JP4481276B2 - ピクセルグリッド描像と組み合わせた連続光ビームを使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
ピクセルグリッド描像と組み合わせた連続光ビームを使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4481276B2 JP4481276B2 JP2006196295A JP2006196295A JP4481276B2 JP 4481276 B2 JP4481276 B2 JP 4481276B2 JP 2006196295 A JP2006196295 A JP 2006196295A JP 2006196295 A JP2006196295 A JP 2006196295A JP 4481276 B2 JP4481276 B2 JP 4481276B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- radiation
- array
- lithographic apparatus
- individually controllable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
1.ステップモードにおいては、個々に制御可能なエレメントのアレイおよび基板は、基本的に静止状態に保たれている。そして、放射線ビームに与えたパターン全体が1回で目標部分Cに投影される(すなわち1回の静止露光)。次に基板テーブルWTがX方向および/あるいはY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが照射され得る。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の静止露光で描像される目標部分Cのサイズを制限する。
2.走査モードにおいては、個々に制御可能なエレメントのアレイおよび基板を同期走査する一方、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Cに投影する(つまり1回の動的露光)。個々に制御可能なエレメントのアレイに対する基板の速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の動的露光で目標部分の(非走査方向における)幅を制限し、走査動作の長さが目標部分の(走査方向における)高さを決定する。
3.パルスモードでは、個々に制御可能なエレメントのアレイが基本的に静止状態に維持され、パルス状放射線ソースを使用して、パターン全体を基板Wの目標部分Cに投影する。基板テーブルWTは、基本的に一定の速度で動作し、したがって投影ビームBが基板W全体で線を走査する。基板Wの必要な位置で連続的な目標部分Cが露光されるように、放射線システムのパルスの間に、必要に応じて個々に制御可能なエレメントのアレイ上にあるパターンを更新し、パルスのタイミングをとる。その結果、投影ビームBは基板Wを走査し、1片の基板で完全なパターンを露光することができる。完全な基板Wが線1本ずつ露光されるまで、このプロセスを繰り返す。
4.連続走査モードでは、基本的にパルスモードと同じであるが、変調した放射線のビームBに対して基板Wをほぼ一定の速度で走査し、投影ビームBが基板Wを走査して、それを露光するにつれ、個々に制御可能なエレメントのアレイ上にあるパターンを更新する。ほぼ一定の放射線ソース、または個々に制御可能なエレメントのアレイ上にあるパターンの更新と同期したパルス状放射線ソースを使用することができる。
5.図2のリソグラフィ装置を使用して実行可能なピクセルグリッド描像モードでは、基板W上に形成されるパターンは、パターニングデバイスPDへと配向されたスポット生成器によって形成されたスポットを、その後に露光することによって実現される。基板W上には、スポットがほぼグリッド状に印刷される。一例では、スポットのサイズは、印刷されたピクセルグリッドのピッチより大きいが、露光スポットグリッドより非常に小さい。印刷されるスポットの強度を変更することによって、パターンが実現される。露光フラッシュとフラッシュの間で、スポットの強度分布を変更する。
以上、本発明の様々な実施形態を説明したが、これは例示によってのみ提示されたもので、制限的ではないことを理解されたい。本発明の精神および範囲から逸脱することなく、形態および細部の様々な変更が可能であることが、当業者には明白である。したがって、本発明の幅および範囲は、上述した例示的実施形態のいずれにも制限されず、請求の範囲およびその同等物によってのみ定義されるものとする。
Claims (14)
- リソグラフィ装置であって、
連続的ソース放射線を供給する照明システムと、
放射線ビームを変調する個々に制御可能なエレメントのアレイと、
放射線ビームに対して第一方向に基板を連続的に移動させる基板ムーバと、
変調した放射線ビームを、ある面に配置構成された集束エレメントのアレイを使用して、基板の目標部分に投影する投影システムとを有し、
各集束エレメントがパターン形成した放射線ビームの異なる部分を基板に投影し、異なる各部分が放射線のサブビームを形成し、
集束エレメントのアレイにある集束エレメントの少なくとも1つの焦点において、放射線のサブビームのうち対応するサブビームの断面の最大長が、第一方向では第一方向に対して直角である第二方向より短くなるように、放射線ビームの角度分布が変更される、リソグラフィ装置。 - 放射線の各サブビームの断面が長方形または長円形の形状を有する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 集束エレメントがレンズである、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 集束エレメントのアレイにあるレンズの少なくとも1つが、第一方向では第二方向より短くなる、請求項3に記載のリソグラフィ装置。
- 個々に制御可能なエレメントのアレイにあるエレメントが、少なくとも約50kHzの速度でONとOFFに切り替わるように構成される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- さらに、個々に制御可能なエレメントの少なくとも一部の状態を順番に設定する制御装置を有する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 個々に制御可能なエレメントの少なくとも一部の状態が、1つずつ設定することによって1回に1つ設定される、請求項6に記載のリソグラフィ装置。
- 個々に制御可能なエレメントの少なくとも一部の状態が、列ごとに設定することによって1回に1列設定される、請求項6に記載のリソグラフィ装置。
- 個々に制御可能なエレメントの少なくとも一部の状態が、個々に制御可能なエレメントのグループごとに設定することによって1回に1グループが設定される、請求項6に記載のリソグラフィ装置。
- 連続的な放射線ソースがランプによって提供される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- ランプがHgランプである、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 放射線の各サブビームによって基板上に形成されるスポットが、点像分布関数を有し、集束エレメントのアレイを使用してスポットの点像分布関数を変更すると、スポットを第二方向より第一方向で短くすることができる、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- デバイス製造方法であって、
連続的な放射線ビームにパターンを形成するために、個々に制御可能なエレメントのアレイを使用することと、
集束エレメントのアレイにある各集束エレメントがパターン形成した放射線ビームの異なる部分を基板上に投影し、異なる部分がそれぞれサブビームを形成するように、ある面に配置構成された集束エレメントの少なくとも1つのアレイを使用して、パターン形成した放射線のビームを基板の目標部分に投影することと、
基板を連続的に第一方向に移動させることとを含み、
パターン形成した放射線ビームは、集束エレメントのアレイにある集束エレメントの少なくとも1つの焦点にて、放射線のサブビームの対応するサブビームの断面の最大長が、第一方向では第一方向に対して直角である第二方向より短くなるように、その角度分布が変更されて、投影されるデバイス製造方法。 - 個々に制御可能なエレメントのアレイの一部の状態を順番に設定する、請求項13に記載のデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/185,024 US7251019B2 (en) | 2005-07-20 | 2005-07-20 | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a continuous light beam in combination with pixel grid imaging |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010017243A Division JP5210333B2 (ja) | 2005-07-20 | 2010-01-28 | ピクセルグリッド描画と組み合わせた連続光ビームを使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007025696A JP2007025696A (ja) | 2007-02-01 |
JP4481276B2 true JP4481276B2 (ja) | 2010-06-16 |
Family
ID=37678717
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006196295A Expired - Fee Related JP4481276B2 (ja) | 2005-07-20 | 2006-07-19 | ピクセルグリッド描像と組み合わせた連続光ビームを使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2010017243A Expired - Fee Related JP5210333B2 (ja) | 2005-07-20 | 2010-01-28 | ピクセルグリッド描画と組み合わせた連続光ビームを使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010017243A Expired - Fee Related JP5210333B2 (ja) | 2005-07-20 | 2010-01-28 | ピクセルグリッド描画と組み合わせた連続光ビームを使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7251019B2 (ja) |
JP (2) | JP4481276B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010118683A (ja) * | 2005-07-20 | 2010-05-27 | Asml Netherlands Bv | ピクセルグリッド描画と組み合わせた連続光ビームを使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5302595B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2013-10-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 傾斜観察方法および観察装置 |
EP2379310B1 (en) | 2008-12-22 | 2018-11-28 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Method and apparatus for layerwise production of a 3d object |
US8777602B2 (en) | 2008-12-22 | 2014-07-15 | Nederlandse Organisatie Voor Tobgepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Method and apparatus for layerwise production of a 3D object |
US8678805B2 (en) | 2008-12-22 | 2014-03-25 | Dsm Ip Assets Bv | System and method for layerwise production of a tangible object |
US8822106B2 (en) * | 2012-04-13 | 2014-09-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Grid refinement method |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523193A (en) * | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
JP2938568B2 (ja) * | 1990-05-02 | 1999-08-23 | フラウンホファー・ゲゼルシャフト・ツール・フォルデルング・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン | 照明装置 |
US5229872A (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
US6219015B1 (en) * | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
JP3224041B2 (ja) * | 1992-07-29 | 2001-10-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
US5729331A (en) * | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
JP3339149B2 (ja) * | 1993-12-08 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置ならびに露光方法 |
US5677703A (en) * | 1995-01-06 | 1997-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Data loading circuit for digital micro-mirror device |
US5530482A (en) * | 1995-03-21 | 1996-06-25 | Texas Instruments Incorporated | Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels |
JPH08272104A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Sony Corp | フォトレジストの露光方法及び装置 |
KR0182543B1 (ko) * | 1995-04-07 | 1999-03-20 | 김광호 | 전자렌지의 조명장치 및 그 제어방법 |
JPH0963942A (ja) * | 1995-08-22 | 1997-03-07 | Sony Corp | 露光パターンの形成方法及び露光装置 |
JP2001500628A (ja) * | 1996-02-28 | 2001-01-16 | ケニス シー ジョンソン | マイクロリトグラフィ用マイクロレンズスキャナ及び広フィールド共焦顕微鏡 |
AU2048097A (en) | 1997-01-29 | 1998-08-18 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate |
US6177980B1 (en) * | 1997-02-20 | 2001-01-23 | Kenneth C. Johnson | High-throughput, maskless lithography system |
SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
US5982553A (en) * | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
SE9800665D0 (sv) * | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
US6261728B1 (en) * | 1998-10-19 | 2001-07-17 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Mask image scanning exposure method |
TW520526B (en) * | 2000-05-22 | 2003-02-11 | Nikon Corp | Exposure apparatus, method for manufacturing thereof, method for exposing and method for manufacturing micro-device |
JP3563384B2 (ja) | 2001-11-08 | 2004-09-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置 |
SG130007A1 (en) * | 2002-06-12 | 2007-03-20 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2004157219A (ja) * | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光ヘッドおよび露光装置 |
US6870554B2 (en) * | 2003-01-07 | 2005-03-22 | Anvik Corporation | Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators |
EP1482373A1 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7251019B2 (en) * | 2005-07-20 | 2007-07-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a continuous light beam in combination with pixel grid imaging |
-
2005
- 2005-07-20 US US11/185,024 patent/US7251019B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-19 JP JP2006196295A patent/JP4481276B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-28 JP JP2010017243A patent/JP5210333B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010118683A (ja) * | 2005-07-20 | 2010-05-27 | Asml Netherlands Bv | ピクセルグリッド描画と組み合わせた連続光ビームを使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7251019B2 (en) | 2007-07-31 |
US20070019174A1 (en) | 2007-01-25 |
JP2010118683A (ja) | 2010-05-27 |
JP5210333B2 (ja) | 2013-06-12 |
JP2007025696A (ja) | 2007-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100856102B1 (ko) | 리소그래피 장치, 및 간섭계 및 마스크 없는 노광 유닛을사용하는 디바이스 제조 방법 | |
TWI491997B (zh) | 相對於繞射光學移動光束以降低干擾圖案 | |
US7548315B2 (en) | System and method to compensate for critical dimension non-uniformity in a lithography system | |
US7859756B2 (en) | Optical system for transforming numerical aperture | |
JP4463244B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、および、この方法により製造されて焦点深さの増したデバイス | |
US20070153249A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method using multiple exposures and multiple exposure types | |
JP2006135332A (ja) | リソグラフィシステムおよびデバイス製造方法 | |
JP5210333B2 (ja) | ピクセルグリッド描画と組み合わせた連続光ビームを使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US8634064B2 (en) | Optical system for increasing illumination efficiency of a patterning device by producing a plurality of beams | |
JP2007305987A (ja) | 干渉露光及び他の露光を用いるリソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP2007065668A (ja) | リソグラフィ装置及びレチクル誘導cduを補償するデバイス製造方法 | |
US8003308B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method for writing a digital image | |
US7630136B2 (en) | Optical integrators for lithography systems and methods | |
US7649676B2 (en) | System and method to form unpolarized light | |
US9482963B2 (en) | Method of controlling a patterning device in a lithographic apparatus, device manufacturing method and lithographic apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061204 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070525 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090610 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091028 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100309 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100317 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140326 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |