JP4882212B2 - 縦型半導体装置 - Google Patents
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Description
L+WN/2≧d
L:終端領域長
WN:N型コラム領域幅
d:コラム構造深さ
そこで、請求項1ないし3に記載の発明では、コラム領域(4)を有する縦型半導体装置において、アクティブ領域の終端(17)となるボディコンタクト領域(8)の終端と、コラム領域終端(16)までの距離を終端領域長L、第1半導体領域幅をW1、コラム領域深さをdと定義して、L≧d−W1/2の式を満たすように構成されたことを特徴としている。
図1(a)は本発明の第1実施形態における縦型MOSFETの断面図であり、図2に示すP型コラム領域3の短辺に対向する領域のB−B'断面構造に相当する構造である。なお、本実施形態の理解を容易にするために示した図1の(b)は図2に示すP型コラム領域3の長辺に対向する領域のA−A'断面構造に相当する構造であり、従来から知られている構造である。
コラム構造は、図1(b)に示されるように、P型半導体単結晶からなるP型コラム領域3とN型半導体単結晶からなるN型コラム領域2とが交互に並んで構成されるものである。図1(a)ではコラム領域4のうち、P型コラム領域3のみの断面を図示しているが、実際にはコラム領域4には図面奥行き方向に隣接してN型シリコン単結晶で形成されるN型コラム領域2が存在する。N型コラム領域2は縦型MOSFETのドリフト領域と見なすことができ、ドレイン電流はこのN型コラム領域2を流れる。
L≧d−WN/2
L:終端領域長
WN:N型コラム領域幅
d:コラム構造深さ
更に、N型シリコン単結晶領域21上部であって、P−型半導体単結晶領域5の外側にはN型の単結晶領域22が表面から単結晶領域21に接する形で形成される。この単結晶領域22は、P型コラム領域3の終端位置と同じ位置から、もしくはそれよりも外側からアクティブ領域13の外周側に向かって配置されるようになっている。そして、これら単結晶領域21および22によって素子の最外周が囲まれた構造となる。
図6(a)は本発明の第2実施形態における縦型MOSFETの断面図である。本実施形態は第1実施形態に対して、図1(a)、(b)で示した断面図のうち基板表面にあるP-型半導体単結晶領域5及びNバッファ領域12が存在せず、コラム構造がPボディ領域6の存在しない基板表面に到達している点が異なる。
図7(a)は本発明の第3実施形態における縦型MOSFETの断面図であり、図8に示すP型コラム領域3の短辺に対向する領域のD−D'断面構造に相当する構造である。なお、本実施形態の理解を容易にするために示した図7の(b)は図8に示すP型コラム領域3の長辺に対向する領域のC−C'断面構造に相当する構造であり、従来から知られている構造である。
L≧(d−WN/2)/sin35.27
L:終端領域長
WN:N型コラム領域幅
d:コラム構造深さ
このため、P+型ボディコンタクト領域8の最外周部分によってきまるアクティブ領域の終端17から、基板表面におけるコラム領域終端16にあるP/N接合部分までの距離を終端領域長と定義し、数式3を満たす終端領域長Lだけ離間してアクティブ領域13とN型シリコン単結晶からなるN型半導体領域21を形成する。
図9(a)は本発明の第4実施形態における縦型MOSFETの断面図である。第3実施形態と異なる部分は、第3実施形態の図7(a)、(b)で示した断面図のうち基板表面にあるP-型半導体領域5及びNバッファ領域12が存在せず、Pボディ領域6がコラム領域4の内部に存在する点である。
L≧{(d−WN/2)/sin35.27}+(dB/tan35.27)
L:終端領域長
WN:N型コラム領域幅
d:コラム構造深さ
dB:P型ボディ領域深さ
このようにすることで、第4実施形態においても第3実施形態と同様に、コラム領域4の内部からコラム領域終端16に向けて広がる空乏層は、基板深さ方向に広がる空乏層と同等に広げることが可能となり、コラム構造の短辺に対向する領域における電界集中を回避でき、縦型MOSFETの耐圧向上が可能となる。
本実施形態は前述の実施形態におけるコラム領域の角部について、コラム構造の短辺に対向する領域での電界集中を回避し、縦型MOSFETの耐圧向上を図るものである。即ち、図10に示すように、基板上面方向から見てアクティブ領域終端17からの終端領域長Lの範囲が曲率を持って示される部分においては、終端領域長Lの範囲よりもコラムの短辺が外側に位置する様にする。
これまではコラム領域4について、P型またはN型コラム領域の幅(WN、WP)、P型またはN型コラム領域の濃度については特に説明しなかったが、基板面内全体のP型またはN型コラム領域の幅(WN、WP)、P型またはN型コラム領域の濃度が一定であってもよい。
Claims (6)
- 縦型半導体素子を備えた半導体装置であって、
第1導電型の半導体基板(1)と、
前記半導体基板上において、前記半導体基板の基板深さ方向に対して一定の深さとなる第1導電型の第1半導体領域(2)と第2導電型の第2半導体領域(3)とを有して構成され、前記第2半導体領域が、前記第1半導体領域中に前記基板表面側から見て短冊状に構成された多角形で、一定距離離間されて複数本形成されることにより前記半導体基板上で前記第1半導体領域と前記第2半導体領域とが交互に並ぶ、コラム構造とされたコラム領域(4)と、
前記コラム領域(4)の外側であって、前記第1導電型の半導体基板(1)上にある第3半導体領域(21)と、
前記コラム領域上または、前記コラム領域上から前記コラム領域の外側に位置する第3半導体領域(21)上に位置する、第2導電型の第4半導体領域(5)と、
前記第4半導体領域の更に外側で、前記第3半導体領域(21)上部で表面から第3半導体領域まで広がる第5半導体領域(22)と、
前記コラム領域の基板表面側に形成された第2導電型のボディ領域(6)と、
前記ボディ領域内に形成された第1導電型のソース領域(7)、第2導電型のボディコンタクト領域(8)、及びトレンチと、
前記トレンチの側面と底面に形成されたゲート絶縁膜(9)と、
前記トレンチ内部において、前記ゲート絶縁膜を介して電極材料(10)が埋め込まれて形成されたトレンチゲート(11)と、を備え、
前記ソース領域は、前記トレンチゲートの周囲にあって、かつ前記ボディ領域(6)の表面に位置し、
前記ボディコンタクト領域は前記ボディ領域の表面に位置し、
前記トレンチゲートは前記第1半導体領域に到達するように形成され、
前記半導体基板と前記第1半導体領域とは電気的に導通され、
前記コラム領域上において、前記ソース領域と、前記ボディ領域と、前記ボディコンタクト領域と、前記トレンチゲート領域と、を有する領域をアクティブ領域(13)とすると、
前記アクティブ領域の終端(17)となる前記ボディコンタクト領域の終端と、前記コラム領域における第2半導体領域の短辺側の終端(16)までの距離を終端領域長L、第1半導体領域幅をW1、コラム構造深さをdと定義して、L≧d−W1/2の式を満たすように構成された縦型半導体装置。 - 縦型半導体素子を備えた半導体装置であって、
第1導電型の半導体基板(1)と、
前記半導体基板上において、前記半導体基板の基板深さ方向に対して一定の深さとなる第1導電型の第1半導体領域(2)と第2導電型の第2半導体領域(3)とを有して構成され、前記第2半導体領域が、前記第1半導体領域中に前記基板表面側から見て短冊状に構成された多角形で、一定距離離間されて複数本形成されることにより前記半導体基板上で前記第1半導体領域と前記第2半導体領域とが交互に並ぶ、コラム構造とされたコラム領域(4)と、
前記コラム領域(4)の外側であって、前記第1導電型の半導体基板(1)上にある第3半導体領域(21)と、
前記コラム領域上または、前記コラム領域上から前記コラム領域の外側に位置する第3半導体領域(21)上に位置する、第2導電型の第4半導体領域(5)と、
前記第4半導体領域の更に外側で、前記第3半導体領域(21)上部で表面から第3半導体領域まで広がる第5半導体領域(22)と、
前記コラム領域上の前記第4半導体領域の基板表面側に形成された第2導電型のボディ領域(6)と、
前記ボディ領域内に形成された第1導電型のソース領域(7)、第2導電型のボディコンタクト領域(8)、及びトレンチと、
前記トレンチの側面と底面に形成されたゲート絶縁膜(9)と、
前記トレンチ内部において、前記ゲート絶縁膜を介して電極材料(10)が埋め込まれて形成されたトレンチゲート(11)と、
前記トレンチゲートと前記ボディ領域と前記第1半導体領域が接するように設置された第1導電型のバッファ領域(12)と、を備え、
前記ソース領域は、前記トレンチゲートの周囲にあって、かつ前記ボディ領域(6)の表面に位置し、
前記ボディコンタクト領域は前記ボディ領域の表面に位置し、
前記トレンチゲートは前記バッファ領域に到達するように形成され、
前記半導体基板と前記第1半導体領域とは電気的に導通され、
前記コラム領域上において、前記ソース領域と、前記ボディ領域と、前記ボディコンタクト領域と、前記トレンチゲート領域と、を有する領域をアクティブ領域(13)とすると、
前記アクティブ領域の終端(17)となる前記ボディコンタクト領域の終端と、前記コラム領域における第2半導体領域の短辺側の終端(16)までの距離を終端領域長L、第1半導体領域幅をW1、コラム構造深さをdと定義して、L≧d−W1/2の式を満たすように構成された縦型半導体装置。 - 縦型半導体素子を備えた半導体装置であって、
第1導電型の半導体基板(1)と、
前記半導体基板上において、前記半導体基板の基板深さ方向に対して一定の深さとなる第1導電型の第1半導体領域(2)と第2導電型の第2半導体領域(3)とを有して構成され、前記第2半導体領域が、前記第1半導体領域中に前記基板表面側から見て短冊状に構成された多角形で、一定距離離間されて複数本形成されることにより前記半導体基板上で前記第1半導体領域と前記第2半導体領域とが交互に並ぶ、コラム構造とされたコラム領域(4)と、
前記コラム領域の基板表面側に形成された第2導電型のボディ領域(6)と、
前記ボディ領域内に形成された第1導電型のソース領域(7)、第2導電型のボディコンタクト領域(8)、及びトレンチと、
前記トレンチの側面と底面に形成されたゲート絶縁膜(9)と、
前記トレンチ内部において、前記絶縁膜を介して電極材料(10)が埋め込まれて形成されたトレンチゲート(11)と、を備え、
前記ソース領域は、前記トレンチゲートの周囲にあって、かつ前記ボディ領域の表面に位置し、
前記ボディコンタクト領域は前記ボディ領域の表面に位置し、
前記トレンチゲートは前記第1半導体領域に到達するように形成され、
前記半導体基板と前記第1半導体領域とは電気的に導通され、
前記コラム領域上において、前記ソース領域と、前記ボディ領域と、前記ボディコンタクト領域と、前記トレンチゲート領域と、を有する領域をアクティブ領域(13)とすると、
前記アクティブ領域の終端(17)となる前記ボディコンタクト領域の終端と、前記コラム領域における第2半導体領域の短辺側の終端(16)までの距離を終端領域長L、第1半導体領域幅をW1、コラム構造深さをdと定義して、
L≧d−W1/2
の式を満たすように構成された縦型半導体装置。 - 縦型半導体素子を備えた半導体装置であって、
第1導電型のSi(110)基板と、
前記半導体基板上において、前記半導体基板の基板深さ方向に対して一定の深さとなる第1導電型の第1半導体領域(2)と第2導電型の第2半導体領域(3)とを有して構成され、前記第2半導体領域が、前記第1半導体領域中に前記基板表面側から見て短冊状に構成された多角形で、一定距離離間されて複数本形成されることにより前記半導体基板上で前記第1半導体領域と前記第2半導体領域とが交互に並ぶ、コラム構造とされたコラム領域(4)と、
前記コラム領域(4)の外側であって、前記第1導電型の半導体基板(1)上にある第3半導体領域(21)と、
前記コラム領域上または前記コラム領域上から前記コラム領域の外側に位置する第3半導体領域(21)上に位置する、第2導電型の第4半導体領域(5)と、
前記第4半導体領域の更に外側で、前記第3半導体領域(21)上部で表面から第3半導体領域まで広がる第5半導体領域(22)と、
前記コラム領域の基板表面側に形成された第2導電型のボディ領域(6)と、
前記ボディ領域内に形成された第1導電型のソース領域(7)、第2導電型のボディコンタクト領域(8)、及びトレンチと、
前記トレンチの側面と底面に形成されたゲート絶縁膜(9)と、
前記トレンチ内部において、前記絶縁膜を介して電極材料(10)が埋め込まれて形成されたトレンチゲート(11)と、を備え、
前記第2半導体領域の外形を構成する面は、少なくとも1組のSi(111)面を含み、
前記ソース領域は、前記トレンチゲートの周囲にあって、かつ前記ボディ領域の表面に位置し、
前記ボディコンタクト領域は前記ボディ領域の表面に位置し、
前記トレンチゲートは前記第1半導体領域に到達するように形成され、
前記半導体基板と前記第1半導体領域とは電気的に導通され、
前記コラム領域上において、前記ソース領域と、前記ボディ領域と、前記ボディコンタクト領域と、前記トレンチゲート領域と、を有する領域をアクティブ領域(13)とすると、
前記アクティブ領域の終端(17)となる前記ボディコンタクト領域の終端と、前記コラム領域における第2半導体領域の短辺側の終端(16)までの距離を終端領域長L、第1半導体領域幅をW1、コラム構造深さをdと定義して、L≧(d−W1/2)/sin35.27の式を満たすように構成された縦型半導体装置。 - 縦型半導体素子を備えた半導体装置であって、
第1導電型のSi(110)基板と、
前記半導体基板上において、前記半導体基板の基板深さ方向に対して一定の深さとなる第1導電型の第1半導体領域(2)と第2導電型の第2半導体領域(3)とを有して構成され、前記第2半導体領域が、前記第1半導体領域中に前記基板表面側から見て短冊状に構成された多角形で、一定距離離間されて複数本形成されることにより前記半導体基板上で前記第1半導体領域と前記第2半導体領域とが交互に並ぶ、コラム構造とされたコラム領域(4)と、
前記コラム領域(4)の外側であって、前記第1導電型の半導体基板(1)上にある第3半導体領域(21)と、
前記コラム領域上または、前記コラム領域上から前記コラム領域の外側に位置する第3半導体領域(21)上に位置する、第2導電型の第4半導体領域(5)と、前記第4半導体領域の更に外側で、前記第3半導体領域(21)上部で表面から第3半導体領域まで広がる第5半導体領域(22)と、
前記コラム領域上の前記第4半導体領域の基板表面側に形成された第2導電型のボディ領域(6)と、
前記ボディ領域内に形成された第1導電型のソース領域(7)、第2導電型のボディコンタクト領域(8)、及びトレンチと、
前記トレンチの側面と底面に形成されたゲート絶縁膜(9)と、
前記トレンチ内部において、前記絶縁膜を介して電極材料(10)が埋め込まれて形成されたトレンチゲート(11)と、
前記トレンチゲートと前記ボディ領域と前記第1半導体領域が接するように設置された第1導電型のバッファ領域(12)と、を備え、
前記第2半導体領域の外形を構成する面は、少なくとも1組のSi(111)面を含み、
前記ソース領域は、前記トレンチゲートの周囲にあって、かつ前記ボディ領域の表面に位置し、
前記ボディコンタクト領域は前記ボディ領域の表面に位置し、
前記トレンチゲートは前記バッファ領域に到達するように形成され、
前記半導体基板と前記第1半導体領域とは電気的に導通され、
前記コラム領域上において、前記ソース領域と、前記ボディ領域と、前記ボディコンタクト領域と、前記トレンチゲート領域と、を有する領域をアクティブ領域(13)とすると、
前記アクティブ領域の終端(17)となる前記ボディコンタクト領域の終端と、前記コラム領域における第2半導体領域の短辺側の終端(16)までの距離を終端領域長L、第1半導体領域幅をW1、コラム構造深さをdと定義して、L≧(d−W1/2)/sin35.27の式を満たすように構成された縦型半導体装置。
- 縦型半導体素子を備えた半導体装置であって、
第1導電型のSi(110)基板と、
前記半導体基板上において、前記半導体基板の基板深さ方向に対して一定の深さとなる第1導電型の第1半導体領域(2)と第2導電型の第2半導体領域(3)とを有して構成され、
前記第2半導体領域が、前記第1半導体領域中に前記基板表面側から見て短冊状に構成された多角形で、一定距離離間されて複数本形成されることにより前記半導体基板上で前記第1半導体領域と前記第2半導体領域とが交互に並ぶ、コラム構造とされたコラム領域(4)と、
前記コラム領域の基板表面側に形成された第2導電型のボディ領域(6)と、
前記ボディ領域内に形成された第1導電型のソース領域(7)、第2導電型のボディコンタクト領域(8)、及びトレンチと、
前記トレンチの側面と底面に形成されたゲート絶縁膜(9)と、
前記トレンチ内部において、前記絶縁膜を介して電極材料(10)が埋め込まれて形成されたトレンチゲート(11)と、を備え、
前記第2半導体領域の外形を構成する面は少なくとも1組のSi(111)面を含み、
前記ソース領域は、前記トレンチゲートの周囲にあって、かつ前記ボディ領域の表面に位置し、
前記ボディコンタクト領域は前記ボディ領域の表面に位置し、
前記トレンチゲートは前記第1半導体領域に到達するように形成され、
前記半導体基板と前記第1半導体領域とは電気的に導通され、
前記コラム領域上において、前記ソース領域と、前記ボディ領域と、前記ボディコンタクト領域と、前記トレンチゲート領域と、を有する領域をアクティブ領域(13)とすると、
前記アクティブ領域の終端(17)となる前記ボディコンタクト領域の終端と、前記コラム領域における第2半導体領域の短辺側の終端(16)までの距離を終端領域長L、第1半導体領域幅をW1、コラム構造深さをd、ボディ領域深さをdBと定義して、
L≧{(d−W1/2)/sin35.27}+(dB/tan35.27)
の式を満たすように構成された縦型半導体装置。
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