JP4782019B2 - 光学系の光学測定のための装置及び方法、測定構造支持材、及びマイクロリソグラフィ投影露光装置 - Google Patents
光学系の光学測定のための装置及び方法、測定構造支持材、及びマイクロリソグラフィ投影露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4782019B2 JP4782019B2 JP2006548246A JP2006548246A JP4782019B2 JP 4782019 B2 JP4782019 B2 JP 4782019B2 JP 2006548246 A JP2006548246 A JP 2006548246A JP 2006548246 A JP2006548246 A JP 2006548246A JP 4782019 B2 JP4782019 B2 JP 4782019B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measurement
- radiation
- detector
- measurement structure
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Description
Claims (24)
- 有効放射入射側で物体を照射して有効放射線を伝播させ、有効放射出射側に結像させるために用いられる結像光学系(1)を光学測定するための装置であって、
測定放射線を前記結像光学系(1)に放射する少なくとも1つのソース側測定構造マスク(62、62a〜62c、41)を前記結像光学系(1)の前記有効放射出射側に配置可能な測定放射線ソース(5、5a〜5e、40、11)と、
前記結像光学系(1)から生じる測定放射線を受け取る少なくとも1つの検出器側測定構造マスク(19、19a〜19c)を前記結像光学系(1)の前記有効放射入射側に配置可能な検出器(12、12a〜12d)と、を備え、
前記測定放射線ソース(5、5a〜5e、40、11)は、前記有効放射出射側での位置決めのための前記ソース側測定構造マスク(62、62a〜62c、41)を備え、及び/又は、前記検出器(12、12a〜12d)は、前記有効放射入射側での位置決めのための前記検出器側測定構造マスク(19、19a〜19c)を備え、
前記検出器(12、12a〜12d)は、前記検出器側測定構造マスク(19、19a〜19c)、及び/又は、前記ソース側測定構造マスク(62、62a〜62c、41)により生成された、干渉パターン又は重ね合わせパターンを検出する
ことを特徴とする装置。 - 前記測定放射線ソースは、前記ソース側測定構造マスクの背面照明のために設計され、
前記ソース側測定構造マスクは透明な構造体要素と不透明な構造体要素を有し、
前記測定放射線ソースは、前記ソース側測定構造マスクの上流にある前記測定放射線のビーム経路内に測定放射線変換装置(6、26、26a〜26c)を備えることを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記測定放射線変換装置は、1つ又は複数の光偏向素子(63、27、27a、18、18a)、及び/又は、1つ又は複数の複数の光散乱素子(6、39)を有することを特徴とする請求項2に記載の装置。
- 前記測定放射線ソースは、前記有効放射入射側での位置決めのためのビーム発生装置を備え、及び、前記検出器側測定構造マスクは、測定構造領域の外部に前記測定放射線用の通過領域(14、14a)を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の装置。
- 前記ソース側測定構造マスクは、前記測定構造領域の前記背面照明のために、ビーム発生装置により放射される測定放射線を通過させる測定構造領域の外部の通過領域(7、7a、7b)を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の装置。
- 前記測定放射線ソースは、透明な構造体要素と不透明な構造体要素を備える前記ソース側測定構造マスク(41)の前面照明用に設計されることを特徴とする請求項1又は4に記載の装置。
- 前記ソース側測定構造マスクの測定構造領域は、一方では散乱領域(44)を、他方では反射領域及び/又は吸収領域(43)有することを特徴とする請求項6に記載の装置。
- 前記測定放射線ソースは、ビーム発生装置によって放射される前記測定放射線を前記結像光学系(1)の光学軸に関して交差する方向で送るための測定放射線誘導装置(20、20a、24)を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の装置。
- 前記検出器は、前記結像光学系(1)の前記有効放射入射側に配置される検出器支持材(51、51a)を有し、前記検出器支持材は、前記検出器側測定構造マスク(19、19a、19b)と下流側に配置される検出器素子(16、16a)とを有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の装置。
- 前記検出器支持材は、検出器電源装置(50)を有することを特徴とする請求項9に記載の装置。
- 浸漬液は、前記測定放射線ソースの中に又は前記測定放射線ソースの近傍に、及び/又は、前記検出器の中に又は前記検出器の近傍に導入できることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の装置。
- 透明な支持体本体を備える測定構造支持材であって
前記透明な支持体本体は、
透明な構造体要素と不透明な構造体要素を持ち、且つ測定構造領域(4、4a)を持つ測定構造マスク(62、62a〜62c)を、前記透明な支持体本体の、前記結像光学系(1)側の面上に有し、及び、前記測定構造領域(4、4a)を前記有効放射出射側から照明するための測定放射線変換装置(6、26、26a〜26c)を内部に有し、
該透明な支持材本体の中に測定放射線を通過させる通過領域は、前記面上にて、前記測定構造マスク(62、62a〜62c)の前記測定構造領域(4、4a)の外側に配置される、
ことを特徴とする、請求項2〜5又は8〜11のずれか一項に記載の装置で使用するための測定構造支持材。 - 前記測定放射線変換装置は、前記支持材本体の前部/及び背部に、或いは、前記支持材本体の内部に、反射領域及び/又は光散乱領域(6、39)を備えることを特徴とする請求項12に記載の測定構造支持材。
- 前記測定放射線変換装置は、前記測定構造領域の下に、前記測定構造領域の背面上に前記測定放射線を偏向するための第1のビーム偏向領域(18、18a)を有することを特徴とする請求項12又は13に記載の測定構造支持材。
- 前記測定放射線変換装置は、前記測定構造支持材の中への通過領域での前面及び/又は背面に入射する測定放射線を、前記第1のビーム偏向領域上に偏向するための第2のビーム偏向領域(27、27a)を備えることを特徴とする請求項14に記載の測定構造支持材。
- 前記測定放射線変換装置がビーム整形光学部品(37、38)を備えることを特徴とする請求項12〜15のいずれか一項に記載の測定構造支持材。
- 浸漬液をその中に導入できることを特徴とする請求項12〜16のいずれか一項に記載の測定構造支持材。
- 前記測定放射線ソースは、請求項12〜17のいずれか一項に記載の測定構造支持材を備えることを特徴とする請求項2〜5のいずれか一項に記載の装置。
- 前記装置は、リソグラフィ投影対物レンズの波面測定用に設計されていることを特徴とする請求項1〜11及び18のいずれか一項に記載の装置。
- 前記装置は、シヤリング干渉計測技法又は点回折干渉技法又はモアレ重ね合わせ技法による波面測定用であることを特徴とする請求項19に記載の装置。
- 請求項19又は20に記載の装置を備えることを特徴とするマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- スキャナ型装置であることを特徴とする請求項21に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記有効放射線及び前記測定放射線を提供するために、一方では前記有効放射線用の共通した放射線発生装置又は専用の放射線発生装置を、他方では前記測定放射線を有することを特徴とする請求項21又は22に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 有効放射入射側で物体を照射して有効放射線を伝播させ、有効放射出射側に結像させるために用いられる結像光学系を光学測定するための方法であって、測定放射線で前記測定を実施するために、
測定放射線ソースのソース側測定構造マスクを前記有効放射出射側に配置し、及び/又は、検出器の検出器側測定構造マスクを前記有効放射入射側に配置するステップと、
前記測定放射線ソースにより提供される測定放射線を前記有効放射出射側の前記結像光学系に放射するステップと、
前記測定放射線を検出するために前記有効放射入射側で前記結像光学系から生じる測定放射線を受け取るステップと、
前記検出器側測定構造マスク、及び/又は、前記ソース側測定構造マスクにより生成された、干渉パターン又は重ね合わせパターンを検出するステップと
を備える方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004003585.7 | 2004-01-16 | ||
DE102004003585 | 2004-01-16 | ||
PCT/EP2005/000184 WO2005069080A2 (de) | 2004-01-16 | 2005-01-12 | Vorrichtung und verfahren zur optischen vermessung eines optischen systems, messstrukturträger und mikrolithographie-projektionsbelichtungsanlage |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007518257A JP2007518257A (ja) | 2007-07-05 |
JP4782019B2 true JP4782019B2 (ja) | 2011-09-28 |
Family
ID=34778111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006548246A Expired - Fee Related JP4782019B2 (ja) | 2004-01-16 | 2005-01-12 | 光学系の光学測定のための装置及び方法、測定構造支持材、及びマイクロリソグラフィ投影露光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8004690B2 (ja) |
EP (1) | EP1704445A2 (ja) |
JP (1) | JP4782019B2 (ja) |
WO (1) | WO2005069080A2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1704445A2 (de) * | 2004-01-16 | 2006-09-27 | Carl Zeiss SMT AG | Vorrichtung und verfahren zur optischen vermessung eines optischen systems, messstrukturträger und mikrolithographie-projekti onsbelichtungsanlage |
US7518703B2 (en) * | 2005-06-28 | 2009-04-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
JP2007081390A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-29 | Nikon Corp | 観察装置、計測装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法、デバイス製造用基板、位置決め装置 |
DE102005041203A1 (de) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur interferometrischen Messung von Phasenmasken |
CN101833235B (zh) | 2009-03-13 | 2012-11-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 掩模版原片的质量检测***和方法 |
EP2264528A1 (en) * | 2009-06-19 | 2010-12-22 | ASML Netherlands B.V. | Sensor and lithographic apparatus |
CN102243444B (zh) * | 2010-05-14 | 2013-04-10 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种曝光设备、掩膜板及曝光方法 |
DE102010041556A1 (de) | 2010-09-28 | 2012-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie und Verfahren zur mikrolithographischen Abbildung |
DE102012204704A1 (de) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messvorrichtung zum Vermessen einer Abbildungsgüte eines EUV-Objektives |
DE102017203376B3 (de) * | 2017-03-02 | 2018-05-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messvorrichtung und Verfahren zur Vermessung eines Wellenfrontfehlers eines abbildenden optischen Systems sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie |
DE102018204626A1 (de) * | 2018-03-27 | 2019-04-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsmaske sowie Verfahren zu deren Herstellung |
DE102018124396A1 (de) * | 2018-10-02 | 2020-04-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Metrologiesystem und Verfahren zur Vermessung eines Anregungs-Laserstrahls in einer EUV-Plasmaquelle |
DE102019100920B4 (de) * | 2019-01-15 | 2020-07-30 | Nedinsco B.V. | Sichtgerät |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61202432A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-08 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JPS6243128A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-25 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
JPH10289865A (ja) * | 1997-04-11 | 1998-10-27 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
WO1999060361A1 (fr) * | 1998-05-19 | 1999-11-25 | Nikon Corporation | Instrument et procede de mesure d'aberrations, appareil et procede de sensibilisation par projection incorporant cet instrument, et procede de fabrication de dispositifs associe |
JP2000195782A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Canon Inc | 投影装置および露光装置 |
JP2005129557A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Nikon Corp | 収差測定装置、露光装置、収差測定方法及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5978085A (en) * | 1997-03-07 | 1999-11-02 | Litel Instruments | Apparatus method of measurement and method of data analysis for correction of optical system |
US6819414B1 (en) * | 1998-05-19 | 2004-11-16 | Nikon Corporation | Aberration measuring apparatus, aberration measuring method, projection exposure apparatus having the same measuring apparatus, device manufacturing method using the same measuring method, and exposure method |
TW550377B (en) * | 2000-02-23 | 2003-09-01 | Zeiss Stiftung | Apparatus for wave-front detection |
DE10105958A1 (de) | 2001-02-09 | 2002-09-12 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur anisotropen Lichtstreuung sowie Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung |
JP4921644B2 (ja) * | 2001-02-27 | 2012-04-25 | オリンパス株式会社 | 波面測定装置および波面測定方法 |
JP2005522871A (ja) * | 2002-04-15 | 2005-07-28 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 干渉計測装置および該計測装置からなる投影露光装置 |
JP2004061515A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Cark Zeiss Smt Ag | 光学系による偏光状態への影響を決定する方法及び装置と、分析装置 |
DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
US7268891B2 (en) * | 2003-01-15 | 2007-09-11 | Asml Holding N.V. | Transmission shear grating in checkerboard configuration for EUV wavefront sensor |
JP4314040B2 (ja) * | 2003-03-05 | 2009-08-12 | キヤノン株式会社 | 測定装置及び方法 |
DE10316123A1 (de) * | 2003-04-04 | 2004-10-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Wellenfrontvermessung eines optischen Abbildungssystems durch phasenschiebende Interferometrie |
WO2004090490A1 (de) * | 2003-04-11 | 2004-10-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Diffusor, wellenfrontquelle, wellenfrontsensor und projektionsbelichtungsanlage |
AU2003233318A1 (en) * | 2003-05-12 | 2004-11-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical measuring device and operating method for an optical imaging system |
EP1704445A2 (de) * | 2004-01-16 | 2006-09-27 | Carl Zeiss SMT AG | Vorrichtung und verfahren zur optischen vermessung eines optischen systems, messstrukturträger und mikrolithographie-projekti onsbelichtungsanlage |
JP4387834B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2009-12-24 | キヤノン株式会社 | 点回折干渉計、並びに、それを利用した露光装置及び方法 |
JP2005311080A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Canon Inc | 測定装置、当該測定装置を有する露光装置 |
DE102005026628A1 (de) * | 2004-06-04 | 2005-12-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Telezentriebestimmung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage |
US7796274B2 (en) * | 2004-06-04 | 2010-09-14 | Carl Zeiss Smt Ag | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
JP2006324311A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Canon Inc | 波面収差測定装置及びそれを有する露光装置 |
JP2009283635A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Canon Inc | 測定装置、測定方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2010016057A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Canon Inc | 測定方法、測定装置、露光装置、露光方法、デバイスの製造方法及び設計方法 |
JP2010034319A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Canon Inc | 波面収差の測定方法 |
JP5129702B2 (ja) * | 2008-09-17 | 2013-01-30 | キヤノン株式会社 | 測定装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2010109160A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Canon Inc | 測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP5522944B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2014-06-18 | キヤノン株式会社 | 測定装置、測定方法及び露光装置 |
-
2005
- 2005-01-12 EP EP05700815A patent/EP1704445A2/de not_active Withdrawn
- 2005-01-12 US US10/585,402 patent/US8004690B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-01-12 WO PCT/EP2005/000184 patent/WO2005069080A2/de active Application Filing
- 2005-01-12 JP JP2006548246A patent/JP4782019B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61202432A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-08 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JPS6243128A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-25 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
JPH10289865A (ja) * | 1997-04-11 | 1998-10-27 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
WO1999060361A1 (fr) * | 1998-05-19 | 1999-11-25 | Nikon Corporation | Instrument et procede de mesure d'aberrations, appareil et procede de sensibilisation par projection incorporant cet instrument, et procede de fabrication de dispositifs associe |
JP2000195782A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Canon Inc | 投影装置および露光装置 |
JP2005129557A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Nikon Corp | 収差測定装置、露光装置、収差測定方法及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1704445A2 (de) | 2006-09-27 |
US8004690B2 (en) | 2011-08-23 |
JP2007518257A (ja) | 2007-07-05 |
WO2005069080A2 (de) | 2005-07-28 |
WO2005069080A3 (de) | 2005-12-08 |
US20090116036A1 (en) | 2009-05-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4782019B2 (ja) | 光学系の光学測定のための装置及び方法、測定構造支持材、及びマイクロリソグラフィ投影露光装置 | |
JP4373987B2 (ja) | リソグラフィ装置で使用するセンサ | |
US7528966B2 (en) | Position detection apparatus and exposure apparatus | |
KR100650946B1 (ko) | 방사선 시스템, 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및그에 의해 제조된 디바이스 | |
US9645503B2 (en) | Collector | |
US9939730B2 (en) | Optical assembly | |
JP2004040067A (ja) | 焦点検出方法および焦点検出系を備えた結像系 | |
US9709494B2 (en) | Measuring arrangement for measuring optical properties of a reflective optical element, in particular for microlithography | |
JPH11504443A (ja) | 光学装置用の照明ユニット | |
JP2004289116A (ja) | リソグラフィ装置と測定系 | |
TW504570B (en) | Apparatus and method of determining the reflectance of component light | |
JPH11251226A (ja) | X線投影露光装置 | |
TW200921284A (en) | Exposure apparatus and semiconductor device fabrication method | |
JP2001244194A (ja) | リソグラフィ装置に使用するアッベ・アーム較正システム | |
KR20240027641A (ko) | 마이크로리소그라픽 마스크의 특징을 구하기 위한 장치 및 방법 | |
JP2004246343A (ja) | 反射光学系及び露光装置 | |
JP2003222572A (ja) | 位相測定装置 | |
US7081956B1 (en) | Method and device for determining reflection lens pupil transmission distribution and illumination intensity distribution in reflective imaging system | |
KR20130069660A (ko) | 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템 | |
TW201013326A (en) | Exposure apparatus and method of manufacturing device | |
JP2003295459A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
JP2021518927A (ja) | レベルセンサ及びリソグラフィ装置 | |
TWI838880B (zh) | 用於特徵化微影光罩的設備和方法 | |
JP2003257846A (ja) | 光源ユニット、照明装置、露光装置及び露光方法 | |
US20240061328A1 (en) | Method and apparatus for characterization of a microlithography mask |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080111 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080717 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080818 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101012 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110112 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110119 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110214 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110221 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110311 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110318 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110412 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110607 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110706 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140715 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4782019 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |