JP4961895B2 - ウェハ搬送装置、ウェハ搬送方法及び記憶媒体 - Google Patents

ウェハ搬送装置、ウェハ搬送方法及び記憶媒体 Download PDF

Info

Publication number
JP4961895B2
JP4961895B2 JP2006229635A JP2006229635A JP4961895B2 JP 4961895 B2 JP4961895 B2 JP 4961895B2 JP 2006229635 A JP2006229635 A JP 2006229635A JP 2006229635 A JP2006229635 A JP 2006229635A JP 4961895 B2 JP4961895 B2 JP 4961895B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
position data
transfer
detection sensor
transfer means
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006229635A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008053552A (ja
Inventor
真士 若林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2006229635A priority Critical patent/JP4961895B2/ja
Priority to US11/892,677 priority patent/US8025475B2/en
Publication of JP2008053552A publication Critical patent/JP2008053552A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4961895B2 publication Critical patent/JP4961895B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/136Associated with semiconductor wafer handling including wafer orienting means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、ウェハの搬送を行う搬送装置において、搬送手段上のウェハの位置ずれを測定する技術に関する。
半導体製造装置において、ウェハに対して処理を行うときには、通常予めアライメント機構によりノッチ(ウェハの結晶の配列方向に対応した基準の方向を示すV字型の切り欠き)に基づいてウェハの向きを合わせている。アライメント機構は、ウェハを回転ステージ上に載置して360度以上回転させ、得られたウェハの周縁のデータに基づいてウェハの向きを検出するものであるが、通常このときウェハの周囲の例えば3個所からウェハの周縁を押圧してウェハの中心位置を合わせ込むようにする手法や、ウェハWの周縁形状のデータに基づいてウェハの中心位置を求め、中心位置を修正するように搬送アームによりウェハを受け取るといった手法が行われている。
例えば複数のプロセスチャンバを搬送室に接続したいわゆるマルチチャンバシステムにおいてもアライメント機構が設けられるが、アライメント機構からプロセスチャンバにウェハを搬送する途中で例えば搬送アームの不具合などによりウェハの位置ずれを起こすおそれがあり、またプロセス後のウェハについても静電チャックからの離脱時に残留電荷などによりウェハに無理な力が作用してウェハの位置がずれるおそれもある。搬送アーム上の予定としている位置からウェハがずれていると、プロセスチャンバやロードロック室の搬送口を通過するときに壁部にウェハが衝突するおそれがあるし、また処理前のウェハの場合にはプロセスチャンバ内に搬入されたとしても、載置台上に正しく載置されないので処理の面内均一性が確保できなくなる。このためマルチチャンバシステムでは、ウェハ検出センサを用いて搬送アーム上のウェハの位置の検出が行われている。
このようなセンサとして、例えば搬送アームを停止させて、3個のセンサによってウェハの外縁を検出し、その検出結果に基づいてウェハの中心位置を計算するものや、ウェハが2個のセンサの検出領域を横切るように搬送アームを動作させて、ウェハが2個のセンサの検出領域を横切ったときの各々のエンコーダ値に基づいて、ウェハ中心位置を計算するものなどが用いられている。
ところで、搬送アーム上のウェハの位置ずれをいち早く検出するためには、装置内に監視領域を複数設定することが好ましいが、上記の搬送アームの停止中にウェハの位置を検出するセンサは高額であるため、複数箇所に監視領域を設定するとセンサのコストが嵩み、装置のコストアップにつながる。また、一カ所の監視領域に複数のセンサを用いる場合、監視領域の数を多くしようとすると、センサのレイアウトが困難になる。更に、センサの数が多い場合には、各センサ間の位置関係にずれが生じる確率が高くなり、ずれが生じると、ウェハの中心位置の計算結果に誤差が生まれてしまう。尚、特許文献1には、搬送アームの移動中にウェハの位置ずれを検出する技術が記載されているが、上述の課題を解決できるものではない。
特開平01−48443(18ページ上段、図2〜図5)
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、ウェハの搬送を行う搬送装置において、搬送手段上のウェハの位置を検出するためのウェハ検出センサの数を抑えることにより、安価に装置を製造することのできる技術を提供することにある。更に他の目的は、搬送手段上のウェハの位置を高い精度で把握することのできる技術を提供することにある。
本発明のウェハ搬送装置は、
進退自在な搬送手段にウェハを載置して搬送を行うウェハ搬送装置において、
前記搬送手段の進退時に、搬送手段に載置されたウェハの通過/非通過を判別できる位置に設けられた1個のウェハ検出センサと、
前記搬送手段の駆動量から搬送手段の位置データを取得する位置データ取得手段と、
前記搬送手段上におけるウェハの基準位置に対応する基準位置データを記憶する記憶部と、
前記位置データ取得手段により取得した位置データと前記ウェハ検出センサによる判別結果とに基づいて、ウェハ検出センサの検出領域におけるウェハの通過開始時及び通過終了時の搬送手段の位置データを各々求め、これら位置データ、前記基準位置データ及びウェハの直径に基づいて、以下の式1−1及び式1−2により、基準位置におけるウエハの中心位置に対するウェハの中心位置のX方向のずれ量Δx及びウエハの中心位置のY方向のずれ量Δyを演算する手段と、を備えたことを特徴とする。
(式1−1)
Figure 0004961895
(式1−2)
Figure 0004961895
X方向:搬送手段の進行方向、Y方向:搬送手段の進行方向に対して直交して水平に伸びる方向、x :ウエハがウエハ検出センサを通過し始めるときの座標、x :ウエハがウエハ検出センサを通過し終えたときの座標、r:ウエハの直径、x ’:基準位置におけるウエハがウエハ検出センサを通過し始めるときの座標、x ’:基準位置におけるウエハがウエハ検出センサを通過し終えたときの座標、r’:基準位置におけるウエハの直径
前記搬送手段は、例えばウェハ検出センサの検出領域をウェハが直進通過するように駆動される。
ウェハの中心位置のずれ量を演算する手段は、ウェハの向きを合わせるためにウェハを回転ステージ上で回転させて外縁位置を検出したデータに基づいて求められたウェハの正確な直径を用いて演算することが好ましい。
前記ウェハ検出センサは前記搬送手段の通過/非通過を判別可能な位置に設置され、前記位置データ取得手段により取得した位置データと前記ウェハ検出センサによる判別結果とに基づいて、ウェハ検出センサの検出領域における前記搬送手段の通過開始時または通過終了時の前記搬送手段の位置データを求め、この位置データと前記搬送手段の正常時に対応する位置データとを比較することにより、前記搬送手段が正常であるか否かを判断する手段と、を備えた構成としても良い。
また、他の発明のウェハ搬送装置は、
進退自在な搬送手段にウェハを載置して搬送を行うウェハ搬送装置において、
前記搬送手段の進退時に、搬送手段に載置されたウェハの通過/非通過を判別できる位置に設けられた1個のウェハ検出センサと、
前記搬送手段の駆動量から搬送手段の位置データを取得する位置データ取得手段と、
前記搬送手段上におけるウェハの基準位置に対応する基準位置データを記憶する記憶部と、
前記位置データ取得手段により取得した位置データと前記ウェハ検出センサによる判別結果とに基づいて、ウェハ検出センサの検出領域におけるウェハの通過開始時及び通過終了時の搬送手段の位置データを各々求め、これら位置データ、前記基準位置データ及びウェハの直径に基づいて、以下の式2−1及び式2−2により、基準位置におけるウエハの中心位置に対するウェハの中心位置のX方向のずれ量Δx及びウエハの中心位置のY方向のずれ量Δyを演算する手段と、を備えたことを特徴とする。
(式2−1)
Figure 0004961895
(式2−2)
Figure 0004961895
X方向:搬送手段の進行方向、Y方向:搬送手段の進行方向に対して直交して水平に伸びる方向、x :ウエハがウエハ検出センサを通過し始めるときの座標、x :ウエハがウエハ検出センサを通過し終えたときの座標、r:ウエハの直径、x ’:X方向における基準位置のウエハの中心座標、L:Y方向におけるウエハ検出センサと基準位置のウエハの中心座標との間の距離
更に本発明の別のウエハ搬送装置は、
進退自在及び鉛直軸周りに回転自在な搬送手段にウェハを載置して搬送を行うウェハ搬送装置において、
前記搬送手段の進退時に、搬送手段に載置されたウェハの通過/非通過を判別できる位置に設けられた1個のウェハ検出センサと、
前記搬送手段の駆動量から搬送手段の位置データを取得する位置データ取得手段と、
前記搬送手段上におけるウェハの基準位置に対応する、回転中心を原点とする座標系で表される基準位置データを記憶する記憶部と、
前記位置データ取得手段により取得した位置データと前記ウェハ検出センサによる判別結果とに基づいて、ウェハ検出センサの検出領域におけるウェハの通過開始時及び通過終了時の搬送手段の位置データを各々求め、これら位置データ、前記基準位置データ及びウェハの直径に基づいて、ウェハの中心位置のずれ量を演算する手段と、を備え、
前記基準位置は、前記搬送手段上にウエハが予定通りに保持されている時における当該ウエハの中心位置であることを特徴とする。
本発明のウェハ搬送装置は、
ウェハの中心位置のずれ量がしきい値を超えているかを判断する手段と、
前記ずれ量がしきい値を超えているときに異常であることを知らせる警報手段と、を備えた構成とすることができる。
また、前記ずれ量がしきい値を超えていないときには、前記搬送手段は、ウェハの中心位置のずれ量を補正するように、搬送先にウェハを載置する構成とすることができる。
本発明のウェハ搬送方法は、
進退自在な搬送手段にウェハを載置して搬送を行うウェハ搬送方法において、
前記搬送手段の駆動量から搬送手段の位置データを取得する工程と、
前記搬送手段の進退時に、1個のウェハ検出センサの検出領域におけるウェハの通過/非通過を判別する工程と、
前記搬送手段の位置データと前記ウェハ検出センサによる判別結果とに基づいて、前記検出領域におけるウェハの通過開始時及び通過終了時の各々の搬送手段の位置データを求める工程と、
この工程で得られた位置データ、前記搬送手段上におけるウェハの基準位置に対応する基準位置データ及びウェハの直径に基づいて、以下の式1−1及び式1−2により、基準位置におけるウエハの中心位置に対するウェハの中心位置のX方向のずれ量Δx及びウエハの中心位置のY方向のずれ量Δyを演算する工程と、を含むことを特徴とする。
(式1−1)
Figure 0004961895
(式1−2)
Figure 0004961895
X方向:搬送手段の進行方向、Y方向:搬送手段の進行方向に対して直交して水平に伸びる方向、x :ウエハがウエハ検出センサを通過し始めるときの座標、x :ウエハがウエハ検出センサを通過し終えたときの座標、r:ウエハの直径、x ’:基準位置におけるウエハがウエハ検出センサを通過し始めるときの座標、x ’:基準位置におけるウエハがウエハ検出センサを通過し終えたときの座標、r’:基準位置におけるウエハの直径
ウェハの中心位置のずれ量を演算する工程は、ウェハの向きを合わせるためにウェハを回転ステージ上で回転させて外縁位置を検出したデータに基づいて求められたウェハの正確な直径を用いて行うことが好ましい。
また、本発明のウェハ搬送方法は、
前記搬送手段の進退時に、前記ウェハ検出センサの検出領域における搬送手段の通過/非通過を判別する工程と、
前記位置データ取得手段により取得した位置データと前記ウェハ検出センサによる判別結果とに基づいて、ウェハ検出センサの検出領域における前記搬送手段の通過開始時または通過終了時の前記搬送手段の位置データを求める工程と、
この位置データと前記搬送手段の正常時に対応する位置データとを比較することにより、前記搬送手段が正常であるか否かを判断する工程と、を含むようにしても良い。
更に、他の発明のウェハ搬送方法は、
進退自在な搬送手段にウェハを載置して搬送を行うウェハ搬送方法において、
前記搬送手段の駆動量から搬送手段の位置データを取得する工程と、
前記搬送手段の進退時に、1個のウェハ検出センサの検出領域におけるウェハの通過/非通過を判別する工程と、
前記搬送手段の位置データと前記ウェハ検出センサによる判別結果とに基づいて、前記検出領域におけるウェハの通過開始時及び通過終了時の各々の搬送手段の位置データを求める工程と、
この工程で得られた位置データ、前記搬送手段上におけるウェハの基準位置に対応する基準位置データ及びウェハの直径に基づいて、以下の式2−1及び式2−2により、基準位置におけるウエハの中心位置に対するウェハの中心位置のX方向のずれ量Δx及びウエハの中心位置のY方向のずれ量Δyを演算する工程と、を含むことを特徴とする。
(式2−1)
Figure 0004961895
(式2−2)
Figure 0004961895
X方向:搬送手段の進行方向、Y方向:搬送手段の進行方向に対して直交して水平に伸びる方向、x :ウエハがウエハ検出センサを通過し始めるときの座標、x :ウエハがウエハ検出センサを通過し終えたときの座標、r:ウエハの直径、x ’:X方向における基準位置のウエハの中心座標、L:Y方向におけるウエハ検出センサと基準位置のウエハの中心座標との間の距離
更に本発明の別のウエハ搬送方法は、
進退自在及び鉛直軸周りに回転自在な搬送手段にウェハを載置して搬送を行うウェハ搬送方法において、
前記搬送手段の駆動量から搬送手段の位置データを取得する工程と、
前記搬送手段の進退時に、1個のウェハ検出センサの検出領域におけるウェハの通過/非通過を判別する工程と、
前記搬送手段の位置データと前記ウェハ検出センサによる判別結果とに基づいて、前記検出領域におけるウェハの通過開始時及び通過終了時の各々の搬送手段の位置データを求める工程と、
この工程で得られた位置データ、前記搬送手段上におけるウェハの基準位置に対応する、回転中心を原点とする座標系で表される基準位置データ及びウェハの直径に基づいて、ウェハの中心位置のずれ量を演算する工程と、を含み、
前記基準位置は、前記搬送手段上にウエハが予定通りに保持されている時における当該ウエハの中心位置であることを特徴とする。

本発明のウェハ搬送方法は、
ウェハの中心位置のずれ量がしきい値を超えているかを判断し、しきい値を超えていると判断したときに異常であることを知らせる工程を含ませることができる。
また、前記ずれ量がしきい値を超えていないときには、ウェハの中心位置のずれ量を補正するように、搬送先にウェハを載置する工程を含ませることができる。
本発明の記憶媒体は、
進退自在な搬送手段にウェハを載置して搬送を行うウェハ搬送装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上記のウェハ搬送方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする。
本発明によれば、ウェハの通過/非通過を判別するためのウェハ検出センサ1個を用いて、搬送手段上のウェハの位置を検出するようにしているので、安価に装置を構成できると共に、ウェハ検出センサの配置のレイアウトが容易である。また他の発明によれば、ウェハの向きを検出するときに取得したウェハの周縁データに基づいて得られたウェハの正確な直径を考慮して演算を行っているので、ウェハの中心位置を正確に求めることができる。
本発明のウェハ搬送装置を備えた基板処理装置の一例を図1を参照して説明する。図1に示した基板処理装置11は、クラスターツールあるいはマルチチャンバなどと呼ばれる装置を示しており、キャリア室12a〜12c、第1の搬送室13、ロードロック室14、15、第2の搬送室16、プロセスユニット51〜54及びこれら各室を開閉するためのゲートバルブG(便宜上同一符号を付している)を備えている。第1の搬送室13の側面には、アライメントユニット19が設けられており、アライメントユニット19内には、後述のアライメント機構40が設置されている。ロードロック室14,15には図示しない真空ポンプとリーク弁とが設けられており、大気雰囲気で常圧である第1の搬送室13内と、真空雰囲気の第2の搬送室16との間において、ウェハWを搬送できるように構成されている。
第1の搬送室13及び第2の搬送室16には、それぞれ第1の搬送手段17及び第2の搬送手段18が設けられている。第1の搬送手段17は、キャリア室12a〜12cとロードロック室14、15との間及び第1の搬送室13とアライメントユニット19との間でウェハWの受け渡しを行うための3本のアームを備えた多関節搬送アームであり、ロードロック室14、15を結ぶ直線とキャリア室12a〜12cを結ぶ直線とを二等分する線に沿って移動可能に構成されていると共に、その二等分線上の第1の搬送手段17の中心を軸に回転可能となっている。尚、この例では第1の搬送手段17を1枚設けたが、例えば2枚以上設けても良い。第2の搬送手段18は、ロードロック室14、15とプロセスユニット51〜54との間でウェハWの受け渡しを行うための3本のアームを備えた多関節搬送アームであり、第2の搬送室16の略中心(各プロセスユニット51〜54内の載置台の中心同士を結ぶ円の中心)を軸に回転及び伸縮できるように構成されている。
第2の搬送手段18は、図2に示すが、その機能の理解を容易にするために略解して示している。即ち第2の搬送手段18は、第1のアーム63、第2のアーム64及びウェハWを載置するための馬蹄形の保持部を備えた第3のアーム65とを備え、更に第1のアーム63の中空回転軸63aを回転させるモーターと、中空回転軸63a内の軸部を回転させることにより、各関節に設けられたプーリ及びプーリ間のベルトを駆動して、関節アームを伸縮させるモーターと、を含む駆動部62を備えている。また各モーターには各々パルスエンコーダ61(便宜上1個のパルスエンコーダを示している)が設けられ、後述の制御部2のアーム座標管理部4において、これらパルスエンコーダ61の出力に基づき、極座標(r、θ)として第3のアーム65の保持部の座標位置が管理される。この例では、第2の搬送手段18を1枚設けたが、例えば2枚以上設けても良い。
図1中の第2の搬送室16には、ロードロック室14、15及びプロセスユニット51〜54との間に設けられた各ゲートGの手前側(第2の搬送手段18側)に、それぞれウェハW検出センサ(以下単に「センサ」という)21〜26が設けられている。これらの各センサ21〜26は、図2に示すように、一対の投光部27及び受光部28からなり、投光部27は第2の搬送室16の天壁の外部に設けられ、受光部28は第2の搬送室16の底面であって投光部27の真下位置に設けられており、垂直な光軸71を形成するように構成されている。第2の搬送室16の天壁及び底面における光軸71の通過領域には、開口部29が形成されており、その開口部29は、光透過部材例えば透明な石英からなる光透過窓30a、30bによって図示しないOリングを介して塞がれている。
光透過窓30a、30bの外側(投光部27側または受光部28側)には、概略リング状の押さえ部材32が設けられており、図示しない例えばボルトなどによって、この押さえ部材32が第2の搬送室16の天壁あるいは底面に固定されて、光透過窓30a、30bと第2の搬送室16の天壁あるいは底面とが図示しないOリングを介して密着することにより、第2の搬送室16内の気密を保つように構成されている。尚、図2は、センサ22について例示しているが、他のセンサ21、23〜26についても同様に構成されている。
これらのセンサ21〜26は、第2の搬送手段18によってウェハWがロードロック室14、15及びプロセスユニット51〜54との間に設けられた各ゲートGを通過する際、ウェハWの周縁近傍が各センサ21〜26の検出領域における既述の光線(光軸71)を遮るように設置されている。つまり、ロードロック室14、15及びプロセスユニット51〜54に対してウェハWが進退するときの各移動路上に対応するように、各ゲートGよりも第2の搬送手段18の回転中心寄りに各々1個のセンサ21〜26が設けられている。
投光部27及び受光部28は、後述の制御部2に接続されており、この例では光軸71上をウェハWが通過しないとき(非通過)にはオンの信号、また光軸71上をウェハWが通過するとき(通過)にはオフの信号が各々受光部28から出力されることになる。こうしてセンサ21〜26によって、ウェハWの通過/非通過が判別される。
既述のアライメントユニット19には、図3に示すように、回転載置台41と検出部42とからなるアライメント機構40が設けられている。検出部42には、回転載置台41上のウェハWの端部を上下に挟むように、ウェハWの上側と下側にそれぞれ受光部42aと発光部42bとが設けられている。この受光部42aと発光部42bとは、例えば直径300mmのウェハWの端部を含む領域例えばウェハWの中心から約140mmから約150mmの間の領域に赤外線を照射するように構成されており、後述するように、このアライメント機構40によって、ウェハWの向きの調整や偏心の修正が行われる。
各プロセスユニット51〜54は、例えば真空処理であるプラズマ等によるウェハWのエッチングや、熱処理などを行う処理部であり、例えば各プロセスユニット51〜54内の図示しない載置台に設けられた図示しない昇降ピンによって、各プロセスユニット51〜54と第2の搬送手段18との間において、各ゲートGを介してウェハWの受け渡しを行うように構成されている。
この基板処理装置11には、例えばコンピュータからなる制御部2が設けられている。この制御部2は、第2の搬送手段18の位置データを取得する位置データ取得手段に相当するアーム座標管理部4、ウェハWの位置ずれ検出プログラム3A、第2の搬送手段18の異常検出プログラム3B及びアライメント用プログラム3Cを備えている。また、5はCPU、6は記憶部である。
アーム座標管理部4は、第2の搬送手段18のパルスエンコーダ61(伸縮用のモーターに連結されたエンコーダ及び回転用モーターに連結されたエンコーダ)からのパルスカウント値に基づいて、第2の搬送手段18の位置を算出する機能を備えており、実際にはプログラム及びメモリなどからなる。ここで第2の搬送手段18の位置とは、例えば第2の搬送手段18の回転中心を原点とする座標系における第3のアーム65の保持部の保持領域の中心(ウェハWが正しく保持されているときのウェハWの中心座標)であり、前記保持領域の中心が前記原点に一致した状態からエンコーダのパルス数をカウントすることで、極座標(r、θ)の位置がわかり、従ってX、Y座標の位置が求まる。尚、これは一例であり、要するに第2の搬送手段18がホーム位置にあるときを原点とし、ここからパルスエンコーダ61のパルス数でカウントされる座標上の位置が第2の搬送手段18の位置ということになる。
ウェハWの位置ずれ検出プログラム3Aは、アーム座標管理部4で取得された第2の搬送手段18の位置データ、センサ21(22〜26)によって得られたオン、オフの信号(ウェハWの通過/非通過のデータ(判別結果))、ウェハWの基準位置データ及びウェハWの直径に基づいて、第3のアーム65上のウェハWの中心位置のずれ量を検出するためのものである。
また、この例では、ウェハWの位置ずれ検出プログラム3Aは、ウェハWの中心位置のずれ量がしきい値よりも大きい場合には、第2の搬送手段18の動作を停止すると共に、異常であることを知らせるステップ群例えばアラームを出力するステップ群も備えている。尚、ウェハWの中心位置のずれ量に応じて、第2の搬送手段18によるプロセスユニット51〜54内の載置台への引き渡し位置を修正するステップ群を前記ウェハWの位置ずれ検出プログラム3Aに持たせても良い。
第2の搬送手段18の異常検出プログラム3Bは、アーム座標管理部4で取得された第2の搬送手段18の位置データと、センサ21(22〜26)によって得られたオン、オフの信号(第2の搬送手段18の通過/非通過のデータ(判別結果))と、第2の搬送手段18の基準位置データと、に基づいて、第2の搬送手段18がセンサ21の検出領域を通過し始めたときの座標または検出領域を通過し終えたときの座標を演算するためのものである。この第2の搬送手段18の異常検出プログラム3Bは、第2の搬送手段18の位置ずれ量がしきい値よりも大きい場合には、第2の搬送手段18の動作を停止すると共に、異常であることを知らせるステップ群例えばアラームを出力するステップ群を備えている。
アライメント用プログラム3Cは、後述するように、アライメント機構40の検出部42からの受光信号に基づいて、ウェハWの外縁の位置データを取得し、この位置データに基づいてウェハWの基準マーク例えばノッチの向きを求めて、ウェハWの向きを予定している向きにすると共に、ウェハWの正確な直径を求めるためのステップ群を備えている。尚、既述のウェハWの基準位置データ、第2の搬送手段18の基準位置データ及びウェハWの正確な直径は、記憶部6内に格納される。前記各プログラム3A〜3C(処理パラメータの入力操作や表示に関するプログラムも含む)は、コンピュータ記憶媒体例えばハードディスク、フレキシブルディスク、コンパクトディスク、MO(光磁気ディスク)などの記憶部2Dに格納されて制御部2にインストールされる。
次に、本発明のウェハ搬送方法の第1の実施の形態を含む基板処理装置11の作用について図4〜図9を参照して説明する。尚、図4はウェハWが基板処理装置11内に搬入された後、プロセスユニット51〜54に搬入されるまでのフローを記載したフローチャートである。
まず、ウェハWの搬送容器であるキャリアがゲートドアGTを介して大気側からキャリア室12a〜12cのいずれかに搬入された後、例えば直径300mmのウェハWは、第1の搬送手段17によって、第1の搬送室13内に搬入される(図4のステップ1)。次いで、ウェハWは、第1の搬送手段17によってアライメントユニット19内のアライメント機構40に搬送されて、ウェハWの位置の調整や偏心の修正が行われる(ステップ2)。
即ち、まずウェハWがアライメントユニット19内の回転載置台41上に載置されると、回転載置台41が回転する。そして、発光部42bから例えば赤外線が受光部42aに向けて照射される。既述のように、赤外線は例えば直径300mmのウェハWの端部を含む領域に照射されるように構成されているため、受光部42aには、図5(a)に示すように、ウェハWの周縁部の形状が検出される。ウェハWの端部には、ノッチやオリエンテーションフラットなどと呼ばれる切り欠き部が形成されているため、同図に示すように、切り欠き部に対応した突部43が検出される。尚、同図に示す波形(ウェハWの周縁形状)は、受光部42aにおいて赤外線が遮光される領域(同図の波形の上方)と、赤外線が受光される領域(波形の下方)と、の境界線を表している。また、同図は、ウェハWにノッチが形成されている時の波形を示している。
この時、回転載置台41上にウェハWが回転載置台41と同心円をなすように載置されている場合、同図(a)に示すように、突部43を除いた波形がフラット形状になる。一方、ウェハWが偏心している場合、同図(b)に示すように、波形が略sin形状を示すため、この波形から回転載置台41の中心からどれだけずれた位置にウェハWが載置されたか割り出される。
同図(a)における波形の大きさを示すD1と、同図(b)における変曲点44の大きさを示すD2と、は、ウェハWの直径に対応した値となっており、この値から算出されたウェハWの正確な直径(例えば300.00mm)のデータが記憶部6に格納される(ステップ3)。
つまり、ウェハWの直径は、ある規格に基づいて形成されており、所定の範囲内例えば±200nm程度の誤差を持っているため、その誤差を含めた正確な直径を予め測定器を用いて測定しておき、この正確な直径とウェハWの直径に対応する値である上述のD1(またはD2)との対応関係となる式を求めておくことで、アライメント機構40におけるウェハWのアライメントによって得られたデータに基づいてウェハWの正確な直径を求めることができる。
そして、ウェハWの切り欠き部の位置が所定の位置となるように、回転載置台41が停止する。次いで、第1の搬送手段17によってウェハWが再度第1の搬送室13に搬送されるが、この時ウェハWが回転載置台41の中心からずれた位置に載置されている場合(上述のアライメントユニット19において、図5(b)の略sin形状の波形が得られた場合)には、第1の搬送手段17は、既述のアライメントユニット19において割り出されたウェハWの中心位置のずれ量に基づいて、ウェハWの中心位置のずれ量を修正するようにウェハWを受け取る。
次に、ウェハWは、第1の搬送手段17によってロードロック室14(または15)に搬送される。既述のように、このロードロック室14(または15)内の雰囲気が図示しない真空ポンプによって真空排気された後、ゲートGを介して第2の搬送手段18によって第2の搬送室16に搬入される(ステップ4)。
そして、ウェハWは、第2の搬送手段18によって、例えばプロセスユニット51内に向かって直進搬送される。この時、ウェハWは、図6(a)〜(c)に示すように、その周縁がセンサ22における検出領域である光軸71を遮るように搬送されて、その後センサ22を通過する(ステップ5)。これにより、図7に示すように、センサ22がオフ状態に切り替わり、その後オフからオンに切り替わる。一方第2の搬送手段18の位置は、アーム座標管理部4で取得されているので、制御部2側ではウェハWがセンサ22の光軸71を通過し始めたときの第2の搬送手段18の位置とウェハWが前記光軸71を通過し終えたときの第2の搬送手段18の位置とが分かる。これらの位置を把握すれば、図8(b)に示すように、光軸71を通り第3のアーム65の移動路に平行な直線TとウェハWの周縁との交点座標A1(x,y)及びA2(x,y)とが演算され(ステップ6)、ウェハWの中心位置と基準位置とのずれ量が演算される(ステップ7)。以下に、交点座標A1、A2の取得方法及び基準位置とのずれ量の算出方法について説明する。
ウェハWの中心位置と基準位置とのずれ量を演算するということは、第2の搬送手段18上において、今のウェハWの中心位置が予定している位置からどれだけずれているかを把握するために行うものであるから、ウェハWの中心位置とは、第3のアーム65に対する相対位置である。
先ず、ウェハWが第2の搬送手段18の予定している通りの位置に保持されている場合に、ウェハWがセンサ22の光軸71をどのように遮っていくかを調べる。図8(a)は、このときの様子を示すものであり、説明を簡略化するためにウェハWの直進方向及びこれに垂直な方向を各々X軸、Y軸とし、第2の搬送手段18の回転中心を原点とするX、Y座標系が存在するものとする。光軸71を通り、且つX軸に平行な直線TとウェハWの周縁との交点の座標A1’(x’,y’)(ウェハWがセンサ22を通過し始めるときの座標)及びA2’(x’,y’)(ウェハWがセンサ22を通過し終えたときの座標)は、既述のように、センサ22の受光信号と第2の搬送手段18のエンコーダ値(図7中のP1及びP2)とから、極座標とX、Y座標との座標変換を介して算出される。つまり、アーム座標管理部4によって、第2の搬送手段18のエンコーダ値から第2の搬送手段18の位置を算出できるように構成されているため、ウェハWがセンサ22を通過し始めたとき及びウェハWがセンサ22を通過し終えたときの第2の搬送手段18の座標を取得することができ、その座標が上述の座標A1’及びA2’に対応した座標となる。
次に、基板処理装置11の運転中における実際の製品ウェハWが第2の搬送手段18によって搬送される場合についても同様にして、図8(b)に示すように、各座標位置を求める。この場合の各座標位置は、図8(a)に対応させて、同一の記号を用いているが、各々ダッシュ(’)を外して示している。従って、それぞれの座標位置は、A1(x,y)及びA2(x,y)として表される。
図9に、図8(a)、(b)における双方のウェハWがセンサ22を通過し終えたときの様子を簡単に表した。尚、各座標におけるY座標の値は、いずれも直線T上の値であり、等しいため省略している。ここで、基準位置であるウェハW及び製品ウェハWの中心座標及び直径をそれぞれR’(x’,y’)、R(x,y)及びr’、rとすると、R’とRとの差のX成分Δx及びY成分Δyは、三平方の定理などから、
Figure 0004961895
・・・・・・・・(1)

Figure 0004961895
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(2)
となる。ウェハWの直径r’及び製品ウェハWの直径rは、既述のステップ3において、アライメント機構40によってあらかじめそれぞれ例えば300.00mm及び300.02mmと算出済みであることから、各ウェハWの個体差に適応して、ウェハWの中心位置と基準位置とのずれ量が演算される。
そして、ウェハWの中心位置のずれ量が所定のしきい値以下である場合、ウェハWはそのままプロセスユニット51内に搬入される(ステップ8)が、前記ずれ量がしきい値以上である場合、ウェハWの搬送が停止して、アラームが鳴る(ステップ8’)ように構成されている。尚、ウェハWの中心座標Rと基準位置R’との差がしきい値以下と判定されて、ウェハWがプロセスユニット51内に搬入されるとき、第2の搬送手段18は、ウェハWの中心をプロセスユニット51内の載置台の中心位置に載置するように、つまりウェハWの基準位置とのずれ量を修正するようにウェハWを載置する。
以上の工程に続いて、この実施の形態では、次の工程が行われる。つまり、図6(c)においてセンサ22をウェハWが通過した後、同図(d)に示すように、第2のアーム64がセンサ22の検出領域を遮るが、その時のセンサ22のON/OFFの際のエンコーダ値と、第2の搬送手段18の位置データと、から、第2の搬送手段18の位置がずれていないか確認できる。図7には、図6(d)におけるセンサ22がOFFになるときのエンコーダ値も示している。
第2の搬送手段18は、内部の回転軸の歪み、摩耗、ベルトの伸びまたは駆動機構のバックラッシュなどによって、上述したように、第2の搬送手段18の基準位置からずれている可能性があるが、第2のアーム64がセンサ22を通過するときの位置データと基準位置データとを比較することで、第2の搬送手段18の位置ずれを判別することができる。この基準位置データは、正常動作時の第2の搬送手段18がセンサ22の光軸71を遮るときの位置である。例えば第2の搬送手段18の基準位置を取得した時のエンコーダ値が図7中のP3であった場合、第2の搬送手段18の動作中に同図中P3’のエンコーダ値が得られた時には、第2の搬送手段18の位置が第2の搬送手段18の回転中心側にずれていることが分かる。
上述の実施の形態によれば、一個のセンサによってウェハWの基準位置R’からのずれ量を算出しているため、安価に基板処理装置11を構築することができると共に、第2の搬送手段18や各センサ21〜26のレイアウトが容易となり、基板処理装置11の装置設計が容易になる。また、センサの数が少ないため、センサの位置のずれによるウェハWの位置の誤差が生じにくい。
また、ウェハW毎に直径rが僅かに違っていても、アライメント機構40によって求めたウェハWの正確な直径rを計算式に取り入れることで、直径rの差に関わらず、ウェハWの中心位置の座標Rを正確に計算することができる。また、ウェハWの正確な直径rの測定は、これまで行われていたアライメントユニット19内でのウェハWの向きの調整や偏心の修正の工程におけるデータを活用しているため、あらかじめ直径rが既知のウェハWについて、アライメント機構40で得られるデータと直径rとの対応関係を計算しておくことで、ウェハW毎に直径rを別途測定しなくとも、計算によって求めることができる。
ウェハWの基準位置R’からのずれ量の測定は、プロセスユニット51内にウェハWを搬入する前に行っており、ウェハを処理する前にウェハWの搬送停止やウェハWの位置の修正を行うことができるため、ウェハWの処理の面内均一性を向上させることができ、歩留まりが向上する。
更に、このウェハWの中心座標Rの測定は、上述したように、ウェハWの搬送中に行っており、ウェハWを静止させる必要が無いため、生産性を落とすことなくウェハWの基準位置R’からのずれ量を検出することができる。このウェハWの位置データを蓄積して、その傾向や度数分布を解析することで、品質の向上などに役立てることができる。
更にまた、第2の搬送手段18の位置ずれを検出することで、第2の搬送手段18の不具合を検出でき、その不具合に基づいて、ウェハWを搬送中に基板処理装置11内の壁面などに衝突することによるウェハWの破損を防止できる。更に、ウェハW毎に第2の搬送手段18の位置を検出して、そのデータを蓄積しておくことで、第2の搬送手段18の故障時期の予測や、ウェハWの品質トラブルが発生する前に異常検出を行うことができる。この第2の搬送手段18の位置の検出は、特に別の工程を行うことなく、ウェハWの搬送時に一連の工程として行うことができるため、生産性を低下させずに第2の搬送手段18の位置の検出を行うことができる。また、この第2の搬送手段18の位置の検出は、ウェハWの搬送時に限られず、例えば第2の搬送手段18が待機している時に行うようにしても良い。
本発明のセンサ21〜26として上述の実施の形態では、透過型の光センサを用いたが、例えば第2の搬送室16の底壁側に反射型センサを設け、ウェハWが光軸71を遮ったときにウェハWの表面からの反射光を検出するようにしても良い。この場合はウェハWの非通過時にオフ(非受光)、通過時にオン(受光)の状態となる。
尚、上述の実施の形態では、アライメント機構40によって求めたウェハWの正確な直径rを計算に取り入れたが、正確な直径rを用いずに、ある程度の誤差を含んだ直径r例えば300mmとして計算しても良い。
また、この例ではウェハWが第2の搬送手段18上の予定している通りの位置に保持されている場合の基準位置R’を算出したが、計算によって求めても良い。つまり、第2の搬送手段18上に載置されるウェハWの理想的な中心位置(基準位置R’)は、第2の搬送手段18上の原点からどの程度離れているのか予め算出できることから、その座標R’を演算しておき、その座標R’を用いて上述のΔx、Δyを求めても良い。
上述のセンサ21〜26は、真空中である第2の搬送室16に設置したが、大気雰囲気である第1の搬送室13に設置して、第1の搬送手段17上のウェハWの中心位置を検出するようにしても良い。この第2の実施の形態について、図10、11を参照して説明する。図中の第1の搬送手段17は、回転ステージ68上に、既述の第2の搬送手段18と同様に、第1のアーム63、第2のアーム64及び第3のアーム65が設けられており、第1のアーム63、第2のアーム64及び第3のアーム65は、それぞれの下方の部材との接続部を軸に回転することで、第1の搬送手段17の回転中心を軸として回転及び伸縮できるように構成されている。尚、実際の基板処理装置11では、第1のアーム63、第2のアーム64及び第3のアーム65は上下に2セット設けられているが、図示の便宜上1セットのみを示してある。また、回転ステージ68には、保持具66によって投光部67aと受光部67bとを備えたセンサ67が固定されており、第1の搬送手段17と共に移動して、回転ステージ68の回転と共に回転するように構成されている。つまり、投光部67aと受光部67bとは、第1の搬送手段17によって搬送されるウェハWを上下に挟むように配置されており、既述のセンサ21〜26と同様に、投光部67aと受光部67bとの間の検出領域がウェハWによって遮られることによって、その時のエンコーダ値を検知して、既述の方法と同様に、このエンコーダ値と、そのエンコーダ値に対応する第1の搬送手段17の位置データと、から、ウェハWが検出領域を通過し始めたときの座標と検出領域を通過し終えたときの座標とを測定できるように構成されている。
第1の搬送室13内において、例えばロードロック室14、15内にウェハWを搬入する時、既述の計算方法と同様に、第1の搬送手段17の位置データとセンサ67のON/OFFの際のエンコーダ値とから、ウェハWの中心位置の座標が計算される。その後、ウェハWの中心位置と基準位置との差を比較して、その差がしきい値以上であれば、例えばアラームを鳴らしてウェハWの搬送を停止したり、ロードロック室14、15内の図示しない載置台にウェハWを載置する時にウェハWの中心位置の修正したりするようにプログラムされている。
このような構成とすることにより、第1の搬送室13内にセンサ67を複数設けずに、より簡単な構成でウェハWの中心位置を検出することができる。
尚、この例では第1の搬送手段17に保持具66を介してセンサ67を取り付けたが、既述の第2の搬送室16内のセンサ21〜26と同様に、第1の搬送室13内の例えばロードロック室14、15の手前側にセンサを取り付けるようにしても良い。また、既述のセンサ21〜26を第2の搬送室16内に取り付ける代わりに、上述のセンサ67と同様に、第2の搬送手段18の中空回転軸63aに取り付けて、第2の搬送手段18と共に回転するように構成しても良い。
また、ウェハWをロードロック室14、15内に搬入する際、既述の第2の搬送手段18の例と同様に、第2のアーム64をセンサ67の検出領域を通過するように第1の搬送手段17を動作させて、第1の搬送手段17の位置ずれを検出するように構成しても良い。
上述の第1の実施の形態及び第2の実施の形態では、ウェハWの位置を検出するために、ウェハWが搬送される軌道上にセンサ21〜26、67を各1個ずつ設けたが、複数個例えば2個ずつ設けても良い。この場合、ウェハWの位置のずれ量の計算をセンサの数の分だけ複数回行うことができるので、そのずれ量の平均値を求めて、その平均値に基づいてウェハWの位置ずれを修正できるため、計算誤差を少なくすることができる。
本発明の基板処理装置の一例を示す平面図である。 本発明の基板処理装置における第2の搬送室の一例を示す縦断面図である。 本発明の基板処理装置に用いられるアライメント機構の一例を示す説明図である。 本発明の基板処理装置における工程の一例を示すフロー図である。 上記のアライメント機構における工程の説明図である。 本発明における第2の搬送手段の動作の一例を示す平面図である。 上記の第2の搬送手段の動作に対応して得られるセンサ信号とエンコーダ値の説明図である。 本発明の基板の中心位置の計算方法の説明図である。 本発明の基板の中心位置のずれ量の計算方法の説明図である。 本発明における第1の搬送手段の一例を示す平面図である。 上記の第1の搬送手段の一例を示す斜視図である。
符号の説明
2 制御部
4 アーム座標管理部
11 基板処理装置
13 第1の搬送室
16 第2の搬送室
17 第1の搬送手段
18 第2の搬送手段
19 アライメントユニット
22 センサ
40 アライメント機構
63 第1のアーム
64 第2のアーム
65 第3のアーム

Claims (17)

  1. 進退自在な搬送手段にウェハを載置して搬送を行うウェハ搬送装置において、
    前記搬送手段の進退時に、搬送手段に載置されたウェハの通過/非通過を判別できる位置に設けられた1個のウェハ検出センサと、
    前記搬送手段の駆動量から搬送手段の位置データを取得する位置データ取得手段と、
    前記搬送手段上におけるウェハの基準位置に対応する基準位置データを記憶する記憶部と、
    前記位置データ取得手段により取得した位置データと前記ウェハ検出センサによる判別結果とに基づいて、ウェハ検出センサの検出領域におけるウェハの通過開始時及び通過終了時の搬送手段の位置データを各々求め、これら位置データ、前記基準位置データ及びウェハの直径に基づいて、以下の式1−1及び式1−2により、基準位置におけるウエハの中心位置に対するウェハの中心位置のX方向のずれ量Δx及びウエハの中心位置のY方向のずれ量Δyを演算する手段と、を備えたことを特徴とするウェハ搬送装置。
    (式1−1)
    Figure 0004961895

    (式1−2)

    Figure 0004961895
    X方向:搬送手段の進行方向、Y方向:搬送手段の進行方向に対して直交して水平に伸びる方向、x :ウエハがウエハ検出センサを通過し始めるときの座標、x :ウエハがウエハ検出センサを通過し終えたときの座標、r:ウエハの直径、x ’:基準位置におけるウエハがウエハ検出センサを通過し始めるときの座標、x ’:基準位置におけるウエハがウエハ検出センサを通過し終えたときの座標、r’:基準位置におけるウエハの直径
  2. 前記搬送手段は、ウェハ検出センサの検出領域をウェハが直進通過するように駆動されることを特徴とする請求項1に記載のウェハ搬送装置。
  3. ウェハの中心位置のずれ量を演算する手段は、ウェハの向きを合わせるためにウェハを回転ステージ上で回転させて外縁位置を検出したデータに基づいて求められたウェハの正確な直径を用いて演算するように構成されたことを特徴とする請求項1または2に記載のウェハ搬送装置。
  4. 前記ウェハ検出センサは前記搬送手段の通過/非通過を判別可能な位置に設置され、前記位置データ取得手段により取得した位置データと前記ウェハ検出センサによる判別結果とに基づいて、ウェハ検出センサの検出領域における前記搬送手段の通過開始時または通過終了時の前記搬送手段の位置データを求め、この位置データと前記搬送手段の正常時に対応する位置データとを比較することにより、前記搬送手段が正常であるか否かを判断する手段と、を備えたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載のウェハ搬送装置。
  5. ウェハの中心位置のずれ量がしきい値を超えているかを判断する手段と、
    前記ずれ量がしきい値を超えているときに異常であることを知らせる警報手段と、を備えたことを特徴とする請求項1ないしのいずれか一つに記載のウェハ搬送装置。
  6. ウェハの中心位置のずれ量がしきい値を超えているかを判断する手段を備え、
    前記ずれ量がしきい値を超えていないときには、前記搬送手段は、ウェハの中心位置のずれ量を補正するように、搬送先にウェハを載置することを特徴とする請求項1ないしのいずれか一つに記載のウェハ搬送装置。
  7. 進退自在な搬送手段にウェハを載置して搬送を行うウェハ搬送装置において、
    前記搬送手段の進退時に、搬送手段に載置されたウェハの通過/非通過を判別できる位置に設けられた1個のウェハ検出センサと、
    前記搬送手段の駆動量から搬送手段の位置データを取得する位置データ取得手段と、
    前記搬送手段上におけるウェハの基準位置に対応する基準位置データを記憶する記憶部と、
    前記位置データ取得手段により取得した位置データと前記ウェハ検出センサによる判別結果とに基づいて、ウェハ検出センサの検出領域におけるウェハの通過開始時及び通過終了時の搬送手段の位置データを各々求め、これら位置データ、前記基準位置データ及びウェハの直径に基づいて、以下の式2−1及び式2−2により、基準位置におけるウエハの中心位置に対するウェハの中心位置のX方向のずれ量Δx及びウエハの中心位置のY方向のずれ量Δyを演算する手段と、を備えたことを特徴とするウェハ搬送装置。
    (式2−1)
    Figure 0004961895
    (式2−2)
    Figure 0004961895
    X方向:搬送手段の進行方向、Y方向:搬送手段の進行方向に対して直交して水平に伸びる方向、x :ウエハがウエハ検出センサを通過し始めるときの座標、x :ウエハがウエハ検出センサを通過し終えたときの座標、r:ウエハの直径、x ’:X方向における基準位置のウエハの中心座標、L:Y方向におけるウエハ検出センサと基準位置のウエハの中心座標との間の距離
  8. 進退自在及び鉛直軸周りに回転自在な搬送手段にウェハを載置して搬送を行うウェハ搬送装置において、
    前記搬送手段の進退時に、搬送手段に載置されたウェハの通過/非通過を判別できる位置に設けられた1個のウェハ検出センサと、
    前記搬送手段の駆動量から搬送手段の位置データを取得する位置データ取得手段と、
    前記搬送手段上におけるウェハの基準位置に対応する、回転中心を原点とする座標系で表される基準位置データを記憶する記憶部と、
    前記位置データ取得手段により取得した位置データと前記ウェハ検出センサによる判別結果とに基づいて、ウェハ検出センサの検出領域におけるウェハの通過開始時及び通過終了時の搬送手段の位置データを各々求め、これら位置データ、前記基準位置データ及びウェハの直径に基づいて、ウェハの中心位置のずれ量を演算する手段と、を備え、
    前記基準位置は、前記搬送手段上にウエハが予定通りに保持されている時における当該ウエハの中心位置であることを特徴とするウェハ搬送装置。
  9. 進退自在な搬送手段にウェハを載置して搬送を行うウェハ搬送方法において、
    前記搬送手段の駆動量から搬送手段の位置データを取得する工程と、
    前記搬送手段の進退時に、1個のウェハ検出センサの検出領域におけるウェハの通過/非通過を判別する工程と、
    前記搬送手段の位置データと前記ウェハ検出センサによる判別結果とに基づいて、前記検出領域におけるウェハの通過開始時及び通過終了時の各々の搬送手段の位置データを求める工程と、
    この工程で得られた位置データ、前記搬送手段上におけるウェハの基準位置に対応する基準位置データ及びウェハの直径に基づいて、以下の式1−1及び式1−2により、基準位置におけるウエハの中心位置に対するウェハの中心位置のX方向のずれ量Δx及びウエハの中心位置のY方向のずれ量Δyを演算する工程と、を含むことを特徴とするウェハ搬送方法。
    (式1−1)
    Figure 0004961895
    (式1−2)

    Figure 0004961895
    X方向:搬送手段の進行方向、Y方向:搬送手段の進行方向に対して直交して水平に伸びる方向、x :ウエハがウエハ検出センサを通過し始めるときの座標、x :ウエハがウエハ検出センサを通過し終えたときの座標、r:ウエハの直径、x ’:基準位置におけるウエハがウエハ検出センサを通過し始めるときの座標、x ’:基準位置におけるウエハがウエハ検出センサを通過し終えたときの座標、r’:基準位置におけるウエハの直径
  10. 前記搬送手段は、ウェハ検出センサの検出領域をウェハが直進通過するように駆動されることを特徴とする請求項に記載のウェハ搬送方法。
  11. ウェハの中心位置のずれ量を演算する工程は、ウェハの向きを合わせるためにウェハを回転ステージ上で回転させて外縁位置を検出したデータに基づいて求められたウェハの正確な直径を用いて行うことを特徴とする請求項9または10に記載のウェハ搬送方法。
  12. 前記搬送手段の進退時に、前記ウェハ検出センサの検出領域における搬送手段の通過/非通過を判別する工程と、
    前記位置データ取得手段により取得した位置データと前記ウェハ検出センサによる判別結果とに基づいて、ウェハ検出センサの検出領域における前記搬送手段の通過開始時または通過終了時の前記搬送手段の位置データを求める工程と、
    この位置データと前記搬送手段の正常時に対応する位置データとを比較することにより、前記搬送手段が正常であるか否かを判断する工程と、を含むことを特徴とする請求項9ないし11のいずれか一つに記載のウェハ搬送方法。
  13. ウェハの中心位置のずれ量がしきい値を超えているかを判断し、しきい値を超えていると判断したときに異常であることを知らせる工程を含むことを特徴とする請求項ないし12のいずれか一つに記載のウェハ搬送方法。
  14. ウェハの中心位置のずれ量がしきい値を超えているかを判断し、しきい値を超えていないと判断したときには、ウェハの中心位置のずれ量を補正するように、搬送先にウェハを載置する工程を含むことを特徴とする請求項ないし12のいずれか一つに記載のウェハ搬送方法。
  15. 進退自在な搬送手段にウェハを載置して搬送を行うウェハ搬送方法において、
    前記搬送手段の駆動量から搬送手段の位置データを取得する工程と、
    前記搬送手段の進退時に、1個のウェハ検出センサの検出領域におけるウェハの通過/非通過を判別する工程と、
    前記搬送手段の位置データと前記ウェハ検出センサによる判別結果とに基づいて、前記検出領域におけるウェハの通過開始時及び通過終了時の各々の搬送手段の位置データを求める工程と、
    この工程で得られた位置データ、前記搬送手段上におけるウェハの基準位置に対応する基準位置データ及びウェハの直径に基づいて、以下の式2−1及び式2−2により、基準位置におけるウエハの中心位置に対するウェハの中心位置のX方向のずれ量Δx及びウエハの中心位置のY方向を演算する工程と、を含むことを特徴とするウェハ搬送方法。
    (式2−1)
    Figure 0004961895
    (式2−2)
    Figure 0004961895
    X方向:搬送手段の進行方向、Y方向:搬送手段の進行方向に対して直交して水平に伸びる方向、x :ウエハがウエハ検出センサを通過し始めるときの座標、x :ウエハがウエハ検出センサを通過し終えたときの座標、r:ウエハの直径、x ’:X方向における基準位置のウエハの中心座標、L:Y方向におけるウエハ検出センサと基準位置のウエハの中心座標との間の距離
  16. 進退自在及び鉛直軸周りに回転自在な搬送手段にウェハを載置して搬送を行うウェハ搬送方法において、
    前記搬送手段の駆動量から搬送手段の位置データを取得する工程と、
    前記搬送手段の進退時に、1個のウェハ検出センサの検出領域におけるウェハの通過/非通過を判別する工程と、
    前記搬送手段の位置データと前記ウェハ検出センサによる判別結果とに基づいて、前記検出領域におけるウェハの通過開始時及び通過終了時の各々の搬送手段の位置データを求める工程と、
    この工程で得られた位置データ、前記搬送手段上におけるウェハの基準位置に対応する、回転中心を原点とする座標系で表される基準位置データ及びウェハの直径に基づいて、ウェハの中心位置のずれ量を演算する工程と、を含み、
    前記基準位置は、前記搬送手段上にウエハが予定通りに保持されている時における当該ウエハの中心位置であることを特徴とするウェハ搬送方法。
  17. 進退自在な搬送手段にウェハを載置して搬送を行うウェハ搬送装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
    前記コンピュータプログラムは、請求項9ないし16のいずれか一つに記載のウェハ搬送方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
JP2006229635A 2006-08-25 2006-08-25 ウェハ搬送装置、ウェハ搬送方法及び記憶媒体 Active JP4961895B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006229635A JP4961895B2 (ja) 2006-08-25 2006-08-25 ウェハ搬送装置、ウェハ搬送方法及び記憶媒体
US11/892,677 US8025475B2 (en) 2006-08-25 2007-08-24 Wafer transfer apparatus, wafer transfer method and storage medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006229635A JP4961895B2 (ja) 2006-08-25 2006-08-25 ウェハ搬送装置、ウェハ搬送方法及び記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008053552A JP2008053552A (ja) 2008-03-06
JP4961895B2 true JP4961895B2 (ja) 2012-06-27

Family

ID=39237292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006229635A Active JP4961895B2 (ja) 2006-08-25 2006-08-25 ウェハ搬送装置、ウェハ搬送方法及び記憶媒体

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8025475B2 (ja)
JP (1) JP4961895B2 (ja)

Families Citing this family (333)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7806684B2 (en) * 2007-10-02 2010-10-05 United Microelectronics Corp. Method of semiconductor process and semiconductor apparatus system
JP5266964B2 (ja) * 2008-08-26 2013-08-21 株式会社安川電機 基板搬送システム、半導体製造装置および基板位置算出方法
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5724182B2 (ja) * 2010-02-22 2015-05-27 株式会社ニコン 基板処理装置および積層半導体装置製造方法
JP5572575B2 (ja) * 2010-05-12 2014-08-13 東京エレクトロン株式会社 基板位置決め装置、基板処理装置、基板位置決め方法及びプログラムを記録した記憶媒体
JP5449239B2 (ja) * 2010-05-12 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びプログラムを記録した記憶媒体
JP5605132B2 (ja) * 2010-09-28 2014-10-15 シンフォニアテクノロジー株式会社 搬送ロボット、円盤状搬送対象物アライメント方法
JP5516482B2 (ja) * 2011-04-11 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法、基板搬送装置、及び塗布現像装置
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) * 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP2013045817A (ja) * 2011-08-23 2013-03-04 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置および真空処理方法
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP5673577B2 (ja) * 2012-02-07 2015-02-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2013197232A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体。
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP6059537B2 (ja) * 2013-01-09 2017-01-11 株式会社Screenホールディングス 熱処理装置
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
JP6303556B2 (ja) 2014-02-05 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板搬送機構の位置検出方法、記憶媒体及び基板搬送機構の位置検出装置
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
CN104016117B (zh) * 2014-05-28 2017-01-18 京东方科技集团股份有限公司 一种自动调整基板位置的叉板及调整方法
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
JP2016048744A (ja) * 2014-08-28 2016-04-07 株式会社ディスコ 加工装置
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
JP6463227B2 (ja) * 2015-07-07 2019-01-30 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
CN105514011B (zh) * 2015-12-31 2018-06-22 北京北方华创微电子装备有限公司 安全传输硅片的机械手及方法
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
JP6298109B2 (ja) * 2016-07-08 2018-03-20 キヤノントッキ株式会社 基板処理装置及びアライメント方法
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP7158133B2 (ja) * 2017-03-03 2022-10-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 雰囲気が制御された移送モジュール及び処理システム
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US20190077013A1 (en) * 2017-09-08 2019-03-14 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Robot Diagnosing Method
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7372078B2 (ja) * 2019-08-19 2023-10-31 株式会社Screenホールディングス 基板の偏芯低減方法およびティーチング装置
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
CN112775956A (zh) * 2019-11-08 2021-05-11 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 一种机械手awc纠偏***实现方法
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US11551912B2 (en) 2020-01-20 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US20220044950A1 (en) * 2020-08-05 2022-02-10 Changxin Memory Technologies, Inc. Storage system, query system and storage method for reticles, and computer device
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
US12002695B2 (en) * 2021-06-10 2024-06-04 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Transport system and determination method
CN113838791A (zh) * 2021-08-30 2021-12-24 威科赛乐微电子股份有限公司 晶片取片、圆心定位装置、方法、***及可读存储介质
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4819167A (en) 1987-04-20 1989-04-04 Applied Materials, Inc. System and method for detecting the center of an integrated circuit wafer
JPH0626232B2 (ja) * 1988-07-21 1994-04-06 株式会社日立製作所 ウエハ位置整合方法
EP0597637B1 (en) * 1992-11-12 2000-08-23 Applied Materials, Inc. System and method for automated positioning of a substrate in a processing chamber
US5980194A (en) * 1996-07-15 1999-11-09 Applied Materials, Inc. Wafer position error detection and correction system
JP3295915B2 (ja) * 1997-08-28 2002-06-24 株式会社 日立インダストリイズ 半導体ウエファの位置決め方法とその装置
US6085125A (en) * 1998-05-11 2000-07-04 Genmark Automation, Inc. Prealigner and planarity teaching station
JP4674705B2 (ja) * 1998-10-27 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 搬送システムの搬送位置合わせ方法及び搬送システム
US6405101B1 (en) * 1998-11-17 2002-06-11 Novellus Systems, Inc. Wafer centering system and method
DE19957758C2 (de) * 1999-12-01 2001-10-25 Steag Rtp Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Ausrichten von scheibenförmigen Substraten
JP4576694B2 (ja) * 2000-10-11 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 被処理体の処理システムの搬送位置合わせ方法及び被処理体の処理システム
KR100742026B1 (ko) * 2000-12-08 2007-07-23 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 처리 시스템 및 피처리체 반송 방법
JP4254116B2 (ja) * 2002-03-22 2009-04-15 東京エレクトロン株式会社 位置合わせ用基板
US6813543B2 (en) * 2002-10-08 2004-11-02 Brooks-Pri Automation, Inc. Substrate handling system for aligning and orienting substrates during a transfer operation
US7433759B2 (en) * 2004-07-22 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for positioning wafers

Also Published As

Publication number Publication date
US8025475B2 (en) 2011-09-27
JP2008053552A (ja) 2008-03-06
US20090053023A1 (en) 2009-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4961895B2 (ja) ウェハ搬送装置、ウェハ搬送方法及び記憶媒体
KR101817395B1 (ko) 기판 반송 기구의 위치 검출 방법, 기억 매체 및 기판 반송 기구의 위치 검출 장치
US9541920B2 (en) Method for positioning a transfer unit, method for calculating positional deviation amount of an object to be processed, and method for correcting teaching data of the transfer unit
EP1062687B1 (en) On the fly center-finding during substrate handling in a processing system
US6990430B2 (en) System and method for on-the-fly eccentricity recognition
US10607878B2 (en) Transfer device and correction method
US6522942B2 (en) Transfer apparatus for semiconductor process
US6166509A (en) Detection system for substrate clamp
CN100524684C (zh) 晶片的定位方法
US7353076B2 (en) Vacuum processing method and vacuum processing apparatus
KR980012211A (ko) 웨이퍼 위치 에러 검출 및 보정 시스템
KR20190131427A (ko) 기판 반송 방법 및 기판 반송 장치
US7167805B2 (en) Device for correcting reference position for transfer mechanism, and correction method
US7596425B2 (en) Substrate detecting apparatus and method, substrate transporting apparatus and method, and substrate processing apparatus and method
CN110788852B (zh) 机械手的校准方法、校准装置和半导体处理设备
JP2006351883A (ja) 基板搬送機構及び処理システム
JP2002043394A (ja) 位置ずれ検出装置及び処理システム
JP4357619B2 (ja) マルチチャンバシステム
CN104752295A (zh) 位置监测装置、等离子体加工设备及工件的装卸方法
JP4607994B2 (ja) 円盤状物の位置決め方法並びに、その方法を使用する円盤状物の位置決め装置、搬送装置および半導体製造設備
JP2005093807A (ja) 半導体製造装置
KR20160066824A (ko) 기판 이송 방법
JP2009184069A (ja) ウエハ搬送装置及びその調整方法
US20200262088A1 (en) Radar Based Position Measurement For Robot Systems
WO2022239266A1 (ja) 搬送装置及び膨張量算出方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090702

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100728

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110920

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111121

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120228

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120312

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4961895

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250