JP4986356B2 - ニッケル粉末を製造する方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
（技術分野）
本発明は新規で有用なニッケル粉末、特に卑金属電極多層化セラミックコンデンサ（ＢＭＥ−ＭＬＣＣ）などの電極材料として使用するための粉末を供給する。
【０００２】
（背景技術）
ＢＭＥ−ＭＬＣＣの一般的に適切な製作では、金属粉のペーストと誘電セラミック粉のペーストとを交互に積層して金属粉の層とセラミック粉の層とが交互に現れる多層化構造を形成させ、焼成後に金属層がそれぞれ二つの電極間に誘電体を持つ内部電極を形成する。
【０００３】
この種のコンデンサは通常、金属粉としてパラジウムまたはパラジウム−銀合金粉が使用されている場合に、貴金属電極多層化コンデンサ（ＰＭＥ−ＭＬＣＣ）として知られている。
【０００４】
最近の開発に拠れば、貴金属パラジウムまたは銀を銅及びニッケルなどの卑金属で置き換える試みがなされている。
【０００５】
これらの卑金属を利用することに関連して、積層特性を与えるためのペースト中に存在する有機物質の存在下における焼成時の不十分な酸化抵抗、上述の貴金属または貴金属合金に比べ低い軟化温度に起因する焼成時における金属粉の収縮を主とする幾つかの問題がある。特に、金属粉の収縮と多結晶性は焼成時における多層化構造の脱積層、誘電体及び電極層の両方に於けるクラックの原因となる。金属粉の不十分な酸化抵抗は、焼成が水素などの還元ガスを含有するアルゴンなどの保護雰囲気下で行われない限り、炭素などの不純物の包接を伴う酸素取り込み制御不能の原因となる。
【０００６】
これらの欠点を克服または減少させる本明細書の試みは不純物レベルの減少とＮｉまたはＣｕ粉末の結晶性の増加を目指すことにあり、特に粉末の結晶粒子サイズを大きくして粉末の粒子サイズに近づけることである。しかしながら、酸素取り込み、収縮及びその結果としての脱積層とクラック生成は、これらの努力にも拘らず、貴金属電極に比べ依然として劣っている。特に、周知なニッケル粉の焼成に伴う収縮は粉末の粒子サイズに逆比例する。従って、製造する多数のコンデンサに脱積層とクラック欠陥が発生してしまうため、径が約０．２μｍよりも小さな粉末の使用は不可能であった。従って、現在周知なニッケル粉は、電極層の最小肉厚が平均粒子径の約２乃至３倍であることから考えて、ＢＭＥ−ＭＬＣＣ技術の小型化の趨勢に重大な制約を課している。
【０００７】
（発明の開示）
本発明の一つの目的は酸化抵抗が改良されたニッケル粉の提供にあり、具体的には空気中に於ける４２０℃での加熱に際し、重量増加が粉末の比表面積ｍ２／ｇ当り２重量％未満であるニッケル粉の提供にある。本発明の好ましい粉末は重量増加が、ＢＥＴ法に拠る測定で、粉末の比表面積ｍ２／ｇ当り１重量％未満である。
【０００８】
本発明のほかの目的は焼成時における収縮の少ないニッケル粉を提供することにある。特に、未焼成体に成型されて１０００℃に焼成されたときに、平均粒子径ｄ依存の容積収縮率（ＶＳ、％）が次式
ＶＳ（％）＜２４−ｄ（ｎｍ）／３０
で決定されるＶＳ（％）未満であるニッケル粉の提供が本発明の目的である。
【０００９】
本発明の別の目的は１０００℃に加熱されたときの収縮が上式で与えられるＶＳ未満である平均粒子径０．０５μｍ乃至１．５μｍのニッケル粉を提供することにある。
【００１０】
本発明の別の目的は粒子の形状が実質的に球形であるニッケル粉を提供することにある。
【００１１】
本発明の別の目的は粒子サイズの分布が狭いニッケル粉末の提供にある。
【００１２】
本発明のほかの目的は不純物レベルが低く、高結晶性であり、結晶サイズが粒子サイズに近いニッケル粉末を提供することにある。
【００１３】
本発明のこれら及び他の目的は温度１０００℃を超える温度での還元／不活性キャリアガス中でのニッケル気相の生成から得られるニッケル粉とそれに続く表面酸化によって達成される。
【００１４】
本発明になるニッケル粉は、好ましくは、実質的に球形であり、平均粒子径は０．０５乃至１．５μｍ、好ましくは０．０７乃至１．０μｍ（表面積基準）であり、幾何標準偏差＜２．５の狭い粒径分布をもつ。
【００１５】
理論に拘束される積もりはないが、本発明になるニッケル粉の酸化物表面層によって、粉末表面の軟化温度は増加し、それによって焼成時における接触点での球形粒子の変形が減少し、その結果焼成時の収縮が減少する。この効果は粉末の粒子径が小さくなるほど著しくなる。
【００１６】
本発明になるニッケル粉の表面酸素の量は粉末表面ｍ２当り酸素約０．５ｍｇ乃至５ｍｇであるのが好ましい。特に好ましい表面酸素の量は表面ｍ２当り１ｍｇ以上であり、ｍ２当り４ｍｇ未満の量であることも特に好ましい。表面積はＢＥＴ法に拠り決定されるものである。
【００１７】
ニッケル粉の表面酸素はミクロ結晶またはアモルファスＮｉＯの形状で存在するのが好適である。表面酸素の好適な量はＮｉＯの２乃至２０分子表面層に相当し、好ましくは４分子表面層以上である。特に好ましくはＮｉＯ８分子表面層未満である。
【００１８】
表面酸素を無視して、本発明のニッケル粉は１重量％未満、好ましくは０．３重量％未満の不純物レベルを有する。
【００１９】
本発明の粉末の全酸素含有量は粒子サイズ、従って比表面積に強く左右される。平均径が５０ｎｍという極めて小さな粉末では、全酸素は少なくとも１．３重量％のはずであり、不利益なく及び可能な最高純度のニッケル粉を与える従来技術の目的に反することなく、１０重量％までに達することもある。平均粒子径が０．１μｍの全酸素含有量は最小０．５重量％であり、５重量％に達することもある。平均粒子径が０．３μｍの粉末では、全酸素含有量が０．２乃至２重量％であることもある。
【００２０】
酸素表面層は粒子が未だキャリアガス中に同伴されているときにニッケル蒸気から新しく生成した粒子の上に創出されるのが好ましい。粉末の高い適正度は新しく凝縮した、多分ニッケル蒸気がまだ存在している、ニッケル上での特異的形成条件から得られるものと思われる。
【００２１】
本発明の粉末製造の好適なプロセスは１９９８年８月１８日付け同時係属の米国特許出願第０９／１３６，０４３号または対応する国際特許出願ＰＣＴ／ＣＡ９９／００７５９に開示されたプロセスに拠るものであり、両出願とも参照して本明細書の一部をなす。
【００２２】
この好適な製造プロセスに拠れば、ニッケル微粉は移動アークプラズマ系の手段に拠り生成されるものであり、このプロセスは（ａ）気化される金属を連続的に移動アークプラズマ反応器に供給するステップ、（ｂ）金属を気化させ金属蒸気を生成させるのに十分な温度のプラズマを発生させる極性配位がストレートなプラズマを金属と非消費電極との間に点弧させるステップ、（ｃ）少なくとも１０００Ｋに加熱された希釈ガスをプラズマ反応器の中に注入するステップ、（ｄ）プラズマガスと希釈ガス（両方ともキャリアガスと呼ぶ）の手段によって、キャリアガスのチューブ通過時に粒子成長と結晶化を制御するために１０００乃至１５００℃に温度制御された熱平衡化されたチューブに蒸気を移送する手段、（ｅ）キャリアガスを同伴ニッケル粒子とともに、冷却流がキャリアガス中に直接注入される冷却チューブの中に、好ましくは冷却チューブ沿いの冷却流入り口に順次に、導入するステップ、（ｆ）少なくとも最初の冷却流入り口に供給される冷却流の添加物として同伴ニッケル粉末の表面酸化を起こすのに十分量の酸素を導入するステップ及び（ｇ）粉末粒子をキャリアガスと冷却流から分離するステップを含む。
【００２３】
プラズマガス、希釈ガス及び冷却流はアルゴン、窒素またはその他の不活性ガスまたは不活性ガス混合物であるのが好適である。アルゴンは好適なガスである。
【００２４】
プラズマガスは約１０乃至４０容積％の水素を含有することによって還元雰囲気を与えるのが好ましい。
【００２５】
（発明を実施するための最良の形態）
以下の実施例の手段によって本発明をさらに詳細に説明する。
【００２６】
１９９８年８月１８日提出の係属米国特許出願番号第０９／１３６，０４３、名称「微粉及び超微粉生成のための方法と移動アークプラズマ系（Method and transferred arc plasma system for production of fine and ultra fine powders）」及び対応する国際特許出願ＰＣＴ／ＣＡ９９／００７５９に開示された反応器の中で、ニッケルは超純ニッケル金属を含む坩堝上に点弧するプラズマガスとして、次表Ｉ欄に示すキャリアガス中のニッケル蒸気圧を与える希釈ガスとして、９９．９９９％のアルゴンを用いるプラズマアークによって気化する。熱平衡化されたチューブ壁の温度及びキャリアガスのチューブ内滞留時間はそれぞれ表１のＩＩ、ＩＩＩに示してある。第ＩＶ欄は冷却流（４段階経由で冷却チューブに導入されたアルゴン）とキャリアガスとの容積比を示す。第Ｖ欄は冷却流の酸素百分率を示す。第ＶＩ欄は冷却チューブ下流で分離されたニッケル粉末の平均粒子サイズを示し、第ＶＩＩ欄は粉末の全酸素含有量を示す。
【００２７】
ニッケル蒸気の含有量は気化したニッケルと供給ガスの量から計算した。滞留時間は熱平衡化されたチューブの内容積と標準状態に於けるガス流から計算した。反応器圧力は標準圧の僅か上とした。
【００２８】
【表１】
【００２９】
粉末それぞれの試料から砂糖液を用いてペーストを調製した。ペースト中の砂糖含有量は２重量％であった。ペーストを金型に注入し、乾燥して未焼成体とした。その後、未焼成体を４００℃に徐々に加熱し、その後５Ｋ／分の速度で１０００℃に加熱してから室温に冷却した。未焼成体と焼成体との容積差として収縮を測定した。
【００３０】
本発明の粉末は、未焼成体に成型し５Ｋ／分で加熱したときに、好ましくは次式で表される粒子径に依存する温度、
Ｔ１０（℃）＞６６０＋８００ｘｄ（μｍ）、
より好ましくは
Ｔ１０（℃）＞６８０＋８００ｘｄ（μｍ）、
を超えるＴ１０で１０％収縮する。
【００３１】
粉末それぞれの別の試料を５Ｋ／分の速度で４２０℃まで加熱した。空気を入れながら重量増加を決定する。
【００３２】
【表２】
（技術分野）
本発明は新規で有用なニッケル粉末、特に卑金属電極多層化セラミックコンデンサ（ＢＭＥ−ＭＬＣＣ）などの電極材料として使用するための粉末を供給する。
【０００２】
（背景技術）
ＢＭＥ−ＭＬＣＣの一般的に適切な製作では、金属粉のペーストと誘電セラミック粉のペーストとを交互に積層して金属粉の層とセラミック粉の層とが交互に現れる多層化構造を形成させ、焼成後に金属層がそれぞれ二つの電極間に誘電体を持つ内部電極を形成する。
【０００３】
この種のコンデンサは通常、金属粉としてパラジウムまたはパラジウム−銀合金粉が使用されている場合に、貴金属電極多層化コンデンサ（ＰＭＥ−ＭＬＣＣ）として知られている。
【０００４】
最近の開発に拠れば、貴金属パラジウムまたは銀を銅及びニッケルなどの卑金属で置き換える試みがなされている。
【０００５】
これらの卑金属を利用することに関連して、積層特性を与えるためのペースト中に存在する有機物質の存在下における焼成時の不十分な酸化抵抗、上述の貴金属または貴金属合金に比べ低い軟化温度に起因する焼成時における金属粉の収縮を主とする幾つかの問題がある。特に、金属粉の収縮と多結晶性は焼成時における多層化構造の脱積層、誘電体及び電極層の両方に於けるクラックの原因となる。金属粉の不十分な酸化抵抗は、焼成が水素などの還元ガスを含有するアルゴンなどの保護雰囲気下で行われない限り、炭素などの不純物の包接を伴う酸素取り込み制御不能の原因となる。
【０００６】
これらの欠点を克服または減少させる本明細書の試みは不純物レベルの減少とＮｉまたはＣｕ粉末の結晶性の増加を目指すことにあり、特に粉末の結晶粒子サイズを大きくして粉末の粒子サイズに近づけることである。しかしながら、酸素取り込み、収縮及びその結果としての脱積層とクラック生成は、これらの努力にも拘らず、貴金属電極に比べ依然として劣っている。特に、周知なニッケル粉の焼成に伴う収縮は粉末の粒子サイズに逆比例する。従って、製造する多数のコンデンサに脱積層とクラック欠陥が発生してしまうため、径が約０．２μｍよりも小さな粉末の使用は不可能であった。従って、現在周知なニッケル粉は、電極層の最小肉厚が平均粒子径の約２乃至３倍であることから考えて、ＢＭＥ−ＭＬＣＣ技術の小型化の趨勢に重大な制約を課している。
【０００７】
（発明の開示）
本発明の一つの目的は酸化抵抗が改良されたニッケル粉の提供にあり、具体的には空気中に於ける４２０℃での加熱に際し、重量増加が粉末の比表面積ｍ２／ｇ当り２重量％未満であるニッケル粉の提供にある。本発明の好ましい粉末は重量増加が、ＢＥＴ法に拠る測定で、粉末の比表面積ｍ２／ｇ当り１重量％未満である。
【０００８】
本発明のほかの目的は焼成時における収縮の少ないニッケル粉を提供することにある。特に、未焼成体に成型されて１０００℃に焼成されたときに、平均粒子径ｄ依存の容積収縮率（ＶＳ、％）が次式
ＶＳ（％）＜２４−ｄ（ｎｍ）／３０
で決定されるＶＳ（％）未満であるニッケル粉の提供が本発明の目的である。
【０００９】
本発明の別の目的は１０００℃に加熱されたときの収縮が上式で与えられるＶＳ未満である平均粒子径０．０５μｍ乃至１．５μｍのニッケル粉を提供することにある。
【００１０】
本発明の別の目的は粒子の形状が実質的に球形であるニッケル粉を提供することにある。
【００１１】
本発明の別の目的は粒子サイズの分布が狭いニッケル粉末の提供にある。
【００１２】
本発明のほかの目的は不純物レベルが低く、高結晶性であり、結晶サイズが粒子サイズに近いニッケル粉末を提供することにある。
【００１３】
本発明のこれら及び他の目的は温度１０００℃を超える温度での還元／不活性キャリアガス中でのニッケル気相の生成から得られるニッケル粉とそれに続く表面酸化によって達成される。
【００１４】
本発明になるニッケル粉は、好ましくは、実質的に球形であり、平均粒子径は０．０５乃至１．５μｍ、好ましくは０．０７乃至１．０μｍ（表面積基準）であり、幾何標準偏差＜２．５の狭い粒径分布をもつ。
【００１５】
理論に拘束される積もりはないが、本発明になるニッケル粉の酸化物表面層によって、粉末表面の軟化温度は増加し、それによって焼成時における接触点での球形粒子の変形が減少し、その結果焼成時の収縮が減少する。この効果は粉末の粒子径が小さくなるほど著しくなる。
【００１６】
本発明になるニッケル粉の表面酸素の量は粉末表面ｍ２当り酸素約０．５ｍｇ乃至５ｍｇであるのが好ましい。特に好ましい表面酸素の量は表面ｍ２当り１ｍｇ以上であり、ｍ２当り４ｍｇ未満の量であることも特に好ましい。表面積はＢＥＴ法に拠り決定されるものである。
【００１７】
ニッケル粉の表面酸素はミクロ結晶またはアモルファスＮｉＯの形状で存在するのが好適である。表面酸素の好適な量はＮｉＯの２乃至２０分子表面層に相当し、好ましくは４分子表面層以上である。特に好ましくはＮｉＯ８分子表面層未満である。
【００１８】
表面酸素を無視して、本発明のニッケル粉は１重量％未満、好ましくは０．３重量％未満の不純物レベルを有する。
【００１９】
本発明の粉末の全酸素含有量は粒子サイズ、従って比表面積に強く左右される。平均径が５０ｎｍという極めて小さな粉末では、全酸素は少なくとも１．３重量％のはずであり、不利益なく及び可能な最高純度のニッケル粉を与える従来技術の目的に反することなく、１０重量％までに達することもある。平均粒子径が０．１μｍの全酸素含有量は最小０．５重量％であり、５重量％に達することもある。平均粒子径が０．３μｍの粉末では、全酸素含有量が０．２乃至２重量％であることもある。
【００２０】
酸素表面層は粒子が未だキャリアガス中に同伴されているときにニッケル蒸気から新しく生成した粒子の上に創出されるのが好ましい。粉末の高い適正度は新しく凝縮した、多分ニッケル蒸気がまだ存在している、ニッケル上での特異的形成条件から得られるものと思われる。
【００２１】
本発明の粉末製造の好適なプロセスは１９９８年８月１８日付け同時係属の米国特許出願第０９／１３６，０４３号または対応する国際特許出願ＰＣＴ／ＣＡ９９／００７５９に開示されたプロセスに拠るものであり、両出願とも参照して本明細書の一部をなす。
【００２２】
この好適な製造プロセスに拠れば、ニッケル微粉は移動アークプラズマ系の手段に拠り生成されるものであり、このプロセスは（ａ）気化される金属を連続的に移動アークプラズマ反応器に供給するステップ、（ｂ）金属を気化させ金属蒸気を生成させるのに十分な温度のプラズマを発生させる極性配位がストレートなプラズマを金属と非消費電極との間に点弧させるステップ、（ｃ）少なくとも１０００Ｋに加熱された希釈ガスをプラズマ反応器の中に注入するステップ、（ｄ）プラズマガスと希釈ガス（両方ともキャリアガスと呼ぶ）の手段によって、キャリアガスのチューブ通過時に粒子成長と結晶化を制御するために１０００乃至１５００℃に温度制御された熱平衡化されたチューブに蒸気を移送する手段、（ｅ）キャリアガスを同伴ニッケル粒子とともに、冷却流がキャリアガス中に直接注入される冷却チューブの中に、好ましくは冷却チューブ沿いの冷却流入り口に順次に、導入するステップ、（ｆ）少なくとも最初の冷却流入り口に供給される冷却流の添加物として同伴ニッケル粉末の表面酸化を起こすのに十分量の酸素を導入するステップ及び（ｇ）粉末粒子をキャリアガスと冷却流から分離するステップを含む。
【００２３】
プラズマガス、希釈ガス及び冷却流はアルゴン、窒素またはその他の不活性ガスまたは不活性ガス混合物であるのが好適である。アルゴンは好適なガスである。
【００２４】
プラズマガスは約１０乃至４０容積％の水素を含有することによって還元雰囲気を与えるのが好ましい。
【００２５】
（発明を実施するための最良の形態）
以下の実施例の手段によって本発明をさらに詳細に説明する。
【００２６】
１９９８年８月１８日提出の係属米国特許出願番号第０９／１３６，０４３、名称「微粉及び超微粉生成のための方法と移動アークプラズマ系（Method and transferred arc plasma system for production of fine and ultra fine powders）」及び対応する国際特許出願ＰＣＴ／ＣＡ９９／００７５９に開示された反応器の中で、ニッケルは超純ニッケル金属を含む坩堝上に点弧するプラズマガスとして、次表Ｉ欄に示すキャリアガス中のニッケル蒸気圧を与える希釈ガスとして、９９．９９９％のアルゴンを用いるプラズマアークによって気化する。熱平衡化されたチューブ壁の温度及びキャリアガスのチューブ内滞留時間はそれぞれ表１のＩＩ、ＩＩＩに示してある。第ＩＶ欄は冷却流（４段階経由で冷却チューブに導入されたアルゴン）とキャリアガスとの容積比を示す。第Ｖ欄は冷却流の酸素百分率を示す。第ＶＩ欄は冷却チューブ下流で分離されたニッケル粉末の平均粒子サイズを示し、第ＶＩＩ欄は粉末の全酸素含有量を示す。
【００２７】
ニッケル蒸気の含有量は気化したニッケルと供給ガスの量から計算した。滞留時間は熱平衡化されたチューブの内容積と標準状態に於けるガス流から計算した。反応器圧力は標準圧の僅か上とした。
【００２８】
【表１】
粉末それぞれの試料から砂糖液を用いてペーストを調製した。ペースト中の砂糖含有量は２重量％であった。ペーストを金型に注入し、乾燥して未焼成体とした。その後、未焼成体を４００℃に徐々に加熱し、その後５Ｋ／分の速度で１０００℃に加熱してから室温に冷却した。未焼成体と焼成体との容積差として収縮を測定した。
【００３０】
本発明の粉末は、未焼成体に成型し５Ｋ／分で加熱したときに、好ましくは次式で表される粒子径に依存する温度、
Ｔ１０（℃）＞６６０＋８００ｘｄ（μｍ）、
より好ましくは
Ｔ１０（℃）＞６８０＋８００ｘｄ（μｍ）、
を超えるＴ１０で１０％収縮する。
【００３１】
粉末それぞれの別の試料を５Ｋ／分の速度で４２０℃まで加熱した。空気を入れながら重量増加を決定する。
【００３２】
【表２】
Claims (9)
- 移行型アークプラズマシステムを用いて粒子表面が酸化されているニッケル粉末を製造する方法であって、
（ａ）移行型アークプラズマ反応器内に、気化されるニッケルを連続的に供給する工程、
（ｂ）正極性に配置されているニッケルと非消費電極の間にアークを飛ばして、ニッケルを気化しニッケルの蒸気を生成するのに十分高い温度のプラズマを発生させる工程、
（ｃ）プラズマ反応器内に少なくとも１０００Ｋの温度に加熱された希釈ガスを導入する工程、
（ｄ）前記蒸気を、キャリアガスとしてのプラズマガス及び希釈ガスによって、熱平衡化された管に移送する工程であって、該管においてキャリアガスが通過する間、温度が１０００〜１５００℃に制御され、粒子の成長および結晶化が制御される工程、
（ｅ）キャリアガスに対して冷却流体が直接的に導入される冷却管中に、ニッケル粉末を伴うキャリアガスを導入する工程、
（ｆ）前記冷却管に沿って設けられた冷却流体導入口の内、少なくとも最初の冷却流体導入口に供給される冷却流体に対して、前記ニッケル粉末の表面を酸化させるのに十分な量の酸素を導入する工程及び
（ｇ）ニッケル粉末粒子を、キャリアガスと冷却流体から分離する工程
を含むことを特徴とするニッケル粉末を製造する方法。 - ニッケル粉末が、粉末粒子表面の１ｍ2当り０．５乃至５ｍｇの表面酸素含有量である請求項１に記載の方法。
- ニッケル粉末が、ＮｉＯ組成の２乃至２０分子層の表面層を備える請求項１に記載の方法。
- ニッケル粉末が、球形の粒子であり、球の平均径が０．０５乃至１．５μｍである請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
- ニッケル粉末が平均粒子径０．０７乃至１μｍを有する請求項４に記載の方法。
- ニッケル粉末が、表面酸素を無視して少なくとも９９重量％のＮｉから成る請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
- ニッケル粉末が、未焼結体の成型及び１０００℃の加熱により（２４−ｄ／３０）未満の容積収縮ＶＳを受け、ここで、ｄはｎｍでの平均粒子径を意味する請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
- ニッケル粉末が、未焼結体の成型及び上記温度における加熱による１０％収縮
Ｔ10（℃）＞６６０＋８００ｘｄ（μｍ）
を受ける請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。 - ニッケル粉末が、空気中で４２０℃に加熱することによる比表面積１ｍ2／ｇ当りの重量増加が２重量％未満である請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
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