JP2000304773A - コンタクトストラクチャのパッケージング・相互接続 - Google Patents
コンタクトストラクチャのパッケージング・相互接続Info
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- JP2000304773A JP2000304773A JP2000092982A JP2000092982A JP2000304773A JP 2000304773 A JP2000304773 A JP 2000304773A JP 2000092982 A JP2000092982 A JP 2000092982A JP 2000092982 A JP2000092982 A JP 2000092982A JP 2000304773 A JP2000304773 A JP 2000304773A
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- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06733—Geometry aspects
- G01R1/06744—Microprobes, i.e. having dimensions as IC details
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
- H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
- H01R13/2407—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means
- H01R13/2414—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means conductive elastomers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
- H01R4/04—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation using electrically conductive adhesives
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- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 新規なコンタクトストラクチャを、プロー
ブカード又はその同等物に対して、パッケージング・相
互接続する技術を提供する。 【解決手段】 コンタクト基板上に導電材料で形成され
たコンタクトストラクチャと、そのコンタクト基板の底
表面に形成され上記コンタクトストラクチャに電気的に
接続されたコンタクトパッドと、そのコンタクトパッド
と電気的に接続するためにプリント回路基板上に設けら
れたコンタクトターゲットと、そのコンタクトパッドと
コンタクトターゲットを電気的に結合する導電部材と、
上記コンタクト基板の下部に設けられ、上記パッケージ
ング・相互接続に柔軟性を与えるためのエラストマと、
上記コンタクトストラクチャ、コンタクト基板およびエ
ラストマを支持するためのサポートストラクチャにより
構成される。
ブカード又はその同等物に対して、パッケージング・相
互接続する技術を提供する。 【解決手段】 コンタクト基板上に導電材料で形成され
たコンタクトストラクチャと、そのコンタクト基板の底
表面に形成され上記コンタクトストラクチャに電気的に
接続されたコンタクトパッドと、そのコンタクトパッド
と電気的に接続するためにプリント回路基板上に設けら
れたコンタクトターゲットと、そのコンタクトパッドと
コンタクトターゲットを電気的に結合する導電部材と、
上記コンタクト基板の下部に設けられ、上記パッケージ
ング・相互接続に柔軟性を与えるためのエラストマと、
上記コンタクトストラクチャ、コンタクト基板およびエ
ラストマを支持するためのサポートストラクチャにより
構成される。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、コンタクト構造
（コンタクトストラクチャ）の、電気的パッケージング
・相互接続に関する。特に本発明は、コンタクトストラ
クチャを、半導体ウェハ、半導体チップ、半導体部品パ
ッケージ又はプリント回路基板などをテストするために
使用するプローブカードやその等価物に搭載するため
の、電気的パッケージング・相互接続を、高周波数帯
域、高集積度かつ高品質で実現する技術に関する。
（コンタクトストラクチャ）の、電気的パッケージング
・相互接続に関する。特に本発明は、コンタクトストラ
クチャを、半導体ウェハ、半導体チップ、半導体部品パ
ッケージ又はプリント回路基板などをテストするために
使用するプローブカードやその等価物に搭載するため
の、電気的パッケージング・相互接続を、高周波数帯
域、高集積度かつ高品質で実現する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩやＶＬＳＩ回路のような、高密度
で高速度の電子部品をテストする場合には、高性能なプ
ローブコンタクタ、あるいはテストコンタクタを使用し
なくてはならない。本発明におけるコンタクトストラク
チャの電気的パッケージング・相互接続は、半導体ウェ
ハや半導体ダイのテスト、あるいはバーンインといった
応用を対象としているが、そのような技術のみに限定さ
れるものではなく、半導体パッケージ部品やプリント回
路基板等のテストやバーンインへの応用、あるいは試験
以外のより一般的で広範囲な応用にも実施可能である。
しかし、説明を容易にするために、以下における本発明
の開示では、主に半導体ウェハテストで使用するプロー
ブカードへの応用を基にして、本発明の説明をする。
で高速度の電子部品をテストする場合には、高性能なプ
ローブコンタクタ、あるいはテストコンタクタを使用し
なくてはならない。本発明におけるコンタクトストラク
チャの電気的パッケージング・相互接続は、半導体ウェ
ハや半導体ダイのテスト、あるいはバーンインといった
応用を対象としているが、そのような技術のみに限定さ
れるものではなく、半導体パッケージ部品やプリント回
路基板等のテストやバーンインへの応用、あるいは試験
以外のより一般的で広範囲な応用にも実施可能である。
しかし、説明を容易にするために、以下における本発明
の開示では、主に半導体ウェハテストで使用するプロー
ブカードへの応用を基にして、本発明の説明をする。
【０００３】被試験半導体部品が半導体ウェハである場
合、ＩＣテスタのような半導体テストシステムは、一般
に自動ウェハプローバのような基板用ハンドラと接続し
て用いられる。そのような構成例を、第１図に示す。こ
の図において、半導体テストシステムは通常、別のハウ
ジングであるテストヘッド１００を有しており、そのテ
ストヘッド１００はケーブル束でテストシステム本体に
接続されている。テストヘッド１００と基板用ハンドラ
４００は、例えばマニピュレータ５００と駆動モータ５
１０により機械的に位置合わせされ、互いに機械的およ
び電気的に接続される。試験される半導体ウェハは、基
板用ハンドラ４００によって、テストヘッド上のテスト
位置に自動的に供給される。
合、ＩＣテスタのような半導体テストシステムは、一般
に自動ウェハプローバのような基板用ハンドラと接続し
て用いられる。そのような構成例を、第１図に示す。こ
の図において、半導体テストシステムは通常、別のハウ
ジングであるテストヘッド１００を有しており、そのテ
ストヘッド１００はケーブル束でテストシステム本体に
接続されている。テストヘッド１００と基板用ハンドラ
４００は、例えばマニピュレータ５００と駆動モータ５
１０により機械的に位置合わせされ、互いに機械的およ
び電気的に接続される。試験される半導体ウェハは、基
板用ハンドラ４００によって、テストヘッド上のテスト
位置に自動的に供給される。
【０００４】テストヘッド上で、被試験半導体ウェハ
は、半導体テストシステムが発生するテスト信号を受け
る。被試験半導体ウェハから、そのテスト信号の応答結
果として発生される出力信号は、半導体テストシステム
に送信され、そこで期待値と比較され、被試験半導体ウ
ェハ上のＩＣ回路（チップ）が、正常に機能しているか
どうかが検証される。
は、半導体テストシステムが発生するテスト信号を受け
る。被試験半導体ウェハから、そのテスト信号の応答結
果として発生される出力信号は、半導体テストシステム
に送信され、そこで期待値と比較され、被試験半導体ウ
ェハ上のＩＣ回路（チップ）が、正常に機能しているか
どうかが検証される。
【０００５】第１図および第２図に示すように、テスト
ヘッド１００と基板用ハンドラ４００は、インターフェ
イス部１４０を介して接続されている。インターフェイ
ス部１４０は、テストヘッドの電気的回路配置に固有の
回路接続を有するプリント配線基板であるパフォーマン
スボード１２０と、同軸ケーブルと、ポゴピンと、コネ
クタ等で構成されている。テストヘッド１００内には、
半導体テストシステムのテストチャンネル（テスタピ
ン）数に対応する多数のプリント回路基板１５０が設け
られている。これらのプリント回路基板１５０は、パフ
ォーマンスボード１２０の対応するコンタクトターミナ
ル１２１を受け入れるために、それぞれコネクタ１６０
を有している。
ヘッド１００と基板用ハンドラ４００は、インターフェ
イス部１４０を介して接続されている。インターフェイ
ス部１４０は、テストヘッドの電気的回路配置に固有の
回路接続を有するプリント配線基板であるパフォーマン
スボード１２０と、同軸ケーブルと、ポゴピンと、コネ
クタ等で構成されている。テストヘッド１００内には、
半導体テストシステムのテストチャンネル（テスタピ
ン）数に対応する多数のプリント回路基板１５０が設け
られている。これらのプリント回路基板１５０は、パフ
ォーマンスボード１２０の対応するコンタクトターミナ
ル１２１を受け入れるために、それぞれコネクタ１６０
を有している。
【０００６】基板用ハンドラ４００に対する接続位置を
正確に検知するために、第２図の例では、フロッグリン
グ１３０が、パフォーマンスボード１２０上に備え付け
られている。フロッグリング１３０は、ＺＩＦコネクタ
ーやポゴピンのような接続ピン１４１を多数有してお
り、それら接続ピン１４１は、同軸ケーブル１２４を介
して、パフォーマンスボード１２０上の接続端子１２１
に接続されている。
正確に検知するために、第２図の例では、フロッグリン
グ１３０が、パフォーマンスボード１２０上に備え付け
られている。フロッグリング１３０は、ＺＩＦコネクタ
ーやポゴピンのような接続ピン１４１を多数有してお
り、それら接続ピン１４１は、同軸ケーブル１２４を介
して、パフォーマンスボード１２０上の接続端子１２１
に接続されている。
【０００７】第２図ではさらに、半導体ウェハのテスト
における構成として、基板用ハンドラ（ウェハプロー
バ）４００や、テストヘッド１００、およびインターフ
ェイス部１４０の構造をより詳細に示している。第２図
に示してあるように、テストヘッド１００は、基板用ハ
ンドラ４００上に設置され、インターフェイス部１４０
を介して、基板用ハンドラ４００に、機械的かつ電気的
に接続される。基板用ハンドラ４００では、被試験半導
体ウェハ３００を、チャック１８０上に搭載する。プロ
ーブカード１７０は、被試験半導体ウェハ３００の上部
に設けられている。プローブカード１７０は、テスト時
に回路端子、すなわち被試験半導体ウェハ３００上のＩ
Ｃ回路の各コンタクトターゲットと接触するための、例
えばカンチレバーやニードル（針）のような、多数のプ
ローブコンタクタ（コンタクトストラクチャ）１９０を
有している。
における構成として、基板用ハンドラ（ウェハプロー
バ）４００や、テストヘッド１００、およびインターフ
ェイス部１４０の構造をより詳細に示している。第２図
に示してあるように、テストヘッド１００は、基板用ハ
ンドラ４００上に設置され、インターフェイス部１４０
を介して、基板用ハンドラ４００に、機械的かつ電気的
に接続される。基板用ハンドラ４００では、被試験半導
体ウェハ３００を、チャック１８０上に搭載する。プロ
ーブカード１７０は、被試験半導体ウェハ３００の上部
に設けられている。プローブカード１７０は、テスト時
に回路端子、すなわち被試験半導体ウェハ３００上のＩ
Ｃ回路の各コンタクトターゲットと接触するための、例
えばカンチレバーやニードル（針）のような、多数のプ
ローブコンタクタ（コンタクトストラクチャ）１９０を
有している。
【０００８】プローブカード１７０の電気端子または接
触用リセプタクルは、フロッグリンク１３０に設置した
接続ピン１４１に、電気的に接続される。これら接続ピ
ン１４１はさらに、パフォーマンスボード１２０のコン
タクト端子１２１に接続され、そのコンタクト端子１２
１は、それぞれテストヘッド１００のプリント回路基板
１５０に、同軸ケーブル１２４を介して接続される。さ
らにプリント回路基板１５０は、例えば数百の内部ケー
ブルを有するケーブル束１１０を介して、半導体テスト
システム本体に接続されている。
触用リセプタクルは、フロッグリンク１３０に設置した
接続ピン１４１に、電気的に接続される。これら接続ピ
ン１４１はさらに、パフォーマンスボード１２０のコン
タクト端子１２１に接続され、そのコンタクト端子１２
１は、それぞれテストヘッド１００のプリント回路基板
１５０に、同軸ケーブル１２４を介して接続される。さ
らにプリント回路基板１５０は、例えば数百の内部ケー
ブルを有するケーブル束１１０を介して、半導体テスト
システム本体に接続されている。
【０００９】このような構成において、プローブコンタ
クタ１９０は、被試験半導体ウェハにテスト信号を送
り、その応答結果としての出力信号を受けるために、チ
ャック１８０上にある半導体ウェハ３００の表面と接触
する。被試験半導体ウェハ３００が正常に機能している
かどうかを検証するために、半導体ウェハ３００からの
出力信号は、半導体テストシステムが発生する期待値と
比較される。
クタ１９０は、被試験半導体ウェハにテスト信号を送
り、その応答結果としての出力信号を受けるために、チ
ャック１８０上にある半導体ウェハ３００の表面と接触
する。被試験半導体ウェハ３００が正常に機能している
かどうかを検証するために、半導体ウェハ３００からの
出力信号は、半導体テストシステムが発生する期待値と
比較される。
【００１０】第３図は、第２図のプローブカード１７０
の底面図である。この例では、プローブカード１７０に
は、ニードルまたはカンチレバーと呼ばれるプローブコ
ンタクタ１９０を上部に複数個設置した、エポキシリン
グが設けられている。第２図において、半導体ウェハ３
００を搭載したチャック１８０が上方に移動すると、カ
ンチレバー（プローブコンタクタ）１９０の先端は、半
導体ウェハ３００の接続パッドや接続バンプ（突起）に
接触する。カンチレバー１９０の他端は、電線１９４に
接続され、更にその電線１９４は、プローブカード１７
０に形成された伝送ラインに接続されている。プローブ
カード１７０の伝送ラインは、第２図のポゴピン１４１
に接触するための、電極１９７に接続されている。
の底面図である。この例では、プローブカード１７０に
は、ニードルまたはカンチレバーと呼ばれるプローブコ
ンタクタ１９０を上部に複数個設置した、エポキシリン
グが設けられている。第２図において、半導体ウェハ３
００を搭載したチャック１８０が上方に移動すると、カ
ンチレバー（プローブコンタクタ）１９０の先端は、半
導体ウェハ３００の接続パッドや接続バンプ（突起）に
接触する。カンチレバー１９０の他端は、電線１９４に
接続され、更にその電線１９４は、プローブカード１７
０に形成された伝送ラインに接続されている。プローブ
カード１７０の伝送ラインは、第２図のポゴピン１４１
に接触するための、電極１９７に接続されている。
【００１１】一般に、プローブカード１７０は、アース
層、電源層、および複数の信号送信ライン層により構成
されたポリイミド多層基板で形成されている。周知のよ
うに、ポリイミドの例えば誘電率、プローブカード１７
０内の信号のインダクタンスとキャパシタンスのような
様々なパラメータの平衡を保つようにすることで、例え
ば５０オームのような、特性インピーダンスが得られる
ように、各伝送ラインは設計されている。従って、これ
ら信号伝送ラインはインピーダンス整合しており、被試
験ウェハ３００に対する高周波数帯域での動作が実現で
きる。このため信号伝達ラインは、パルス信号の定常状
態では小さな電流を供給し、被試験部品の出力切り替え
時には、高電流ピークを供給することができる。またプ
ローブカード１７０には、ノイズ除去のために、電源層
とグラウンド層間に、キャパシタ１９３とキャパシタ１
９５が設けられている。
層、電源層、および複数の信号送信ライン層により構成
されたポリイミド多層基板で形成されている。周知のよ
うに、ポリイミドの例えば誘電率、プローブカード１７
０内の信号のインダクタンスとキャパシタンスのような
様々なパラメータの平衡を保つようにすることで、例え
ば５０オームのような、特性インピーダンスが得られる
ように、各伝送ラインは設計されている。従って、これ
ら信号伝送ラインはインピーダンス整合しており、被試
験ウェハ３００に対する高周波数帯域での動作が実現で
きる。このため信号伝達ラインは、パルス信号の定常状
態では小さな電流を供給し、被試験部品の出力切り替え
時には、高電流ピークを供給することができる。またプ
ローブカード１７０には、ノイズ除去のために、電源層
とグラウンド層間に、キャパシタ１９３とキャパシタ１
９５が設けられている。
【００１２】従来技術によるプローブカードにおける、
周波数帯域の限界を説明するために、プローブカード１
７０の等価回路を第４図に示す。第４図（Ａ）と第４図
（Ｂ）に示すように、プローブカード１７０の信号伝送
ラインは、電極１９７から、ストリップライン１９６
（インピーダンス整合している）、電線１９４、そして
ニードル（カンチレバー）１９０に達している。第４図
（Ｃ）に示すように、電線１９４とニードル１９０はイ
ンピーダンス整合していないので、高周波数帯域ではこ
れらの部分は、インダクターＬとして作用する。電線１
９４とニードル１９０の長さは、全体として２０−３０
ｍｍ程度であるから、被試験部品を高周波数帯域でテス
トする場合には、そのテスト可能周波数が大きく制限さ
れる。
周波数帯域の限界を説明するために、プローブカード１
７０の等価回路を第４図に示す。第４図（Ａ）と第４図
（Ｂ）に示すように、プローブカード１７０の信号伝送
ラインは、電極１９７から、ストリップライン１９６
（インピーダンス整合している）、電線１９４、そして
ニードル（カンチレバー）１９０に達している。第４図
（Ｃ）に示すように、電線１９４とニードル１９０はイ
ンピーダンス整合していないので、高周波数帯域ではこ
れらの部分は、インダクターＬとして作用する。電線１
９４とニードル１９０の長さは、全体として２０−３０
ｍｍ程度であるから、被試験部品を高周波数帯域でテス
トする場合には、そのテスト可能周波数が大きく制限さ
れる。
【００１３】プローブカード１７０の周波数帯域を制限
する他の要素としては、第４図（Ｄ）と第４図（Ｅ）に
示すように、電源用ニードルとグラウンド用ニードルに
ある。テスト時に電源ラインが充分な電流を高速に被試
験部品に供給できるのであれば、部品テストにおける動
作帯域の制限は深刻ではない。しかし、電源を被試験部
品に供給するために直列に接続された電線１９４とニー
ドル１９０は、第４図（Ｄ）に示すようにインダクタと
等価であるので、電源ラインの高速の電流動作を妨げ
る。同様に、電源と信号をグラウンド接続するために直
列で接続される電線１９４とニードル１９０は、第４図
（Ｅ）に示すように等価的にインダクターとなるため、
高速の電流動作は大きく制限される。
する他の要素としては、第４図（Ｄ）と第４図（Ｅ）に
示すように、電源用ニードルとグラウンド用ニードルに
ある。テスト時に電源ラインが充分な電流を高速に被試
験部品に供給できるのであれば、部品テストにおける動
作帯域の制限は深刻ではない。しかし、電源を被試験部
品に供給するために直列に接続された電線１９４とニー
ドル１９０は、第４図（Ｄ）に示すようにインダクタと
等価であるので、電源ラインの高速の電流動作を妨げ
る。同様に、電源と信号をグラウンド接続するために直
列で接続される電線１９４とニードル１９０は、第４図
（Ｅ）に示すように等価的にインダクターとなるため、
高速の電流動作は大きく制限される。
【００１４】また、電源ラインへのノイズやサージパル
スを除去することにより、テスト時の被試験部品の適切
な機能が確保できるように、キャパシタ１９３とキャパ
シタ１９５が、電源ラインとグラウンドラインの間に接
続されている。キャパシタ１９３は、例えば１０マイク
ロファラッドのような比較的大きな値をとり、必要に応
じてスイッチを用いて切り離しできる。キャパシタ１９
５は、例えば０．０１マイクロファラッドのような比較
的小さな値をとり、ＤＵＴの近くに固定的に設けられて
いる。これらのキャパシタは、電源ラインに対する高周
波数除去（デカップリング）として作用し、このため信
号と電源ラインの高速電流を制限する結果となる。
スを除去することにより、テスト時の被試験部品の適切
な機能が確保できるように、キャパシタ１９３とキャパ
シタ１９５が、電源ラインとグラウンドラインの間に接
続されている。キャパシタ１９３は、例えば１０マイク
ロファラッドのような比較的大きな値をとり、必要に応
じてスイッチを用いて切り離しできる。キャパシタ１９
５は、例えば０．０１マイクロファラッドのような比較
的小さな値をとり、ＤＵＴの近くに固定的に設けられて
いる。これらのキャパシタは、電源ラインに対する高周
波数除去（デカップリング）として作用し、このため信
号と電源ラインの高速電流を制限する結果となる。
【００１５】従って、もっとも広く使用されている上記
のプローブコンタクタにおいては、その周波数帯域が２
００ＭＨｚ程度に制限されてしまい、最近の半導体部品
のテストには不十分となっている。半導体試験の業界で
は、現在では１ＧＨｚ以上の動作帯域となっているＩＣ
テスターの周波数帯域機能に、少なくとも等しい程度の
周波数帯域が、近い将来のプローブコンタクタに必要に
なるであろうと見られている。また、業界では、テスト
処理量を向上させるために、並列に例えば３２個以上の
ような、多数の半導体部品、特にメモリーのような半導
体部品を取り扱えるプローブカードが望まれている。
のプローブコンタクタにおいては、その周波数帯域が２
００ＭＨｚ程度に制限されてしまい、最近の半導体部品
のテストには不十分となっている。半導体試験の業界で
は、現在では１ＧＨｚ以上の動作帯域となっているＩＣ
テスターの周波数帯域機能に、少なくとも等しい程度の
周波数帯域が、近い将来のプローブコンタクタに必要に
なるであろうと見られている。また、業界では、テスト
処理量を向上させるために、並列に例えば３２個以上の
ような、多数の半導体部品、特にメモリーのような半導
体部品を取り扱えるプローブカードが望まれている。
【００１６】上述した次世代テストの要求を満たすため
に、本特許出願の発明者は、１９９８年６月１９日提出
の米国特許出願番号09/099,614「フォトリソグラフィ行
程により作成するプローブコンタクタ」において、コン
タクトストラクチャの新概念を提示している。この特許
出願において、コンタクトストラクチャはシリコン基板
上又は誘電体基板上に、フォトリソグラフィのプロセス
によって形成される。第５図と第６図（Ａ）−第６図
（Ｃ）は上述特許出願における発明の概要を示してい
る。第５図では、フォトリソグラフィ製法を用いて、コ
ンタクトストラクチャ３０の全てがシリコン基板２０上
に形成されている。コンタクトストラクチャ３０を有す
るシリコン基板２０を、第２図と第３図に示すようにプ
ローブカード上に搭載してもよい。テスト時に半導体ウ
ェハ３００が上方に移動すると、コンタクトストラクチ
ャ３０は、ウェハ３００上の対応するコンタクトターゲ
ット（エレクトロード或いはパッド）３２０に接触す
る。
に、本特許出願の発明者は、１９９８年６月１９日提出
の米国特許出願番号09/099,614「フォトリソグラフィ行
程により作成するプローブコンタクタ」において、コン
タクトストラクチャの新概念を提示している。この特許
出願において、コンタクトストラクチャはシリコン基板
上又は誘電体基板上に、フォトリソグラフィのプロセス
によって形成される。第５図と第６図（Ａ）−第６図
（Ｃ）は上述特許出願における発明の概要を示してい
る。第５図では、フォトリソグラフィ製法を用いて、コ
ンタクトストラクチャ３０の全てがシリコン基板２０上
に形成されている。コンタクトストラクチャ３０を有す
るシリコン基板２０を、第２図と第３図に示すようにプ
ローブカード上に搭載してもよい。テスト時に半導体ウ
ェハ３００が上方に移動すると、コンタクトストラクチ
ャ３０は、ウェハ３００上の対応するコンタクトターゲ
ット（エレクトロード或いはパッド）３２０に接触す
る。
【００１７】このシリコン基板２０上の新規なコンタク
トストラクチャ３０は、第３図に示すように、プローブ
カード上に直接搭載することもできるし、またリードの
ついた従来のＩＣパッケージなどのようなパッケージに
モールドし、そのパッケージをプローブカード上に搭載
するように形成することもできる。本件の発明者による
上記特許出願では、プローブカード又はその同等物とコ
ンタクトストラクチャ３０との間の、そのようなパッケ
ージング・相互接続については言及していない。
トストラクチャ３０は、第３図に示すように、プローブ
カード上に直接搭載することもできるし、またリードの
ついた従来のＩＣパッケージなどのようなパッケージに
モールドし、そのパッケージをプローブカード上に搭載
するように形成することもできる。本件の発明者による
上記特許出願では、プローブカード又はその同等物とコ
ンタクトストラクチャ３０との間の、そのようなパッケ
ージング・相互接続については言及していない。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、新規なコンタクト構造（コンタクトストラクチ
ャ）を、半導体ウェハ，ＬＳＩパッケージその他をテス
トするために用いるプローブカード又はその同等物に対
して、パッケージング・相互接続する技術を提供するこ
とにある。
目的は、新規なコンタクト構造（コンタクトストラクチ
ャ）を、半導体ウェハ，ＬＳＩパッケージその他をテス
トするために用いるプローブカード又はその同等物に対
して、パッケージング・相互接続する技術を提供するこ
とにある。
【００１９】また、本発明の他の目的は、新規なコンタ
クト構造を、プローブカード又はその等価物に対して、
パッケージング・相互接続を施すことにより、高速かつ
高周波数で半導体ウェハ，ＬＳＩパッケージその他をテ
ストすることができる接続技術を提供することにある。
クト構造を、プローブカード又はその等価物に対して、
パッケージング・相互接続を施すことにより、高速かつ
高周波数で半導体ウェハ，ＬＳＩパッケージその他をテ
ストすることができる接続技術を提供することにある。
【００２０】また、本発明のさらに他の目的は、プロー
ブカード又はその等価物に対し、コンタクトストラクチ
ャを搭載する基板の底（裏）表面から、パッケージング
・相互接続が形成されるようにした接続技術を提供する
ことにある。
ブカード又はその等価物に対し、コンタクトストラクチ
ャを搭載する基板の底（裏）表面から、パッケージング
・相互接続が形成されるようにした接続技術を提供する
ことにある。
【００２１】また、本発明のさらに他の目的は、コンタ
クトストラクチャを搭載する基板の底表面にて、ボンデ
ィングワイヤ、一層テープ自動ボンディング（ＴＡＢ）
リード、または多層テープ自動ボンディング（ＴＡＢ）
リードを用いて形成するパッケージング・接続技術を提
供することにある。
クトストラクチャを搭載する基板の底表面にて、ボンデ
ィングワイヤ、一層テープ自動ボンディング（ＴＡＢ）
リード、または多層テープ自動ボンディング（ＴＡＢ）
リードを用いて形成するパッケージング・接続技術を提
供することにある。
【００２２】また、本発明のさらに他の目的は、コンタ
クトストラクチャを搭載する基板の底表面に設けられた
コンタクトパッドと、電気的コネクタとの間に形成する
パッケージング・相互接続を形成する技術を提供するこ
とにある。
クトストラクチャを搭載する基板の底表面に設けられた
コンタクトパッドと、電気的コネクタとの間に形成する
パッケージング・相互接続を形成する技術を提供するこ
とにある。
【００２３】また、本発明のさらに他の目的は、コンタ
クトストラクチャを搭載する基板の底表面に設けられた
コンタクトパッドと、プリント回路基板の接続パッドと
の間に半田バンプを介してパッケージング・相互接続を
形成する技術を提供することにある。
クトストラクチャを搭載する基板の底表面に設けられた
コンタクトパッドと、プリント回路基板の接続パッドと
の間に半田バンプを介してパッケージング・相互接続を
形成する技術を提供することにある。
【００２４】また、本発明のさらに他の目的は、コンタ
クトストラクチャを搭載する基板の底表面にて設けられ
たコンタクトパッドと、プリント回路基板の接続パッド
との間に導電ポリマーを介してパッケージング・相互接
続を形成する技術を提供することにある。
クトストラクチャを搭載する基板の底表面にて設けられ
たコンタクトパッドと、プリント回路基板の接続パッド
との間に導電ポリマーを介してパッケージング・相互接
続を形成する技術を提供することにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明では、半導体ウェ
ハ，半導体チップ、半導体パッケージ部品、プリント回
路基板その他をテストするためのプローブカード或いは
その等価物にて使用されるコンタクトストラクチャの、
電気的パッケージング・相互接続を、コンタクトストラ
クチャを搭載する基板の底面部に設けられたコンタクト
パッドとプローブカード上の各種の接続手段との間で形
成する。基板の底面部におけるコンタクトパッドは、基
板の上表面に形成されたコンタクトストラクチャに、バ
イアホールとコンタクトトレイスを介して接続されてい
る。
ハ，半導体チップ、半導体パッケージ部品、プリント回
路基板その他をテストするためのプローブカード或いは
その等価物にて使用されるコンタクトストラクチャの、
電気的パッケージング・相互接続を、コンタクトストラ
クチャを搭載する基板の底面部に設けられたコンタクト
パッドとプローブカード上の各種の接続手段との間で形
成する。基板の底面部におけるコンタクトパッドは、基
板の上表面に形成されたコンタクトストラクチャに、バ
イアホールとコンタクトトレイスを介して接続されてい
る。
【００２６】本発明の１の態様におけるパッケージング
・相互接続は、フォトリソグラフィ製法により、コンタ
クト基板上に導電材料で形成されたコンタクトストラク
チャであって、そのコンタクト基板に対して直立に形成
されたベース部と、一端がベース部上に形成された横方
向部と、その横方向部の他端に形成された接触部とによ
り構成されるコンタクトストラクチャを有し；そのコン
タクト基板の底表面上に形成され、バイアホールとコン
タクトトレイスを介して上記コンタクトストラクチャに
電気的に接続されるコンタクトパッドを有し；上記コン
タクトトレイスの上記他端と導電バンプ又はポリマを介
して電気的に接続するために、プリント回路基板（ＰＣ
Ｂ）上に設けられたコンタクトターゲットを有して構成
される。
・相互接続は、フォトリソグラフィ製法により、コンタ
クト基板上に導電材料で形成されたコンタクトストラク
チャであって、そのコンタクト基板に対して直立に形成
されたベース部と、一端がベース部上に形成された横方
向部と、その横方向部の他端に形成された接触部とによ
り構成されるコンタクトストラクチャを有し；そのコン
タクト基板の底表面上に形成され、バイアホールとコン
タクトトレイスを介して上記コンタクトストラクチャに
電気的に接続されるコンタクトパッドを有し；上記コン
タクトトレイスの上記他端と導電バンプ又はポリマを介
して電気的に接続するために、プリント回路基板（ＰＣ
Ｂ）上に設けられたコンタクトターゲットを有して構成
される。
【００２７】本発明の別の態様におけるパッケージング
・相互接続は、フォトリソグラフィ製法により、コンタ
クト基板上に導電材料で形成されたコンタクトストラク
チャであって、そのコンタクト基板に対して直立に形成
されたベース部と、一端がベース部上に形成された横方
向部と、その横方向部の他端に形成された接触部とによ
り構成されるコンタクトストラクチャを有し；そのコン
タクト基板の底（裏）面に形成され、バイアホールとコ
ンタクトトレイスを介して上記コンタクトストラクチャ
に電気的に接続されるコンタクトパッドを有し；ボンデ
ィングワイヤを介してコンタクト基板上のコンタクトパ
ッドに電気的に接続するためのプリント回路基板上また
はリードフレーム上に設けられたコンタクトターゲット
と；上記コンタクトストラクチャと上記コンタクト基板
をサポートするためのサポート機構とにより構成され
る。
・相互接続は、フォトリソグラフィ製法により、コンタ
クト基板上に導電材料で形成されたコンタクトストラク
チャであって、そのコンタクト基板に対して直立に形成
されたベース部と、一端がベース部上に形成された横方
向部と、その横方向部の他端に形成された接触部とによ
り構成されるコンタクトストラクチャを有し；そのコン
タクト基板の底（裏）面に形成され、バイアホールとコ
ンタクトトレイスを介して上記コンタクトストラクチャ
に電気的に接続されるコンタクトパッドを有し；ボンデ
ィングワイヤを介してコンタクト基板上のコンタクトパ
ッドに電気的に接続するためのプリント回路基板上また
はリードフレーム上に設けられたコンタクトターゲット
と；上記コンタクトストラクチャと上記コンタクト基板
をサポートするためのサポート機構とにより構成され
る。
【００２８】本発明のさらに別の態様におけるパッケー
ジング・相互接続は、フォトリソグラフィ製法により、
コンタクト基板上に導電材料で形成されたコンタクトス
トラクチャであって、そのコンタクト基板に対して直立
に形成されたベース部と、一端がベース部上に形成され
た横方向部と、その横方向部の他端に形成された接触部
とにより構成されるコンタクトストラクチャを有し；そ
のコンタクト基板の底（裏）表面上に形成され、バイア
ホールとコンタクトトレイスを介して上記コンタクトス
トラクチャに電気的に接続されるコンタクトパッドを有
し；テープ・オートメイテド・ボンディング（ＴＡＢ）
を介してコンタクト基板上のコンタクトパッドに電気的
に接続するためのプリント回路基板上またはリードフレ
ーム上に設けられたコンタクトターゲットと；上記コン
タクト基板の下方に設けられて上記パッケージング・相
互接続に柔軟性をもたらすためのエラストマーと、上記
コンタクトストラクチャと上記コンタクト基板をサポー
トするためのサポート機構とにより構成される。
ジング・相互接続は、フォトリソグラフィ製法により、
コンタクト基板上に導電材料で形成されたコンタクトス
トラクチャであって、そのコンタクト基板に対して直立
に形成されたベース部と、一端がベース部上に形成され
た横方向部と、その横方向部の他端に形成された接触部
とにより構成されるコンタクトストラクチャを有し；そ
のコンタクト基板の底（裏）表面上に形成され、バイア
ホールとコンタクトトレイスを介して上記コンタクトス
トラクチャに電気的に接続されるコンタクトパッドを有
し；テープ・オートメイテド・ボンディング（ＴＡＢ）
を介してコンタクト基板上のコンタクトパッドに電気的
に接続するためのプリント回路基板上またはリードフレ
ーム上に設けられたコンタクトターゲットと；上記コン
タクト基板の下方に設けられて上記パッケージング・相
互接続に柔軟性をもたらすためのエラストマーと、上記
コンタクトストラクチャと上記コンタクト基板をサポー
トするためのサポート機構とにより構成される。
【００２９】本発明の別の態様においては、電気的接続
を実現するために、コンタクトパッドに接続したＴＡＢ
リードを受け入れるためのコネクタが設けられている。
本発明の更に別の態様においては、コンタクトパッドに
接続されたＴＡＢリードとＰＣＢパッド間で電気的接続
を実現するために、導電バンプが設けられている。本発
明の更に別の態様においては、コンタクトパッドに接続
されたＴＡＢリードとＰＣＢパッドとの間で電気的接続
を確立するために、導電ポリマーが設けられている。
を実現するために、コンタクトパッドに接続したＴＡＢ
リードを受け入れるためのコネクタが設けられている。
本発明の更に別の態様においては、コンタクトパッドに
接続されたＴＡＢリードとＰＣＢパッド間で電気的接続
を実現するために、導電バンプが設けられている。本発
明の更に別の態様においては、コンタクトパッドに接続
されたＴＡＢリードとＰＣＢパッドとの間で電気的接続
を確立するために、導電ポリマーが設けられている。
【００３０】本発明の別の態様においては、コンタクト
ストラクチャの相互接続・パッケージングは、コンタク
ト基板上のコンタクトパッドとコンタクトターゲット間
に、ボンディングワイヤを介して形成される。本発明の
更に別の様態においては、コンタクトストラクチャの相
互接続・パッケージングは、コンタクト基板上のコンタ
クトパッドとコンタクトターゲット間にわたる単層ＴＡ
Ｂリードを介して形成する。本発明の更に別の態様にお
いては、コンタクトストラクチャの相互接続・パッケー
ジングは、コンタクト基板上のコンタクトパッドとコン
タクトターゲット間にわたる２層ＴＡＢリードを介して
形成される。本発明のさらに別の態様においては、コン
タクトストラクチャの相互接続・パッケージングは、コ
ンタクト基板上のコンタクトパッドとコンタクトターゲ
ット間にわたる３層ＴＡＢリードを介して形成される。
ストラクチャの相互接続・パッケージングは、コンタク
ト基板上のコンタクトパッドとコンタクトターゲット間
に、ボンディングワイヤを介して形成される。本発明の
更に別の様態においては、コンタクトストラクチャの相
互接続・パッケージングは、コンタクト基板上のコンタ
クトパッドとコンタクトターゲット間にわたる単層ＴＡ
Ｂリードを介して形成する。本発明の更に別の態様にお
いては、コンタクトストラクチャの相互接続・パッケー
ジングは、コンタクト基板上のコンタクトパッドとコン
タクトターゲット間にわたる２層ＴＡＢリードを介して
形成される。本発明のさらに別の態様においては、コン
タクトストラクチャの相互接続・パッケージングは、コ
ンタクト基板上のコンタクトパッドとコンタクトターゲ
ット間にわたる３層ＴＡＢリードを介して形成される。
【００３１】本発明によれば、パッケージング・相互接
続は非常に高い周波数帯域を有しており、次世代半導体
技術のテスト要求事項に対応できる。本発明のパッケー
ジング・相互接続は、コンタクトストラクチャを搭載す
るコンタクト基板の底表面を介してプローブカードある
いはその等価物上にコンタクトストラクチャを搭載する
ことができる。また、全体としての組立部品の数が比較
的少ないので、本発明の相互接続・パッケージングは低
価格で高信頼性さらに高生産性を実現できる。
続は非常に高い周波数帯域を有しており、次世代半導体
技術のテスト要求事項に対応できる。本発明のパッケー
ジング・相互接続は、コンタクトストラクチャを搭載す
るコンタクト基板の底表面を介してプローブカードある
いはその等価物上にコンタクトストラクチャを搭載する
ことができる。また、全体としての組立部品の数が比較
的少ないので、本発明の相互接続・パッケージングは低
価格で高信頼性さらに高生産性を実現できる。
【００３２】
【発明の実施の形態】プローブカードとコンタクトスト
ラクチャとの間のパッケージング・相互接続を直接的に
実現するため、あるいは、ＩＣパッケージを介して間接
的にプローブカードとコンタクトストラクチャとの間の
パッケージング・相互接続を形成するためのコンタクト
ストラクチャの基本形態を第６図（Ａ）−第６図（Ｃ）
に示す。この例では、そのようなパッケージング・相互
接続を形成するために、コンタクトストラクチャから引
き出される電気的信号路の３種類の基本構成を示してい
る。
ラクチャとの間のパッケージング・相互接続を直接的に
実現するため、あるいは、ＩＣパッケージを介して間接
的にプローブカードとコンタクトストラクチャとの間の
パッケージング・相互接続を形成するためのコンタクト
ストラクチャの基本形態を第６図（Ａ）−第６図（Ｃ）
に示す。この例では、そのようなパッケージング・相互
接続を形成するために、コンタクトストラクチャから引
き出される電気的信号路の３種類の基本構成を示してい
る。
【００３３】第６図（Ａ）は、そのような電気的接続
を、基板の上部で形成するための構成例を示す。第６図
（Ｂ）は、そのような電気的接続を、基板の底部で形成
するための構成例を示す。第６図（Ｃ）は、そのような
電気的接続を、基板の端部で形成するための構成例を示
す。現存するほとんどのタイプのＩＣパッケージやプロ
ーブカードにおいて、第６図（Ａ）−第６図（Ｃ）の接
続形態のいずれか１つを採用することができる。
を、基板の上部で形成するための構成例を示す。第６図
（Ｂ）は、そのような電気的接続を、基板の底部で形成
するための構成例を示す。第６図（Ｃ）は、そのような
電気的接続を、基板の端部で形成するための構成例を示
す。現存するほとんどのタイプのＩＣパッケージやプロ
ーブカードにおいて、第６図（Ａ）−第６図（Ｃ）の接
続形態のいずれか１つを採用することができる。
【００３４】第６図（Ａ）−第６図（Ｃ）の各例では、
符号ａとしても示されているコンタクトトレイス３２を
有している。このコンタクトトレイス３２は、プローブ
カードとの電気的接続を形成するため、又はプローブカ
ードへ仲介物を経由して電気的接続を形成するためのも
のである。コンタクトストラクチャ３０は、縦部ｂおよ
び縦部ｄ、横部（横ビーム）ｃおよび先端部ｅで構成さ
れる。コンタクトストラクチャ３０の先端部ｅは、第３
図に示したように、コンタクトターゲットに押されたと
きに削り付き（スクラビング）効果を達成するように、
鋭利な形状であることが望ましい。横部ｃのバネ力は、
コンタクトターゲット３２０に対し、適切なコンタクト
力（接触圧力）をもたらす。コンタクトストラクチャ３
０とコンタクトトレイス３２の材料の例として、ニッケ
ル、アルミニウム、銅、その他の導電材料がある。本願
の発明者は、コンタクトストラクチャ３０とコンタクト
トレイス３２をシリコン基板２０に形成するための製造
方法を、上記米国特許出願番号09/099,614に詳細に開示
している。この製造方法において、フォトリソグラフィ
技術を用いて、導電材料をデポジション、エバポレーシ
ョン、スパッタリング、あるいはメッキ行程を介してコ
ンタクトストラクチャ３０やコンタクトトレイス３２を
形成する。
符号ａとしても示されているコンタクトトレイス３２を
有している。このコンタクトトレイス３２は、プローブ
カードとの電気的接続を形成するため、又はプローブカ
ードへ仲介物を経由して電気的接続を形成するためのも
のである。コンタクトストラクチャ３０は、縦部ｂおよ
び縦部ｄ、横部（横ビーム）ｃおよび先端部ｅで構成さ
れる。コンタクトストラクチャ３０の先端部ｅは、第３
図に示したように、コンタクトターゲットに押されたと
きに削り付き（スクラビング）効果を達成するように、
鋭利な形状であることが望ましい。横部ｃのバネ力は、
コンタクトターゲット３２０に対し、適切なコンタクト
力（接触圧力）をもたらす。コンタクトストラクチャ３
０とコンタクトトレイス３２の材料の例として、ニッケ
ル、アルミニウム、銅、その他の導電材料がある。本願
の発明者は、コンタクトストラクチャ３０とコンタクト
トレイス３２をシリコン基板２０に形成するための製造
方法を、上記米国特許出願番号09/099,614に詳細に開示
している。この製造方法において、フォトリソグラフィ
技術を用いて、導電材料をデポジション、エバポレーシ
ョン、スパッタリング、あるいはメッキ行程を介してコ
ンタクトストラクチャ３０やコンタクトトレイス３２を
形成する。
【００３５】本発明のコンタクトストラクチャのパッケ
ージング・相互接続は、第６図（Ｂ）に示すように、基
板２０の底面（裏面）部に設けられたコンタクトパッド
３６を用いる形態、すなわち底型コンタクトパッドを対
象とする。コンタクトパッド３６は、バイアホール３５
とコンタクトトレイス３２を介してコンタクトストラク
チャ３０に接続されている。コンタクトストラクチャ３
０は、コンタクト基板２０の上表面に形成されている。
本発明の底型パッケージング・相互接続において、様々
な実施例が可能であり、図面を参照して以下に説明す
る。
ージング・相互接続は、第６図（Ｂ）に示すように、基
板２０の底面（裏面）部に設けられたコンタクトパッド
３６を用いる形態、すなわち底型コンタクトパッドを対
象とする。コンタクトパッド３６は、バイアホール３５
とコンタクトトレイス３２を介してコンタクトストラク
チャ３０に接続されている。コンタクトストラクチャ３
０は、コンタクト基板２０の上表面に形成されている。
本発明の底型パッケージング・相互接続において、様々
な実施例が可能であり、図面を参照して以下に説明す
る。
【００３６】第７図は、コンタクト基板の底面部に設け
られたコンタクトパッドとＰＣＢパッド（プリント回路
基板）の間に導電バンプ又は導電ポリマーを介して、パ
ッケージング・相互接続を形成した、本発明の第１実施
例を示す概略図である。
られたコンタクトパッドとＰＣＢパッド（プリント回路
基板）の間に導電バンプ又は導電ポリマーを介して、パ
ッケージング・相互接続を形成した、本発明の第１実施
例を示す概略図である。
【００３７】第７図の例では、コンタクト基板２０に形
成されたコンタクトストラクチャ３０は、コンタクトト
レイス３２とバイアホール３５を介して、コンタクト基
板２０の底（裏）表面に設けられたコンタクトパッド３
６に電気的に接続されている。コンタクトストラクチャ
３０は、コンタクト基板２０の上表面に形成されてい
る。コンタクト基板２０の底部にあるコンタクトパッド
３６は、プリント回路基板（ＰＣＢ）６２上のプリント
回路基板（ＰＣＢ）接続パッド３８に位置合わせされて
いる。導電バンプ５６は、コンタクトパッドとＰＣＢパ
ッドを電気的に接続する。コンタクト基板２０は、シリ
コン基板が一般的であるが、例えば、ガラスエポキシ、
ポリイミド、セラミック、アルミナ基板のような、他の
誘電体基板も使用できる。
成されたコンタクトストラクチャ３０は、コンタクトト
レイス３２とバイアホール３５を介して、コンタクト基
板２０の底（裏）表面に設けられたコンタクトパッド３
６に電気的に接続されている。コンタクトストラクチャ
３０は、コンタクト基板２０の上表面に形成されてい
る。コンタクト基板２０の底部にあるコンタクトパッド
３６は、プリント回路基板（ＰＣＢ）６２上のプリント
回路基板（ＰＣＢ）接続パッド３８に位置合わせされて
いる。導電バンプ５６は、コンタクトパッドとＰＣＢパ
ッドを電気的に接続する。コンタクト基板２０は、シリ
コン基板が一般的であるが、例えば、ガラスエポキシ、
ポリイミド、セラミック、アルミナ基板のような、他の
誘電体基板も使用できる。
【００３８】導電バンプ５６は、代表的には標準の半田
ボール技術で使用する半田バンプである。導電バンプ５
６を加熱することにより、コンタクトパッド３６とＰＣ
Ｂパッド３８間で導電バンプ５６が溶解凝固（リフロ
ー）して両者が接続される。導電バンプ５６の他の例と
しては、プラズマ支援（プラズマアシステド）ドライ半
田技術におけるフラックスレス半田ボールである。導電
バンプの更に他の例は、本発明の他の実施例に関して後
述する。
ボール技術で使用する半田バンプである。導電バンプ５
６を加熱することにより、コンタクトパッド３６とＰＣ
Ｂパッド３８間で導電バンプ５６が溶解凝固（リフロ
ー）して両者が接続される。導電バンプ５６の他の例と
しては、プラズマ支援（プラズマアシステド）ドライ半
田技術におけるフラックスレス半田ボールである。導電
バンプの更に他の例は、本発明の他の実施例に関して後
述する。
【００３９】第８図の例では、導電ポリマー６６が、コ
ンタクト基板２０の底表面に設けられたコンタクトパッ
ド３６と、ＰＣＢ基板６２上のＰＣＢパッド３８との間
で使用されている。コンタクト基板２０はシリコン基板
が典型的であるが、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリ
イミド基板、セラミック基板、アルミナ基板のような、
他の誘電体基板も使用できる。導電ポリマー６６の例と
しては、導電エラストマーがあり、そのエラストマーに
は表面より延び出た導電ワイヤが充填されている。ほと
んどの導電ポリマーは、電極間の縦角度方向において導
通し、水平方向には導通しない。導電ポリマーの更に他
の例は、本発明の他の実施例に関して後述する。
ンタクト基板２０の底表面に設けられたコンタクトパッ
ド３６と、ＰＣＢ基板６２上のＰＣＢパッド３８との間
で使用されている。コンタクト基板２０はシリコン基板
が典型的であるが、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリ
イミド基板、セラミック基板、アルミナ基板のような、
他の誘電体基板も使用できる。導電ポリマー６６の例と
しては、導電エラストマーがあり、そのエラストマーに
は表面より延び出た導電ワイヤが充填されている。ほと
んどの導電ポリマーは、電極間の縦角度方向において導
通し、水平方向には導通しない。導電ポリマーの更に他
の例は、本発明の他の実施例に関して後述する。
【００４０】第９図と第１０図は、底型コンタクトパッ
ドが、プローブカード（図に無し）もしくはＩＣパッケ
ージ（図に無し）に設けられたリードフレームまたはプ
リント回路基板にボンディングワイヤを介して接続され
る、本発明の第２の実施例を示している。第９図の例で
は、コンタクト基板２０上に形成したコンタクトストラ
クチャ３０は、コンタクトトレイス３２とスルーホール
３５を介してコンタクト基板２０の底表面に設けられた
コンタクトパッド３６に電気的に接続されている。コン
タクトストラクチャ３０は、コンタクト基板２０の上表
面上に形成されている。コンタクトパッド３６は、例え
ばボンディングワイヤ７２のような様々な接続手段を介
して、リードフレーム４５のようなコンタクトターゲッ
トと電気接続を確立する。ボンディングワイヤ７２は、
例えば金やアルミニウムで形成され直径１５−２５マイ
クロメータ（ｕｍ）の細いワイヤである。
ドが、プローブカード（図に無し）もしくはＩＣパッケ
ージ（図に無し）に設けられたリードフレームまたはプ
リント回路基板にボンディングワイヤを介して接続され
る、本発明の第２の実施例を示している。第９図の例で
は、コンタクト基板２０上に形成したコンタクトストラ
クチャ３０は、コンタクトトレイス３２とスルーホール
３５を介してコンタクト基板２０の底表面に設けられた
コンタクトパッド３６に電気的に接続されている。コン
タクトストラクチャ３０は、コンタクト基板２０の上表
面上に形成されている。コンタクトパッド３６は、例え
ばボンディングワイヤ７２のような様々な接続手段を介
して、リードフレーム４５のようなコンタクトターゲッ
トと電気接続を確立する。ボンディングワイヤ７２は、
例えば金やアルミニウムで形成され直径１５−２５マイ
クロメータ（ｕｍ）の細いワイヤである。
【００４１】一般的には、コンタクト基板２０はシリコ
ン基板であるが、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイ
ミド基板、セラミック基板、アルミナ基板のような、他
の誘電体基板も使用できる。第９図の例では、ボンディ
ングワイヤは、コンタクトパッド３６と、例えばプロー
ブカード上のリードフレーム４５とを接続する。コンタ
クト基板２０とリードフレーム４５は、例えば接着剤
（図に無し）を介して、サポートストラクチャ５２上に
搭載されている。
ン基板であるが、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイ
ミド基板、セラミック基板、アルミナ基板のような、他
の誘電体基板も使用できる。第９図の例では、ボンディ
ングワイヤは、コンタクトパッド３６と、例えばプロー
ブカード上のリードフレーム４５とを接続する。コンタ
クト基板２０とリードフレーム４５は、例えば接着剤
（図に無し）を介して、サポートストラクチャ５２上に
搭載されている。
【００４２】コンタクトパッド３６とコンタクトターゲ
ットとの間の接続を確立するためのワイヤボンディング
は、どのようなボンディング行程を用いてもよい。例え
ばボンディングワイヤ７２は、最初にコンタクト基板の
コンタクトパッド３６にボンドされ、そこからリードフ
レーム４５に引き渡される。そこでボンディングワイヤ
７２は、リードフレーム４５に接続されてクリップさ
れ、上述の全ての行程が次のボンド位置で繰り返され
る。ワイヤボンディングは、金またはアルミニウムのワ
イヤを用いて行う。両材料とも、高い導電性と、ボンデ
ィング行程での変形に耐えうる柔軟性があり、かつその
後も強固で信頼性が維持できる。金のワイヤボンディン
グでは、一般的にサーモコンプレション（ＴＣ）とサー
モソニック法が使用される。アルミニウムワイヤボンデ
ィングにおいては、一般的にウルトラソニックとウェッ
ジボンディング法が使用される。
ットとの間の接続を確立するためのワイヤボンディング
は、どのようなボンディング行程を用いてもよい。例え
ばボンディングワイヤ７２は、最初にコンタクト基板の
コンタクトパッド３６にボンドされ、そこからリードフ
レーム４５に引き渡される。そこでボンディングワイヤ
７２は、リードフレーム４５に接続されてクリップさ
れ、上述の全ての行程が次のボンド位置で繰り返され
る。ワイヤボンディングは、金またはアルミニウムのワ
イヤを用いて行う。両材料とも、高い導電性と、ボンデ
ィング行程での変形に耐えうる柔軟性があり、かつその
後も強固で信頼性が維持できる。金のワイヤボンディン
グでは、一般的にサーモコンプレション（ＴＣ）とサー
モソニック法が使用される。アルミニウムワイヤボンデ
ィングにおいては、一般的にウルトラソニックとウェッ
ジボンディング法が使用される。
【００４３】第１０図の例では、コンタクト基板の底面
のコンタクトパッド３６は、ボンディングワイヤ７２を
介してＰＣＢ基板６２2上に設けられたプリント回路基
板（ＰＣＢ）接続パッド３８に接続されている。ＰＣＢ
基板６２2は、例えば第３図に示すようなプローブカー
ドであり、またはコンタクトストラクチャとプローブカ
ードの間に設けられた中間回路部品である。ＰＣＢ基板
は、サポートストラクチャ５２に搭載されている。コン
タクト基板２０とサポートストラクチャ５２は、例えば
接着剤（図に無し）によって互いに固定されている。同
様に、ＰＣＢ基板６２2とサポートストラクチャ５２
は、接着剤（図に無し）によって互いに固定されてい
る。
のコンタクトパッド３６は、ボンディングワイヤ７２を
介してＰＣＢ基板６２2上に設けられたプリント回路基
板（ＰＣＢ）接続パッド３８に接続されている。ＰＣＢ
基板６２2は、例えば第３図に示すようなプローブカー
ドであり、またはコンタクトストラクチャとプローブカ
ードの間に設けられた中間回路部品である。ＰＣＢ基板
は、サポートストラクチャ５２に搭載されている。コン
タクト基板２０とサポートストラクチャ５２は、例えば
接着剤（図に無し）によって互いに固定されている。同
様に、ＰＣＢ基板６２2とサポートストラクチャ５２
は、接着剤（図に無し）によって互いに固定されてい
る。
【００４４】第１１図−第１５図は、底型コンタクトパ
ッドが、テープ・オートメイテド・ボンディング（ＴＡ
Ｂ）行程で形成された単層ＴＡＢリードを介してコンタ
クトターゲットに接続される、本発明の第３の実施例を
示している。第１１図の例では、コンタクト基板２０の
上表面に形成したコンタクトストラクチャ３０は、コン
タクトトレイス３２とスルーホール３５を介して基板２
０の裏面にあるコンタクトパッド３６に接続されてい
る。コンタクトパッド３６は、その底面が単層ＴＡＢリ
ード７４の一端に接続され、その単層ＴＡＢリード７４
の他端はＰＣＢ基板６２上に備えられたプリント回路基
板（ＰＣＢ）接続パッド３８に接続されている。
ッドが、テープ・オートメイテド・ボンディング（ＴＡ
Ｂ）行程で形成された単層ＴＡＢリードを介してコンタ
クトターゲットに接続される、本発明の第３の実施例を
示している。第１１図の例では、コンタクト基板２０の
上表面に形成したコンタクトストラクチャ３０は、コン
タクトトレイス３２とスルーホール３５を介して基板２
０の裏面にあるコンタクトパッド３６に接続されてい
る。コンタクトパッド３６は、その底面が単層ＴＡＢリ
ード７４の一端に接続され、その単層ＴＡＢリード７４
の他端はＰＣＢ基板６２上に備えられたプリント回路基
板（ＰＣＢ）接続パッド３８に接続されている。
【００４５】コンタクト基板２０は、エラストマ４２と
サポートストラクチャ５２2を介してＰＣＢ基板６２上
に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ４
２、サポートストラクチャ５２2、そしてＰＣＢ基板６
２は、それぞれ互いに、例えば接着剤（図に無し）で固
定されている。この例では、コンタクトパッド３６とＰ
ＣＢパッド３８を接続するためのＴＡＢリード７４は、
ガルウイング（アヒル羽）型をしており、ガルウイング
（下部）部は、ＰＣＢパッド３８に接続されている。サ
ポートメンバ（支持部材）５４は、ＴＡＢリード７４を
補助するために、サポートストラクチャ５２2に備えら
れている。
サポートストラクチャ５２2を介してＰＣＢ基板６２上
に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ４
２、サポートストラクチャ５２2、そしてＰＣＢ基板６
２は、それぞれ互いに、例えば接着剤（図に無し）で固
定されている。この例では、コンタクトパッド３６とＰ
ＣＢパッド３８を接続するためのＴＡＢリード７４は、
ガルウイング（アヒル羽）型をしており、ガルウイング
（下部）部は、ＰＣＢパッド３８に接続されている。サ
ポートメンバ（支持部材）５４は、ＴＡＢリード７４を
補助するために、サポートストラクチャ５２2に備えら
れている。
【００４６】上述したように、ＴＡＢリード７４は、ガ
ルウイング型をしており、それはサーフェスマウント
（表面実装）技術で使用されている”標準ガルウイング
リード”と類似している。ガルウイング型のＴＡＢリー
ド７４は下方向に曲がっているため、ＰＣＢパッド３８
とＴＡＢリード７４間で形成した接続部の上には、第１
１図の左側に示すように、垂直方向に十分な空間が得ら
れる。ＴＡＢリード７４のリードの形（下方への屈曲や
ガルウイングリード）は、その製造に特殊なツールを必
要としうる。半導体部品テストのような実際の応用での
コンタクトパッドとＰＣＢパッド間の接続は多数であ
り、例えば数百といった接続がある。従って、そのよう
なツールは、多数のコンタクトパッドに対応して標準化
して用いても不合理ではない。
ルウイング型をしており、それはサーフェスマウント
（表面実装）技術で使用されている”標準ガルウイング
リード”と類似している。ガルウイング型のＴＡＢリー
ド７４は下方向に曲がっているため、ＰＣＢパッド３８
とＴＡＢリード７４間で形成した接続部の上には、第１
１図の左側に示すように、垂直方向に十分な空間が得ら
れる。ＴＡＢリード７４のリードの形（下方への屈曲や
ガルウイングリード）は、その製造に特殊なツールを必
要としうる。半導体部品テストのような実際の応用での
コンタクトパッドとＰＣＢパッド間の接続は多数であ
り、例えば数百といった接続がある。従って、そのよう
なツールは、多数のコンタクトパッドに対応して標準化
して用いても不合理ではない。
【００４７】コンタクトパッド３６とＴＡＢリード７４
の間と、ＴＡＢリード７４とＰＣＢパッド３８の間の、
電気接続は、様々なボンディング技術で確立することが
可能である。そのようなボンディング技術として、サー
モソニック・ボンディング、サーモコンプレッション・
ボンディング、ウルトラソニック・ボンディング技術等
がある。別の様態においては、そのような電気接続は、
スクリーンプリント半田ペーストを用いたサーフェスマ
ウント（表面実装）技術（ＳＭＴ）を介して確立する。
ハンダ付けの行程は、この技術分野で周知のような、ハ
ンダペーストや他のハンダ材料のリフロー特性に基づい
て行う。
の間と、ＴＡＢリード７４とＰＣＢパッド３８の間の、
電気接続は、様々なボンディング技術で確立することが
可能である。そのようなボンディング技術として、サー
モソニック・ボンディング、サーモコンプレッション・
ボンディング、ウルトラソニック・ボンディング技術等
がある。別の様態においては、そのような電気接続は、
スクリーンプリント半田ペーストを用いたサーフェスマ
ウント（表面実装）技術（ＳＭＴ）を介して確立する。
ハンダ付けの行程は、この技術分野で周知のような、ハ
ンダペーストや他のハンダ材料のリフロー特性に基づい
て行う。
【００４８】ＰＣＢ基板６２自体は、第３図に示すよう
なプローブカードであってもよいし、プローブカード上
に直接あるいは間接的に搭載するために別個に設けられ
た基板であってもよい。前者の場合は、ＰＣＢ６２は、
第２図に示すようにＩＣテスタのような半導体テストシ
ステムのインターフェイスに直接接触して用いられる。
後者の場合は、ＰＣＢ基板６２は、プローブカード上の
コンタクトメカニズムの次レベルの部材と電気的接続を
確立するようにピン結合されるか導電ポリマーを用いて
接続される。ピンまたは導電ポリマを介した、そのよう
なＰＣＢ基板６２とプローブカードの間の電気的接続
は、フィールドでの修理を可能にする。
なプローブカードであってもよいし、プローブカード上
に直接あるいは間接的に搭載するために別個に設けられ
た基板であってもよい。前者の場合は、ＰＣＢ６２は、
第２図に示すようにＩＣテスタのような半導体テストシ
ステムのインターフェイスに直接接触して用いられる。
後者の場合は、ＰＣＢ基板６２は、プローブカード上の
コンタクトメカニズムの次レベルの部材と電気的接続を
確立するようにピン結合されるか導電ポリマーを用いて
接続される。ピンまたは導電ポリマを介した、そのよう
なＰＣＢ基板６２とプローブカードの間の電気的接続
は、フィールドでの修理を可能にする。
【００４９】ＰＣＢ基板６２は多層構造でもよく、その
ような多層構造の場合は、高周波数信号の伝搬、分布定
数高周波数キャパシタンス、電源回路の高周波数除去用
（デカップリング）キャパシタ、さらに高ピンカウント
（Ｉ／Ｏピン数およびそれに伴う信号通路数）を実現で
きる。ＰＣＢ基板６２の材料の例として、標準高性能ガ
ラスエポキシ樹脂がある。他の材料例として、セラミッ
クがあり、これは例えば半導体ウェハやパッケージされ
たＩＣ部品のバーンインのような高温度での応用時にお
いて、温度膨張（ＣＴＥ）率係数のミスマッチを最小限
にできると期待される。
ような多層構造の場合は、高周波数信号の伝搬、分布定
数高周波数キャパシタンス、電源回路の高周波数除去用
（デカップリング）キャパシタ、さらに高ピンカウント
（Ｉ／Ｏピン数およびそれに伴う信号通路数）を実現で
きる。ＰＣＢ基板６２の材料の例として、標準高性能ガ
ラスエポキシ樹脂がある。他の材料例として、セラミッ
クがあり、これは例えば半導体ウェハやパッケージされ
たＩＣ部品のバーンインのような高温度での応用時にお
いて、温度膨張（ＣＴＥ）率係数のミスマッチを最小限
にできると期待される。
【００５０】サポートストラクチャ５２2は、コンタク
トストラクチャのパッケージング・相互接続の強度を確
立するためのものである。サポートストラクチャ５２2
は、例えば、セラミック、モールドプラスチック、また
は金属で構成されている。エラストマ４２は、表面不均
一性（プラナリゼイション）を克服するために、本発明
のパッケージング・相互接続に柔軟性を確立するための
ものである。また、エラストマ４２は、コンタクト基板
２０とＰＣＢ基板６２間の温度膨張率のミスマッチを緩
和する機能も果たす。
トストラクチャのパッケージング・相互接続の強度を確
立するためのものである。サポートストラクチャ５２2
は、例えば、セラミック、モールドプラスチック、また
は金属で構成されている。エラストマ４２は、表面不均
一性（プラナリゼイション）を克服するために、本発明
のパッケージング・相互接続に柔軟性を確立するための
ものである。また、エラストマ４２は、コンタクト基板
２０とＰＣＢ基板６２間の温度膨張率のミスマッチを緩
和する機能も果たす。
【００５１】コンタクトストラクチャ３０、コンタクト
トレイス３２、コンタクトパッド３６、およびＴＡＢリ
ード７４の全体の長さの例としては、数十マイクロメー
タから数百マイクロメータの範囲である。このように電
気信号通路が短いので、本発明のパッケージング・相互
接続は、容易に数ＧＨｚやそれ以上の高周波数帯域で機
能できる。また、全体の組立部品の数が比較的少ないの
で、本発明のパッケージング・相互接続は、低コスト且
つ高信頼性と高生産性を実現できる。
トレイス３２、コンタクトパッド３６、およびＴＡＢリ
ード７４の全体の長さの例としては、数十マイクロメー
タから数百マイクロメータの範囲である。このように電
気信号通路が短いので、本発明のパッケージング・相互
接続は、容易に数ＧＨｚやそれ以上の高周波数帯域で機
能できる。また、全体の組立部品の数が比較的少ないの
で、本発明のパッケージング・相互接続は、低コスト且
つ高信頼性と高生産性を実現できる。
【００５２】第１２図は、本発明の第２実施例のさらに
他の例を示している。ＴＡＢリード７４2は、直線的な
形状をしており、プリント回路基板（ＰＣＢ）６２3上
に設けられたＰＣＢパッド３８とコンタクト基板２０の
裏面に設けられたコンタクトパッド３６とを接続してい
る。ＰＣＢパッド３８の垂直位置をマッチさせるため
に、ＰＣＢ基板６２3は、左端部が***している。
他の例を示している。ＴＡＢリード７４2は、直線的な
形状をしており、プリント回路基板（ＰＣＢ）６２3上
に設けられたＰＣＢパッド３８とコンタクト基板２０の
裏面に設けられたコンタクトパッド３６とを接続してい
る。ＰＣＢパッド３８の垂直位置をマッチさせるため
に、ＰＣＢ基板６２3は、左端部が***している。
【００５３】ＴＡＢリード７４2とＰＣＢパッド３８の
間の電気的接続は、スクリーンプリントハンダや各種の
ボンディングのようなサーフェスマウント（ＳＭＴ）技
術により形成される。そのようなボンディング技術に
は、サーモソニック・ボンディング、サーモコンプレッ
ション・ボンディング、ウルトラソニック・ボンディン
グ等がある。コンタクトストラクチャ３０、コンタクト
トレイス３２、コンタクトパッド３６、ＴＡＢリード７
４2の各部材とそれらによる信号通路が極めて小さいの
で、第１２図の例では、数ＧＨｚのような高周波数帯域
で機能できる。さらに、組立部品の数が少なく単純な構
造であるから、本発明の相互接続・パッケージングは、
低コストかつ高い信頼性と生産性を実現できる。
間の電気的接続は、スクリーンプリントハンダや各種の
ボンディングのようなサーフェスマウント（ＳＭＴ）技
術により形成される。そのようなボンディング技術に
は、サーモソニック・ボンディング、サーモコンプレッ
ション・ボンディング、ウルトラソニック・ボンディン
グ等がある。コンタクトストラクチャ３０、コンタクト
トレイス３２、コンタクトパッド３６、ＴＡＢリード７
４2の各部材とそれらによる信号通路が極めて小さいの
で、第１２図の例では、数ＧＨｚのような高周波数帯域
で機能できる。さらに、組立部品の数が少なく単純な構
造であるから、本発明の相互接続・パッケージングは、
低コストかつ高い信頼性と生産性を実現できる。
【００５４】第１３図は、本発明の第３実施例の更に別
の変形例を示しており、底型コンタクトパッド３６は、
プリント回路基板または他の機構上に設けられたコネク
タに接続されている。第１３図の例では、コンタクト基
板２０の底表面に設けられたコンタクトパッド３６は、
１層ＴＡＢリード７４2を介してコネクタ４６に接続さ
れている。コネクタ４６はサポートストラクチャ５２4
に設けられている。コンタクト基板２０は一般にはシリ
コン基板であるが、例えばガラスエポキシ基板、ポリイ
ミド基板、セラミック基板、アルミナ基板のような誘電
体基板を用いることも可能である。
の変形例を示しており、底型コンタクトパッド３６は、
プリント回路基板または他の機構上に設けられたコネク
タに接続されている。第１３図の例では、コンタクト基
板２０の底表面に設けられたコンタクトパッド３６は、
１層ＴＡＢリード７４2を介してコネクタ４６に接続さ
れている。コネクタ４６はサポートストラクチャ５２4
に設けられている。コンタクト基板２０は一般にはシリ
コン基板であるが、例えばガラスエポキシ基板、ポリイ
ミド基板、セラミック基板、アルミナ基板のような誘電
体基板を用いることも可能である。
【００５５】ＴＡＢリード７４2は、第１２図の例と同
様に直線的な形状となっている。第１３図のほぼ中央
に、コンタクト基板２０がエラストマ４２を介してサポ
ートストラクチャ５２4上に搭載されている。コンタク
ト基板２０、エラストマ４２、サポートストラクチャ５
２4は、互いに、例えば接着剤（図に無し）で固定され
ている。コネクタ４６は、取り付け機構（図に無し）を
介してサポートストラクチャ５２4に機械的に固定され
ている。ＴＡＢリード７４2の端部は、コネクタ４６の
リセプタクル（図に無し）に挿入される。この技術では
周知のように、そのようなリセプタクルは、ＴＡＢリー
ド７４2を受け入れる際に、十分なコンタクト力を発揮
するためのバネメカニズムを有している。ＴＡＢリード
７４2とサポートストラクチャ５２4の間には、コンタク
トパッド３６とコネクタ４６間に引き渡されたＴＡＢリ
ード７４2を支持するためのサポート部材５４が設けら
れている。またこの技術分野で知られているように、そ
のようなリセプタクルの内部表面は、金、銀、パラジウ
ム、またはニッケルのような導電金属被膜が施されてい
る。
様に直線的な形状となっている。第１３図のほぼ中央
に、コンタクト基板２０がエラストマ４２を介してサポ
ートストラクチャ５２4上に搭載されている。コンタク
ト基板２０、エラストマ４２、サポートストラクチャ５
２4は、互いに、例えば接着剤（図に無し）で固定され
ている。コネクタ４６は、取り付け機構（図に無し）を
介してサポートストラクチャ５２4に機械的に固定され
ている。ＴＡＢリード７４2の端部は、コネクタ４６の
リセプタクル（図に無し）に挿入される。この技術では
周知のように、そのようなリセプタクルは、ＴＡＢリー
ド７４2を受け入れる際に、十分なコンタクト力を発揮
するためのバネメカニズムを有している。ＴＡＢリード
７４2とサポートストラクチャ５２4の間には、コンタク
トパッド３６とコネクタ４６間に引き渡されたＴＡＢリ
ード７４2を支持するためのサポート部材５４が設けら
れている。またこの技術分野で知られているように、そ
のようなリセプタクルの内部表面は、金、銀、パラジウ
ム、またはニッケルのような導電金属被膜が施されてい
る。
【００５６】コネクタ４６は、直線形状ピンあるいは直
角のピンを一体的に有し、それらのピンは上述したリセ
プタクルを介してプリント回路基板（ＰＣＢ）へ直接的
に接続される。コネクタ４６を搭載するためのプリント
基板ＰＣＢは、フレキシブル（柔軟）基板あるいは堅牢
な基板でもよい。この技術分野では周知のように、フレ
キシブルＰＣＢは、柔軟な基板材料により形成され、そ
の上にフラット（平面的）ケーブルを備えている。別な
構成として、コネクタ４６は、同軸ケーブルアセンブリ
と一体的に構成することもできる。この場合、同軸ケー
ブルの内部コンダクタにリセプタクルが接続され、その
リセプタクルはＴＡＢリード７４2の端部を受け入れ
る。コネクタ４６とＴＡＢリード７４3またはサポート
ストラクチャ５２4との間の接続は、永久的な接続では
ないので、フィールドにおける交換やコンタクト部の修
理を可能にしている。
角のピンを一体的に有し、それらのピンは上述したリセ
プタクルを介してプリント回路基板（ＰＣＢ）へ直接的
に接続される。コネクタ４６を搭載するためのプリント
基板ＰＣＢは、フレキシブル（柔軟）基板あるいは堅牢
な基板でもよい。この技術分野では周知のように、フレ
キシブルＰＣＢは、柔軟な基板材料により形成され、そ
の上にフラット（平面的）ケーブルを備えている。別な
構成として、コネクタ４６は、同軸ケーブルアセンブリ
と一体的に構成することもできる。この場合、同軸ケー
ブルの内部コンダクタにリセプタクルが接続され、その
リセプタクルはＴＡＢリード７４2の端部を受け入れ
る。コネクタ４６とＴＡＢリード７４3またはサポート
ストラクチャ５２4との間の接続は、永久的な接続では
ないので、フィールドにおける交換やコンタクト部の修
理を可能にしている。
【００５７】一般に、コンタクト基板２０はシリコン基
板であるが、例えばガラスエポキシ基板、ポリイミド基
板、セラミック基板、アルミナ基板のような他の種類の
基板を使うこともできる。サポートストラクチャ５２4
は、コンタクトストラクチャのパッケージング・相互接
続の強度を確立するためのものである。サポートストラ
クチャ５２4は、例えばセラミック、モールドプラスチ
ック、あるいは金属等で構成される。エラストマ４２
は、表面の不均一性（プラナリゼイション）を克服する
ために、本発明の相互接続・パッケージングに柔軟性を
確保するためのものである。エラストマ４２は、コンタ
クト基板２０と、コネクタ４６を搭載するためのＰＣＢ
基板との間の温度膨張率のミスマッチを緩和する役目も
果たす。
板であるが、例えばガラスエポキシ基板、ポリイミド基
板、セラミック基板、アルミナ基板のような他の種類の
基板を使うこともできる。サポートストラクチャ５２4
は、コンタクトストラクチャのパッケージング・相互接
続の強度を確立するためのものである。サポートストラ
クチャ５２4は、例えばセラミック、モールドプラスチ
ック、あるいは金属等で構成される。エラストマ４２
は、表面の不均一性（プラナリゼイション）を克服する
ために、本発明の相互接続・パッケージングに柔軟性を
確保するためのものである。エラストマ４２は、コンタ
クト基板２０と、コネクタ４６を搭載するためのＰＣＢ
基板との間の温度膨張率のミスマッチを緩和する役目も
果たす。
【００５８】コンタクトストラクチャ３０から、コンタ
クトトレイス３２、コンタクトパッド３６を経てＴＡＢ
リード７４2にいたる信号経路の長さの例としては、数
１０マイクロメータから数百マイクロメータの範囲であ
る。このように信号通路が短いので、本発明のパッケー
ジング・相互接続は、数ＧＨｚやそれ以上の高周波数帯
域でも容易に機能できる。また、全体としての組立部品
の数が比較的少ないので、本発明のパッケージング・相
互接続は、低コストかつ高い信頼性と生産性により製造
できる。
クトトレイス３２、コンタクトパッド３６を経てＴＡＢ
リード７４2にいたる信号経路の長さの例としては、数
１０マイクロメータから数百マイクロメータの範囲であ
る。このように信号通路が短いので、本発明のパッケー
ジング・相互接続は、数ＧＨｚやそれ以上の高周波数帯
域でも容易に機能できる。また、全体としての組立部品
の数が比較的少ないので、本発明のパッケージング・相
互接続は、低コストかつ高い信頼性と生産性により製造
できる。
【００５９】第１４図は、本発明の第３実施例の更に別
の変形例を示しており、底型コンタクトパッドが、導電
バンプを介してプリント回路基板上に設けられた接続パ
ッドに接続されている。第１４図の例では、コンタクト
ストラクチャ３０、コンタクトトレース３２、バイアホ
ール３５、コンタクトパッド３６はコンタクト基板２０
上に形成されている。コンタクトストラクチャ３０はコ
ンタクト基板２０の上表面に形成され、コンタクトパッ
ド３６はコンタクト基板２０の底（裏）表面に形成され
ている。一般にコンタクト基板２０はシリコン基板であ
るが、例えばガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、セ
ラミック基板、アルミナ基板のような他のタイプの誘電
体基板を用いることも可能である。コンタクトパッド３
６は、導電バンプ５６および１層ＴＡＢリード７４2を
介して、ＰＣＢ基板６２上に設けられたＰＣＢ（プリン
ト回路基板）パッド３８に接続される。
の変形例を示しており、底型コンタクトパッドが、導電
バンプを介してプリント回路基板上に設けられた接続パ
ッドに接続されている。第１４図の例では、コンタクト
ストラクチャ３０、コンタクトトレース３２、バイアホ
ール３５、コンタクトパッド３６はコンタクト基板２０
上に形成されている。コンタクトストラクチャ３０はコ
ンタクト基板２０の上表面に形成され、コンタクトパッ
ド３６はコンタクト基板２０の底（裏）表面に形成され
ている。一般にコンタクト基板２０はシリコン基板であ
るが、例えばガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、セ
ラミック基板、アルミナ基板のような他のタイプの誘電
体基板を用いることも可能である。コンタクトパッド３
６は、導電バンプ５６および１層ＴＡＢリード７４2を
介して、ＰＣＢ基板６２上に設けられたＰＣＢ（プリン
ト回路基板）パッド３８に接続される。
【００６０】ＴＡＢリード７４2は、第１２図と第１３
図に示すように直線的な形状を有している。コンタクト
基板２０は、サポートストラクチャ５２2とエラストマ
４２を介してＰＣＢ基板６２に搭載されている。コンタ
クト基板２０、エラストマ４２、サポートストラクチャ
５２2、およびＰＣＢ基板６２は、接着剤（図に無し）
により相互に固定されている。第１４図においては、Ｔ
ＡＢリード７４2とサポートストラクチャ５２2の間に
は、コンタクトパッド３６とＰＣＢパッド３８との間に
わたるＴＡＢリード７４2を支持するためのサポート部
材５４が備えられている。
図に示すように直線的な形状を有している。コンタクト
基板２０は、サポートストラクチャ５２2とエラストマ
４２を介してＰＣＢ基板６２に搭載されている。コンタ
クト基板２０、エラストマ４２、サポートストラクチャ
５２2、およびＰＣＢ基板６２は、接着剤（図に無し）
により相互に固定されている。第１４図においては、Ｔ
ＡＢリード７４2とサポートストラクチャ５２2の間に
は、コンタクトパッド３６とＰＣＢパッド３８との間に
わたるＴＡＢリード７４2を支持するためのサポート部
材５４が備えられている。
【００６１】導電バンプ５６を加熱することによって、
ＴＡＢリード７４2とＰＣＢパッド３８の間で導電バン
プ５６が溶解凝固（リフロー）することにより両者が接
続される。導電バンプ５６の例としては、標準的なハン
ダボール技術で用いられているハンダバンプがある。導
電バンプ５６の他の例としては、プラズマ支援（プラズ
マアシステド）ドライハンダ技術におけるフラックス無
しのハンダボールがある。
ＴＡＢリード７４2とＰＣＢパッド３８の間で導電バン
プ５６が溶解凝固（リフロー）することにより両者が接
続される。導電バンプ５６の例としては、標準的なハン
ダボール技術で用いられているハンダバンプがある。導
電バンプ５６の他の例としては、プラズマ支援（プラズ
マアシステド）ドライハンダ技術におけるフラックス無
しのハンダボールがある。
【００６２】導電バンプ５６の他の例は、バンプにポリ
マーを使用した、導電ポリマーバンプとコンプライアン
トバンプである。これは、本発明のパッケージング・相
互接続における、プラナリゼイション（表面不均一性）
の問題やＣＴＥ（温度膨張係数）ミスマッチを最小限に
する役割も果たす。導電ポリマーバンプはスクリーンプ
リント導電接着剤で構成されている。コンプライアント
バンプは金属コーティングしてあるポリマーを核とした
導電バンプであり、典型的には金メッキが施され、柔軟
に圧縮されうる。導電バンプ５６のさらに他の例は、半
田ボールが蒸発過程によって形成される、コントロール
ド・コラプス・チップ接続技術にて使用される導電バン
プである。
マーを使用した、導電ポリマーバンプとコンプライアン
トバンプである。これは、本発明のパッケージング・相
互接続における、プラナリゼイション（表面不均一性）
の問題やＣＴＥ（温度膨張係数）ミスマッチを最小限に
する役割も果たす。導電ポリマーバンプはスクリーンプ
リント導電接着剤で構成されている。コンプライアント
バンプは金属コーティングしてあるポリマーを核とした
導電バンプであり、典型的には金メッキが施され、柔軟
に圧縮されうる。導電バンプ５６のさらに他の例は、半
田ボールが蒸発過程によって形成される、コントロール
ド・コラプス・チップ接続技術にて使用される導電バン
プである。
【００６３】ＰＣＢ基板６２自体が、第３図に示すよう
なプローブカードであってもよいし、プローブカード上
に直接または間接的に搭載するために別個に設けられた
基板であってもよい。前者の場合は、ＰＣＢ基板６２
は、第２図に示すようにＩＣテスタのようなテストシス
テムのインターフェイスに直接接触して構成される。後
者の場合は、ＰＣＢ基板６２は、プローブカード上のコ
ンタクトメカニズムの次レベルの部材と電気的接続を確
立するようにピン結合されるか導電ポリマーを用いて接
続される。ＰＣＢ基板６２とプローブカード間におけ
る、ピン結合あるいは導電ポリマーを介したそのような
電気接続の方法は、フィールドでの修理を可能にする。
なプローブカードであってもよいし、プローブカード上
に直接または間接的に搭載するために別個に設けられた
基板であってもよい。前者の場合は、ＰＣＢ基板６２
は、第２図に示すようにＩＣテスタのようなテストシス
テムのインターフェイスに直接接触して構成される。後
者の場合は、ＰＣＢ基板６２は、プローブカード上のコ
ンタクトメカニズムの次レベルの部材と電気的接続を確
立するようにピン結合されるか導電ポリマーを用いて接
続される。ＰＣＢ基板６２とプローブカード間におけ
る、ピン結合あるいは導電ポリマーを介したそのような
電気接続の方法は、フィールドでの修理を可能にする。
【００６４】ＰＣＢ基板６２は多層構造でもよく、その
ような多層構造の場合は、高周波数信号の伝搬、分布定
数高周波数キャパシタンス、電源回路の高周波数除去用
（デカップリング）キャパシタ、さらに高ピンカウント
（Ｉ／Ｏピン数およびそれに伴う信号通路数）を実現で
きる。ＰＣＢ基板６２の材料の例として、標準高性能ガ
ラスエポキシ樹脂がある。他の材料例として、セラミッ
クがあり、これは例えば半導体ウェハやパッケージされ
たＩＣ部品のバーンインのような高温度での応用時にお
いて、温度膨張（ＣＴＥ）率係数のミスマッチを最小限
にできると期待される。
ような多層構造の場合は、高周波数信号の伝搬、分布定
数高周波数キャパシタンス、電源回路の高周波数除去用
（デカップリング）キャパシタ、さらに高ピンカウント
（Ｉ／Ｏピン数およびそれに伴う信号通路数）を実現で
きる。ＰＣＢ基板６２の材料の例として、標準高性能ガ
ラスエポキシ樹脂がある。他の材料例として、セラミッ
クがあり、これは例えば半導体ウェハやパッケージされ
たＩＣ部品のバーンインのような高温度での応用時にお
いて、温度膨張（ＣＴＥ）率係数のミスマッチを最小限
にできると期待される。
【００６５】サポートストラクチャ５２2は、コンタク
トストラクチャのパッケージング・相互接続の強度を確
立するためのものである。サポートストラクチャ５２2
は、例えば、セラミック、モールドプラスチック、また
は金属で構成されている。エラストマ４２は、表面不均
一性（プラナリゼイション）を克服するために、本発明
のパッケージング・相互接続に柔軟性を確立するための
ものである。また、エラストマ４２は、コンタクト基板
２０とＰＣＢ基板６２間の温度膨張率のミスマッチを緩
和する機能も果たす。
トストラクチャのパッケージング・相互接続の強度を確
立するためのものである。サポートストラクチャ５２2
は、例えば、セラミック、モールドプラスチック、また
は金属で構成されている。エラストマ４２は、表面不均
一性（プラナリゼイション）を克服するために、本発明
のパッケージング・相互接続に柔軟性を確立するための
ものである。また、エラストマ４２は、コンタクト基板
２０とＰＣＢ基板６２間の温度膨張率のミスマッチを緩
和する機能も果たす。
【００６６】コンタクトストラクチャ３０から、コンタ
クトトレイス３２、コンタクトパッド３６を経てＴＡＢ
リード７４2にいたる信号経路の長さの例としては、数
１０マイクロメータから数百マイクロメータの範囲であ
る。このように信号通路が短いので、本発明のパッケー
ジング・相互接続は、数ＧＨｚやそれ以上の高周波数帯
域でも容易に機能できる。また、全体としての組立部品
の数が比較的少ないので、本発明のパッケージング・相
互接続は、低コストかつ高い信頼性と生産性により製造
できる。
クトトレイス３２、コンタクトパッド３６を経てＴＡＢ
リード７４2にいたる信号経路の長さの例としては、数
１０マイクロメータから数百マイクロメータの範囲であ
る。このように信号通路が短いので、本発明のパッケー
ジング・相互接続は、数ＧＨｚやそれ以上の高周波数帯
域でも容易に機能できる。また、全体としての組立部品
の数が比較的少ないので、本発明のパッケージング・相
互接続は、低コストかつ高い信頼性と生産性により製造
できる。
【００６７】第１５図は、本発明の第２実施例における
更にもう１つの変形例を示し、底型のコンタクトパッド
がプリント回路基板上に設けられた接続パッドに、導電
ポリマーを介して接続されている。第１５図の例では、
コンタクトストラクチャ３０、コンタクトトレイス３
２、バイアホール３５、およびコンタクトパッド３６
は、コンタクト基板２０上に形成されている。コンタク
トストラクチャ３０はコンタクト基板２０の上表面に形
成され、コンタクトパッド３６はコンタクト基板２０の
裏（底）表面に形成されている。コンタクトパッド３６
は、ＴＡＢリード７４2と導電ポリマー６６を介して、
ＰＣＢ基板６２上に設けられたＰＣＢ（プリント回路基
板）パッド３８に接続されている。典型的には、コンタ
クト基板２０はシリコン基板であるが、ガラスエポキシ
基板、ポリミイド基板、セラミック基板、およびアルミ
ナ基板等も使用できる。
更にもう１つの変形例を示し、底型のコンタクトパッド
がプリント回路基板上に設けられた接続パッドに、導電
ポリマーを介して接続されている。第１５図の例では、
コンタクトストラクチャ３０、コンタクトトレイス３
２、バイアホール３５、およびコンタクトパッド３６
は、コンタクト基板２０上に形成されている。コンタク
トストラクチャ３０はコンタクト基板２０の上表面に形
成され、コンタクトパッド３６はコンタクト基板２０の
裏（底）表面に形成されている。コンタクトパッド３６
は、ＴＡＢリード７４2と導電ポリマー６６を介して、
ＰＣＢ基板６２上に設けられたＰＣＢ（プリント回路基
板）パッド３８に接続されている。典型的には、コンタ
クト基板２０はシリコン基板であるが、ガラスエポキシ
基板、ポリミイド基板、セラミック基板、およびアルミ
ナ基板等も使用できる。
【００６８】この例では、ＴＡＢリード７４2は、第１
２図から第１４図の例と同様に直線的な形状を有してい
る。コンタクト基板２０は、サポートストラクチャ５２
2とエラストマ４２を介して、ＰＣＢ基板６２上に搭載
されている。コンタクト基板２０、エラストマ４２、サ
ポートストラクチャ５２2およびＰＣＢ基板６２は、そ
れぞれ互いに、例えば接着剤（図には無い）で接着され
ている。
２図から第１４図の例と同様に直線的な形状を有してい
る。コンタクト基板２０は、サポートストラクチャ５２
2とエラストマ４２を介して、ＰＣＢ基板６２上に搭載
されている。コンタクト基板２０、エラストマ４２、サ
ポートストラクチャ５２2およびＰＣＢ基板６２は、そ
れぞれ互いに、例えば接着剤（図には無い）で接着され
ている。
【００６９】ほとんどの導電ポリマーは接続されるべき
エレクトロード間において垂直方向に導電性を有し、水
平方向には導電性を有しないように設計されている。導
電ポリマー６６の例としては、導電エラストマーがあ
り、そのエラストマにはエラストマ表面より上に延びた
導電ワイヤーが充填されている。
エレクトロード間において垂直方向に導電性を有し、水
平方向には導電性を有しないように設計されている。導
電ポリマー６６の例としては、導電エラストマーがあ
り、そのエラストマにはエラストマ表面より上に延びた
導電ワイヤーが充填されている。
【００７０】導電ポリマー６６は他の様々なタイプが可
能であり、例えばアニソトロピック（異方性）導電接着
剤、アニソトロピック導電フィルム、アニソトロピック
導電ペースト、アニソトロピック導電粒などが使用でき
る。アニソトロピック導電接着剤は、導電粒が互いに接
触しない状態で充填されている。導電通路は、所定位置
における２つのエレクトロード（電極）間で接着剤が押
しつけられることで形成される。アニソトロピック導電
フィルムは、互いに接触しない状態の導電粒が充填され
た薄い誘電性樹脂である。導電通路は、所定位置におけ
る２つのエレクトロード間で導電フィルムが押しつけら
れることにより形成される。
能であり、例えばアニソトロピック（異方性）導電接着
剤、アニソトロピック導電フィルム、アニソトロピック
導電ペースト、アニソトロピック導電粒などが使用でき
る。アニソトロピック導電接着剤は、導電粒が互いに接
触しない状態で充填されている。導電通路は、所定位置
における２つのエレクトロード（電極）間で接着剤が押
しつけられることで形成される。アニソトロピック導電
フィルムは、互いに接触しない状態の導電粒が充填され
た薄い誘電性樹脂である。導電通路は、所定位置におけ
る２つのエレクトロード間で導電フィルムが押しつけら
れることにより形成される。
【００７１】アニソトロピック導電ペーストは、互いに
接触しない状態で充填された伝導粒を有するスクリーン
プリント・ペーストである。導電通路は、所定位置にお
ける２つのエレクトロード間で導電ペーストが押しつけ
られることで形成される。アニソトロピック導電粒は、
絶縁性を向上するように非常に薄い誘電材料被膜により
コーティングされた伝導粒で満たされた薄い誘電体樹脂
である。導電通路は、所定位置における２つのエレクト
ロード間で、導電粒を覆っている誘電コーティングを破
裂させるのに十分な力で押しつけることで形成される。
接触しない状態で充填された伝導粒を有するスクリーン
プリント・ペーストである。導電通路は、所定位置にお
ける２つのエレクトロード間で導電ペーストが押しつけ
られることで形成される。アニソトロピック導電粒は、
絶縁性を向上するように非常に薄い誘電材料被膜により
コーティングされた伝導粒で満たされた薄い誘電体樹脂
である。導電通路は、所定位置における２つのエレクト
ロード間で、導電粒を覆っている誘電コーティングを破
裂させるのに十分な力で押しつけることで形成される。
【００７２】ＰＣＢ基板６２自体が、第３図に示すよう
なプローブカードであってもよいし、プローブカード上
に直接または間接的に搭載するために別個に設けられた
基板であってもよい。前者の場合は、ＰＣＢ基板６２
は、第２図に示すようにＩＣテスタのようなテストシス
テムのインターフェイスに直接接触して構成される。後
者の場合は、ＰＣＢ基板６２は、プローブカード上のコ
ンタクトメカニズムの次レベルの部材と電気的接続を確
立するようにピン結合されるか導電ポリマーを用いて接
続される。ＰＣＢ基板６２とプローブカード間におけ
る、ピン結合あるいは導電ポリマーを介したそのような
電気接続の方法は、フィールドでの修理を可能にする。
なプローブカードであってもよいし、プローブカード上
に直接または間接的に搭載するために別個に設けられた
基板であってもよい。前者の場合は、ＰＣＢ基板６２
は、第２図に示すようにＩＣテスタのようなテストシス
テムのインターフェイスに直接接触して構成される。後
者の場合は、ＰＣＢ基板６２は、プローブカード上のコ
ンタクトメカニズムの次レベルの部材と電気的接続を確
立するようにピン結合されるか導電ポリマーを用いて接
続される。ＰＣＢ基板６２とプローブカード間におけ
る、ピン結合あるいは導電ポリマーを介したそのような
電気接続の方法は、フィールドでの修理を可能にする。
【００７３】ＰＣＢ基板６２は多層構造でもよく、その
ような多層構造の場合は、高周波数信号の伝搬、分布定
数高周波数キャパシタンス、電源回路の高周波数除去用
（デカップリング）キャパシタ、さらに高ピンカウント
（Ｉ／Ｏピン数およびそれに伴う信号通路数）を実現で
きる。ＰＣＢ基板６２の材料の例として、標準高性能ガ
ラスエポキシ樹脂がある。他の材料例として、セラミッ
クがあり、これは例えば半導体ウェハやパッケージされ
たＩＣ部品のバーンインのような高温度での応用時にお
いて、温度膨張（ＣＴＥ）率係数のミスマッチを最小限
にできると期待される。
ような多層構造の場合は、高周波数信号の伝搬、分布定
数高周波数キャパシタンス、電源回路の高周波数除去用
（デカップリング）キャパシタ、さらに高ピンカウント
（Ｉ／Ｏピン数およびそれに伴う信号通路数）を実現で
きる。ＰＣＢ基板６２の材料の例として、標準高性能ガ
ラスエポキシ樹脂がある。他の材料例として、セラミッ
クがあり、これは例えば半導体ウェハやパッケージされ
たＩＣ部品のバーンインのような高温度での応用時にお
いて、温度膨張（ＣＴＥ）率係数のミスマッチを最小限
にできると期待される。
【００７４】サポートストラクチャ５２2は、コンタク
トストラクチャのパッケージング・相互接続の強度を確
立するためのものである。サポートストラクチャ５２2
は、例えば、セラミック、モールドプラスチック、また
は金属で構成されている。エラストマ４２は、表面不均
一性（プラナリゼイション）を克服するために、本発明
のパッケージング・相互接続に柔軟性を確立するための
ものである。また、エラストマ４２は、コンタクト基板
２０とＰＣＢ基板６２間の温度膨張率のミスマッチを緩
和する機能も果たす。
トストラクチャのパッケージング・相互接続の強度を確
立するためのものである。サポートストラクチャ５２2
は、例えば、セラミック、モールドプラスチック、また
は金属で構成されている。エラストマ４２は、表面不均
一性（プラナリゼイション）を克服するために、本発明
のパッケージング・相互接続に柔軟性を確立するための
ものである。また、エラストマ４２は、コンタクト基板
２０とＰＣＢ基板６２間の温度膨張率のミスマッチを緩
和する機能も果たす。
【００７５】このパッケージング・相互接続に関わる信
号通路の全体の長さの例としては、数百マイクロメータ
の範囲である。信号通路が短いので、本発明のパッケー
ジング・相互接続は、容易に数ＧＨｚやそれ以上の高周
波数帯域で機能できる。また全体の組み立て部品数が比
較的に少ないので、本発明のパッケージング・相互接続
は低コストと高信頼性で高生産性を実現できる。
号通路の全体の長さの例としては、数百マイクロメータ
の範囲である。信号通路が短いので、本発明のパッケー
ジング・相互接続は、容易に数ＧＨｚやそれ以上の高周
波数帯域で機能できる。また全体の組み立て部品数が比
較的に少ないので、本発明のパッケージング・相互接続
は低コストと高信頼性で高生産性を実現できる。
【００７６】第１６図−第２３図は、本発明の第４実施
例を示しており、底型コンタクトパッドが、テープ・オ
ートメイテド・ボンディング（ＴＡＢ）行程で形成され
た２層リードを介してコンタクトターゲットに接続して
いる。第１６図の例では、コンタクト基板２０の上に形
成されたコンタクトストラクチャ３０は、コンタクトト
レイス３２とスルーホール３５を介してコンタクトパッ
ド３６に電気的に接続されている。コンタクトストラク
チャ３０は、コンタクト基板２０の上表面に形成され、
コンタクトパッド３６は基板２０の底（裏）表面に形成
されている。コンタクトパッド３６はその裏表面におい
て、２層ＴＡＢリード７６の一端と接続され、２層ＴＡ
Ｂリード７６の他端は、ＰＣＢ基板６２上に設けられた
プリント回路基板（ＰＣＢ）接続パッド３８に接続され
ている。
例を示しており、底型コンタクトパッドが、テープ・オ
ートメイテド・ボンディング（ＴＡＢ）行程で形成され
た２層リードを介してコンタクトターゲットに接続して
いる。第１６図の例では、コンタクト基板２０の上に形
成されたコンタクトストラクチャ３０は、コンタクトト
レイス３２とスルーホール３５を介してコンタクトパッ
ド３６に電気的に接続されている。コンタクトストラク
チャ３０は、コンタクト基板２０の上表面に形成され、
コンタクトパッド３６は基板２０の底（裏）表面に形成
されている。コンタクトパッド３６はその裏表面におい
て、２層ＴＡＢリード７６の一端と接続され、２層ＴＡ
Ｂリード７６の他端は、ＰＣＢ基板６２上に設けられた
プリント回路基板（ＰＣＢ）接続パッド３８に接続され
ている。
【００７７】コンタクト基板２０は、エラストマ４２と
サポートストラクチャ５２3を介してＰＣＢ基板６２に
搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ４
２、サポートストラクチャ５２3、そしてＰＣＢ基板６
２は互いに接着剤（図には無い）で固定されている。こ
の例では、コンタクトパッド３６とＰＣＢパッド３８を
接続するための２層ＴＡＢリード７６は、上部リードＡ
と下部リードＢとを有している。サポート部材５４
2は、ＴＡＢリード７６の上部リードと下部リードの間
に設けられている。
サポートストラクチャ５２3を介してＰＣＢ基板６２に
搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ４
２、サポートストラクチャ５２3、そしてＰＣＢ基板６
２は互いに接着剤（図には無い）で固定されている。こ
の例では、コンタクトパッド３６とＰＣＢパッド３８を
接続するための２層ＴＡＢリード７６は、上部リードＡ
と下部リードＢとを有している。サポート部材５４
2は、ＴＡＢリード７６の上部リードと下部リードの間
に設けられている。
【００７８】ＴＡＢリード７６は、サーフェスマウント
技術で用いられる標準的な「ガルウイングリード」に類
似したガルウイング（カモメの羽）形状をしている。ガ
ルウイング型ＴＡＢリード７６が下向きに曲がっている
ので、ＰＣＢパッド３８とＴＡＢリード７６間の接続部
の上部に、第１６図の左端にみられるような垂直方向の
空間が十分に確保できる。ＴＡＢリード７６のリード形
状は（下向き曲がりのガルウイングリード）は、その製
造のために特殊なツールを必要としうる。半導体テスト
のような応用例では、数百といった多数の相互接続がコ
ンタクトトレイスとＰＣＢパッド間に使用されるので、
所定ピッチの多数のコンタクトトレイスをそのような形
状で作成するためのツールを標準化して用いても不都合
はない。
技術で用いられる標準的な「ガルウイングリード」に類
似したガルウイング（カモメの羽）形状をしている。ガ
ルウイング型ＴＡＢリード７６が下向きに曲がっている
ので、ＰＣＢパッド３８とＴＡＢリード７６間の接続部
の上部に、第１６図の左端にみられるような垂直方向の
空間が十分に確保できる。ＴＡＢリード７６のリード形
状は（下向き曲がりのガルウイングリード）は、その製
造のために特殊なツールを必要としうる。半導体テスト
のような応用例では、数百といった多数の相互接続がコ
ンタクトトレイスとＰＣＢパッド間に使用されるので、
所定ピッチの多数のコンタクトトレイスをそのような形
状で作成するためのツールを標準化して用いても不都合
はない。
【００７９】ＴＡＢリード７６は階層構造のリードＡと
Ｂを有するので、２つのリードによって、低い抵抗の信
号通路を確立することができる。これは、例えば半導体
部品をテストするためのグラウンドラインやパワーライ
ンにおいて、テスト信号の波形を変形させないように多
大な電流を送るのに有利である。
Ｂを有するので、２つのリードによって、低い抵抗の信
号通路を確立することができる。これは、例えば半導体
部品をテストするためのグラウンドラインやパワーライ
ンにおいて、テスト信号の波形を変形させないように多
大な電流を送るのに有利である。
【００８０】コンタクトパッド３６とＴＡＢリード７６
間の電気的接続と、ＴＡＢリード７６とＰＣＢパッド３
８間の電気的接続は、サーモソニック・ボンディング、
サーモコンプレッション・ボンディング、ウルトラソニ
ック・ボンディング等を含む各種のボンディング技術を
用いて形成することができる。他の見地からは、そのよ
うな電気的接続は、例えばスクリーンプリント・ハンダ
ペーストのような、サーフェスマウント技術（ＳＭＴ）
を用いて確立される。ハンダ付け行程は、この技術分野
では周知であるハンダペーストや他のハンダ材料の溶解
凝固（リフロー）特性に基づいて実施される。
間の電気的接続と、ＴＡＢリード７６とＰＣＢパッド３
８間の電気的接続は、サーモソニック・ボンディング、
サーモコンプレッション・ボンディング、ウルトラソニ
ック・ボンディング等を含む各種のボンディング技術を
用いて形成することができる。他の見地からは、そのよ
うな電気的接続は、例えばスクリーンプリント・ハンダ
ペーストのような、サーフェスマウント技術（ＳＭＴ）
を用いて確立される。ハンダ付け行程は、この技術分野
では周知であるハンダペーストや他のハンダ材料の溶解
凝固（リフロー）特性に基づいて実施される。
【００８１】ＰＣＢ基板６２自体が、第３図に示すよう
なプローブカードであってもよいし、プローブカード上
に直接または間接的に搭載するために別個に設けられた
基板であってもよい。前者の場合は、ＰＣＢ基板６２
は、第２図に示すようにＩＣテスタのようなテストシス
テムのインターフェイスに直接接触して構成される。後
者の場合は、ＰＣＢ基板６２は、プローブカード上のコ
ンタクトメカニズムの次レベルの部材と電気的接続を確
立するようにピン結合されるか導電ポリマーを用いて接
続される。ＰＣＢ基板６２とプローブカード間におけ
る、ピン結合あるいは導電ポリマーを介したそのような
電気接続の方法は、フィールドでの修理を可能にする。
なプローブカードであってもよいし、プローブカード上
に直接または間接的に搭載するために別個に設けられた
基板であってもよい。前者の場合は、ＰＣＢ基板６２
は、第２図に示すようにＩＣテスタのようなテストシス
テムのインターフェイスに直接接触して構成される。後
者の場合は、ＰＣＢ基板６２は、プローブカード上のコ
ンタクトメカニズムの次レベルの部材と電気的接続を確
立するようにピン結合されるか導電ポリマーを用いて接
続される。ＰＣＢ基板６２とプローブカード間におけ
る、ピン結合あるいは導電ポリマーを介したそのような
電気接続の方法は、フィールドでの修理を可能にする。
【００８２】ＰＣＢ基板６２は多層構造でもよく、その
ような多層構造の場合は、高周波数信号の伝搬、分布定
数高周波数キャパシタンス、電源回路の高周波数除去用
（デカップリング）キャパシタ、さらに高ピンカウント
（Ｉ／Ｏピン数およびそれに伴う信号通路数）を実現で
きる。ＰＣＢ基板６２の材料の例として、標準高性能ガ
ラスエポキシ樹脂がある。他の材料例として、セラミッ
クがあり、これは例えば半導体ウェハやパッケージされ
たＩＣ部品のバーンインのような高温度での応用時にお
いて、温度膨張（ＣＴＥ）率係数のミスマッチを最小限
にできると期待される。
ような多層構造の場合は、高周波数信号の伝搬、分布定
数高周波数キャパシタンス、電源回路の高周波数除去用
（デカップリング）キャパシタ、さらに高ピンカウント
（Ｉ／Ｏピン数およびそれに伴う信号通路数）を実現で
きる。ＰＣＢ基板６２の材料の例として、標準高性能ガ
ラスエポキシ樹脂がある。他の材料例として、セラミッ
クがあり、これは例えば半導体ウェハやパッケージされ
たＩＣ部品のバーンインのような高温度での応用時にお
いて、温度膨張（ＣＴＥ）率係数のミスマッチを最小限
にできると期待される。
【００８３】サポートストラクチャ５２3は、コンタク
トストラクチャのパッケージング・相互接続の強度を確
立するためのものである。サポートストラクチャ５２3
は、例えば、セラミック、モールドプラスチック、また
は金属で構成されている。エラストマ４２は、表面不均
一性（プラナリゼイション）を克服するために、本発明
のパッケージング・相互接続に柔軟性を確立するための
ものである。また、エラストマ４２は、コンタクト基板
２０とＰＣＢ基板６２間の温度膨張率のミスマッチを緩
和する機能も果たす。
トストラクチャのパッケージング・相互接続の強度を確
立するためのものである。サポートストラクチャ５２3
は、例えば、セラミック、モールドプラスチック、また
は金属で構成されている。エラストマ４２は、表面不均
一性（プラナリゼイション）を克服するために、本発明
のパッケージング・相互接続に柔軟性を確立するための
ものである。また、エラストマ４２は、コンタクト基板
２０とＰＣＢ基板６２間の温度膨張率のミスマッチを緩
和する機能も果たす。
【００８４】このパッケージング・相互接続に関わる信
号通路の全体の長さの例としては、数百マイクロメータ
の範囲である。信号通路が短いので、本発明のパッケー
ジング・相互接続は、容易に数ＧＨｚやそれ以上の高周
波数帯域で機能できる。また全体の組み立て部品数が比
較的に少ないので、本発明のパッケージング・相互接続
は低コストと高信頼性で高生産性を実現できる。
号通路の全体の長さの例としては、数百マイクロメータ
の範囲である。信号通路が短いので、本発明のパッケー
ジング・相互接続は、容易に数ＧＨｚやそれ以上の高周
波数帯域で機能できる。また全体の組み立て部品数が比
較的に少ないので、本発明のパッケージング・相互接続
は低コストと高信頼性で高生産性を実現できる。
【００８５】第１７図は、本発明の第４実施例における
もう１つの例を示している。この例では、上部リードＡ
と下部リードＢとを有する２層ＴＡＢリード７６2が、
コンタクトストラクチャー３０に接続されたコンタクト
パッド３６に接続されている。上部リードＡは、下部リ
ードＢよりも第１７図の上側でかつ外側に備えられてい
る。上部リードＡはＰＣＢパッド３８に接続しており、
下部リードＢはＰＣＢパッド３９に接続している。ＰＣ
Ｂパッド３８と３９を備えるために、ＰＣＢ基板６２4
は端部がより大きな厚み部、例えばステップを有し、そ
こにＰＣＢパッド３８を搭載し、それに隣接した内部に
は小さな厚み部を有し、そこにＰＣＢパッド３９を搭載
するように構成されている。
もう１つの例を示している。この例では、上部リードＡ
と下部リードＢとを有する２層ＴＡＢリード７６2が、
コンタクトストラクチャー３０に接続されたコンタクト
パッド３６に接続されている。上部リードＡは、下部リ
ードＢよりも第１７図の上側でかつ外側に備えられてい
る。上部リードＡはＰＣＢパッド３８に接続しており、
下部リードＢはＰＣＢパッド３９に接続している。ＰＣ
Ｂパッド３８と３９を備えるために、ＰＣＢ基板６２4
は端部がより大きな厚み部、例えばステップを有し、そ
こにＰＣＢパッド３８を搭載し、それに隣接した内部に
は小さな厚み部を有し、そこにＰＣＢパッド３９を搭載
するように構成されている。
【００８６】ＴＡＢリード７６2とＰＣＢパッド３８と
３９の間の電気的接続は、スクリーンプリントハンダや
各種のボンディングのようなサーフェスマウント（ＳＭ
Ｔ）技術により形成される。そのようなボンディング技
術には、サーモソニック・ボンディング、サーモコンプ
レッション・ボンディング、ウルトラソニック・ボンデ
ィング等がある。コンタクトストラクチャ３０、コンタ
クトトレイス３２、コンタクトパッド３６、およびＴＡ
Ｂリード７６2の各部品と信号通路が極めて小さいの
で、第１７図の例による構成は、容易に数ＧＨｚのよう
な高周波数帯域で機能できる。そのうえ、組立部品の数
が少なく単純な構造であるから、本発明の相互接続・パ
ッケージングは、低コストで高い信頼性と生産性を実現
できる。
３９の間の電気的接続は、スクリーンプリントハンダや
各種のボンディングのようなサーフェスマウント（ＳＭ
Ｔ）技術により形成される。そのようなボンディング技
術には、サーモソニック・ボンディング、サーモコンプ
レッション・ボンディング、ウルトラソニック・ボンデ
ィング等がある。コンタクトストラクチャ３０、コンタ
クトトレイス３２、コンタクトパッド３６、およびＴＡ
Ｂリード７６2の各部品と信号通路が極めて小さいの
で、第１７図の例による構成は、容易に数ＧＨｚのよう
な高周波数帯域で機能できる。そのうえ、組立部品の数
が少なく単純な構造であるから、本発明の相互接続・パ
ッケージングは、低コストで高い信頼性と生産性を実現
できる。
【００８７】ＴＡＢリード７６2は２層リードＡとＢを
有する構造なので、垂直方向にファンアウトを実現でき
る。これは、２つ以上の通路に信号または電力を供給す
るのに便利である。ファンアウトの他の利点は、コンタ
クトパッドの数を増加すること、すなわち、コンタクト
パッド間の有効ピッチ（距離）を減少できることであ
る。
有する構造なので、垂直方向にファンアウトを実現でき
る。これは、２つ以上の通路に信号または電力を供給す
るのに便利である。ファンアウトの他の利点は、コンタ
クトパッドの数を増加すること、すなわち、コンタクト
パッド間の有効ピッチ（距離）を減少できることであ
る。
【００８８】第１８図は、本発明の第４実施例における
さらに別の変形例を示しており、この例では底型コンタ
クトパッド３６が、プリント回路基板上あるいは他の構
造上に備えられたコネクタに接続される。第１８図の例
では、コンタクト基板３０に接続されたコンタクトパッ
ド３６は、２層ＴＡＢリード７６4を介してコネクタ４
６2に接続されている。コネクタ４６2はサポートストラ
クチャ５２5上に設けられている。
さらに別の変形例を示しており、この例では底型コンタ
クトパッド３６が、プリント回路基板上あるいは他の構
造上に備えられたコネクタに接続される。第１８図の例
では、コンタクト基板３０に接続されたコンタクトパッ
ド３６は、２層ＴＡＢリード７６4を介してコネクタ４
６2に接続されている。コネクタ４６2はサポートストラ
クチャ５２5上に設けられている。
【００８９】一般に、コンタクトストラクチャ３０、コ
ンタクトトレイス３２、スルーホール３５、コンタクト
パッド３６は、フォトリソグラフィの行程によりコンタ
クト基板２０上に形成される。コンタクトストラクチャ
３０は、コンタクト基板２０の上表面に形成され、コン
タクトパッド３６は基板２０の底（裏）表面に形成され
る。コンタクト基板２０は一般的にはシリコン基板であ
るが、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、セラミッ
ク基板、アルミナ基板のような他の誘電体基板を使用す
ることも可能である。
ンタクトトレイス３２、スルーホール３５、コンタクト
パッド３６は、フォトリソグラフィの行程によりコンタ
クト基板２０上に形成される。コンタクトストラクチャ
３０は、コンタクト基板２０の上表面に形成され、コン
タクトパッド３６は基板２０の底（裏）表面に形成され
る。コンタクト基板２０は一般的にはシリコン基板であ
るが、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、セラミッ
ク基板、アルミナ基板のような他の誘電体基板を使用す
ることも可能である。
【００９０】コネクタ４６2は、取り付け機構（図には
無い）を用いてサポートストラクチャ５２5に機械的な
手段で固定してもよい。ＴＡＢリード７６4の端部が、
コネクタ４６2のリセプタクル（図には無い）に挿入さ
れている。この技術では周知のように、そのようなリセ
プタクルは、ＴＡＢリード７６4の端部を受け入れると
きに十分な接触力を発揮できるようにバネ機構を有して
いる。コンタクトパッド３６とコネクタ４６2間に延び
る２層ＴＡＢリード７６4を支持するために、上部リー
ドＡと下部リードＢの間に、サポート部材５４2が設け
られている。また、この技術で知られているように、そ
のようなリセプタクルの内部表面には、金、銀、パラジ
ウム、ニッケルのような、導電金属被膜が施されてい
る。
無い）を用いてサポートストラクチャ５２5に機械的な
手段で固定してもよい。ＴＡＢリード７６4の端部が、
コネクタ４６2のリセプタクル（図には無い）に挿入さ
れている。この技術では周知のように、そのようなリセ
プタクルは、ＴＡＢリード７６4の端部を受け入れると
きに十分な接触力を発揮できるようにバネ機構を有して
いる。コンタクトパッド３６とコネクタ４６2間に延び
る２層ＴＡＢリード７６4を支持するために、上部リー
ドＡと下部リードＢの間に、サポート部材５４2が設け
られている。また、この技術で知られているように、そ
のようなリセプタクルの内部表面には、金、銀、パラジ
ウム、ニッケルのような、導電金属被膜が施されてい
る。
【００９１】ＴＡＢリード７６4は階層構造によるリー
ドＡとリードＢを有するので、この２つのリードによっ
て、低い抵抗の信号通路を形成できる。これは、例えば
半導体部品をテストするためのグラウンドラインやパワ
ーラインにおいて、テスト信号の波形を変形させない
で、多大な電流を流すために有効である。
ドＡとリードＢを有するので、この２つのリードによっ
て、低い抵抗の信号通路を形成できる。これは、例えば
半導体部品をテストするためのグラウンドラインやパワ
ーラインにおいて、テスト信号の波形を変形させない
で、多大な電流を流すために有効である。
【００９２】コネクタ４６2は、直線的なまたは直角の
ピンと一体的に形成されていてもよく、それらのピンは
プリント回路基板（ＰＣＢ）への直接的接続のために上
述のリセプタクルに接続されている。コネクタを搭載す
るためのプリント回路基板（ＰＣＢ）は、フレキシブル
基板でも固形的な基板でもよい。この技術では周知のよ
うに、フレキシブルＰＣＢは、柔軟な基礎材料上により
構成され、その上にフラットケーブルが備えられる。あ
るいは、コネクタ４６2は、同軸ケーブルアセンブリと
一体的に構成され、ＴＡＢリード７６4の端部を受け入
れるために同軸ケーブルの内部コンダクタがリセプタク
ルに接続されるように形成してもよい。コネクタ４６2
とＴＡＢリード７６4またはサポートストラクチャ５２5
との間の接続は、永久的ではないのでフィールドでの交
換やコンタクト部の修理を可能にする。
ピンと一体的に形成されていてもよく、それらのピンは
プリント回路基板（ＰＣＢ）への直接的接続のために上
述のリセプタクルに接続されている。コネクタを搭載す
るためのプリント回路基板（ＰＣＢ）は、フレキシブル
基板でも固形的な基板でもよい。この技術では周知のよ
うに、フレキシブルＰＣＢは、柔軟な基礎材料上により
構成され、その上にフラットケーブルが備えられる。あ
るいは、コネクタ４６2は、同軸ケーブルアセンブリと
一体的に構成され、ＴＡＢリード７６4の端部を受け入
れるために同軸ケーブルの内部コンダクタがリセプタク
ルに接続されるように形成してもよい。コネクタ４６2
とＴＡＢリード７６4またはサポートストラクチャ５２5
との間の接続は、永久的ではないのでフィールドでの交
換やコンタクト部の修理を可能にする。
【００９３】サポートストラクチャ５２5は、コンタク
トストラクチャのパッケージング・相互接続の強度を確
立するためのものである。サポートストラクチャ５２5
は、例えばセラミック、モールドプラスチック、あるい
は金属等で構成されている。エラストマ４２は、表面の
不均一性（プラナリゼイション）を克服するために、本
発明の相互接続・パッケージングに柔軟性を確立するた
めのものである。エラストマ４２は、コンタクト基板２
０と、コネクタ４６2を搭載するためのＰＣＢ基板との
間の温度膨張率のミスマッチを緩和する役目も果たす。
トストラクチャのパッケージング・相互接続の強度を確
立するためのものである。サポートストラクチャ５２5
は、例えばセラミック、モールドプラスチック、あるい
は金属等で構成されている。エラストマ４２は、表面の
不均一性（プラナリゼイション）を克服するために、本
発明の相互接続・パッケージングに柔軟性を確立するた
めのものである。エラストマ４２は、コンタクト基板２
０と、コネクタ４６2を搭載するためのＰＣＢ基板との
間の温度膨張率のミスマッチを緩和する役目も果たす。
【００９４】第１９図は、本発明の第４実施例における
更にもう１つの変形例を示しており、底型コンタクトパ
ッド３６がプリント回路基板あるいは他の構造上に設け
られたコネクタに接続している。第１９図の例では、コ
ンタクトストラクチャ３０に接続されたコンタクトパッ
ド３６は、２層ＴＡＢリード７６6を介してコネクタ４
６3に接続している。２層ＴＡＢ７６6は上部リードＡと
下部リードＢを有し、それらは端部が互いに分離してい
る。コネクタ４６3はサポートストラクチャ５２4上に設
けられている。
更にもう１つの変形例を示しており、底型コンタクトパ
ッド３６がプリント回路基板あるいは他の構造上に設け
られたコネクタに接続している。第１９図の例では、コ
ンタクトストラクチャ３０に接続されたコンタクトパッ
ド３６は、２層ＴＡＢリード７６6を介してコネクタ４
６3に接続している。２層ＴＡＢ７６6は上部リードＡと
下部リードＢを有し、それらは端部が互いに分離してい
る。コネクタ４６3はサポートストラクチャ５２4上に設
けられている。
【００９５】コネクタ４６3は、取り付け機構（図には
無い）を介してサポートストラクチャ５２4に機械的に
固定されている。ＴＡＢリード７６6のリードＡとリー
ドＢの端は、コネクタ４６3のリセプタクル（図には無
い）に挿入されている。この技術で周知のように、その
ようなリセプタクルは、ＴＡＢリード７６6の端部を受
け入れるときに十分な接触力を発揮できるようにするた
めにバネ機構を有している。２層ＴＡＢリード７６
6の、上部リードＡと下部リードＢの間に、サポート部
材５４4が設けられ、リードＡとリードＢを支持してい
る。
無い）を介してサポートストラクチャ５２4に機械的に
固定されている。ＴＡＢリード７６6のリードＡとリー
ドＢの端は、コネクタ４６3のリセプタクル（図には無
い）に挿入されている。この技術で周知のように、その
ようなリセプタクルは、ＴＡＢリード７６6の端部を受
け入れるときに十分な接触力を発揮できるようにするた
めにバネ機構を有している。２層ＴＡＢリード７６
6の、上部リードＡと下部リードＢの間に、サポート部
材５４4が設けられ、リードＡとリードＢを支持してい
る。
【００９６】ＴＡＢリード７６6は２層リードＡとＢを
有する構造なので、垂直方向にファンアウトを実現でき
る。これは、２つ以上の電気通路に信号や電力を供給す
るのに便利である。ファンアウトのもう一つの利点は、
コンタクトパッドの数を増加すること、すなわち、コン
タクトパッド間の有効ピッチ（距離）を減少できること
である。
有する構造なので、垂直方向にファンアウトを実現でき
る。これは、２つ以上の電気通路に信号や電力を供給す
るのに便利である。ファンアウトのもう一つの利点は、
コンタクトパッドの数を増加すること、すなわち、コン
タクトパッド間の有効ピッチ（距離）を減少できること
である。
【００９７】第２０図は本発明の第４実施例の更に他の
変形例を示しており、底型コンタクトパッドがプリント
回路基板上に設けらた接続パッドに導電バンプを介して
接続されている。第２０図の例では、コンタクトストラ
クチャ３０、コンタクトトレイス３２、スルーホール３
５、コンタクトパッド３６はコンタクト基板２０上に形
成している。コンタクトストラクチャ３０はコンタクト
基板２０の上表面に形成され、コンタクトパッド３６は
コンタクト基板２０の裏面に形成されている。
変形例を示しており、底型コンタクトパッドがプリント
回路基板上に設けらた接続パッドに導電バンプを介して
接続されている。第２０図の例では、コンタクトストラ
クチャ３０、コンタクトトレイス３２、スルーホール３
５、コンタクトパッド３６はコンタクト基板２０上に形
成している。コンタクトストラクチャ３０はコンタクト
基板２０の上表面に形成され、コンタクトパッド３６は
コンタクト基板２０の裏面に形成されている。
【００９８】一般的には、コンタクト基板２０はシリコ
ン基板であるが、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイ
ミド基板、セラミック基板、アルミナ基板のような他の
種類の誘電体基板も使用できる。コンタクト基板２０の
底にあるコンタクトパッド３６は、２層ＴＡＢリード７
６4と導電バンプ５６を介して、ＰＣＢ基板６２上に設
けられたＰＣＢ（プリント回路基板）パッド３８に接続
される。
ン基板であるが、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイ
ミド基板、セラミック基板、アルミナ基板のような他の
種類の誘電体基板も使用できる。コンタクト基板２０の
底にあるコンタクトパッド３６は、２層ＴＡＢリード７
６4と導電バンプ５６を介して、ＰＣＢ基板６２上に設
けられたＰＣＢ（プリント回路基板）パッド３８に接続
される。
【００９９】コンタクト基板２０は、サポートストラク
チャ５２3とエラストマ４２を介してＰＣＢ基板６２上
に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ４
２、サポートストラクチャ５２3、ＰＣＢ基板６２は、
それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無い）により接
着されている。ＴＡＢリード７６4の上部リードＡと下
部リードＢとの間には、上部リードＡと下部リードＢを
支持するために、サポート部材５４2が設けられてい
る。
チャ５２3とエラストマ４２を介してＰＣＢ基板６２上
に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ４
２、サポートストラクチャ５２3、ＰＣＢ基板６２は、
それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無い）により接
着されている。ＴＡＢリード７６4の上部リードＡと下
部リードＢとの間には、上部リードＡと下部リードＢを
支持するために、サポート部材５４2が設けられてい
る。
【０１００】導電バンプ５６を加熱することによって、
ＴＡＢリード７６4とＰＣＢパッド３８の間で導電バン
プ５６が溶解凝固（リフロー）して両者が接続される。
導電バンプ５６の例としては、標準的なハンダボール技
術で用いられているハンダバンプがある。導電バンプ５
６の他の例としては、プラズマ支援（プラズマアシステ
ド）ドライハンダ技術におけるフラックス無しのハンダ
ボールがある。
ＴＡＢリード７６4とＰＣＢパッド３８の間で導電バン
プ５６が溶解凝固（リフロー）して両者が接続される。
導電バンプ５６の例としては、標準的なハンダボール技
術で用いられているハンダバンプがある。導電バンプ５
６の他の例としては、プラズマ支援（プラズマアシステ
ド）ドライハンダ技術におけるフラックス無しのハンダ
ボールがある。
【０１０１】導電バンプ５６のさらに他の例は、バンプ
にポリマーを使用した、導電ポリマーバンプとコンプラ
イアントバンプである。これは、本発明のパッケージン
グ・相互接続における、プラナリゼイション（表面不均
一性）の問題やＣＴＥ（温度膨張係数）ミスマッチを最
小限にする役割も果たす。導電ポリマーバンプはスクリ
ーンプリント導電接着剤で構成されている。コンプライ
アントバンプは金属コーティングしてあるポリマーを核
とした導電バンプであり、典型的には金メッキが施さ
れ、柔軟に圧縮されうる。導電バンプ５６のさらに他の
例は、半田ボールが蒸発過程によって形成される、コン
トロールド・コラプス・チップ接続技術にて使用される
導電バンプである。
にポリマーを使用した、導電ポリマーバンプとコンプラ
イアントバンプである。これは、本発明のパッケージン
グ・相互接続における、プラナリゼイション（表面不均
一性）の問題やＣＴＥ（温度膨張係数）ミスマッチを最
小限にする役割も果たす。導電ポリマーバンプはスクリ
ーンプリント導電接着剤で構成されている。コンプライ
アントバンプは金属コーティングしてあるポリマーを核
とした導電バンプであり、典型的には金メッキが施さ
れ、柔軟に圧縮されうる。導電バンプ５６のさらに他の
例は、半田ボールが蒸発過程によって形成される、コン
トロールド・コラプス・チップ接続技術にて使用される
導電バンプである。
【０１０２】ＴＡＢリード７６4は階層構造によるリー
ドＡとリードＢを有するので、この２つのリードによっ
て、低い抵抗の信号通路を形成できる。これは、例えば
半導体部品をテストするためのグラウンドラインやパワ
ーラインにおいて、テスト信号の波形を変形させない
で、多大な電流を流すために有効である。
ドＡとリードＢを有するので、この２つのリードによっ
て、低い抵抗の信号通路を形成できる。これは、例えば
半導体部品をテストするためのグラウンドラインやパワ
ーラインにおいて、テスト信号の波形を変形させない
で、多大な電流を流すために有効である。
【０１０３】第２１図は、本発明の第４実施例における
更に他の変形例を示す。この例では、上部リードＡと下
部リードＢを有する２層ＴＡＢリード７６2が、コンタ
クトストラクチャ３０に接続されたコンタクトパッド３
６に接続されている。上部リードＡは第２１図の下部リ
ードＢより上側でかつ外側に位置して備えられている。
上部リードＡは導電バンプ５６を介してＰＣＢパッド３
８に接続され、下部リードＢは導電バンプ５７を介して
ＰＣＢパッド３９に接続される。ＰＣＢパッド３８と３
９を備えるために、ＰＣＢ基板６２3は端部がより大き
な厚み部、例えばステップを有し、そこにＰＣＢパッド
３８を搭載し、それに隣接した内部には小さな厚み部を
有し、そこにＰＣＢパッド３９を搭載するように構成さ
れている。
更に他の変形例を示す。この例では、上部リードＡと下
部リードＢを有する２層ＴＡＢリード７６2が、コンタ
クトストラクチャ３０に接続されたコンタクトパッド３
６に接続されている。上部リードＡは第２１図の下部リ
ードＢより上側でかつ外側に位置して備えられている。
上部リードＡは導電バンプ５６を介してＰＣＢパッド３
８に接続され、下部リードＢは導電バンプ５７を介して
ＰＣＢパッド３９に接続される。ＰＣＢパッド３８と３
９を備えるために、ＰＣＢ基板６２3は端部がより大き
な厚み部、例えばステップを有し、そこにＰＣＢパッド
３８を搭載し、それに隣接した内部には小さな厚み部を
有し、そこにＰＣＢパッド３９を搭載するように構成さ
れている。
【０１０４】導電バンプ５６を加熱することによって、
ＴＡＢリード７６2とＰＣＢパッド３８の間で導電バン
プ５６が溶解凝固（リフロー）することにより両者が接
続される。導電バンプ５６の例としては、標準的なハン
ダボール技術で用いられているハンダバンプがある。導
電バンプ５６の他の例としては、プラズマ支援（プラズ
マアシステド）ドライハンダ技術におけるフラックス無
しのハンダボールがある。
ＴＡＢリード７６2とＰＣＢパッド３８の間で導電バン
プ５６が溶解凝固（リフロー）することにより両者が接
続される。導電バンプ５６の例としては、標準的なハン
ダボール技術で用いられているハンダバンプがある。導
電バンプ５６の他の例としては、プラズマ支援（プラズ
マアシステド）ドライハンダ技術におけるフラックス無
しのハンダボールがある。
【０１０５】ＴＡＢリード７６2は２層リードＡとＢを
有する構造なので、垂直方向にファンアウトを実現でき
る。これは、２つ以上の電気通路に信号や電力を供給す
るのに便利である。ファンアウトのもう一つの利点は、
コンタクトパッドの数を増加すること、すなわち、コン
タクトパッド間の有効ピッチ（距離）を減少できること
である。
有する構造なので、垂直方向にファンアウトを実現でき
る。これは、２つ以上の電気通路に信号や電力を供給す
るのに便利である。ファンアウトのもう一つの利点は、
コンタクトパッドの数を増加すること、すなわち、コン
タクトパッド間の有効ピッチ（距離）を減少できること
である。
【０１０６】第２２図は、本発明の第４実施例における
更にもう１つの変形例を示しており、この例では底型コ
ンタクトパッドが、導電ポリマーを介してプリント回路
基板に設けられた接続パッドに接続されている。第２２
図の例では、コンタクトストラクチャ３０、コンタクト
トレイス３２、スルーホール３５、コンタクトパッド３
６はコンタクト基板２０上に形成される。コンタクトス
トラクチャ３０はコンタクト基板２０の上表面に形成さ
れ、コンタクトパッド３６は基板２０の底（裏）表面に
形成されている。一般的にコンタクト基板２０はシリコ
ン基板であるが、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイ
ミド基板、セラミック基板、アルミナ基板のような、他
の種類の誘電体基板も使用できる。コンタクトパッド３
６は、導電ポリマー６６と２層ＴＡＢリード７６4を介
して、ＰＣＢ基板６２上に備えられたＰＣＢ（プリント
回路基板）パッド３８に接続される。
更にもう１つの変形例を示しており、この例では底型コ
ンタクトパッドが、導電ポリマーを介してプリント回路
基板に設けられた接続パッドに接続されている。第２２
図の例では、コンタクトストラクチャ３０、コンタクト
トレイス３２、スルーホール３５、コンタクトパッド３
６はコンタクト基板２０上に形成される。コンタクトス
トラクチャ３０はコンタクト基板２０の上表面に形成さ
れ、コンタクトパッド３６は基板２０の底（裏）表面に
形成されている。一般的にコンタクト基板２０はシリコ
ン基板であるが、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイ
ミド基板、セラミック基板、アルミナ基板のような、他
の種類の誘電体基板も使用できる。コンタクトパッド３
６は、導電ポリマー６６と２層ＴＡＢリード７６4を介
して、ＰＣＢ基板６２上に備えられたＰＣＢ（プリント
回路基板）パッド３８に接続される。
【０１０７】コンタクト基板２０は、サポートストラク
チャ５２3とエラストマ４２を介してＰＣＢ基板６２上
に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ４
２、サポートストラクチャ５２3、およびＰＣＢ基板６
２は、それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無い）で
接着されている。ＴＡＢリード７６4の上部リードＡと
下部リードＢの間には、上部リードＡと下部リードＢを
支持するためのサポート部材５４2が備えられている。
チャ５２3とエラストマ４２を介してＰＣＢ基板６２上
に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ４
２、サポートストラクチャ５２3、およびＰＣＢ基板６
２は、それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無い）で
接着されている。ＴＡＢリード７６4の上部リードＡと
下部リードＢの間には、上部リードＡと下部リードＢを
支持するためのサポート部材５４2が備えられている。
【０１０８】ほとんどの導電ポリマーは接続されるべき
２つの電極間において垂直方向に導電性を有し、水平方
向には導電性を有しないように設計されている。導電ポ
リマー６６の例としては、導電エラストマーがあり、そ
のエラストマにはエラストマ表面より上に延びた導電ワ
イヤーが充填されている。
２つの電極間において垂直方向に導電性を有し、水平方
向には導電性を有しないように設計されている。導電ポ
リマー６６の例としては、導電エラストマーがあり、そ
のエラストマにはエラストマ表面より上に延びた導電ワ
イヤーが充填されている。
【０１０９】導電ポリマー６６は他の様々なタイプが可
能であり、例えばアニソトロピック（異方性）導電接着
剤、アニソトロピック導電フィルム、アニソトロピック
導電ペースト、アニソトロピック導電粒などが使用でき
る。アニソトロピック導電接着剤は、導電粒が互いに接
触しない状態で充填されている。導電通路は、所定位置
における２つのエレクトロード（電極）間で接着剤が押
しつけられることで形成される。アニソトロピック導電
フィルムは、互いに接触しない状態の導電粒が充填され
た薄い誘電性樹脂である。導電通路は、所定位置におけ
る２つのエレクトロード間で導電フィルムが押しつけら
れることにより形成される。
能であり、例えばアニソトロピック（異方性）導電接着
剤、アニソトロピック導電フィルム、アニソトロピック
導電ペースト、アニソトロピック導電粒などが使用でき
る。アニソトロピック導電接着剤は、導電粒が互いに接
触しない状態で充填されている。導電通路は、所定位置
における２つのエレクトロード（電極）間で接着剤が押
しつけられることで形成される。アニソトロピック導電
フィルムは、互いに接触しない状態の導電粒が充填され
た薄い誘電性樹脂である。導電通路は、所定位置におけ
る２つのエレクトロード間で導電フィルムが押しつけら
れることにより形成される。
【０１１０】アニソトロピック導電ペーストは、互いに
接触しない状態で充填された伝導粒を有するスクリーン
プリント・ペーストである。導電通路は、所定位置にお
ける２つのエレクトロード間で導電ペーストが押しつけ
られることで形成される。アニソトロピック導電粒は、
絶縁性を向上するように非常に薄い誘電材料被膜により
コーティングされた伝導粒で満たされた薄い誘電体樹脂
である。導電通路は、所定位置における２つのエレクト
ロード間で、導電粒を覆っている誘電コーティングを破
裂させるのに十分な力で押しつけることで形成される。
接触しない状態で充填された伝導粒を有するスクリーン
プリント・ペーストである。導電通路は、所定位置にお
ける２つのエレクトロード間で導電ペーストが押しつけ
られることで形成される。アニソトロピック導電粒は、
絶縁性を向上するように非常に薄い誘電材料被膜により
コーティングされた伝導粒で満たされた薄い誘電体樹脂
である。導電通路は、所定位置における２つのエレクト
ロード間で、導電粒を覆っている誘電コーティングを破
裂させるのに十分な力で押しつけることで形成される。
【０１１１】ＴＡＢリード７６4は、階層的構造により
段式のリードＡとＢを有するので、この２つのリードに
よって、低い抵抗の信号通路を形成することができる。
これは、例えば半導体部品をテストするためのグラウン
ドラインやパワーラインにおいて、テスト信号の波形を
変形させないで多大な電流を流すのに有効である。
段式のリードＡとＢを有するので、この２つのリードに
よって、低い抵抗の信号通路を形成することができる。
これは、例えば半導体部品をテストするためのグラウン
ドラインやパワーラインにおいて、テスト信号の波形を
変形させないで多大な電流を流すのに有効である。
【０１１２】第２３図は、本発明の第４実施例における
もう１つの変形例を示している。この例では、上部リー
ドＡと下部リードＢを有する２層ＴＡＢリード７６
2は、コンタクトトレイス３２とコンタクトストラクチ
ャ３０に接続されたコンタクトパッド３６に接続されて
いる。上部リードＡは、第２３図の下部リードＢより上
側でかつで外側に位置して設けられている。上部リード
Ａは、導電ポリマー６６を介してＰＣＢ（プリント回路
基板）パッド３８に接続されており、下部リードＢは、
導電ポリマー６７を介してＰＣＢパッド３９に接続され
ている。ＰＣＢパッド３８と３９を備えるために、ＰＣ
Ｂ基板６２3は端部がより大きな厚み部、例えばステッ
プを有し、そこにＰＣＢパッド３８を搭載し、それに隣
接した内部には小さな厚み部を有し、そこにＰＣＢパッ
ド３９を搭載するように構成されている。
もう１つの変形例を示している。この例では、上部リー
ドＡと下部リードＢを有する２層ＴＡＢリード７６
2は、コンタクトトレイス３２とコンタクトストラクチ
ャ３０に接続されたコンタクトパッド３６に接続されて
いる。上部リードＡは、第２３図の下部リードＢより上
側でかつで外側に位置して設けられている。上部リード
Ａは、導電ポリマー６６を介してＰＣＢ（プリント回路
基板）パッド３８に接続されており、下部リードＢは、
導電ポリマー６７を介してＰＣＢパッド３９に接続され
ている。ＰＣＢパッド３８と３９を備えるために、ＰＣ
Ｂ基板６２3は端部がより大きな厚み部、例えばステッ
プを有し、そこにＰＣＢパッド３８を搭載し、それに隣
接した内部には小さな厚み部を有し、そこにＰＣＢパッ
ド３９を搭載するように構成されている。
【０１１３】ＴＡＢリード７６2とＰＣＢパッド３８と
３９の間の電気的接続は、スクリーンプリントハンダ技
術や各種のボンディング技術のようなサーフェスマウン
ト技術（ＳＭＴ）を用いて形成される。ボンディング技
術には、サーモソニック・ボンディング、サーモコンプ
レッション・ボンディング、ウルトラソニック・ボンデ
ィング等がある。
３９の間の電気的接続は、スクリーンプリントハンダ技
術や各種のボンディング技術のようなサーフェスマウン
ト技術（ＳＭＴ）を用いて形成される。ボンディング技
術には、サーモソニック・ボンディング、サーモコンプ
レッション・ボンディング、ウルトラソニック・ボンデ
ィング等がある。
【０１１４】２層リードＡとＢを有するＴＡＢリード７
６2の階層構造により、垂直方向にファンアウトを形成
できる。これは、２つ以上の通路に信号または電力を供
給するのに便利である。ファンアウトの他の利点は、コ
ンタクトパッドの数を増加できること、すなわち、コン
タクトパッド間の有効ピッチ（距離）を減少できること
である。
６2の階層構造により、垂直方向にファンアウトを形成
できる。これは、２つ以上の通路に信号または電力を供
給するのに便利である。ファンアウトの他の利点は、コ
ンタクトパッドの数を増加できること、すなわち、コン
タクトパッド間の有効ピッチ（距離）を減少できること
である。
【０１１５】第２４図−第３１図は、本発明の第５実施
例を示しており、底型コンタクトパッドが、テープ自動
ボンディング（ＴＡＢ）プロセスにより形成する３層Ｔ
ＡＢリードを介して、コンタクトターゲットに接続され
ている。第２４図の例では、コンタクト基板２０上に形
成されたコンタクトストラクチャ３０が、コンタクトト
レイス３２とスルーホール３５を介してコンタクトパッ
ド３６に電気的に接続されている。コンタクトストラク
チャ３０はコンタクト基板２０の上面に形成され、コン
タクトパッド３６は基板２０の裏面に形成されている。
コンタクトパッド３６はその底表面が、３層ＴＡＢリー
ド７８と接続しており、その３層ＴＡＢリードは、他端
がＰＣＢ基板６２に設けられたプリント回路基板（ＰＣ
Ｂ）接続パッド３８に接続されている。
例を示しており、底型コンタクトパッドが、テープ自動
ボンディング（ＴＡＢ）プロセスにより形成する３層Ｔ
ＡＢリードを介して、コンタクトターゲットに接続され
ている。第２４図の例では、コンタクト基板２０上に形
成されたコンタクトストラクチャ３０が、コンタクトト
レイス３２とスルーホール３５を介してコンタクトパッ
ド３６に電気的に接続されている。コンタクトストラク
チャ３０はコンタクト基板２０の上面に形成され、コン
タクトパッド３６は基板２０の裏面に形成されている。
コンタクトパッド３６はその底表面が、３層ＴＡＢリー
ド７８と接続しており、その３層ＴＡＢリードは、他端
がＰＣＢ基板６２に設けられたプリント回路基板（ＰＣ
Ｂ）接続パッド３８に接続されている。
【０１１６】コンタクト基板２０は、エラストマ４２と
サポートストラクチャ５２3を介してＰＣＢ基板６２上
に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ４
２、サポートストラクチャ５２3、ＰＣＢ基板６２は互
いに、例えば接着剤（図には無い）を介してで固定され
ている。この例では、コンタクトパッド３６とＰＣＢパ
ッド３８を接続するための３層ＴＡＢリード７８は、上
部リードＡ，中間リードＢ、下部リードＣを有する。サ
ポートメンバ（部材）５４4は、３層ＴＡＢリード７８
の上部リードＡと中間リードＢの間に備えられている。
サポートメンバ（部材）５４5は、３層ＴＡＢリード７
８の中間リードＢと下部リードＣの間に備えられてい
る。
サポートストラクチャ５２3を介してＰＣＢ基板６２上
に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ４
２、サポートストラクチャ５２3、ＰＣＢ基板６２は互
いに、例えば接着剤（図には無い）を介してで固定され
ている。この例では、コンタクトパッド３６とＰＣＢパ
ッド３８を接続するための３層ＴＡＢリード７８は、上
部リードＡ，中間リードＢ、下部リードＣを有する。サ
ポートメンバ（部材）５４4は、３層ＴＡＢリード７８
の上部リードＡと中間リードＢの間に備えられている。
サポートメンバ（部材）５４5は、３層ＴＡＢリード７
８の中間リードＢと下部リードＣの間に備えられてい
る。
【０１１７】ＴＡＢリード７８は、全体としてガルウイ
ング（カモメの羽）の形状をしており、この形状、サー
フェスマウント（表面実装）技術で用いられる標準ガル
ウイングリードと類似している。ガルウイング型ＴＡＢ
７８が下向きに曲がっているので、第２４図の左端に示
すように、ＰＣＢパッド３８とＴＡＢリード７８の間の
接続部の上部に、十分な空間が得られる。ＴＡＢリード
７８のリードの形状（下向きのガルウイングリード）
は、特殊なツールを必要としうる。半導体テストのよう
な応用においては、コンタクトトレイスとＰＣＢパッド
の間に多数の相互接続が使用されるので、そのようなツ
ールは、そのようなリードの作成用に標準化して用いて
も不利ではない。
ング（カモメの羽）の形状をしており、この形状、サー
フェスマウント（表面実装）技術で用いられる標準ガル
ウイングリードと類似している。ガルウイング型ＴＡＢ
７８が下向きに曲がっているので、第２４図の左端に示
すように、ＰＣＢパッド３８とＴＡＢリード７８の間の
接続部の上部に、十分な空間が得られる。ＴＡＢリード
７８のリードの形状（下向きのガルウイングリード）
は、特殊なツールを必要としうる。半導体テストのよう
な応用においては、コンタクトトレイスとＰＣＢパッド
の間に多数の相互接続が使用されるので、そのようなツ
ールは、そのようなリードの作成用に標準化して用いて
も不利ではない。
【０１１８】ＴＡＢリード７８は階層式のリードＡ、
Ｂ、Ｃを有する構造をしているので、３つの導電リード
によって、信号経路における抵抗値の減少と大きな電流
容量を実現できる。これは、例えば半導体部品をテスト
するためのグラウンドラインやパワーラインにおいて、
テスト信号の波形を変形させないで多大な電流を流すの
に有利である。
Ｂ、Ｃを有する構造をしているので、３つの導電リード
によって、信号経路における抵抗値の減少と大きな電流
容量を実現できる。これは、例えば半導体部品をテスト
するためのグラウンドラインやパワーラインにおいて、
テスト信号の波形を変形させないで多大な電流を流すの
に有利である。
【０１１９】第２５図は、本発明の第５実施例の更に他
の例を示す。この例では、上部リードＡ、中間リード
Ｂ、下部リードＣを有する３層ＴＡＢリード７８2が、
コンタクトトレース３２、スルーホール３５、コンタク
トストラクチャ３０に接続されたコンタクトパッド３６
との接続のために用いられている。コンタクトストラク
チャ３０はコンタクト基板２０の上表面に形成され、コ
ンタクトパッド３６は基板２０の底（裏）表面に形成さ
れている。
の例を示す。この例では、上部リードＡ、中間リード
Ｂ、下部リードＣを有する３層ＴＡＢリード７８2が、
コンタクトトレース３２、スルーホール３５、コンタク
トストラクチャ３０に接続されたコンタクトパッド３６
との接続のために用いられている。コンタクトストラク
チャ３０はコンタクト基板２０の上表面に形成され、コ
ンタクトパッド３６は基板２０の底（裏）表面に形成さ
れている。
【０１２０】上部リードＡは、中間リードＢより、第２
５図の上側でかつ外側の位置に設けられ供給され、中間
リードＢは、下部リードＣより、第２５図の上側でかつ
外側の位置に設けられている。上部リードＡはＰＣＢパ
ッド３８に接続し、中間リードＢはＰＣＢパッド３９に
接続し、下部リードＣはＰＣＢパッド４０に接続する。
ＰＣＢパッド３８、３９、４０を搭載するために、ＰＣ
Ｂ基板６２4はそれぞれ縦方向に異なる位置にＰＣＢパ
ッド３８、３９、４０を搭載するようにアレンジした段
を有している。サポートメンバ５４6は、上部リードＡ
と中間リードＢの間に設けられ、サポートメンバ５４7
は中間リードＢと下部リードＣの間に設けられている。
５図の上側でかつ外側の位置に設けられ供給され、中間
リードＢは、下部リードＣより、第２５図の上側でかつ
外側の位置に設けられている。上部リードＡはＰＣＢパ
ッド３８に接続し、中間リードＢはＰＣＢパッド３９に
接続し、下部リードＣはＰＣＢパッド４０に接続する。
ＰＣＢパッド３８、３９、４０を搭載するために、ＰＣ
Ｂ基板６２4はそれぞれ縦方向に異なる位置にＰＣＢパ
ッド３８、３９、４０を搭載するようにアレンジした段
を有している。サポートメンバ５４6は、上部リードＡ
と中間リードＢの間に設けられ、サポートメンバ５４7
は中間リードＢと下部リードＣの間に設けられている。
【０１２１】ＴＡＢリード７８2と、ＰＣＢパッド３
８、３９、４０の間の電気的接続は、サーフェスマウン
ト技術（ＳＭＴ）により形成される。サーフェスマウン
ト技術には、スクリーンプリント・ハンダペーストや、
サーモソニック・ボンディング、サーモコンプレッショ
ン・ボンディング、ウルトラソニック・ボンディング等
の各種のボンディング技術を含む。使用部品のサイズが
微小であり、かつコンタクトストラクチャ３０とコンタ
クトトレイス３２、ＴＡＢリード７８2の信号経路が短
いので、第２５図の例は、容易に数ＧＨｚのような高周
波数領域で機能できる。そのうえ、組み立てに要する部
品数が少なく単純な構造であるので、本発明のパッケー
ジング・相互接続は、低コスト、高性能性、且つ高信頼
性を実現できる。
８、３９、４０の間の電気的接続は、サーフェスマウン
ト技術（ＳＭＴ）により形成される。サーフェスマウン
ト技術には、スクリーンプリント・ハンダペーストや、
サーモソニック・ボンディング、サーモコンプレッショ
ン・ボンディング、ウルトラソニック・ボンディング等
の各種のボンディング技術を含む。使用部品のサイズが
微小であり、かつコンタクトストラクチャ３０とコンタ
クトトレイス３２、ＴＡＢリード７８2の信号経路が短
いので、第２５図の例は、容易に数ＧＨｚのような高周
波数領域で機能できる。そのうえ、組み立てに要する部
品数が少なく単純な構造であるので、本発明のパッケー
ジング・相互接続は、低コスト、高性能性、且つ高信頼
性を実現できる。
【０１２２】ＴＡＢリード７８2は３層リードＡ、Ｂお
よびＣを有する階層構造となっているので、垂直方向に
ファンアウト（信号通路の分散）を形成できる。これ
は、２つ以上の通路に信号または電力を供給するのに便
利である。ファンアウトの他の利点は、コンタクトパッ
ドの数を増大できること、すなわち、コンタクトパッド
間の有効ピッチ（距離）を減少できることである。
よびＣを有する階層構造となっているので、垂直方向に
ファンアウト（信号通路の分散）を形成できる。これ
は、２つ以上の通路に信号または電力を供給するのに便
利である。ファンアウトの他の利点は、コンタクトパッ
ドの数を増大できること、すなわち、コンタクトパッド
間の有効ピッチ（距離）を減少できることである。
【０１２３】第２６図は、本発明の第５の実施例におけ
る更にもう１つの変形例を示しており、底型コンタクト
パッド３６が、プリント回路基板または他のストラクチ
ャ上に設けられたコネクタに接続されている。第２６図
の例では、コンタクトストラクチャ３０に接続されたコ
ンタクトパッド３６は、３層ＴＡＢリード７８を介して
コネクタ４６2に接続している。３層タブリード７８
は、第２４図に示したものと同じ形状をしている。コネ
クタ４６2は、サポートストラクチャ５２4上に設けられ
ている。
る更にもう１つの変形例を示しており、底型コンタクト
パッド３６が、プリント回路基板または他のストラクチ
ャ上に設けられたコネクタに接続されている。第２６図
の例では、コンタクトストラクチャ３０に接続されたコ
ンタクトパッド３６は、３層ＴＡＢリード７８を介して
コネクタ４６2に接続している。３層タブリード７８
は、第２４図に示したものと同じ形状をしている。コネ
クタ４６2は、サポートストラクチャ５２4上に設けられ
ている。
【０１２４】コネクタ４６2は、アタッチメント機構
（図には無い）を用いてサポートストラクチャ５２4に
機械的に固定してもよい。ＴＡＢリード７８の端部は、
コネクタ４６2のリセプタクル（図には無い）に挿入さ
れている。この技術では周知のように、そのようなリセ
プタクルは、ＴＡＢリード７８の端部を受け入れるとき
に十分な接触力を発揮できるようにするためにバネ機構
を有している。３層ＴＡＢリード７８の、上部リードＡ
と中間リードＢの間に、サポート部材５４4が、リード
ＡとリードＢを支持するために備えられている。３層Ｔ
ＡＢリード７８の、中間リードＢと下部リードＣの間
に、サポート部材５４5が、リードＢとリードＣを支持
するために備えられている。
（図には無い）を用いてサポートストラクチャ５２4に
機械的に固定してもよい。ＴＡＢリード７８の端部は、
コネクタ４６2のリセプタクル（図には無い）に挿入さ
れている。この技術では周知のように、そのようなリセ
プタクルは、ＴＡＢリード７８の端部を受け入れるとき
に十分な接触力を発揮できるようにするためにバネ機構
を有している。３層ＴＡＢリード７８の、上部リードＡ
と中間リードＢの間に、サポート部材５４4が、リード
ＡとリードＢを支持するために備えられている。３層Ｔ
ＡＢリード７８の、中間リードＢと下部リードＣの間
に、サポート部材５４5が、リードＢとリードＣを支持
するために備えられている。
【０１２５】ＴＡＢリード７８は３層のリードＡ、Ｂ、
Ｃを有する構造なので、３個の導電リードによって、信
号通路における小さな抵抗と大きな電流キャパシティー
を実現できる。これは、例えば半導体部品をテストする
ためのグラウンドラインやパワーラインにおいて、テス
ト信号の波形を変形させないで多大な電流を流すのに有
利である。
Ｃを有する構造なので、３個の導電リードによって、信
号通路における小さな抵抗と大きな電流キャパシティー
を実現できる。これは、例えば半導体部品をテストする
ためのグラウンドラインやパワーラインにおいて、テス
ト信号の波形を変形させないで多大な電流を流すのに有
利である。
【０１２６】第２７図は、本発明の第５実施例における
さらに他の変形例を示す。この例では、底型コンタクト
パッド３６はプリント回路基板又は他のストラクチャ上
に設けられたコネクタに接続されている。第２７図の例
では、コンタクト基板２０の底（裏）表面に設けられた
コンタクトパッド３６が、３層ＴＡＢリード７８2を介
してコネクタ４６4に接続している。３層ＴＡＢリード
７８2は、上部リードＡ、中間リードＢ、下部リードＣ
とを有しており、それらの端部は互いに分離している。
コネクタ４６4はサポートストラクチャ５２4に備えられ
ている。
さらに他の変形例を示す。この例では、底型コンタクト
パッド３６はプリント回路基板又は他のストラクチャ上
に設けられたコネクタに接続されている。第２７図の例
では、コンタクト基板２０の底（裏）表面に設けられた
コンタクトパッド３６が、３層ＴＡＢリード７８2を介
してコネクタ４６4に接続している。３層ＴＡＢリード
７８2は、上部リードＡ、中間リードＢ、下部リードＣ
とを有しており、それらの端部は互いに分離している。
コネクタ４６4はサポートストラクチャ５２4に備えられ
ている。
【０１２７】コネクタ４６4は、アタッチメント機構
（図には無い）を用いてサポートストラクチャ５２4に
機械的な手段により固定してもよい。ＴＡＢリード７８
2の各リードＡ、Ｂ、Ｃの先端部が、コネクタ４６4のリ
セプタクル（図に無し）に挿入されている。この技術分
野では周知のように、そのようなリセプタクルは、ＴＡ
Ｂリード７８2の端部を受け入れるときに十分な接触力
を発揮できるようにバネ機構を有している。３層ＴＡＢ
リード７８2の上部リードＡと中間リードＢの間に、サ
ポート部材５４6が設けられている。また３層ＴＡＢリ
ード７８2の中間リードＢと下部リードＣの間に、サポ
ート部材５４7が設けられている。
（図には無い）を用いてサポートストラクチャ５２4に
機械的な手段により固定してもよい。ＴＡＢリード７８
2の各リードＡ、Ｂ、Ｃの先端部が、コネクタ４６4のリ
セプタクル（図に無し）に挿入されている。この技術分
野では周知のように、そのようなリセプタクルは、ＴＡ
Ｂリード７８2の端部を受け入れるときに十分な接触力
を発揮できるようにバネ機構を有している。３層ＴＡＢ
リード７８2の上部リードＡと中間リードＢの間に、サ
ポート部材５４6が設けられている。また３層ＴＡＢリ
ード７８2の中間リードＢと下部リードＣの間に、サポ
ート部材５４7が設けられている。
【０１２８】ＴＡＢリード７８2は３層リードＡ、Ｂ、
Ｃを有する構造なので、垂直方向にファンアウトを形成
できる。これは、２つ以上の通路に信号または電力を供
給するのに便利である。ファンアウトの他の利点は、コ
ンタクトパッドの数を増大できること、すなわち、コン
タクトパッド間の有効ピッチ（距離）を減少できること
である。
Ｃを有する構造なので、垂直方向にファンアウトを形成
できる。これは、２つ以上の通路に信号または電力を供
給するのに便利である。ファンアウトの他の利点は、コ
ンタクトパッドの数を増大できること、すなわち、コン
タクトパッド間の有効ピッチ（距離）を減少できること
である。
【０１２９】第２８図は、本発明の第５実施例の更にも
う１つの例を示しており、底型コンタクトパッドは、導
電バンプを介してプリント回路基板上の接続パッドに接
続されている。第２８図の例では、コンタクトストラク
チャ３０、コンタクトトレイス３２、スルーホール３
５、コンタクトパッド３６がコンタクト基板２０上に形
成されている。コンタクトストラクチャ３０はコンタク
ト基板２０の上表面に形成され、コンタクトパッド３６
は基板２０の底（裏）表面に形成されている。一般的に
は、コンタクト基板２０はシリコン基板であるが、例え
ば、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、セラミック
基板、アルミナ基板のような、他の誘電体基板も使用で
きる。コンタクトパッド３６は、３層ＴＡＢリード７８
を介して、ＰＣＢ基板６２に備えられたＰＣＢ（プリン
ト回路基板）パッド３８に接続される。
う１つの例を示しており、底型コンタクトパッドは、導
電バンプを介してプリント回路基板上の接続パッドに接
続されている。第２８図の例では、コンタクトストラク
チャ３０、コンタクトトレイス３２、スルーホール３
５、コンタクトパッド３６がコンタクト基板２０上に形
成されている。コンタクトストラクチャ３０はコンタク
ト基板２０の上表面に形成され、コンタクトパッド３６
は基板２０の底（裏）表面に形成されている。一般的に
は、コンタクト基板２０はシリコン基板であるが、例え
ば、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、セラミック
基板、アルミナ基板のような、他の誘電体基板も使用で
きる。コンタクトパッド３６は、３層ＴＡＢリード７８
を介して、ＰＣＢ基板６２に備えられたＰＣＢ（プリン
ト回路基板）パッド３８に接続される。
【０１３０】コンタクト基板２０は、サポートストラク
チャ５２3とエラストマ４２とを介してＰＣＢ基板６２
上に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ
４２、サポートストラクチャ５２3、およびＰＣＢ基板
６２は、それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無い）
を介して固定している。３層ＴＡＢリード７８の上部リ
ードＡと中間リードＢの間には、リードＡとＢを支持す
る為のサポート部材５４4が設けられている。また３層
ＴＡＢリード７８の中間リードＢと下部リードＣの間に
は、リードＢとＣを支持する為のサポートメンバ５４5
が設けられている。
チャ５２3とエラストマ４２とを介してＰＣＢ基板６２
上に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ
４２、サポートストラクチャ５２3、およびＰＣＢ基板
６２は、それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無い）
を介して固定している。３層ＴＡＢリード７８の上部リ
ードＡと中間リードＢの間には、リードＡとＢを支持す
る為のサポート部材５４4が設けられている。また３層
ＴＡＢリード７８の中間リードＢと下部リードＣの間に
は、リードＢとＣを支持する為のサポートメンバ５４5
が設けられている。
【０１３１】ＴＡＢリード７８は階層構造のリードＡ、
Ｂ、Ｃを有するので、３個の導電リードによって、信号
経路における小さな抵抗と大きな電流キャパシティーを
実現できる。これは、例えば半導体部品をテストするた
めのグラウンドラインやパワーラインにおいて、テスト
信号の波形を変形させないで多大な電流を流すの有利で
ある。
Ｂ、Ｃを有するので、３個の導電リードによって、信号
経路における小さな抵抗と大きな電流キャパシティーを
実現できる。これは、例えば半導体部品をテストするた
めのグラウンドラインやパワーラインにおいて、テスト
信号の波形を変形させないで多大な電流を流すの有利で
ある。
【０１３２】導電バンプを加熱することにより、導電バ
ンプ５６がＰＣＢパッド３８に溶解凝固（リフロー）し
て、ＴＡＢリード７８とＰＣＢパッド３８の間を接続す
る。導電バンプ５６の例としては、標準ハンダボール技
術で用いられるハンダバンプがある。導電バンプ５６の
他の例としては、プラズマ支援によるドライハンダに用
いられるフラックスレスのハンダボールがある。
ンプ５６がＰＣＢパッド３８に溶解凝固（リフロー）し
て、ＴＡＢリード７８とＰＣＢパッド３８の間を接続す
る。導電バンプ５６の例としては、標準ハンダボール技
術で用いられるハンダバンプがある。導電バンプ５６の
他の例としては、プラズマ支援によるドライハンダに用
いられるフラックスレスのハンダボールがある。
【０１３３】第２９図は、本発明の第５実施例の更に他
の例を示す。この例では、上部リードＡ，中部リード
Ｂ，下部リードＣを有する３層ＴＡＢリード７８2がコ
ンタクトストラクチャ３０に接続されたコンタクトパッ
ド３６に接続されている。上部リードＡは、中間リード
Ｂより、第２９図の上側でかつ外側の位置に設けらてい
る。中間リードＢは下部リードＣよりも、第２９図の上
側でかつ外側の位置に設けられている。上部リードＡは
導電バンプ５６を介してＰＣＢパッド３８に接続してお
り、中間リードＢは導電バンプ５７を介してＰＣＢパッ
ド３９に接続しており、下部リードＣは導電バンプ５８
を介してＰＣＢパッド４０に接続している。ＰＣＢパッ
ド３８、３９、４０を搭載するために、ＰＣＢ基板６２
4はその端部において、それぞれ縦方向の異なる位置で
ＰＣＢパッド３８、３９、４０を搭載できるような段を
有するように構成されている。サポート部材５４6は、
上部リードＡと中間リードＢの間に設けられ、サポート
部材５４7は中間リードＢと下部リードＣとの間に設け
られている。
の例を示す。この例では、上部リードＡ，中部リード
Ｂ，下部リードＣを有する３層ＴＡＢリード７８2がコ
ンタクトストラクチャ３０に接続されたコンタクトパッ
ド３６に接続されている。上部リードＡは、中間リード
Ｂより、第２９図の上側でかつ外側の位置に設けらてい
る。中間リードＢは下部リードＣよりも、第２９図の上
側でかつ外側の位置に設けられている。上部リードＡは
導電バンプ５６を介してＰＣＢパッド３８に接続してお
り、中間リードＢは導電バンプ５７を介してＰＣＢパッ
ド３９に接続しており、下部リードＣは導電バンプ５８
を介してＰＣＢパッド４０に接続している。ＰＣＢパッ
ド３８、３９、４０を搭載するために、ＰＣＢ基板６２
4はその端部において、それぞれ縦方向の異なる位置で
ＰＣＢパッド３８、３９、４０を搭載できるような段を
有するように構成されている。サポート部材５４6は、
上部リードＡと中間リードＢの間に設けられ、サポート
部材５４7は中間リードＢと下部リードＣとの間に設け
られている。
【０１３４】導電バンプを加熱することにより、導電バ
ンプ５６、５７、５８がＰＣＢパッド３８、３９、４０
に溶解凝固（リフロー）して、ＴＡＢリード７８2とＰ
ＣＢパッド３８、３９、４０の間を接続する。導電バン
プ５６、５７、５８の例としては、標準ハンダボール技
術で用いられるハンダバンプがある。導電バンプ５６、
５７、５８の他の例としては、プラズマ支援によるドラ
イハンダ技術に用いられるフラックスレス・ハンダボー
ルがある。
ンプ５６、５７、５８がＰＣＢパッド３８、３９、４０
に溶解凝固（リフロー）して、ＴＡＢリード７８2とＰ
ＣＢパッド３８、３９、４０の間を接続する。導電バン
プ５６、５７、５８の例としては、標準ハンダボール技
術で用いられるハンダバンプがある。導電バンプ５６、
５７、５８の他の例としては、プラズマ支援によるドラ
イハンダ技術に用いられるフラックスレス・ハンダボー
ルがある。
【０１３５】ＴＡＢリード７８2は階層構造のリード
Ａ、Ｂ、Ｃを有するので、垂直方向にファンアウト（信
号通路の分配）を形成できる。これは、２つ以上の経路
に信号や電力を供給するのに便利である。ファンアウト
の他の利点としては、コンタクトパッドの数を増大でき
ること、すなわち、コンタクトパッド間の有効ピッチ
（距離）を減少できることである。
Ａ、Ｂ、Ｃを有するので、垂直方向にファンアウト（信
号通路の分配）を形成できる。これは、２つ以上の経路
に信号や電力を供給するのに便利である。ファンアウト
の他の利点としては、コンタクトパッドの数を増大でき
ること、すなわち、コンタクトパッド間の有効ピッチ
（距離）を減少できることである。
【０１３６】第３０図は、本発明の第５実施例の更にも
う一つの例を示しており、底型コンタクトパッドは、導
電ポリマーを介して、プリント回路基板上に設けられた
接続パッドに接続されている。第３０図の例では、コン
タクトストラクチャ３０、コンタクトトレイス３２、ス
ルーホール、コンタクトパッド３６はコンタクト基板２
０上に形成されている。コンタクトストラクチャ３０は
コンタクト基板２０の上表面に形成されており、コンタ
クトパッド３６は基板２０の底（裏）表面上に形成され
ている。一般的には、コンタクト基板２０はシリコン基
板であるが、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイミド
基板、セラミック基板、アルミナ基板のような、他の誘
電体基板も使用できる。コンタクトパッド３６は、３層
ＴＡＢリード７８を介して、ＰＣＢ基板６２に備えられ
たＰＣＢ（プリント回路基板）パッド３８に接続してい
る。
う一つの例を示しており、底型コンタクトパッドは、導
電ポリマーを介して、プリント回路基板上に設けられた
接続パッドに接続されている。第３０図の例では、コン
タクトストラクチャ３０、コンタクトトレイス３２、ス
ルーホール、コンタクトパッド３６はコンタクト基板２
０上に形成されている。コンタクトストラクチャ３０は
コンタクト基板２０の上表面に形成されており、コンタ
クトパッド３６は基板２０の底（裏）表面上に形成され
ている。一般的には、コンタクト基板２０はシリコン基
板であるが、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイミド
基板、セラミック基板、アルミナ基板のような、他の誘
電体基板も使用できる。コンタクトパッド３６は、３層
ＴＡＢリード７８を介して、ＰＣＢ基板６２に備えられ
たＰＣＢ（プリント回路基板）パッド３８に接続してい
る。
【０１３７】コンタクト基板２０は、サポートストラク
チャ５２3とエラストマ４２とを介してＰＣＢ基板６２
上に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ
４２、サポートストラクチャ５２3、およびＰＣＢ基板
６２は、互いに、例えば接着剤（図には無い）で接着し
ている。３層ＴＡＢリード７８の上部リードＡと中間リ
ードＢの間には、リードＡとＢを支持する為のサポート
部材５４4が設けられている。また３層ＴＡＢリード７
８の中間リードＢと下部リードＣの間には、リードＢと
Ｃを支持する為のサポート部材５４5が設けられてい
る。
チャ５２3とエラストマ４２とを介してＰＣＢ基板６２
上に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ
４２、サポートストラクチャ５２3、およびＰＣＢ基板
６２は、互いに、例えば接着剤（図には無い）で接着し
ている。３層ＴＡＢリード７８の上部リードＡと中間リ
ードＢの間には、リードＡとＢを支持する為のサポート
部材５４4が設けられている。また３層ＴＡＢリード７
８の中間リードＢと下部リードＣの間には、リードＢと
Ｃを支持する為のサポート部材５４5が設けられてい
る。
【０１３８】ほとんどの導電ポリマーは接続されるべき
エレクトロード間において垂直方向に導電性を有し、水
平方向には導電性を有しないように設計されている。導
電ポリマー６６の例としは、導電エラストマーがあり、
そのエラストマにはエラストマ表面より上に延びた導電
ワイヤーが充填されている。
エレクトロード間において垂直方向に導電性を有し、水
平方向には導電性を有しないように設計されている。導
電ポリマー６６の例としは、導電エラストマーがあり、
そのエラストマにはエラストマ表面より上に延びた導電
ワイヤーが充填されている。
【０１３９】導電ポリマー６６は他の様々なタイプが可
能であり、例えばアニソトロピック（異方性）導電接着
剤、アニソトロピック導電フィルム、アニソトロピック
導電ペースト、アニソトロピック導電粒などが使用でき
る。アニソトロピック導電接着剤は、導電粒が互いに接
触しない状態で充填されている。導電通路は、所定位置
における２つのエレクトロード（電極）間で接着剤が押
しつけられることで形成される。アニソトロピック導電
フィルムは、互いに接触しない状態の導電粒が充填され
た薄い誘電性樹脂である。導電通路は、所定位置におけ
る２つのエレクトロード間で導電フィルムが押しつけら
れることにより形成される。
能であり、例えばアニソトロピック（異方性）導電接着
剤、アニソトロピック導電フィルム、アニソトロピック
導電ペースト、アニソトロピック導電粒などが使用でき
る。アニソトロピック導電接着剤は、導電粒が互いに接
触しない状態で充填されている。導電通路は、所定位置
における２つのエレクトロード（電極）間で接着剤が押
しつけられることで形成される。アニソトロピック導電
フィルムは、互いに接触しない状態の導電粒が充填され
た薄い誘電性樹脂である。導電通路は、所定位置におけ
る２つのエレクトロード間で導電フィルムが押しつけら
れることにより形成される。
【０１４０】アニソトロピック導電ペーストは、互いに
接触しない状態で充填された伝導粒を有するスクリーン
プリント・ペーストである。導電通路は、所定位置にお
ける２つのエレクトロード間で導電ペーストが押しつけ
られることで形成される。アニソトロピック導電粒は、
絶縁性を向上するように非常に薄い誘電材料被膜により
コーティングされた伝導粒で満たされた薄い誘電体樹脂
である。導電通路は、所定位置における２つのエレクト
ロード間で、導電粒を覆っている誘電コーティングを破
裂させるのに十分な力で押しつけることで形成される。
接触しない状態で充填された伝導粒を有するスクリーン
プリント・ペーストである。導電通路は、所定位置にお
ける２つのエレクトロード間で導電ペーストが押しつけ
られることで形成される。アニソトロピック導電粒は、
絶縁性を向上するように非常に薄い誘電材料被膜により
コーティングされた伝導粒で満たされた薄い誘電体樹脂
である。導電通路は、所定位置における２つのエレクト
ロード間で、導電粒を覆っている誘電コーティングを破
裂させるのに十分な力で押しつけることで形成される。
【０１４１】ＴＡＢリード７８は階層構造のリードＡ、
Ｂ、Ｃを有するので、３個の導電リードによって、信号
経路の抵抗を減少し、電流キャパシティーを増大するこ
とができる。これは、例えば半導体部品をテストするた
めのグラウンドラインやパワーラインにおいて、テスト
信号の波形を変形させないで多大な電流を流すために有
効である。
Ｂ、Ｃを有するので、３個の導電リードによって、信号
経路の抵抗を減少し、電流キャパシティーを増大するこ
とができる。これは、例えば半導体部品をテストするた
めのグラウンドラインやパワーラインにおいて、テスト
信号の波形を変形させないで多大な電流を流すために有
効である。
【０１４２】第３１図は、本発明の第５実施例の更にも
う１つの例を示している。この例では、上部リードＡ、
中部リードＢ、下部リードＣを有する３層ＴＡＢリード
７８2は、コンタクトトレイス３２とコンタクトストラ
クチャ３０に接続されたコンタクトパッド３６に接続さ
れている。上部リードＡは、第３１図の中間リードＢよ
り上側でかつ外側に設けられている。中間リードＢは、
第３１図の下部リードＣより上側でかつ外側に設けられ
ている。上部リードＡは、導電ポリマー６６を介してＰ
ＣＢパッド３８に接続されており、中間リードＢは、導
電ポリマー６７を介してＰＣＢパッド３９に接続してお
り、下部リードＣは導電ポリマ６８を介してＰＣＢパッ
ド４０に接続されている。ＰＣＢパッド３８、３９、４
０を搭載するために、ＰＣＢ基板６２4の端部は、ＰＣ
Ｂパッド３８、３９、４０を異なる縦方向位置で搭載す
るためのステップを有するように構成されている。サポ
ート部材５４6は、上部リードＡと中間リードＢの間に
設けられており、サポート部材５４7は中間リードＢと
下部リードＣとの間に設けられている。
う１つの例を示している。この例では、上部リードＡ、
中部リードＢ、下部リードＣを有する３層ＴＡＢリード
７８2は、コンタクトトレイス３２とコンタクトストラ
クチャ３０に接続されたコンタクトパッド３６に接続さ
れている。上部リードＡは、第３１図の中間リードＢよ
り上側でかつ外側に設けられている。中間リードＢは、
第３１図の下部リードＣより上側でかつ外側に設けられ
ている。上部リードＡは、導電ポリマー６６を介してＰ
ＣＢパッド３８に接続されており、中間リードＢは、導
電ポリマー６７を介してＰＣＢパッド３９に接続してお
り、下部リードＣは導電ポリマ６８を介してＰＣＢパッ
ド４０に接続されている。ＰＣＢパッド３８、３９、４
０を搭載するために、ＰＣＢ基板６２4の端部は、ＰＣ
Ｂパッド３８、３９、４０を異なる縦方向位置で搭載す
るためのステップを有するように構成されている。サポ
ート部材５４6は、上部リードＡと中間リードＢの間に
設けられており、サポート部材５４7は中間リードＢと
下部リードＣとの間に設けられている。
【０１４３】ＴＡＢリード７８2は階層構造のリード
Ａ、Ｂ、Ｃを有するので、垂直方向にファンアウト（信
号通路の分配）を形成できる。これは、２つ以上の経路
に信号や電力を供給するのに便利である。ファンアウト
の他の利点としては、コンタクトパッドの数を増大でき
ること、すなわち、コンタクトパッド間の有効ピッチ
（距離）を減少できることである。
Ａ、Ｂ、Ｃを有するので、垂直方向にファンアウト（信
号通路の分配）を形成できる。これは、２つ以上の経路
に信号や電力を供給するのに便利である。ファンアウト
の他の利点としては、コンタクトパッドの数を増大でき
ること、すなわち、コンタクトパッド間の有効ピッチ
（距離）を減少できることである。
【０１４４】第３２図は、本発明の第６実施例を示して
おり、トップ型コンタクトトレイスが、単層ＴＡＢリー
ドを介して第１コンタクトターゲットに接続され、底型
コンタクトパッドが、２層ＴＡＢリードを介して第２コ
ンタクトターゲットに接続されている。第３２図の例で
は、コンタクト基板２０上に形成されたコンタクトスト
ラクチャ３０は、コンタクトトレイス３２とスルーホー
ル３５を介してコンタクトパッド３６に電気的に接続さ
れている。コンタクトストラクチャ３０とコンタクトト
レイス３２は、コンタクト基板２０の上部表面に形成さ
れ、コンタクトパッド３６は基板２０の底（裏）表面に
形成されている。
おり、トップ型コンタクトトレイスが、単層ＴＡＢリー
ドを介して第１コンタクトターゲットに接続され、底型
コンタクトパッドが、２層ＴＡＢリードを介して第２コ
ンタクトターゲットに接続されている。第３２図の例で
は、コンタクト基板２０上に形成されたコンタクトスト
ラクチャ３０は、コンタクトトレイス３２とスルーホー
ル３５を介してコンタクトパッド３６に電気的に接続さ
れている。コンタクトストラクチャ３０とコンタクトト
レイス３２は、コンタクト基板２０の上部表面に形成さ
れ、コンタクトパッド３６は基板２０の底（裏）表面に
形成されている。
【０１４５】コンタクトトレイス３２は、その上部表面
が単層ＴＡＢリード７９に接続され、その単層ＴＡＢリ
ード７９の他端は導電ポリマ６６を介してＰＣＢ基板６
２3 上のプリント回路基板（ＰＣＢ）に接続されてい
る。コンタクトパッド３６は２層ＴＡＢリード７６4と
底表面で接続され、その２層ＴＡＢリード７６4の他端
は導電ポリマ６７を介してＰＣＢ基板６２3上のＰＣＢ
パッド３９に接続されている。
が単層ＴＡＢリード７９に接続され、その単層ＴＡＢリ
ード７９の他端は導電ポリマ６６を介してＰＣＢ基板６
２3 上のプリント回路基板（ＰＣＢ）に接続されてい
る。コンタクトパッド３６は２層ＴＡＢリード７６4と
底表面で接続され、その２層ＴＡＢリード７６4の他端
は導電ポリマ６７を介してＰＣＢ基板６２3上のＰＣＢ
パッド３９に接続されている。
【０１４６】コンタクト基板２０は、エラストマ４２と
サポートストラクチャ５２3を介してＰＣＢ基板６２3上
に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ４
２、サポートストラクチャ５２3、ＰＣＢ基板６２3は、
それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無い）で固定さ
れている。この例では、コンタクトトレイス３２とコン
タクトパッド３８を接続するための単層ＴＡＢリード７
９は、ＴＡＢリード７９とＴＡＢリード７６4間に設け
られたサポート部材５４8によって支持されている。コ
ンタクトパッド３６とＰＣＢパッド３９を接続するため
の２層ＴＡＢリード７６4は、上部リードＡと下部リー
ドＢを有している。サポート部材５４2は、２層ＴＡＢ
リード７６4の上部リードＡと下部リードＢの間に備え
られている。この実施例では、コンタクトストラクチャ
をＰＣＢパッド３８と３９に接続するための導電ポリマ
６６および６７を、半田ボールのような導電バンプと置
き換えることもできる。さらに、上記のＴＡＢリード７
９と７６4は、ＰＣＢパッド３８と３９に直接に接続す
るように構成してもよい。
サポートストラクチャ５２3を介してＰＣＢ基板６２3上
に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ４
２、サポートストラクチャ５２3、ＰＣＢ基板６２3は、
それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無い）で固定さ
れている。この例では、コンタクトトレイス３２とコン
タクトパッド３８を接続するための単層ＴＡＢリード７
９は、ＴＡＢリード７９とＴＡＢリード７６4間に設け
られたサポート部材５４8によって支持されている。コ
ンタクトパッド３６とＰＣＢパッド３９を接続するため
の２層ＴＡＢリード７６4は、上部リードＡと下部リー
ドＢを有している。サポート部材５４2は、２層ＴＡＢ
リード７６4の上部リードＡと下部リードＢの間に備え
られている。この実施例では、コンタクトストラクチャ
をＰＣＢパッド３８と３９に接続するための導電ポリマ
６６および６７を、半田ボールのような導電バンプと置
き換えることもできる。さらに、上記のＴＡＢリード７
９と７６4は、ＰＣＢパッド３８と３９に直接に接続す
るように構成してもよい。
【０１４７】単相リードを有するＴＡＢリード７９と階
層的なリードＡおよびＢを有する２層ＴＡＢリード７６
4とによる構成により、信号経路の抵抗を減少し、電流
キャパシティーを増大することができる。これは、例え
ば半導体部品をテストするためのグラウンドラインやパ
ワーラインにおいて、テスト信号の波形を変形させない
で多大な電流を流すために有効である。さらにこの第３
２図の構成により、コンタクトパッドの数を増大できる
等の柔軟性を実現できる。
層的なリードＡおよびＢを有する２層ＴＡＢリード７６
4とによる構成により、信号経路の抵抗を減少し、電流
キャパシティーを増大することができる。これは、例え
ば半導体部品をテストするためのグラウンドラインやパ
ワーラインにおいて、テスト信号の波形を変形させない
で多大な電流を流すために有効である。さらにこの第３
２図の構成により、コンタクトパッドの数を増大できる
等の柔軟性を実現できる。
【０１４８】好ましい実施例しか明記していないが、上
述した開示に基づき、添付した請求の範囲で、本発明の
精神と範囲を離れることなく、本発明の様々な形態や変
形が可能である。
述した開示に基づき、添付した請求の範囲で、本発明の
精神と範囲を離れることなく、本発明の様々な形態や変
形が可能である。
【０１４９】
【発明の効果】本発明によれば、パッケージング・相互
接続は、次世代半導体技術のテストの必要事項を満たし
た高周波帯域を実現できる。本発明のパッケージング・
相互接続は、コンタクトストラクチャを搭載したコンタ
クト基板の裏面部を介して電気接続をすることで、プロ
ーブカード上あるいはそれの等価物上に、そのコンタク
トストラクチャを搭載することができる。さらに、組み
立てに用いる部品が全体的として比較的少ないので、本
発明のパッケージング・相互接続は低コスト、高信頼
性、且つ高生産性で構成することができる。
接続は、次世代半導体技術のテストの必要事項を満たし
た高周波帯域を実現できる。本発明のパッケージング・
相互接続は、コンタクトストラクチャを搭載したコンタ
クト基板の裏面部を介して電気接続をすることで、プロ
ーブカード上あるいはそれの等価物上に、そのコンタク
トストラクチャを搭載することができる。さらに、組み
立てに用いる部品が全体的として比較的少ないので、本
発明のパッケージング・相互接続は低コスト、高信頼
性、且つ高生産性で構成することができる。
【図１】テストヘッドを有する半導体テストシステムと
基板用ハンドラとの間の構造的関係を示す概略図であ
る。
基板用ハンドラとの間の構造的関係を示す概略図であ
る。
【図２】半導体テストシステムのテストヘッドを、基板
用ハンドラに接続する際の、接続部の構成例を示す概念
図である。
用ハンドラに接続する際の、接続部の構成例を示す概念
図である。
【図３】カンチレバーをプローブコンタクタとして複数
個搭載するためのエポキシリングを有したプローブカー
ドの構成例を示す底面図である。
個搭載するためのエポキシリングを有したプローブカー
ドの構成例を示す底面図である。
【図４】（Ａ）から（Ｅ）は、第３図のプローブカード
の等価回路を示す回路図である。
の等価回路を示す回路図である。
【図５】フォトリソグラフィープロセスを用いて製造し
た、本発明に関するコンタクトストラクチャを示す概略
図である。
た、本発明に関するコンタクトストラクチャを示す概略
図である。
【図６】（Ａ）から（Ｃ）は、シリコン基板上に形成さ
れた本発明のコンタクトストラクチャを示す概略図であ
る。
れた本発明のコンタクトストラクチャを示す概略図であ
る。
【図７】コンタクトストラクチャを搭載したコンタクト
基板の底面部に設けられたコンタクトパッドとＰＣＢパ
ッド（プリント回路基板）の間に導電バンプを介して、
パッケージング・相互接続を形成した、本発明の第１実
施例を示す概略図である。
基板の底面部に設けられたコンタクトパッドとＰＣＢパ
ッド（プリント回路基板）の間に導電バンプを介して、
パッケージング・相互接続を形成した、本発明の第１実
施例を示す概略図である。
【図８】コンタクトパッドとＰＣＢパッドの間に導電ポ
リマを使用した、本発明の第１実施例の変形例を示す概
略図である。
リマを使用した、本発明の第１実施例の変形例を示す概
略図である。
【図９】コンタクトストラクチャを搭載したコンタクト
基板の底面に設けられたコンタクトパッドとプローブカ
ード上あるいはデバイスパッケージ上のコンタクトター
ゲットとの間に、ボンディングワイヤを介してパッケー
ジング・相互接続を形成した、本発明の第２実施例を示
す概念図である。
基板の底面に設けられたコンタクトパッドとプローブカ
ード上あるいはデバイスパッケージ上のコンタクトター
ゲットとの間に、ボンディングワイヤを介してパッケー
ジング・相互接続を形成した、本発明の第２実施例を示
す概念図である。
【図１０】コンタクトターゲットがＰＣＢパッドであ
る、本発明の第２実施例における変形実施例を示す概略
図である。
る、本発明の第２実施例における変形実施例を示す概略
図である。
【図１１】コンタクトストラクチャを搭載したコンタク
ト基板の底面に設けられたコンタクトパッドとプローブ
カード上あるいはデバイスパッケージ上のコンタクトタ
ーゲットとの間に、１層ＴＡＢ（テープ・オートメイテ
ド・ボンディング）リードを介してパッケージング・相
互接続を形成した、本発明の第３実施例を示す概念図で
ある。
ト基板の底面に設けられたコンタクトパッドとプローブ
カード上あるいはデバイスパッケージ上のコンタクトタ
ーゲットとの間に、１層ＴＡＢ（テープ・オートメイテ
ド・ボンディング）リードを介してパッケージング・相
互接続を形成した、本発明の第３実施例を示す概念図で
ある。
【図１２】直線的形状のＴＡＢリードが相互接続・パッ
ケージング部として組み入れられている、本発明の第３
実施例における変形実施例を示す概略図である。
ケージング部として組み入れられている、本発明の第３
実施例における変形実施例を示す概略図である。
【図１３】コンタクトターゲットがコネクタである、本
発明の第３実施例における更に別の変形実施例を示す概
略図である。
発明の第３実施例における更に別の変形実施例を示す概
略図である。
【図１４】導電バンプがＴＡＢリードとコンタクトター
ゲットとの間に、相互接続・パッケージング部として組
み入れられている、本発明の第３実施例における更に別
の変形例を示す概略図である。
ゲットとの間に、相互接続・パッケージング部として組
み入れられている、本発明の第３実施例における更に別
の変形例を示す概略図である。
【図１５】導電ポリマーがＴＡＢリードとコンタクトタ
ーゲットとの間に、相互接続・パッケージング部として
組み入れられている、本発明の第３実施例における更に
別の変形例を示す概略図である。
ーゲットとの間に、相互接続・パッケージング部として
組み入れられている、本発明の第３実施例における更に
別の変形例を示す概略図である。
【図１６】コンタクトストラクチャを搭載したコンタク
ト基板の底面に設けられたコンタクトパッドとプローブ
カード上あるいはデバイスパッケージ上のコンタクトタ
ーゲットとの間に、２層ＴＡＢ（テープ・オートメイテ
ド・ボンディング）リードを介してパッケージング・相
互接続を形成した、本発明の第４実施例を示す概念図で
ある。
ト基板の底面に設けられたコンタクトパッドとプローブ
カード上あるいはデバイスパッケージ上のコンタクトタ
ーゲットとの間に、２層ＴＡＢ（テープ・オートメイテ
ド・ボンディング）リードを介してパッケージング・相
互接続を形成した、本発明の第４実施例を示す概念図で
ある。
【図１７】直線的形状の２層ＴＡＢリードが１対のコン
タクトターゲットに接続するように、相互接続・パッケ
ージング部に組み入れられている、本発明の第４実施例
における変形実施例を示す概略図である。
タクトターゲットに接続するように、相互接続・パッケ
ージング部に組み入れられている、本発明の第４実施例
における変形実施例を示す概略図である。
【図１８】コンタクトターゲットが２層ＴＡＢリードに
接続するコネクタである、本発明の第４実施例における
別の変形実施例を示す概略図である。
接続するコネクタである、本発明の第４実施例における
別の変形実施例を示す概略図である。
【図１９】コンタクトターゲットが直線形状の２層ＴＡ
Ｂリードに接続するコネクタである、本発明の第４実施
例における更に別の変形実施例を示す概略図である。
Ｂリードに接続するコネクタである、本発明の第４実施
例における更に別の変形実施例を示す概略図である。
【図２０】導電バンプがＴＡＢリードとコンタクトター
ゲットとの間に相互接続・パッケージング部品として組
み込まれている、本発明の第４実施例における更に別の
変形実施例を示す概略図である。
ゲットとの間に相互接続・パッケージング部品として組
み込まれている、本発明の第４実施例における更に別の
変形実施例を示す概略図である。
【図２１】１対の導電バンプが２層ＴＡＢリードとコン
タクトターゲットとの間に相互接続・パッケージング部
品として組み込まれている、本発明の第４実施例におけ
る更に別の変形実施例を示す概略図である。
タクトターゲットとの間に相互接続・パッケージング部
品として組み込まれている、本発明の第４実施例におけ
る更に別の変形実施例を示す概略図である。
【図２２】導電ポリマーが２層ＴＡＢリードとコンタク
トターゲットとの間に相互接続・パッケージング部品と
して組み込まれている、本発明の第４実施例における更
に別の変形実施例を示す概略図である。
トターゲットとの間に相互接続・パッケージング部品と
して組み込まれている、本発明の第４実施例における更
に別の変形実施例を示す概略図である。
【図２３】１対の導電ポリマーが２層ＴＡＢリードとコ
ンタクトターゲットとの間に相互接続・パッケージング
部品として組み込まれている、本発明の第４実施例にお
ける更に別の変形実施例を示す概略図である。
ンタクトターゲットとの間に相互接続・パッケージング
部品として組み込まれている、本発明の第４実施例にお
ける更に別の変形実施例を示す概略図である。
【図２４】コンタクトストラクチャを搭載したコンタク
ト基板の底面に設けられたコンタクトパッドとプローブ
カード上あるいはデバイスパッケージ上のコンタクトタ
ーゲットとの間に、３層ＴＡＢ（テープ・オートメイテ
ド・ボンディング）リードを介してパッケージング・相
互接続を形成した、本発明の第５実施例を示す概念図で
ある。
ト基板の底面に設けられたコンタクトパッドとプローブ
カード上あるいはデバイスパッケージ上のコンタクトタ
ーゲットとの間に、３層ＴＡＢ（テープ・オートメイテ
ド・ボンディング）リードを介してパッケージング・相
互接続を形成した、本発明の第５実施例を示す概念図で
ある。
【図２５】直線的形状の３層ＴＡＢリードが、３個のコ
ンタクトターゲットに接続するための相互接続・パッケ
ージング部品の１つとして組み込まれている、本発明の
第５実施例における変形実施例を示す概略図である。
ンタクトターゲットに接続するための相互接続・パッケ
ージング部品の１つとして組み込まれている、本発明の
第５実施例における変形実施例を示す概略図である。
【図２６】コンタクトターゲットが３層ＴＡＢリードに
接続するコネクタである、本発明の第５実施例における
別の変形実施例を示す概略図である。
接続するコネクタである、本発明の第５実施例における
別の変形実施例を示す概略図である。
【図２７】コンタクトターゲットが直線的形状の３層Ｔ
ＡＢリードに相互接続するコネクタである、本発明の第
５実施例における更に別の変形実施例を示す概略図であ
る。
ＡＢリードに相互接続するコネクタである、本発明の第
５実施例における更に別の変形実施例を示す概略図であ
る。
【図２８】導電バンプがＴＡＢリードとコンタクトター
ゲットとの間に相互接続・パッケージング部品の１つと
して組み込まれている、本発明の第５実施例における更
に別の変形実施例を示す概略図である。
ゲットとの間に相互接続・パッケージング部品の１つと
して組み込まれている、本発明の第５実施例における更
に別の変形実施例を示す概略図である。
【図２９】３個の導電バンプが３層ＴＡＢリードとコン
タクトターゲットとの間に相互接続・パッケージング部
品の１つとして組み込まれている、本発明の第５実施例
における更に別の変形実施例を示す概略図である。
タクトターゲットとの間に相互接続・パッケージング部
品の１つとして組み込まれている、本発明の第５実施例
における更に別の変形実施例を示す概略図である。
【図３０】導電ポリマーが３層ＴＡＢリードとコンタク
トターゲットとの間に相互接続・パッケージング部品の
１つとして組み込まれている、本発明の第５実施例にお
ける更に別の変形実施例を示す概略図である。
トターゲットとの間に相互接続・パッケージング部品の
１つとして組み込まれている、本発明の第５実施例にお
ける更に別の変形実施例を示す概略図である。
【図３１】３個の導電ポリマーが３層ＴＡＢリードとコ
ンタクトターゲットとの間に相互接続・パッケージング
部品として組み込まれている、本発明の第５実施例にお
ける更に別の変形実施例を示す概略図である。
ンタクトターゲットとの間に相互接続・パッケージング
部品として組み込まれている、本発明の第５実施例にお
ける更に別の変形実施例を示す概略図である。
【図３２】コンタクト基板の上表面に設けられたコンタ
クトトレイスと第１のコンタクトターゲットとの間に、
１層ＴＡＢ（テープ・オートメイテド・ボンディング）
リードを用いてパッケージング・相互接続を形成すると
ともに、コンタクト基板の底表面に設けられたコンタク
トパッドと第２のコンタクトターゲットとの間に２層Ｔ
ＡＢリードを用いて、パッケージング・相互接続を形成
する、本発明の第６実施例を示す概略図である。
クトトレイスと第１のコンタクトターゲットとの間に、
１層ＴＡＢ（テープ・オートメイテド・ボンディング）
リードを用いてパッケージング・相互接続を形成すると
ともに、コンタクト基板の底表面に設けられたコンタク
トパッドと第２のコンタクトターゲットとの間に２層Ｔ
ＡＢリードを用いて、パッケージング・相互接続を形成
する、本発明の第６実施例を示す概略図である。
２０ コンタクト基板 ３０ コンタクトストラクチャ ３２ コンタクトトレイス ３５ バイアホール ３６ コンタクトパッド ３８ プリント回路基板接続パッド ５６ 導電バンプ ６２ プリント回路基板
Claims (52)
- 【請求項１】 コンタクトストラクチャ（接触構造）の
パッケージング・相互接続において、 マイクロファブリケーションの行程を用いて、コンタク
ト基板上に導電材料で形成され、そのコンタクト基板に
対して直立に形成されたベース部と、一端がそのベース
部上に形成された水平部と、その水平部の他端に形成さ
れた接触部とにより構成されるコンタクトストラクチャ
と、 上記コンタクト基板の裏面に形成され、一端がバイアホ
ールとコンタクトトレースを介して上記コンタクトスト
ラクチャに電気的に接続されているコンタクトパッド
と、 導電部材を介して上記コンタクト基板上のコンタクトパ
ッドと電気的に接続するためのコンタクトターゲット
と、 により構成されるコンタクトストラクチャのパッケージ
ング・相互接続。 - 【請求項２】 上記コンタクト基板の下部に設けられ、
上記パッケージング・相互接続に柔軟性を与えるための
エラストマと、 上記エラストマの下部に設けられ、上記各コンタクトス
トラクチャ、コンタクト基板およびエラストマを支持す
るためのサポートストラクチャとを有し、 上記導電部材は上記コンタクトパッドの下面と上記コン
タクトターゲットを電気的に接続するためのボンディン
グワイヤである、請求項１に記載のコンタクトストラク
チャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項３】 上記コンタクト基板はシリコン基板であ
り、上記コンタクトストラクチャはフォトリソグラフィ
製法により、そのシリコンによるコンタクト基板上に直
接的に形成される請求項１に記載のコンタクトストラク
チャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項４】 上記コンタクト基板は誘電体基板であ
り、上記コンタクトストラクチャはフォトリソグラフィ
製法により、その誘電体によるコンタクト基板上に直接
的に形成される請求項１に記載のコンタクトストラクチ
ャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項５】 上記コンタクトターゲットはプリント回
路基板（ＰＣＢ）上に設けられている請求項１に記載の
コンタクトストラクチャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項６】 コンタクトストラクチャ（接触構造）の
パッケージング・相互接続において、 フォトリソグラフィ製法により、コンタクト基板上に導
電材料で形成され、そのコンタクト基板に対して直立に
形成されたベース部と、一端がベース部上に形成された
水平部と、その水平部の他端に形成された接触部とによ
り構成されるコンタクトストラクチャと、 上記コンタクト基板の裏面に形成され、一端がバイアホ
ールとコンタクトトレースを介して上記コンタクトスト
ラクチャに電気的に接続されているコンタクトパッド
と、 上記コンタクトパッドと電気的に接続するために、プリ
ント回路基板（ＰＣＢ）上に設けられたプリント回路基
板（ＰＣＢ）パッドと、 上記コンタクトパッドの底表面と上記ＰＣＢパッドを電
気的に接続するための単層リードと、 上記コンタクト基板の下部に設けられ、上記パッケージ
ング・相互接続に柔軟性を与えるためのエラストマと、 上記エラストマと上記ＰＣＢ基板の間に設けられ、上記
各コンタクトストラクチャ、コンタクト基板およびエラ
ストマを支持するためのサポートストラクチャ、 とにより構成されるコンタクトストラクチャのパッケー
ジング・相互接続。 - 【請求項７】 上記プリント回路基板はガラスエポキシ
樹脂あるいはセラミックで構成される請求項６に記載の
コンタクトストラクチャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項８】 上記プリント回路基板は多層プリント回
路基板である請求項６に記載のコンタクトストラクチャ
のパッケージング・相互接続。 - 【請求項９】 上記サポートストラクチャはセラミッ
ク、モールドプラスチック、または金属で構成される請
求項６に記載のコンタクトストラクチャのパッケジング
・相互接続。 - 【請求項１０】 上記単層リードは相互接続に用いるた
めのテープ・オートメイテド・ボンディング（ＴＡＢ）
構造を有している請求項６に記載のコンタクトストラク
チャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項１１】 上記単層リードの一端は上記プリント
回路基板パッドに導電バンプを介して接続されている請
求項６に記載のコンタクトストラクチャのパッケージン
グ・相互接続。 - 【請求項１２】 上記導電バンプはハンダボールであ
り、加熱により溶解凝固して、上記接続用パッドと上記
プリント回路基板パッド間を電気的に接続する請求項１
１に記載のコンタクトストラクチャのパッケージング・
相互接続。 - 【請求項１３】 上記導電バンプは導電ポリマーバンプ
またはコンプライアントバンプであり、上記接続用パッ
ドと上記プリント回路基板パッド間を電気的に接続する
請求項１１に記載のコンタクトストラクチャのパッケー
ジング・相互接続。 - 【請求項１４】 上記単層リードの一端は上記プリント
回路基板パッドに導電ポリマーを介して接続されている
請求項６に記載のコンタクトストラクチャのパッケージ
ング・相互接続。 - 【請求項１５】 上記導電ポリマーは導電接着剤、導電
フィルム、導電ペースト、または導電粒子である請求項
１４に記載のコンタクトストラクチャのパッケジング・
相互接続。 - 【請求項１６】 上記導電ポリマーは導電エラストマで
あり、その導電エラストマはアニソトロピック（異方
性）導電接着剤、アニソトロピック導電フィルム、アニ
ソトロピック導電ペースト、またはアニソトロピック導
電粒子であり、上記接続用パッドと上記プリント回路基
板パッド間を電気的に接続する請求項１４に記載のコン
タクトストラクチャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項１７】 コンタクトストラクチャ（接触構造）
のパッケージング・相互接続において、 フォトリソグラフィ製法により、コンタクト基板上に導
電材料で形成され、そのコンタクト基板に対して直立に
形成されたベース部と、一端がベース部上に形成された
水平部と、その水平部の他端に形成された接触部とによ
り構成されるコンタクトストラクチャと、 上記コンタクト基板の裏面に形成され、一端がバイアホ
ールとコンタクトトレースを介して上記コンタクトスト
ラクチャに電気的に接続されているコンタクトパッド
と、 上記コンタクトパッドと電気的に接続するために、プリ
ント回路基板（ＰＣＢ）上に設けられたプリント回路基
板（ＰＣＢ）パッドと、 上記コンタクトパッドの底表面と上記ＰＣＢパッドを電
気的に接続するための２層リードと、 上記コンタクト基板の下部に設けられ、上記パッケージ
ング・相互接続に柔軟性を与えるためのエラストマと、 上記エラストマと上記ＰＣＢ基板の間に設けられ、上記
各コンタクトストラクチャ、コンタクト基板およびエラ
ストマを支持するためのサポートストラクチャ、 とにより構成されるコンタクトストラクチャのパッケー
ジング・相互接続。 - 【請求項１８】 上記プリント回路基板はガラスエポキ
シ樹脂あるいはセラミックで構成される請求項１７に記
載のコンタクトストラクチャのパッケージング・相互接
続。 - 【請求項１９】 上記プリント回路基板は多層プリント
回路基板である請求項１７に記載のコンタクトストラク
チャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項２０】 上記サポートストラクチャはセラミッ
ク、モールドプラスチック、または金属で構成される請
求項１７に記載のコンタクトストラクチャのパッケージ
ング・相互接続。 - 【請求項２１】 上記２層リードは相互接続に用いるた
めのテープ・オートメイテド・ボンディング（ＴＡＢ）
構造を有している請求項１７に記載のコンタクトストラ
クチャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項２２】 上記２層リードの一端は上記プリント
回路基板パッドに導電バンプを介して接続されている請
求項１７に記載のコンタクトストラクチャのパッケージ
ング・相互接続。 - 【請求項２３】 上記導電バンプはハンダボールであ
り、加熱により溶解凝固して、上記接続用パッドと上記
プリント回路基板パッド間を電気的に接続する請求項２
２に記載のコンタクトストラクチャのパッケージング・
相互接続。 - 【請求項２４】 上記導電バンプは導電ポリマーバンプ
またはコンプライアントバンプであり、上記接続用パッ
ドと上記プリント回路基板パッド間を電気的に接続する
請求項２２に記載のコンタクトストラクチャのパッケー
ジング・相互接続。 - 【請求項２５】 上記２層リードの一端は上記プリント
回路基板パッドに導電ポリマーを介して接続されている
請求項１７に記載のコンタクトストラクチャのパッケー
ジング・相互接続。 - 【請求項２６】 上記導電ポリマーは導電接着剤、導電
フィルム、導電ペースト、または導電粒子である請求項
２５に記載のコンタクトストラクチャのパッケジング・
相互接続。 - 【請求項２７】 上記導電ポリマーは導電エラストマで
あり、その導電エラストマはアニソトロピック（異方
性）導電接着剤、アニソトロピック導電フィルム、アニ
ソトロピック導電ペースト、またはアニソトロピック導
電粒子であり、上記接続用パッドと上記プリント回路基
板パッド間を電気的に接続する請求項２５に記載のコン
タクトストラクチャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項２８】 上記２層リードの一端は上部リードと
下部リードに構成され、その上部リードと下部リードは
上記プリント回路基板に設けられた対応するプリント回
路基板パッドにそれぞれ接続されている請求項１７に記
載のコンタクトストラクチャのパッケージング・相互接
続。 - 【請求項２９】 上記上部リードと下部リードは、上記
プリント回路基板に設けられた対応するプリント回路基
板パッドに、対応する導電バンプを介してそれぞれ接続
されている請求項２８に記載のコンタクトストラクチャ
のパッケージング・相互接続。 - 【請求項３０】 上記上部リードと下部リードは、上記
プリント回路基板に設けられた対応するプリント回路基
板パッドに、対応する導電ポリマーを介してそれぞれ接
続されている請求項２８に記載のコンタクトストラクチ
ャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項３１】 コンタクトストラクチャ（接触構造）
のパッケージング・相互接続において、 フォトリソグラフィ製法により、コンタクト基板上に導
電材料で形成され、そのコンタクト基板に対して直立に
形成されたベース部と、一端がベース部上に形成された
水平部と、その水平部の他端に形成された接触部とによ
り構成されるコンタクトストラクチャと、 上記コンタクト基板の裏面に形成され、一端がバイアホ
ールとコンタクトトレースを介して上記コンタクトスト
ラクチャに電気的に接続されているコンタクトパッド
と、 上記コンタクトパッドと電気的に接続するために、プリ
ント回路基板（ＰＣＢ）上に設けられたプリント回路基
板（ＰＣＢ）パッドと、 上記コンタクトパッドの底表面と上記ＰＣＢパッドを電
気的に接続するための３層リードと、 上記コンタクト基板の下部に設けられ、上記パッケージ
ング・相互接続に柔軟性を与えるためのエラストマと、 上記エラストマと上記ＰＣＢ基板の間に設けられ、上記
各コンタクトストラクチャ、コンタクト基板およびエラ
ストマを支持するためのサポートストラクチャと、 により構成されるコンタクトストラクチャのパッケージ
ング・相互接続。 - 【請求項３２】 上記プリント回路基板はガラスエポキ
シ樹脂あるいはセラミックで構成される請求項３１に記
載のコンタクトストラクチャのパッケージング・相互接
続。 - 【請求項３３】 上記プリント回路基板は多層プリント
回路基板である請求項３１に記載のコンタクトストラク
チャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項３４】 上記サポートストラクチャはセラミッ
ク、モールドプラスチック、または金属で構成される請
求項３１に記載のコンタクトストラクチャのパッケージ
ング・相互接続。 - 【請求項３５】 上記３層リードは相互接続に用いるた
めのテープ・オートメイテド・ボンディング（ＴＡＢ）
構造を有している請求項３１に記載のコンタクトストラ
クチャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項３６】 上記３層リードの一端は上記プリント
回路基板パッドに導電バンプを介して接続されている請
求項３１に記載のコンタクトストラクチャのパッケージ
ング・相互接続。 - 【請求項３７】 上記導電バンプはハンダボールであ
り、加熱により溶解凝固して、上記接続用パッドと上記
プリント回路基板パッド間を電気的に接続する請求項３
６に記載のコンタクトストラクチャのパッケージング・
相互接続。 - 【請求項３８】 上記導電バンプは導電ポリマーバンプ
またはコンプライアントバンプであり、上記接続用パッ
ドと上記プリント回路基板パッド間を電気的に接続する
請求項３６に記載のコンタクトストラクチャのパッケー
ジング・相互接続。 - 【請求項３９】 上記３層リードの一端は上記プリント
回路基板パッドに導電ポリマーを介して接続されている
請求項３１に記載のコンタクトストラクチャのパッケー
ジング・相互接続。 - 【請求項４０】 上記導電ポリマーは導電接着剤、導電
フィルム、導電ペースト、または導電粒子である請求項
３９に記載のコンタクトストラクチャのパッケジング・
相互接続。 - 【請求項４１】 上記導電ポリマーは導電エラストマで
あり、その導電エラストマはアニソトロピック（異方
性）導電接着剤、アニソトロピック導電フィルム、アニ
ソトロピック導電ペースト、またはアニソトロピック導
電粒子であり、上記接続用パッドと上記プリント回路基
板パッド間を電気的に接続する請求項３９に記載のコン
タクトストラクチャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項４２】 上記３層リードの一端は上部リードと
中間リードと下部リードに構成され、その各上部リード
と中間リードと下部リードは、上記プリント回路基板に
設けられた対応するプリント回路基板パッドにそれぞれ
接続されている請求項３１に記載のコンタクトストラク
チャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項４３】 上記上部リードと中間リードと下部リ
ードは、上記プリント回路基板に設けられた対応するプ
リント回路基板パッドに、対応する導電バンプを介して
それぞれ接続されている請求項４２に記載のコンタクト
ストラクチャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項４４】 上記上部リードと中間リードと下部リ
ードは、上記プリント回路基板に設けられた対応するプ
リント回路基板パッドに、対応する導電ポリマーを介し
てそれぞれ接続されている請求項４２に記載のコンタク
トストラクチャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項４５】 コンタクトストラクチャ（接触構造）
のパッケージング・相互接続において、 フォトリソグラフィ製法により、コンタクト基板上に導
電材料で形成され、そのコンタクト基板に対して直立に
形成されたベース部と、一端がベース部上に形成された
水平部と、その水平部の他端に形成された接触部とによ
り構成されるコンタクトストラクチャと、 上記コンタクト基板の裏面に形成され、一端がバイアホ
ールとコンタクトトレースを介して上記コンタクトスト
ラクチャに電気的に接続されているコンタクトパッド
と、 上記コンタクトパッドと電気的に接続するためのコネク
タと、 上記コンタクトパッドの底表面と上記コネクタを電気的
に接続するための導電リードと、 上記コンタクト基板の下部に設けられ、上記パッケージ
ング・相互接続に柔軟性を与えるためのエラストマと、 上記エラストマの下部に設けられ、上記各コンタクトス
トラクチャ、コンタクト基板およびエラストマを支持す
るためのサポートストラクチャと、 により構成されるコンタクトストラクチャのパッケージ
ング・相互接続。 - 【請求項４６】 上記コンタクト基板はシリコン基板で
あり、上記コンタクトストラクチャはフォトリソグラフ
ィ製法により、そのシリコンによるコンタクト基板上に
直接的に形成される請求項４５に記載のコンタクトスト
ラクチャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項４７】 上記コンタクト基板は誘電体基板であ
り、上記コンタクトストラクチャはフォトリソグラフィ
製法により、その誘電体によるコンタクト基板上に直接
的に形成される請求項４５に記載のコンタクトストラク
チャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項４８】 上記コンタクトトレイスは導電材料に
より、デポジション、エバポレーション、スパッタリン
グ、またはメッキの行程により形成される請求項４５に
記載のコンタクトストラクチャのパッケージング・相互
接続。 - 【請求項４９】 上記サポートストラクチャはセラミッ
ク、モールドプラスチック、または金属で構成される請
求項４５に記載のコンタクトストラクチャのパッケージ
ング・相互接続。 - 【請求項５０】 上記導電リードは垂直方向に配置され
た複数のリードを有しその複数のリードは上記コネクタ
に接続されている請求項４５に記載のコンタクトストラ
クチャのパッケージング・相互接続。 - 【請求項５１】 上記導電リードは、相互接続に用いる
ためのテープ・オートメイテド・ボンディング（ＴＡ
Ｂ）構造を有した垂直方向に配置された複数のリードを
有している請求項４５に記載のコンタクトストラクチャ
のパッケージング・相互接続。 - 【請求項５２】 コンタクトストラクチャ（接触構造）
のパッケージング・相互接続において、 フォトリソグラフィ製法により、コンタクト基板上に導
電材料で形成され、そのコンタクト基板に対して直立に
形成されたベース部と、一端がベース部上に形成された
水平部と、その水平部の他端に形成された接触部とによ
り構成されるコンタクトストラクチャと、 上記コンタクト基板の裏面に形成され、一端がバイアホ
ールとコンタクトトレースを介して上記コンタクトスト
ラクチャに電気的に接続されているコンタクトパッド
と、 上記コンタクトストラクチャと電気的に接続するために
プリント回路基板（ＰＣＢ）に設けられた第１および第
２のプリント回路基板（ＰＣＢ）パッドと、 上記コンタクト基板の上表面に設けられた上記コンタク
トトレイスと電気的に接続するための第１の導電リード
と、 上記コンタクト基板の底表面に設けられたコンタクトパ
ッドと電気的に接続するための第２の導電リードと、 上記コンタクト基板の下部に設けられ、上記パッケージ
ング・相互接続に柔軟性を与えるためのエラストマと、 上記エラストマの下部に設けられ、上記各コンタクトス
トラクチャ、コンタクト基板およびエラストマを支持す
るためのサポートストラクチャと、 により構成されるコンタクトストラクチャのパッケージ
ング・相互接続。
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|---|---|---|---|
| US09/282,506 US6351133B1 (en) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | Packaging and interconnection of contact structure |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP2000092982A Withdrawn JP2000304773A (ja) | 1999-03-31 | 2000-03-28 | コンタクトストラクチャのパッケージング・相互接続 |
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| KR (1) | KR20010006931A (ja) |
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| SG (1) | SG87094A1 (ja) |
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