JP5049474B2 - グラファイトナノファイバの製造方法 - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 60
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title claims description 56
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title claims description 56
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 title claims description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 8
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 39
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 7
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 206010053759 Growth retardation Diseases 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
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Claims (7)
- 基材上にグラファイトナノファイバを製造する方法において、少なくとも表層が特定の結晶方位を有するFeまたはFeを含む合金からなる金属触媒層を有する基材を使用し、この基材の温度を500℃〜600℃として用い、原料ガスとしてCOガス、CO 2 ガスおよびCH 4 ガスから選ばれた少なくとも1種の炭素原子含有ガスとH 2 ガスとの混合ガスを用い、炭素原子含有ガスとH 2 ガスとの流量比を7:3〜3:7とする化学気相成長法により、前記基材表面にグラファイトナノファイバを成長させることを特徴とするグラファイトナノファイバの製造方法。
- 前記特定の結晶方位が、(100)、(111)、(110)、(211)、および(310)から選ばれた方位であることを特徴とする請求項1に記載のグラファイトナノファイバの製造方法。
- 前記金属触媒層が、所定のパターンとして形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のグラファイトナノファイバの製造方法。
- 前記基材が、前記金属触媒層を構成する金属と同じ金属からなっていることを特徴とする請求項1または2に記載のグラファイトナノファイバの製造方法。
- 前記基材の表面が、パターン化されていることを特徴とする請求項4に記載のグラフィトナノファイバの製造方法。
- 前記基材が、シリコン材表面上に前記金属触媒層を有しているものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のグラファイトナノファイバの製造方法。
- 前記金属触媒層が、スパッタリング法、EB蒸着法または抵抗加熱蒸着法に従って金属触媒薄膜を形成し、次いで熱処理することによって形成されたものであることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のグラファイトナノファイバの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005239937A JP5049474B2 (ja) | 2005-08-22 | 2005-08-22 | グラファイトナノファイバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005239937A JP5049474B2 (ja) | 2005-08-22 | 2005-08-22 | グラファイトナノファイバの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007055821A JP2007055821A (ja) | 2007-03-08 |
JP5049474B2 true JP5049474B2 (ja) | 2012-10-17 |
Family
ID=37919627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005239937A Active JP5049474B2 (ja) | 2005-08-22 | 2005-08-22 | グラファイトナノファイバの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5049474B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101559939B (zh) * | 2008-04-18 | 2011-05-04 | 清华大学 | 碳纳米管制备方法 |
JP5563500B2 (ja) * | 2010-05-28 | 2014-07-30 | 日本電信電話株式会社 | グラフェン及び炭素分子薄膜の合成方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3953276B2 (ja) * | 2000-02-04 | 2007-08-08 | 株式会社アルバック | グラファイトナノファイバー、電子放出源及びその作製方法、該電子放出源を有する表示素子、並びにリチウムイオン二次電池 |
JP4714328B2 (ja) * | 2000-10-06 | 2011-06-29 | 株式会社アルバック | グラファイトナノファイバーの径の制御方法 |
JP3537811B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2004-06-14 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 単層カーボンナノチューブの製造方法 |
JP3810357B2 (ja) * | 2002-08-12 | 2006-08-16 | 富士通株式会社 | オフ基板上でのカーボンナノチューブの製造方法 |
JP2005001936A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Fujikura Ltd | カーボンナノチューブの製造方法 |
JP2007015890A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Univ Nagoya | カーボンナノチューブ形成用基材及びその製造方法並びにカーボンナノチューブ |
-
2005
- 2005-08-22 JP JP2005239937A patent/JP5049474B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007055821A (ja) | 2007-03-08 |
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