JP2008047887A - 光学インテグレータ - Google Patents

Abstract

【課題】ビームの強度分布の均一性およびビームのテレセントリック性の少なくとも一方を改善する。
【解決手段】露光装置において光を修正するための第１サーフェス、第２サーフェスを有する光学インテグレータに関する。第１サーフェスは、反射性を有し、ボリュームを規定し、光学照射系内に光軸に沿って光軸を取り囲むように配置され、当該第１サーフェスに対して入射するパスに沿った光を反射するように構成される。第２サーフェスは、ボリューム内に配置され、準反射性を有する第１セクションを含み、第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分を反射し、当該第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第２の部分を透過するよう構成される。第２サーフェスは、光の反射回数を増加させ、光の強度分布の均一性を改善する。
【選択図】図６

Description

本発明は、光学インテグレータに関する。

露光装置は、所望のパターンを基板または基板の一部に転写する機械である。露光装置は例えばフラットパネルディスプレイや集積回路（ＩＣ）、微細構造を有する他のデバイスの製造に用いられる。通常は例えばマスクまたはレチクルと称されるパターニング用デバイスを使用して、フラットパネルディスプレイ（または他のデバイス）の各層に対応した回路パターンを形成する。このパターンは、基板に塗布された照射感応材料（レジスト）層への像形成により基板（例えばガラスプレート）の全体または一部に転写される。

パターニング手段を使用して、回路パターンではなく例えばカラーフィルタのパターンやドットのマトリックス状配列などの他のパターンを形成する場合もある。パターニング用デバイスは、それぞれ個別に制御可能である素子の配列（以下「個別制御可能素子アレイ」という場合もある）を備えるパターニングアレイをマスクの代わりに備えてもよい。このような方式ではマスクを使用する方式に比べて迅速かつ低コストにパターンを変更することができる。

フラットパネルディスプレイの基板は通常長方形である。この種の基板を露光するための露光装置は、長方形基板の幅全体またはその一部（例えば全幅の半分）をカバーする露光空間を有するように設計される。この露光空間の最下部で基板が走査されるとともに、マスク又はレチクルが基板の走査に同期してビームに対して走査される。このようにして基板にパターンが転写される。露光空間が基板の幅全体をカバーする場合には１回の走査で露光が完了する。露光空間が例えば基板の幅の半分をカバーする場合には、１回目の露光後に横方向に基板を移動させ、通常は基板の残りを露光するための走査をもう一度行う。

露光装置は、光学照射系を備える。光学照射系ではしばしば、光軸（光軸はビームの伝搬方向を定義する）に対して垂直な平面において輝度が実質的に均一な分布を有するテレセントリック（telecentric）なビームが要求される。あいにく光源は通常、ガウシアン分布の強度を有し、および（または）比較的テレセントリック性の低いビームを生成するため、こうした状況にあるビームを修正して補償する目的で、光学照射系にはしばしば光学デバイスが設けられる。多くの光学照射系において、この光学デバイスは光学インテグレータである。

光学インテグレータは、（１）光軸を取り囲むよう構成された表面、もしくは（２）光軸を挟む２つの分離した表面、を有する物体である。光学インテグレータの内部のボリュームは、光源にて生成される光の波長に対して透明な材料で形成される物体や、ガス、もしくは真空である。光学照射系はビームを光学インテグレータに入射させるように構成され、光が表面で反射され、その結果、光学インテグレータから出射するビームはより均一な強度分布を有し、および（または）よりテレセントリックとなる。

ビームの強度分布の均一性およびビームのテレセントリック性は、一般的に光学インテグレータ内で光が経る反射の回数に応じて増大する。典型的に、反射の回数は、（１）光軸に沿った光学インテグレータの長さを長くし、または（２）光学インテグレータの光軸に垂直な平面上の、光学インテグレータの表面で輪郭が規定されるエリアの面積を小さくすることによって増加する。

光学インテグレータの長さを増加させると、光学照射系の長さの増加を引き起こし、ビームのエネルギが吸収される度合いが増加する。光学インテグレータの光軸に垂直な平面上の、光学インテグレータの表面で定義されるエリアの面積を小さくすると、光学インテグレータの出口に通常配置されるリレーレンズの拡大率が大きくなる。いずれのアプローチも、光学インテグレータのコストおよび複雑さを増加させる。必要なのは比較的短い長さを有し、光軸に垂直な平面上の、光学インテグレータの表面によって規定されるエリアの面積が比較的大きな光学インテグレータであり、さらには、その表面において比較的多くの回数の反射を生じさせるように構成された光学インテグレータである。

本発明のある態様は光学インテグレータに関する。ある態様の光学インテグレータは、第１サーフェスと第２サーフェスを備える。第１サーフェスは反射性を有し、ボリューム（volume）の輪郭を規定し、光学照射系内に光軸に沿って光軸を取り囲むように配置され、第１サーフェスに対して入射するパスに沿った光を反射するように構成される。第２サーフェスは、ボリューム内に配置され、準反射性を有する第１セクションを含む。第２サーフェスの第１セクションは、当該第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分を反射し、第２サーフェスの第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第２の部分を透過するよう構成される。第１サーフェスの内部に第２サーフェスを設けることによって、光軸に沿ったある長さと、光軸に垂直な平面上の第１サーフェスによって輪郭が規定されるあるエリアにて生ずる、光の反射の回数が増加する。

別の態様の光学インテグレータは、第１サーフェスと第２サーフェスを備える。第１サーフェスは反射性を有し、ボリュームを規定し、光学照射系内に光軸に沿って光軸を取り囲むように配置され、当該第１サーフェスに対して入射するパスに沿った光を反射するように構成される。第２サーフェスは、ボリューム内に配置され、少なくとも準反射性を有する第１セクションを含む。第２サーフェスの第１セクションは、第２サーフェスの第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分を反射するよう構成される。ボリュームはガスまたは真空である。

さらに別の態様の光学インテグレータは、第１、第２、第３サーフェスを備える。第１、第２サーフェスは、反射性を有し、ボリュームの輪郭を規定し、光学照射系内に光軸に沿って、光軸が第１、第２サーフェスの間に位置するように配置される。第１、第２サーフェスは、第１サーフェスに対して入射するパスに沿った光を反射し、第２サーフェスに対して入射するパスに沿った光を反射するように構成される。第３サーフェスは、ボリューム内に配置され、少なくとも準反射性を有する第１セクションを含む。第２サーフェスは第１サーフェスと分離している。第３サーフェスの第１セクションは、当該第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分を反射するよう構成される。

本発明は、ビームの強度分布の均一性およびビームのテレセントリック性の少なくとも一方を改善する方法に関する。この方法のある態様において、第１サーフェスに対して入射するパスに沿った光が、当該第１サーフェスから反射される。第２サーフェスの第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分が、当該第２サーフェスの第１セクションから反射される。第２サーフェスの第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第２の部分が、当該第２サーフェスの第１セクションから透過される。第１サーフェスはボリュームを規定し、第２サーフェスはボリューム内に配置される。

この方法の別の態様において、第１サーフェスに対して入射するパスに沿った光が、当該第１サーフェスから反射する。第２サーフェスの第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分が、当該第２サーフェスの第１セクションから反射する。第１サーフェスはボリュームを規定し、第２サーフェスはボリューム内に配置される。ボリュームはガスを含み、または真空である。

この方法の別の態様において、第１サーフェスに対して入射するパスに沿った光が、当該第１サーフェスから反射する。第２サーフェスに対して入射するパスに沿った光が、当該第２サーフェスから反射する。第３サーフェスの第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分が、当該第３サーフェスの第１セクションから反射する。第１、第２サーフェスはボリュームを規定する。第３サーフェスはボリューム内に配置される。第２サーフェスは第１サーフェスと分離している。

本発明の更なる実施形態や特徴、効果は、本発明のさまざまな実施形態の構成及び作用とともに添付図面を参照して以下に詳細に説明される。

いくつかの本発明に係る実施の形態について、図面を参照して説明する。図面において、同一の符号は同一または機能的に同等の要素を示すものとする。さらに、符号の最も左の桁はその符号が最初に現れる図面を示している。

以下では特定の構成について説明されるが、これは単に本発明の実施例をわかりやすく説明するためのものにすぎないと理解すべきである。当業者であれば本発明の趣旨を逸脱することなく他の構成を用いることが可能であると理解できよう。また当業者であれば本発明を他の多数の分野にも適用可能であることも明らかであろう。

本明細書に記述されている、「ある実施の形態」、「実施例」などと記される「実施の形態」は、ある特定の特徴、構造、性質を含むが、全ての実施の形態が必ずしもその特定の特徴、構造、性質を含むとは限らない。さらに、それらの語は必ずしも同一の実施の形態を示すとは限らない。さらに、ある特定の特徴、構成、性質がある実施の形態に関連づけて記述される場合に、別の実施の形態に関連するこのような特徴、構成、性質にも影響することは当業者に理解されるところである。

本発明の実施の形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェアあるいはこれらの組み合わせによって実現できる。本発明の実施の形態はまた、マシン読み取り可能な媒体に記録され、プロセッサにより読み出し、実行可能な命令としても実現可能である。マシン読み取り可能な媒体は、マシン（たとえばコンピュータデバイス）により読み出し可能な形式の情報をストアし、転送する機能を含んでもよい。たとえば、マシン読み出し可能な媒体は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、磁気ディスク記録媒体、光学記録媒体、フラッシュメモリ装置、電気、光学、音響その他の形式の伝搬信号（たとえば搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）などを含む。さらに、ここでのファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令は、ある動作を実行するものとして記述される。しかしながら、これらの記述は単に便宜的なものであって、これらの動作が、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行するコンピュータ装置、プロセッサ、コントローラ、その他の装置の結果生ずることは理解されよう。

図１は本発明の実施形態に係る露光装置１を模式的に示す図である。この装置は、照明光学系ＩＬ、パターニング用デバイスＰＤ、基板テーブルＷＴ、及び投影光学系ＰＳを備える。照明光学系（照明器）ＩＬは放射ビームＢ（例えばＵＶ放射）を調整するよう構成されている。

基板テーブルＷＴは、基板（例えばレジストが塗布された基板）Ｗを支持するよう構成されており、あるパラメタに従って基板を正確に位置決めする位置決め装置ＰＷに接続されている。

投影光学系（例えば屈折投影レンズ光学系）ＰＳは、個別制御可能素子アレイにより変調された放射ビームを基板Ｗの（例えば１つ又は複数のダイからなる）目標部分Ｃに投影するよう構成されている。
本明細書では投影光学系または投影系という用語は、使用される露光光、あるいは液浸露光用液体や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影光学系をも包含するよう広く解釈されるべきである。投影光学系には例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では「投影レンズ」という用語は、より一般的な用語である投影光学系または投影系という用語と同義に用いられ得る。

照明光学系は、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、あるいは他の種類の光学素子などの各種の光学素子、またはこれらの組合せを含み、放射ビームの向きや形状、あるいは他の特性を制御するためのものである。

パターニング用デバイスＰＤ（例えばレチクル、マスク、または個別制御可能素子アレイ）はビームを変調する。普通は個別制御可能素子アレイは投影光学系ＰＳに対して位置が固定されるが、あるパラメタに従って正確に位置決めする位置決め装置に接続されていてもよい。

本明細書において「パターニング用デバイス」または「コントラストデバイス」なる用語は、例えば基板の目標部分にパターンを生成する等、放射ビーム断面を変調するのに用い得るいかなるデバイスをも示すよう広く解釈されるべきである。これらのデバイスは静的なパターニング用デバイス（例えばマスクやレチクル）であってもよいし、動的なパターニング用デバイス（例えばプログラム可能な素子の配列）であってもよい。簡単のために本説明のほとんどは動的パターニング用デバイスの観点でなされているが、本発明の範囲を逸脱することなく静的パターニング用デバイスを用いることも可能であるものと理解されたい。

放射ビームに付与されるパターンは、パターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを例えば含む場合には基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に一致していなくてもよい。また、基板に最終的に形成されるパターンは、個別制御可能素子アレイ上に形成されるパターンにどの時点においても一致しないようになっていてもよい。このような事態は、基板の各部に形成される最終的なパターンが所定時間または所定回数の露光の重ね合わせにより形成され、かつこの所定の露光中に個別制御可能素子アレイ上のパターン及び／またはアレイと基板との相対位置が変化する場合に起こりうる。

通常、基板の目標部分に生成されるパターンは、その目標部分に生成されるデバイス例えば集積回路やフラットパネルディスプレイの特定の機能層に対応する（例えばフラットパネルディスプレイのカラーフィルタ層や薄膜トランジスタ層）。パターニング用デバイスの例としては、レチクル、プログラマブルミラーアレイ、レーザダイオードアレイ、ＬＥＤアレイ、グレーティングライトバルブ、及びＬＣＤアレイなどがある。

電子的手段（例えばコンピュータ）によりパターンをプログラム可能であるパターニング用デバイスは、例えば複数のプログラム可能な素子を含むパターニング用デバイス（例えば１つ前の文章に挙げたものではレチクルを除くすべてのものが該当する）であり、本明細書では総称して「コントラストデバイス」と呼ぶこととする。一実施例ではパターニング用デバイスは少なくとも１０個のプログラム可能な素子を備え、または例えば少なくとも１００個、少なくとも１０００個、少なくとも１００００個、少なくとも１００，０００個、少なくとも１，０００，０００個、または少なくとも１０，０００，０００個のプログラム可能な素子を備えてもよい。

プログラマブルミラーアレイは、粘弾性制御層と反射表面とを有するマトリックス状のアドレス指定可能な表面を備えてもよい。この装置の基本的な原理は例えば、反射表面のうちアドレス指定されている区域が入射光を回折光として反射する一方、アドレス指定されていない区域が入射光を非回折光として反射するというものである。適当な空間フィルタを用いることにより、反射光ビームから非回折光を取り除いて回折光だけを基板に到達させるようにすることができる。このようにして、マトリックス状のアドレス指定可能表面にアドレス指定により形成されるパターンに従ってビームにパターンが付与される。

なお代替例として、フィルタにより回折光を取り除いて基板に非回折光を到達させるようにしてもよい。

同様にして回折光学ＭＥＭＳ（微小電気機械システム）デバイスを用いることもできる。一例としては、回折光学ＭＥＭＳデバイスは、入射光を回折光として反射する回折格子を形成するよう変形される複数の反射性のリボン状部位を備える。

プログラマブルミラーアレイの他の例においては、マトリックス状の微小ミラーの配列が用いられる。各微小ミラーは局所的に電界を適宜付与されることによりまたは圧電駆動手段を使用することにより各々が独立に軸周りに傾斜しうる。繰り返しになるが、ミラーはマトリックス状にアドレス指定可能に構成されており、アドレス指定されたミラーは入射する放射ビームをアドレス指定されていないミラーとは異なる方向に反射する。このようにしてマトリックス状のアドレス指定可能なミラーにより形成されるパターンに従って反射ビームにパターンが付与されうる。必要とされるマトリックス状アドレス指定は、適宜の電子的手段を使用して実行することができる。

パターニング用デバイスＰＤの他の例はプログラム可能なＬＣＤアレイである。

露光装置は１つ以上のコントラストデバイスを備えてもよい。例えば、露光装置は、複数の個別制御可能素子アレイを有し、それぞれの素子が互いに独立に制御されるものであってもよい。この構成においては、個別制御可能素子アレイのうちのいくつかのアレイまたはすべてのアレイが少なくとも１つの照明光学系（または照明光学系の一部）を共有していてもよい。斯かるアレイは当該アレイ用の支持構造及び／または投影光学系（または投影光学系の一部）を共有していてもよい。

一実施例としては、図１に示される実施形態のように、基板Ｗは実質的に円形状である。基板Ｗは周縁部にノッチ及び／または平坦部を有していてもよい。一実施例としては、基板は例えば長方形などの多角形形状でもよい。

基板の形状が実質的に円形の場合、基板の直径は少なくとも２５ｍｍであってもよく、または例えば少なくとも５０ｍｍ、少なくとも７５ｍｍ、少なくとも１００ｍｍ、少なくとも１２５ｍｍ、少なくとも１５０ｍｍ、少なくとも１７５ｍｍ、少なくとも２００ｍｍ、少なくとも２５０ｍｍ、または少なくとも３００ｍｍであってもよい。一実施例では、基板の直径は長くても５００ｍｍ、長くても４００ｍｍ、長くても３５０ｍｍ、長くても３００ｍｍ、長くても２５０ｍｍ、長くても２００ｍｍ、長くても１５０ｍｍ、長くても１００ｍｍ、または長くても７５ｍｍである。

基板が例えば長方形などの多角形の場合、基板の少なくとも１辺の長さ、または例えば少なくとも２辺または少なくとも３辺の長さが、少なくとも５ｃｍであってもよく、または例えば少なくとも２５ｃｍ、少なくとも５０ｃｍ、少なくとも１００ｃｍ、少なくとも１５０ｃｍ、少なくとも２００ｃｍ、または少なくとも２５０ｃｍであってもよい。

一実施例では、基板の少なくとも１辺の長さが、長くても１０００ｃｍ、または例えば長くても７５０ｃｍ、長くても５００ｃｍ、長くても３５０ｃｍ、長くても２５０ｃｍ、長くても１５０ｃｍ、または長くても７５ｃｍである。

一実施例においては、基板Ｗはウエハであり、例えば半導体ウエハである。一実施例ではウエハの材料は、Ｓｉ（ケイ素）、ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）、ＳｉＧｅＣ（シリコンゲルマニウムカーボン）、ＳｉＣ(炭化ケイ素)、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＧａＡｓ(ガリウムヒ素)、ＩｎＰ（インジウムリン）、ＩｎＡｓ（インジウムヒ素）から成るグループから選択される。一実施例ではウエハはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハである。一実施例ではウエハはシリコンウエハである。一実施例では基板はセラミック基板である。一実施例では基板はガラス基板である。一実施例では基板はプラスチック基板である。一実施例では基板は（ヒトの裸眼で）透明である。一実施例では基板は有色である。一実施例では基板は無色である。

この基板の厚さは例えば基板材料及び／または基板寸法に応じてある程度変更される。一実施例では、基板の厚さは、少なくとも５０μｍであり、または例えば少なくとも１００μｍ、少なくとも２００μｍ、少なくとも３００μｍ、少なくとも４００μｍ、少なくとも５００μｍ、または少なくとも６００μｍである。一実施例では、基板の厚さは、厚くても５０００μｍ、例えば厚くても３５００μｍ、厚くても２５００μｍ、厚くても１７５０μｍ、厚くても１２５０μｍ、厚くても１０００μｍ、厚くても８００μｍ、厚くても６００μｍ、厚くても５００μｍ、厚くても４００μｍ、または厚くても３００μｍである。

基板は露光前または露光後において例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、計測装置、及び／または検査装置により処理されてもよい。一実施例ではレジスト層が基板に設けられる。

投影系は、個別制御可能素子アレイにおけるパターンが基板上にコヒーレントに形成されるように当該パターンの像を形成する。これに代えて投影系は二次光源の像を形成してもよく、この場合個別制御可能素子アレイの各素子はシャッタとして動作してもよい。この場合には投影系は、例えば二次光源を形成し基板上にスポット状に像形成するために、例えばマイクロレンズアレイ（ｍｉｃｒｏ ｌｅｎｓ ａｒｒａｙ、ＭＬＡとして知られている）やフレネルレンズアレイなどの合焦用素子のアレイを含んでもよい。一実施例では合焦用素子のアレイ（例えばＭＬＡ）は少なくとも１０個の合焦用素子を備え、または例えば少なくとも１００個、少なくとも１０００個、少なくとも１００００個、少なくとも１００，０００個、または少なくとも１，０００，０００個の合焦用素子を備えてもよい。

一実施例においては、パターニング用デバイスにおける個別制御可能素子の数と合焦用素子のアレイにおける合焦用素子の数とは等しいか、あるいは、パターニング用デバイスにおける個別制御可能素子の数が合焦用素子のアレイにおける合焦用素子の数よりも多い。一実施例では、合焦用素子のアレイにおける１つ以上（例えばたいていは各アレイにつき１０００以上）の合焦用素子は、個別制御可能素子アレイにおける１つ以上（例えば２つ以上、または３つ以上、５つ以上、１０以上、２０以上、２５以上、３５以上、または５０以上）の個別制御可能素子に光学的に連関していてもよい。

一実施例では、ＭＬＡは、少なくとも基板に近づく方向及び遠ざかる方向に例えば１以上のアクチュエータを用いて移動可能である。基板に近づく方向及び遠ざかる方向にＭＬＡを移動させることができる場合には、基板を動かすことなく例えば焦点合わせをすることが可能となる。

図１及び図２に示されるように本装置は反射型（例えば反射型の個別制御可能素子アレイを用いる）である。透過型（例えば透過型の個別制御可能素子アレイを用いる）の装置を代替的に用いてもよい。

露光装置は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板テーブルを備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては、追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルで露光が行われている間に１以上の他のテーブルで準備工程が実行されるようにしてもよい。

露光装置は、基板の少なくとも一部が「液浸露光用の液体」で覆われるものであってもよい。この液体は比較的高い屈折率を有する例えば水などの液体であり、投影系と基板との間の空隙を満たす。液浸露光用の液体は、例えばパターニング用デバイスと投影系との間などの露光装置の他の空間に適用されるものであってもよい。液浸技術は投影系の開口数を増大させる技術として周知である。本明細書では「液浸」という用語は、基板等の構造体が液体に完全に浸されているということを意味するのではなく、露光の際に投影系と基板との間に液体が存在するということを意味するに過ぎない。

図１に示されるように照明器ＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。一実施例では、放射源により、少なくとも５ｎｍ、または例えば少なくとも１０ｎｍ、少なくとも１１〜１３ｎｍ、少なくとも５０ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、少なくとも１７５ｎｍ、少なくとも２００ｎｍ、少なくとも２５０ｎｍ、少なくとも２７５ｎｍ、少なくとも３００ｎｍ、少なくとも３２５ｎｍ、少なくとも３５０ｎｍ、または少なくとも３６０ｎｍの波長を有する放射が供される。一実施例では、放射源ＳＯにより供される放射は、長くても４５０ｎｍ、または例えば長くても４２５ｎｍ、長くても３７５ｎｍ、長くても３６０ｎｍ、長くても３２５ｎｍ、長くても２７５ｎｍ、長くても２５０ｎｍ、長くても２２５ｎｍ、長くても２００ｎｍ、または長くても１７５ｎｍの波長を有する。一実施例では、この放射は、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、及び／または１２６ｎｍの波長を含む。

例えば光源がエキシマレーザである場合には、光源と露光装置とは別体であってもよい。この場合、光源は露光装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源ＳＯから照明器ＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当な方向変更用ミラー及び／またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは光源が水銀ランプである場合には、光源は露光装置に一体に構成されていてもよい。光源ＳＯと照明器ＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系と総称される。

照明器ＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般にはアジャスタＡＤにより、照明器の瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外径及び／または内径（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えて照明器ＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。照明器はビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。照明器ＩＬ及び追加の関連構成要素は放射ビームを複数の分割ビームに分割するように構成されていてもよい。例えば各分割ビームが個別制御可能素子アレイにおける１つまたは複数の個別制御可能素子に対応するように構成してもよい。放射ビームを分割ビームに分割するのに例えば二次元の回折格子を用いてもよい。本明細書においては「放射ビーム」という用語は、放射ビームがこれらの複数の分割ビームを含むという状況も包含するが、これに限定されないものとする。

放射ビームＢは、パターニング用デバイスＰＤ（例えば、個別制御可能素子アレイ）に入射して、当該パターニング用デバイスにより変調される。放射ビームはパターニング用デバイスＰＤにより反射され、投影系ＰＳを通過する。投影系ＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦させる。位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ２（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴは正確に移動され、例えば放射ビームＢの経路に異なる複数の目標部分Ｃをそれぞれ位置決めするように移動される。また、個別制御可能素子アレイ用の位置決め手段が設けられ、例えば走査中にビームＢの経路に対してパターニング用デバイスＰＤの位置を正確に補正するために用いられてもよい。

一実施例においては、ロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により基板テーブルＷＴの移動を実現する。ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールは図１には明示されていない。一実施例では基板テーブルＷＴを移動させるためのショートストロークモジュールを省略してもよい。個別制御可能素子アレイを位置決めするためにも同様のシステムを用いることができる。必要な相対運動を実現するために、対象物テーブル及び／または個別制御可能素子アレイの位置を固定する一方、放射ビームＢを代替的にまたは追加的に移動可能としてもよいということも理解されよう。この構成は装置の大きさを小さくするのに役立ち得る。例えばフラットパネルディスプレイの製造に適用可能な更なる代替例として、基板テーブルＷＴ及び投影系ＰＳを固定し、基板Ｗを基板テーブルＷＴに対して移動させるように構成してもよい。例えば基板テーブルＷＴは、実質的に一定の速度で基板Ｗを走査させるための機構を備えてもよい。

図１に示されるように放射ビームＢはビームスプリッタＢＳによりパターニング用デバイスＰＤに向けられるようにしてもよい。このビームスプリッタＢＳは、放射ビームがまずビームスプリッタＢＳにより反射されてパターニング用デバイスＰＤに入射するように構成される。ビームスプリッタを使わずに放射ビームをパターニング用デバイスに入射させるようにすることもできる。一実施例では放射ビームは０度から９０度の間の角度でパターニング用デバイスに入射する。または例えば５度から８５度の間、１５度から７５度の間、２５度から６５度の間、または３５度から５５度の間の角度であってもよい（図１には９０度の例が示されている）。パターニング用デバイスＰＤは放射ビームＢを変調し、再度ビームスプリッタＢＳに向かって戻るように放射ビームＢを反射する。ビームスプリッタＢＳは変調されたビームを投影系ＰＳへと伝達する。しかしながら放射ビームＢをパターニング用デバイスＰＤに入射させ、そのまま更に投影系ＰＳに入射させるという代替的な構成も可能であることも理解されよう。特に透過型のパターニング用デバイスが用いられる場合には図１に示される構成は必要とはされない。

図示の装置はいくつかのモードで使用することができる。

１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射で目標部分Ｃに投影される間、個別制御可能素子アレイ及び基板は実質的に静止状態とされる（すなわち１回の静的な露光）。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズによって、１回の静的露光で結像される目標部分Ｃの寸法が制限されることになる。

２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、個別制御可能素子アレイ及び基板は同期して走査される（すなわち１回の動的な露光）。個別制御可能素子アレイに対する基板の速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが１回の動的露光での目標部分Ｃの（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分の（走査方向の）長さを決定する。

３．パルスモードにおいては、個別制御可能素子アレイは実質的に静止状態とされ、パルス放射源により基板Ｗの目標部分Ｃにパターンの全体が投影される。基板テーブルＷＴが実質的に一定の速度で移動して、ビームＢは基板上を線状に走査させられる。個別制御可能素子アレイ上のパターンは放射系からのパルス間に必要に応じて更新される。パルス照射のタイミングは、基板上の複数の目標部分Ｃが連続して露光されるように調整される。その結果、基板上の１つの短冊状領域にパターンが完全に露光されるようビームＢにより基板Wが走査されることになる。この短冊状領域の露光を順次繰り返すことにより基板Ｗは完全に露光される。

４．連続スキャンモードは基本的にパルスモードと同様である。異なるのは、変調された放射ビームＢに対して基板Ｗが実質的に等速で走査され、ビームＢが基板Ｗ上を走査し露光しているときに個別制御可能素子アレイ上のパターンが更新されることである。個別制御可能素子アレイのパターンの更新に同期させるようにした、実質的に一定の放射源またはパルス放射源を用いることができる。

５．ピクセルグリッド結像モードでは、基板Ｗに形成されるパターンはスポット状の露光を連続的に行うことにより実現される。このモードは図２の露光装置を使用して実現することができる。このスポット状の露光はスポット発生器により形成され、スポット発生器はパターニング用デバイスＰＤに適切に方向付けられて配置されている。スポット状の露光はそれぞれ実質的に同形状である。基板Ｗ上には露光スポットにより最終的に実質的に格子が描かれる。一実施例では、このスポットの寸法は最終的に基板上に描かれる格子のピッチよりも大きいが、毎回の露光時に露光スポットが形成する格子の大きさよりもかなり小さい。転写されるスポットの強度を変化させることによりパターンが形成される。露光照射の合間に各スポットの強度分布が変更される。

上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別のモードで使用してもよい。

リソグラフィでは基板上のレジスト層にパターンが露光される。そしてレジストが現像される。続いて追加の処理工程が基板に施される。基板の各部分へのこれらの追加の処理工程の作用は、レジストへの露光の程度によって異なる。特にこの処理は、所与の線量閾値を超える照射量を受けた基板の部位が示す反応と、その閾値以下の照射量を受けた部位が示す反応とが異なるように調整されている。例えば、エッチング工程においては上記の閾値を超える照射量を受けた基板上の区域は、レジスト層が現像されることによりエッチングから保護される。一方、この閾値以下の照射量を受けたレジストは露光後の現像工程で除去され、基板のその区域はエッチングから保護されない。このため、所望のパターンにエッチングがなされる。特に、パターニング用デバイス内の個別制御可能素子は、パターン図形内部となる基板上の区域での露光中の照射量が線量閾値を超えるように実質的に高強度であるように設定される。基板の他の領域は、ゼロまたはかなり低い放射強度を受けるように対応の個別制御可能素子が設定されることにより、線量閾値以下の放射を受ける。

実際には、パターン図形端部での照射量は所与の最大線量からゼロへと急激に変化するわけではない。この照射量は、たとえ図形の境界部分の一方の側への放射強度が最大となり、かつその図形境界部分の他方の側への放射強度が最小となるように個別制御可能素子が設定されていたとしても急激には変化しない。回折の影響により、照射量の大きさは移行領域を介して低下するからである。パターン図形の境界位置は最終的にレジストの現像により形成される。その境界位置は、照射された線量が閾値を下回る位置によって定められる。この移行領域での線量低下のプロファイル、ひいてはパターン図形の境界の正確な位置は、当該図形境界上または近傍に位置する基板上の各点に放射を与える個別制御可能素子の設定により、より正確に制御できるであろう。これは、強度レベルの最大値または最小値を制御するだけではなく、当該最大値及び最小値の間の強度レベルにも制御することによっても可能となるであろう。これは通常「グレイスケーリング」と呼ばれる。

グレイスケーリングによれば、個別制御可能素子により基板に２値の放射強度（つまり最大値と最小値）だけが与えられるリソグラフィーシステムよりも、パターン図形の境界位置の制御性を向上させることができる。一実施例では、少なくとも３種類の放射強度が基板に投影されてもよく、または例えば少なくとも４種類の放射強度でも、少なくとも８種類の放射強度でも、少なくとも１６種類の放射強度でも、少なくとも３２種類の放射強度でも、少なくとも６４種類の放射強度でも、少なくとも１２８種類の放射強度でも、または少なくとも２５６種類の放射強度でもよい。

グレイスケーリングは上述の目的に加えてまたは上述の目的に代えて使用されてもよい。例えば、照射された線量レベルに応じて基板の各領域が２種以上の反応を可能とするように、露光後の基板への処理が調整されていてもよい。例えば、第１の線量閾値以下の放射を受けた基板の部位では第１の種類の反応が生じ、第１の線量閾値以上で第２の線量閾値以下の放射を受けた基板の部位では第２の種類の反応が生じ、第２の線量閾値以上の放射を受けた基板の部位では第３の種類の反応が生じるようにしてもよい。したがって、グレイスケーリングは、基板上での線量のプロファイルが２以上の望ましい線量レベルを有するようにするのに用いることができる。一実施例では、この線量プロファイルは少なくとも２つの所望の線量レベルを有し、または例えば少なくとも３つの所望の線量レベル、少なくとも４つの所望の線量レベル、少なくとも６つの所望の線量レベル、または少なくとも８つの所望の線量レベルを有してもよい。

線量プロファイルの制御は、上述のように基板上の各点が受ける放射強度を単に制御するという方法以外の方法によっても可能である。例えば、基板上の各点が受ける照射量は、各点への露光時間を代替的にまたは追加的に制御することによっても制御することができる。他の例として、基板上の各点は、連続的な複数の露光により放射を受けてもよい。このような連続的複数露光から一部の露光を選択して用いることにより代替的にまたは追加的に各点が受ける照射量を制御することが可能となる。

図２は、本発明に係る露光装置の一例を示す図である。この実施例は例えばフラットパネルディスプレイの製造に用いることができる。図１に示される構成要素に対応するものには図２においても同じ参照符号を付している。また、基板やコントラストデバイス、ＭＬＡ、放射ビームなどについてのさまざまな構成例などを含む上述のさまざまな変形例は同様に適用可能である。

図２に示されるように、投影系ＰＳは、２つのレンズＬ１、Ｌ２を備えるビームエキスパンダを含む。第１のレンズＬ１は、変調された放射ビームＢを受け、開口絞りＡＳの開口部で合焦させる。開口部には他のレンズＡＬを設けてもよい。そして放射ビームＢは発散し、第２のレンズＬ２（例えばフィールドレンズ）により合焦させられる。

投影系ＰＳは、拡大された変調放射ビームＢを受けるように構成されているレンズアレイＭＬＡをさらに備える。変調放射ビームＢの異なる部分はそれぞれレンズアレイＭＬＡの異なる部分を通過する。この変調放射ビームＢの異なる部分はそれぞれ、パターニング用デバイスＰＤの１つ以上の個別制御可能素子に対応している。各レンズは変調放射ビームＢの各部分を基板Ｗ上の点に合焦させる。このようにして基板Ｗ上に照射スポットＳの配列が露光される。図示されているレンズアレイには８つのレンズ１４が示されているだけであるが、レンズアレイは数千のレンズを含んでもよい（パターニング用デバイスＰＤとして用いられる個別制御可能素子アレイについても同様である）。

図３は、本発明の実施形態に係り、図２のシステムを用いて基板Ｗ上にどのようにパターンが生成されるのかを模式的に示す図である。図中の黒丸は、投影系ＰＳのレンズアレイＭＬＡによって基板に投影されるスポットＳの配列を示す。基板は、基板上での露光が進むにつれて投影系に対してＹ方向に移動する。図中の白丸は、基板上で既に露光されている露光スポットＳＥを示す。図示されるように投影系ＰＳのレンズアレイＭＬＡによって基板に投影された各スポットは基板上に露光スポット列Ｒを形成する。各スポットＳＥの露光により形成される露光スポット列Ｒがすべて合わさって、基板にパターンが完全に形成される。上述のようにこのような方式はよく「ピクセルグリッド結像」と称される。

照射スポットＳの配列が基板Ｗに対して角度θをなして配置されている様子が示されている（基板Ｗの端部はそれぞれＸ方向及びＹ方向に平行である）。これは、基板が走査方向（Ｙ方向）に移動するときに、各照射スポットが基板の異なる領域を通過するようにするためである。これにより、照射スポット１５の配列により基板の全領域がカバーされることになる。一実施例では、角度θは大きくても２０°または１０°であり、または例えば大きくても５°、大きくても３°、大きくても１°、大きくても０．５°、大きくても０．２５°、大きくても０．１０°、大きくても０．０５°、または大きくても０．０１°である。一実施例では、角度θは小さくても０．００１°である。

図４は、本発明の実施形態において、どのようにしてフラットパネルディスプレイの基板Ｗ全体が複数の光学エンジンを用いて１回の走査で露光されるのかを模式的に示す図である。この例では照射スポットＳの配列ＳＡが８つの光学エンジン（図示せず）により形成される。光学エンジンはチェス盤のように２つの列Ｒ１、Ｒ２に配置されている。照射スポットの配列の端部が隣接の照射スポット配列の端部に（走査方向であるＹ方向において）少し重なるように形成される。一実施例では光学エンジンは少なくとも３列、例えば４列または５列に配列される。このようにして、照射の帯が基板Ｗの幅を横切って延び、１回の走査で基板全体の露光が実現されることとなる。光学エンジンの数は適宜変更してもよい。一実施例では、光学エンジンの数は少なくとも１個であり、または例えば少なくとも２個、少なくとも４個、少なくとも８個、少なくとも１０個、少なくとも１２個、少なくとも１４個、または少なくとも１７個である。一実施例では、光学エンジンの数は４０個未満であり、または例えば３０個未満または２０個未満である。

各光学エンジンは、上述の照明系ＩＬ、パターニング用デバイスＰＤ、及び投影系ＰＳを別個に備えてもよい。あるいは２個以上の光学エンジンが１以上の照明系、パターニング用デバイス、及び投影系の少なくとも一部を共有してもよい。

図５は、本発明が適用可能な光学照射系５００の例を示すブロック図である。しかしながら、本発明の用途は光学照射系５００に限定されるものではない。たとえば、本発明は図１、図２に示される露光装置に使用される光学照射系に用いることができる。光学照射系５００は、光源５０２、集光レンズ５０４、光学インテグレータ５０６、投影光学レンズ５０８を備える。状況に応じて、光学照射系５００はさらに、リレーレンズ５１０を備えてもよい。光学照射系５００において、これらの要素は光軸５１２に沿って配置される。

光源５０２は光のビーム５１４を生成するように構成される。通常、光軸５１２と垂直な平面におけるビーム５１４の強度分布はガウシアン分布を有しており、ビーム５１４のテレセントリック性は低い。集光レンズ５０４はビーム５１４を受け、光学インテグレータ５０６の入射口５１６にビーム５１４を集光する。

光学インテグレータ５０６は入射口５１６に集光されたビーム５１４を受け、ビーム５１４の強度分布の不均一性、テレセントリック性の低さのいずれかまたは両方を修正し、修正されたビーム５１４を光学インテグレータ５０６の出射口５１８に生成する。光学照射系５００はビーム５１４が光学インテグレータ５０６に入射するよう構成される。その結果、修正されたビーム５１４が表面で反射し、光学インテグレータ５０６から出射する修正されたビーム５１４がより均一な強度分布を有し、もしくはより高いテレセントリック性を有することになる。

リレーレンズ５１０が光学照射系５００内部に配置される場合、リレーレンズ５１０は、出射口５１８のビーム５１４を受け、ビーム５１４をレチクル５２０上に照射するように構成される。投影光学レンズ５０８はレチクル５２０からのビーム５１４を受け、ビーム５１４をウェハ５２２に投影するように構成される。

図６は、光学インテグレータ５０６の実施形態６００のブロック図である。実施形態６００は、第１サーフェス６０２を備える。第１サーフェス６０２は、反射性を有し、ボリューム６０４の輪郭を規定し、光学照射系５００（不図示）の内部に、光軸５１２を取り囲むように配置され、第１サーフェス６０２に対して入射するパス６０６に沿った光を反射するように構成される。

第１サーフェス６０２は、いくつかの形状をとることができ、光源５０２にて生成されるビーム５１４の光軸に垂直な平面に沿った強度分布の大きさや、光源５０２にて生成されるビーム５１４のテレセントリック性の程度の一方または両方にもとづいて決定することができる。たとえば図７は、多角柱型の形状を有する第１サーフェス６０２の実施形態７００を示す。図８は、角柱が四角柱である場合の、第１サーフェス６０２の実施形態８００を示す。図９は、円柱型の形状を有する第１サーフェス６０２の実施形態９００を示す。図１０は、円柱が楕円柱である場合の第１サーフェス６０２の実施形態１０００を示す。図１１は、錐台型の形状を有する第１サーフェス６０２の実施形態１１００を示す。図１２は、錐台が四角錐台である場合の第１サーフェス６０２の実施形態１２００を示す。図１３は、錐台が円錐台である場合の第１サーフェス６０２の実施形態１３００を示す。

図６に戻る。第１サーフェス６０２は、第１サーフェス６０２に対して入射するパス６０６に沿った光を実質的に最適に反射し、第１サーフェス６０２のパス６０６に沿った光の透過を最小限とする材料のフィルム６０８を有してもよい。ボリューム６０４は、光源５０２（不図示）からの光の波長に対して透明な材料でできた物体（不図示）であってもよい。かわりに、ボリューム６０４はガスを含んでもよく、あるいは真空であってもよい。パス６０６に沿った光は図６に示されており、たとえば、実施形態６００において反射の回数（Ｎ）は２回である。

図１４は、光学インテグレータ５０６の実施形態１４００のブロック図である。実施形態１４００は、第１サーフェス１４０２、第２サーフェス１４０４を備える。第１サーフェス１４０２、第２サーフェス１４０４は反射性を有し、ボリューム６０４を規定する。第１サーフェス１４０２、第２サーフェス１４０４はたとえば光学照射系５００（不図示）の内部に、光軸５１２に沿って、光軸５１２が第１サーフェス１４０２と第２サーフェス１４０４の間に位置するように配置される。第１サーフェス１４０２は、第１サーフェス１４０２に対して入射するパス１４０６に沿った光を反射するように構成される。第２サーフェス１４０４は、第２サーフェス１４０４に対して入射するパス１４０８に沿った光を反射するように構成される。第２サーフェス１４０４は第１サーフェス１４０２と分離している。

第１サーフェス１４０２に対する第２サーフェス１４０４の幾何学的配置はさまざまな変形が可能であり、光源５０２にて生成されるビーム５１４の光軸に垂直な平面に沿った強度分布の大きさや、光源５０２にて生成されるビーム５１４のテレセントリック性の程度の一方または両方にもとづいて決定することができる。たとえば図１５は第２サーフェス１４０４が第１サーフェス１４０２と実質的に平行である実施形態１５００を示す。図１６は、ビーム５１４（不図示）が光軸５１２に沿った第１の方向１６０２を向いている場合に、第２サーフェス１４０４が第１サーフェス１４０２に収束（converge）している実施形態１６００を示す。また、ビーム５１４（不図示）が光軸５１２に沿った第２の方向１６０４を向いている場合に、第２サーフェス１４０４は第１サーフェス１４０２から離反（diverge）している。

図１４に戻る。第１サーフェス１４０２、第２サーフェス１４０４はそれぞれ、パス１４０６、１４０８に沿った光を実質的に最適に反射し、パス１４０６、１４０８に沿った光を実質的に最低限透過させるフィルム６０８を有している。ボリューム６０４は、光源５０２（不図示）にて生成された光の波長に対して透明な材料の物体であってもよい。かわりに、ボリューム６０４はガスを含み、あるいは真空であってもよい。パス１４０６、１４０８それぞれに沿った光は図１４に示され、たとえば実施形態１４００において反射の回数（Ｎ）は２回である。

実施形態６００あるいは実施形態１４００において、光源５０２にて生成された光の波長に対して透明な材料の物体であり、この材料はたとえば、それに限定されるものではないが；ガラス、シリカ、あるいはフッ化カルシウムであってもよい。状況によっては、入射口５１６、出射口５１８の一方、または両方は、光源５０２にて生成された光の波長に対して透明な材料であって、ビーム５１４を実質的に透過させる材料でできたフィルム（不図示）を有してもよい。

ビーム５１４の強度分布の均一性やビーム５１４のテレセントリック性は、光学インテグレータ５０６において光が経る反射の回数の増加とともに改善される。実施形態６００および実施形態１４００から、反射の回数は、以下によって増加することがわかる。
（１）光軸５１２に沿った光学インテグレータ５０６の長さを長くする
（２）第１サーフェス６０２または第１サーフェス１４０２、第２サーフェス１４０４によって規定され、光軸５１２に対して垂直な平面内の光学インテグレータ５０６のエリアを小さくする。
反射の回数は入射口５１６におけるビーム５１４の開口数を増大させることによっても増加する。

図１７は本発明の光学インテグレータ５０６の実施形態１７００を示すブロック図である。実施形態１７００は第１サーフェス６０２および第２サーフェス１７０２を備える。第１サーフェス６０２は反射性を有し、ボリューム６０４を規定し、たとえば光学照射系５００（不図示）内に光軸５１２に沿って、光軸５１２を取り囲むように配置され、第１サーフェス６０２に対して入射するパス６０６に沿った光を反射するように構成される。

第２サーフェス１７０２はボリューム６０４内に配置され、準反射性を有する第１セクション１７０８を含む。第２サーフェス１７０２の第１セクション１７０８は、第１セクション１７０８に対して入射するパス１７０６に沿った光の第１の部分１７０４を反射し、第２サーフェス１７０２の第１セクション１７０８に対して入射するパス１７０６に沿った光の第２の部分１７１０を透過するよう構成される。第２サーフェス１７０２は、ビーム５１４の強度分布の均一性およびビーム５１４のテレセントリック性の少なくとも一方を改善するよう構成される。ボリューム６０４内部の第２サーフェス１７０２の位置は、光源５０２（不図示）にて生成されるビーム５１４（不図示）の光軸５１２に垂直な平面に沿った強度分布の大きさや、光源５０２にて生成されるビーム５１４のテレセントリック性の程度の一方または両方にもとづいて決定することができる。同様に、第１の部分１７０４と第２の部分１７１０の強度比は、光源５０２（不図示）にて生成されるビーム５１４（不図示）の光軸５１２に垂直な平面に沿った強度分布の大きさや、光源５０２にて生成されるビーム５１４のテレセントリック性の程度の一方または両方にもとづいて決定することができる。

第２サーフェス１７０２の第１セクション１７０８は、実質的に第２サーフェス１７０２のすべてであってもよい。第２サーフェス１７０２は、第２サーフェス１７０２に対して入射するパス１７０６に沿った光の第１の部分１７０４を反射し、第２サーフェス１７０２に対して入射するパス１７０６に沿った光の第２の部分１７１０を透過する材料でできたフィルム１７１２を有してもよい。この材料は、限定されるものではないが、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＭｇＦ_２（フッ化マグネシウム）、ＳｉＯ_２（二酸化ケイ素）、ＴｉＯ_２（二酸化チタン）、ＴｈＦ_４（フッ化トリウム）、ＺｎＳ（硫化亜鉛）、ＺｎＳｅ（セレン化亜鉛）またはこれらの任意の組み合わせであってもよい。さらにフィルム１７１２はこの材料の多層構造を有してもよい。

ボリューム６０４の内部に第２サーフェス１７０２を設けることによって、光軸５１２に沿った光学インテグレータ５０６のある長さと、光軸５１２に対して垂直な平面上の第１サーフェス６０２によって輪郭が規定される光学インテグレータ５０６のあるエリアに対して、実施形態１７００における光の反射の回数が増加する。一般的に、全反射回数（Ｔ）は、第１サーフェス６０２内の第２サーフェス１７０２の数（Ｍ）に１を加えた値に、第２サーフェス１７０２が無い場合に第１サーフェス６０２にて生ずる反射の回数（Ｎ）を乗じた値のべき乗に比例し、以下の関係で表現される。
Ｔ∝［Ｎ×（１＋Ｍ）］！
したがって、ある全反射回数Ｔを考えた場合、実施形態１７００は、光軸５１２に対して垂直な平面内に比較的大きなエリアを規定するよう構成された第１サーフェス６０２を備える相対的に短い光学インテグレータ５０６となる。

図１８は、本発明の光学インテグレータ５０６の実施形態１８００のブロック図である。実施形態１８００は実施形態１７００に立脚している。しかしながら、実施形態１８００において、第２サーフェス１７０２は反射性を有する第２セクション１８０４を有している。第２サーフェス１７０２の第２セクション１８０４は、第２サーフェス１７０２の第２セクション１８０４に入射するパス１８０２に沿った光を反射するよう構成される。第２サーフェス１７０２の第１セクション１７０８は、第２サーフェス１７０２の第１セクション１７０８に対して入射するパス１７０６に沿った光の第１の部分１７０４を反射し、第２サーフェス１７０２の第１セクション１７０８に対して入射するパス１７０６に沿った光の第２の部分１７１０を透過する材料でできたフィルム１７１２を有してもよい。第２サーフェス１７０２の第２セクション１８０４は、第２サーフェス１７０２の第２セクション１８０４に入射するパス１８０２に沿った光を反射する材料でできたフィルム１８０６を有してもよい。

かわりに、第２サーフェス１７０２は透明な第２セクション１８０４を有してもよい。第２サーフェス１７０２の第２セクション１８０４は、第２サーフェス１７０２の第２セクション１８０４に対して入射するパス１８０２に沿った光を透過するよう構成される。さらに、第２サーフェス１７０２の第１セクション１７０８は、第２サーフェス１７０２の第１セクション１７０８に対して入射するパス１７０６に沿った光の第１の部分１７０４を反射し、第２サーフェス１７０２の第１セクション１７０８に対して入射するパス１７０６に沿った光の第２の部分１７１０を透過する材料でできたフィルム１７１２を有してもよい。しかしながら、第２サーフェス１７０２の第２セクション１８０４は、第２サーフェス１７０２の第２セクション１８０４に対して入射するパス１７０６に沿った光を透過する材料でできたフィルム（不図示）を有してもよい。

第２サーフェス１７０２の第１セクション１７０８および第２セクション１８０４の位置は、光源５０２（不図示）にて生成されるビーム５１４（不図示）の光軸に垂直な平面に沿った強度分布の大きさや、光源５０２（不図示）にて生成されるビーム５１４（不図示）のテレセントリック性の程度の一方または両方にもとづいて決定することができる。

図１９は、本発明に係る光学インテグレータ５０６の実施形態１９００のブロック図である。実施形態１９００は、実施形態１７００に立脚している。しかしながら、実施形態１９００において、ボリューム６０４は第１の物体１９０２および第２の物体１９０４を備える。第１の物体１９０２は第１の材料で構成される。第２の物体１９０４は第２の材料で構成される。第１、第２の材料は光源５０２（不図示）にて生成される光の波長に対して透明である。第２の材料は、第１の材料と同じであってもよいが、これに限定されるものではない。第１の物体１９０２および第２の物体１９０４は、第１サーフェス６０２の第１セクション１９０６を規定する。第１サーフェス６０２の第１セクション１９０６は、実質的に第１サーフェス６０２のすべてであってもよい。第２の物体１９０４は第２サーフェス１７０２を規定する。

図２０は、本発明に係る光学インテグレータ５０６の実施形態２０００のブロック図である。実施形態２０００は、実施形態１９００に立脚している。しかしながら、実施形態１９００において、ボリューム６０４はさらに第３の物体２００２を備える。第３の物体２００２は、第３の材料で構成される。第３の物体２００２は、第１サーフェス６０２の第２セクション２００４と第３サーフェス２００６を規定する。第３サーフェス２００６は、準反射性を有する第１セクション２０１２を含む。第１セクション２０１２は、第３サーフェス２００６の第１セクション２０１２に対して入射するパス２０１０に沿った光の第１の部分２００８を反射し、第３サーフェス２００６の第１セクション２０１２に対して入射するパス２０１０に沿った光の第２の部分２０１４を透過するよう構成される。第３の物体２００２は、光源５０２（不図示）にて生成される光の波長に対して透明である。第３の材料は、第１の材料、第２の材料と同じであってもよいが、必ずしもそうである必要はない。

図２１は、本発明に係る光学インテグレータ５０６の実施形態２１００のブロック図である。実施形態２１００は実施形態１９００に立脚している。しかしながら実施形態２１００において、第２の物体１９０４のディメンジョン（大きさ）２１０２は、第１の物体１９０２のディメンジョン（大きさ）２１０２と異なっている。

図２２は、本発明に係る光学インテグレータ５０６の実施形態２２００のブロック図である。実施形態２２００は、第１サーフェス６０２および第２サーフェス１７０２を備える。第１サーフェス６０２は反射性を有し、ボリューム６０４を規定し、たとえば光学照射系５００（不図示）内に、光軸５１２に沿って、光軸５１２を取り囲むように配置され、第１サーフェス６０２に対して入射するパス６０６に沿った光を反射するように構成される。第１サーフェス６０２は、第１サーフェス６０２に対して入射するパス６０６に沿った光を実質的に最適に反射し、第１サーフェス６０２のパス６０６に沿った光の透過を最小限とする材料のフィルム６０８を有してもよい。

第２サーフェス１７０２はボリューム６０４内に配置され、少なくとも準反射性を有する第１セクション１７０８を含む。第２サーフェス１７０２の第１セクション１７０８は、第１セクション１７０８に対して入射するパス１７０６に沿った光の第１の部分１７０４を反射するよう構成される。第２サーフェス１７０２は、ビーム５１４の強度分布の均一性およびビーム５１４のテレセントリック性の少なくとも一方を改善するよう構成される。ボリューム６０４内の第２サーフェス１７０２の位置は、光源５０２（不図示）にて生成されるビーム５１４（不図示）の光軸５１２に垂直な平面に沿った強度分布の大きさや、光源５０２にて生成されるビーム５１４のテレセントリック性の程度の一方または両方にもとづいて決定することができる。ボリューム６０４はガスを含み、または真空であってもよい。

第２サーフェス１７０２の第１セクション１７０８に対して入射するパス１７０６に沿った光の第１の部分１７０４は、実質的に第２サーフェス１７０２の第１セクション１７０８に対して入射するパス１７０６に沿った光の全部であってもよい。または、第２サーフェス１７０２の第１セクション１７０８は、第２サーフェス１７０２の第１セクション１７０８に対して入射するパス１７０６に沿った光の第２の部分１７１０を透過するよう構成されてもよい。

当業者であれば、実施形態１７００〜２２００は、それぞれの特徴の一つまたは複数を任意に組み合わせることが可能である。たとえば、図２３は、上述の実施形態１７００〜２２００のいくつかの特徴を組み合わせた、本発明に係る光学インテグレータ５０６の実施形態２３００のブロック図である。
実施形態２３００は、第１の物体１９０２、第２の物体１９０４、第３の物体２００２およびボリューム２３０２を備える。
第１の物体１９０２は第１の材料で構成される。第２の物体１９０４は第２の材料で構成される。第３の物体２００２は第３の材料で構成される。ボリューム２３０２はガスを含んでもよいし、または真空であってもよい。第１の物体１９０２、第２の物体１９０４、第３の物体２００２、ボリューム２３０２は、たとえば光軸５１２に沿って、光学照射系５００（不図示）の内部に配置される。
第１の物体１９０２、第２の物体１９０４、第３の物体２００２は、第１サーフェス６０２を規定する。ボリューム２３０２は第１の物体１９０２、第２の物体１９０４、第３の物体２００２の内部に配置される。

第１サーフェス６０２は、反射性を有し、光軸５１２を取り囲むように配置され、第１サーフェス６０２に対して入射するパス６０６に沿った光を反射するように構成される。第２の物体１９０４は第２サーフェス１７０２を規定する。第２サーフェス１７０２は、準反射性を有する第１セクション１７０８と、反射性を有する第２セクション１８０４を備える。第２サーフェス１７０２の第１セクション１７０８は、第１セクション１７０８に対して入射するパス１７０６に沿った光の第１の部分１７０４を反射し、第２サーフェス１７０２の第１セクション１７０８に対して入射するパス１７０６に沿った光の第２の部分１７１０を透過するよう構成される。第２サーフェス１７０２の第２セクション１８０４は、第２サーフェス１７０２の第２セクション１８０４に入射するパス１８０２に沿った光を反射するよう構成される。第３の物体２００２は、第３サーフェス２００６を規定する。第３サーフェス２００６は、準反射性を有する第１セクション２０１２と、透過性を有する第２セクション２３０６を備える。第３サーフェス２００６の第１セクション２０１２は、第３サーフェス２００６の第１セクション２０１２に対して入射するパス２０１０に沿った光の第１の部分２００８を反射し、第３サーフェス２００６の第１セクション２０１２に対して入射するパス２０１０に沿った光の第２の部分２０１４を透過するよう構成される。第３サーフェス２００６の第２セクション２３０６は、第３サーフェス２００６の第２セクション２３０６に対して入射するパス２３０４に沿った光を透過するよう構成される。第１〜第３の材料は、光源５０２（不図示）にて生成される光の波長に対して透明である。

実施形態１７００〜２３００において、第１サーフェス６０２は、いくつかの形状をとることができ、光源５０２にて生成されるビーム５１４の光軸に垂直な平面に沿った強度分布の大きさや、光源５０２にて生成されるビーム５１４のテレセントリック性の程度の一方または両方にもとづいて決定することができる。たとえば、第１サーフェス６０２は、図７〜１３に示される実施形態７００〜１３００のいずれかの形状をとることができる。しかしながら、本発明において、第１サーフェス６０２の形状はこれらの形状に限定されるものではない。

図２４は、本発明に係る光学インテグレータ５０６の実施形態２４００のブロック図である。実施形態２４００は、第１サーフェス１４０２、第２サーフェス１４０４、第３サーフェス２４０２備える。第１サーフェス１４０２、第２サーフェス１４０４は反射性を有し、ボリューム６０４を規定し、たとえば光学照射系５００（不図示）内に光軸５１２に沿って、光軸５１２が第１サーフェス１４０２と第２サーフェス１４０４の間に位置するように配置される。第１サーフェス１４０２は、第１サーフェス１４０２に対して入射するパス１４０６に沿った光を反射するように構成される。第２サーフェス１４０４は、第２サーフェス１４０４に対して入射するパス１４０８に沿った光を反射するように構成される。第２サーフェス１４０４は第１サーフェス１４０２と分離している。

第１サーフェス１４０２および第２サーフェス１４０４はそれぞれ、第１サーフェス１４０２、第２サーフェス１４０４において光１４０６、１４０８を実質的に最適に反射し、第１サーフェス１４０２、第２サーフェス１４０４において光１４０６、１４０８の透過を最小限とする材料のフィルム６０８を有してもよい。ボリューム６０４は、光源５０２（不図示）からの光の波長に対して透明な材料でできた物体（不図示）であってもよい。あるいは、ボリューム６０４はガスを含んでもよく、あるいは真空であってもよい。

第３サーフェス２４０２はボリューム６０４内に配置され、準反射性を有する第１セクション２４０８を含む。第３サーフェス２４０２の第１セクション２４０８は、第１セクション２４０８に対して入射するパス２４０６に沿った光の第１の部分２４０４を反射するよう構成される。第３サーフェス２４０２は、ビーム５１４の強度分布の均一性およびビーム５１４のテレセントリック性の少なくとも一方を改善するよう構成される。ボリューム６０４内部の第３サーフェス２４０２の位置は、光源５０２（不図示）にて生成されるビーム５１４（不図示）の光軸５１２に垂直な平面に沿った強度分布の大きさや、光源５０２にて生成されるビーム５１４のテレセントリック性の程度の一方または両方にもとづいて決定することができる。

実施形態２４００において、第１サーフェス１４０２に対する第２サーフェス１４０４の幾何学的配置はさまざまな変形が可能であり、光源５０２にて生成されるビーム５１４の光軸に垂直な平面に沿った強度分布の大きさや、光源５０２にて生成されるビーム５１４のテレセントリック性の程度の一方または両方にもとづいて決定することができる。第１サーフェス１４０２に対する第２サーフェス１４０４の配置は、たとえば図１５、図１６に示される実施形態１５００、１６００のいずれであってもよい。しかしながら、第１サーフェス１４０２に対する第２サーフェス１４０４の配置はこれらの配置に限定されるものではないことは当業者に理解される。さらに、当業者であれば、実施形態２４００は実施形態１７００〜２３００のひとつまたは複数の特徴を有してもよい。

図２５は、本発明に係るビームの強度分布の均一性およびビームのテレセントリック性の少なくとも一方を改善する方法２５００のフローチャートである。方法２５００のステップ２５０２において、第１サーフェスに対して入射するパスに沿った光が、第１サーフェスから反射される。第１サーフェスはボリュームを規定する。ステップ２５０４において、第２サーフェスの第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分が、第２サーフェスの第１セクションから反射される。第２サーフェスはボリューム内に配置される。ステップ２５０６において、第２サーフェスの第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第２の部分が、第２サーフェスの第１セクションから透過される。

図２６は、本発明に係るビームの強度分布の均一性およびビームのテレセントリック性の少なくとも一方を改善する方法２６００のフローチャートである。方法２６００のステップ２６０２において、第１サーフェスに対して入射するパスに沿った光が、第１サーフェスから反射する。第１サーフェスはボリュームを規定する。ボリュームはガスを含み、または真空である。ステップ２６０４において、第２サーフェスの第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分が、第２サーフェスの第１セクションから反射する。第２サーフェスはボリューム内に配置される。

図２７は、本発明に係るビームの強度分布の均一性およびビームのテレセントリック性の少なくとも一方を改善する方法２７００のフローチャートである。方法２７００のステップ２７０２において、第１サーフェスに対して入射するパスに沿った光が、第１サーフェスから反射する。ステップ２７０４において、第２サーフェスに対して入射するパスに沿った光が、第２サーフェスから反射する。第１、第２サーフェスはボリュームを規定する。第２サーフェスは第１サーフェスと分離している。ステップ２７０６において、第３サーフェスの第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分が、第３サーフェスの第１セクションから反射する。第３サーフェスはボリューム内に配置される。

ここでは特に光学的なリソグラフィーを本発明に係る実施形態に適用したものを例として説明しているが、本発明は例えばインプリントリソグラフィーなど文脈が許す限り他にも適用可能であり、光学的なリソグラフィーに限られるものではない。インプリントリソグラフィーでは、パターニング用デバイスのトポグラフィーが基板に生成されるパターンを決める。パターニング用デバイスのトポグラフィーが基板に塗布されているレジスト層に押し付けられ、電磁放射や熱、圧力、あるいはこれらの組み合わせによってレジストが硬化される。レジストが硬化されてから、パターニング用デバイスは、パターンが生成されたレジストから外されて外部に移動される。

［結語］
本発明の種々の実施例を上に記載したが、それらはあくまでも例示であって、それらに限定されるものではない。本発明の精神と範囲に反することなく種々に変更することができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。本発明の範囲と精神は上記で述べた例示に限定されるものではなく、請求項とその均等物によってのみ定義されるものである。

「課題を解決する手段」及び「要約書」の項ではなく「発明の詳細な説明」の項が請求項を解釈するのに使用されるように意図されている。「課題を解決する手段」及び「要約書」の欄は本発明者が考えた本発明の実施例の１つ以上を示すものであるが、すべてを説明するものではない。よって、本発明及び請求項をいかなる形にも限定するものではない。

本発明の各実施形態に係る露光装置を示す図である。 本発明の各実施形態に係る露光装置を示す図である。 図２に示される本発明の実施形態により基板にパターンを転写する１つのモードを示す図である。 本発明の実施形態に係る光学エンジンの配置を示す図である。 本発明が適用可能な光学照射系の例を示すブロック図である。 光学インテグレータの実施形態のブロック図である。 第１サーフェスの実施形態を示す図である。 第１サーフェスの実施形態を示す図である。 第１サーフェスの実施形態を示す図である。 第１サーフェスの実施形態を示す図である。 第１サーフェスの実施形態を示す図である。 第１サーフェスの実施形態を示す図である。 第１サーフェスの実施形態を示す図である。 光学インテグレータの実施形態のブロック図である。 第１サーフェスに対する第２サーフェスの幾何学的配置の実施形態を示す図である。 第１サーフェスに対する第２サーフェスの幾何学的配置の実施形態を示す図である。 本発明に係る光学インテグレータの実施形態のブロック図である。 本発明に係る光学インテグレータの実施形態のブロック図である。 本発明に係る光学インテグレータの実施形態のブロック図である。 本発明に係る光学インテグレータの実施形態のブロック図である。 本発明に係る光学インテグレータの実施形態のブロック図である。 本発明に係る光学インテグレータの実施形態のブロック図である。 本発明に係る光学インテグレータの実施形態のブロック図である。 本発明に係る光学インテグレータの実施形態のブロック図である。 本発明に係るビームの強度分布の均一性およびビームのテレセントリック性の少なくとも一方を改善する方法の実施形態のフローチャートである。 本発明に係るビームの強度分布の均一性およびビームのテレセントリック性の少なくとも一方を改善する方法の実施形態のフローチャートである。 本発明に係るビームの強度分布の均一性およびビームのテレセントリック性の少なくとも一方を改善する方法の実施形態のフローチャートである。

符号の説明

ＣＳ…制御システム、ＰＤ…パターニング用デバイス、Ｗ…基板、Ｓ…制御信号、ＳＯ…放射源、１…露光装置、５００…光学照射系、５０２…光源、５０４…集光レンズ、５０６…光学インテグレータ、５０８…投影光学レンズ、５１０…リレーレンズ、５１２…光軸、５１４…ビーム、５１６…入射口、５１８…出射口、５２０…レチクル、５２２…ウェハ、６０２…第１サーフェス、６０４…ボリューム、６０６…パス、１４０２…第１サーフェス、１４０４…第２サーフェス、１４０６…パス、１４０８…パス、１７０２…第２サーフェス、１７０４…第１の部分、１７０６…パス、１７０８…第１セクション、１７１０…第２の部分、１７１２…フィルム、１８０４…第２セクション、１８０６…フィルム、１９０２…第１の物体、１９０４…第２の物体、２００２…第３の物体、２００４…第２セクション、２００６…第３サーフェス、２０１２…第１セクション、２００８…第１の部分、２０１０…パス、２０１４…第２の部分、２１０２…ディメンジョン、２３０２…ボリューム、２３０６…第２セクション、２４０２…第３サーフェス、２４０８…第１セクション、２４０６…パス、２４０４…第１の部分。

Claims (25)

1. 反射性を有し、ボリュームを規定する第１サーフェスであって、光学照射系内に光軸に沿って前記光軸を取り囲むように配置され、当該第１サーフェスに対して入射するパスに沿った光を反射するように構成された第１サーフェスと、
   前記ボリューム内に配置され、準反射性を有する第１セクションを含み、前記第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分を反射し、当該第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第２の部分を透過するよう構成された第２サーフェスと、
   を備えることを特徴とする光学インテグレータ。
2. 前記第２サーフェスは、ビームの強度分布の均一性およびビームのテレセントリック性の少なくとも一方を改善するよう構成されることを特徴とする請求項１に記載の光学インテグレータ。
3. 前記光学照射系は露光装置に内に配置されることを特徴とする請求項１に記載の光学インテグレータ。
4. 前記第２サーフェスの前記第１セクションは、実質的に前記第２サーフェスのすべてであることを特徴とする請求項１に記載の光学インテグレータ。
5. 前記第２サーフェスは、当該第２サーフェスの前記第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分を反射し、当該第２サーフェスの前記第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第２の部分を透過する材料のフィルムであることを特徴とする請求項４に記載の光学インテグレータ。
6. 前記第２サーフェスは、反射性を有する第２セクションを含み、前記第２サーフェスの前記第２セクションに対して入射するパスに沿った光を反射するよう構成されることを特徴とする請求項１に記載の光学インテグレータ。
7. 前記第２サーフェスの前記第１セクションは、当該第２サーフェスの前記第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分を反射し、当該第２サーフェスの前記第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第２の部分を透過する第１の材料のフィルムを有し、
   前記第２サーフェスの前記第２セクションは、当該第２サーフェスの前記第２セクションに対して入射するパスに沿った光を反射する第２の材料のフィルムを有することを特徴とする請求項６に記載の光学インテグレータ。
8. 前記第２サーフェスは、透明な第２セクションを含み、前記第２サーフェスの前記第２セクションに対して入射するパスに沿った光を透過するよう構成されることを特徴とする請求項１に記載の光学インテグレータ。
9. 前記第２サーフェスの前記第１セクションは、当該第２サーフェスの前記第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分を反射し、当該第２サーフェスの前記第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第２の部分を透過する第１の材料のフィルムを有し、
   前記第２サーフェスの前記第２セクションは、当該第２サーフェスの前記第２セクションに対して入射するパスに沿った光を透過する第２の材料のフィルムを有することを特徴とする請求項８に記載の光学インテグレータ。
10. 前記ボリュームは第１、第２の物体を備え、
    前記第１の物体は第１の材料で構成され、
    前記第２の物体は第２の材料で構成され、
    前記第１、第２の物体は、前記第１サーフェスの前記第１セクションを規定し、
    前記第２の物体は、前記第２サーフェスを規定し、
    前記第１、第２の材料は光源にて生成される光の波長に対して透明であることを特徴とする請求項１に記載の光学インテグレータ。
11. 前記第２の材料は前記第１の材料と同じであることを特徴とする請求項１０に記載の光学インテグレータ。
12. 前記第１サーフェスの前記第１セクションは、実質的に前記第１サーフェスのすべてであることを特徴とする請求項１０に記載の光学インテグレータ。
13. 前記ボリュームはさらに第３の物体を備え、
    前記第３の物体は第３の材料で構成され、
    前記第３の物体は、前記第１サーフェスの第２セクションと第３サーフェスを規定し、
    前記第３サーフェスは、準反射性を有する第１セクションを含み、当該第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分を反射し、当該第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第２の部分を透過するよう構成され、
    前記第３の材料は光源にて生成される光の波長に対して透明であることを特徴とする請求項１０に記載の光学インテグレータ。
14. 前記第２の物体の大きさは、前記第１の物体の大きさと異なっていることを特徴とする請求項１０に記載の光学インテグレータ。
15. 前記第１サーフェスの形状は、多角柱、円柱、錐台のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の光学インテグレータ。
16. 前記多角柱は四角柱であり、前記円柱は楕円柱であり、前記錐台は四角錐台または円錐台であることを特徴とする請求項１５に記載の光学インテグレータ。
17. 反射性を有し、ボリュームを規定する第１サーフェスであって、光学照射系内に光軸に沿って前記光軸を取り囲むように配置され、当該第１サーフェスに対して入射するパスに沿った光を反射するように構成された第１サーフェスと、
    前記ボリューム内に配置され、少なくとも準反射性を有する第１セクションを含み、当該第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分を反射するよう構成された第２サーフェスと、
    を備え、前記ボリュームはガスを含み、または真空であることを特徴とする光学インテグレータ。
18. 前記第２サーフェスの前記第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分は、実質的に前記第２サーフェスの前記第１セクションに対して入射するパスに沿った光の全部であることを特徴とする請求項１７に記載の光学インテグレータ。
19. 前記第２サーフェスの前記第１セクションは、前記第２サーフェスの前記第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第２の部分を透過するよう構成されたことを特徴とする請求項１７に記載の光学インテグレータ。
20. 反射性を有し、ボリュームを規定する第１、第２サーフェスであって、光学照射系内に光軸に沿って、前記光軸が前記第１、第２サーフェスの間に位置するように配置され、前記第１サーフェスに対して入射するパスに沿った光を反射し、前記第２サーフェスに対して入射するパスに沿った光を反射するように構成された第１、第２サーフェスと、
    前記ボリューム内に配置され、少なくとも準反射性を有する第１セクションを含み、当該第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分を反射するよう構成された第３サーフェスと、
    を備え、
    前記第２サーフェスは前記第１サーフェスと分離していることを特徴とする光学インテグレータ。
21. 前記第２サーフェスは前記第１サーフェスに対して実質的に平行であることを特徴とする請求項２０に記載の光学インテグレータ。
22. 前記第２サーフェスは、前記光軸に沿った方向を望んだとき、前記第１サーフェスに収束していき、または第１サーフェスからそれていくことを特徴とする請求項２０に記載の光学インテグレータ。
23. ビームの強度分布の均一性およびビームのテレセントリック性の少なくとも一方を改善する方法であって、
    第１サーフェスに対して入射するパスに沿った光を、当該第１サーフェスから反射するステップと、
    第２サーフェスの第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分を、当該第２サーフェスの第１セクションから反射するステップと、
    第２サーフェスの第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第２の部分を、当該第２サーフェスの第１セクションから透過させるステップと、
    を含み、
    前記第１サーフェスはボリュームを規定し、前記第２サーフェスは前記ボリューム内に配置されることを特徴とする方法。
24. ビームの強度分布の均一性およびビームのテレセントリック性の少なくとも一方を改善する方法であって、
    第１サーフェスに対して入射するパスに沿った光を、当該第１サーフェスから反射するステップと、
    第２サーフェスの第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分を、当該第２サーフェスの第１セクションから反射するステップと、
    を含み、
    前記第１サーフェスはボリュームを規定し、前記第２サーフェスは前記ボリューム内に配置され、前記ボリュームはガスを含み、または真空であることを特徴とする方法。
25. ビームの強度分布の均一性およびビームのテレセントリック性の少なくとも一方を改善する方法であって、
    第１サーフェスに対して入射するパスに沿った光を、当該第１サーフェスから反射するステップと、
    第２サーフェスに対して入射するパスに沿った光を、当該第２サーフェスから反射するステップと、
    第３サーフェスの第１セクションに対して入射するパスに沿った光の第１の部分を、当該第３サーフェスの第１セクションから反射するステップと、
    を含み、
    前記第１、第２サーフェスはボリュームを規定し、前記第２サーフェスは前記第１サーフェスと分離しており、前記第３サーフェスは前記ボリューム内に配置されることを特徴とする方法。

Images