JP4724498B2 - 半導体集積回路装置および高周波電力増幅モジュール - Google Patents
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Description
2 SPDTスイッチ(アンテナ接続切り替え回路、半導体集積回路装置)
2a アンテナ用端子
2b,2c 送信信号端子
2d〜2g 受信信号端子
2h〜2n 制御端子
3 制御部
4,5 高周波電力増幅器
6,7 ローパスフィルタ
8〜13 静電容量素子
14〜17 SAW
18〜21 LNA
22 送信回路
23 送信回路
24,25 送信信号切り替え部
26 受信信号切り替え部
27 静電容量素子
28,29 逆流防止回路(電圧制御手段)
ANT 送受信用アンテナ
Qtx1,Qtx2 トランジスタ(切り替え用トランジスタ)
Qtx3,Qtx4 トランジスタ(切り替え用トランジスタ)
Qrx1〜Qrx5 トランジスタ
Rgg1〜Rgg18 抵抗
Rd1〜Rd15 抵抗
C1〜C6 静電容量素子
SC1,SC2 昇圧回路
T1 トランジスタ(制御信号供給部)
T2 トランジスタ(放電部)
D ダイオード(放電阻止部)
D1,D2 ダイオード(制御信号供給部、放電阻止部)
R 抵抗(放電部)
Inv インバータ
Tr1 トランジスタ
Tr2,Tr3 トランジスタ
Claims (14)
- アンテナに結合される第1の端子と、
第1送信回路に接続される第2の端子と、
第2送信回路に接続される第3の端子と、
第1受信回路に接続される第4の端子と、
第2受信回路に接続される第5の端子と、
前記アンテナに接続される第1の端子と前記第1送信回路に接続される第2の端子との間に設置され、前記第1の端子と前記第2の端子との接続切り替えを行う第1切り替えトランジスタと、
前記アンテナに接続される第1の端子と前記第2送信回路に接続される第3の端子との間に設置され、前記第1の端子と前記第3の端子との接続切り替えを行う第2切り替えトランジスタと、
前記第1切り替えトランジスタのゲートを制御するための制御信号が入力される第6の端子と、
前記第2切り替えトランジスタのゲートを制御するための制御信号が入力される第7の端子と、
前記第6の端子を介して制御信号が入力された際に前記第1切り替えトランジスタへ供給される送信信号を取り込み、前記供給された送信信号の電圧レベルよりも高い昇圧電圧を発生し、前記第1切り替えトランジスタのゲートに印加する第1昇圧回路と、
前記第6の端子に接続され、ダイオードを含む第1電圧制御回路と、を備え、
前記第1および第2送信回路は、それぞれ異なる通信バンドに対応し、
前記第1および第2受信回路は、それぞれ異なる通信バンドに対応し、
前記第1切り替えトランジスタを介して送信信号が出力される送信モードは、大電力が出力される第1状態と、小電力が出力される第2状態とを有し、
前記送信モードが第1状態のとき、
前記第1電圧制御回路は前記ダイオードを介して信号を出力し、前記第1昇圧回路は、昇圧電圧を生成して前記第1切り替えトランジスタに出力し、
前記送信モードが第2状態のとき、
前記第1電圧制御回路のダイオードは、前記第1切り替えトランジスタのゲートの電荷の放電を防ぐ制御を行う移動体通信機器に用いられること特徴とする移動体通信機器に用いられる半導体集積回路装置。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
前記送信モードは、前記第1切り替えトランジスタを介して送信信号を出力する第1通信バンドと、第2切り替えトランジスタを介して送信信号を出力する第2通信バンドとを含むマルチバンドである移動体通信機器に用いられること特徴とする移動体通信機器に用いられる半導体集積回路装置。 - 請求項1または2記載の半導体集積回路装置において、
前記第7の端子を介して制御信号が入力された際に前記第2切り替えトランジスタへ供給される送信信号を取り込み、前記供給された送信信号の電圧レベルよりも高い昇圧電圧を発生し、前記第2切り替えトランジスタのゲートに印加する第2昇圧回路と、
前記第7の端子に接続され、ダイオードを含む第2電圧制御回路と、を有し、
前記送信モードが第1状態のとき、
前記第2電圧制御回路は前記ダイオードを介して信号を出力し、前記第2昇圧回路は、昇圧電圧を生成して前記第2切り替えトランジスタに出力し、
前記送信モードが第2状態のとき、
前記第2電圧制御回路のダイオードは、前記第2切り替えトランジスタのゲートの電荷の放電を防ぐ制御を行う移動体通信機器に用いられること特徴とする移動体通信機器に用いられる半導体集積回路装置。 - 請求項2または3記載の半導体集積回路装置において、
前記第1電圧制御手段は、
外部から入力される信号に基づいて、前記第1切り替えトランジスタに制御信号を出力する第1制御信号供給部と、
前記第1切り替えトランジスタを介して出力される送信信号の信号レベルが低下する際に、前記第1切り替えトランジスタのゲートにチャージされた電荷の放電を防ぐ前記ダイオードを含む第1放電阻止部と、
前記送信モードでないとき、前記第1切り替えトランジスタのゲートにチャージされた電荷を基準電位に放電する第1放電部とよりなること特徴とする移動体通信機器に用いられる半導体集積回路装置。 - 請求項4記載の半導体集積回路装置において、
前記送信モードのとき、前記第1制御信号供給部および前記第1放電阻止部を介して電源電圧を前記第1切り替えトランジスタへ出力し、
前記送信モードでないとき、前記第1放電部を介して基準電位を前記第1切り替えトランジスタへ出力する移動体通信機器に用いられること特徴とする移動体通信機器に用いられる半導体集積回路装置。 - 請求項3または4記載の半導体集積回路装置において、さらに、
前記第2電圧制御回路は、
前記外部から入力される制御信号に基づいて前記第2切り替えトランジスタに制御信号を出力可能な第2制御信号供給部と、
前記第2切り替えトランジスタを介して出力される送信信号の信号レベルが低下する際に、前記第2切り替えトランジスタのゲートにチャージされた電荷の放電を防ぐ前記ダイオードを含む第2放電阻止部と、
前記送信モードでないとき、前記第2切り替えトランジスタのゲートにチャージされた電荷を基準電位に放電する第2放電部と、を有すること特徴とする移動体通信機器に用いられる半導体集積回路装置。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置において、
前記第1および前記第2切り替えトランジスタは、HEMTであることを特徴とする移動体通信機器に用いられる半導体集積回路装置。 - アンテナ接続切り替え回路と、
送信回路から送信信号を受取り、増幅された送信信号を前記アンテナ接続切り替え回路に供給する第1および第2高周波電力増幅器と、を具備し、
前記アンテナ接続切り替え回路は、
アンテナに結合される第1の端子と、
前記第1高周波電力増幅器に結合される第2の端子と、
前記第2高周波電力増幅器に結合される第3の端子と、
第1受信回路に結合される第4の端子と、
第2受信回路に結合される第5の端子と、
前記第1の端子と前記第2の端子との間に設置され、前記第1の端子と前記第2の端子の接続切り替えを行う第1切り替えトランジスタと、
前記第1の端子と前記第3の端子との間に設置され、前記第1の端子と前記第3の端子の接続切り替えを行う第2切り替えトランジスタと、
前記第1切り替えトランジスタの制御信号が入力される第6の端子と、
前記第2切り替えトランジスタの制御信号が入力される第7の端子と、
前記第6の端子を介して信号が入力された際に前記第1切り替えトランジスタを介して出力される送信信号を取り込み、入力された信号の電圧レベルよりも高い昇圧電圧を発生し、前記第1切り替えトランジスタのゲートに印加する第1昇圧回路と、
前記第6の端子に接続され、ダイオードを含む第1電圧制御回路と、を備え、
前記第1および第2送信回路は、それぞれ異なる通信バンドに対応し、
前記第1切り替えトランジスタを介して送信信号が出力される送信モードは、大電力が出力される第1状態と、小電力が出力される第2状態とを有し、
前記送信モードが前記第1状態のとき、
前記第1電圧制御回路は前記ダイオードを介して信号を出力し、前記第1昇圧回路は、昇圧電圧を生成して前記第1切り替えトランジスタに出力し、
前記送信モードが前記第1状態から前記第2状態へ変化する際、前記第1電圧制御回路のダイオードは、前記第1切り替えトランジスタのゲートの電荷の放電をブロックする制御を行う移動体通信機器に用いられることを特徴とする高周波電力増幅モジュール。 - 請求項8記載の高周波電力増幅モジュールにおいて、
前記第1電圧制御手段は、
前記制御端子に前記第1切り替えトランジスタの制御を行う制御回路から出力される制御信号に基づいて、前記第1切り替えトランジスタに制御信号を出力する第1制御信号供給部と、
前記第1状態から前記第2状態へ遷移するのに伴い、前記第1切り替えトランジスタを介して出力される送信信号の信号レベルが低下する際に、前記第1切り替えトランジスタのゲートにチャージされた電荷の放電を阻止する第1放電阻止部と、
前記第1切り替えトランジスタが動作しない際に、前記第1切り替えトランジスタのゲートにチャージされた電荷を基準電位に放電する第1放電部とよりなること特徴とする高周波電力増幅モジュール。 - 請求項9記載の高周波電力増幅モジュールにおいて、
前記第1制御信号供給部、および前記第1放電部は、前記アンテナ接続切り替え回路に設けられ、
前記第1放電阻止部は、
前記アンテナ接続切り替え回路に外付けされた構成からなることを特徴とする高周波電力増幅モジュール。 - 請求項9記載の高周波電力増幅モジュールにおいて、
前記第1電圧制御手段が、前記アンテナ接続切り替え回路に設けられたことを特徴とする高周波電力増幅モジュール。 - 請求項9または11記載の高周波電力増幅モジュールにおいて、さらに、
前記第7の端子を介して制御信号が入力された際に前記第2切り替えトランジスタを介して出力される送信信号を取り込み、入力された信号の電圧レベルよりも高い昇圧電圧を発生し、前記第2切り替えトランジスタのゲートに印加する第2昇圧回路と、
前記第7の端子に接続され、ダイオードを含む第2電圧制御回路と、を有し、
前記第2電圧制御回路は、前記外部から入力される制御信号に基づいて前記第2切り替えトランジスタに制御信号を出力可能な第2制御信号供給部と、前記第2切り替えトランジスタを介して出力される送信信号の信号レベルが低下する際に、前記第2切り替えトランジスタのゲートにチャージされた電荷の放電を防ぐ前記ダイオードを含む第2放電阻止部と、前記送信モードでないとき、前記第2切り替えトランジスタのゲートにチャージされた電荷を基準電位に放電する第2放電部とを有することを特徴とする高周波電力増幅モジュール。 - 請求項8〜12のいずれか1項に記載の高周波電力増幅モジュールにおいて、
前記第1切り替えトランジスタは、HEMTであることを特徴とする高周波電力増幅モジュール。 - 請求項13記載の高周波電力増幅モジュールにおいて、
前記送信モードは、前記第1切り替えトランジスタを介して送信信号を出力する第1通信バンドと、前記第2切り替えトランジスタを介して送信信号を出力する第2通信バンドとを含むマルチバンドであることを特徴とする高周波電力増幅モジュール。
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