JP4604450B2 - プローブカード及びその製造方法、プローブ装置、プローブ試験方法、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハにプローブ試験を行うためのプローブカード及びその製造方法、プローブ装置、プローブ試験方法、半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体プロセス工程で半導体ウエハ上に多数のＩＣチップを形成した場合には、その半導体ウエハのまま個々のＩＣチップについて電気的特性の検査を行い、不良品をスクリーニングするようにしている。そして、この検査には通常、プローブ装置が用いられている。このプローブ装置は半導体ウエハ上の個々のＩＣチップが有する電極端子にプローブカードのプローブ針を接触させ、プローブ針から所定の電圧を印加することにより各ＩＣチップの導通試験などの電気的検査を行って個々のＩＣチップが電気的特性を有するか否かをテスタを介して試験する装置である。
【０００３】
上記プローブ装置は、半導体ウエハ上のＩＣチップに電圧を印加する試料用電源やＩＣチップからの出力を測定部に取り込むための入力部などからなるピンエレクトロニクスを有するテストヘッドと、ＩＣチップ上の所定の電極端子に接触させるプローブ針を有するプローブカードと、テストヘッドとプローブ針とを電気的に接続させるためのポゴピンを有する接続リングとを備えている。そして、このようなプローブ装置には必要に応じてリニアマザーボードやパーフォーマンスボード等の中継基板が設けられ、これらの中継基板によりプローブカードとテスタを電気的に接続するようにしている。
【０００４】
図１１（ａ）は、従来の半導体装置の一例としての液晶ドライバー用ＩＣチップを示す平面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す領域１０１を拡大し、領域１０１の入出力端子にプローブカードのプローブ針を接触させている様子を示す斜視図である。
プローブカードは、表面及び内部にプリント配線が設けられたプローブカード基板を有し、このプローブカード基板にはその中央部に基板開口エリアが設けられている。
【０００５】
前記プローブカード基板の下面側には前記基板開口エリアの周辺に合わせてプローブ針固定用のモールド樹脂からなる固定リングが配置されている。さらに、前記プローブカード基板の下面側には複数のプローブ針１０２〜１０６が固定リング（図示せず）の周囲に沿って固定されている。
【０００６】
プローブカードによって実際に電気的特性試験を行う場合には、図１１（ａ）に示すＩＣチップ１０９がチップ毎に分割される前のウエハ状態で、図１１（ｂ）に示すように、プローブ針１０２〜１０６の先端をウエハのＩＣチップ１０９の各電極端子である入力端子１０８及び出力端子１０７に接触させ、所定圧力で先端を電極端子に押圧する。これにより、プローブ針と電極端子とが電気的に接続され、ＩＣチップの電気的特性試験が行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、液晶ドライバー用ＩＣ製品の端子はチップ外周に１列で配置されており、特に出力端子１０７の端子数は入力端子１０８に比べて多い。このため、出力端子とプローブカードのプローブ針をコンタクトすることは一般的に困難である。そこで、従来技術においても出力端子とプローブ針とのコンタクトに工夫が施されている。即ち、図１１（ｂ）に示すように、プローブ針を１層目から４層目までの多層針立て構造とし、端子数の多い出力端子に対してもプローブ針を接触させることができるようにしている。
【０００８】
しかしながら、近年、更なるＩＣの高密度化が進む中で、図１１（ｂ）に示すようなプローブカード上の多層針立て構造のみでは、電極端子とプローブ針を安定してコンタクトすることが困難になり、隣接するプローブ針同士がショートするおそれがある。特に、ＩＣの高密度化に伴い、更に端子数が増えて、もともと端子数の多い出力端子が狭ピッチ化されると、出力端子とプローブカードのプローブ針をコンタクトすることが極めて困難になる。従って、電極端子の狭ピッチ化に対応でき、プローブ針同士がショートすることなく確実にコンタクトできるプローブカードが求められている。
【０００９】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、狭ピッチ化された電極端子に対しても、その電極端子と検針とを確実にコンタクトできるプローブカード及びその製造方法、プローブ装置、プローブ試験方法、半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係るプローブカードは、被測定側のＩＣチップの電極端子とほぼ同じ位置関係にある検針用のコンタクト端子であって、メッキ法により形成されたコンタクト端子を具備することを特徴とする。
【００１１】
上記プローブカードによれば、被測定側のＩＣチップの電極端子とほぼ同じ位置関係にある検針用のコンタクト端子をメッキ法により形成しているため、電極端子の狭ピッチ化に対応でき、検針同士がショートすることなく電極端子とコンタクト端子とを確実に接触させることができる。
【００１２】
本発明に係るプローブカードは、基板上に形成された配線と、
前記配線上に形成され、被測定側のＩＣチップの電極端子とほぼ同じ位置関係にある検針用のコンタクト端子であって、メッキ法により形成されたコンタクト端子と、
前記配線上にメッキ法により形成された接続端子と、
を具備することを特徴とする。
【００１３】
本発明に係るプローブカードは、基板上に形成されたクッション層と、
前記クッション層及び前記基板の上に形成されたバリア層と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上にメッキ法により形成された金属配線と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上にメッキ法により形成されたコンタクト端子と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された接続端子と、
前記金属コンタクタ、前記金属配線、前記クッション層及び前記基板上に形成された、前記コンタクト端子及び前記接続端子の根元を補強するための樹脂と、
を具備することを特徴とする。
【００１４】
本発明に係るプローブカードは、補強基板上に配置されたフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に形成されたホールと、
前記フレキシブル基板に形成され且つ前記ホール内に引き出されたフレキシブル配線と、
前記補強基板上に配置され、前記ホール内に位置する第１のクッション層と、
前記第１のクッション層上に形成された基板と、
前記基板上に形成された第２のクッション層と、
前記第２のクッション層及び前記基板の上に形成されたバリア層と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上にメッキ法により形成された金属配線と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上にメッキ法により形成されたコンタクト端子と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された接続端子と、
前記金属コンタクタ、前記金属配線、前記クッション層及び前記基板上に形成された、前記コンタクト端子及び前記接続端子の根元を補強するための樹脂と、
を具備し、
前記ホール内又はホール上で前記接続端子が前記フレキシブル配線に接続されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明に係るプローブカードは、基板上に形成されたバリア層と、
前記バリア層と基板との間に形成された空間と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上にメッキ法により形成された金属配線と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上にメッキ法により形成され、前記空間の上方に配置されたコンタクト端子と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された接続端子と、
を具備することを特徴とする。
【００１６】
本発明に係るプローブカードは、補強基板上に配置されたフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に形成されたホールと、
前記フレキシブル基板に形成され且つ前記ホール内に引き出されたフレキシブル配線と、
前記補強基板上に配置され、前記ホール内に位置するクッション層と、
前記クッション層上に形成された基板と、
前記基板上に形成されたバリア層と、
前記バリア層と基板との間に形成された空間と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上にメッキ法により形成された金属配線と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上にメッキ法により形成され、前記空間の上方に配置されたコンタクト端子と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された接続端子と、
を具備し、
前記ホール内又はホール上で前記接続端子が前記フレキシブル配線に接続されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明に係るプローブカードは、基板上に形成されたバリア層と、
前記バリア層と基板との間に形成された空間と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上にメッキ法により形成された第１の金属配線と、
前記第１の金属配線上にメッキ法により形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上にメッキ法により形成され、前記空間の上方に配置されたコンタクト端子と、
前記基板に形成され、上端がバリア層に接続されたスルーホール接続部材と、
前記スルーホール接続部材の下端に接続され、前記基板下に形成された第２の金属配線と、
前記第２の金属配線下にメッキ法により形成された接続端子と、
を具備することを特徴とするプローブカード。
【００１８】
本発明に係るプローブカードは、補強基板上に配置されたフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に形成されたホールと、
前記フレキシブル基板に形成され且つ前記ホール内に引き出されたフレキシブル配線と、
前記補強基板上に配置され、前記ホール内に位置するクッション層と、
前記クッション層上に形成された基板と、
前記基板上に形成されたバリア層と、
前記バリア層と基板との間に形成された空間と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上にメッキ法により形成された第１の金属配線と、
前記第１の金属配線上にメッキ法により形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上にメッキ法により形成され、前記空間の上方に配置されたコンタクト端子と、
前記基板に形成され、上端がバリア層に接続されたスルーホール接続部材と、
前記スルーホール接続部材の下端に接続され、前記基板下に形成された第２の金属配線と、
前記第２の金属配線下にメッキ法により形成された接続端子と、
を具備し、
前記ホール内又はホール上で前記接続端子が前記フレキシブル配線に接続されていることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明に係るプローブカードにおいて、前記スルーホール接続部材は、前記基板に形成されたスルーホールと、該スルーホール内に形成された積層メッキと、を有し、この積層メッキで導通を取るものであることが好ましい。
本発明に係るプローブ装置は、前記のプローブカードを具備することを特徴とする。
【００２０】
本発明に係るプローブ試験方法は、前記のプローブカードを用いてプローブ試験を行う方法であって、
被測定側のＩＣチップの電極端子に前記コンタクト端子を接触させ、前記コンタクト端子と前記電極端子とを導通可能な状態にすることによりプローブ試験を行うことを特徴とする。
【００２１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記のプローブカードを用いてプローブ試験を行う工程を具備する半導体装置の製造方法であって、
被測定側の半導体装置の電極端子に前記コンタクト端子を接触させ、前記コンタクト端子と前記電極端子とを導通可能な状態にすることによりプローブ試験を行う工程を具備することを特徴とする。
【００２２】
本発明に係るプローブカードの製造方法は、被測定側のＩＣチップの電極端子とほぼ同じ位置関係にある検針用のコンタクト端子をメッキ法により形成する工程を具備することを特徴とする。
【００２３】
本発明に係るプローブカードの製造方法は、基板上に配線を形成する工程と、
被測定側のＩＣチップの電極端子とほぼ同じ位置関係にある検針用のコンタクト端子を前記配線上にメッキ法により形成すると共に、前記配線上にメッキ法により接続端子を形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００２４】
本発明に係るプローブカードの製造方法は、基板上にクッション層を形成する工程と、
前記クッション層及び前記基板の上にバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層上にメッキ法により金属配線を形成する工程と、
前記金属配線上にメッキ法により金属コンタクタを形成する工程と、
前記金属コンタクタ上にメッキ法によりコンタクト端子を形成すると共に、前記金属配線上にメッキ法により接続端子を形成する工程と、
前記金属コンタクタ、前記金属配線、前記クッション層及び前記基板上に、前記コンタクト端子及び前記接続端子の根元を補強するための樹脂を形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００２５】
本発明に係るプローブカードの製造方法は、基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜及び前記基板の上にバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層上にメッキ法により金属配線を形成する工程と、
前記金属配線上にメッキ法により金属コンタクタを形成する工程と、
前記金属コンタクタ上にメッキ法によりコンタクト端子を形成すると共に、前記金属配線上にメッキ法により接続端子を形成する工程と、
前記コンタクト端子、前記接続端子、前記金属コンタクタ及び前記金属配線をマスクとして前記金属層及び前記バリア層をエッチングすることにより前記レジスト膜の一部を露出させる工程と、
前記レジスト膜を除去する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明に係る第１の実施の形態によるプローブカードを示す断面図である。
図１に示すように、プローブカードはセラミック又はガラスからなる補強基板（プローブカード基板）１を有している。補強基板１の上にはポリイミドテープなどのフレキシブル基板４が配置されており、このフレキシブル基板４の中央部にはホール４ａが設けられている。
【００２７】
このフレキシブル基板４の下面にはフレキシブルメタル配線５が配置されており、このフレキシブルメタル配線５はホール４ａ内に引き出されている。このホール４ａ内であって補強基板１上には、検針を電極端子に接触させてプローブ試験を行う際にクッション層として作用する厚膜のポリイミド膜２が配置されている。このポリイミド膜２の上には検針部３が配置されており、この検針部３はホール４ａ内に位置している。
【００２８】
検針部３はＳｉ又はガラスからなる基板（Ｓｉ又はガラスのチップ）６を有しており、この基板６の上にはコンタクト端子（プローブ針に相当）７ａ，７ｂが形成されている。このコンタクト端子７ａ，７ｂは配線を介して接続端子８ａ，８ｂに電気的に接続されている。この接続端子８ａ，８ｂはフレキシブルメタル配線５に接続されている。フレキシブル基板４上、ホール４ａ内及び検針部３の周囲は液状コーティング材９により埋められている。但し、コンタクト端子７ａ，７ｂの先端部は液状コーティング材９から露出している。なお、液状コーティング材９は検針部３などを補強できるものであれば、種々の材質を用いることが可能であり、例えば樹脂等を用いても良い。
【００２９】
次に、図１に示すプローブカードの製造方法について図２〜図６を参照しつつ説明する。
図２（ａ）〜（ｄ）は、図１に示すプローブカードの各部品に分解した断面図である。
【００３０】
図２（ａ）に示すように、ポリイミドテープなどからなるフレキシブル基板４を準備し、このフレキシブル基板４に検針部３を配置するためのホール４ａを設ける。そして、フレキシブル基板４の下面に銅箔を形成し、この銅箔をエッチングする。これにより、フレキシブル基板の下面にはフレキシブルメタル配線５が形成され、このフレキシブルメタル配線５はホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。
【００３１】
次いで、図２（ｂ）に示すコンタクト端子７ａ，７ｂ及びそのコンタクト端子から引き出された接続端子８ａ，８ｂ、基板６上に形成されたメタル層による再配置配線を有する検針部３を準備する。なお、検針部３の作製方法は後述する。
次いで、図２（ｃ）に示す厚膜のポリイミド膜２を準備する。このポリイミド膜２は、被測定側のＩＣチップとコンタクト端子７ａ，７ｂをコンタクトする時、検針部３の基板６の下面への加圧を緩和するためのクッション層として作用するものである。
次いで、図２（ｄ）に示す検針部３を固定するための補強基板（プローブカード基板）１を準備する。
【００３２】
次いで、図１に示すように、前記補強基板１の上にポリイミド膜２を載置する。次いで、このポリイミド膜２の上に検針部３を載置する。次いで、前記補強基板１の上に前記フレキシブル基板４を載置する。この際、ホール４ａ内にポリイミド膜２及び検針部３が位置するようにフレキシブル基板４を配置する。そして、ホール４ａ内でフレキシブルメタル配線５のインナーリードと接続端子８ａ，８ｂを加熱・加圧により接続する。
【００３３】
次いで、ホール４ａ内、フレキシブル基板４上及びコンタクト端子の先端部を除く検針部３上に液状のコーティング材９を塗布する。この際、コンタクト端子７ａ，７ｂの先端部に液状コーティング材９が塗布されない様にするために、コンタクト端子の先端部をマスク用の絶縁膜（図示せず）で被覆しておき、液状コーティング材９を塗布した後に前記絶縁膜を剥離することが好ましい。
【００３４】
なお、ポリイミド膜２と補強基板１とを接着剤によって接着しても良く、検針部３とポリイミド膜２とを接着剤によって接着しても良く、フレキシブル基板４と補強基板１とを接着剤によって固定しても良い。
【００３５】
次に、前記検針部３を作製する方法について図３〜図６を参照しつつ説明する。図３〜図６は、図２（ｂ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図である。
まず、図３（ａ）に示すように、Ｓｉ又はガラスからなる基板６を用意し、この基板６上に感光性のある厚膜のポリイミド膜を塗布する。次いで、このポリイミド膜を露光、現像してパターニングした後、加熱処理（ポリイミドキュア）を行う。これにより、基板６上にはポリイミドからなるクッション層１０が形成される。
【００３６】
この後、図３（ｂ）に示すように、クッション層１０を含む全面上にスパッタリングによりＴｉＷ層１１を形成する。このＴｉＷ層１１は、クッション層１０へ配線材料が拡散するのを防止するためのバリア層である。次いで、ＴｉＷ層１１の上にスパッタリングによりＣｕ層１２を形成する。このＣｕ層１２は、ＴｉＷ層１１と後記金属配線１４ａ，１４ｂとの密着性を向上させるためのものである。
【００３７】
次に、図３（ｃ）に示すように、Ｃｕ層１２の上にレジスト膜を塗布し、このレジスト膜を露光、現像することにより、Ｃｕ層上にはレジストパターン１３が形成される。このレジストパターン１３は金属配線を形成する領域が開口されたパターンである。
次いで、図３（ｄ）に示すように、レジストパターン１３の開口部内のＣｕ層１２上に電界メッキ法により金属配線１４ａ，１４ｂが形成される。この金属配線は例えばＣｕ配線を用いることが好ましい。
【００３８】
この後、図４（ｅ）に示すように、レジストパターン１３を剥離する。
次いで、図４（ｆ）に示すように、金属配線１４ａ，１４ｂを含む全面上にレジスト膜を塗布し、このレジスト膜を露光、現像することにより、Ｃｕ層上にはレジストパターン１５が形成される。このレジストパターン１５は金属コンタクタを形成する領域が開口されたパターンである。
【００３９】
次に、図４（ｇ）に示すように、レジストパターン１５の開口部内の金属配線１４ａ，１４ｂ上に電界メッキ法により金属コンタクタ１６ａ，１６ｂが形成される。この金属コンタクタは例えばＮｉからなることが好ましい。
この後、図４（ｈ）に示すように、レジストパターン１５を剥離する。これにより、各々の金属配線１４ａ，１４ｂの一部が露出する。
【００４０】
次に、図５（ｉ）に示すように、金属コンタクタ１６ａ，１６ｂを含む全面上にレジスト膜を塗布し、このレジスト膜を露光、現像することにより、金属コンタクタ及びＣｕ層の上にはレジストパターン１７が形成される。このレジストパターン１７はコンタクト端子及び接続端子を形成する領域が開口されたパターンである。
【００４１】
次いで、図５（ｊ）に示すように、レジストパターン１７の開口部内の金属コンタクタ及び金属配線の上に電界メッキ法によりバンプ状のコンタクト端子７ａ，７ｂ及び接続端子８ａ，８ｂが形成される。即ち、金属コンタクタ１６ａ，１６ｂ上にはコンタクト端子７ａ，７ｂが形成され、金属配線１４ａ，１４ｂ上には接続端子８ａ，８ｂが形成される。
【００４２】
前記コンタクト端子７ａ，７ｂは、プローブ針に相当するものであって、電気的特性試験（プローブ試験）の際に被測定側のＩＣチップの電極端子（パッド又はバンプ）に接触させるものである。つまり、コンタクト端子７ａ，７ｂは、フォトリソグラフィ技術によって被測定側ＩＣチップの電極端子の中心座標と同一な個所に形成されたものである。
また、前記接続端子８ａ，８ｂは、前記フレキシブルメタル配線５のインナーリードの先端に接続するものである。なお、コンタクト端子７ａ，７ｂ及び接続端子８ａ，８ｂそれぞれは、例えばＮｉ、Ｐｄ、Ａｕ及びＳｎ−Ａｇ合金の群から選ばれた一の金属からなることが好ましい。
【００４３】
この後、図５（ｋ）に示すように、レジストパターン１７を剥離する。
次いで、図６（ｌ）に示すように、コンタクト端子、接続端子、金属コンタクタ及び金属配線をマスクとしてＣｕ層１２及びＴｉＷ層１１をエッチングすることにより、クッション層１０の一部及び基板６の一部が露出され、コンタクト端子７ａとコンタクト端子７ｂが電気的に分離される。これにより、コンタクト端子７ａは金属コンタクタ１６ａ及び金属配線１４ａを介して接続端子８ａに電気的に接続され、コンタクト端子７ｂは金属コンタクタ１６ｂ及び金属配線１４ｂを介して接続端子８ｂに電気的に接続される。
【００４４】
次に、図６（ｍ）に示すように、コンタクト端子及び接続端子を含む全面上に、これらの端子の根元を補強するための樹脂１８をコーティングする。
次いで、図６（ｎ）に示すように、この樹脂１８の表面をドライエッチングすることにより、コンタクト端子７ａ，７ｂ及び接続端子８ａ，８ｂそれぞれの先端側を樹脂１８から露出させる。このようにして図２（ｂ）に示す検針部３を作製する。
【００４５】
次に、図１に示すプローブカードを用いてプローブ試験を行うためのプローブ装置について図７を参照しつつ説明する。
図７は、第１の実施の形態によるプローブ装置を概略的に示す構成図である。
このプローブ装置は、図示せぬ昇降機構によって昇降可能に構成されたテストヘッド３１と、このテストヘッド３１の下方で図示せぬ装置本体内に順次配設されたパフォーマンスボード３２と、このパフォーマンスボード３２と接続するようにインサートリング３３により支持された接続リング３４と、この接続リング３４の下方に配設されたプローブカード３５を備えている。
【００４６】
上記テストヘッド３１の内部には被検査体としての半導体ウエハＷ上のＩＣチップに電圧を印加する試料用電源やＩＣチップからの出力を測定部に取り込むための入力部などからなるピンエレクトロニクス３６が内蔵されている。このピンエレクトロニクス３６はパフォーマンスボード３２上に搭載された複数の電子部品回路３７に対して電気的に接続されている。これらの電子部品回路３７は、例えばマトリックス・リレー、ドライバー回路等からなる各種測定回路として構成され、各電子部品回路３７の接続リング３４との接続端子３８はパフォーマンスボード３２の本体である例えばエポキシ系樹脂製の基板３９の下面に例えば基板３９と同心円をなす４つの円周上に配列されている。
【００４７】
また、上記接続リング３４の上面には接続端子３８に対応するポゴピン４０が同心円をなすように形成された４つの円周上に配列され、その下面には各ポゴピン４０に導通するポゴピン４１が接続部材４２に対応して設けられている。この接続部材４２はプローブカード３５の下面のテスタ接続端子に下方から接続されるように構成されている。これによりテストヘッド３１は、パフォーマンスボード３２、接続リング３４及び接続部材４２を介してプローブカード３５と電気的に接続できるように構成されている。
【００４８】
また、接続リング３４の下面にはゴムなどのクッション材からなるスペーサ４３が配置されており、このスペーサ４３はプローブカード３５の上面に対応する位置に形成されている。これにより、プローブカード３５の上面の広い面積をスペーサ４３で下方へ加圧できるようになっている。その加圧の際、ポゴピン４１によって接続部材４２に電気的に接続できるようになっており、この接続部材４２はプローブカード３５のテスタ接続端子に電気的に接続されている。
【００４９】
プローブカード３５は図１に示すものである。
プローブカード３５に対して半導体ウエハＷをアライメントするアライメント機構について説明する。プローブカード３５の下方には略円形状のステージ２７が設けられ、このステージ２７の上面に配設されたウエハチャック２８により半導体ウエハＷを水平に保持するようになっている。このウエハチャック２８の内部には加熱装置２９及び冷却媒体の循環路３０が温度調整機構として設けられ、検査時に必要に応じて加熱装置２９により半導体ウエハＷを例えば１５０℃まで加熱でき、また循環路３０を流れる冷却媒体により半導体ウエハＷを例えば−１０℃まで冷却できるようになっている。
【００５０】
また、上記ステージ２７はウエハチャック２８を水平方向、上下方向及びθ方向で駆動させる駆動機構（図示せず）を有し、半導体ウエハＷのアライメント時に駆動機構の駆動によりステージ２７がレール２４，２５上でＸ、Ｙ方向へ移動すると共にウエハチャック２８がθ方向で回転し、更に、上下方向へ昇降するようになっている。更に、ウエハチャック２８にはターゲット板２６が取り付けられており、その上方に配設された光学的撮像装置４４，４５及び静電容量センサ４６によりターゲット板２６及び所定のＩＣチップを検出し、この検出信号に基づいてプローブカード３５と半導体ウエハＷ上のＩＣチップの位置を演算するようになっている。そして、この演算結果に基づいてステージ２７の駆動機構が駆動制御されて半導体ウエハＷ上の検査すべきＩＣチップをプローブカード３５にアライメントするようにしてある。
【００５１】
次に、動作について説明する。ＩＣチップが複数作製された半導体ウエハＷの電気的検査を例えば１５０℃の温度下で行う場合には、加熱装置２９を作動させ半導体ウエハＷを加熱し、例えば１５０℃に温度設定し、その温度を維持する。次いで、ターゲット板２６、光学的撮像装置４４，４５及び静電容量センサ４６などから得られた検出データに基づいてステージ２７が駆動して半導体ウエハＷをプローブカード３５に対してアライメントする。
【００５２】
アライメント終了後、テストヘッド１を下降させると共にプローブカード３５及びそれと電気的に接続された接続部材４２を上昇させる。これにより、パフォーマンスボード３２下面の接続端子３８が接続リング３４上面のポゴピン４０と電気的に接続されると共に、接続部材４２が接続リング３４下面のポゴピン４１と電気的に接続される。その結果、テストヘッド３１のピンエレクトロニクス３６とパフォーマンスボード３２の電子部品回路３７が電気的に接続され、更にこれらは接続リング３４のポゴピン４０，４１及び接続部材４２を介してプローブカード３５のテスタ接続端子に電気的に接続され、ピンエレクトロニクス３６とコンタクト端子７ａ，７ｂとが導通可能な状態になる。
【００５３】
その後、ウエハチャック２８を上昇させて半導体ウエハＷ上のＩＣチップの電極端子にコンタクト端子７ａ，７ｂの針先を接触させ、更にウエハチャック２８を所定量オーバードライブさせてコンタクト端子７ａ，７ｂと電極端子とを導通可能な状態にする。
【００５４】
この導通可能な状態でテストヘッド３１から所定の電気信号を送信し、パフォーマンスボード３２、接続リング３４、接続部材４２、コンタクト端子７ａ，７ｂ及び電極端子を介してＩＣチップに電気信号を入力すると、この入力信号に基づいた出力信号がＩＣチップの電極端子から接続リング３４及びパフォーマンスボード３２の電子部品回路３７を介してピンエレクトロニクス３６に取り込まれ、ＩＣチップの電気的検査が行われる。
【００５５】
プローブカードのプローブ針の母材径と針立て技術の限界が見え始めている中で、ＩＣに配列されるパッドのシュリンク化にも従来技術では限界があった。本実施の形態では、フォトリソグラフィ技術によってＩＣチップの電極端子の中心座標に対応する個所に従来のプローブ針に代わるコンタクト端子を形成したプローブカードを用いることにより、従来技術のようなニードルタイプの針立て限界の制約が無くなり、電極端子の更なるシュリンク化と微細パッドピッチに強い技術を確立することができた。
【００５６】
尚、上記第１の実施の形態では、プローブカード及びその製造方法、プローブ装置、プローブ試験方法についての発明を説明しているが、本実施の形態によるプローブカードを用いてプローブ試験を行う工程を具備する半導体装置の製造方法に本発明を適用することも可能である。
【００５７】
図８（ａ）は、本発明に係る第２の実施の形態によるプローブカードを示す断面図であり、図１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
本実施の形態によるプローブカードは、図１に示す検針部３におけるクッション層１０及び樹脂１８を無くしたものである。クッション層１０を無くしたが、この部分は空洞（空間）になっているため、金属配線１４ａ，１４ｂ及び金属コンタクタ１６ａ，１６ｂがクッションとして作用する。
【００５８】
次に、検針部３の作製方法について図３〜図６（ｌ）及び図８（ｂ）を参照しつつ説明する。
図８（ｂ）は、図８（ａ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図であり、図３〜図６と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００５９】
まず、図３（ａ）に示す工程で、補助基板６上にクッション層１０を形成する代わりに、補助基板６上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、クッション層１０と同じ形状のレジストパターンを補助基板６上に形成する。
次いで、図３（ｂ）に示す工程で、前記レジストパターンを含む全面上にスパッタリングによりＴｉＷ層１１を形成し、この後の工程から図６（ｌ）に示す工程までは第１の実施の形態と同様である。
【００６０】
次に、図８（ｂ）に示すように、クッション層１０の代わりに形成したレジストパターンを除去する。これにより、第１の実施の形態でクッション層１０が形成されていた部分は空洞（空間）となる。このようにして図８（ｂ）に示す検針部３を作製する。
上記第２の実施の形態においても第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
なお、前記プローブカードを製造する方法については第１の実施の形態と同様である。
【００６１】
図９（ａ）は、本発明に係る第１及び第２の実施の形態によるフレキシブル基板の第１の変形例を示す断面図であり、図２（ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００６２】
フレキシブル基板４の上面及び下面に銅箔を形成し、この銅箔をエッチングする。これにより、フレキシブル基板の下面にはフレキシブルメタル配線５ａが形成され、このフレキシブルメタル配線５ａはホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。これと共に、フレキシブル基板の上面にはフレキシブルメタル配線５ｂが形成され、このフレキシブルメタル配線５ｂはホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。このようにフレキシブルメタル配線をフレキシブル基板の上面と下面の２層構造とすることにより、フレキシブルメタル配線の自由度を向上させることができる。
【００６３】
図９（ｂ）は、本発明に係る第１及び第２の実施の形態によるフレキシブル基板の第２の変形例を示す断面図であり、図２（ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００６４】
フレキシブル基板４の上面及び下面に銅箔を形成し、この銅箔をエッチングする。これにより、フレキシブル基板の下面にはフレキシブルメタル配線５ａが形成される。これと共に、フレキシブル基板の上面にはフレキシブルメタル配線５ｂが形成され、このフレキシブルメタル配線５ｂはホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。このようにフレキシブルメタル配線をフレキシブル基板の上面と下面の２層構造とすることにより、フレキシブルメタル配線の自由度を向上させることができる。
【００６５】
図９（ｃ）は、本発明に係る第１及び第２の実施の形態によるフレキシブル基板の第３の変形例を示す断面図であり、図２（ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００６６】
第１のフレキシブル基板２４ａの上面及び下面に銅箔を形成し、この銅箔をエッチングする。これにより、第１のフレキシブル基板２４ａの下面にはフレキシブルメタル配線５ａが形成され、このフレキシブルメタル配線５ａはホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。これと共に、第１のフレキシブル基板２４ａの上面にはフレキシブルメタル配線５ｂが形成され、このフレキシブルメタル配線５ｂはホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。
【００６７】
第２のフレキシブル基板２４ｂの上面に銅箔を形成し、この銅箔をエッチングする。これにより、第２のフレキシブル基板２４ｂの上面にはフレキシブルメタル配線５ｃが形成され、このフレキシブルメタル配線５ｃはホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。
【００６８】
第１のフレキシブル基板２４ａの上にフレキシブルメタル配線５ｂを介して第２のフレキシブル基板２４ｂを配置する。このように第１のフレキシブル基板２４ａに第２のフレキシブル基板２４ｂを重ねて配置し、フレキシブルメタル配線を第１のフレキシブル基板２４ａの上面と下面と第２のフレキシブル基板２４ｂの上面との３層構造とすることにより、フレキシブルメタル配線の自由度をさらに向上させることができる。
【００６９】
図１０（ａ）は、本発明に係る第３の実施の形態によるプローブカードを示す断面図であり、図８（ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
本実施の形態によるプローブカードは、図８（ａ）に示す検針部３における接続端子８ａ，８ｂを基板６の下面（コンタクト端子７ａ，７ｂを形成している面と逆側の面）に配置し、この接続端子８ａ，８ｂをメタル配線１７ａ，１７ｂ及びスルーホール接続部材１８ａ，１８ｂによって金属配線１４ａ，１４ｂに電気的に接続したものである。
【００７０】
メタル配線１７ａ，１７ｂは基板６の下面に形成されている。スルーホール接続部材１８ａ，１８ｂは、レーザーとエッチングにより基板６にスルーホールを開け、このスルーホール内に積層メッキで導通を取ったものである。スルーホール接続部材１８ａ，１８ｂの下端はメタル配線１７ａ，１７ｂに接続されており、スルーホール接続部材１８ａ，１８ｂの上端はバリア層１１に接続されている。
【００７１】
次に、検針部３の作製方法について図１０（ｂ）を参照しつつ説明する。
図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図であり、図８（ｂ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００７２】
まず、図１０（ｂ）に示すように、基板６にスルーホールを開け、スルーホール内に積層メッキを施すことにより、該基板６にはスルーホール接続部材１８ａ，１８ｂが形成される。次いで、基板６の下面にメタル配線１７ａ，１７ｂを形成する。このメタル配線１７ａ，１７ｂはスルーホール接続部材１８ａ，１８ｂの下端に接続される。次いで、このメタル配線１７ａ，１７ｂの表面上に電界メッキ法により接続端子８ａを形成する。
【００７３】
この後、図８（ｂ）に示す第２の実施の形態の場合と同様に、図３（ａ）に示す工程で、補助基板６上にクッション層１０を形成する代わりに、補助基板６上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、クッション層１０と同じ形状のレジストパターンを補助基板６上に形成する。
次いで、図３（ｂ）に示す工程で、前記レジストパターンを含む全面上にスパッタリングによりＴｉＷ層１１を形成し、この後の工程から図４（ｈ）に示す工程までは第１の実施の形態と同様である。
【００７４】
次の図５（ｉ）に示す工程で、接続端子を形成する領域が開口されず、コンタクト端子を形成する領域のみが開口されたレジストパターンを形成し、この後の工程からは第２の実施の形態の場合と同様である。このようにして図１０（ｂ）に示す検針部３を作製する。
上記第３の実施の形態においても第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００７５】
なお、前記プローブカードを製造する方法については第１の実施の形態と同様である。
また、本発明は上記第１乃至第３の実施の形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１の実施の形態によるプローブカードを示す断面図。
【図２】 図１に示すプローブカードの各部品に分解した断面図。
【図３】 図２（ｂ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図。
【図４】 図２（ｂ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図。
【図５】 図２（ｂ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図。
【図６】 図２（ｂ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図。
【図７】 第１の実施の形態によるプローブ装置を概略的に示す構成図。
【図８】 第２の実施の形態によるプローブカードを示す断面図。
【図９】 フレキシブル基板の第１乃至第３の変形例を示す断面図。
【図１０】 第３の実施の形態によるプローブカードを示す断面図。
【図１１】 従来の半導体装置を示す平面図。
【符号の説明】
１…補強基板（プローブカード基板）、２…ポリイミド膜、３…検針部、４…フレキシブル基板、４ａ…ホール、５，５ａ〜５ｃ…フレキシブルメタル配線、６…基板、７ａ，７ｂ…コンタクト端子、８ａ，８ｂ…接続端子、９…液状コーティング材、１０…クッション層、１１ＴｉＷ層、１２…Ｃｕ層、１３，１５，１７…レジストパターン、１４ａ，１４ｂ…金属配線、１６ａ，１６ｂ…金属コンタクタ、１７ａ，１７ｂ…メタル配線、１８…樹脂、１８ａ，１８ｂ…スルーホール接続部材、２４ａ…第１のフレキシブル基板、２４ｂ…第２のフレキシブル基板、２４，２５…レール、２６…ターゲット板、２７…ステージ、２８…ウエハチャック、２９…加熱装置、３０…冷却媒体の循環路、３１…テストヘッド、３２…パフォーマンスボード、３３…インサートリング、３４…接続リング、３５…プローブカード、３６…ピンエレクトロニクス、３７…電子部品回路、３８…接続端子、３９…エポキシ系樹脂製の基板、４０，４１…ポゴピン、４２…接続部材、４３…スペーサ、４４，４５…光学的撮像装置、４６…静電容量センサ、Ｗ…半導体ウエハ、１０１…領域、１０２〜１０６…プローブ針、１０７…出力端子、１０８…入力端子、１０９…ＩＣチップ
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハにプローブ試験を行うためのプローブカード及びその製造方法、プローブ装置、プローブ試験方法、半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体プロセス工程で半導体ウエハ上に多数のＩＣチップを形成した場合には、その半導体ウエハのまま個々のＩＣチップについて電気的特性の検査を行い、不良品をスクリーニングするようにしている。そして、この検査には通常、プローブ装置が用いられている。このプローブ装置は半導体ウエハ上の個々のＩＣチップが有する電極端子にプローブカードのプローブ針を接触させ、プローブ針から所定の電圧を印加することにより各ＩＣチップの導通試験などの電気的検査を行って個々のＩＣチップが電気的特性を有するか否かをテスタを介して試験する装置である。
【０００３】
上記プローブ装置は、半導体ウエハ上のＩＣチップに電圧を印加する試料用電源やＩＣチップからの出力を測定部に取り込むための入力部などからなるピンエレクトロニクスを有するテストヘッドと、ＩＣチップ上の所定の電極端子に接触させるプローブ針を有するプローブカードと、テストヘッドとプローブ針とを電気的に接続させるためのポゴピンを有する接続リングとを備えている。そして、このようなプローブ装置には必要に応じてリニアマザーボードやパーフォーマンスボード等の中継基板が設けられ、これらの中継基板によりプローブカードとテスタを電気的に接続するようにしている。
【０００４】
図１１（ａ）は、従来の半導体装置の一例としての液晶ドライバー用ＩＣチップを示す平面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す領域１０１を拡大し、領域１０１の入出力端子にプローブカードのプローブ針を接触させている様子を示す斜視図である。
プローブカードは、表面及び内部にプリント配線が設けられたプローブカード基板を有し、このプローブカード基板にはその中央部に基板開口エリアが設けられている。
【０００５】
前記プローブカード基板の下面側には前記基板開口エリアの周辺に合わせてプローブ針固定用のモールド樹脂からなる固定リングが配置されている。さらに、前記プローブカード基板の下面側には複数のプローブ針１０２〜１０６が固定リング（図示せず）の周囲に沿って固定されている。
【０００６】
プローブカードによって実際に電気的特性試験を行う場合には、図１１（ａ）に示すＩＣチップ１０９がチップ毎に分割される前のウエハ状態で、図１１（ｂ）に示すように、プローブ針１０２〜１０６の先端をウエハのＩＣチップ１０９の各電極端子である入力端子１０８及び出力端子１０７に接触させ、所定圧力で先端を電極端子に押圧する。これにより、プローブ針と電極端子とが電気的に接続され、ＩＣチップの電気的特性試験が行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、液晶ドライバー用ＩＣ製品の端子はチップ外周に１列で配置されており、特に出力端子１０７の端子数は入力端子１０８に比べて多い。このため、出力端子とプローブカードのプローブ針をコンタクトすることは一般的に困難である。そこで、従来技術においても出力端子とプローブ針とのコンタクトに工夫が施されている。即ち、図１１（ｂ）に示すように、プローブ針を１層目から４層目までの多層針立て構造とし、端子数の多い出力端子に対してもプローブ針を接触させることができるようにしている。
【０００８】
しかしながら、近年、更なるＩＣの高密度化が進む中で、図１１（ｂ）に示すようなプローブカード上の多層針立て構造のみでは、電極端子とプローブ針を安定してコンタクトすることが困難になり、隣接するプローブ針同士がショートするおそれがある。特に、ＩＣの高密度化に伴い、更に端子数が増えて、もともと端子数の多い出力端子が狭ピッチ化されると、出力端子とプローブカードのプローブ針をコンタクトすることが極めて困難になる。従って、電極端子の狭ピッチ化に対応でき、プローブ針同士がショートすることなく確実にコンタクトできるプローブカードが求められている。
【０００９】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、狭ピッチ化された電極端子に対しても、その電極端子と検針とを確実にコンタクトできるプローブカード及びその製造方法、プローブ装置、プローブ試験方法、半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係るプローブカードは、被測定側のＩＣチップの電極端子とほぼ同じ位置関係にある検針用のコンタクト端子であって、メッキ法により形成されたコンタクト端子を具備することを特徴とする。
【００１１】
上記プローブカードによれば、被測定側のＩＣチップの電極端子とほぼ同じ位置関係にある検針用のコンタクト端子をメッキ法により形成しているため、電極端子の狭ピッチ化に対応でき、検針同士がショートすることなく電極端子とコンタクト端子とを確実に接触させることができる。
【００１２】
本発明に係るプローブカードは、基板上に形成された配線と、
前記配線上に形成され、被測定側のＩＣチップの電極端子とほぼ同じ位置関係にある検針用のコンタクト端子であって、メッキ法により形成されたコンタクト端子と、
前記配線上にメッキ法により形成された接続端子と、
を具備することを特徴とする。
【００１３】
本発明に係るプローブカードは、基板上に形成されたクッション層と、
前記クッション層及び前記基板の上に形成されたバリア層と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上にメッキ法により形成された金属配線と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上にメッキ法により形成されたコンタクト端子と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された接続端子と、
前記金属コンタクタ、前記金属配線、前記クッション層及び前記基板上に形成された、前記コンタクト端子及び前記接続端子の根元を補強するための樹脂と、
を具備することを特徴とする。
【００１４】
本発明に係るプローブカードは、補強基板上に配置されたフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に形成されたホールと、
前記フレキシブル基板に形成され且つ前記ホール内に引き出されたフレキシブル配線と、
前記補強基板上に配置され、前記ホール内に位置する第１のクッション層と、
前記第１のクッション層上に形成された基板と、
前記基板上に形成された第２のクッション層と、
前記第２のクッション層及び前記基板の上に形成されたバリア層と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上にメッキ法により形成された金属配線と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上にメッキ法により形成されたコンタクト端子と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された接続端子と、
前記金属コンタクタ、前記金属配線、前記クッション層及び前記基板上に形成された、前記コンタクト端子及び前記接続端子の根元を補強するための樹脂と、
を具備し、
前記ホール内又はホール上で前記接続端子が前記フレキシブル配線に接続されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明に係るプローブカードは、基板上に形成されたバリア層と、
前記バリア層と基板との間に形成された空間と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上にメッキ法により形成された金属配線と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上にメッキ法により形成され、前記空間の上方に配置されたコンタクト端子と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された接続端子と、
を具備することを特徴とする。
【００１６】
本発明に係るプローブカードは、補強基板上に配置されたフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に形成されたホールと、
前記フレキシブル基板に形成され且つ前記ホール内に引き出されたフレキシブル配線と、
前記補強基板上に配置され、前記ホール内に位置するクッション層と、
前記クッション層上に形成された基板と、
前記基板上に形成されたバリア層と、
前記バリア層と基板との間に形成された空間と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上にメッキ法により形成された金属配線と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上にメッキ法により形成され、前記空間の上方に配置されたコンタクト端子と、
前記金属配線上にメッキ法により形成された接続端子と、
を具備し、
前記ホール内又はホール上で前記接続端子が前記フレキシブル配線に接続されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明に係るプローブカードは、基板上に形成されたバリア層と、
前記バリア層と基板との間に形成された空間と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上にメッキ法により形成された第１の金属配線と、
前記第１の金属配線上にメッキ法により形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上にメッキ法により形成され、前記空間の上方に配置されたコンタクト端子と、
前記基板に形成され、上端がバリア層に接続されたスルーホール接続部材と、
前記スルーホール接続部材の下端に接続され、前記基板下に形成された第２の金属配線と、
前記第２の金属配線下にメッキ法により形成された接続端子と、
を具備することを特徴とするプローブカード。
【００１８】
本発明に係るプローブカードは、補強基板上に配置されたフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に形成されたホールと、
前記フレキシブル基板に形成され且つ前記ホール内に引き出されたフレキシブル配線と、
前記補強基板上に配置され、前記ホール内に位置するクッション層と、
前記クッション層上に形成された基板と、
前記基板上に形成されたバリア層と、
前記バリア層と基板との間に形成された空間と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上にメッキ法により形成された第１の金属配線と、
前記第１の金属配線上にメッキ法により形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上にメッキ法により形成され、前記空間の上方に配置されたコンタクト端子と、
前記基板に形成され、上端がバリア層に接続されたスルーホール接続部材と、
前記スルーホール接続部材の下端に接続され、前記基板下に形成された第２の金属配線と、
前記第２の金属配線下にメッキ法により形成された接続端子と、
を具備し、
前記ホール内又はホール上で前記接続端子が前記フレキシブル配線に接続されていることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明に係るプローブカードにおいて、前記スルーホール接続部材は、前記基板に形成されたスルーホールと、該スルーホール内に形成された積層メッキと、を有し、この積層メッキで導通を取るものであることが好ましい。
本発明に係るプローブ装置は、前記のプローブカードを具備することを特徴とする。
【００２０】
本発明に係るプローブ試験方法は、前記のプローブカードを用いてプローブ試験を行う方法であって、
被測定側のＩＣチップの電極端子に前記コンタクト端子を接触させ、前記コンタクト端子と前記電極端子とを導通可能な状態にすることによりプローブ試験を行うことを特徴とする。
【００２１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記のプローブカードを用いてプローブ試験を行う工程を具備する半導体装置の製造方法であって、
被測定側の半導体装置の電極端子に前記コンタクト端子を接触させ、前記コンタクト端子と前記電極端子とを導通可能な状態にすることによりプローブ試験を行う工程を具備することを特徴とする。
【００２２】
本発明に係るプローブカードの製造方法は、被測定側のＩＣチップの電極端子とほぼ同じ位置関係にある検針用のコンタクト端子をメッキ法により形成する工程を具備することを特徴とする。
【００２３】
本発明に係るプローブカードの製造方法は、基板上に配線を形成する工程と、
被測定側のＩＣチップの電極端子とほぼ同じ位置関係にある検針用のコンタクト端子を前記配線上にメッキ法により形成すると共に、前記配線上にメッキ法により接続端子を形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００２４】
本発明に係るプローブカードの製造方法は、基板上にクッション層を形成する工程と、
前記クッション層及び前記基板の上にバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層上にメッキ法により金属配線を形成する工程と、
前記金属配線上にメッキ法により金属コンタクタを形成する工程と、
前記金属コンタクタ上にメッキ法によりコンタクト端子を形成すると共に、前記金属配線上にメッキ法により接続端子を形成する工程と、
前記金属コンタクタ、前記金属配線、前記クッション層及び前記基板上に、前記コンタクト端子及び前記接続端子の根元を補強するための樹脂を形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００２５】
本発明に係るプローブカードの製造方法は、基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜及び前記基板の上にバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層上にメッキ法により金属配線を形成する工程と、
前記金属配線上にメッキ法により金属コンタクタを形成する工程と、
前記金属コンタクタ上にメッキ法によりコンタクト端子を形成すると共に、前記金属配線上にメッキ法により接続端子を形成する工程と、
前記コンタクト端子、前記接続端子、前記金属コンタクタ及び前記金属配線をマスクとして前記金属層及び前記バリア層をエッチングすることにより前記レジスト膜の一部を露出させる工程と、
前記レジスト膜を除去する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明に係る第１の実施の形態によるプローブカードを示す断面図である。
図１に示すように、プローブカードはセラミック又はガラスからなる補強基板（プローブカード基板）１を有している。補強基板１の上にはポリイミドテープなどのフレキシブル基板４が配置されており、このフレキシブル基板４の中央部にはホール４ａが設けられている。
【００２７】
このフレキシブル基板４の下面にはフレキシブルメタル配線５が配置されており、このフレキシブルメタル配線５はホール４ａ内に引き出されている。このホール４ａ内であって補強基板１上には、検針を電極端子に接触させてプローブ試験を行う際にクッション層として作用する厚膜のポリイミド膜２が配置されている。このポリイミド膜２の上には検針部３が配置されており、この検針部３はホール４ａ内に位置している。
【００２８】
検針部３はＳｉ又はガラスからなる基板（Ｓｉ又はガラスのチップ）６を有しており、この基板６の上にはコンタクト端子（プローブ針に相当）７ａ，７ｂが形成されている。このコンタクト端子７ａ，７ｂは配線を介して接続端子８ａ，８ｂに電気的に接続されている。この接続端子８ａ，８ｂはフレキシブルメタル配線５に接続されている。フレキシブル基板４上、ホール４ａ内及び検針部３の周囲は液状コーティング材９により埋められている。但し、コンタクト端子７ａ，７ｂの先端部は液状コーティング材９から露出している。なお、液状コーティング材９は検針部３などを補強できるものであれば、種々の材質を用いることが可能であり、例えば樹脂等を用いても良い。
【００２９】
次に、図１に示すプローブカードの製造方法について図２〜図６を参照しつつ説明する。
図２（ａ）〜（ｄ）は、図１に示すプローブカードの各部品に分解した断面図である。
【００３０】
図２（ａ）に示すように、ポリイミドテープなどからなるフレキシブル基板４を準備し、このフレキシブル基板４に検針部３を配置するためのホール４ａを設ける。そして、フレキシブル基板４の下面に銅箔を形成し、この銅箔をエッチングする。これにより、フレキシブル基板の下面にはフレキシブルメタル配線５が形成され、このフレキシブルメタル配線５はホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。
【００３１】
次いで、図２（ｂ）に示すコンタクト端子７ａ，７ｂ及びそのコンタクト端子から引き出された接続端子８ａ，８ｂ、基板６上に形成されたメタル層による再配置配線を有する検針部３を準備する。なお、検針部３の作製方法は後述する。
次いで、図２（ｃ）に示す厚膜のポリイミド膜２を準備する。このポリイミド膜２は、被測定側のＩＣチップとコンタクト端子７ａ，７ｂをコンタクトする時、検針部３の基板６の下面への加圧を緩和するためのクッション層として作用するものである。
次いで、図２（ｄ）に示す検針部３を固定するための補強基板（プローブカード基板）１を準備する。
【００３２】
次いで、図１に示すように、前記補強基板１の上にポリイミド膜２を載置する。次いで、このポリイミド膜２の上に検針部３を載置する。次いで、前記補強基板１の上に前記フレキシブル基板４を載置する。この際、ホール４ａ内にポリイミド膜２及び検針部３が位置するようにフレキシブル基板４を配置する。そして、ホール４ａ内でフレキシブルメタル配線５のインナーリードと接続端子８ａ，８ｂを加熱・加圧により接続する。
【００３３】
次いで、ホール４ａ内、フレキシブル基板４上及びコンタクト端子の先端部を除く検針部３上に液状のコーティング材９を塗布する。この際、コンタクト端子７ａ，７ｂの先端部に液状コーティング材９が塗布されない様にするために、コンタクト端子の先端部をマスク用の絶縁膜（図示せず）で被覆しておき、液状コーティング材９を塗布した後に前記絶縁膜を剥離することが好ましい。
【００３４】
なお、ポリイミド膜２と補強基板１とを接着剤によって接着しても良く、検針部３とポリイミド膜２とを接着剤によって接着しても良く、フレキシブル基板４と補強基板１とを接着剤によって固定しても良い。
【００３５】
次に、前記検針部３を作製する方法について図３〜図６を参照しつつ説明する。図３〜図６は、図２（ｂ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図である。
まず、図３（ａ）に示すように、Ｓｉ又はガラスからなる基板６を用意し、この基板６上に感光性のある厚膜のポリイミド膜を塗布する。次いで、このポリイミド膜を露光、現像してパターニングした後、加熱処理（ポリイミドキュア）を行う。これにより、基板６上にはポリイミドからなるクッション層１０が形成される。
【００３６】
この後、図３（ｂ）に示すように、クッション層１０を含む全面上にスパッタリングによりＴｉＷ層１１を形成する。このＴｉＷ層１１は、クッション層１０へ配線材料が拡散するのを防止するためのバリア層である。次いで、ＴｉＷ層１１の上にスパッタリングによりＣｕ層１２を形成する。このＣｕ層１２は、ＴｉＷ層１１と後記金属配線１４ａ，１４ｂとの密着性を向上させるためのものである。
【００３７】
次に、図３（ｃ）に示すように、Ｃｕ層１２の上にレジスト膜を塗布し、このレジスト膜を露光、現像することにより、Ｃｕ層上にはレジストパターン１３が形成される。このレジストパターン１３は金属配線を形成する領域が開口されたパターンである。
次いで、図３（ｄ）に示すように、レジストパターン１３の開口部内のＣｕ層１２上に電界メッキ法により金属配線１４ａ，１４ｂが形成される。この金属配線は例えばＣｕ配線を用いることが好ましい。
【００３８】
この後、図４（ｅ）に示すように、レジストパターン１３を剥離する。
次いで、図４（ｆ）に示すように、金属配線１４ａ，１４ｂを含む全面上にレジスト膜を塗布し、このレジスト膜を露光、現像することにより、Ｃｕ層上にはレジストパターン１５が形成される。このレジストパターン１５は金属コンタクタを形成する領域が開口されたパターンである。
【００３９】
次に、図４（ｇ）に示すように、レジストパターン１５の開口部内の金属配線１４ａ，１４ｂ上に電界メッキ法により金属コンタクタ１６ａ，１６ｂが形成される。この金属コンタクタは例えばＮｉからなることが好ましい。
この後、図４（ｈ）に示すように、レジストパターン１５を剥離する。これにより、各々の金属配線１４ａ，１４ｂの一部が露出する。
【００４０】
次に、図５（ｉ）に示すように、金属コンタクタ１６ａ，１６ｂを含む全面上にレジスト膜を塗布し、このレジスト膜を露光、現像することにより、金属コンタクタ及びＣｕ層の上にはレジストパターン１７が形成される。このレジストパターン１７はコンタクト端子及び接続端子を形成する領域が開口されたパターンである。
【００４１】
次いで、図５（ｊ）に示すように、レジストパターン１７の開口部内の金属コンタクタ及び金属配線の上に電界メッキ法によりバンプ状のコンタクト端子７ａ，７ｂ及び接続端子８ａ，８ｂが形成される。即ち、金属コンタクタ１６ａ，１６ｂ上にはコンタクト端子７ａ，７ｂが形成され、金属配線１４ａ，１４ｂ上には接続端子８ａ，８ｂが形成される。
【００４２】
前記コンタクト端子７ａ，７ｂは、プローブ針に相当するものであって、電気的特性試験（プローブ試験）の際に被測定側のＩＣチップの電極端子（パッド又はバンプ）に接触させるものである。つまり、コンタクト端子７ａ，７ｂは、フォトリソグラフィ技術によって被測定側ＩＣチップの電極端子の中心座標と同一な個所に形成されたものである。
また、前記接続端子８ａ，８ｂは、前記フレキシブルメタル配線５のインナーリードの先端に接続するものである。なお、コンタクト端子７ａ，７ｂ及び接続端子８ａ，８ｂそれぞれは、例えばＮｉ、Ｐｄ、Ａｕ及びＳｎ−Ａｇ合金の群から選ばれた一の金属からなることが好ましい。
【００４３】
この後、図５（ｋ）に示すように、レジストパターン１７を剥離する。
次いで、図６（ｌ）に示すように、コンタクト端子、接続端子、金属コンタクタ及び金属配線をマスクとしてＣｕ層１２及びＴｉＷ層１１をエッチングすることにより、クッション層１０の一部及び基板６の一部が露出され、コンタクト端子７ａとコンタクト端子７ｂが電気的に分離される。これにより、コンタクト端子７ａは金属コンタクタ１６ａ及び金属配線１４ａを介して接続端子８ａに電気的に接続され、コンタクト端子７ｂは金属コンタクタ１６ｂ及び金属配線１４ｂを介して接続端子８ｂに電気的に接続される。
【００４４】
次に、図６（ｍ）に示すように、コンタクト端子及び接続端子を含む全面上に、これらの端子の根元を補強するための樹脂１８をコーティングする。
次いで、図６（ｎ）に示すように、この樹脂１８の表面をドライエッチングすることにより、コンタクト端子７ａ，７ｂ及び接続端子８ａ，８ｂそれぞれの先端側を樹脂１８から露出させる。このようにして図２（ｂ）に示す検針部３を作製する。
【００４５】
次に、図１に示すプローブカードを用いてプローブ試験を行うためのプローブ装置について図７を参照しつつ説明する。
図７は、第１の実施の形態によるプローブ装置を概略的に示す構成図である。
このプローブ装置は、図示せぬ昇降機構によって昇降可能に構成されたテストヘッド３１と、このテストヘッド３１の下方で図示せぬ装置本体内に順次配設されたパフォーマンスボード３２と、このパフォーマンスボード３２と接続するようにインサートリング３３により支持された接続リング３４と、この接続リング３４の下方に配設されたプローブカード３５を備えている。
【００４６】
上記テストヘッド３１の内部には被検査体としての半導体ウエハＷ上のＩＣチップに電圧を印加する試料用電源やＩＣチップからの出力を測定部に取り込むための入力部などからなるピンエレクトロニクス３６が内蔵されている。このピンエレクトロニクス３６はパフォーマンスボード３２上に搭載された複数の電子部品回路３７に対して電気的に接続されている。これらの電子部品回路３７は、例えばマトリックス・リレー、ドライバー回路等からなる各種測定回路として構成され、各電子部品回路３７の接続リング３４との接続端子３８はパフォーマンスボード３２の本体である例えばエポキシ系樹脂製の基板３９の下面に例えば基板３９と同心円をなす４つの円周上に配列されている。
【００４７】
また、上記接続リング３４の上面には接続端子３８に対応するポゴピン４０が同心円をなすように形成された４つの円周上に配列され、その下面には各ポゴピン４０に導通するポゴピン４１が接続部材４２に対応して設けられている。この接続部材４２はプローブカード３５の下面のテスタ接続端子に下方から接続されるように構成されている。これによりテストヘッド３１は、パフォーマンスボード３２、接続リング３４及び接続部材４２を介してプローブカード３５と電気的に接続できるように構成されている。
【００４８】
また、接続リング３４の下面にはゴムなどのクッション材からなるスペーサ４３が配置されており、このスペーサ４３はプローブカード３５の上面に対応する位置に形成されている。これにより、プローブカード３５の上面の広い面積をスペーサ４３で下方へ加圧できるようになっている。その加圧の際、ポゴピン４１によって接続部材４２に電気的に接続できるようになっており、この接続部材４２はプローブカード３５のテスタ接続端子に電気的に接続されている。
【００４９】
プローブカード３５は図１に示すものである。
プローブカード３５に対して半導体ウエハＷをアライメントするアライメント機構について説明する。プローブカード３５の下方には略円形状のステージ２７が設けられ、このステージ２７の上面に配設されたウエハチャック２８により半導体ウエハＷを水平に保持するようになっている。このウエハチャック２８の内部には加熱装置２９及び冷却媒体の循環路３０が温度調整機構として設けられ、検査時に必要に応じて加熱装置２９により半導体ウエハＷを例えば１５０℃まで加熱でき、また循環路３０を流れる冷却媒体により半導体ウエハＷを例えば−１０℃まで冷却できるようになっている。
【００５０】
また、上記ステージ２７はウエハチャック２８を水平方向、上下方向及びθ方向で駆動させる駆動機構（図示せず）を有し、半導体ウエハＷのアライメント時に駆動機構の駆動によりステージ２７がレール２４，２５上でＸ、Ｙ方向へ移動すると共にウエハチャック２８がθ方向で回転し、更に、上下方向へ昇降するようになっている。更に、ウエハチャック２８にはターゲット板２６が取り付けられており、その上方に配設された光学的撮像装置４４，４５及び静電容量センサ４６によりターゲット板２６及び所定のＩＣチップを検出し、この検出信号に基づいてプローブカード３５と半導体ウエハＷ上のＩＣチップの位置を演算するようになっている。そして、この演算結果に基づいてステージ２７の駆動機構が駆動制御されて半導体ウエハＷ上の検査すべきＩＣチップをプローブカード３５にアライメントするようにしてある。
【００５１】
次に、動作について説明する。ＩＣチップが複数作製された半導体ウエハＷの電気的検査を例えば１５０℃の温度下で行う場合には、加熱装置２９を作動させ半導体ウエハＷを加熱し、例えば１５０℃に温度設定し、その温度を維持する。次いで、ターゲット板２６、光学的撮像装置４４，４５及び静電容量センサ４６などから得られた検出データに基づいてステージ２７が駆動して半導体ウエハＷをプローブカード３５に対してアライメントする。
【００５２】
アライメント終了後、テストヘッド１を下降させると共にプローブカード３５及びそれと電気的に接続された接続部材４２を上昇させる。これにより、パフォーマンスボード３２下面の接続端子３８が接続リング３４上面のポゴピン４０と電気的に接続されると共に、接続部材４２が接続リング３４下面のポゴピン４１と電気的に接続される。その結果、テストヘッド３１のピンエレクトロニクス３６とパフォーマンスボード３２の電子部品回路３７が電気的に接続され、更にこれらは接続リング３４のポゴピン４０，４１及び接続部材４２を介してプローブカード３５のテスタ接続端子に電気的に接続され、ピンエレクトロニクス３６とコンタクト端子７ａ，７ｂとが導通可能な状態になる。
【００５３】
その後、ウエハチャック２８を上昇させて半導体ウエハＷ上のＩＣチップの電極端子にコンタクト端子７ａ，７ｂの針先を接触させ、更にウエハチャック２８を所定量オーバードライブさせてコンタクト端子７ａ，７ｂと電極端子とを導通可能な状態にする。
【００５４】
この導通可能な状態でテストヘッド３１から所定の電気信号を送信し、パフォーマンスボード３２、接続リング３４、接続部材４２、コンタクト端子７ａ，７ｂ及び電極端子を介してＩＣチップに電気信号を入力すると、この入力信号に基づいた出力信号がＩＣチップの電極端子から接続リング３４及びパフォーマンスボード３２の電子部品回路３７を介してピンエレクトロニクス３６に取り込まれ、ＩＣチップの電気的検査が行われる。
【００５５】
プローブカードのプローブ針の母材径と針立て技術の限界が見え始めている中で、ＩＣに配列されるパッドのシュリンク化にも従来技術では限界があった。本実施の形態では、フォトリソグラフィ技術によってＩＣチップの電極端子の中心座標に対応する個所に従来のプローブ針に代わるコンタクト端子を形成したプローブカードを用いることにより、従来技術のようなニードルタイプの針立て限界の制約が無くなり、電極端子の更なるシュリンク化と微細パッドピッチに強い技術を確立することができた。
【００５６】
尚、上記第１の実施の形態では、プローブカード及びその製造方法、プローブ装置、プローブ試験方法についての発明を説明しているが、本実施の形態によるプローブカードを用いてプローブ試験を行う工程を具備する半導体装置の製造方法に本発明を適用することも可能である。
【００５７】
図８（ａ）は、本発明に係る第２の実施の形態によるプローブカードを示す断面図であり、図１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
本実施の形態によるプローブカードは、図１に示す検針部３におけるクッション層１０及び樹脂１８を無くしたものである。クッション層１０を無くしたが、この部分は空洞（空間）になっているため、金属配線１４ａ，１４ｂ及び金属コンタクタ１６ａ，１６ｂがクッションとして作用する。
【００５８】
次に、検針部３の作製方法について図３〜図６（ｌ）及び図８（ｂ）を参照しつつ説明する。
図８（ｂ）は、図８（ａ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図であり、図３〜図６と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００５９】
まず、図３（ａ）に示す工程で、補助基板６上にクッション層１０を形成する代わりに、補助基板６上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、クッション層１０と同じ形状のレジストパターンを補助基板６上に形成する。
次いで、図３（ｂ）に示す工程で、前記レジストパターンを含む全面上にスパッタリングによりＴｉＷ層１１を形成し、この後の工程から図６（ｌ）に示す工程までは第１の実施の形態と同様である。
【００６０】
次に、図８（ｂ）に示すように、クッション層１０の代わりに形成したレジストパターンを除去する。これにより、第１の実施の形態でクッション層１０が形成されていた部分は空洞（空間）となる。このようにして図８（ｂ）に示す検針部３を作製する。
上記第２の実施の形態においても第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
なお、前記プローブカードを製造する方法については第１の実施の形態と同様である。
【００６１】
図９（ａ）は、本発明に係る第１及び第２の実施の形態によるフレキシブル基板の第１の変形例を示す断面図であり、図２（ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００６２】
フレキシブル基板４の上面及び下面に銅箔を形成し、この銅箔をエッチングする。これにより、フレキシブル基板の下面にはフレキシブルメタル配線５ａが形成され、このフレキシブルメタル配線５ａはホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。これと共に、フレキシブル基板の上面にはフレキシブルメタル配線５ｂが形成され、このフレキシブルメタル配線５ｂはホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。このようにフレキシブルメタル配線をフレキシブル基板の上面と下面の２層構造とすることにより、フレキシブルメタル配線の自由度を向上させることができる。
【００６３】
図９（ｂ）は、本発明に係る第１及び第２の実施の形態によるフレキシブル基板の第２の変形例を示す断面図であり、図２（ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００６４】
フレキシブル基板４の上面及び下面に銅箔を形成し、この銅箔をエッチングする。これにより、フレキシブル基板の下面にはフレキシブルメタル配線５ａが形成される。これと共に、フレキシブル基板の上面にはフレキシブルメタル配線５ｂが形成され、このフレキシブルメタル配線５ｂはホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。このようにフレキシブルメタル配線をフレキシブル基板の上面と下面の２層構造とすることにより、フレキシブルメタル配線の自由度を向上させることができる。
【００６５】
図９（ｃ）は、本発明に係る第１及び第２の実施の形態によるフレキシブル基板の第３の変形例を示す断面図であり、図２（ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００６６】
第１のフレキシブル基板２４ａの上面及び下面に銅箔を形成し、この銅箔をエッチングする。これにより、第１のフレキシブル基板２４ａの下面にはフレキシブルメタル配線５ａが形成され、このフレキシブルメタル配線５ａはホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。これと共に、第１のフレキシブル基板２４ａの上面にはフレキシブルメタル配線５ｂが形成され、このフレキシブルメタル配線５ｂはホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。
【００６７】
第２のフレキシブル基板２４ｂの上面に銅箔を形成し、この銅箔をエッチングする。これにより、第２のフレキシブル基板２４ｂの上面にはフレキシブルメタル配線５ｃが形成され、このフレキシブルメタル配線５ｃはホール４ａ内まで引き出され、このホール内のフレキシブルメタル配線はインナーリードとして作用するものである。
【００６８】
第１のフレキシブル基板２４ａの上にフレキシブルメタル配線５ｂを介して第２のフレキシブル基板２４ｂを配置する。このように第１のフレキシブル基板２４ａに第２のフレキシブル基板２４ｂを重ねて配置し、フレキシブルメタル配線を第１のフレキシブル基板２４ａの上面と下面と第２のフレキシブル基板２４ｂの上面との３層構造とすることにより、フレキシブルメタル配線の自由度をさらに向上させることができる。
【００６９】
図１０（ａ）は、本発明に係る第３の実施の形態によるプローブカードを示す断面図であり、図８（ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
本実施の形態によるプローブカードは、図８（ａ）に示す検針部３における接続端子８ａ，８ｂを基板６の下面（コンタクト端子７ａ，７ｂを形成している面と逆側の面）に配置し、この接続端子８ａ，８ｂをメタル配線１７ａ，１７ｂ及びスルーホール接続部材１８ａ，１８ｂによって金属配線１４ａ，１４ｂに電気的に接続したものである。
【００７０】
メタル配線１７ａ，１７ｂは基板６の下面に形成されている。スルーホール接続部材１８ａ，１８ｂは、レーザーとエッチングにより基板６にスルーホールを開け、このスルーホール内に積層メッキで導通を取ったものである。スルーホール接続部材１８ａ，１８ｂの下端はメタル配線１７ａ，１７ｂに接続されており、スルーホール接続部材１８ａ，１８ｂの上端はバリア層１１に接続されている。
【００７１】
次に、検針部３の作製方法について図１０（ｂ）を参照しつつ説明する。
図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図であり、図８（ｂ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００７２】
まず、図１０（ｂ）に示すように、基板６にスルーホールを開け、スルーホール内に積層メッキを施すことにより、該基板６にはスルーホール接続部材１８ａ，１８ｂが形成される。次いで、基板６の下面にメタル配線１７ａ，１７ｂを形成する。このメタル配線１７ａ，１７ｂはスルーホール接続部材１８ａ，１８ｂの下端に接続される。次いで、このメタル配線１７ａ，１７ｂの表面上に電界メッキ法により接続端子８ａを形成する。
【００７３】
この後、図８（ｂ）に示す第２の実施の形態の場合と同様に、図３（ａ）に示す工程で、補助基板６上にクッション層１０を形成する代わりに、補助基板６上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、クッション層１０と同じ形状のレジストパターンを補助基板６上に形成する。
次いで、図３（ｂ）に示す工程で、前記レジストパターンを含む全面上にスパッタリングによりＴｉＷ層１１を形成し、この後の工程から図４（ｈ）に示す工程までは第１の実施の形態と同様である。
【００７４】
次の図５（ｉ）に示す工程で、接続端子を形成する領域が開口されず、コンタクト端子を形成する領域のみが開口されたレジストパターンを形成し、この後の工程からは第２の実施の形態の場合と同様である。このようにして図１０（ｂ）に示す検針部３を作製する。
上記第３の実施の形態においても第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００７５】
なお、前記プローブカードを製造する方法については第１の実施の形態と同様である。
また、本発明は上記第１乃至第３の実施の形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１の実施の形態によるプローブカードを示す断面図。
【図２】 図１に示すプローブカードの各部品に分解した断面図。
【図３】 図２（ｂ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図。
【図４】 図２（ｂ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図。
【図５】 図２（ｂ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図。
【図６】 図２（ｂ）に示す検針部の作製方法を説明する断面図。
【図７】 第１の実施の形態によるプローブ装置を概略的に示す構成図。
【図８】 第２の実施の形態によるプローブカードを示す断面図。
【図９】 フレキシブル基板の第１乃至第３の変形例を示す断面図。
【図１０】 第３の実施の形態によるプローブカードを示す断面図。
【図１１】 従来の半導体装置を示す平面図。
【符号の説明】
１…補強基板（プローブカード基板）、２…ポリイミド膜、３…検針部、４…フレキシブル基板、４ａ…ホール、５，５ａ〜５ｃ…フレキシブルメタル配線、６…基板、７ａ，７ｂ…コンタクト端子、８ａ，８ｂ…接続端子、９…液状コーティング材、１０…クッション層、１１ＴｉＷ層、１２…Ｃｕ層、１３，１５，１７…レジストパターン、１４ａ，１４ｂ…金属配線、１６ａ，１６ｂ…金属コンタクタ、１７ａ，１７ｂ…メタル配線、１８…樹脂、１８ａ，１８ｂ…スルーホール接続部材、２４ａ…第１のフレキシブル基板、２４ｂ…第２のフレキシブル基板、２４，２５…レール、２６…ターゲット板、２７…ステージ、２８…ウエハチャック、２９…加熱装置、３０…冷却媒体の循環路、３１…テストヘッド、３２…パフォーマンスボード、３３…インサートリング、３４…接続リング、３５…プローブカード、３６…ピンエレクトロニクス、３７…電子部品回路、３８…接続端子、３９…エポキシ系樹脂製の基板、４０，４１…ポゴピン、４２…接続部材、４３…スペーサ、４４，４５…光学的撮像装置、４６…静電容量センサ、Ｗ…半導体ウエハ、１０１…領域、１０２〜１０６…プローブ針、１０７…出力端子、１０８…入力端子、１０９…ＩＣチップ
Claims (8)
- 補強基板上に配置されたフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に形成されたホールと、
前記フレキシブル基板に形成され且つ前記ホール内に引き出されたフレキシブル配線と、
前記補強基板上に配置され、前記ホール内に位置する第１のクッション層と、
前記ホール内に配置され、前記第１のクッション層上に形成された基板と、
前記基板上に形成された第２のクッション層と、
前記第２のクッション層及び前記基板の上に形成されたバリア層と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上に形成された金属配線と、
前記金属配線上に形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上に形成されたコンタクト端子と、
前記ホール内に配置され、前記金属配線上に形成された接続端子と、
前記金属コンタクタ、前記金属配線、前記コンタクト端子及び前記接続端子の根元を補強するための樹脂と、
前記ホール内に埋め込まれ、前記ホール内に前記第１のクッション層、前記基板及び前記フレキシブル配線を固定するための補強材と、
を具備し、
前記ホール内又はホール上で前記接続端子が前記フレキシブル配線に接続されていることを特徴とするプローブカード。 - 補強基板上に配置されたフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に形成されたホールと、
前記フレキシブル基板に形成され且つ前記ホール内に引き出されたフレキシブル配線と、
前記補強基板上に配置され、前記ホール内に位置するクッション層と、
前記ホール内に配置され、前記クッション層上に形成された基板と、
前記基板上に形成されたバリア層と、
前記バリア層と基板との間に形成された空間と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上に形成された金属配線と、
前記金属配線上に形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上に形成され、前記空間の上方に配置されたコンタクト端子と、
前記ホール内に配置され、前記金属配線上に形成された接続端子と、
前記ホール内に埋め込まれ、前記ホール内に前記クッション層、前記基板及び前記フレキシブル配線を固定するための補強材と、
を具備し、
前記ホール内又はホール上で前記接続端子が前記フレキシブル配線に接続されていることを特徴とするプローブカード。 - 補強基板上に配置されたフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に形成されたホールと、
前記フレキシブル基板に形成され且つ前記ホール内に引き出されたフレキシブル配線と、
前記補強基板上に配置され、前記ホール内に位置するクッション層と、
前記クッション層上に形成された基板と、
前記基板上に形成されたバリア層と、
前記バリア層と基板との間に形成された空間と、
前記バリア層上に形成された金属層と、
前記金属層上に形成された第１の金属配線と、
前記第１の金属配線上に形成された金属コンタクタと、
前記金属コンタクタ上に形成され、前記空間の上方に配置されたコンタクト端子と、
前記基板に形成され、上端がバリア層に接続されたスルーホール接続部材と、
前記スルーホール接続部材の下端に接続され、前記基板下に形成された第２の金属配線と、
前記第２の金属配線下に形成された接続端子と、
前記ホール内に埋め込まれ、前記ホール内に前記クッション層を固定するための補強材と、
を具備し、
前記ホール内又はホール上で前記接続端子が前記フレキシブル配線に接続されていることを特徴とするプローブカード。 - 前記スルーホール接続部材は、前記基板に形成されたスルーホールと、該スルーホール内に形成された積層メッキと、を有し、この積層メッキで導通を取るものであることを特徴とする請求項３に記載のプローブカード。
- 請求項１乃至３のいずれか一項において、前記フレキシブル配線は、前記フレキシブル基板の両面に形成されていることを特徴とするプローブカード。
- 請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載のプローブカードを具備することを特徴とするプローブ装置。
- 請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載のプローブカードを用いてプローブ試験を行う方法であって、
被測定側のＩＣチップの電極端子に前記コンタクト端子を接触させ、前記コンタクト端子と前記電極端子とを導通可能な状態にすることによりプローブ試験を行うことを特徴とするプローブ試験方法。 - 請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載のプローブカードを用いてプローブ試験を行う工程を具備する半導体装置の製造方法であって、
被測定側の半導体装置の電極端子に前記コンタクト端子を接触させ、前記コンタクト端子と前記電極端子とを導通可能な状態にすることによりプローブ試験を行う工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003034912A JP4604450B2 (ja) | 2003-02-13 | 2003-02-13 | プローブカード及びその製造方法、プローブ装置、プローブ試験方法、半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003034912A JP4604450B2 (ja) | 2003-02-13 | 2003-02-13 | プローブカード及びその製造方法、プローブ装置、プローブ試験方法、半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004245669A JP2004245669A (ja) | 2004-09-02 |
| JP4604450B2 true JP4604450B2 (ja) | 2011-01-05 |
Family
ID=33020475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003034912A Expired - Fee Related JP4604450B2 (ja) | 2003-02-13 | 2003-02-13 | プローブカード及びその製造方法、プローブ装置、プローブ試験方法、半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4604450B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190112615A (ko) * | 2018-03-26 | 2019-10-07 | 영남대학교 산학협력단 | 마이크로 엘이디 검증용 기판과, 이의 제작 방법 및 이를 이용한 마이크로 엘이디 검증 방법 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8016624B2 (en) | 2005-09-22 | 2011-09-13 | Enplas Corporation | Electric contact and socket for electrical part |
| JPWO2010038433A1 (ja) | 2008-09-30 | 2012-03-01 | ローム株式会社 | プローブカードの製造方法、プローブカード、半導体装置の製造方法およびプローブの形成方法 |
| WO2019190102A1 (ko) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 영남대학교 산학협력단 | 마이크로 엘이디 검증용 기판과, 이의 제작 방법 및 이를 이용한 마이크로 엘이디 검증 방법 |
| WO2024004205A1 (ja) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | 日本電子材料株式会社 | プローブカード |
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Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3215545B2 (ja) * | 1993-05-27 | 2001-10-09 | イビデン株式会社 | 薄膜多層配線板及びその製造方法 |
| JPH0727789A (ja) * | 1993-07-09 | 1995-01-31 | Nitto Denko Corp | 回路配線板およびその製造方法 |
-
2003
- 2003-02-13 JP JP2003034912A patent/JP4604450B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| KR20200038228A (ko) * | 2018-03-26 | 2020-04-10 | 영남대학교 산학협력단 | 마이크로 엘이디 검증용 기판과, 이의 제작 방법 및 이를 이용한 마이크로 엘이디 검증 방법 |
| KR102107101B1 (ko) | 2018-03-26 | 2020-05-12 | 영남대학교 산학협력단 | 마이크로 엘이디 검증용 기판과, 이의 제작 방법 및 이를 이용한 마이크로 엘이디 검증 방법 |
| KR102145325B1 (ko) | 2018-03-26 | 2020-08-18 | 영남대학교 산학협력단 | 마이크로 엘이디 검증용 기판과, 이의 제작 방법 및 이를 이용한 마이크로 엘이디 검증 방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004245669A (ja) | 2004-09-02 |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071102 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
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