LiNbO3チャネル導波路における差周波発生による1.5μm帯高効率広帯域波長変換」)に開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の波長変換素子においては、ポンプ光及び信号光の両方を直線偏波にして、ある一定な偏波方向を持たせた上で波長変換素子に注入しなければならないため、光損失が大きく、その結果、変換効率が低下するという問題があった。また、変換効率が信号光の偏波方向に依存するため、変換光の強度が不安定になるという問題があった。
【0004】
そこで、本発明は上記したような従来技術の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、変換効率が入力される信号光の偏波に依存しない波長変換装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る波長変換装置は、非線形材料基板に形成され、擬似位相整合条件を満たす第一のドメイン反転グレーティング周期構造を持ち、該第一のドメイン反転グレーティング周期構造の第一の入力端及び該第一の入力端とは異なる位置の第一の出力端を有する第一の波長変換素子と、非線形材料基板に形成され、上記第一の波長変換素子と間隔をあけて平行に並ぶように配置され、上記第一のドメイン反転グレーティング周期構造と同じ構造の擬似位相整合条件を満たす第二のドメイン反転グレーティング周期構造を持ち、該第二のドメイン反転グレーティング周期構造の第二の入力端及び該第二の入力端とは異なる位置の第二の出力端を有する第二の波長変換素子と、ポンプ光を互いに同じ強度の第一のポンプ光及び第二のポンプ光に分波するポンプ光分波手段と、信号光を第一の信号光及び第二の信号光に分波する信号光分波手段と、第一のポンプ光及び第一の信号光を上記第一の波長変換素子の上記第一の入力端に導く第一の結合手段と、第二のポンプ光及び第二の信号光を上記第二の波長変換素子の上記第二の入力端に導く第二の結合手段と、上記第一の波長変換素子により第一のポンプ光及び第一の信号光に基づいて生成され上記第一の出力端から出力された第一の変換光と、上記第二の波長変換素子により第二のポンプ光及び第二の信号光に基づいて生成され上記第二の出力端から出力された第二の変換光とを合波する合波手段とを有し、上記信号光分波手段は、第一の偏光ビームスプリッタと第一の半波長板とを含み、上記信号光分波手段による信号光の分波は、上記第一の偏光ビームスプリッタにより行われ、上記第一の偏光ビームスプリッタから出力される第一の信号光はTM偏波及びTE偏波の内の一方であり、上記第一の偏光ビームスプリッタから出力される第二の信号光はTM偏波及びTE偏波の内の他方であり、上記第一の半波長板により第二の信号光をTM偏波及びTE偏波の内の前記一方に変換し、上記合波手段は、第二の偏光ビームスプリッタと第二の半波長板とを含み、上記合波手段による信号光の合波は、上記第二の偏光ビームスプリッタにより行われ、上記第一の波長変換素子の上記第一の出力端から出力される第一の変換光と上記第二の波長変換素子の上記第二の出力端から出力される第二の変換光とは共にTM偏波及びTE偏波の内の前記一方であり、第一の変換光は上記第二の半波長板によりTM偏波及びTE偏波の内の前記他方に変換した後に上記第二の偏光ビームスプリッタに入力させ、第二の変換光はTM偏波及びTE偏波の内の前記一方のまま上記第二の偏光ビームスプリッタに入力させることによって、第一の変換光と第二の変換光とを合波し、上記第一及び第二のドメイン反転グレーティング周期構造の各々は、分極方向の異なる第一の領域と第二の領域とを交互に配列した構造を持ち、かつ、第一の領域と第二の領域の光伝搬方向の長さを共に同じ長さをLとし、第一の領域と第二の領域との位相不整合量をΔkとしたときに、ΔkL=πを満たすように構成したことを特徴としている。
【0006】
また、上記信号光分波手段による信号光の分波が、第一の偏光ビームスプリッタにより行われ、上記第一の偏光ビームスプリッタから出力される第一の信号光はTM偏波であり、上記第一の偏光ビームスプリッタから出力される第二の信号光はTE偏波であり、上記第一の半波長板により第二の信号光をTM偏波に変換するように構成してもよい。
【0009】
また、上記第一のファイバアレイは、互いに長さが等しい複数本の偏波保持型ファイバを含み、上記第二のファイバアレイは、互いに長さが等しい複数本の偏波保持型ファイバを含むように構成してもよい。
【0010】
また、上記ポンプ光分波手段に入力されるポンプ光を発生させるポンプ光発生手段を備えてもよい。
【0023】
【発明の実施の形態】
実施の形態1
図1は、本発明の実施の形態1に係る波長変換装置の構成を示す図である。図1に示されるように、実施の形態1の波長変換装置は、非線形材料基板であるLiNbO3基板(LN基板)10を有する。このLN基板10の+c面には、2つの波長変換素子11,12が形成されている。波長変換素子11,12は、互いに平行に並ぶように形成され、それぞれが擬似位相整合条件を満たすドメイン反転グレーティング周期構造を持ち、互いに同じ構造を持つ。尚、基板の材質は、上記のものに限定されない。また、波長変換素子11,12は、単一のLN基板10上に同一の製造プロセスにより形成されることが特性のばらつきをなくする点から望ましいが、波長変換素子11,12が形成されるLN基板10は必ずしも一体でなくてもよい。
【0024】
図2は、図1の波長変換素子11(又は12)を示す説明図である。波長変換素子11,12は、LN基板10の+c面に形成されたTM偏波の光だけ導波するプロトン交換導波路13を有する。LN基板10のプロトン交換導波路13には、2次非線形定数が変調されるドメイン反転グレーティング周期構造が形成されている。ドメイン反転グレーティング周期構造は、分極方向の異なる第一の領域(ドメインの反転していない領域)14と第二の領域(ドメイン反転領域)15とを交互に配列した構造を持つ。また、ドメイン反転グレーティング周期構造は、第一の領域14と第二の領域15の光伝搬方向の長さを共に同じ長さLcとし、第一の領域14と第二の領域15との位相不整合量をΔkとしたときに、ΔkLc=πを満たすように形成する。
【0025】
また、波長変換素子11,12のドメイン反転グレーティング周期構造は、
Δk=2πnp/λp−2πns/λs−2πnc/λc
0=1/λp−1/λs−1/λc
を満たすように形成する。ここで、λp及びλsは、波長変換素子11,12に入力されるポンプ光及び信号光の波長を示し、λcは、波長変換素子11,12から出力される変換光の波長を示し、np,ns,ncはそれぞれ、波長λp,λs,λcの光に対する屈折率を示す。
【0026】
また、図1に示されるように、実施の形態1の波長変換装置は、ポンプ光P0を互いに同じ強度の第一のポンプ光P1及び第二のポンプ光P2に分波するハーフミラー21を有する。ハーフミラー21には、LN基板10のセンターライン10a上を通ってポンプ光P0が入射する。ポンプ光P0は、例えば、TM偏波であり、例えば、0.77μmの波長を持つ。さらに、実施の形態1の波長変換装置は、ハーフミラー21により反射した第一のポンプ光P1の進行方向を変えるミラー22及びミラー23を有する。また、実施の形態1の波長変換装置は、ハーフミラー21を透過した第二のポンプ光P2の進行方向を変えるミラー24、ミラー25、及びミラー26を有する。
【0027】
また、実施の形態1の波長変換装置は、信号光S0を第一の信号光S1と第二の信号光S2とに分波する偏光ビームスプリッタ(PBS)31を有する。信号光S0は、例えば、1.550μmの波長を持つ。また、実施の形態1の波長変換装置は、PBS31により取り出された第二の信号光S2であるTE偏波をTM偏波に変換する半波長板32を有する。
【0028】
また、実施の形態1の波長変換装置は、第一のポンプ光P1及び第一の信号光S1を波長変換素子11の入力端に導く第一のWDM(波長分割多重)カプラ41と、第二のポンプ光P2及び第二の信号光S2を波長変換素子12の入力端に導く第二のWDM(波長分割多重)カプラ42とを有する。
【0029】
また、実施の形態1の波長変換装置は、波長変換素子11により第一のポンプ光P1及び第一の信号光S1に基づいて生成された第一の変換光C1をTE偏波に変換する半波長板52を有する。さらに、実施の形態1の波長変換装置は、TE偏波に変換された第一の変換光C1と、波長変換素子12により第二のポンプ光P2及び第二の信号光S2に基づいて生成されたTM偏波である第二の変換光C2とを合波する偏光ビームスプリッタ(PBS)51を有する。
【0030】
尚、図1において、43及び53は、ミラーを示す。また、PBS31とPBS51とは、センターライン10a上の点を中心にして対称な位置に配置されている。
【0031】
上記構成を有する実施の形態1の波長変換装置においては、レーザ発生装置(図示せず)からのポンプ光P0がセンターライン(波長変換素子11,12から等距離にある線)10aに沿ってハーフミラー21に入射し、第一のポンプ光P1と第二のポンプ光P2に分波される。第一のポンプ光P1は、ミラー22及びミラー23で反射して第一のWDMカプラ41に入射する。第一のポンプ光P1は第一のWDMカプラ41で反射して、波長変換素子11の入力端に入射する。一方、ハーフミラー21を透過した第二のポンプ光P2は、ミラー24、ミラー25、ミラー26の順に反射して第二のWDMカプラ42に入射する。第二のポンプ光P2は第二のWDMカプラ42で反射して、第二の波長変換素子12の入力端に入射する。尚、二つ導波路、即ち、波長変換素子11,12に入射したポンプ光P1,P2は、互いに同じ強度になるようにハーフミラー21、ミラー22〜26、及びWDMカプラ41,42の配置を決定する。
【0032】
また、信号光S0はPBS31に入射して、TM偏波である第一の信号光S1とTE偏波である第二の信号光S2に分波される。TE偏波である第二の信号光S2は、半波長板32によって、TM偏波に変換される。第一の信号光S1は、第一のWDMカプラ41を通過して、波長変換素子11の入力端に入射する。第二の信号光S2は、第二のWDMカプラ42を通過して、波長変換素子12の入力端に入射する。
【0033】
波長変換素子11は、波長0.77μmのポンプ光P1と波長1.550μmの信号光S1によって、波長1.530μmの変換光C1を発生する。波長変換素子12は、波長0.77μmのポンプ光P2と波長1.550μmの信号光S2によって、波長1.530μmの変換光C2を発生する。波長変換素子11で発生した変換光C1はTM偏波であり、半波長板52によってTE偏波に変換してからPBS51に入射する。波長変換素子12で発生した変換光C2はTM偏波であり、そのままPBS51に入射する。PBS51は、変換光C1と変換光C2を合波し、TM偏波である変換光C0を出力する。
【0034】
以上の構成において、二つ導波路に入射したポンプ光の強度が同じであれば、波長変換効率が信号光の偏波方向によらずに一定である。言い換えれば、従来のように信号光を直線偏光に変換する必要がない。以下にその理由を詳細に説明する。
【0035】
図1に示した構成において、波長変換素子11,12に入射したポンプ光P1,P2のパワーをそれぞれEp1,Ep2とする。また、PBS31に入力される信号光のパワーをESとし、波長変換素子11,12に入射される第一の信号光S1と第二の信号光S2のパワーをそれぞれES1,ES2とすると、
S2=t(1−s21/2S 式(1)
S1=rsES 式(2)
が成り立つ。ここで、tは、PBS31による損失を考慮した透過効率であり、rは、PBS31と半波長板32による損失を考慮した透過効率であり、sは、PBS31による信号光の偏波方向に依存する分波比である。
【0036】
一方、波長変換素子11,12から出力される変換光C1,C2のパワーEC1, EC2は、
C1=ηEp1S1=tη(1−s21/2p1S 式(3)
C2=ηEp2S2=rηsEp2S 式(4)
と表すことができる。ここで、ηは、波長変換素子11,12の変換効率である。その結果、PBS51による合波後の変換光C0のパワーECは、
C={(rEC12+(tEC221/2 式(5)
である。ここで、tは、PBS51による損失を考慮した透過効率(PBS31による損失を考慮した透過効率と同じ値)であり、rは、半波長板52とPBS51による損失を考慮した透過効率(PBS31と半波長板32による損失を考慮した透過効率と同じ値)である。式(5)に、式(3)のEC1及び式(4)のEC2を代入することによって、
C=trηES{(1−s2)Ep1 2+s2p2 21/2 式(6)
となる。よって、変換光が信号光の偏波方向に依存させないためには、
p1=Ep2
を満足させる必要がある。
【0037】
以上説明したように、実施の形態1の波長変換装置によれば、2つ波長変換素子11,12に入射するポンプ光の強度を同じにすれば、信号光の偏波方向に依存することなく、一定な変換効率で波長変換することができる。よって、信号光を直線偏波に変換する必要がなく、損失の低減及び変換光の安定性を向上させることができる。
【0038】
実施の形態2
図3は、本発明の実施の形態2に係る波長変換装置のLN基板10上の構成を示す図である。実施の形態2の波長変換装置は、上記実施の形態1におけるWDMカプラ41,42、ハーフミラー21及びミラー22〜26に代えて、LN基板10上に形成された方向性結合器61,62及びY分岐素子63を備えた点が、上記実施の形態1の波長変換装置と相違する。実施の形態2においては、Y分岐素子63により、確実にポンプ光P0を同じ強度の第一のポンプ光及び第二のポンプ光P2に分波できる。また、方向性結合器61,62により、ポンプ光P1,P2と信号光S1,S2とを低損失に合波できる。
【0039】
実施の形態2の波長変換装置によれば、波長変換素子11,12に入射する第一のポンプ光P1、第二のポンプ光P2のパワーEp1,Ep2が同じであるので、実施の形態1の場合と同様に、変換効率が信号光の偏波に依存しない波長変換ができる。
【0040】
また、実施の形態2の波長変換装置においては、波長変換素子11,12に入射したポンプ光の強度が、製造過程におけるマスクやプロセスの精度で決定されるので、実施の形態1の装置よりも、一層安定で確実な偏波無依存の波長変換が実現できる。また、波長変換素子11,12、方向性結合器61,62及びY分岐素子63を単一のLN基板10に集積したので、装置の低コスト化を図ることができる。尚、実施の形態2において、上記以外の点は、上記実施の形態1と同一である。
【0041】
実施の形態3
図4は、本発明の実施の形態3に係る波長変換装置のLN基板10上の構成を示す図である。実施の形態3の波長変換装置においては、波長変換素子11,12の入力端11a,12a及び出力端11b,12bへの光の結合にファイバアレー71,72を用いている点のみが、実施の形態2の装置と相違する。ここで、ファイバアレー71及び72はモジュール化されており、波長変換素子11,12の入力端11a,12a及び出力端11b,12bに連結されている。ファイバアレー71は、互いに同じ長さを持つ複数本の偏波保持型ファイバを有し、ファイバアレー72は、互いに同じ長さを持つ複数本の偏波保持型ファイバを有する。また、ファイバアレー71において、入力光の波長が違うため、導波路にうまく光を導くように、ポンプ光用ファイバの中心が信号光ファイバより少し高くして(例えば、0.5μm)設置される。実施の形態3の波長変換装置によれば、波長変換素子11,12との光結合が簡単になり、装置の低コスト化を図ることができる。尚、実施の形態3において、上記以外の点は、上記実施の形態2と同一である。
【0042】
実施の形態4
図5は、本発明の実施の形態4に係る波長変換装置における光分波モジュール81の構成を示す図であり、図6は、本発明の実施の形態4の波長変換装置における光合波モジュール82の構成を示す図である。光分波モジュール81は、PBS31、半波長板32、反射ミラー43、DFBレーザ等のポンプ光光源83、レンズ84〜88によって構成される。光分波モジュール81の入力ファイバは、1.55μm偏波保持ファイバ(PMF:Polarization Maintained Fiber)であり、出力ファイバはそれぞれ偏波保持型の1.55μmPMFと0.78μmPMFである。分波された信号光の位相を一致させるため、2つの1.55μmPMFファイバの長さが同じになるように設定する。一方、光合波モジュール82は、PBS51、半波長板52、反射ミラー53、レンズ89〜91によって構成される。モジュール82の入力ファイバは偏波保持型の1.55μmPMFである。合波された変換光の位相を一致させるため、2つの1.55μmPMFファイバの長さが同じになるように設定する。
【0043】
図5に示した構成において、信号光S0はPBS31によって分離され、それぞれ1.55μmPMFファイバに結合される。TMモードの信号光S1はそのまま波長変換素子11の入力端に入射されるが、TEモードの信号光S2は半波長板32によってTMモードに変換されてから波長変換素子12の入力端に入力される。但し、ファイバを90度曲げてから波長変換素子12の入力端に入射される場合には、モジュール81内の半波長板32を省略できる。
【0044】
図6に示した構成において、変換光C1,C2はPBS51によって合波される。波長変換素子11からの変換光C1がTMモードであるので、半波長板52によってTEモードに変換してからPBS51に入力される。但し、ファイバを90度を曲げてかPBS51に入力される場合には、モジュール81内の半波長板52を省略できる。
【0045】
実施の形態4の波長変換装置によれば、モジュールと波長変換素子の光結合が容易になり、装置の低コスト化を図ることができる。
【0046】
実施の形態5
図7は、本発明の実施の形態5に係る波長変換装置のLN基板10上の構成を示す図である。実施の形態5の波長変換装置は、2つ波長変換素子11,12の出力端11b,12bを曲がり導波路92によって繋いでいる。また、変換光C1,C2が曲がり導波路92を伝搬した後に生じた位相差がちょうど2πの整数倍になるように曲がり導波路92の長さ及び曲がり半径を設計する。図7において、その他の部分は、上記実施の形態3の場合と同様である。
【0047】
また、図8は、図7の波長変換素子に信号光及びポンプ光を入力し、変換光を分波するモジュールの構成を示す図である。この光合分波モジュール93は、光サキュレータ94、PBS51、半波長板32(省略可能)、反射ミラー43、DFBレーザ83、レンズ85〜88、ポンプ光の戻り光を防ぐための光アイソレータ95を有する。モジュール93の入力ファイバは1.55μmSMFであり、出力ファイバはそれぞれ偏波保持型の1.55μmPMFと0.77μmPMFである。ここで、2つの1.55μmPMFファイバの長さが同じになるように設定する必要がない。
【0048】
上記構成を有する実施の形態5の装置においては、信号光S0は、光サーキュレータ94の第一ポートから入力され、第二ポートから出力され、PBS51に入射し、ここで第一の信号光S1と第二の信号光S2に分波される。第一の信号光S1は入力端11aから波長変換素子11に入力される。波長変換素子11は、出力端11bから第一のポンプP1光及び第一の信号光S1に基づいて第一の変換光C1を生成する。この第一の変換光C1は曲がり導波路92及び波長変換素子12を通過して、波長変換素子12の入力端12aから出力し、さらにファイバアレイ71を通過し、モジュール93の反射鏡43を介してPBS51に入力する。
【0049】
第二の信号光S2は入力端12aから波長変換素子12に入力される。波長変換素子12は、出力端12bから第二のポンプP2及び第二の信号光S2に基づいて第二の変換光C2を生成する。この第二の変換光C2は曲がり導波路92及び波長変換素子11を通過して、波長変換素子11の入力端11aから出力し、さらにファイバアレイ71を通過し、モジュール93のPBS51に入力する。
【0050】
PBS51は、第一の変換光C1と第二の変換光C2とを合波し、光サーキュレータ94の第二ポートから入力して、第三ポートから変換光C0を出力する。
【0051】
以上説明したように、実施の形態5においては、信号光S1及びS2の両方について、光路長や変換効率や光パワーは必ず同じまた対称的であるので、実施の形態1に述べた偏波無依存条件が自動的に満足する。よって、光入出力モジュールを一体化することができる。また、偏波無依存条件が緩和できる。その結果、安定な波長変換が容易に実現でき、低コスト化も可能になる。
【0052】
尚、上記実施の形態1〜5においては、LiNbO3基板により形成される波長変換素子を用いた波長変換装置について説明したが、基板材料はLiNbO3に限定されず、他の材料を用いてもよい。
【0053】
また、上記実施の形態1〜5においては、DFGよる波長変換素子を用いた波長変換装置について説明したが、SFGやFWMなどによる波長変換素子を用いることもできる。
【0054】
また、上記実施の形態1〜5においては、2次非線形定数が変調される周期構造を持つ波長変換素子を用いた波長変換装置について説明したが、本発明はこれには限定されず、屈折率が変調される周期構造を持つ他の波長変換素子を用いてもよい。
【0055】
また、上記実施の形態1〜5においては、ポンプ光がDFBレーザを例にして詳細に説明してきたが、分布ブラッグ反射型半導体(DBR)レーザやF−P(ファブリー・ペロ)LDによる外部共振器レーザを使用してもよい。
【0056】
また、上記実施の形態1〜5においては、PBSがポンプ光光源の左側に設置して、モジュールの構成を例にして詳細に説明してきたが、PBSがポンプ光光源の右側、或いは同じセンタラインに設置してもよい。
【0057】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、2つ波長変換素子11,12に入射するポンプ光の強度を同じにすれば、信号光の偏波方向に依存することなく、一定な変換効率で波長変換することができという効果がある。また、信号光を直線偏波に変換する必要がなく、損失の低減及び変換光の安定性を向上させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1に係る波長変換装置の構成を示す図である。
【図2】 図1の波長変換素子を示す説明図である。
【図3】 本発明の実施の形態2に係る波長変換装置のLN基板を示す図である。
【図4】 本発明の実施の形態3に係る波長変換装置のLN基板を示す図である。
【図5】 本発明の実施の形態4に係る波長変換装置の波長変換素子にポンプ光及び信号光を入射させるモジュールの構成を示す図である。
【図6】 本発明の実施の形態4に係る波長変換装置の波長変換素子から出力されて変換光を合波するモジュールの構成を示す図である。
【図7】 本発明の実施の形態5に係る波長変換装置の波長変換素子の構成を示す図である。
【図8】 本発明の実施の形態5に係る波長変換装置の波長変換素子から出力された変換光を分波及び合波するモジュールの構成を示す図である。
【符号の説明】
10 LN基板、 11,12 波長変換素子、 21 ハーフミラー、 22〜26 ミラー、 31 偏光ビームスプリッタ(PBS)、 32 半波長板、 41,42 WDMカプラ、 51 偏光ビームスプリッタ(PBS)、52 半波長板、 71,72 ファイバアレイ、 83 DFBレーザ、 92 曲がり導波路、 94 光サーキュレータ、 95 光アイソレータ、 P0 ポンプ光、 P1 第一のポンプ光、 P2 第二のポンプ光、 S0 信号光、 S1 第一の信号光、 S2 第二の信号光、 C0 変換光、 C1 第一の変換光、 C2 第二の変換光。

Claims (4)

  1. 非線形材料基板に形成され、擬似位相整合条件を満たす第一のドメイン反転グレーティング周期構造を持ち、該第一のドメイン反転グレーティング周期構造の第一の入力端及び該第一の入力端とは異なる位置の第一の出力端を有する第一の波長変換素子と、
    非線形材料基板に形成され、上記第一の波長変換素子と間隔をあけて平行に並ぶように配置され、上記第一のドメイン反転グレーティング周期構造と同じ構造の擬似位相整合条件を満たす第二のドメイン反転グレーティング周期構造を持ち、該第二のドメイン反転グレーティング周期構造の第二の入力端及び該第二の入力端とは異なる位置の第二の出力端を有する第二の波長変換素子と、
    ポンプ光を互いに同じ強度の第一のポンプ光及び第二のポンプ光に分波するポンプ光分波手段と、
    信号光を第一の信号光及び第二の信号光に分波する信号光分波手段と、
    第一のポンプ光及び第一の信号光を上記第一の波長変換素子の上記第一の入力端に導く第一の結合手段と、
    第二のポンプ光及び第二の信号光を上記第二の波長変換素子の上記第二の入力端に導く第二の結合手段と、
    上記第一の波長変換素子により第一のポンプ光及び第一の信号光に基づいて生成され上記第一の出力端から出力された第一の変換光と、上記第二の波長変換素子により第二のポンプ光及び第二の信号光に基づいて生成され上記第二の出力端から出力された第二の変換光とを合波する合波手段と、
    を有し、
    上記信号光分波手段は、第一の偏光ビームスプリッタと第一の半波長板とを含み、
    上記信号光分波手段による信号光の分波は、上記第一の偏光ビームスプリッタにより行われ、
    上記第一の偏光ビームスプリッタから出力される第一の信号光はTM偏波及びTE偏波の内の一方であり、上記第一の偏光ビームスプリッタから出力される第二の信号光はTM偏波及びTE偏波の内の他方であり、
    上記第一の半波長板により第二の信号光をTM偏波及びTE偏波の内の前記一方に変換し、
    上記合波手段は、第二の偏光ビームスプリッタと第二の半波長板とを含み、
    上記合波手段による信号光の合波は、上記第二の偏光ビームスプリッタにより行われ、
    上記第一の波長変換素子の上記第一の出力端から出力される第一の変換光と上記第二の波長変換素子の上記第二の出力端から出力される第二の変換光とは共にTM偏波及びTE偏波の内の前記一方であり、第一の変換光は上記第二の半波長板によりTM偏波及びTE偏波の内の前記他方に変換した後に上記第二の偏光ビームスプリッタに入力させ、第二の変換光はTM偏波及びTE偏波の内の前記一方のまま上記第二の偏光ビームスプリッタに入力させることによって、第一の変換光と第二の変換光とを合波し、
    上記第一及び第二のドメイン反転グレーティング周期構造の各々は、分極方向の異なる第一の領域と第二の領域とを交互に配列した構造を持ち、かつ、第一の領域と第二の領域の光伝搬方向の長さを共に同じ長さをLとし、第一の領域と第二の領域との位相不整合量をΔkとしたときに、ΔkL=πを満たすように構成した
    ことを特徴とする波長変換装置。
  2. 上記第一の結合手段に第一のポンプ光及び第一の信号光を導くと共に上記第二の結合手段に第二のポンプ光及び第二の信号光を導く第一のファイバアレイと、
    上記第一の波長変換素子の上記第一の出力端から出力された第一の変換光を上記合波手段に導くと共に上記第二の波長変換素子の上記第二の出力端から出力された第二の変換光を上記合波手段に導く第二のファイバアレイと、
    を有することを特徴とする請求項1に記載の波長変換装置。
  3. 上記第一のファイバアレイは、互いに長さが等しい複数本の偏波保持型ファイバを含み、
    上記第二のファイバアレイは、互いに長さが等しい複数本の偏波保持型ファイバを含む
    ことを特徴とする請求項2に記載の波長変換装置。
  4. 上記ポンプ光分波手段に入力されるポンプ光を発生させるポンプ光発生手段を有することを特徴とする請求項1からまでのいずれか一つに記載の波長変換装置。
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