JP5060226B2 - リソグラフィシステム、及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
CD=0.25λ/NA(1+σ)
本発明の種々の実施例を上に記載したが、それらはあくまでも例示であって、それらに限定されるものではない。本発明の精神と範囲に反することなく種々に変更することができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。本発明の範囲と精神は上記で述べた例示に限定されるものではなく、請求項とその均等物によってのみ定義されるものである。
Claims (17)
- 放射ビームを変調するパターニングデバイスと、
変調された放射ビームを基板の目標部分に投影する投影系と、
入力パターンファイルから、前記パターニングデバイスを制御するために、ピクセルマップを形成するデータパスハードウェアと、
前記ピクセルマップを形成するために要求デバイスレイアウトパターンを前記データパスハードウェアに直接入力する代わりに、前記要求デバイスレイアウトパターンを、要求デバイスレイアウトパターンの空間周波数制限型表示である前記データパスハードウェアへの前記入力パターンファイルに変換する変換システムと、を備え、
前記空間周波数制限型表示は、前記投影系により結像される空間周波数のみを含むことを特徴とするリソグラフィシステム。 - 前記空間周波数制限型表示に含まれる空間周波数は、前記投影系により結像される空間周波数により決定される閾値より小さいことを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィシステム。
- 前記空間周波数制限型表示は、前記投影系により結像され得ない空間周波数の欠落を補正する部分を備えることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィシステム。
- 前記パターニングデバイスは、前記要求デバイスレイアウトパターンを生成するマスクを備え、
前記変換システムは、前記マスクにより基板に投影されるドーズ量パターンを計算し、計算されたドーズ量パターンを前記空間周波数制限型表示として使用することを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィシステム。 - 前記マスクは光近接効果補正を備えることを特徴とする請求項4に記載のリソグラフィシステム。
- 前記変換システムにより生成される前記空間周波数制限型表示は、ドーズトゥクリアコンターのマップに、該ドーズトゥクリアコンターに沿うドーズ量の空間微分の少なくとも1種に関する情報を組み合わせたものを備えることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィシステム。
- ドーズトゥクリアコンターに沿うドーズ量の空間微分の少なくとも1種に関する情報は、規格化像光強度対数勾配値またはレジストプロファイルを備えることを特徴とする請求項6に記載のリソグラフィシステム。
- 前記パターニングデバイスはレーザダイオードアレイであることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィシステム。
- パターニングデバイスを用いて放射ビームを変調することと、
変調された放射ビームを基板の目標部分に投影系を用いて投影することと、
入力パターンファイルを、パターニングデバイスを制御するために、ピクセルマップにデータパスハードウェアを用いて変換することと、
要求デバイスレイアウトパターンを、該要求デバイスレイアウトパターンの空間周波数制限型表示に変換することと、
前記要求デバイスレイアウトパターンを前記データパスハードウェアに直接入力する代わりに、前記要求デバイスレイアウトパターンの空間周波数制限型表示を前記データパスハードウェアへの入力パターンファイルとして使用することと、を含み、
前記空間周波数制限型表示は、前記投影系により結像され得る空間周波数のみを含むことを特徴とするデバイス製造方法。 - 前記空間周波数制限型表示に含まれる空間周波数は、前記投影系により結像され得る空間周波数により決定される閾値より小さいことを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記空間周波数制限型表示は、前記投影系により結像され得ない空間周波数の欠落を補正する部分を含むよう生成されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記要求デバイスレイアウトパターンの前記空間周波数制限型表示への変換は、
前記パターニングデバイスとしてマスクを使用することと、
前記要求デバイスレイアウトパターンを生成するよう設計されている前記マスクによるドーズ量パターンを計算することと、
計算されたドーズ量パターンを前記空間周波数制限型表示として使用することと、を含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。 - 前記マスクに光近接効果補正を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 変換ステップは、ドーズトゥクリアコンターのマップに、該ドーズトゥクリアコンターに沿うドーズ量の空間微分の少なくとも1種に関する情報を組み合わせたものを備える空間周波数制限型表示を生成することを特徴とする請求項9に記載の方法。
- ドーズトゥクリアコンターに沿うドーズ量の空間微分の少なくとも1種に関する情報は、規格化像光強度対数勾配値またはレジストプロファイルを備えることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記パターニングデバイスはレーザダイオードアレイであることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 放射ビームを変調するパターニングデバイスと、
変調された放射ビームを基板に投影する投影系と、
要求デバイスレイアウトパターンを、前記投影系により結像される空間周波数のみを含む入力パターンファイルに変換する変換システムと、
前記パターニングデバイスを制御するために前記入力パターンファイルに基づく演算をするデータパスハードウェアと、を備えることを特徴とするリソグラフィシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/522,533 | 2006-09-18 | ||
US11/522,533 US8049865B2 (en) | 2006-09-18 | 2006-09-18 | Lithographic system, device manufacturing method, and mask optimization method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008078652A JP2008078652A (ja) | 2008-04-03 |
JP5060226B2 true JP5060226B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=39188202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007240425A Active JP5060226B2 (ja) | 2006-09-18 | 2007-09-18 | リソグラフィシステム、及びデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8049865B2 (ja) |
JP (1) | JP5060226B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7403265B2 (en) * | 2005-03-30 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing data filtering |
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JP5294490B2 (ja) * | 2009-12-22 | 2013-09-18 | 株式会社ブイ・テクノロジー | フォトマスク |
US8373144B1 (en) * | 2010-08-31 | 2013-02-12 | Kla-Tencor Corporation | Quasi-annular reflective electron patterning device |
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---|---|---|---|---|
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-
2006
- 2006-09-18 US US11/522,533 patent/US8049865B2/en active Active
-
2007
- 2007-09-18 JP JP2007240425A patent/JP5060226B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080068569A1 (en) | 2008-03-20 |
JP2008078652A (ja) | 2008-04-03 |
US8049865B2 (en) | 2011-11-01 |
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Date | Code | Title | Description |
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