JP3686301B2 - 接続装置の製造方法ならびに検査装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は接触端子を通して電極に電気信号を伝送する接続装置の製造方法ならびに検査装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
接続装置およびその製造方法ならびに該接続装置を用いた検査装置の従来技術として、特開平11−288984号公報に、接触端子を導電性膜の表面層の被検査対象物(半導体素子)の電極に対応する位置にホトレジストマスクを形成し、該ホトレジストマスク以外の部分をエッチングして得られる突起で構成するものが記載されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術はホトレジストマスクを用いて金属薄膜をシャワーエッチングする方法であるため、ホトレジストマスクの位置が引き出し配線上の幅からずれて、精度よく接触端子を形成できないという課題を有していた。
【0004】
すなわち、従来技術では、接触端子を形成するためのホトレジストマスクと引き出し配線との位置合わせを高精度に行なうのが困難であるという課題を有していた。
【0005】
本発明は、上記課題を解決すべくなされたものであり、接触端子を形成するためのホトレジストと引き出し配線との位置合わせを容易にする接触端子の製造方法および検査装置を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、導電性膜をエッチングすることにより導電性配線を形成した後に、導電性配線に交差するようにレジストマスクを配置し、導電性配線をシャワーエッチングすることにより達成される。
【0007】
より具体的には、検査対象物から電気信号を授受するための接続装置の製造方法であって、導電性膜をエッチングすることにより導電性配線を形成する第一工程と、
該導電性配線と交差するレジストを形成する第二工程と、該導電性配線をエッチングすることにより接触端子を有する引き出し配線を形成する第三工程と、を備えることで達成される。
【0008】
また、検査対象物から電気信号を授受するための接続装置の製造方法であって、
導電性膜をエッチングすることにより一部に狭部を有する導電性配線を形成する第一工程と、該導電性配線の狭部と交差するレジストを形成する第二工程と、該導電性配線をエッチングすることにより接触端子を有する引き出し配線を形成する第三工程と、を備えることで達成される。
【0009】
また、上記製造方法において、導電性配線と交差するレジストとともに任意のレジストを用いて導電性配線をエッチングし、導電性配線の厚さを調節することで達成される。
【0010】
また、検査対象を位置決めして押圧する試料支持系と、被検査物に接触して電気信号の授受を行う接続装置と、測定を行うテスタと、を有する検査装置であって、
該接続装置が上記記載の製造方法により製造された接続装置である検査装置により達成される。
【0011】
以上説明したように、導電性配線に交差するようにレジストマスクを用いると、レジストマスクの位置あわせに誤差があったとしてもそのレジストマスクが導電性配線の幅からずれる可能性はほとんどなく、導電性配線とレジストマスクの交点に接触端子を確実に形成することができる。
【0012】
また、上記の接触端子は導電性配線を交差するレジストマスクでエッチングすることにより一括形成されるので、導電性配線の長手方向およびそれと交差するレジストマスクの長手方向に、それぞれ多少の位置ずれ(位置合わせの誤差)があっても、導電性配線とレジストマスクの交点が所望の位置に確保され、それらの交点群は、導電性配線の形成精度(配線間のピッチ精度)および先端形成位置を規定するレジストマスクの位置精度を損なうことなく、両者のマスク精度内で接触端子を接触端子間の相対位置を保ったまま容易に形成することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る接続装置の製造方法、検査装置および検査方法について、実施例に基づいて説明する。図1および図2に、本発明の接続装置の摸式図を示す。
【0014】
図1(a)は本発明の接続装置の第1実施例の要部を示す断面摸式図、図1(b)は斜視図である。本実施例の接続装置は、突起状の先端20aを有した接触端子20と引き出し配線21をポリイミド膜22に形成した接続装置である。図1(a)では、簡単のため、接触端子20の断面を1つのみ示すが、もちろん、実際には、複数個が配置される。
【0015】
図2(a)は本発明の接続装置の第2実施例の要部を示す断面摸式図、図2(b)は斜視図である。図2に示す接続装置は、引き出し配線25を局所的に細くした部分25aに突起状の先端26aを有した接触端子26と引き出し配線25をポリイミド膜28に形成した接続装置である。
【0016】
本実施例では、例えば、フォトリソグラフィ技術により接触端子20、26がパターニングされるので、位置および大きさが高精度(数μm以内)に決められる。また、シャワーエッチングにより形成されるので、四角形の小さな接触端子先端部を有する突起状の先端20a、26aが形成できる。すなわち、必要に応じて断面積が先端ほど小さくなった形状とすることができる。
【0017】
次に、図1に示す接続装置を形成するための製造プロセスについて、図3および図4を参照して説明する。
図3、図4は、図1に示す接続装置を形成するための製造プロセスのうち、特に、突起状の接触端子の先端部を薄膜に形成するための製造プロセスを工程順に示したものである。各工程ごとの図中に、断面図およびその斜視図の要部を一組にして示した。
【0018】
まず、ポリイミド膜22上に銅薄膜30を形成し、さらに、銅薄膜30上にパターニングされたホトレジスト31を形成する(ステップa)。
【0019】
次に、ホトレジスト31を用いて銅薄膜30をエッチングした後、ホトレジスト31を除去し、ポリイミド膜22に銅薄膜30から成る導電性配線23を形成する(ステップb)。
【0020】
そして、上記導電性配線23と交差するように、線状にホトレジスト32を形成する(ステップc)。
【0021】
次に、線状のホトレジスト32に覆われた導電性配線23をシャワーエッチング35することにより、接触端子20の突起状の先端20aと引き出し配線21を形成する(ステップd)。
【0022】
その後、接触端子20の表面に、ニッケルあるいはパラジュウムあるいはロジュウムのような硬度の高い材料36をめっきする(ステップe)。この場合、接触端子部分以外を覆って、接触端子部分のみをニッケルあるいはパラジュウムあるいはロジュウムのような硬度の高い材料36をめっきしてもよい。
【0023】
以上のように、線状にホトレジストを形成すれば、線状方向のホトレジストの位置ずれを吸収できるプロセスとなる。また、接触端子20は、導電性配線23を用いて形成するので導電性配線間のピッチが接触端子のピッチとなり、位置決め精度を向上させることができる。
【0024】
なお、図11(a)から(c)に示すように、導電性配線23と交差するホトレジスト32とともに、任意のホトレジストを用いて導電性配線23の一部をエッチングし、導電性配線23の厚さを調節することも可能である。これにより、配線抵抗の増加を極力防ぐことができる。
【0025】
図5、図6は、図2に示す接続装置を形成するための製造プロセスのうち、特に、突起状の接触端子の先端部を薄膜に形成するための製造プロセスを工程順に示したものである。各工程ごとの図中に、断面図およびその斜視図を一組にして示した。
【0026】
まず、ポリイミド膜28上に銅薄膜40を形成し、さらに銅薄膜40上に局所的に配線幅を細くする様にパターニングされたホトレジスト41を形成する(ステップa)。
【0027】
次に、ホトレジスト41を用いて銅薄膜40をエッチングした後ホトレジスト41を除去し、ポリイミド膜28に銅薄膜40からなる局所的に配線幅を細くした部分27aを有した導電性配線27を形成する(ステップb)。
【0028】
そして、上記導電性配線27の局所的に配線幅を細くした部分27aと交差するように、線状にホトレジスト42を形成する(ステップc)。
【0029】
次に、線状のホトレジスト42に覆われた導電性配線27をシャワーエッチング35することにより、導電性配線27の局所的に配線幅を細くした部分27aに突起状の接触端子26の先端部26aと引き出し配線25形成する(ステップd)。
【0030】
その後、接触端子26の表面に、ニッケルあるいはパラジュウムあるいはロジュウムのような硬度の高い材料46をめっきする(ステップe)。この場合、接触端子部分以外を覆って、接触端子部分のみをニッケルあるいはパラジュウムあるいはロジュウムのような硬度の高い材料46をめっきしてもよい。
【0031】
以上説明したように、導電性配線27の局所的に配線幅を細くした部分27aと交差するように、線状にホトレジスト42を形成すれば、接触端子形成用のマスクを極端に微細化しなくても、より小さな接触端子を接触端子間の相対位置を保ったまま容易に形成することができる。
【0032】
なお、図12に示すように、導電性配線27と交差するホトレジスト32とともに、任意のホトレジストを用いて導電性配線27の一部をエッチングし、導電性配線の厚さを調節することも可能である。これにより配線抵抗の増加を極力防ぐことができる。
【0033】
以上説明した図1〜図6に記載の実施例は、いずれも導電性配線23、27を直線的に横切るように線状パターンのホトレジスト32、42を形成し、接触端子を直線的に配置するように形成した場合を示したが、例えば、図7(a)のように、線状パターンのホトレジスト32、52をずらして形成し、図7(b)のように任意の位置に接触端子を形成してもよいことはいうまでもない。なお、図7は、図3、図4の実施例のホトレジストをずらして形成した場合を示したが、図5、図6の実施例のような導電性配線27の局所的に配線幅を細くした部分に接触端子を形成する場合も、ホトレジストをずらして形成することにより、同様の手法で任意の位置に接触端子を形成できる。
【0034】
また、接触端子を流れる電流量が大きい場合は、図8(a)のように、導電性配線23に複数の線状パターンのホトレジスト54を形成することにより、電流量が大きい導電性配線23に複数の接触端子56を形成してもよい。
【0035】
なお、図8は、図3、図4の実施例のホトレジストを導電性配線23に複数形成した場合を示したが、図5、図6の実施例のような導電性配線27の局所的に配線幅を細くした部分に接触端子を形成する場合も、複数の線状パターンのホトレジストを形成することにより、同様の手法で複数の接触端子を形成できる。
【0036】
なお、図1〜図6の実施例で、接地用の導電性膜が必要な場合は、両面銅貼りのポリイミド膜を用いて、接触端子および引き出し配線を形成した裏面の銅薄膜をグランド層として用いればよい。
【0037】
図9(a)は本発明の突起状の接触端子を薄膜に形成した接続装置を用いた一実施例である検査装置の要部を示す断面摸式図、図9(b)はその要部の構成を示す斜視図である。
【0038】
本実施例において、検査装置は、半導体素子のベアチップ検査用のプローバとして構成されている。この検査装置は、被検査物を位置決めして押圧する試料支持系100と、被検査物に接触して電気信号の授受を行なう接続装置110と、測定を行うテスタ170とで構成される。なお、被検査物としては半導体素子(チップ)2を対象としている。前記半導体素子2の表面には、外部電極としての複数の電極3が形成されている。
【0039】
試料支持系100は、半導体素子2が着脱自在に位置決め載置されるチップ位置決め枠101に、半導体素子2を入れることにより、半導体素子2の位置を規定の場所に位置決めし、ばね102および押さえ板103を介して、上ぶた104を、半導体素子2を位置決め載置した接続装置110を位置決め装着したチップキャリア下板105に固定することにより、半導体素子2の電極3を接続装置の突起状の先端部を有した接触端子110aに加圧接触する。この接触端子110aは、引き出し配線110bを通して、接続電極110cに接続され、該接続電極110cはソケット(図示せず)のリード111aを通して、本実施例では図示していない前記ソケットを搭載した配線ボードの内部配線を介してテスタ170に接続される。
【0040】
なお、必要に応じて、接続装値110の接触端子110aおよび引き出し配線110bを形成した配線シート110dの直下にシリコーンシートなどの緩衝材115を設置してもよい。
【0041】
図10は本発明の突起状の接触端子を薄膜に形成した接続装置を用いた一実施例である検査装置の要部を示す説明図である。
【0042】
本実施例において、検査装置は、半導体素子の製造におけるウエハプローバとして構成されている。この検査装置は、被検査物を支持する試料支持系160と、被検査物に接触して電気信号の授受を行うプローブ系120と、試料支持系160の動作を制御する駆動制御系150と、測定を行うテスタ170とで構成される。なお、被検査物としてはウエハ1の半導体素子(チップ)2を対象としている。前記半導体素子2の表面には、外部電極としての複数の電極3が形成されている。
【0043】
試料支持系160は、ウエハ1が着脱自在に載置される、ほぼ水平に設けられた試料台162と、この試料台162を支持する、垂直に配置される昇降軸164と、この昇降軸164を昇降駆動する昇降駆動部165と、この昇降駆動部165を支持するX−Yステージ167とで構成される。X−Yステージ167は筐体166に固定される。昇降駆動部165は、例えば、ステッピングモータなどからなる。X−Yステージ167の水平面内における移動動作と、昇降駆動部165による上下動を組み合わせることにより、試料台162の水平及び垂直方向における位置決め動作が行われるものである。また、試料台162には、図示しない回転機構が設けられており、水平面内における試料台162の回転変位が可能にされている。
【0044】
試料台162の上方には、ウェハ1に対向してプローブ系120が配置される。すなわち、当該試料台162に平行に対向する姿勢で接触端子123および配線基板127が設けられる。接触端子123はポリイミド配線シート121に形成され、引き出し配線122により配線基板127の配線基板電極127aに接続されている。薄膜シート121の接触端子123が形成された領域123aは、裏面から押さえ板125とシリコーンゴム等の緩衝層126を介して、押圧機構の固定板128に取り付けられたスプリングプランジャ129により押圧される。各々の接触端子123は、引き出し配線122を通して、配線基板127に設けられた配線基板電極127aに接続され、内部配線127bを通して、接続端子127cに接続されるケーブル171を介して、テスタ170と接続される。
【0045】
駆動制御系150は、ケーブル172を介してテスタ170と接続されている。また、駆動制御系150は、試料支持系160の各駆動部のアクチュエータに制御信号を送って、その動作を制御する。すなわち、駆動制御系150は、内部にコンピュータを備え、ケーブル172を介して伝達されるテスタ170のテスト動作の進行情報にあわせて、試料支持系160の動作を制御する。また、駆動制御系150は、操作部151を備え、駆動制御に関する各種指示の入力の受付、例えば、手動動作の指示を受け付ける。なお、ウエハ1を温度制御するため、試料台162に設置したヒータ141を有した温度制御系140が設けられる。
【0046】
以下、本実施例の検査装置の動作について説明する。試料台162の上に、ウェハ1を固定し、X−Yステージ167および回転機構を用いて、該ウェハ1の半導体素子2上に形成された電極3を、プローブ系120の接触端子123の直下に位置決めする。その後、駆動制御系150の昇降駆動部165を作動させ、試料台162を所定の高さにまで上昇させることによって、複数の接触端子123の各々の先端を目的の半導体素子2における複数の電極3の各々に所定圧で接触させる。この状態で、ケーブル171、接続端子127c、内部配線127b、引き出し配線122および接触端子123を介して、ウェハ1の半導体素子2とテスタ170との間で、動作電力や動作試験信号などの授受を行い、当該半導体素子の動作特性の可否などを判別する。上記の一連の動作が、ウェハ1に形成された複数の半導体素子2の各々について実施され、動作特性の可否などが判別される。
【0047】
なお、本発明の検査方法において、検査対象物が半導体素子に限定されることはないことは言うまでもない。
【0048】
これまで説明した実施例によれば、線状のホトレジストマスクと導電性配線との交点に接触端子を形成することで、ホトレジストマスクと導電性配線の精度内で接触端子間の相対位置を保ったまま接触端子を容易かつ確実に形成することができる。
【0049】
また、接触端子を形成する部分の導電性配線の線幅を部分的に細くすることにより、接触端子形成用のマスクを極端に微細化しなくても、より小さな接触端子を接触端子間の相対位置を保ったまま容易に形成することが可能である。
【0050】
なお、ホトレジストマスクは導電性配線に対して直角でなく、斜めとなるように形成してもよい。
【0051】
以上説明したような接続装置を検査装置に用いた場合、接触端子が引き出し配線の表面に精度よく形成されるので被検査物の有する所望の電極と確実に接触でき、それによって高信頼な検査を実現することができる。
【0052】
【発明の効果】
本発明によれば、接触端子を形成するためのホトレジストマスクと引き出し配線との位置合わせを容易にする接触端子の製造方法およびその接触端子を用いた検査精度の高い検査装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(a)は、本発明の接続装置の実施例の要部を示す断面摸式図、図1(b)は、斜視図である。
【図2】図2(a)は、本発明の接続装置の他の実施例の要部を示す断面摸式図、図2(b)は、斜視図である。
【図3】図3(a)(b)は、本発明に関わる接続装置を形成する製造プロセスの実施例の工程の一部を示す断面図および斜視図である。
【図4】図4(a)〜(c)は、本発明に関わる接続装置を形成する製造プロセスの実施例の工程の一部を示す断面図および斜視図である。
【図5】図5(a)(b)は、本発明に関わる接続装置を形成する製造プロセスの実施例の工程の一部を示す断面図および斜視図である。
【図6】図6(a)〜(c)は、本発明に関わる接続装置を形成する製造プロセスの実施例の工程の一部を示す断面図および斜視図である。
【図7】図7(a)、(b)は、本発明に関わる接続装置を形成する製造プロセスの実施例の工程の一部を示す斜視図である。
【図8】図8(a)、(b)は、本発明に関わる接続装置を形成する製造プロセスの実施例の工程の一部を示す斜視図である。
【図9】図9(a)は、本発明に関わる接続装置の一実施例を示す要部断面摸式図、図9(b)は、要部の構成を示す斜視図である。
【図10】本発明に関わる接続装置の一実施例を示す要部断面摸式図である。
【図11】図11(a)〜(c)は、本発明に関わる接続装置を形成する製造プロセスの一実施例の工程の一部を示す断面図および斜視図である。
【図12】図12(a)〜(c)は、本発明に関わる接続装置を形成する製造プロセスの一実施例の工程の一部を示す断面図および斜視図である。
【符号の説明】
20…接触端子、20a…突起状の先端、21…引き出し配線、22…ポリイミド膜、23…導電性配線、25…引き出し配線、25a…引き出し配線を局所的に細くした部分、26…接触端子、26a…突起状の先端、27…導電性配線、27a…導電性配線を局所的に細くした部分、28…ポリイミド膜、30…銅薄膜、31…ホトレジスト、32…ホトレジスト、35…シャワーエッチング、36…硬度の高い材料、40…銅薄膜、41…ホトレジスト、41a…局所的に配線幅を細くした部分を有するホトレジスト、42…ホトレジスト、46…硬度の高い材料、52…ホトレジスト、54…ホトレジスト、56…接触端子、100…試料支持系、101…チップ位置決め枠、102…ばね、103…押さえ板、104…上ぶた、105…チップキャリア下板、110…接続装置、110a…接触端子、110b…引き出し配線、110c…接続電極、110d…配線シート、111a…リード、115…緩衝材、120…プローブ系、121…ポリイミド配線シート、122…引きだし配線、123…接触端子、123a…接触端子が形成された領域、125…押さえ板、126…緩衝層、127…配線基板、127a…配線基板電極、127b…内部配線、127c…接続端子、128…押圧機構の固定板、129…スプリングプランジャ、140…温度制御系、141…ヒータ、150…駆動制御系、151…操作部、160…試料支持、162…試料台、164…昇降軸、165…昇降駆動部、166…筐体、167…XYステージ、170…テスタ、171…ケーブル、172…ケーブル。
Claims (4)
- 検査対象物から電気信号を授受するための接続装置の製造方法であって、
導電性膜をエッチングすることにより導電性配線を形成する第一工程と、該導電性配線と交差するレジストを形成する第二工程と、該導電性配線をエッチングすることにより接触端子を有する引き出し配線を形成する第三工程と、を備えた接続装置の製造方法。 - 検査対象物から電気信号を授受するための接続装置の製造方法であって、
導電性膜をエッチングすることにより一部に狭部を有する導電性配線を形成する第一工程と、該導電性配線の狭部と交差するレジストを形成する第二工程と、該導電性配線をエッチングすることにより接触端子を有する引き出し配線を形成する第三工程と、を備えた接続装置の製造方法。 - 請求項1または2記載の第三工程において、導電性配線と交差するレジストとともに任意のレジストを用いて導電性配線をエッチングし、導電性配線の厚さを調節することを特徴とする接続装置の製造方法。
- 検査対象を位置決めする試料支持系と、被検査物に接触して電気信号の授受を行う接続装置と、測定を行うテスタと、を有する検査装置であって、
該接続装置が請求項1から3のいずれかに記載の製造方法により製造された接続装置であることを特徴とする検査装置。
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