JP4738090B2 - Btl方式の増幅回路 - Google Patents

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Description

本発明は、増幅回路に係り、特にオーディオ用のBTL(Bridge Tied Load)方式のパワーアンプ(BTLパワーアンプ)に関するもので、例えば高出力仕様のカーオーディオ用のパワーアンプに使用されるものである。
図6は、従来のBTLパワーアンプの回路図である。図6において、入力信号Vinは、前置アンプであるgmアンプ60で電圧−電流変換(V−I変換)されてBTL信号電流となり、抵抗素子R3とR6が直列接続された回路に出力される。抵抗素子R3とR6の直列接続ノードは、基準入力端子Ref2に接続されている。抵抗素子R3に発生した電圧は、第1の演算増幅回路(オペアンプ)1で増幅され、入力信号Vinと同相の正相出力電圧VoutPを得る。一方、抵抗素子R6に発生した電圧は、第2のオペアンプ2で増幅され、入力信号Vinと逆相の逆相出力電圧VoutMを得る。オペアンプ1の閉ループ利得GvPとオペアンプ2の閉ループ利得GvMは、下記の(1)、(2)式で与えられる。
Figure 0004738090
オペアンプ1とオペアンプ2の帰還量をそれぞれf1およびf2とすれば、f1、f2は下記の(3)、(4)式で与えられる。
Figure 0004738090
この帰還量は周波数に依存せず、一定値であるので、図6に示したBTLパワーアンプは発振安定性に優れている。また、オペアンプ1とオペアンプ2の回路構成を全く同一にすることで、BTLパワーアンプの回路対称性も得られ、設計し易いという利点がある。
しかし、図6のパワーアンプは、gmアンプ60で発生するノイズやオフセット電圧を、オペアンプ1およびオペアンプ2が増幅してしまうので、低ノイズや低オフセット電圧のパワーアンプには不向きである。低オフセット電圧を得るためには、gmアンプ60を構成する素子に高精度が要求されるので、gmアンプ60のチップ面積を大きくする必要もある。特に、集積回路化されたオーディオパワーアンプ等に図6の回路を適用する場合、ノイズが大きいと音質が劣化し、オフセット電圧が大きいとPOPノイズが大きくなる。
なお、特許文献1には、図6の回路中の前置アンプであるgmアンプ60の一具体例が開示されている。
特開平4−343506号公報
本発明は前記した従来の問題点を解決すべくなされたもので、簡易な構成で、最大出力電力を大きく得ることができ、出力オフセット電圧やノイズが低く、また、発振安定性に優れた高性能なBTL方式の増幅回路を提供することを目的とする。
本発明のBTL方式の増幅回路は、信号入力端子に入力する入力信号と同相の出力信号を出力する第1の演算増幅回路と、前記入力信号とは逆相の出力信号を出力する第2の演算増幅回路と、前記入力信号の中間電圧を発生させる分圧回路と、前記第1の演算増幅回路の出力端子と逆相入力端子との間に接続された第1の抵抗素子と、前記第1の演算増幅回路の逆相入力端子と第2の演算増幅回路の逆相入力端子との間に直列に接続された第2の抵抗素子および第3の抵抗素子と、前記第2の演算増幅回路の出力端子と逆相入力端子との間に接続された第4の抵抗素子と、前記分圧回路の中間電圧ノードと前記第2の抵抗素子および第3の抵抗素子の直列接続ノードと間に接続された利得が1のバッファ回路とを具備する。
本発明のBTLパワーアンプによれば、簡易な構成で、最大出力電力を大きく得ることができ、出力オフセット電圧やノイズが低く、また、発振安定性に優れ、高性能化を実現することができる。特に最大出力電力が重要視される場合に好適である。
まず、本発明のBTL方式の増幅回路を説明する前に、従来例を改善した本発明に対しての比較例に係る増幅回路を、図7を用いて説明する。
図7は、図6のパワーアンプの欠点を対策したBTLパワーアンプの回路図である。図7において、オペアンプ1は、入力信号Vinが正相入力端子(+)に入力し、出力端子の電圧VoutPをBTLパワーアンプの正相出力端子71に出力する。オペアンプ2は、基準電圧Refが正相入力端子(+)に入力し、出力端子の電圧VoutMをBTLパワーアンプの逆相出力端子72に出力する。正相出力端子71とオペアンプ1の逆相入力端子(−)である(a点)間には帰還用の抵抗素子R1が接続され、逆相出力端子72とオペアンプ2の逆相入力端子(−)である(b点)間には帰還用の抵抗素子R3が接続されている。a点とb点の間には、抵抗素子R2が接続されている。
図7に示したBTLパワーアンプでは、入力信号VinからBTL出力信号を得るので、図6中に示したようなgmアンプ60が不要であり、低ノイズや低出力オフセット電圧化が期待できる。しかし、図7のBTLパワーアンプには、(1)最大出力電力を大きく取れない、(2)発振安定性が低いという問題点が存在する。以下、図7の回路の動作例および問題点について図8に示す波形図を参照しながら詳細に説明する。
(1)最大出力電力を大きく取れない点について以下に説明する。例えば、オペアンプ1の出力電圧VoutPがクリップする前後の動作について考える。入力電圧Vinが与えられ、オペアンプ1の出力電圧VoutPがクリップしていない場合には、オペアンプ1の正相入力端子(+)とa点の電位は略同電位(仮想接地が成立)になるので、Vinの変化がそのままa点に現れる。これにより、R2に流れる電流はVinに応じた電流となり、R2に流れる電流がそのままR3に流れるので、オペアンプ2の出力電圧VoutMとして、オペアンプ1の出力電圧VoutPとは反転した信号が出力されることになる。
いま、VoutP、VoutMのいずれもクリップしていない場合について考察する。R2に流れるAC(交流)電流をi(R2)で表わすと、VoutP、VoutMは下記の(5)、(6)式で与えられ、オペアンプ1の閉ループ利得GvPとオペアンプ2の閉ループ利得GvMは下記の(7)、(8)式で与えられ、
Figure 0004738090
一方、Vinがさらに大きくなり、オペアンプ1の出力電圧VoutPがクリップした場合、もはや、オペアンプ1の正相入力端子(+)とa点の仮想接地は成立しなくなる、いわゆる帰還が外れた状態となり、Vinがさらに増加しても、R2に流れる電流は変化せず、i(R2)=0の状態である。この状態を(5)〜(8)式に当てはめると、オペアンプ1の出力電圧VoutPがクリップした途端に、オペアンプ2の利得GvMも0になることが分かる。つまり、仮にオペアンプ2の出力電圧VoutMがクリップしていなくても、オペアンプ2の出力をさらに駆動させ、それ以上の出力電力を得ることは不可能である。
即ち、図7のパワーアンプにおいて、最大出力電力を損ねないためには、オペアンプ1,2の閉ループ利得GvP、GvMが均一に揃っており、また、各オペアンプ1、2の上下の出力トランジスタのオン抵抗にばらつきが無く、さらに電源電圧Vccに対して基準電圧Refが略完全に中間電位(Vcc/2)になっている必要がある。基準電圧RefがVcc/2から変動すると、各オペアンプ1、2のクリップ時における上下の出力残り電圧にばらつきが生じ、最大出力電力を損ねることになる。最大出力電力を損ねないためには、上下の出力残り電圧を一般にオペアンプの出力トランジスタのオン抵抗で決まる限度まで小さくすることが、温度特性を含めて必要である。言い換えれば、パワーアンプを構成する素子の精度はそこまでは期待できないので、最大出力電力を損ねることになる。
(2)発振安定性が低い点について以下に説明する。一般に負帰還増幅回路の発振安定性を決める主な要因として帰還量が挙げられる。帰還量が多い程、負帰還増幅回路が発振し易いことは周知の事実であるが、図7に示したパワーアンプの場合には、高周波において帰還量が増えて発振し易くなるという性質を持つ。
ここで、a点のオペアンプ1の出力電圧VoutPに対する比である帰還量f1を計算する。R2側からb点を見たインピーダンスZ2は下記の(9)式で与えられる。
Figure 0004738090
但し、a2はオペアンプ2の開ループ利得、Vbはb点の電圧、VoutM=-a2×Vbを使用した。したがって、f1は下記の(10)式となる。
Figure 0004738090
ここで、a2は、一般的に、周波数特性を持ち、高周波では小さくなることが知られている。(10)式より、f1は周波数依存性を持ち,周波数が高くなるにつれて大きくなることが分かる。例えば、R1=3.6kΩ、R2=400Ω、R3=4kΩを選択した場合には、a2が十分に大きい低周波ではf1=0.1であるのに対して、a2=1となる高周波ではf1は0.4にもなることが分かる。即ち、図7のパワーアンプでは、高周波における帰還量が増加するので、発振安定性が悪い(出力電圧に高周波ノイズが重畳する)という欠点がある。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。この説明に際して、全図にわたり共通する部分には共通する参照符号を付す。
<第1の実施形態>
図1は、本発明の第1の実施形態に係るBTLパワーアンプの一例の回路図を示す。
図1において、第1のオペアンプ(演算増幅回路)1は、信号入力端子10から入力電圧Vinが正相入力端子(+)に入力し、出力端子から入力電圧Vinと同相の出力電圧VoutPをBTLパワーアンプの正相出力端子11に出力する。このオペアンプ1の出力端子と逆相入力端子(−)(a点)との間には帰還用の第1の抵抗素子R1が接続されている。
このオペアンプ1の逆相入力端子(−)と第2のオペアンプ2の逆相入力端子(−)との間には、第2の抵抗素子R2および第3の抵抗素子R3が直列に接続されている。
第2のオペアンプ2は、基準電圧端子13から基準電圧Refが正相入力端子(+)に入力し、出力端子から入力電圧Vinとは逆相の出力電圧VoutMをBTLパワーアンプの逆相出力端子12に出力する。このオペアンプ2の出力端子と逆相入力端子(−)(c点)との間には帰還用の第4の抵抗素子R4が接続されている。
信号入力端子10と基準電圧端子13との間には、入力電圧Vinの中間電圧を発生させる分圧回路14が接続されている。この分圧回路14は、第5の抵抗素子Rin1および第6の抵抗素子Rin2が直列に接続されており、中間電圧ノード(d点)と第2の抵抗素子R2および第3の抵抗素子R3の直列接続ノード(b点)と間にインピーダンス変換回路3が接続されている。ここで、第2の抵抗素子R2および第3の抵抗素子R3の抵抗値比は1:n(任意数)であり、第5の抵抗素子Rin1および第6の抵抗素子Rin2の抵抗値比は、第2の抵抗素子R2および第3の抵抗素子R3の抵抗値比と同一である。
次に、図1の回路の動作例について図2に示す波形図を参照しながら説明する。本例では、Rin1とRin2の抵抗値比、R2とR3の抵抗値比はそれぞれ1:1である。即ち、Rin1=Rin2=Rin/2、R2=R3である。インピーダンス変換回路3は利得1のバッファアンプ3であるとすると、中間電圧ノード(d点)にはVin/2の電圧が発生する。
(a)まず、図1の回路の最大出力電力について考察する。いま、オペアンプ1、2の各出力電圧VoutP、VoutMがいずれもクリップされていない場合を考える。
オペアンプ1の開ループ利得とオペアンプ2の開ループ利得をそれぞれa1、a2とすると、a1、a2が十分に大きければ、オペアンプ1の正相入力端子(+)とa点との間の電圧は略0であり(仮想接地が成立)、また、オペアンプ2の正相入力端子(+)とc点との間の電圧も略0となる。よって、R2とR3の直列接続ノード(b点)にもVin/2の電圧が発生する。
したがって、d点とb点との間には、利得1のバッファアンプ3が接続されているにも拘らず、バッファアンプ3は電流の供給や電流の吸い込みを必要としない。換言すれば、バッファアンプ3がない時と動作上の違いはない。ここで、R2に流れるAC電流をi(R2)、R3に流れるAC電流をi(R3)で表わすと、i(R2)、i(R3)は下記の(11)式で与えられる。
Figure 0004738090
(11)式中のi(R2)とi(R3)とは、オペアンプ1の出力端子からR1を経由して供給され、さらにR4を経由してオペアンプ2の出力端子に流れる。オペアンプ1の出力電圧VoutPとオペアンプ2の出力電圧VoutMがいずれもクリップしていない場合、VoutPとVoutMは下記の(12)、(13)式で与えられ、オペアンプ1の閉ループ利得GvPとオペアンプ2の閉ループ利得GvMは下記の(14)、(15)式で与えられる。
Figure 0004738090
したがって、オペアンプ1の出力電圧VoutPとオペアンプ2の出力電圧VoutMとして、互いに位相の反転した信号が出力されることになり、BTL出力信号を得る。
一方、Vinがさらに大きくなり、オペアンプ1の出力電圧VoutPとオペアンプ2の出力電圧VoutMのいずれかがクリップした場合、例えば、オペアンプ1の出力電圧VoutPのみがクリップした場合を考える。オペアンプ1の正相入力端子(+)とa点の仮想接地は成立しなくなる(いわゆる帰還が外れた状態になる)が、バッファアンプ3の出力にはVin/2が出力されるので、R3、R4はバッファアンプ3により駆動されるようになる。この時、i(R3)は下記の(16)式で与えられ、VoutMおよびオペアンプ2の閉ループ利得GvMは下記の(17)、(18)式で与えられる。
Figure 0004738090
ここで、(16)式は、(11)式で示されたクリップ直前の電流と差異がないことに留意されたい。つまり、バッファアンプ3の効果により、VoutPがクリップする前後において、クリップされていないオペアンプ2の利得を変化させずに、増幅作用を持たせる(実質的に出力振幅を大きくする)ことができる。このバッファアンプ3の振幅補正作用は、オペアンプ1の出力電圧VoutPとオペアンプ2の出力電圧VoutMのいずれもクリップするまで継続する。なお、オペアンプ1の出力電圧VoutPとオペアンプ2の出力電圧VoutMの両方がクリップした場合、バッファアンプ3は増幅するが、振幅補正作用は得られない。
したがって、第1の実施形態のBTLパワーアンプによれば、オペアンプ1、2の閉ループ利得GvP、GvMが均一に揃っていない場合や、各オペアンプ1、2のクリップ時における出力残り電圧(一般にオペアンプの出力トランジスタのオン抵抗で決まる)にばらつきがある場合、各オペアンプ1、2の無信号時の出力電位がばらついた場合においても、オペアンプ1とオペアンプ2の上下の出力残り電圧を一般にオペアンプの出力トランジスタのオン抵抗で決まる限度まで小さくすることができて、十分に駆動することが可能になり、BTLパワーアンプの最大出力電力を十分に大きく得ることが可能となる。
(b)次に、図1の回路の発振安定性について考察する。いま、オペアンプ1の出力電圧VoutPに対するa点の電圧の比である帰還量f1を計算してみる。前述したように、開ループ利得a1、a2が十分高い低周波においては、b点におけるバッファアンプ3の電流のやりとりはないので、バッファアンプ3の出力インピーダンスは帰還量f1には関係しない。つまり、低周波における帰還量f1は略、次の(19)式で表わせる。
Figure 0004738090
一方、開ループ利得a1、a2が小さくなる高周波(例えば数百KHz〜数MHz)において、次第にバッファアンプ3の出力インピーダンスが帰還量f1に影響を与えることになる。簡易的に見積もると、R3側からc点を見たインピーダンスZcは次の(20)式で表わせる。
Figure 0004738090
但し、a2はオペアンプ2の開ループ利得、Vcはc点の端子電圧、VoutM=-a2×Vcを使用した。バッファアンプ3の出力インピーダンスをr0とすると、R2側からb点を見たインピーダンスZbは略、次の(21)式で表される。バッファアンプ3を、エミッタホロアなどで構成した場合、通常は、オペアンプ1やオペアンプ2よりも高周波特性に優れているので、r0が支配的になる。
Figure 0004738090
よって、高周波における帰還量f1は、次の(22)式で表される。
Figure 0004738090
したがって、バッファアンプ3として、入力インピーダンスが高く、出力インピーダンスが低い広帯域のエミッタホロアなどを使用することで、高周波においても、帰還量f1を異常に高くすることなく、BTLパワーアンプの発振安定性を向上させることができる。
また、バッファアンプ3の入力および出力間で発生するオフセット電圧は、R2とR3に均等にかかるので、BTL出力間のオフセットを増加させない。つまり、バッファアンプ3の設計は、低オフセットの高精度アンプは不要であり、簡易なエミッタホロアなどで十分である。さらに、図1のBTLパワーアンプでは、VinからBTL出力信号を得るための前置アンプも不要であるので、前置アンプを採用した場合に比較して、低オフセット電圧化や、低ノイズ化が期待できる。
したがって、図1のBTLパワーアンプによれば、簡易な構成で、最大出力電力を損ねずに、出力オフセット電圧やノイズが低く、発振安定性に優れ、高性能のBTLパワーアンプを実現することができる。特に最大出力電力が重要視される高出力仕様のカーオーディオ用のパワーアンプに使用して好適である。
<第1の実施形態の具体例>
図3は、図1の回路についてインピーダンス変換用のバッファアンプ3の一具体例を示す回路図である。
図3中に示すバッファアンプ3において、npnトランジスタQ1は、ベースが入力ノード(d点)に接続され、コレクタが電源ノードVccに接続され、エミッタが定電流源I1を介して接地ノードVssに接続されている。pnpトランジスタQ2は、ベースが入力ノード(d点)に接続され、コレクタが接地ノードVssに接続され、電源ノードVccとエミッタとの間に定電流源I2が接続されている。npnトランジスタQ3は、ベースがpnpトランジスタQ2のエミッタに接続され、コレクタが電源ノードVccに接続され、エミッタが出力ノード(b点)に接続されている。pnpトランジスタQ4は、ベースがnpnトランジスタQ1のエミッタに接続され、コレクタが接地ノードVssに接続され、エミッタが出力ノード(b点)に接続されている。
<第1の実施形態の変形例>
図4は、第1の実施形態の変形例に係るBTLパワーアンプの回路図を示す。
図4に示す回路は、図1を参照して前述した回路と比べて、バッファアンプ3の出力ノードとb点との間に抵抗素子R5が接続されている点が異なり、その他は同じである。
<第2の実施形態>
図5は、第2の実施形態に係るBTLパワーアンプの一例の回路図を示す。
図5に示す回路は、図1を参照して前述した回路と比べて、信号入力端子10とオペアンプ1の正相入力端子(+)との間に入力保護用の抵抗素子R6が接続されており、交流接地(ACGND)端子15とオペアンプ2の正相入力端子(+)との間に入力保護用の抵抗素子R7が接続されており、基準入力(Ref)端子13と交流接地端子15との間に抵抗素子Rin3およびRin4が直列に接続されている。
このようにすれば、Refから見たオペアンプ1の正相入力端子とオペアンプ2の正相入力端子のインピーダンスをマッチングさせることが可能になる。
本発明の第1の実施形態に係るBTLパワーアンプの回路図。 図1の回路の動作例を示す波形図。 図1の回路についてインピーダンス変換用のバッファアンプの一具体例を示す回路図。 第1の実施形態の変形例に係るBTLパワーアンプを示す回路図。 本発明の第2の実施形態に係るBTLパワーアンプの回路図。 従来のBTLパワーアンプの回路図。 本発明の比較例に係るBTLパワーアンプの回路図。 図7の回路の動作例を示す波形図。
符号の説明
1…第1のオペアンプ、2…第2のオペアンプ、3…インピーダンス変換回路(バッファアンプ)、10…信号入力端子、11…BTLパワーアンプの正相出力端子、12…BTLパワーアンプの逆相出力端子、13…基準電圧端子、14…分圧回路、R1…第1の抵抗素子、R2…第2の抵抗素子、R3…第3の抵抗素子、R4…第4の抵抗素子、Rin1…第5の抵抗素子、Rin2…第6の抵抗素子。

Claims (5)

  1. 信号入力端子に入力する入力信号と同相の出力信号を出力する第1の演算増幅回路と、
    前記入力信号とは逆相の出力信号を出力する第2の演算増幅回路と、
    前記入力信号の中間電圧を発生させる分圧回路と、
    前記第1の演算増幅回路の出力端子と逆相入力端子との間に接続された第1の抵抗素子と、
    前記第1の演算増幅回路の逆相入力端子と第2の演算増幅回路の逆相入力端子との間に直列に接続された第2の抵抗素子および第3の抵抗素子と、
    前記第2の演算増幅回路の出力端子と逆相入力端子との間に接続された第4の抵抗素子と、
    前記分圧回路の中間電圧ノードと前記第2の抵抗素子および第3の抵抗素子の直列接続ノードと間に接続された利得が1のバッファ回路と
    を具備することを特徴とするBTL方式の増幅回路。
  2. 前記分圧回路は、前記第1の演算増幅回路の正相入力端子と基準入力端子との間に直列に接続された第5の抵抗素子および第6の抵抗素子で構成され、第5の抵抗素子および第6の抵抗素子の抵抗値比は、前記第2の抵抗素子および第3の抵抗素子の抵抗値比と同一であることを特徴とする請求項1記載のBTL方式の増幅回路。
  3. 前記第5の抵抗素子および第6の抵抗素子の抵抗値比、第2の抵抗素子および第3の抵抗素子の抵抗値比はそれぞれ1:1であることを特徴とする請求項2記載のBTL方式の増幅回路。
  4. 前記第1の演算増幅回路の正相入力端子は前記信号入力端子に接続され、前記第2の演算増幅回路の正相入力端子は前記基準入力端子に接続されていることを特徴とする請求項2記載のBTL方式の増幅回路。
  5. 前記第1の演算増幅回路の正相入力端子は第7の抵抗素子を介して前記信号入力端子に接続され、前記第2の演算増幅回路の正相入力端子は第8の抵抗素子を介して交流接地端子に接続され、前記基準入力端子と前記交流接地端子との間に第9の抵抗素子および第10の抵抗素子が直列に接続されていることを特徴とする請求項2記載のBTL方式の増幅回路。
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