JP5294490B2 - フォトマスク - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 90
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
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- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
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- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/22—Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Description
先ず、透明基板9の上面9bにてレンズ形成領域13外をマスクした状態でレンズ形成領域13をエッチングして例えば約50μm〜300μmの深さだけ掘り下げる。さらに、公知の技術を利用してレンズ形成領域13に所定の曲率を有する凸状の複数のフィールドレンズ11を形成する。次に、透明基板9の上面9bの全面にクロム(Cr)等の遮光膜12を形成した後、上記フィールドレンズ11に対応した部分及び上記N型アライメントマーク16に対応した領域の遮光膜12をエッチングして除去する。同時に、レンズ側アライメントマーク14をエッチングして形成してもよい。続いて、透明基板9の下面9aのレンズ形成領域13に、上記フィールドレンズ11に対応させて公知の技術を利用して凸状の複数の投影レンズ10を形成する。そして、透明基板9の下面9aの全面にクロム(Cr)等の遮光膜12を形成した後、上記投影レンズ10に対応した部分及びレンズ側アライメントマーク14に対応した部分をエッチングして除去する。その際、N型アライメントマーク16を同時に形成してもよい。
先ず、マイクロレンズアレイ3の上面9bにてフィールドレンズ11のレンズ形成領域13外の部分に接着剤を塗布する。次いで、マスク基板2のマスクパターン5を形成した下面4aとマイクロレンズアレイ3の接着剤を塗布した上面9bとを対面させて、マスク基板2とマイクロレンズアレイ3とを対向配置する。続いて、顕微鏡によりマスク側アライメントマーク8とレンズ側アライメントマーク14とを同時に観察しながら、該二つのアライメントマークが合致するようにマスク基板2とマイクロレンズアレイ3とを相対的に平行移動し、また各基板4,9の面の中心を軸に回転して位置合わせをする。そして、マスク基板2及びマイクロレンズアレイ3を各基板4,9の面の側方から加圧した状態で上記接着剤を硬化させて両者を接合する。これにより、図1に示すような本発明のフォトマスク1が完成する。このとき、マスクパターン5とフィールドレンズ11とは約50μm〜300μm程度の距離まで接近することになる。
先ず、予め、フォトマスク1と撮像手段24の撮像中心との間の位置ずれ量が計測される。これは、次のようにして行なうことができる。即ち、先ず、撮像手段24によりマスクステージ23に保持されたフォトマスク1のN型アライメントマーク16を撮像し、その画像データを画像処理部27において画像処理して、図7(a)に示すように基板搬送方向(矢印A方向)と略直交する方向における輝度変化からN型アライメントマーク16の細線パターン17a〜17cに対応する三つの暗部の縁部の位置を検出し、演算部29において上記三つの暗部の中心位置を夫々算出する。次に、隣接する二つの暗部間の距離G1,G2を演算部29において演算する。さらに、この距離G1,G2の差分に基づいて撮像手段24の撮像中心とフォトマスク1のN型アライメントマーク16の基板搬送方向(矢印A方向)と直交する方向の中心線とのずれ量Gを演算する。この場合、上記細線パターン17cの基板搬送方向(矢印A方向)に対する傾斜角度θがθ=45°のときには、上記ずれ量Gは、G=(G1−G2)/2となる。そして、このずれ量Gは、メモリ28に保存されている被露光体16の移動距離の目標値TG1に加算されて目標値TG1が補正され、この補正された目標値(TG1+G)がメモリ28に保存される。
2…マスク基板
3…マイクロレンズアレイ
4…マスク基板用の透明基板
5…マスクパターン
9…マイクロレンズ用の透明基板
10…投影レンズ
11…フィールドレンズ
12…遮光膜
16…N型アライメントマーク
17a〜17c…細線パターン
19…被露光体
Claims (6)
- 透明基板の一面に所定形状の複数のマスクパターンを形成したマスク基板と、
別の透明基板の一面に、対向配置された被露光体上に前記複数のマスクパターンの像を縮小投影する複数の投影レンズを形成し、他面に入射光を前記投影レンズに集光する複数のフィールドレンズを前記投影レンズの光軸と光軸を合致させて形成したマイクロレンズアレイと、を備え、
前記投影レンズの径を前記フィールドレンズの径よりも小さく形成すると共に、前記マスクパターンと前記フィールドレンズとを所定の隙間を有して近接対向させた状態で前記マスク基板と前記マイクロレンズアレイとを接合したことを特徴とするフォトマスク。 - 前記マイクロレンズアレイの少なくとも前記複数の投影レンズの外側領域に遮光膜を形成したことを特徴とする請求項1記載のフォトマスク。
- 前記マイクロレンズアレイの前記複数の投影レンズを形成した面に該投影レンズを基準にして前記被露光体との位置合わせをするためのアライメントマークを設けたことを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスク。
- 前記被露光体は、露光中、一方向に一定速度で搬送され、
前記アライメントマークは、前記複数の投影レンズを形成した領域の前記被露光体の搬送方向手前側に所定距離だけ離れて設けられていることを特徴とする請求項3記載のフォトマスク。 - 前記アライメントマークは、前記被露光体の搬送方向に平行な一対の細線パターンと、該一対の細線パターン間に設けられ前記被露光体の搬送方向に対して所定角度で交差する一本の細線パターンとから成ることを特徴とする請求項4記載のフォトマスク。
- 前記投影レンズの面には、径が前記フィールドレンズの径よりも小さい円形の開口を有する絞りを設けたことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のフォトマスク。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009290651A JP5294490B2 (ja) | 2009-12-22 | 2009-12-22 | フォトマスク |
KR1020127012116A KR101674133B1 (ko) | 2009-12-22 | 2010-12-13 | 포토마스크 |
CN201080057974.3A CN102667622B (zh) | 2009-12-22 | 2010-12-13 | 光掩模 |
PCT/JP2010/072401 WO2011077992A1 (ja) | 2009-12-22 | 2010-12-13 | フォトマスク |
TW099144866A TWI490631B (zh) | 2009-12-22 | 2010-12-21 | 光罩 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009290651A JP5294490B2 (ja) | 2009-12-22 | 2009-12-22 | フォトマスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011134768A JP2011134768A (ja) | 2011-07-07 |
JP5294490B2 true JP5294490B2 (ja) | 2013-09-18 |
Family
ID=44195522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009290651A Expired - Fee Related JP5294490B2 (ja) | 2009-12-22 | 2009-12-22 | フォトマスク |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5294490B2 (ja) |
KR (1) | KR101674133B1 (ja) |
CN (1) | CN102667622B (ja) |
TW (1) | TWI490631B (ja) |
WO (1) | WO2011077992A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103718066B (zh) * | 2011-07-29 | 2016-04-27 | 株式会社V技术 | 微透镜阵列及使用微透镜阵列的扫描曝光装置 |
JP5842251B2 (ja) * | 2012-01-06 | 2016-01-13 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置及び露光済み材製造方法 |
JP7082927B2 (ja) * | 2018-08-27 | 2022-06-09 | 株式会社Screenホールディングス | 露光装置 |
CN111619108A (zh) * | 2019-02-28 | 2020-09-04 | 宁波市石生科技有限公司 | 一种新型光固化3d打印设备 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970028856A (ko) * | 1995-11-14 | 1997-06-24 | 김광호 | 투영노광 장치 및 노광방법 |
KR100503767B1 (ko) * | 2003-06-27 | 2005-07-26 | 학교법인연세대학교 | 2차원 광변조 미세 개구 어레이 장치 및 이를 이용한 고속미세패턴 기록시스템 |
CN1871552A (zh) * | 2003-10-27 | 2006-11-29 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于形成光学图像的方法和设备 |
JP2006243543A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 永久パターン形成方法 |
JP2007299993A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Canon Inc | 露光装置 |
US8049865B2 (en) * | 2006-09-18 | 2011-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic system, device manufacturing method, and mask optimization method |
US8139199B2 (en) * | 2007-04-02 | 2012-03-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, light converging pattern formation member, mask, and device manufacturing method |
TW200842500A (en) * | 2007-04-25 | 2008-11-01 | jian-zhang Chen | Photolithography system and method |
JP5224341B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2013-07-03 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置及びフォトマスク |
-
2009
- 2009-12-22 JP JP2009290651A patent/JP5294490B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-12-13 WO PCT/JP2010/072401 patent/WO2011077992A1/ja active Application Filing
- 2010-12-13 KR KR1020127012116A patent/KR101674133B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-13 CN CN201080057974.3A patent/CN102667622B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-21 TW TW099144866A patent/TWI490631B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120109481A (ko) | 2012-10-08 |
TWI490631B (zh) | 2015-07-01 |
WO2011077992A1 (ja) | 2011-06-30 |
CN102667622A (zh) | 2012-09-12 |
TW201142489A (en) | 2011-12-01 |
KR101674133B1 (ko) | 2016-11-08 |
CN102667622B (zh) | 2014-09-17 |
JP2011134768A (ja) | 2011-07-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130528 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130610 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
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