JP6356803B2 - 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ - Google Patents
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Description
発明の分野
本発明は、パワー半導体デバイスの分野に関し、請求項1の導入部に記載の絶縁ゲートバイポーラに関する。
国際公開第2013/007654A1号公報では、トレンチゲート電極を有する従来技術のIGBTが説明される。IGBTは、エミッタ側とコレクタ側との間に(n−)低ドープドリフト層を備える。コレクタ側に向かって、コレクタ層は、ドリフト層の上に配置されている。pドープされたベース層は、ドリフト層とエミッタ電極との間に配置されている。ベース層は、ドリフト層よりも高ドープであるnドープされたエンハンスメント層によってドリフト層から完全に分離されている。エンハンスメント層によって、損失は低下する。nドープされたソース領域は、ベース層上にエミッタ電極に向かって配置され、エミッタ側と電気的に接触する。ソース領域は、ドリフト層より高いドーピング濃度を有する。
減少されたオン状態とスイッチング損失と、向上された遮断性能と、良好な制御性とを有し、従来のデバイスよりも製造が容易な電力用半導体デバイスを提供することを目的とする。
本発明の絶縁ゲートされたバイポーラトランジスタは、エミッタ側のエミッタ電極と、エミッタ側と反対側のコレクタ側のコレクタ電極との間に以下の層を有する。
−ドリフト層とコレクタ電極との間に配置された、コレクタ電極に電気的に接触する、第1の導電型とは異なる第2の導電型のコレクタ層と、
−第2の導電型のベース層であって、ドリフト層とエミッタ電極との間に配置され、エミッタ電極と電気的に接触する、ベース層と、
−エミッタ電極に向かってベース層上に配置され、エミッタ側に電気的に接触する、第1の導電型のソース領域であって、ドリフト層より高いドーピング濃度を有する、ソース領域と、
−少なくとも2つの第1のトレンチゲート電極と、少なくとも2つの平面ゲート電極とを備える第1のゲートユニット。各第1のトレンチゲート電極は、第1の導電層と第1の絶縁層とを有し、各第1の導電層は、上述の第1のトレンチゲート電極に隣接する第1の導電型の層または第2の導電型の層のいずれかの層から、少なくとも2つの第1の絶縁層のうちの1つによって、分離される。ソース領域は、少なくとも1つの第1のトレンチゲート電極に当接する。各平面ゲート電極は、第2の導電層と第2の絶縁層とを有し、各第2の導電層は、上述の平面ゲート電極と隣接する第1のまたは第2の導電型のいずれかの層から、少なくとも2つの第2の絶縁層のうちの1つによって、分離される。
図面の簡単な説明
本発明の主題は、添付の図面を参照して以下の本文でより詳細に説明する。
図1は、本発明に係る絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBTとも呼ばれる)1上の上面図を示し、図2〜7は、図1のA−A’線に沿う断面を示し、図8および図9は、図1のB−B’線に沿う断面を示し、図12は、図1のC−C’線に沿う断面を示す。
10 エミッタ電極
11 電気的接点
12 エミッタ側
14 コレクタ電極
16 コレクタ側
2 ドリフト層
26 第1の領域
28 バッファ層
3 ベース層
35 バー
4 ソース領域
5 コレクタ層
6 第1のゲートユニット
61 第1のトレンチゲート電極
610 第1の導電層
612 第1の絶縁層
614 第5の絶縁層
62 平面ゲート電極
620 第2の導電層
622 第2の絶縁層
624 第6の絶縁層
7 第2のゲートユニット
71 第2のトレンチゲート電極
710 第3の導電層
712 第3の絶縁層
714 第8の絶縁層
72 第5の導電層
8 第3のトレンチゲート電極
80 第4の導電層
82 第4の絶縁層
84 第7の絶縁層
Claims (14)
- エミッタ側(12)上のエミッタ電極(10)と、エミッタ側(12)とは反対のコレクタ側(16)上のコレクタ電極(14)との間に層を有する絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)であって、
第1の導電型の低ドープされたドリフト層(2)と、
前記ドリフト層(2)と前記コレクタ電極(14)との間に配置され、前記コレクタ電極(14)に電気的に接触する、第1の導電型とは異なる第2の導電型のコレクタ層(5)と、
前記第2の導電型のベース層(3)とを備え、ベース層(3)は、前記ドリフト層(2)と前記エミッタ電極(10)との間に配置され、ベース層(3)は、前記エミッタ電極(10)に電気的に接触し、前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)はさらに、
前記エミッタ側(12)に向かって前記ベース層(3)上に配置され、前記エミッタ電極(10)に電気的に接触する、前記第1の導電型のソース領域(4)を備え、前記ソース領域(4)は、前記ドリフト層(2)よりも高いドーピング濃度を有し、前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)はさらに、
少なくとも2つの第1のトレンチゲート電極(61)および少なくとも2つの平面ゲート電極(62)を備える、第1のゲートユニット(6)を備え、
各第1のトレンチゲート電極(61)は、第1の電気的導電層(610)および第1の絶縁層(612)を有し、
各第1の電気的導電層(610)は、前記第1のまたは第2の導電型のいずれの層からも第1の絶縁層(612)によって分離され、前記ソース領域(4)は、少なくとも1つの第1のトレンチゲート電極(61)に当接し、
各平面ゲート電極(62)は、第2の電気的導電層(620)および第2の絶縁層(622)を有し、各第2の電気的導電層(620)は、前記第1のまたは第2の導電型のいずれの層からも第2の絶縁層(622)によって分離され、第2のゲートユニット(7)は、少なくとも1つの第2のトレンチゲート電極(71)を備え、前記少なくとも1つの第2のトレンチゲート電極(71)は、第3の電気的導電層(710)および第3の絶縁層(712)を備え、少なくとも1つの第2のトレンチゲート電極(71)は、前記第1のまたは第2の導電型のいずれの層からも前記第3の絶縁層(712)によって分離され、前記少なくとも1つの第3の電気的導電層(71)は、前記エミッタ電極(10)に電気的に接続され、
前記第1のおよび第2の電気的導電層(610、620)がそれ自体で閉じた第1の形状を形成し、その第1の形状によって前記第1のゲートユニット(6)が前記第2のゲートユニットの側方側に対して前記第2のゲートユニット(7)を囲むように、各第2の電気的導電層(620)は、第1の電気的導電層(610)に接触し、前記側方側は、前記第1の主側(12)および第2の主側(16)に垂直に配置され、前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)はさらに、
少なくとも2つの第3のトレンチゲート電極(8)を備え、第3のトレンチゲート電極(8)の各々は、第4の電気的導電層(80)および第4の絶縁層(82)を有し、前記第4の電気的導電層(80)は、前記第1のまたは第2の導電型のいずれの層からも前記第4の絶縁層(82)によって分離され、少なくとも2つの第1のおよび第3のトレンチゲート電極(61、8)が電気的に接続され、かつそれ自体で閉じられた第2の形状を形成し、前記第2の形状によって前記第2のゲートユニット(7)が囲まれるように、第3のトレンチゲート電極(8)の各々は、前記少なくとも2つの平面ゲート電極(62)の1つと前記第2のゲートユニット(7)との間に配置され、前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)はさらに、
前記第2の導電型の少なくとも2つのバー(35)を備え、各バー(35)が平面ゲート電極(62)を前記第1のまたは第2の導電型のいずれの他の層からも第3のトレンチゲート電極(8)に対して少なくとも両側で分離するように、2つのバー(35)の各々は、前記平面ゲート電極(62)の下方に配置され、前記少なくとも2つのバー(35)は前記エミッタ電極(10)へと延びて電気的に接触し、
前記少なくとも2つのバー(35)は、前記ベース層(3)よりも高い最大のドーピング濃度または前記エミッタ側(12)から大きい深さの少なくとも1つを有し、
各第3のトレンチゲート電極(8)は、バー(35)および平面ゲート電極(62)を前記第2のゲートユニット(7)から分離し、
前記ベース層(3)は、前記エミッタ側(12)に平行な平面内で、囲んでいる前記第2の形状から前記第2のゲートユニット(7)を分離する、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)。 - 前記少なくとも2つのバー(35)の少なくとも1つは、前記バー(35)と前記第2のゲートユニット(7)との間に距離を離して配置される第3のトレンチゲート電極(8)から分離され、前記距離は、前記エミッタ側(12)からの前記第3のトレンチゲート電極(8)の最大の厚さに対応することを特徴とする、請求項1に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)。
- 前記ドリフト層(2)よりも高いドーピング濃度を有する、前記第1の導電型のエンハンスメント層(24)は、前記ベース層(3)と前記ドリフト層(2)との間に配置され、前記エンハンスメント層(24)は、前記ドリフト層(2)から前記ベース層(3)を分離することを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)。
- 前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)は、前記コレクタ側(16)上に前記コレクタ層(5)に対して側方方向に配置される、前記第1の導電型の第1の領域(26)を備え、前記第1の領域(26)は、前記ドリフト層(2)よりもより高いドーピング濃度を有することを特徴とする、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)。
- 前記第2のゲートユニット(7)は、互いから距離を置いて配置される、複数の第2のトレンチゲート電極(71)を備え、前記距離は、前記エミッタ側(12)からの前記第2のトレンチゲート電極(71)の最大の厚さに対応することを特徴とする、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)。
- 少なくとも1つの第3の電気的導電層(71)は、複数の前記少なくとも2つの第3の電気的導電層(71)を接続する、第5の電気的導電層(72)によって覆われ、前記エミッタ電極(10)への前記少なくとも1つの第3の電気的導電層(71)の前記接触(11)は、前記第5の電気的導電層(72)を介して構成されることを特徴とする、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)。
- 前記第5の電気的導電層(72)は、前記少なくとも2つの第3の電気的導電層(710)と同じ材料で構成されることを特徴とする、請求項6に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)。
- 前記第5の電気的導電層(72)は、前記少なくとも2つの第3の電気的導電層(710)の少なくとも1つの外側に前記エミッタ側(12)に平行な平面内で各側面上で前記第2のおよび前記第1のトレンチゲート電極(61、71)間よりも少ない距離だけ延び、または、前記第5の電気的導電層(72)は、前記少なくとも1つの第3の電気的導電層(71)の各々を完全に覆うことを特徴とする、請求項6または請求項7に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)。
- いずれのソース領域も前記第3のトレンチゲート電極(8)に接触しないことを特徴とする、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)。
- いずれのソース領域も前記第2のゲートユニット(7)に接触しないことを特徴とする、請求項1から9のいずれか1項に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)。
- 前記少なくとも2つのバー(35)の少なくとも1つは、多くとも5*1018cm−3の最大のドーピング濃度を有することを特徴とする、請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)。
- 前記ベース層(3)は、多くとも1*1018cm−3の最大のドーピング濃度を有することを特徴とする、請求項1から11のいずれか1項に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)。
- 前記少なくとも2つのバー(35)の少なくとも1つは、前記第1のゲートユニット(6)の外側の前記エミッタ電極(10)と電気的に接触することを特徴とする、請求項1から12のいずれか1項に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)。
- 前記少なくとも2つのバー(35)の少なくとも1つは、2つの側面上で前記エミッタ電極(10)に電気的に接触し、前記2つの側面間で前記少なくとも2つのバー(35)の各々は、前記少なくとも1つの平面ゲート電極(62)の1つを、前記第1のまたは第2の導電型の他のいずれの層からも、少なくとも第3のトレンチゲート電極(8)に対して反対の側上で、分離することを特徴とする、請求項1から13のいずれか1項に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(1)。
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