CN109920752A - 一种切割工艺 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种切割工艺,包括步骤:(1)在低粘度光学膜正面中部贴上至少一个基板；基板包括切割面，基板的切割面面向所述低粘度光学膜；然后将切割环沿低粘度光学膜不与基板接触的四周边缘贴于低粘度光学膜正面，形成基板组件；(2)将基板组件放入自动切割机的真空工作台中，低粘度光学膜贴有所述基板的一面朝向所述真空工作台，即低粘度光学膜与真空工作台设置有所述基板，然后使用金刚刀片对基板进行预切割；(3)切割完成后，用***吹去所述低粘度光学膜上的水分和基板碎屑，然后固定基板，将低粘度光学膜按照其对角线轨迹撕下；(4)把真空工作台上预切后的基板放入料盒。应用本技术方案可实现简化基板预切割程序，提高生产效率。

Description

一种切割工艺

技术领域

本发明涉及EMC或SMC基板领域，具体是指一种切割工艺。

背景技术

在EMC或SMC基板预切割工艺中，首先将带有高粘度胶水层的UV膜贴附在EMC或SMC基板正面上；然后将EMC或SMC基板贴膜的一面放置在切割机的载物台上(切割机厂家如DISCO,NDS)，利用载物台上的真空吸孔吸附住UV膜；然后使用高速旋转的金刚刀对EMC或SMC基板进行不完全切透，只切断金属引线；切割完成后，用365nm波长的紫外线光源对UV膜进行一定剂量的照射，使得UV膜的胶水层降低粘性，从而很容易将切割好EMC或SMC基板从UV膜上取下。自动切割机的工作台是真空吸附，所以工作台需保持干净。金刚刀片因为转速非常快，最高可以到每秒3000转，在切割物表面会产生非常大的振动，可能导致半导体芯片或封装模块被高速旋转的刀片带离UV膜，即所谓“飞片”，所以需要底膜粘性足够。

在传统UV膜更换低粘度光学膜切割工艺中，对于EMC或SMC基板预切，粘性小的低粘度光学膜会导致切割飞料或清洗飞料，进而造成EMC或SMC基板杯里进脏污难以清洗掉。然而粘性偏高的光学膜会使EMC或SMC基板在下料时因粘性太强难以下料，甚至下料过程中导致基板破裂。LED制造中EMC或SMC基板在进行预切割时需要底膜，现有底膜为UV膜,UV膜在切割加工时需要进行解胶和清洗，工艺繁琐,生产效率较低,且成本高昂。

发明内容

本发明的目的在于提供一种切割工艺，简化基板切割程序，提高生产效率。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种切割工艺,包括步骤:

(1)在低粘度光学膜正面中部贴上至少一个基板；所述基板包括切割面，所述基板的切割面面向所述低粘度光学膜；然后将切割环沿低粘度光学膜不与所述基板接触的四周边缘贴于低粘度光学膜正面，形成基板组件；

(2)将基板组件放入自动切割机的真空工作台中，低粘度光学膜贴有所述基板的一面朝向所述真空工作台，即低粘度光学膜与真空工作台设置有所述基板，然后使用金刚刀片对基板进行预切割；

(3)切割完成后，用***吹去所述低粘度光学膜上的水分和基板碎屑，然后固定基板，将低粘度光学膜按照其对角线轨迹撕下；

(4)把真空工作台上预切后的基板放入料盒。

在一较佳的实施例中，所述低粘度光学膜的粘力值范围为0.1N/cm^2至2N/cm^2，所述低粘度光学膜的厚度范围为0.01mm至1mm，所述低粘度光学膜的透光率范围为50％以上。

在一较佳的实施例中，所述低粘度光学膜的材质具体为PU或PE或PET或PVC或PO。

在一较佳的实施例中，所述基板的切割面上具有切割轨迹。

在一较佳的实施例中，所述金刚刀片的厚度为范围为0.01mm至0.3mm。

在一较佳的实施例中，驱动所述金刚刀片的机台的步进速度为范围为10mm/s至200mm/s，金刚刀片转速为范围为10000rpm至40000rpm，金刚刀片的切割高度为0.01mm至5mm。

在一较佳的实施例中，所述真空工作台具有一定吸附力，用于吸附所述基板。

在一较佳的实施例中，所述真空工作台的吸附压强为范围为50pa至1000pa。

相较于现有技术，本发明的技术方案具备以下有益效果：

1.新低粘度光学膜切割工艺流程依次是贴膜、切割及下料，而传统的UV膜切割工艺流程依次是贴膜、切割、清洗、解胶及下料，相比之下少了清洗和解胶的工艺及操作时间；使得生产过程更加简单，且耗时缩短。

2.采用这种切割工艺是覆盖式的切割，真空工作台上真空吸附力代替膜粘性力，污水难以渗透到基板杯里，相比现有工艺粘度要求较低，只需黏住基板就行，而且真空工作台本身高洁净度，不会对EMC或SMC基板造成污染，所以无需清洗步骤。

3.本发明低粘度光学膜切割工艺可拓展应用于其他基板预切，只需切割产品不完全切断便可，实用性高。

4.本发明切割方法可以减少工序，提高生产效率，降低生产成本，减少紫外光环境污染。

附图说明

图1为本发明优选实施例中真空工作台位置示意图；

图2为本发明优选实施例中基板组件与真空工作台的位置关系示意图；

图3为本发明优选实施例中基板组件的具体结构示意图；

图4为本发明优选实施例中基板组件被切割时的状态示意图；

图5为本发明优选实施例中基板的切割轨迹分布示意图。

具体实施方式

下文结合附图和具体实施方式对本发明做进一步说明。

一种切割工艺,参考图1至5，包括步骤:

(1)在低粘度光学膜21正面中部贴上至少一个基板22；所述基板22包括切割面，所述基板22的切割面面向所述低粘度光学膜21；然后将切割环23沿低粘度光学膜21不与所述基板22接触的四周边缘贴于低粘度光学膜21正面，形成基板组件2；

(2)将基板组件2放入自动切割机的真空工作台中，低粘度光学膜21贴有所述基板22的一面朝向所述真空工作台，即低粘度光学膜21与真空工作台设置有所述基板22，所述基板22的切割面上具有切割轨迹3，然后使用金刚刀片按照预定切割轨迹3对基板22进行预切割；

(3)切割完成后，用***吹去所述低粘度光学膜21上的水分和基板22碎屑，然后固定基板22，将低粘度光学膜21按照其对角线轨迹撕下；

(4)把真空工作台上预切后的基板22放入料盒。

具体来说，所述金刚刀片的厚度范围为0.05mm至0.1mm，所述低粘度光学21的厚度范围为0.06mm至0.1mm；为了使切割基板22时能够看清切割轨道3，所述低粘度光学膜21具有一定透明度。驱动所述金刚刀片的机台的步进速度范围为50mm/s至80mm/s，金刚刀刀片转速范围为30000rpm至40000rpm，金刚刀片的切割高度范围为0.23mm至0.33mm。所述真空工作台具有一定吸附力，用于吸附所述基板22。所述真空工作台的吸附压强范围为50pa至100pa。

本发明的低粘度光学膜切割技术流程依次是贴膜、切割及下料，而传统的UV膜切割工艺流程依次是贴膜、切割、清洗、解胶及下料，相比之下少了清洗和解胶的工艺及操作时间；使得生产过程更加简单，且耗时缩短。采用这种低粘度光学膜21覆盖切割工艺是覆盖式的切割，真空工作台上真空吸附力代替膜粘性力，污水难以渗透到基板22杯里，相比现有工艺粘度要求较低，只需黏住基板22就行，而且真空工作台本身高洁净度，不会对EMC或SMC基板22造成污染，所以无需清洗步骤。本发明低粘度光学膜21切割工艺可扩展应用于其他基板22预切，只需切割产品不完全切断便可，实用性高。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的设计构思并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，利用此构思对本发明进行非实质性的改动，均属于侵犯本发明保护范围的行为。

Claims (8)

1.一种切割工艺,其特征在于，包括步骤:

(1)在低粘度光学膜正面中部贴上至少一个基板；所述基板包括切割面，所述基板的切割面面向所述低粘度光学膜；然后将切割环沿低粘度光学膜不与所述基板接触的四周边缘贴于低粘度光学膜正面，形成基板组件；

(2)将基板组件放入自动切割机的真空工作台中，低粘度光学膜贴有所述基板的一面朝向所述真空工作台，即低粘度光学膜与真空工作台设置有所述基板，然后使用金刚刀片对基板进行预切割；

(3)切割完成后，用***吹去所述低粘度光学膜上的水分和基板碎屑，然后固定基板，将低粘度光学膜按照其对角线轨迹撕下；

(4)把真空工作台上预切后的基板放入料盒。

2.根据权利要求1所述的一种切割工艺，其特征在于，所述低粘度光学膜的粘力值范围为0.1N/cm^2至2N/cm^2，所述低粘度光学膜的厚度范围为0.01mm至1mm，所述低粘度光学膜的透光率范围为50％以上。

3.根据权利要求1所述的一种切割工艺，其特征在于，所述低粘度光学膜的材质具体为PU或PE或PET或PVC或PO。

4.根据权利要求1所述的一种切割工艺，其特征在于，所述基板的切割面上具有切割轨迹。

5.根据权利要求1所述的一种切割工艺，其特征在于，所述金刚刀片的厚度为范围为0.01mm至0.3mm。

6.根据权利要求1所述的一种切割工艺，其特征在于，驱动所述金刚刀片的机台的步进速度为范围为10mm/s至200mm/s，金刚刀片转速为范围为10000rpm至40000rpm，金刚刀片的切割高度为0.01mm至5mm。

7.根据权利要求1所述的一种切割工艺，其特征在于，所述真空工作台具有一定吸附力，用于吸附所述基板。

8.根据权利要求1所述的一种切割工艺，其特征在于，所述真空工作台的吸附压强为范围为50pa至1000pa。