JP4684869B2 - シリコンエッチング液 - Google Patents
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Description
容積1000(ml)のフッ素樹脂製の容器に表1に示す各種添加物質を溶解させた22重量%のTMAH水溶液900(ml)を導入後、オイルバスを用いて液温が80℃になるまで加熱した。
TMAHの濃度、添加物質の種類及び量を表1に示す様に変えた以外は参考例1と同様にしてシリコン(100)のエッチンング速度を調べた。その結果を表1に示す。
添加物質の種類及び添加量を表2に示すように変えた以外は、参考例1と同様にしてシリコン(100)のエッチンング速度を調べた。その結果を表2に示す。
に示すように22重量%TMAH水溶液のシリコン(100)に対するエッチング速度は0.6μm/分であることから、Aグループ化合物の添加によりエッチング速度は10%以上増加することが判明した。また、同様にAグループ化合物を添加した10重量%および15重量%のTMAH水溶液からなるエッチング液を用いた場合(実施例20〜22、参考例10)のシリコン(100)に対するエッチング速度は、少なくとも、0.93μm/分である。比較例1に示すように10重量%TMAH水溶液のシリコン(100)に対するエッチング速度は0.8μm/分であることから、Aグループ化合物の添加によりエッチング速度は10%以上増加することが判明した。尚、実施例1〜24、参考例1〜10において、エッチング液によるシリコン酸化膜のエッチング速度の増加は見られなかった。
Claims (4)
- 下記グループAに属する少なくとも1種の化合物を含有する第4級アンモニウム塩の水溶液からなることを特徴とするシリコンエッチング液。
グループA: ジメチルアミン、N,Nジエチルヒドロキシルアミン、イソプロパノールアミン、ベンジルアミン、2−エトキシエチルアミン、弗化アンモニウム、ヨウ化アンモニウム、チオ硫酸アンモニウム、チオシアン酸アンモニウム、L−システイン、ピリジン、キノリノール、シュウ酸、カテコール、ヒドロキノン、ベンゾキノン及びグアニジン炭酸塩 - グループAに属する少なくとも1種の化合物を0.05〜20質量%含有することを特徴とする請求項1に記載のシリコンエッチング液。
- 下記グループA1に属する少なくとも1種の化合物又は単体を0.05〜100質量ppm含有し、更に下記グループA2に属する少なくとも1種の化合物を0.05〜20質量%含有する第4級アンモニウム塩の水溶液からなることを特徴とするシリコンエッチング液。
グループA1: 鉄、塩化鉄(III)、水酸化鉄(II)、水酸化ニッケル(II)及びニッケル
グループA2: ヒドロキシルアミン、ジメチルアミン、N,Nジエチルヒドロキシルアミン、エチレンジアミン、イソプロパノールアミン、ベンジルアミン、2−エトキシエチルアミン、弗化アンモニウム、ヨウ化アンモニウム、チオ硫酸アンモニウム、チオシアン酸アンモニウム、アスコルビン酸、L−システイン、ピリジン、キノリノール、シュウ酸、カテコール、ヒドロキノン、ベンゾキノン及びグアニジン炭酸塩 - マスクされたシリコンウェハをエッチングする工程を含むシリコンデバイスの製造方法において、前記エッチングを請求項1乃至3に記載のエッチング液を用いて行うことを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005337953A JP4684869B2 (ja) | 2004-11-30 | 2005-11-24 | シリコンエッチング液 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004346937 | 2004-11-30 | ||
JP2005337953A JP4684869B2 (ja) | 2004-11-30 | 2005-11-24 | シリコンエッチング液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006186329A JP2006186329A (ja) | 2006-07-13 |
JP4684869B2 true JP4684869B2 (ja) | 2011-05-18 |
Family
ID=36739169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005337953A Expired - Fee Related JP4684869B2 (ja) | 2004-11-30 | 2005-11-24 | シリコンエッチング液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4684869B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006351811A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法。 |
JP5109261B2 (ja) * | 2006-02-10 | 2012-12-26 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シリコン微細加工に用いるシリコン異方性エッチング剤組成物 |
JP4975430B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2012-07-11 | 関東化学株式会社 | 異方性エッチング液およびそれを用いたエッチング方法 |
JPWO2009044647A1 (ja) * | 2007-10-04 | 2011-02-03 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シリコンエッチング液およびエッチング方法 |
JP4999800B2 (ja) * | 2008-08-07 | 2012-08-15 | 株式会社トクヤマ | シリコンエッチング液 |
DE112010003900T5 (de) | 2009-10-02 | 2012-08-30 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Lösung zum Ätzen von Silizium und Ätz-Verfahren |
CN102051281B (zh) * | 2009-10-30 | 2013-10-02 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种含氟组合液 |
JP6142880B2 (ja) | 2013-01-15 | 2017-06-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シリコンエッチング液およびエッチング方法並びに微小電気機械素子 |
KR102080587B1 (ko) * | 2013-09-10 | 2020-02-25 | 동우 화인켐 주식회사 | 폴리실리콘 및 아몰퍼스 실리콘 식각액 조성물 |
US10400167B2 (en) * | 2015-11-25 | 2019-09-03 | Versum Materials Us, Llc | Etching compositions and methods for using same |
CN113243041A (zh) | 2018-12-18 | 2021-08-10 | 株式会社德山 | 硅蚀刻液 |
EP3983499A4 (en) * | 2019-06-13 | 2023-08-02 | Versum Materials US, LLC | LIQUID COMPOSITIONS FOR SELECTIVE REMOVAL OF POLYSILICON OVER P-DOped SILICON AND SILICON-GERMANIUM DURING FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE |
CN112480928A (zh) * | 2019-09-11 | 2021-03-12 | 利绅科技股份有限公司 | 硅蚀刻组成物及其作用于硅基材的蚀刻方法 |
US20230287270A1 (en) * | 2020-07-31 | 2023-09-14 | Tokuyama Corporation | Silicon etching liquid, and method for producing silicon device and method for processing silicon substrate, each using said etching liquid |
KR20220033141A (ko) * | 2020-09-09 | 2022-03-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 식각액 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 어레이 기판의 제조 방법, 및 이에 따라 제조된 어레이 기판 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006054363A (ja) * | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法 |
JP2006147945A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Seiko Epson Corp | エッチング液及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法 |
-
2005
- 2005-11-24 JP JP2005337953A patent/JP4684869B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001068444A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体基板への金属の吸着を抑制した半導体基板用処理液及びこの処理液の調製方法並びにこれを用いた半導体基板の処理方法 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006186329A (ja) | 2006-07-13 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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