JP2000221210A - コンタクトストラクチャのパッケ―ジング・相互接続 - Google Patents
コンタクトストラクチャのパッケ―ジング・相互接続Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 新規なコンタクト構造を、プローブカード又
はその同等物に対して、パッケージング・相互接続する
技術を提供する。 【解決手段】 コンタクト基板２０上に導電材料で形成
されたコンタクトストラクチャ３０と、そのコンタクト
基板上に形成され、一端が上記コンタクトストラクチャ
に電気的に接続されその他端の上面が接続パッドとして
形成されたコンタクトトレイス３２と、そのコンタクト
トレイスの接続パッド３３と電気的に接続するためにプ
リント回路基板上に設けられたコンタクトターゲット
と、その接続パッドとそのコンタクトターゲットを電気
的に結合する導電リード４５と、上記コンタクト基板の
下部に設けられ、上記パッケージング・相互接続に柔軟
性を与えるためのエラストマと、上記コンタクトストラ
クチャ、コンタクト基板およびエラストマを支持するた
めのサポートストラクチャ５２により構成される。
はその同等物に対して、パッケージング・相互接続する
技術を提供する。 【解決手段】 コンタクト基板２０上に導電材料で形成
されたコンタクトストラクチャ３０と、そのコンタクト
基板上に形成され、一端が上記コンタクトストラクチャ
に電気的に接続されその他端の上面が接続パッドとして
形成されたコンタクトトレイス３２と、そのコンタクト
トレイスの接続パッド３３と電気的に接続するためにプ
リント回路基板上に設けられたコンタクトターゲット
と、その接続パッドとそのコンタクトターゲットを電気
的に結合する導電リード４５と、上記コンタクト基板の
下部に設けられ、上記パッケージング・相互接続に柔軟
性を与えるためのエラストマと、上記コンタクトストラ
クチャ、コンタクト基板およびエラストマを支持するた
めのサポートストラクチャ５２により構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、コンタクト構造
（コンタクトストラクチャ）の、電気的パッケージング
・相互接続に関する。特に本発明は、コンタクトストラ
クチャを、半導体ウェハ、半導体チップ、半導体部品パ
ッケージ又はプリント回路基板などをテストするために
使用するプローブカードやその等価物に搭載するため
の、電気的パッケージング・相互接続を、高周波数帯
域、高集積度かつ高品質で実現する技術に関する。
（コンタクトストラクチャ）の、電気的パッケージング
・相互接続に関する。特に本発明は、コンタクトストラ
クチャを、半導体ウェハ、半導体チップ、半導体部品パ
ッケージ又はプリント回路基板などをテストするために
使用するプローブカードやその等価物に搭載するため
の、電気的パッケージング・相互接続を、高周波数帯
域、高集積度かつ高品質で実現する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩやＶＬＳＩ回路のような、高密度
で高速度の電子部品をテストする場合には、高性能なプ
ローブコンタクタ、あるいはテストコンタクタを使用し
なくてはならない。本発明におけるコンタクトストラク
チャの電気的パッケージング・相互接続は、半導体ウェ
ハや半導体ダイのテスト、あるいはバーンインといった
応用に限定されるものではなく、半導体パッケージ部品
やプリント回路基板等のテストやバーンインへの応用、
あるいは試験以外のより一般的で広範囲な応用にも実施
可能である。しかし、説明を容易にするために、以下に
おける本発明の開示では、主に半導体ウェハテストで使
用するプローブカードへの応用を基にして、本発明の説
明をする。
で高速度の電子部品をテストする場合には、高性能なプ
ローブコンタクタ、あるいはテストコンタクタを使用し
なくてはならない。本発明におけるコンタクトストラク
チャの電気的パッケージング・相互接続は、半導体ウェ
ハや半導体ダイのテスト、あるいはバーンインといった
応用に限定されるものではなく、半導体パッケージ部品
やプリント回路基板等のテストやバーンインへの応用、
あるいは試験以外のより一般的で広範囲な応用にも実施
可能である。しかし、説明を容易にするために、以下に
おける本発明の開示では、主に半導体ウェハテストで使
用するプローブカードへの応用を基にして、本発明の説
明をする。
【０００３】被試験半導体部品が半導体ウェハである場
合、ＩＣテスタのような半導体テストシステムは、一般
に自動ウェハプローバのようなハンドラに接続して用い
られる。そのような構成例を、第１図に示す。この図に
おいて、半導体テストシステムは通常、別のハウジング
であるテストヘッド１００を有しており、そのテストヘ
ッド１００はケーブル束でテストシステム本体に接続さ
れている。テストヘッド１００とハンドラ４００は、例
えばマニピュレータ５００と駆動モータ５１０により機
械的に位置合わせされ、互いに機械的および電気的に接
続される。試験される半導体ウェハは、ハンドラ４００
によって、テストヘッド上のテスト位置に自動的に供給
される。
合、ＩＣテスタのような半導体テストシステムは、一般
に自動ウェハプローバのようなハンドラに接続して用い
られる。そのような構成例を、第１図に示す。この図に
おいて、半導体テストシステムは通常、別のハウジング
であるテストヘッド１００を有しており、そのテストヘ
ッド１００はケーブル束でテストシステム本体に接続さ
れている。テストヘッド１００とハンドラ４００は、例
えばマニピュレータ５００と駆動モータ５１０により機
械的に位置合わせされ、互いに機械的および電気的に接
続される。試験される半導体ウェハは、ハンドラ４００
によって、テストヘッド上のテスト位置に自動的に供給
される。
【０００４】テストヘッド上で、被試験半導体ウェハ
は、半導体テストシステムが発生するテスト信号を受け
る。被試験半導体ウェハから、そのテスト信号の応答結
果として発生される出力信号は、半導体テストシステム
に送信され、そこで期待値と比較され、被試験半導体ウ
ェハ上のＩＣ回路が、正常に機能しているかどうかが検
証される。
は、半導体テストシステムが発生するテスト信号を受け
る。被試験半導体ウェハから、そのテスト信号の応答結
果として発生される出力信号は、半導体テストシステム
に送信され、そこで期待値と比較され、被試験半導体ウ
ェハ上のＩＣ回路が、正常に機能しているかどうかが検
証される。
【０００５】第２図に示すように、テストヘッド１００
と基板用ハンドラ４００は、インターフェイス部１４０
を介して接続されている。インターフェイス部１４０
は、テストヘッドの電気的回路配置に固有の回路接続を
有するパーフォーマンスボード１２０と、同軸ケーブル
と、ポゴピンと、コネクタ等で構成されている。テスト
ヘッド１００内には、テストチャンネルに対応する多数
のプリント回路基板１５０が設けられている。これらの
プリント回路基板１５０は、パーフォーマンスボード１
２０上の対応するコンタクト端子１２１を受け入れるた
めに、それぞれコネクタ１６０を有している。基板用ハ
ンドラ４００に対する接続位置を正確に検知するため
に、第２図の例では、フロッグリング１３０が、パーフ
ォーマンスボード１２０上に備え付けられている。フロ
ッグリング１３０は、ＺＩＦコネクターやポゴピンのよ
うな接続ピン１４１を多数有しており、それら接続ピン
１４１は、同軸ケーブル１２４を介して、パーフォーマ
ンスボード１２０上の接続端子１２１に接続されてい
る。
と基板用ハンドラ４００は、インターフェイス部１４０
を介して接続されている。インターフェイス部１４０
は、テストヘッドの電気的回路配置に固有の回路接続を
有するパーフォーマンスボード１２０と、同軸ケーブル
と、ポゴピンと、コネクタ等で構成されている。テスト
ヘッド１００内には、テストチャンネルに対応する多数
のプリント回路基板１５０が設けられている。これらの
プリント回路基板１５０は、パーフォーマンスボード１
２０上の対応するコンタクト端子１２１を受け入れるた
めに、それぞれコネクタ１６０を有している。基板用ハ
ンドラ４００に対する接続位置を正確に検知するため
に、第２図の例では、フロッグリング１３０が、パーフ
ォーマンスボード１２０上に備え付けられている。フロ
ッグリング１３０は、ＺＩＦコネクターやポゴピンのよ
うな接続ピン１４１を多数有しており、それら接続ピン
１４１は、同軸ケーブル１２４を介して、パーフォーマ
ンスボード１２０上の接続端子１２１に接続されてい
る。
【０００６】第２図ではさらに、半導体ウェハのテスト
における構成として、ウェハ基板用ハンドラ（ウェハプ
ローバ）４００や、テストヘッド１００、およびインタ
ーフェイス部１４０の構造をより詳細に示している。第
２図に示してあるように、テストヘッド１００は、基板
用ハンドラ４００の上部に配置され、インターフェイス
部１４０を介して、基板用ハンドラ４００に、機械的か
つ電気的に接続される。基板用ハンドラ４００では、被
試験半導体ウェハ３００を、チャック１８０上に搭載す
る。プローブカード１７０は、被試験半導体ウェハ３０
０の上部に設けられている。プローブカード１７０は、
テスト時に回路端子、すなわち被試験半導体ウェハ３０
０上のＩＣ回路の各コンタクトターゲットと接触するた
めの、例えばカンチレバーやニードル（針）のような、
多数のプローブコンタクタ（コンタクトストラクチャ）
１９０を有している。
における構成として、ウェハ基板用ハンドラ（ウェハプ
ローバ）４００や、テストヘッド１００、およびインタ
ーフェイス部１４０の構造をより詳細に示している。第
２図に示してあるように、テストヘッド１００は、基板
用ハンドラ４００の上部に配置され、インターフェイス
部１４０を介して、基板用ハンドラ４００に、機械的か
つ電気的に接続される。基板用ハンドラ４００では、被
試験半導体ウェハ３００を、チャック１８０上に搭載す
る。プローブカード１７０は、被試験半導体ウェハ３０
０の上部に設けられている。プローブカード１７０は、
テスト時に回路端子、すなわち被試験半導体ウェハ３０
０上のＩＣ回路の各コンタクトターゲットと接触するた
めの、例えばカンチレバーやニードル（針）のような、
多数のプローブコンタクタ（コンタクトストラクチャ）
１９０を有している。
【０００７】プローブカード１７０の電気端子または接
触用リセプタクルは、フロッグリンク１３０に設置した
接続ピン１４１に電気的に接続される。これら接続ピン
１４１はさらに、パーフォーマンスボード１２０のコン
タクト端子１２１に接続され、そのコンタクト端子１２
１は、それぞれテストヘッド１００のプリント回路基板
１５０に、同軸ケーブル１２４を介して接続されてい
る。さらにプリント回路基板１５０は、例えば数百の内
部ケーブルを有するケーブル束１１０を介して、半導体
テストシステム本体に接続されている。
触用リセプタクルは、フロッグリンク１３０に設置した
接続ピン１４１に電気的に接続される。これら接続ピン
１４１はさらに、パーフォーマンスボード１２０のコン
タクト端子１２１に接続され、そのコンタクト端子１２
１は、それぞれテストヘッド１００のプリント回路基板
１５０に、同軸ケーブル１２４を介して接続されてい
る。さらにプリント回路基板１５０は、例えば数百の内
部ケーブルを有するケーブル束１１０を介して、半導体
テストシステム本体に接続されている。
【０００８】このような構成において、プローブコンタ
クタ１９０は、被試験半導体ウェハにテスト信号を送
り、その応答結果としての出力信号を受けるために、チ
ャック１８０上にある半導体ウェハ３００の表面と接触
する。被試験半導体ウェハ３００が正常に機能している
かどうかを検証するために、半導体ウェハ３００からの
出力信号は、半導体テストシステムが発生する期待値と
比較される。
クタ１９０は、被試験半導体ウェハにテスト信号を送
り、その応答結果としての出力信号を受けるために、チ
ャック１８０上にある半導体ウェハ３００の表面と接触
する。被試験半導体ウェハ３００が正常に機能している
かどうかを検証するために、半導体ウェハ３００からの
出力信号は、半導体テストシステムが発生する期待値と
比較される。
【０００９】第３図は、第２図のプローブカード１７０
の底面図である。この例では、プローブカード１７０に
は、ニードルまたはカンチレバーと呼ばれるプローブコ
ンタクタ１９０を上部に複数個設置した、エポキシリン
グが設けられている。第２図において、半導体ウェハ３
００を搭載したチャック１８０が上方に移動すると、カ
ンチレバー（プローブコンタクタ）１９０の先端は、半
導体ウェハ３００の接続パッドや接続バンプ（突起）に
接触する。カンチレバー１９０の他端は、電線１９４に
接続され、更にその電線１９４は、プローブカード１７
０に形成された伝送ラインに接続されている。プローブ
カード１７０の伝送ラインは、第２図のポゴピン１４１
に接触するための電極１９７に接続されている。
の底面図である。この例では、プローブカード１７０に
は、ニードルまたはカンチレバーと呼ばれるプローブコ
ンタクタ１９０を上部に複数個設置した、エポキシリン
グが設けられている。第２図において、半導体ウェハ３
００を搭載したチャック１８０が上方に移動すると、カ
ンチレバー（プローブコンタクタ）１９０の先端は、半
導体ウェハ３００の接続パッドや接続バンプ（突起）に
接触する。カンチレバー１９０の他端は、電線１９４に
接続され、更にその電線１９４は、プローブカード１７
０に形成された伝送ラインに接続されている。プローブ
カード１７０の伝送ラインは、第２図のポゴピン１４１
に接触するための電極１９７に接続されている。
【００１０】一般に、プローブカード１７０は、アース
層、電源層、および複数の信号送信ライン層により構成
されたポリイミド多層基板で構成されている。周知のよ
うに、ポリイミドの例えば誘電率、プローブカード１７
０内の信号のインダクタンスとキャパシタンスのような
様々なパラメターの平衡を保つようにすることで、例え
ば５０オームのような、特性インピーダンスが得られる
ように、各伝送ラインは設計されている。従って、これ
ら信号伝送ラインはインピーダンス整合しており、被試
験ウェハ３００に対する高周波数帯域での動作が実現で
きる。このため信号伝達ラインは、パルス信号の定常状
態では小さな電流を供給し、被試験部品の出力切り替え
時には、高電流ピークを供給することができる。またプ
ローブカード１７０には、ノイズ除去のために、電源層
とグラウンド層間に、キャパシタ１９３とキャパシタ１
９５が設けられている。
層、電源層、および複数の信号送信ライン層により構成
されたポリイミド多層基板で構成されている。周知のよ
うに、ポリイミドの例えば誘電率、プローブカード１７
０内の信号のインダクタンスとキャパシタンスのような
様々なパラメターの平衡を保つようにすることで、例え
ば５０オームのような、特性インピーダンスが得られる
ように、各伝送ラインは設計されている。従って、これ
ら信号伝送ラインはインピーダンス整合しており、被試
験ウェハ３００に対する高周波数帯域での動作が実現で
きる。このため信号伝達ラインは、パルス信号の定常状
態では小さな電流を供給し、被試験部品の出力切り替え
時には、高電流ピークを供給することができる。またプ
ローブカード１７０には、ノイズ除去のために、電源層
とグラウンド層間に、キャパシタ１９３とキャパシタ１
９５が設けられている。
【００１１】上記の従来技術によるプローブカードにお
ける、周波数帯域の限界を説明するために、プローブカ
ード１７０の等価回路を第４図に示す。第４図（Ａ）と
第４図（Ｂ）に示すように、プローブカード１７０の信
号伝送ラインは、電極１９７から、ストリップライン１
９６（インピーダンス整合している）、電線１９４、そ
してニードル（カンチレバー）１９０に達している。第
４図（Ｃ）に示すように、電線１９４とニードル１９０
はインピーダンス整合していないので、高周波数帯域で
はこれらの部分は、インダクターＬとして作用する。電
線１９４とニードル１９０の長さは、全体として２０−
３０ｍｍ程度であるから、被試験部品を高周波数帯域で
テストする場合には、大幅にそのテスト可能周波数が制
限される。
ける、周波数帯域の限界を説明するために、プローブカ
ード１７０の等価回路を第４図に示す。第４図（Ａ）と
第４図（Ｂ）に示すように、プローブカード１７０の信
号伝送ラインは、電極１９７から、ストリップライン１
９６（インピーダンス整合している）、電線１９４、そ
してニードル（カンチレバー）１９０に達している。第
４図（Ｃ）に示すように、電線１９４とニードル１９０
はインピーダンス整合していないので、高周波数帯域で
はこれらの部分は、インダクターＬとして作用する。電
線１９４とニードル１９０の長さは、全体として２０−
３０ｍｍ程度であるから、被試験部品を高周波数帯域で
テストする場合には、大幅にそのテスト可能周波数が制
限される。
【００１２】プローブカード１７０の周波数帯域を制限
する他の要素は、第４図（Ｄ）と第４図（Ｅ）に示すよ
うに、電源用ニードルとグラウンド用ニードルである。
テスト時に電源ラインが充分な電流を高速に被試験部品
に供給できるのであれば、部品テストにおける動作帯域
の制限は深刻ではない。しかし、電源を被試験部品に供
給するために直列に接続された電線１９４とニードル１
９０は、第４図（Ｄ）に示すようにインダクタと等価で
あるので、電源ラインの高速の電流動作を制限する。同
様に、電源と信号をグラウンド接続するために直列で接
続される電線１９４とニードル１９０は、第４図（Ｅ）
に示すように等価的にインダクターとなるため、高速の
電流動作は大幅に制限する。
する他の要素は、第４図（Ｄ）と第４図（Ｅ）に示すよ
うに、電源用ニードルとグラウンド用ニードルである。
テスト時に電源ラインが充分な電流を高速に被試験部品
に供給できるのであれば、部品テストにおける動作帯域
の制限は深刻ではない。しかし、電源を被試験部品に供
給するために直列に接続された電線１９４とニードル１
９０は、第４図（Ｄ）に示すようにインダクタと等価で
あるので、電源ラインの高速の電流動作を制限する。同
様に、電源と信号をグラウンド接続するために直列で接
続される電線１９４とニードル１９０は、第４図（Ｅ）
に示すように等価的にインダクターとなるため、高速の
電流動作は大幅に制限する。
【００１３】また、電源ラインへのノイズやサージパル
スを除去することにより、テスト時の被試験部品の適切
な機能が確保できるように、キャパシタ１９３とキャパ
シタ１９５が、電源ラインとグラウンドラインの間に接
続されている。キャパシタ１９３は、例えば１０マイク
ロファラッドのような比較的大きな値をとり、必要に応
じてスイッチを用いて切り離しできる。キャパシタ１９
５は、例えば０．０１マイクロファラッドのような比較
的小さな値をとり、ＤＵＴの近くに固定的に設けられて
いる。これらのキャパシタは、電源ラインに対する高周
波数除去（デカップリング）として作用するので、信号
と電源ラインの高速電流動作を制限する結果となる。
スを除去することにより、テスト時の被試験部品の適切
な機能が確保できるように、キャパシタ１９３とキャパ
シタ１９５が、電源ラインとグラウンドラインの間に接
続されている。キャパシタ１９３は、例えば１０マイク
ロファラッドのような比較的大きな値をとり、必要に応
じてスイッチを用いて切り離しできる。キャパシタ１９
５は、例えば０．０１マイクロファラッドのような比較
的小さな値をとり、ＤＵＴの近くに固定的に設けられて
いる。これらのキャパシタは、電源ラインに対する高周
波数除去（デカップリング）として作用するので、信号
と電源ラインの高速電流動作を制限する結果となる。
【００１４】従って、もっとも広く使用されている上記
のプローブコンタクタにおいては、その周波数帯域が２
００ＭＨｚ程度に制限されてしまい、最近の半導体部品
のテストには不十分となっている。半導体試験の業界で
は、現在では１ＧＨｚ以上の動作帯域となっているＩＣ
テスターの周波数帯域機能に、少なくとも等しい程度の
周波数帯域が、近い将来のプローブコンタクタに必要に
なるであろうと見られている。また、業界では、テスト
処理量を向上させるために、並列に例えば３２個以上の
ような、多数の半導体部品、特にメモリーのような半導
体部品を取り扱えるプローブカードが望まれている。
のプローブコンタクタにおいては、その周波数帯域が２
００ＭＨｚ程度に制限されてしまい、最近の半導体部品
のテストには不十分となっている。半導体試験の業界で
は、現在では１ＧＨｚ以上の動作帯域となっているＩＣ
テスターの周波数帯域機能に、少なくとも等しい程度の
周波数帯域が、近い将来のプローブコンタクタに必要に
なるであろうと見られている。また、業界では、テスト
処理量を向上させるために、並列に例えば３２個以上の
ような、多数の半導体部品、特にメモリーのような半導
体部品を取り扱えるプローブカードが望まれている。
【００１５】上述した次世代テストの要求を満たすため
に、本特許出願の発明者は、１９９８年６月１９日提出
の米国特許出願番号09/099,614「フォトリソグラフィ行
程により作成するプローブコンタクタ」において、コン
タクトストラクチャの新概念を提示している。この特許
出願において、コンタクトストラクチャはシリコン基板
上又は誘電体基板上に、フォトリソグラフィのプロセス
によって形成される。第５図と第６図（Ａ）−第６図
（Ｃ）は上述特許出願における発明の概要を示してい
る。第５図では、フォトリソグラフィ製法を用いて、コ
ンタクトストラクチャ３０の全てがシリコン基板２０上
に形成されている。コンタクトストラクチャ３０を有す
るシリコン基板２０を、第２図と第３図に示すようにプ
ローブカード上に搭載してもよい。テスト時に半導体ウ
ェハ３００が上方に移動すると、コンタクトストラクチ
ャ３０は、ウェハ３００上の対応するコンタクトターゲ
ット（エレクトロード或いはパッド）３２０に接触す
る。
に、本特許出願の発明者は、１９９８年６月１９日提出
の米国特許出願番号09/099,614「フォトリソグラフィ行
程により作成するプローブコンタクタ」において、コン
タクトストラクチャの新概念を提示している。この特許
出願において、コンタクトストラクチャはシリコン基板
上又は誘電体基板上に、フォトリソグラフィのプロセス
によって形成される。第５図と第６図（Ａ）−第６図
（Ｃ）は上述特許出願における発明の概要を示してい
る。第５図では、フォトリソグラフィ製法を用いて、コ
ンタクトストラクチャ３０の全てがシリコン基板２０上
に形成されている。コンタクトストラクチャ３０を有す
るシリコン基板２０を、第２図と第３図に示すようにプ
ローブカード上に搭載してもよい。テスト時に半導体ウ
ェハ３００が上方に移動すると、コンタクトストラクチ
ャ３０は、ウェハ３００上の対応するコンタクトターゲ
ット（エレクトロード或いはパッド）３２０に接触す
る。
【００１６】このシリコン基板２０上の新規なコンタク
トストラクチャ３０は、第３図に示すように、プローブ
カード上に直接搭載することもできるし、またリードを
有した従来のＩＣパッケージなどのようなパッケージに
モールドし、そのパッケージをプローブカード上に搭載
するように形成することもできる。本件の発明者による
上記特許出願では、プローブカード又はその同等物とコ
ンタクトストラクチャ３０との間の、そのようなパッケ
ージング・相互接続については言及していない。
トストラクチャ３０は、第３図に示すように、プローブ
カード上に直接搭載することもできるし、またリードを
有した従来のＩＣパッケージなどのようなパッケージに
モールドし、そのパッケージをプローブカード上に搭載
するように形成することもできる。本件の発明者による
上記特許出願では、プローブカード又はその同等物とコ
ンタクトストラクチャ３０との間の、そのようなパッケ
ージング・相互接続については言及していない。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、新規なコンタクト構造（コンタクトストラクチ
ャ）を、半導体ウェハ，ＬＳＩパッケージその他をテス
トするために用いるプローブカード又はその同等物に対
して、パッケージング・相互接続する技術を提供するこ
とにある。
目的は、新規なコンタクト構造（コンタクトストラクチ
ャ）を、半導体ウェハ，ＬＳＩパッケージその他をテス
トするために用いるプローブカード又はその同等物に対
して、パッケージング・相互接続する技術を提供するこ
とにある。
【００１８】また、本発明の他の目的は、新規なコンタ
クト構造を、プローブカード又はその等価物に対して、
パッケージング・相互接続を施すことにより、高速かつ
高周波数で半導体ウェハ，ＬＳＩパッケージその他をテ
ストすることができる接続技術を提供することにある。
クト構造を、プローブカード又はその等価物に対して、
パッケージング・相互接続を施すことにより、高速かつ
高周波数で半導体ウェハ，ＬＳＩパッケージその他をテ
ストすることができる接続技術を提供することにある。
【００１９】また、本発明のさらに他の目的は、プロー
ブカード又はその等価物に対し、コンタクトストラクチ
ャの上面部から、パッケージング・相互接続が形成され
るようにした接続技術を提供することにある。
ブカード又はその等価物に対し、コンタクトストラクチ
ャの上面部から、パッケージング・相互接続が形成され
るようにした接続技術を提供することにある。
【００２０】また、本発明のさらに他の目的は、ボンデ
ィングワイヤ、テープ自動ボンディング（ＴＡＢ）リー
ド、または多層ＴＡＢリードを用いて形成するパッケー
ジング・接続技術を提供することにある。
ィングワイヤ、テープ自動ボンディング（ＴＡＢ）リー
ド、または多層ＴＡＢリードを用いて形成するパッケー
ジング・接続技術を提供することにある。
【００２１】また、本発明のさらに他の目的は、コンタ
クトストラクチャの上部表面に設けられているコンタク
トトレイスと外部のコネクタとの間にパッケージング・
相互接続を形成する技術を提供することにある。
クトストラクチャの上部表面に設けられているコンタク
トトレイスと外部のコネクタとの間にパッケージング・
相互接続を形成する技術を提供することにある。
【００２２】また、本発明のさらに他の目的は、コンタ
クトストラクチャの上面部に構成されたコンタクトトレ
イスと外部プリント回路基板の接続パッド間をソルダー
（半田）バンプのような導電バンプによりパッケージン
グ・相互接続を形成する技術を提供することにある。
クトストラクチャの上面部に構成されたコンタクトトレ
イスと外部プリント回路基板の接続パッド間をソルダー
（半田）バンプのような導電バンプによりパッケージン
グ・相互接続を形成する技術を提供することにある。
【００２３】また、本発明のさらに他の目的は、コンタ
クトストラクチャの上面部に構成されたコンタクトトレ
イスと外部プリント回路基板の接続パッド間を導電性ポ
リマーによりパッケージング・相互接続を形成する技術
を提供することにある。
クトストラクチャの上面部に構成されたコンタクトトレ
イスと外部プリント回路基板の接続パッド間を導電性ポ
リマーによりパッケージング・相互接続を形成する技術
を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明では、半導体ウェ
ハ，半導体チップ、半導体パッケージ部品、プリント回
路基板その他をテストするためのプローブカード或いは
その等価物にて使用されるコンタクトストラクチャの、
電気的パッケージング・相互接続を、コンタクトストラ
クチャの上面部に設けられたコンタクトトレイスとプロ
ーブカード上の各種の接続手段との間で形成する。本発
明の接続技術はテスト用プローブの応用に限ることな
く、広く一般の電子部品の端子ピンやリードの接続にも
応用できる。
ハ，半導体チップ、半導体パッケージ部品、プリント回
路基板その他をテストするためのプローブカード或いは
その等価物にて使用されるコンタクトストラクチャの、
電気的パッケージング・相互接続を、コンタクトストラ
クチャの上面部に設けられたコンタクトトレイスとプロ
ーブカード上の各種の接続手段との間で形成する。本発
明の接続技術はテスト用プローブの応用に限ることな
く、広く一般の電子部品の端子ピンやリードの接続にも
応用できる。
【００２５】本発明の１の態様におけるパッケージング
・相互接続は、フォトリソグラフィ製法により、コンタ
クト基板上に導電材料で形成されたコンタクトストラク
チャであって、そのコンタクト基板に対して直立に形成
されたベース部と、一端がベース部上に形成された水平
部と、その水平部の他端に形成された接触部とにより構
成されるコンタクトストラクチャを有し；そのコンタク
ト基板上に形成され、一端が上記コンタクトストラクチ
ャに電気的に接続され、その他端の上面が接続パッドと
して形成されたコンタクトトレイスを有し；上記コンタ
クトトレイスの上記他端と電気的に接続するために、プ
リント回路基板（ＰＣＢ）上またはリードフレイムに設
けられたコンタクトターゲットを有し；上記接続パッド
と上記コンタクトターゲットを電気的に結合する導電リ
ードを有し、上記コンタクト基板の下部に設けられ、上
記パッケージング・相互接続に柔軟性を与えるためのエ
ラストマを有し；コンタクトストラクチャ、コンタクト
基板およびエラストマを支持するためのサポートストラ
クチャを有して構成される。
・相互接続は、フォトリソグラフィ製法により、コンタ
クト基板上に導電材料で形成されたコンタクトストラク
チャであって、そのコンタクト基板に対して直立に形成
されたベース部と、一端がベース部上に形成された水平
部と、その水平部の他端に形成された接触部とにより構
成されるコンタクトストラクチャを有し；そのコンタク
ト基板上に形成され、一端が上記コンタクトストラクチ
ャに電気的に接続され、その他端の上面が接続パッドと
して形成されたコンタクトトレイスを有し；上記コンタ
クトトレイスの上記他端と電気的に接続するために、プ
リント回路基板（ＰＣＢ）上またはリードフレイムに設
けられたコンタクトターゲットを有し；上記接続パッド
と上記コンタクトターゲットを電気的に結合する導電リ
ードを有し、上記コンタクト基板の下部に設けられ、上
記パッケージング・相互接続に柔軟性を与えるためのエ
ラストマを有し；コンタクトストラクチャ、コンタクト
基板およびエラストマを支持するためのサポートストラ
クチャを有して構成される。
【００２６】本発明の別の態様においては、そのコンタ
クトトレイスの他端を受け入れその他端との間で電気的
接続を実現するために、コネクタが設けられている。本
発明のさらに他の態様においては、そのコンタクトトレ
イスの接続パッドとプリント基板との間に導電バンプが
設けられて、その接続パッドとプリント基板との間の電
気的接続を実現している。本発明のさらに他の態様にお
いては、そのコンタクトトレイスの接続パッドとプリン
ト基板との間に導電ポリマーが設けられて、その接続パ
ッドとプリント基板との間の電気的接続を実現してい
る。
クトトレイスの他端を受け入れその他端との間で電気的
接続を実現するために、コネクタが設けられている。本
発明のさらに他の態様においては、そのコンタクトトレ
イスの接続パッドとプリント基板との間に導電バンプが
設けられて、その接続パッドとプリント基板との間の電
気的接続を実現している。本発明のさらに他の態様にお
いては、そのコンタクトトレイスの接続パッドとプリン
ト基板との間に導電ポリマーが設けられて、その接続パ
ッドとプリント基板との間の電気的接続を実現してい
る。
【００２７】本発明の更にもう１つの態様においては、
コンタクトストラクチャの相互接続・パッケージング
は、コンタクトトレイス上の接続パッドとコンタクトタ
ーゲットの間にボンディングワイヤを介して形成され
る。本発明の更にもう１つの態様においては、コンタク
トストラクチャの相互接続・パッケージングは、コンタ
クトトレイス上の接続パッドとコンタクトターゲットと
の間にわたるテープ・オートメイテド（自動）ボンディ
ング（ＴＡＢ）の１層リードを介して形成する。本発明
の更にもう１つの態様においては、コンタクトトレイス
上の接続パッドとコンタクトターゲットとの間にわたる
テープ・オートメイテド・ボンディング（ＴＡＢ）の２
層リードを介して形成する。本発明の更にもう１つの態
様においては、コンタクトトレイス上の接続パッドとコ
ンタクトターゲットとの間にわたるテープ・オートメイ
テド・ボンディング（ＴＡＢ）の３層リードを介して形
成する。
コンタクトストラクチャの相互接続・パッケージング
は、コンタクトトレイス上の接続パッドとコンタクトタ
ーゲットの間にボンディングワイヤを介して形成され
る。本発明の更にもう１つの態様においては、コンタク
トストラクチャの相互接続・パッケージングは、コンタ
クトトレイス上の接続パッドとコンタクトターゲットと
の間にわたるテープ・オートメイテド（自動）ボンディ
ング（ＴＡＢ）の１層リードを介して形成する。本発明
の更にもう１つの態様においては、コンタクトトレイス
上の接続パッドとコンタクトターゲットとの間にわたる
テープ・オートメイテド・ボンディング（ＴＡＢ）の２
層リードを介して形成する。本発明の更にもう１つの態
様においては、コンタクトトレイス上の接続パッドとコ
ンタクトターゲットとの間にわたるテープ・オートメイ
テド・ボンディング（ＴＡＢ）の３層リードを介して形
成する。
【００２８】本発明によれば、パッケージング・相互接
続は、次世代半導体技術のテストの必要事項を満たした
高周波帯域を実現できる。本発明のパッケージング・相
互接続は、コンタクトストラクチャの上面部を介して電
気接続をすることで、プローブカード上あるいはそれに
等価物上に、そのコンタクトストラクチャを搭載するこ
とができる。さらに、組み立てに用いる部品が全体とし
て比較的少ないので、本発明のパッケージング・相互接
続は低コスト、高信頼性、且つ高生産性で構成すること
ができる。
続は、次世代半導体技術のテストの必要事項を満たした
高周波帯域を実現できる。本発明のパッケージング・相
互接続は、コンタクトストラクチャの上面部を介して電
気接続をすることで、プローブカード上あるいはそれに
等価物上に、そのコンタクトストラクチャを搭載するこ
とができる。さらに、組み立てに用いる部品が全体とし
て比較的少ないので、本発明のパッケージング・相互接
続は低コスト、高信頼性、且つ高生産性で構成すること
ができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】プローブカードとコンタクトスト
ラクチャとの間のパッケージング・相互接続を直接的に
実現するために、あるいは、ＩＣパッケージを介して間
接的にプローブカードとコンタクトストラクチャとの間
のパッケージング・相互接続を形成するためのコンタク
トストラクチャの基本形態を第６図（Ａ）−第６図
（Ｃ）に示す。この例では、そのようなパッケージング
・相互接続を形成するために、コンタクトストラクチャ
から引き出される電気的信号路の３種類の基本構成を示
している。
ラクチャとの間のパッケージング・相互接続を直接的に
実現するために、あるいは、ＩＣパッケージを介して間
接的にプローブカードとコンタクトストラクチャとの間
のパッケージング・相互接続を形成するためのコンタク
トストラクチャの基本形態を第６図（Ａ）−第６図
（Ｃ）に示す。この例では、そのようなパッケージング
・相互接続を形成するために、コンタクトストラクチャ
から引き出される電気的信号路の３種類の基本構成を示
している。
【００３０】第６図（Ａ）は、そのような電気的接続
を、基板の上部で形成するための構成例を示す。第６図
（Ｂ）は、そのような電気的接続を、基板の底部で形成
するための構成例を示す。第６図（Ｃ）は、そのような
電気的接続を、基板の端部で形成するための構成例を示
す。現存するほとんどのタイプのＩＣパッケージやプロ
ーブカードにおいて、第６図（Ａ）−第６図（Ｃ）の接
続形態のいずれか１つを採用することができる。
を、基板の上部で形成するための構成例を示す。第６図
（Ｂ）は、そのような電気的接続を、基板の底部で形成
するための構成例を示す。第６図（Ｃ）は、そのような
電気的接続を、基板の端部で形成するための構成例を示
す。現存するほとんどのタイプのＩＣパッケージやプロ
ーブカードにおいて、第６図（Ａ）−第６図（Ｃ）の接
続形態のいずれか１つを採用することができる。
【００３１】第６図（Ａ）−第６図（Ｃ）の各例では、
符号ａとしても示されているコンタクトトレイス３２を
有している。このコンタクトトレイス３２は、プローブ
カードとの電気的接続を形成するため、又はプローブカ
ードへ仲介物を経由して電気的接続を形成するためのも
のである。コンタクトストラクチャ３０は、縦部ｂおよ
び縦部ｄ、横部（横ビーム）ｃおよび先端部ｅで構成さ
れる。コンタクトストラクチャ３０の先端部ｅは、第３
図に示したように、コンタクトターゲットに押されたと
きに削り付き（スクラビング）効果を達成するように、
鋭利な形状であることが望ましい。横部ｃのバネ力は、
コンタクトターゲット３２０に対し、適切なコンタクト
力（接触圧力）をもたらす。コンタクトストラクチャ３
０とコンタクトトレイス３２の材料の例として、ニッケ
ル、アルミニウム、銅、その他の導電材料がある。本願
の発明者は、コンタクトストラクチャ３０とコンタクト
トレイス３２をシリコン基板２０に形成するための製造
方法を、上記米国特許出願番号09/099,614に詳細に開示
している。この製造方法において、フォトリソブラフィ
技術を用いて、導電材料をデポジション、エバポレーシ
ョン、スパッタリング、あるいはメッキ行程を介してコ
ンタクトストラクチャ３０やコンタクトトレイス３２を
形成する。
符号ａとしても示されているコンタクトトレイス３２を
有している。このコンタクトトレイス３２は、プローブ
カードとの電気的接続を形成するため、又はプローブカ
ードへ仲介物を経由して電気的接続を形成するためのも
のである。コンタクトストラクチャ３０は、縦部ｂおよ
び縦部ｄ、横部（横ビーム）ｃおよび先端部ｅで構成さ
れる。コンタクトストラクチャ３０の先端部ｅは、第３
図に示したように、コンタクトターゲットに押されたと
きに削り付き（スクラビング）効果を達成するように、
鋭利な形状であることが望ましい。横部ｃのバネ力は、
コンタクトターゲット３２０に対し、適切なコンタクト
力（接触圧力）をもたらす。コンタクトストラクチャ３
０とコンタクトトレイス３２の材料の例として、ニッケ
ル、アルミニウム、銅、その他の導電材料がある。本願
の発明者は、コンタクトストラクチャ３０とコンタクト
トレイス３２をシリコン基板２０に形成するための製造
方法を、上記米国特許出願番号09/099,614に詳細に開示
している。この製造方法において、フォトリソブラフィ
技術を用いて、導電材料をデポジション、エバポレーシ
ョン、スパッタリング、あるいはメッキ行程を介してコ
ンタクトストラクチャ３０やコンタクトトレイス３２を
形成する。
【００３２】本発明のコンタクトストラクチャのパッケ
ージ・相互接続は、第６図（Ａ）に示すように、その上
面部にコンタクトトレイスを有する形態（トップ型コン
タクトトレイス）のコンタクトストラクチャについての
パッケージング・相互接続を対象とするものである。ト
ップ型のパッケージング・相互接続に関する本発明の様
々な実施例を、図面を参照して以下に詳細に説明する。
ージ・相互接続は、第６図（Ａ）に示すように、その上
面部にコンタクトトレイスを有する形態（トップ型コン
タクトトレイス）のコンタクトストラクチャについての
パッケージング・相互接続を対象とするものである。ト
ップ型のパッケージング・相互接続に関する本発明の様
々な実施例を、図面を参照して以下に詳細に説明する。
【００３３】第７図と第８図は、ボンディングワイヤー
を介して、トップ型のコンタクトトレイスが、例えば、
プローブカード（図には無い）またはＩＣパッケージ
（図には無い）に設けられたリードフレイムに接続され
るように構成した、本発明の第１の実施例を示す。第１
の例である第７図では、コンタクト基板２０上に形成さ
れたコンタクトストラクチャ３０が、上記したトップ型
コンタクトトレイスであるコンタクトトレイス３２に電
気的に接続されている。コンタクトトレイス３２は、そ
の端にコンタクト（接続）パッド３３を有しており、そ
の上部表面は、例えばボンディングワイヤ７２のような
様々なコンタクト手段を介して、コンタクトターゲット
との電気接続を確立するように設計されている。ボンデ
ィングワイヤ７２は細い（１５−２５ｕｍ）ワイヤであ
り、例えば金やアルミニウムで構成される。
を介して、トップ型のコンタクトトレイスが、例えば、
プローブカード（図には無い）またはＩＣパッケージ
（図には無い）に設けられたリードフレイムに接続され
るように構成した、本発明の第１の実施例を示す。第１
の例である第７図では、コンタクト基板２０上に形成さ
れたコンタクトストラクチャ３０が、上記したトップ型
コンタクトトレイスであるコンタクトトレイス３２に電
気的に接続されている。コンタクトトレイス３２は、そ
の端にコンタクト（接続）パッド３３を有しており、そ
の上部表面は、例えばボンディングワイヤ７２のような
様々なコンタクト手段を介して、コンタクトターゲット
との電気接続を確立するように設計されている。ボンデ
ィングワイヤ７２は細い（１５−２５ｕｍ）ワイヤであ
り、例えば金やアルミニウムで構成される。
【００３４】コンタクト基板２０は一般的にはシリコン
基板であるが、他の種類の誘電体材料基板、例えばガラ
スエポキシ基板、ポリイミド基板、セラミック基板、ア
ルミナ基板等を用いてもよい。第７図の例では、ボンデ
ィングワイヤ７２は、コンタクトパッド３３と例えばプ
ローブカード上のリードフレイム４５を接続する。コン
タクト基板２０とリードフレイム４５は、例えば接着剤
（図には無い）を介してサポートストラクチャ（支持構
造）５２に搭載されている。
基板であるが、他の種類の誘電体材料基板、例えばガラ
スエポキシ基板、ポリイミド基板、セラミック基板、ア
ルミナ基板等を用いてもよい。第７図の例では、ボンデ
ィングワイヤ７２は、コンタクトパッド３３と例えばプ
ローブカード上のリードフレイム４５を接続する。コン
タクト基板２０とリードフレイム４５は、例えば接着剤
（図には無い）を介してサポートストラクチャ（支持構
造）５２に搭載されている。
【００３５】ボンディングワイヤ７２による接続を確立
するにあたっては、どのようなワイヤボンディングのプ
ロセスを用いてもよい。ボンディングワイヤ７２は、最
初にコンタクトトレイス上のコンタクトパッド３３に接
着され、そこからリードフレイム４５に引き渡される。
次にボンディングワイヤ７２はリード４５に接着され、
未使用ワイヤはそこで切り取られる。そして次のボンド
パッドについて上の行程が繰り返される。ワイヤボンデ
ィングは、例えば金またはアルミニウムワイヤのいずれ
かを用いて行う。どちらの材料も十分に導電性が高く、
柔軟性があるので、ボンディング過程での変形にも耐
え、強度と信頼性を保つことができる。金ワイヤボンデ
ィングでは、一般にサーモコンプレッション（ＴＣ）法
とサーモソニック法が用いられる。アルミニウムワイヤ
ボンディングでは、一般にウルトラソニック法とウェッ
ジボンディング法が用いられる。
するにあたっては、どのようなワイヤボンディングのプ
ロセスを用いてもよい。ボンディングワイヤ７２は、最
初にコンタクトトレイス上のコンタクトパッド３３に接
着され、そこからリードフレイム４５に引き渡される。
次にボンディングワイヤ７２はリード４５に接着され、
未使用ワイヤはそこで切り取られる。そして次のボンド
パッドについて上の行程が繰り返される。ワイヤボンデ
ィングは、例えば金またはアルミニウムワイヤのいずれ
かを用いて行う。どちらの材料も十分に導電性が高く、
柔軟性があるので、ボンディング過程での変形にも耐
え、強度と信頼性を保つことができる。金ワイヤボンデ
ィングでは、一般にサーモコンプレッション（ＴＣ）法
とサーモソニック法が用いられる。アルミニウムワイヤ
ボンディングでは、一般にウルトラソニック法とウェッ
ジボンディング法が用いられる。
【００３６】第８図の例では、コンタクトトレイス３２
はその上面にて、ＰＣＢ基板６２に設けられているプリ
ント回路基板（ＰＣＢ）接続パッド３８に接続される。
ＰＣＢ基板６２は、第３図に示すようなプローブカード
でもあり得るし、コンタクトストラクチャとプローブカ
ード間の中間回路でもあり得る。ＰＣＢ基板６２は、サ
ポートストラクチャ５２上に搭載される。コンタクト基
板２０とサポートストラクチャ５２は、例えば接着剤
（図には無い）によって、互いに固定されている。同様
に、ＰＣＢ基板とサポートストラクチャ５２は、接着剤
（図には無い）によって互いに固定されている。
はその上面にて、ＰＣＢ基板６２に設けられているプリ
ント回路基板（ＰＣＢ）接続パッド３８に接続される。
ＰＣＢ基板６２は、第３図に示すようなプローブカード
でもあり得るし、コンタクトストラクチャとプローブカ
ード間の中間回路でもあり得る。ＰＣＢ基板６２は、サ
ポートストラクチャ５２上に搭載される。コンタクト基
板２０とサポートストラクチャ５２は、例えば接着剤
（図には無い）によって、互いに固定されている。同様
に、ＰＣＢ基板とサポートストラクチャ５２は、接着剤
（図には無い）によって互いに固定されている。
【００３７】第９−１３図は、本発明の第２の実施例を
示しており、テープ・オーボメイテド（自動）ボンディ
ング（ＴＡＢ）行程によって形成された１層リードを介
して、トップ型のコンタクトトレイスをコンタクトター
ゲットに接続する。第９図の例では、コンタクト基板２
０上に形成したコンタクトストラクチャ３０は、コンタ
クトトレイス３２を介して、電気的にコンタクト（接
続）パッド３３に接続されている。コンタクトパッド３
３は、その上面が、ＴＡＢリード７４に接続されてお
り、ＴＡＢリード７４はまたＰＣＢ基板６２2上に設け
られているプリント回路基板（ＰＣＢ）接続パッド３８
に接続されている。
示しており、テープ・オーボメイテド（自動）ボンディ
ング（ＴＡＢ）行程によって形成された１層リードを介
して、トップ型のコンタクトトレイスをコンタクトター
ゲットに接続する。第９図の例では、コンタクト基板２
０上に形成したコンタクトストラクチャ３０は、コンタ
クトトレイス３２を介して、電気的にコンタクト（接
続）パッド３３に接続されている。コンタクトパッド３
３は、その上面が、ＴＡＢリード７４に接続されてお
り、ＴＡＢリード７４はまたＰＣＢ基板６２2上に設け
られているプリント回路基板（ＰＣＢ）接続パッド３８
に接続されている。
【００３８】コンタクト基板２０は、エラストマ４２と
サポートストラクチャ５２2を介してＰＣＢ基板６２2上
に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ４
２、サポートストラクチャ５２2、ＰＣＢ基板６２2は互
いに、例えば接着剤（図には無い）で固定されている。
この例では、コンタクトパッド３３とＰＣＢパッド３８
を接続するためのＴＡＢリード７４は、ガルウイング
（カモメの羽）形をしており、ガルウイング部ＡがＰＣ
Ｂパッド３８に接続されている。サポート部材５４は、
ＴＡＢリード７４を支持するために、サポートストラク
チャ５２2に設けられている。
サポートストラクチャ５２2を介してＰＣＢ基板６２2上
に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ４
２、サポートストラクチャ５２2、ＰＣＢ基板６２2は互
いに、例えば接着剤（図には無い）で固定されている。
この例では、コンタクトパッド３３とＰＣＢパッド３８
を接続するためのＴＡＢリード７４は、ガルウイング
（カモメの羽）形をしており、ガルウイング部ＡがＰＣ
Ｂパッド３８に接続されている。サポート部材５４は、
ＴＡＢリード７４を支持するために、サポートストラク
チャ５２2に設けられている。
【００３９】ＴＡＢリード７４は、サーフェスマウント
（表面実装）技術で用いられる標準「ガルウイングリー
ド」に類似したガルウイング形をしている。ガルウイン
グ型のＴＡＢリード７４が下向きに曲がっているので、
ＰＣＢパッド３８とリード７４間のコンタクト部上に、
第９図の左端にみられるような垂直方向の空間が十分に
確保できる。ＴＡＢリード７４のリード型（下向き曲が
りのガルウイングリード）は、その製造に、特殊なツー
ルを必要としうる。半導体テストのような応用例では、
多数の相互接続がコンタクトトレイスとＰＣＢパッド間
に使用されるので、特定のピッチの多数のコンタクトト
レイスを作成するためのツールを標準化しても不都合は
ない。
（表面実装）技術で用いられる標準「ガルウイングリー
ド」に類似したガルウイング形をしている。ガルウイン
グ型のＴＡＢリード７４が下向きに曲がっているので、
ＰＣＢパッド３８とリード７４間のコンタクト部上に、
第９図の左端にみられるような垂直方向の空間が十分に
確保できる。ＴＡＢリード７４のリード型（下向き曲が
りのガルウイングリード）は、その製造に、特殊なツー
ルを必要としうる。半導体テストのような応用例では、
多数の相互接続がコンタクトトレイスとＰＣＢパッド間
に使用されるので、特定のピッチの多数のコンタクトト
レイスを作成するためのツールを標準化しても不都合は
ない。
【００４０】コンタクトパッド３３とＴＡＢリード７４
間の電気的接触と、ＴＡＢリード７４とＰＣＢパッド３
８間の電気的接触は、様々なボンディング技術を用いて
確立でき、それにはサーモソニック・ボンディング、サ
ーモコンプレッション・ボンディング、ウルトラソニッ
ク・ボンディング等がある。他の見地からは、そのよう
な電気的接続は、例えばスクリーンプリントハンダ付け
のような、表面実装技術（サーフェスマウントＳＭＴ）
を用いて確立される。ハンダ付け過程は、この技術分野
では周知であるハンダペーストや他のハンダ材料の溶解
凝固（リフロー）特性に基づいて実施される。
間の電気的接触と、ＴＡＢリード７４とＰＣＢパッド３
８間の電気的接触は、様々なボンディング技術を用いて
確立でき、それにはサーモソニック・ボンディング、サ
ーモコンプレッション・ボンディング、ウルトラソニッ
ク・ボンディング等がある。他の見地からは、そのよう
な電気的接続は、例えばスクリーンプリントハンダ付け
のような、表面実装技術（サーフェスマウントＳＭＴ）
を用いて確立される。ハンダ付け過程は、この技術分野
では周知であるハンダペーストや他のハンダ材料の溶解
凝固（リフロー）特性に基づいて実施される。
【００４１】ＰＣＢ基板６２2は、それ自体が第３図に
示すようなプローブカードでもあり、あるいは別個に用
意されていて直接または間接的にプローブカードに搭載
してもよい。前者の場合は、ＰＣＢ基板６２2は、例え
ば第２図に示すようにＩＣテスタのようなテストシステ
ムのインターフェイスに直接的に接続される。後者の場
合は、ＰＣＢ基板６２2は、プローブカード上のコンタ
クトメカニズムの次レベルの部材に電気的接続を確立す
るようにピン結合されるか、導電ポリマーを用いて接続
される。ＰＣＢ基板６２2とプローブカード間のピン結
合あるいは導電ポリマーを介したそのような電気接続の
タイプは、フィールドにおける修理を可能にする。
示すようなプローブカードでもあり、あるいは別個に用
意されていて直接または間接的にプローブカードに搭載
してもよい。前者の場合は、ＰＣＢ基板６２2は、例え
ば第２図に示すようにＩＣテスタのようなテストシステ
ムのインターフェイスに直接的に接続される。後者の場
合は、ＰＣＢ基板６２2は、プローブカード上のコンタ
クトメカニズムの次レベルの部材に電気的接続を確立す
るようにピン結合されるか、導電ポリマーを用いて接続
される。ＰＣＢ基板６２2とプローブカード間のピン結
合あるいは導電ポリマーを介したそのような電気接続の
タイプは、フィールドにおける修理を可能にする。
【００４２】ＰＣＢ基板６２2は多層構造でもよく、そ
のような多層構造の場合は、高周波数信号の伝搬、分布
定数高周波数キャパシタンス、電源回路の高周波数除去
用（デカプリング）キャパシタ、さらに高ピンカウント
（Ｉ／Ｏピン数およびそれに伴う信号通路数）を実現で
きる。ＰＣＢ基板６２2の材料の例として、標準高性能
ガラスエポキシ樹脂がある。他の材料例として、セラミ
ックがあり、これは例えば半導体ウェハやパッケージさ
れたＩＣ部品のバーンインのような高温度での応用時に
おいて、温度膨張（ＣＴＥ）率係数のミスマッチを最小
限にできると期待される。
のような多層構造の場合は、高周波数信号の伝搬、分布
定数高周波数キャパシタンス、電源回路の高周波数除去
用（デカプリング）キャパシタ、さらに高ピンカウント
（Ｉ／Ｏピン数およびそれに伴う信号通路数）を実現で
きる。ＰＣＢ基板６２2の材料の例として、標準高性能
ガラスエポキシ樹脂がある。他の材料例として、セラミ
ックがあり、これは例えば半導体ウェハやパッケージさ
れたＩＣ部品のバーンインのような高温度での応用時に
おいて、温度膨張（ＣＴＥ）率係数のミスマッチを最小
限にできると期待される。
【００４３】サポートストラクチャ５２2は、コンタク
トストラクチャのパッケージング・相互接続の強度を確
立するためのものである。サポートストラクチャ５２2
は、例えば、セラミック、モールド・プラスチック、ま
たは金属で構成される。エラストマ４２は、プラナリゼ
イション（平面不均一性）を克服するために、本発明の
パッケージング・相互接続構造に柔軟性を確立するため
のものである。また、エラストマ４２は、コンタクト基
板２０とＰＣＢ基板６２2間の温度膨張率によるミスマ
ッチを緩和する機能も果たす。
トストラクチャのパッケージング・相互接続の強度を確
立するためのものである。サポートストラクチャ５２2
は、例えば、セラミック、モールド・プラスチック、ま
たは金属で構成される。エラストマ４２は、プラナリゼ
イション（平面不均一性）を克服するために、本発明の
パッケージング・相互接続構造に柔軟性を確立するため
のものである。また、エラストマ４２は、コンタクト基
板２０とＰＣＢ基板６２2間の温度膨張率によるミスマ
ッチを緩和する機能も果たす。
【００４４】コンタクトトレイス３２とＴＡＢリード７
４の全体の長さの例としては、数十マイクロメーターか
ら数百マイクロメーターの間である。このように信号電
気通路が短いので、本発明のパッケージング・相互接続
は、数ＧＨｚやそれ以上の高周波数帯域で機能できる。
また、全体の組立部品の数が比較的少ないので、本発明
のパッケージング・相互接続は、低コストかつ高い信頼
性と生産性により製造できる。
４の全体の長さの例としては、数十マイクロメーターか
ら数百マイクロメーターの間である。このように信号電
気通路が短いので、本発明のパッケージング・相互接続
は、数ＧＨｚやそれ以上の高周波数帯域で機能できる。
また、全体の組立部品の数が比較的少ないので、本発明
のパッケージング・相互接続は、低コストかつ高い信頼
性と生産性により製造できる。
【００４５】第１０図は、本発明の第２実施例における
もう１つの例を示している。ＴＡＢリード７４2は、直
線的な形状をしており、プリント回路基板６２3上に設
けられたＰＣＢパッド３８とコンタクトパッド３３を接
続している。ＰＣＢパッド３８の垂直位置をマッチさせ
るために、ＰＣＢ基板６２3は左端部が***している。
もう１つの例を示している。ＴＡＢリード７４2は、直
線的な形状をしており、プリント回路基板６２3上に設
けられたＰＣＢパッド３８とコンタクトパッド３３を接
続している。ＰＣＢパッド３８の垂直位置をマッチさせ
るために、ＰＣＢ基板６２3は左端部が***している。
【００４６】ＴＡＢリード７４2とＰＣＢパッド３８の
間の電気的接続は、スクリーンプリントハンダや各種の
ボンディングのようなサーフェスマウント（ＳＭＴ）技
術により形成される。そのようなボンディング技術に
は、サーモソニック・ボンディング、サーモコンプレッ
ション・ボンディング、ウルトラソニック・ボンディン
グ等がある。コンタクトストラクチャ３０、コンタクト
トレイス３２、ＴＡＢリード７４2の各部材とそれらに
よる信号通路が極めて小さいので、第１０図の例では、
数ＧＨｚのような高周波数帯域で機能できる。さらに、
組立部品の数が少なく単純な構造であるから、本発明の
相互接続・パッケージングは、低コストかつ高い信頼性
と生産性を実現できる。
間の電気的接続は、スクリーンプリントハンダや各種の
ボンディングのようなサーフェスマウント（ＳＭＴ）技
術により形成される。そのようなボンディング技術に
は、サーモソニック・ボンディング、サーモコンプレッ
ション・ボンディング、ウルトラソニック・ボンディン
グ等がある。コンタクトストラクチャ３０、コンタクト
トレイス３２、ＴＡＢリード７４2の各部材とそれらに
よる信号通路が極めて小さいので、第１０図の例では、
数ＧＨｚのような高周波数帯域で機能できる。さらに、
組立部品の数が少なく単純な構造であるから、本発明の
相互接続・パッケージングは、低コストかつ高い信頼性
と生産性を実現できる。
【００４７】第１１図は、本発明の第２実施例における
更に別の変形例を示しており、トップ型コンタクトトレ
イス３２は、プリント回路基板あるいは他の機構に設け
られいるコネクタに接続される。第１１図の例では、コ
ンタクトトレイス３２のコンタクトパッド３３は、１層
ＴＡＢリード７４3を介して、コネクタ４６に接続され
ている。コネクタ４６は、サポートストラクチャ５２3
上に取り付けられている。コンタクトストラクチャ３
０、コンタクトトレイス３２、およびコンタクト（接
続）パッド３３は、フォトリソグラフィのプロセスを介
して、コンタクト基板２０上に形成される。コンタクト
基板２０は一般にはシリコン基板であるが、例えばガラ
スエポキシ基板、ポリイミド基板、セラミック基板、ア
ルミナ基板のような、他のタイプの誘電体材料を用いる
ことも可能である。
更に別の変形例を示しており、トップ型コンタクトトレ
イス３２は、プリント回路基板あるいは他の機構に設け
られいるコネクタに接続される。第１１図の例では、コ
ンタクトトレイス３２のコンタクトパッド３３は、１層
ＴＡＢリード７４3を介して、コネクタ４６に接続され
ている。コネクタ４６は、サポートストラクチャ５２3
上に取り付けられている。コンタクトストラクチャ３
０、コンタクトトレイス３２、およびコンタクト（接
続）パッド３３は、フォトリソグラフィのプロセスを介
して、コンタクト基板２０上に形成される。コンタクト
基板２０は一般にはシリコン基板であるが、例えばガラ
スエポキシ基板、ポリイミド基板、セラミック基板、ア
ルミナ基板のような、他のタイプの誘電体材料を用いる
ことも可能である。
【００４８】この例では、ＴＡＢリード７４3は、サー
フェスマウント技術で広く使用されまた第９図の例でも
用いられているガルウイング（カモメの羽）に類似した
形状を有している。第１１図のほぼ中心には、コンタク
ト基板２０がエラストマ４２を介してサポートストラク
チャ５２3に搭載されている。コンタクト基板２０、エ
ラストマ４２、およびサポートストラクチャ５２3は、
例えば接着剤（図には無い）で、互いに固定されてい
る。
フェスマウント技術で広く使用されまた第９図の例でも
用いられているガルウイング（カモメの羽）に類似した
形状を有している。第１１図のほぼ中心には、コンタク
ト基板２０がエラストマ４２を介してサポートストラク
チャ５２3に搭載されている。コンタクト基板２０、エ
ラストマ４２、およびサポートストラクチャ５２3は、
例えば接着剤（図には無い）で、互いに固定されてい
る。
【００４９】コネクタ４６は、取り付け機構（図には無
い）を介して、サポートストラクチャ５２3に機械的に
固定されている。ＴＡＢリード７４3の端部は、コネク
タ４６のリセプタクル（図には無い）に挿入される。こ
の技術では知られているように、そのようなリセプタク
ルは、ＴＡＢリード７４3を受け入れるときに、十分な
接触力を発揮するように形成されている。ＴＡＢリード
７４3とサポートストラクチャ５２3との間に、コンタク
トパッド３３とコネクタ４６との間に引き渡されたＴＡ
Ｂリード７４3を支持するサポート部材５４が設けられ
ている。またこの技術分野で知られているように、その
ようなリセプタクルの内部表面には、金、銀、パラジウ
ム、あるいはニッケルのような、導電金属皮膜が施され
ている。
い）を介して、サポートストラクチャ５２3に機械的に
固定されている。ＴＡＢリード７４3の端部は、コネク
タ４６のリセプタクル（図には無い）に挿入される。こ
の技術では知られているように、そのようなリセプタク
ルは、ＴＡＢリード７４3を受け入れるときに、十分な
接触力を発揮するように形成されている。ＴＡＢリード
７４3とサポートストラクチャ５２3との間に、コンタク
トパッド３３とコネクタ４６との間に引き渡されたＴＡ
Ｂリード７４3を支持するサポート部材５４が設けられ
ている。またこの技術分野で知られているように、その
ようなリセプタクルの内部表面には、金、銀、パラジウ
ム、あるいはニッケルのような、導電金属皮膜が施され
ている。
【００５０】コネクタ４６は、直線形状ピンあるいは直
角のピンを一体的に有し、それらのピンは上述したリセ
プタクルを介してプリント回路基板（ＰＣＢ）へ直接的
に接続される。コネクタ４６を搭載するためのプリント
基板ＰＣＢは、フレクシブル（柔軟）基板あるいは堅牢
な基板でもよい。この技術分野では周知のように、フレ
クシブルＰＣＢは、柔軟な基板材料により形成され、そ
の上にフラット（平面的）ケーブルを備えている。別な
構成として、コネクタ４６は、同軸ケーブルアセンブリ
と一体的に構成することもできる。この場合、同軸ケー
ブルの内部コンダクタにリセプタクルが接続され、その
リセプタクルはＴＡＢリード７４3の端部を受け入れ
る。コネクタ４６とＴＡＢリード７４3またはサポート
ストラクチャ５２3との間の接続は、永久的な接続では
ないので、フィールドにおける交換やコンタクト部の修
理を可能にしている。
角のピンを一体的に有し、それらのピンは上述したリセ
プタクルを介してプリント回路基板（ＰＣＢ）へ直接的
に接続される。コネクタ４６を搭載するためのプリント
基板ＰＣＢは、フレクシブル（柔軟）基板あるいは堅牢
な基板でもよい。この技術分野では周知のように、フレ
クシブルＰＣＢは、柔軟な基板材料により形成され、そ
の上にフラット（平面的）ケーブルを備えている。別な
構成として、コネクタ４６は、同軸ケーブルアセンブリ
と一体的に構成することもできる。この場合、同軸ケー
ブルの内部コンダクタにリセプタクルが接続され、その
リセプタクルはＴＡＢリード７４3の端部を受け入れ
る。コネクタ４６とＴＡＢリード７４3またはサポート
ストラクチャ５２3との間の接続は、永久的な接続では
ないので、フィールドにおける交換やコンタクト部の修
理を可能にしている。
【００５１】一般に、コンタクト基板２０はシリコン基
板であるが、例えばガラスエポキシ基板、ポリイミド基
板、セラミック基板、アルミナ基板のような他の種類の
基板を使うこともできる。サポートストラクチャ５２3
は、コンタクトストラクチャのパッケージング・相互接
続の強度を確立するためのものである。サポートストラ
クチャ５２3は、例えばセラミック、モールドプラスチ
ック、あるいは金属等で構成される。エラストマ４２
は、表面の不均一性（プラナリゼイション）を克服する
ために、本発明の相互接続・パッケージングに柔軟性を
確保するためのものである。エラストマ４２は、コンタ
クト基板２０と、コネクタ４６を搭載するためのＰＣＢ
基板との間の温度膨張率のミスマッチを緩和する役目も
果たす。
板であるが、例えばガラスエポキシ基板、ポリイミド基
板、セラミック基板、アルミナ基板のような他の種類の
基板を使うこともできる。サポートストラクチャ５２3
は、コンタクトストラクチャのパッケージング・相互接
続の強度を確立するためのものである。サポートストラ
クチャ５２3は、例えばセラミック、モールドプラスチ
ック、あるいは金属等で構成される。エラストマ４２
は、表面の不均一性（プラナリゼイション）を克服する
ために、本発明の相互接続・パッケージングに柔軟性を
確保するためのものである。エラストマ４２は、コンタ
クト基板２０と、コネクタ４６を搭載するためのＰＣＢ
基板との間の温度膨張率のミスマッチを緩和する役目も
果たす。
【００５２】コンタクトトレイス３２とＴＡＢリード７
４3の全体の長さは、数１０マイクロメーターから数百
マイクロメータの範囲である。このように信号通路が短
いので、本発明のパッケージング・相互接続は、数ＧＨ
ｚやそれ以上の高周波数帯域でも容易に機能できる。ま
た、全体としての組立部品の数が比較的少ないので、本
発明のパッケージング・相互接続は、低コストかつ高い
信頼性と生産性により製造できる。ガルウイング型ＴＡ
Ｂリード７４3は、その製造過程で特殊なツールを必要
とし得るが、特定のピッチで多数のコンタクトトレイス
を作成するためにツールを標準化して用いても不合理で
ない。
４3の全体の長さは、数１０マイクロメーターから数百
マイクロメータの範囲である。このように信号通路が短
いので、本発明のパッケージング・相互接続は、数ＧＨ
ｚやそれ以上の高周波数帯域でも容易に機能できる。ま
た、全体としての組立部品の数が比較的少ないので、本
発明のパッケージング・相互接続は、低コストかつ高い
信頼性と生産性により製造できる。ガルウイング型ＴＡ
Ｂリード７４3は、その製造過程で特殊なツールを必要
とし得るが、特定のピッチで多数のコンタクトトレイス
を作成するためにツールを標準化して用いても不合理で
ない。
【００５３】第１２図は、本発明の第２の実施例のさら
にもう１つの例を示し、トップ型コンタクトトレイスが
導電バンプを介してプリント回路基板上に設けられたパ
ッドに接続されている。第１２図の例では、コンタクト
ストラクチャ３０、コンタクトトレイス３２、およびコ
タクトタブ３３は、コンタクト基板２０上に形成されて
いる。典型的には、コンタクト基板２０はシリコン基板
であるが、例えばガラスエポキシ基板、ポリイミド基
板、セラミック基板、アルミナ基板などのような他の誘
電材料も使用できる。コンタクトトレイス３２は、導電
バンプ５６からＴＡＢリード７４4を介して、ＰＣＢ基
板６２2上に設けられたＰＣＢ（プリント回路基板）パ
ッド３８に接続される。
にもう１つの例を示し、トップ型コンタクトトレイスが
導電バンプを介してプリント回路基板上に設けられたパ
ッドに接続されている。第１２図の例では、コンタクト
ストラクチャ３０、コンタクトトレイス３２、およびコ
タクトタブ３３は、コンタクト基板２０上に形成されて
いる。典型的には、コンタクト基板２０はシリコン基板
であるが、例えばガラスエポキシ基板、ポリイミド基
板、セラミック基板、アルミナ基板などのような他の誘
電材料も使用できる。コンタクトトレイス３２は、導電
バンプ５６からＴＡＢリード７４4を介して、ＰＣＢ基
板６２2上に設けられたＰＣＢ（プリント回路基板）パ
ッド３８に接続される。
【００５４】この例では、ＴＡＢリード７４4は第１１
図に示したＴＡＢリードの形状に類似している。コンタ
クト基板２０は、サポートストラクチャ５２2とエラス
トマ４２を介してＰＣＢ基板６２2上に搭載されてい
る。コンタクト基板２０、エラストマ４２、サポートス
トラクチャ５２2、およびＰＣＢ基板６２2は互いに、例
えば接着剤（図には無い）により接着されている。ＴＡ
Ｂリード７４4とサポートストラクチャ５２2の間には、
コンタクトパッド３３からＰＣＢパッド３８との間に延
びるＴＡＢリード７４4を支持するために、サポート部
材５４が設けられている。
図に示したＴＡＢリードの形状に類似している。コンタ
クト基板２０は、サポートストラクチャ５２2とエラス
トマ４２を介してＰＣＢ基板６２2上に搭載されてい
る。コンタクト基板２０、エラストマ４２、サポートス
トラクチャ５２2、およびＰＣＢ基板６２2は互いに、例
えば接着剤（図には無い）により接着されている。ＴＡ
Ｂリード７４4とサポートストラクチャ５２2の間には、
コンタクトパッド３３からＰＣＢパッド３８との間に延
びるＴＡＢリード７４4を支持するために、サポート部
材５４が設けられている。
【００５５】導電バンプ５６を加熱することによって、
ＴＡＢリード７４4とＰＣＢパッド３８の間で導電バン
プ５６が溶解凝固（リフロー）することにより両者が接
続される。導電バンプ５６の例としては、標準的なハン
ダボール技術で用いられているハンダバンプがある。導
電バンプ５６の他の例としては、プラズマ支援（プラズ
マアシステド）ドライハンダ技術におけるフラックスレ
スハンダボールがある。
ＴＡＢリード７４4とＰＣＢパッド３８の間で導電バン
プ５６が溶解凝固（リフロー）することにより両者が接
続される。導電バンプ５６の例としては、標準的なハン
ダボール技術で用いられているハンダバンプがある。導
電バンプ５６の他の例としては、プラズマ支援（プラズ
マアシステド）ドライハンダ技術におけるフラックスレ
スハンダボールがある。
【００５６】導電バンプ５６の他の例は、バンプに導電
ポリマーを使用した、導電ポリマーバンプとコンプライ
アントバンプである。これは、本発明のパッケージング
・相互接続における、プラナリゼイション（表面不均一
性）の問題やＣＴＥ（温度膨張係数）ミスマッチを最小
限にする役割も果たす。導電ポリマーバンプはスクリー
ンプリント導電接着剤で構成されている。コンプライア
ントバンプは金属コーティングしてあるポリマーを核と
した導電バンプであり、典型的には金メッキが施され、
柔軟に圧縮されうる。導電バンプ５６のさらに他の例
は、半田ボールが蒸発過程によって形成される、コント
ロールド・コラプス・チップ接続技術にて使用される導
電バンプである。
ポリマーを使用した、導電ポリマーバンプとコンプライ
アントバンプである。これは、本発明のパッケージング
・相互接続における、プラナリゼイション（表面不均一
性）の問題やＣＴＥ（温度膨張係数）ミスマッチを最小
限にする役割も果たす。導電ポリマーバンプはスクリー
ンプリント導電接着剤で構成されている。コンプライア
ントバンプは金属コーティングしてあるポリマーを核と
した導電バンプであり、典型的には金メッキが施され、
柔軟に圧縮されうる。導電バンプ５６のさらに他の例
は、半田ボールが蒸発過程によって形成される、コント
ロールド・コラプス・チップ接続技術にて使用される導
電バンプである。
【００５７】ＰＣＢ基板６２2自体が、第３図に示すよ
うなプローブカードであってもよいし、プローブカード
上に直接または間接的に搭載するために別個に設けられ
た基板であってもよい。前者の場合は、ＰＣＢ基板６２
2は、第２図に示すようにＩＣテスタのようなテストシ
ステムのインターフェイスに直接接触して構成される。
後者の場合は、ＰＣＢ基板６２2は、プローブカード上
のコンタクトメカニズムの次レベルの部材と電気的接続
を確立するようにピン結合されるか導電ポリマーを用い
て接続される。ＰＣＢ基板６２2とプローブカード間に
おける、ピン結合あるいは導電ポリマーを介したそのよ
うな電気接続の方法は、フィールドでの修理を可能にす
る。
うなプローブカードであってもよいし、プローブカード
上に直接または間接的に搭載するために別個に設けられ
た基板であってもよい。前者の場合は、ＰＣＢ基板６２
2は、第２図に示すようにＩＣテスタのようなテストシ
ステムのインターフェイスに直接接触して構成される。
後者の場合は、ＰＣＢ基板６２2は、プローブカード上
のコンタクトメカニズムの次レベルの部材と電気的接続
を確立するようにピン結合されるか導電ポリマーを用い
て接続される。ＰＣＢ基板６２2とプローブカード間に
おける、ピン結合あるいは導電ポリマーを介したそのよ
うな電気接続の方法は、フィールドでの修理を可能にす
る。
【００５８】ＰＣＢ基板６２2は多層構造でもよく、そ
のような多層構造の場合は、高周波数信号の伝搬、分布
定数高周波数キャパシタンス、電源回路の高周波数除去
用（デカプリング）キャパシタ、さらに高ピンカウント
（Ｉ／Ｏピン数およびそれに伴う信号通路数）を実現で
きる。ＰＣＢ基板６２2の材料の例として、標準高性能
ガラスエポキシ樹脂がある。他の材料例として、セラミ
ックがあり、これは例えば半導体ウェハやパッケージさ
れたＩＣ部品のバーンインのような高温度での応用時に
おいて、温度膨張（ＣＴＥ）率係数のミスマッチを最小
限にできると期待される。
のような多層構造の場合は、高周波数信号の伝搬、分布
定数高周波数キャパシタンス、電源回路の高周波数除去
用（デカプリング）キャパシタ、さらに高ピンカウント
（Ｉ／Ｏピン数およびそれに伴う信号通路数）を実現で
きる。ＰＣＢ基板６２2の材料の例として、標準高性能
ガラスエポキシ樹脂がある。他の材料例として、セラミ
ックがあり、これは例えば半導体ウェハやパッケージさ
れたＩＣ部品のバーンインのような高温度での応用時に
おいて、温度膨張（ＣＴＥ）率係数のミスマッチを最小
限にできると期待される。
【００５９】サポートストラクチャ５２2は、コンタク
トストラクチャのパッケージング・相互接続の強度を確
立するためのものである。サポートストラクチャ５２2
は、例えば、セラミック、モールドプラスチック、また
は金属で構成されている。エラストマ４２は、表面不均
一性（プラナリゼイション）を克服するために、本発明
のパッケージング・相互接続に柔軟性を確立するための
ものである。また、エラストマ４２は、コンタクト基板
２０とＰＣＢ基板６２2間の温度膨張率のミスマッチを
緩和する機能も果たす。
トストラクチャのパッケージング・相互接続の強度を確
立するためのものである。サポートストラクチャ５２2
は、例えば、セラミック、モールドプラスチック、また
は金属で構成されている。エラストマ４２は、表面不均
一性（プラナリゼイション）を克服するために、本発明
のパッケージング・相互接続に柔軟性を確立するための
ものである。また、エラストマ４２は、コンタクト基板
２０とＰＣＢ基板６２2間の温度膨張率のミスマッチを
緩和する機能も果たす。
【００６０】コンタクトトレイス３２とＴＡＢリード７
４の全体の長さの例として、数十マイクロメーターから
数百マイクロメーターの範囲である。このように電気信
号通路が短いので、本発明のパッケージング・相互接続
は、容易に数ＧＨｚやそれ以上の高周波数帯域で機能で
きる。また、全体の組立部品の数が比較的少ないので、
本発明のパッケージング・相互接続は、低コスト且つ高
信頼性と高生産性を実現できる。
４の全体の長さの例として、数十マイクロメーターから
数百マイクロメーターの範囲である。このように電気信
号通路が短いので、本発明のパッケージング・相互接続
は、容易に数ＧＨｚやそれ以上の高周波数帯域で機能で
きる。また、全体の組立部品の数が比較的少ないので、
本発明のパッケージング・相互接続は、低コスト且つ高
信頼性と高生産性を実現できる。
【００６１】第１３図は、本発明の第２実施例における
更にもう１つの例を示し、トップ型のコンタクトトレイ
スがプリント回路基板上に設けられた接続パッドに、導
電ポリマーを介して接続されている。第１３図の例で
は、コンタクトストラクチャ３０、コンタクトトレイス
３２およびコンタクトパッド３３は、コンタクト基板２
０上に形成されている。コンタクトパッド３３は、ＴＡ
Ｂリード７４4と導電ポリマー６６を介して、ＰＣＢ基
板６２2上に設けられたＰＣＢ（プリント回路基板）パ
ッド３８に接続されている。典型的には、コンタクト基
板２０はシリコン基板であるが、ガラスエポキシ基板、
ポリミイド基板、セラミック基板、およびアルミナ基板
等も使用できる。
更にもう１つの例を示し、トップ型のコンタクトトレイ
スがプリント回路基板上に設けられた接続パッドに、導
電ポリマーを介して接続されている。第１３図の例で
は、コンタクトストラクチャ３０、コンタクトトレイス
３２およびコンタクトパッド３３は、コンタクト基板２
０上に形成されている。コンタクトパッド３３は、ＴＡ
Ｂリード７４4と導電ポリマー６６を介して、ＰＣＢ基
板６２2上に設けられたＰＣＢ（プリント回路基板）パ
ッド３８に接続されている。典型的には、コンタクト基
板２０はシリコン基板であるが、ガラスエポキシ基板、
ポリミイド基板、セラミック基板、およびアルミナ基板
等も使用できる。
【００６２】この例では、ＴＡＢリード７４4は、第１
１図や第１２図の例に示したＴＡＢリードと形状が類似
している。コンタクト基板２０は、サポートストラクチ
ャ５２2とエラストマ４２を介して、ＰＣＢ基板６２2上
に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ４
２、サポートストラクチャ５２2およびＰＣＢ基板６２2
は、それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無い）で固
定されている。
１図や第１２図の例に示したＴＡＢリードと形状が類似
している。コンタクト基板２０は、サポートストラクチ
ャ５２2とエラストマ４２を介して、ＰＣＢ基板６２2上
に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ４
２、サポートストラクチャ５２2およびＰＣＢ基板６２2
は、それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無い）で固
定されている。
【００６３】ほとんどの導電ポリマーは接続されるべき
エレクトロード間において垂直方向に導電性を有し、水
平方向には導電性を有しないように設計されている。導
電ポリマー６６の例としは、導電エラストマーがあり、
そのエラストマにはエラストマ表面より上に延びた導電
ワイヤーが充填されている。
エレクトロード間において垂直方向に導電性を有し、水
平方向には導電性を有しないように設計されている。導
電ポリマー６６の例としは、導電エラストマーがあり、
そのエラストマにはエラストマ表面より上に延びた導電
ワイヤーが充填されている。
【００６４】導電ポリマー６６は他の様々なタイプが可
能であり、例えばアニソトロピック（異方性）導電接着
剤、アニソトロピック導電フィルム、アニソトロピック
導電ペースト、アニソトロピック導電粒などが使用でき
る。アニソトロピック導電接着剤は、導電粒が互いに接
触しない状態で充填されている。導電通路は、所定位置
における２つのエレクトロード（電極）間で接着剤が押
しつけられることで形成される。アニソトロピック導電
フィルムは、互いに接触しない状態の導電粒が充填され
た薄い誘電性樹脂である。導電通路は、所定位置におけ
る２つのエレクトロード間で導電フィルムが押しつけら
れることにより形成される。
能であり、例えばアニソトロピック（異方性）導電接着
剤、アニソトロピック導電フィルム、アニソトロピック
導電ペースト、アニソトロピック導電粒などが使用でき
る。アニソトロピック導電接着剤は、導電粒が互いに接
触しない状態で充填されている。導電通路は、所定位置
における２つのエレクトロード（電極）間で接着剤が押
しつけられることで形成される。アニソトロピック導電
フィルムは、互いに接触しない状態の導電粒が充填され
た薄い誘電性樹脂である。導電通路は、所定位置におけ
る２つのエレクトロード間で導電フィルムが押しつけら
れることにより形成される。
【００６５】アニソトロピック導電ペーストは、互いに
接触しない状態で充填された伝導粒を有するスクリーン
プリント・ペーストである。導電通路は、所定位置にお
ける２つのエレクトロード間で導電ペーストが押しつけ
られるうことで形成される。アニソトロピック導電粒
は、絶縁性を向上するように非常に薄い誘電材料被膜に
よりコーティングされた伝導粒で満たされた薄い誘電体
樹脂である。導電通路は、所定位置における２つのエレ
クトロード間で、導電粒を覆っている誘電コーティング
を破裂させるの十分な力で押しつけることで形成され
る。
接触しない状態で充填された伝導粒を有するスクリーン
プリント・ペーストである。導電通路は、所定位置にお
ける２つのエレクトロード間で導電ペーストが押しつけ
られるうことで形成される。アニソトロピック導電粒
は、絶縁性を向上するように非常に薄い誘電材料被膜に
よりコーティングされた伝導粒で満たされた薄い誘電体
樹脂である。導電通路は、所定位置における２つのエレ
クトロード間で、導電粒を覆っている誘電コーティング
を破裂させるの十分な力で押しつけることで形成され
る。
【００６６】ＰＣＢ基板６２2自体が、第３図に示すよ
うなプローブカードであってもよいし、プローブカード
上に直接または間接的に搭載するために別個に設けられ
た基板であってもよい。前者の場合は、ＰＣＢ基板６２
2は、第２図に示すようにＩＣテスタのようなテストシ
ステムのインターフェイスに直接接触して構成される。
後者の場合は、ＰＣＢ基板６２2は、プローブカード上
のコンタクトメカニズムの次レベルの部材と電気的接続
を確立するようにピン結合されるか導電ポリマーを用い
て接続される。ＰＣＢ基板６２2とプローブカード間に
おける、ピン結合あるいは導電ポリマーを介したそのよ
うな電気接続の方法は、フィールドでの修理を可能にす
る。
うなプローブカードであってもよいし、プローブカード
上に直接または間接的に搭載するために別個に設けられ
た基板であってもよい。前者の場合は、ＰＣＢ基板６２
2は、第２図に示すようにＩＣテスタのようなテストシ
ステムのインターフェイスに直接接触して構成される。
後者の場合は、ＰＣＢ基板６２2は、プローブカード上
のコンタクトメカニズムの次レベルの部材と電気的接続
を確立するようにピン結合されるか導電ポリマーを用い
て接続される。ＰＣＢ基板６２2とプローブカード間に
おける、ピン結合あるいは導電ポリマーを介したそのよ
うな電気接続の方法は、フィールドでの修理を可能にす
る。
【００６７】ＰＣＢ基板６２2は多層構造でもよく、そ
のような多層構造の場合は、高周波数信号の伝搬、分布
定数高周波数キャパシタンス、電源回路の高周波数除去
用（デカプリング）キャパシタ、さらに高ピンカウント
（Ｉ／Ｏピン数およびそれに伴う信号通路数）を実現で
きる。ＰＣＢ基板６２2の材料の例として、標準高性能
ガラスエポキシ樹脂がある。他の材料例として、セラミ
ックがあり、これは例えば半導体ウェハやパッケージさ
れたＩＣ部品のバーンインのような高温度での応用時に
おいて、温度膨張（ＣＴＥ）率係数のミスマッチを最小
限にできると期待される。
のような多層構造の場合は、高周波数信号の伝搬、分布
定数高周波数キャパシタンス、電源回路の高周波数除去
用（デカプリング）キャパシタ、さらに高ピンカウント
（Ｉ／Ｏピン数およびそれに伴う信号通路数）を実現で
きる。ＰＣＢ基板６２2の材料の例として、標準高性能
ガラスエポキシ樹脂がある。他の材料例として、セラミ
ックがあり、これは例えば半導体ウェハやパッケージさ
れたＩＣ部品のバーンインのような高温度での応用時に
おいて、温度膨張（ＣＴＥ）率係数のミスマッチを最小
限にできると期待される。
【００６８】サポートストラクチャ５２2は、コンタク
トストラクチャのパッケージング・相互接続の強度を確
立するためのものである。サポートストラクチャ５２2
は、例えば、セラミック、モールドプラスチック、また
は金属で構成されている。エラストマ４２は、表面不均
一性（プラナリゼイション）を克服するために、本発明
のパッケージング・相互接続に柔軟性を確立するための
ものである。また、エラストマ４２は、コンタクト基板
２０とＰＣＢ基板６２2間の温度膨張率のミスマッチを
緩和する機能も果たす。
トストラクチャのパッケージング・相互接続の強度を確
立するためのものである。サポートストラクチャ５２2
は、例えば、セラミック、モールドプラスチック、また
は金属で構成されている。エラストマ４２は、表面不均
一性（プラナリゼイション）を克服するために、本発明
のパッケージング・相互接続に柔軟性を確立するための
ものである。また、エラストマ４２は、コンタクト基板
２０とＰＣＢ基板６２2間の温度膨張率のミスマッチを
緩和する機能も果たす。
【００６９】コンタクトトレイス３２とＴＡＢリード７
４の全体の長さの例として、数十マイクロメーターから
数百マイクロメーターの範囲である。このように電気信
号通路が短いので、本発明のパッケージング・相互接続
は、容易に数ＧＨｚやそれ以上の高周波数帯域で機能で
きる。また、全体の組立部品の数が比較的少ないので、
本発明のパッケージング・相互接続は、低コスト且つ高
信頼性と高生産性を実現できる。
４の全体の長さの例として、数十マイクロメーターから
数百マイクロメーターの範囲である。このように電気信
号通路が短いので、本発明のパッケージング・相互接続
は、容易に数ＧＨｚやそれ以上の高周波数帯域で機能で
きる。また、全体の組立部品の数が比較的少ないので、
本発明のパッケージング・相互接続は、低コスト且つ高
信頼性と高生産性を実現できる。
【００７０】第１４−２１図は、本発明の第３実施例を
示しており、テープ・オートメイテド・ボンディング
（ＴＡＢ）行程で形成される２層リードを介して、トッ
プ型コンタクトトレイスをコンタクトターゲットに接続
する。第１４図の第１例では、コンタクト基板２０上に
形成されたコンタクトストラクチャ３０は、コンタクト
トレイス３２を介して、コンタクトパッド３３に電気的
に接続されている。コンタクトパッド３３は、その上表
面がＴＡＢリード７６に接続されており、そのＴＡＢリ
ード７６はＰＣＢ基板６２2上に設けられたプリント回
路基板（ＰＣＢ）相互接続パッド３８に接続されてい
る。
示しており、テープ・オートメイテド・ボンディング
（ＴＡＢ）行程で形成される２層リードを介して、トッ
プ型コンタクトトレイスをコンタクトターゲットに接続
する。第１４図の第１例では、コンタクト基板２０上に
形成されたコンタクトストラクチャ３０は、コンタクト
トレイス３２を介して、コンタクトパッド３３に電気的
に接続されている。コンタクトパッド３３は、その上表
面がＴＡＢリード７６に接続されており、そのＴＡＢリ
ード７６はＰＣＢ基板６２2上に設けられたプリント回
路基板（ＰＣＢ）相互接続パッド３８に接続されてい
る。
【００７１】コンタクト基板２０は、エラストマ４２2
とサポートストラクチャ５２4を介してＰＣＢ基板６２2
上に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ
４２2、サポートストラクチャ５２4、およびＰＣＢ基板
６２2は互いに、例えば接着剤（図には無い）で固定さ
れている。この例では、コンタクトパッド３３とＰＣＢ
パッド３８を接続するための２層ＴＡＢリード７６は、
上部リードＡと下部リードＢを有している。サポート部
材５４2は、ＴＡＢリード７６の上部リードと下部リー
ド間に設けられている。
とサポートストラクチャ５２4を介してＰＣＢ基板６２2
上に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ
４２2、サポートストラクチャ５２4、およびＰＣＢ基板
６２2は互いに、例えば接着剤（図には無い）で固定さ
れている。この例では、コンタクトパッド３３とＰＣＢ
パッド３８を接続するための２層ＴＡＢリード７６は、
上部リードＡと下部リードＢを有している。サポート部
材５４2は、ＴＡＢリード７６の上部リードと下部リー
ド間に設けられている。
【００７２】ＴＡＢリード７６は、サーフェスマウント
技術で用いられる標準的な「ガルウイングリード」に類
似したガルウイング（カモメの羽）形状をしている。ガ
ルウイング型ＴＡＢリード７６が下向きに曲がっている
ので、ＰＣＢパッド３８とＴＡＢリード７６間の接続部
の上部に、第１４図の左端にみられるような垂直方向の
空間が十分に確保できる。ＴＡＢリード７６のリード形
状は（下向き曲がりのガルウイングリード）は、その製
造のために特殊なツールを必要としうる。半導体テスト
のような応用例では、数百といった多数の相互接続がコ
ンタクトトレイスとＰＣＢパッド間に使用されるので、
所定ピッチの多数のコンタクトトレイスをそのような形
状で作成するためのツールを標準化して用いても不都合
はない。
技術で用いられる標準的な「ガルウイングリード」に類
似したガルウイング（カモメの羽）形状をしている。ガ
ルウイング型ＴＡＢリード７６が下向きに曲がっている
ので、ＰＣＢパッド３８とＴＡＢリード７６間の接続部
の上部に、第１４図の左端にみられるような垂直方向の
空間が十分に確保できる。ＴＡＢリード７６のリード形
状は（下向き曲がりのガルウイングリード）は、その製
造のために特殊なツールを必要としうる。半導体テスト
のような応用例では、数百といった多数の相互接続がコ
ンタクトトレイスとＰＣＢパッド間に使用されるので、
所定ピッチの多数のコンタクトトレイスをそのような形
状で作成するためのツールを標準化して用いても不都合
はない。
【００７３】ＴＡＢリード７６は階層構造のリードＡと
Ｂを有するので、２つのリードによって、低い抵抗の信
号通路を確立することができる。これは、例えば半導体
部品をテストするためのグラウンドラインやパワーライ
ンにおいて、テスト信号の波形を変形させないように多
大な電流を送るのに有利である。
Ｂを有するので、２つのリードによって、低い抵抗の信
号通路を確立することができる。これは、例えば半導体
部品をテストするためのグラウンドラインやパワーライ
ンにおいて、テスト信号の波形を変形させないように多
大な電流を送るのに有利である。
【００７４】コンタクトパッド３３とＴＡＢリード７６
間の電気的接続と、ＴＡＢリード７６とＰＣＢパッド３
８間の電気的接続は、サーモソニック・ボンディング、
サーモコンプレッション・ボンディング、ウルトラソニ
ック・ボンディング技術等を含む各種のボンディング技
術を用いて形成することができる。他の見地からは、そ
のような電気的接続は、例えばスクリーンプリント・ハ
ンダペーストのような、サーフェスマウント技術（ＳＭ
Ｔ）を用いて確立される。ハンダ付け行程は、この技術
分野では周知であるハンダペーストや他のハンダ材料の
溶解凝固（リフロー）特性に基づいて実施される。
間の電気的接続と、ＴＡＢリード７６とＰＣＢパッド３
８間の電気的接続は、サーモソニック・ボンディング、
サーモコンプレッション・ボンディング、ウルトラソニ
ック・ボンディング技術等を含む各種のボンディング技
術を用いて形成することができる。他の見地からは、そ
のような電気的接続は、例えばスクリーンプリント・ハ
ンダペーストのような、サーフェスマウント技術（ＳＭ
Ｔ）を用いて確立される。ハンダ付け行程は、この技術
分野では周知であるハンダペーストや他のハンダ材料の
溶解凝固（リフロー）特性に基づいて実施される。
【００７５】ＰＣＢ基板６２2自体が、第３図に示すよ
うなプローブカードであってもよいし、プローブカード
上に直接または間接的に搭載するために別個に設けられ
た基板であってもよい。前者の場合は、ＰＣＢ基板６２
2は、第２図に示すようにＩＣテスタのようなテストシ
ステムのインターフェイスに直接接触して構成される。
後者の場合は、ＰＣＢ基板６２2は、プローブカード上
のコンタクトメカニズムの次レベルの部材と電気的接続
を確立するようにピン結合されるか導電ポリマーを用い
て接続される。ＰＣＢ基板６２2とプローブカード間に
おける、ピン結合あるいは導電ポリマーを介したそのよ
うな電気接続の方法は、フィールドでの修理を可能にす
る。
うなプローブカードであってもよいし、プローブカード
上に直接または間接的に搭載するために別個に設けられ
た基板であってもよい。前者の場合は、ＰＣＢ基板６２
2は、第２図に示すようにＩＣテスタのようなテストシ
ステムのインターフェイスに直接接触して構成される。
後者の場合は、ＰＣＢ基板６２2は、プローブカード上
のコンタクトメカニズムの次レベルの部材と電気的接続
を確立するようにピン結合されるか導電ポリマーを用い
て接続される。ＰＣＢ基板６２2とプローブカード間に
おける、ピン結合あるいは導電ポリマーを介したそのよ
うな電気接続の方法は、フィールドでの修理を可能にす
る。
【００７６】ＰＣＢ基板６２2は多層構造でもよく、そ
のような多層構造の場合は、高周波数信号の伝搬、分布
定数高周波数キャパシタンス、電源回路の高周波数除去
用（デカプリング）キャパシタ、さらに高ピンカウント
（Ｉ／Ｏピン数およびそれに伴う信号通路数）を実現で
きる。ＰＣＢ基板６２2の材料の例として、標準高性能
ガラスエポキシ樹脂がある。他の材料例として、セラミ
ックがあり、これは例えば半導体ウェハやパッケージさ
れたＩＣ部品のバーンインのような高温度での応用時に
おいて、温度膨張（ＣＴＥ）率係数のミスマッチを最小
限にできると期待される。
のような多層構造の場合は、高周波数信号の伝搬、分布
定数高周波数キャパシタンス、電源回路の高周波数除去
用（デカプリング）キャパシタ、さらに高ピンカウント
（Ｉ／Ｏピン数およびそれに伴う信号通路数）を実現で
きる。ＰＣＢ基板６２2の材料の例として、標準高性能
ガラスエポキシ樹脂がある。他の材料例として、セラミ
ックがあり、これは例えば半導体ウェハやパッケージさ
れたＩＣ部品のバーンインのような高温度での応用時に
おいて、温度膨張（ＣＴＥ）率係数のミスマッチを最小
限にできると期待される。
【００７７】サポートストラクチャ５２4は、コンタク
トストラクチャのパッケージング・相互接続の強度を確
立するためのものである。サポートストラクチャ５２4
は、例えば、セラミック、モールドプラスチック、また
は金属で構成されている。エラストマ４２は、表面不均
一性（プラナリゼイション）を克服するために、本発明
のパッケージング・相互接続に柔軟性を確立するための
ものである。また、エラストマ４２は、コンタクト基板
２０とＰＣＢ基板６２2間の温度膨張率のミスマッチを
緩和する機能も果たす。
トストラクチャのパッケージング・相互接続の強度を確
立するためのものである。サポートストラクチャ５２4
は、例えば、セラミック、モールドプラスチック、また
は金属で構成されている。エラストマ４２は、表面不均
一性（プラナリゼイション）を克服するために、本発明
のパッケージング・相互接続に柔軟性を確立するための
ものである。また、エラストマ４２は、コンタクト基板
２０とＰＣＢ基板６２2間の温度膨張率のミスマッチを
緩和する機能も果たす。
【００７８】コンタクトトレイス３２とＴＡＢリード７
４の全体の長さの例として、数十マイクロメーターから
数百マイクロメーターの範囲である。このように電気信
号通路が短いので、本発明のパッケージング・相互接続
は、容易に数ＧＨｚやそれ以上の高周波数帯域で機能で
きる。また、全体の組立部品の数が比較的少ないので、
本発明のパッケージング・相互接続は、低コスト且つ高
信頼性と高生産性を実現できる。
４の全体の長さの例として、数十マイクロメーターから
数百マイクロメーターの範囲である。このように電気信
号通路が短いので、本発明のパッケージング・相互接続
は、容易に数ＧＨｚやそれ以上の高周波数帯域で機能で
きる。また、全体の組立部品の数が比較的少ないので、
本発明のパッケージング・相互接続は、低コスト且つ高
信頼性と高生産性を実現できる。
【００７９】第１５図は、本発明の第３実施例における
１つの例を示している。この例では、コンタクトストラ
クチャ３０に接続されたコンタクトパッド３３に、上部
リードＡと下部リードＢを有する２層ＴＡＢリード７６
2が接続されている。下部リードＢに比べて、上部リー
ドＡは第１５図においてより上方でかつ外側に設けられ
ている。上部リードＡはＰＣＢパッド３８に接続され、
下部リードＢはＰＣＢパッド３９に接続されている。Ｐ
ＣＢパッド３８とＰＣＢパッド３９を備えるために、Ｐ
ＣＢ基板６２4は、端部がより***した部分を有するよ
うに設計されており、例えば、ＰＣＢパッド３８を搭載
するための段と、ＰＣＢパッド３９を搭載するための低
い段が端部に隣接している。
１つの例を示している。この例では、コンタクトストラ
クチャ３０に接続されたコンタクトパッド３３に、上部
リードＡと下部リードＢを有する２層ＴＡＢリード７６
2が接続されている。下部リードＢに比べて、上部リー
ドＡは第１５図においてより上方でかつ外側に設けられ
ている。上部リードＡはＰＣＢパッド３８に接続され、
下部リードＢはＰＣＢパッド３９に接続されている。Ｐ
ＣＢパッド３８とＰＣＢパッド３９を備えるために、Ｐ
ＣＢ基板６２4は、端部がより***した部分を有するよ
うに設計されており、例えば、ＰＣＢパッド３８を搭載
するための段と、ＰＣＢパッド３９を搭載するための低
い段が端部に隣接している。
【００８０】ＴＡＢリード７６2とＰＣＢパッド３８と
３９の間の電気的接続は、スクリーンプリントハンダや
各種のボンディングのようなサーフェスマウント（ＳＭ
Ｔ）技術により形成される。そのようなボンディング技
術には、サーモソニック・ボンディング、サーモコンプ
レッション・ボンディング、ウルトラソニック・ボンデ
ィング等がある。コンタクトストラクチャ３０、コンタ
クトトレイス３２、ＴＡＢリード７６2の各部品と信号
通路が極めて小さいので、第１５図の例による構成は、
容易に数ＧＨｚのような高周波数帯域で機能できる。そ
のうえ、組立部品の数が少なく単純な構造であるから、
本発明の相互接続・パッケージングは、低コストで高い
信頼性と生産性を実現できる。
３９の間の電気的接続は、スクリーンプリントハンダや
各種のボンディングのようなサーフェスマウント（ＳＭ
Ｔ）技術により形成される。そのようなボンディング技
術には、サーモソニック・ボンディング、サーモコンプ
レッション・ボンディング、ウルトラソニック・ボンデ
ィング等がある。コンタクトストラクチャ３０、コンタ
クトトレイス３２、ＴＡＢリード７６2の各部品と信号
通路が極めて小さいので、第１５図の例による構成は、
容易に数ＧＨｚのような高周波数帯域で機能できる。そ
のうえ、組立部品の数が少なく単純な構造であるから、
本発明の相互接続・パッケージングは、低コストで高い
信頼性と生産性を実現できる。
【００８１】ＴＡＢリード７６2は２層リードＡとＢを
有する構造なので、垂直方向にファンアウト（信号通路
の分配）を実現できる。これは、２つ以上の通路に信号
または電力を供給するのに便利である。ファンアウトの
他の利点は、コンタクトパッドの数を増加できること、
すなわち、コンタクトパッド間の有効ピッチ（距離）を
減少できることである。
有する構造なので、垂直方向にファンアウト（信号通路
の分配）を実現できる。これは、２つ以上の通路に信号
または電力を供給するのに便利である。ファンアウトの
他の利点は、コンタクトパッドの数を増加できること、
すなわち、コンタクトパッド間の有効ピッチ（距離）を
減少できることである。
【００８２】第１６図は、本発明の第３実施例における
更にもう１つの変形例を示しており、プリント回路基板
または他のストラクチャ上に設けられたコネクタに、ト
ップ型コンタクトトレイス３２を接続している。第１６
図の例では、コンタクトトレイス３２に接続されたコン
タクトパッド３３は、２層ＴＡＢリード７６4を介して
コネクタ４６に接続される。コネクタ４６は、サポート
ストラクチャ５２5上に設けられている。コンタクトス
トラクチャ３０、コンタクトトレイス３２、およびコン
タクトパッド３３は、フォトリソグラフィのプロセスに
よりコンタクト基板２０上に形成する。コンタクト基板
２０はシリコン基板であるが、ガラスエポキシ基板、ポ
リイミド基板、セラミック基板、アルミナ基板のよう
な、他の誘電材料を用いてもよい。
更にもう１つの変形例を示しており、プリント回路基板
または他のストラクチャ上に設けられたコネクタに、ト
ップ型コンタクトトレイス３２を接続している。第１６
図の例では、コンタクトトレイス３２に接続されたコン
タクトパッド３３は、２層ＴＡＢリード７６4を介して
コネクタ４６に接続される。コネクタ４６は、サポート
ストラクチャ５２5上に設けられている。コンタクトス
トラクチャ３０、コンタクトトレイス３２、およびコン
タクトパッド３３は、フォトリソグラフィのプロセスに
よりコンタクト基板２０上に形成する。コンタクト基板
２０はシリコン基板であるが、ガラスエポキシ基板、ポ
リイミド基板、セラミック基板、アルミナ基板のよう
な、他の誘電材料を用いてもよい。
【００８３】コネクタ４６は、取り付け機構（図には無
い）を用いてサポートストラクチャ５２5に機械的な手
段で固定してもよい。ＴＡＢリード７６4の端部が、コ
ネクタ４６のリセプタクル（図には無い）に挿入されて
いる。この技術では周知のように、そのようなリセプタ
クルは、ＴＡＢリード７６4の端部を受け入れるときに
十分な接触力を発揮できるようにバネ機構を有してい
る。コンタクトパッド３３とコネクタ４６間に延びる２
層ＴＡＢリード７６4を支持するために、上部リードＡ
と下部リードＢの間に、コサポート部材５４2が設けら
れている。また、この技術で知られているように、その
ようなリセプタクルの内部表面には、金、銀、パラジウ
ム、ニッケルのような、導電金属皮膜が施されている。
い）を用いてサポートストラクチャ５２5に機械的な手
段で固定してもよい。ＴＡＢリード７６4の端部が、コ
ネクタ４６のリセプタクル（図には無い）に挿入されて
いる。この技術では周知のように、そのようなリセプタ
クルは、ＴＡＢリード７６4の端部を受け入れるときに
十分な接触力を発揮できるようにバネ機構を有してい
る。コンタクトパッド３３とコネクタ４６間に延びる２
層ＴＡＢリード７６4を支持するために、上部リードＡ
と下部リードＢの間に、コサポート部材５４2が設けら
れている。また、この技術で知られているように、その
ようなリセプタクルの内部表面には、金、銀、パラジウ
ム、ニッケルのような、導電金属皮膜が施されている。
【００８４】ＴＡＢリード７６4は階層構造によるリー
ドＡとリードＢを有するので、この２つのリードによっ
て、低い抵抗の信号通路を形成できる。これは、例えば
半導体部品をテストするためのグラウンドラインやパワ
ーラインにおいて、テスト信号の波形を変形させない
で、多大な電流を流すために有効である。
ドＡとリードＢを有するので、この２つのリードによっ
て、低い抵抗の信号通路を形成できる。これは、例えば
半導体部品をテストするためのグラウンドラインやパワ
ーラインにおいて、テスト信号の波形を変形させない
で、多大な電流を流すために有効である。
【００８５】コネクタ４６は、直線的なまたは直角のピ
ンと一体的に形成されていてもよく、それらのピンはプ
リント回路基板（ＰＣＢ）への直接的接続のために上述
のリセプタクルに接続されている。コネクタを搭載する
ためのプリント回路基板（ＰＣＢ）は、フレクシブル基
板でも固形的な基板でもよい。この技術では周知のよう
に、フレクシブルＰＣＢは、柔軟な基礎材料上により構
成され、その上にフラットケーブルが備えられる。ある
いは、コネクタ４６は、同軸ケーブルアセンブリと一体
的に構成され、ＴＡＢリード７６4の端部を受け入れる
ためのに同軸ケーブルの内部コンダクタがリセプタクル
に接続されるように形成してもよい。コネクタ４６とＴ
ＡＢリード７６4またはサポートストラクチャ５２5との
間の接続は、永久的ではないのでフィールドでの交換や
コンタクト部の修理を可能にする。
ンと一体的に形成されていてもよく、それらのピンはプ
リント回路基板（ＰＣＢ）への直接的接続のために上述
のリセプタクルに接続されている。コネクタを搭載する
ためのプリント回路基板（ＰＣＢ）は、フレクシブル基
板でも固形的な基板でもよい。この技術では周知のよう
に、フレクシブルＰＣＢは、柔軟な基礎材料上により構
成され、その上にフラットケーブルが備えられる。ある
いは、コネクタ４６は、同軸ケーブルアセンブリと一体
的に構成され、ＴＡＢリード７６4の端部を受け入れる
ためのに同軸ケーブルの内部コンダクタがリセプタクル
に接続されるように形成してもよい。コネクタ４６とＴ
ＡＢリード７６4またはサポートストラクチャ５２5との
間の接続は、永久的ではないのでフィールドでの交換や
コンタクト部の修理を可能にする。
【００８６】典型的には、コンタクト基板２０はシリコ
ン基板であるが、例えばガラスエポキシ基板、ポリイミ
ド基板、セラミック基板、アルミナ基板のような他の種
類の基板を用いることもできる。サポートストラクチャ
５２5は、コンタクトストラクチャのパッケージング・
相互接続の強度を確立するためのものである。サポート
ストラクチャ５２5は、例えばセラミック、モールドプ
ラスチック、あるいは金属等で構成されている。エラス
トマ４２2は、表面の不均一性（プラナリゼイション）
を克服するために、本発明の相互接続・パッケージング
に柔軟性を確立するためのものである。エラストマ４２
2は、コンタクト基板２０と、コネクタ４６を搭載する
ためのＰＣＢ基板との間の温度膨張率のミスマッチを緩
和する役目も果たす。
ン基板であるが、例えばガラスエポキシ基板、ポリイミ
ド基板、セラミック基板、アルミナ基板のような他の種
類の基板を用いることもできる。サポートストラクチャ
５２5は、コンタクトストラクチャのパッケージング・
相互接続の強度を確立するためのものである。サポート
ストラクチャ５２5は、例えばセラミック、モールドプ
ラスチック、あるいは金属等で構成されている。エラス
トマ４２2は、表面の不均一性（プラナリゼイション）
を克服するために、本発明の相互接続・パッケージング
に柔軟性を確立するためのものである。エラストマ４２
2は、コンタクト基板２０と、コネクタ４６を搭載する
ためのＰＣＢ基板との間の温度膨張率のミスマッチを緩
和する役目も果たす。
【００８７】第１７図は、本発明の第３実施例における
更にもう１つの変形例を示しており、トップ型コンタク
トトレイス３２が、プリント回路基板や他のストラクチ
ャ上に設けられたコネクタに接続されている。第１７図
の例では、コンタクトトレイス３２に接続されたコンタ
クトパッド３３は、２層ＴＡＢリード７６6を介してコ
ネクタ４６2に接続されている。２層ＴＡＢ７６6は、上
部リードＡと下部リードＢを有しており、それらは端部
が互いに離れている。コネクタ４６2はサポートストラ
クチャ５２5上に設けられている。
更にもう１つの変形例を示しており、トップ型コンタク
トトレイス３２が、プリント回路基板や他のストラクチ
ャ上に設けられたコネクタに接続されている。第１７図
の例では、コンタクトトレイス３２に接続されたコンタ
クトパッド３３は、２層ＴＡＢリード７６6を介してコ
ネクタ４６2に接続されている。２層ＴＡＢ７６6は、上
部リードＡと下部リードＢを有しており、それらは端部
が互いに離れている。コネクタ４６2はサポートストラ
クチャ５２5上に設けられている。
【００８８】コネクタ４６2は、取り付け機構（図には
無い）を介してサポートストラクチャ５２5に機械的に
固定されている。ＴＡＢリード７６6のリードＡとリー
ドＢの端は、コネクタ４６2のリセプタクル（図には無
い）に挿入されている。この技術で周知のように、その
ようなリセプタクルは、ＴＡＢリード７６6の端部を受
け入れるときに十分な接触力を発揮できるようにするた
めにバネ機構を有している。２層ＴＡＢリード７６
6の、上部リードＡと下部リードＢの間に、サポート部
材５４4が設けられ、リードＡとリードＢを支持してい
る。
無い）を介してサポートストラクチャ５２5に機械的に
固定されている。ＴＡＢリード７６6のリードＡとリー
ドＢの端は、コネクタ４６2のリセプタクル（図には無
い）に挿入されている。この技術で周知のように、その
ようなリセプタクルは、ＴＡＢリード７６6の端部を受
け入れるときに十分な接触力を発揮できるようにするた
めにバネ機構を有している。２層ＴＡＢリード７６
6の、上部リードＡと下部リードＢの間に、サポート部
材５４4が設けられ、リードＡとリードＢを支持してい
る。
【００８９】ＴＡＢリード７６6は２層リードＡとＢを
有する構造なので、垂直方向にファンアウトを実現でき
る。これは、２つ以上の電気通路に信号や電力を供給す
るのに便利である。ファンアウトのもう一つの利点は、
コンタクトパッドの数を増加すること、すなわち、コン
タクトパッド間の有効ピッチ（距離）を減少できること
である。
有する構造なので、垂直方向にファンアウトを実現でき
る。これは、２つ以上の電気通路に信号や電力を供給す
るのに便利である。ファンアウトのもう一つの利点は、
コンタクトパッドの数を増加すること、すなわち、コン
タクトパッド間の有効ピッチ（距離）を減少できること
である。
【００９０】第１８図は、本発明の第３実施例における
さらに別の例を示しており、トップタイプコンタクトト
レイスが、導電バンプを介してプリント回路基板上に設
けられたパッドに接続される。第１８図の例では、コン
タクトストラクチャ３０、コンタクトトレイス３２、お
よびコンタクトパッド３３がコンタクト基板２０上に形
成されている。典型的には、コンタクト基板２０はシリ
コン基板だが、他の種類の基板、例えばガラスエポキシ
基板、ポリイミド基板、セラミック基板、アルミナ基板
なども用いてもよい。コンタクトトレイス３２は、導電
バンプを介して２層ＴＡＢリード７６4を通じてＰＣＢ
基板６２2に設けられたＰＣＢ（プリント回路基板）パ
ッド３８に接続されている。
さらに別の例を示しており、トップタイプコンタクトト
レイスが、導電バンプを介してプリント回路基板上に設
けられたパッドに接続される。第１８図の例では、コン
タクトストラクチャ３０、コンタクトトレイス３２、お
よびコンタクトパッド３３がコンタクト基板２０上に形
成されている。典型的には、コンタクト基板２０はシリ
コン基板だが、他の種類の基板、例えばガラスエポキシ
基板、ポリイミド基板、セラミック基板、アルミナ基板
なども用いてもよい。コンタクトトレイス３２は、導電
バンプを介して２層ＴＡＢリード７６4を通じてＰＣＢ
基板６２2に設けられたＰＣＢ（プリント回路基板）パ
ッド３８に接続されている。
【００９１】コンタクト基板２０は、サポートストラク
チャ５２4とエラストマ４２2を介してＰＣＢ基板６２2
上に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ
４２2、サポートストラクチャ５２4、ＰＣＢ基板６２2
は、それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無い）によ
り接着されている。ＴＡＢリード７６4の上部リードＡ
と下部リードＢとの間には、上部リードＡと下部リード
Ｂを支持するために、サポート部材５４2が設けられて
いる。
チャ５２4とエラストマ４２2を介してＰＣＢ基板６２2
上に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ
４２2、サポートストラクチャ５２4、ＰＣＢ基板６２2
は、それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無い）によ
り接着されている。ＴＡＢリード７６4の上部リードＡ
と下部リードＢとの間には、上部リードＡと下部リード
Ｂを支持するために、サポート部材５４2が設けられて
いる。
【００９２】導電バンプ５６を加熱することによって、
ＴＡＢリード７４4とＰＣＢパッド３８の間で導電バン
プ５６が溶解凝固（リフロー）することにより両者が接
続される。導電バンプ５６の例としては、標準的なハン
ダボール技術で用いられているハンダバンプがある。導
電バンプ５６の他の例としては、プラズマ支援（プラズ
マアシステド）ドライハンダ技術におけるフラックスレ
スハンダボールがある。
ＴＡＢリード７４4とＰＣＢパッド３８の間で導電バン
プ５６が溶解凝固（リフロー）することにより両者が接
続される。導電バンプ５６の例としては、標準的なハン
ダボール技術で用いられているハンダバンプがある。導
電バンプ５６の他の例としては、プラズマ支援（プラズ
マアシステド）ドライハンダ技術におけるフラックスレ
スハンダボールがある。
【００９３】導電バンプ５６のさらに他の例は、バンプ
に導電ポリマーを使用した、導電ポリマーバンプとコン
プライアントバンプである。これは、本発明のパッケー
ジング・相互接続における、プラナリゼイション（表面
不均一性）の問題やＣＴＥ（温度膨張係数）ミスマッチ
を最小限にする役割も果たす。導電ポリマーバンプはス
クリーンプリント導電接着剤で構成されている。コンプ
ライアントバンプは金属コーティングしてあるポリマー
を核とした導電バンプであり、典型的には金メッキが施
され、柔軟に圧縮されうる。導電バンプ５６のさらに他
の例は、半田ボールが蒸発過程によって形成される、コ
ントロールド・コラプス・チップ接続技術にて使用され
る導電バンプである。
に導電ポリマーを使用した、導電ポリマーバンプとコン
プライアントバンプである。これは、本発明のパッケー
ジング・相互接続における、プラナリゼイション（表面
不均一性）の問題やＣＴＥ（温度膨張係数）ミスマッチ
を最小限にする役割も果たす。導電ポリマーバンプはス
クリーンプリント導電接着剤で構成されている。コンプ
ライアントバンプは金属コーティングしてあるポリマー
を核とした導電バンプであり、典型的には金メッキが施
され、柔軟に圧縮されうる。導電バンプ５６のさらに他
の例は、半田ボールが蒸発過程によって形成される、コ
ントロールド・コラプス・チップ接続技術にて使用され
る導電バンプである。
【００９４】ＴＡＢリード７６4は階層構造によるリー
ドＡとリードＢを有するので、この２つのリードによっ
て、低い抵抗の信号通路を形成できる。これは、例えば
半導体部品をテストするためのグラウンドラインやパワ
ーラインにおいて、テスト信号の波形を変形させない
で、多大な電流を流すために有効である。
ドＡとリードＢを有するので、この２つのリードによっ
て、低い抵抗の信号通路を形成できる。これは、例えば
半導体部品をテストするためのグラウンドラインやパワ
ーラインにおいて、テスト信号の波形を変形させない
で、多大な電流を流すために有効である。
【００９５】第１９図は、本発明の第３実施例における
他の例を示す。この例では、上部リードＡと下部リード
Ｂを有する２層ＴＡＢリード７６2は、コンタクトスト
ラクチャ３０に接続されたコンタクトパッド３３に結合
されている。第１９図において上部リードＡは、下部リ
ードＢの上部で且つ外側の位置に備えられている。上部
リードＡは導電バンプ５６を介してＰＣＢパッド３８に
接続されており、下部リードＢは導電バンプ５７を介し
てＰＣＢパッド３９に接続されている。ＰＣＢパッド３
８と３９を搭載するために、ＰＣＢ基板６２4はＰＣＢ
パッド３８を搭載するためのより高い段と、ＰＣＢパッ
ド３９を搭載するためのより低い段とを端部に有してい
る。
他の例を示す。この例では、上部リードＡと下部リード
Ｂを有する２層ＴＡＢリード７６2は、コンタクトスト
ラクチャ３０に接続されたコンタクトパッド３３に結合
されている。第１９図において上部リードＡは、下部リ
ードＢの上部で且つ外側の位置に備えられている。上部
リードＡは導電バンプ５６を介してＰＣＢパッド３８に
接続されており、下部リードＢは導電バンプ５７を介し
てＰＣＢパッド３９に接続されている。ＰＣＢパッド３
８と３９を搭載するために、ＰＣＢ基板６２4はＰＣＢ
パッド３８を搭載するためのより高い段と、ＰＣＢパッ
ド３９を搭載するためのより低い段とを端部に有してい
る。
【００９６】導電バンプを加熱することにより、伝導バ
ンプ５６および５７がＰＣＢパッド３８および３９に溶
解凝固（リフロー）して、ＴＡＢリード７６2とＰＣＢ
パッド３８および３９の間が接続される。導電バンプ５
６と５７の１例には、標準ハンダボール技術で用いられ
るハンダバンプがある。他の導電バンプ５６と５７の例
としては、プラズマ支援によるドライハンダ技術に用い
られるフラックスレス・ハンダボールがある。
ンプ５６および５７がＰＣＢパッド３８および３９に溶
解凝固（リフロー）して、ＴＡＢリード７６2とＰＣＢ
パッド３８および３９の間が接続される。導電バンプ５
６と５７の１例には、標準ハンダボール技術で用いられ
るハンダバンプがある。他の導電バンプ５６と５７の例
としては、プラズマ支援によるドライハンダ技術に用い
られるフラックスレス・ハンダボールがある。
【００９７】２層リードＡとＢを有するＴＡＢリード７
６2の階層構造により、垂直方向にファンアウトが確立
される。これは、２つ以上の通路に信号または電力を供
給するのに便利である。ファンアウトの他の利点として
は、コンタクトパッドの数を増加できること、すなわ
ち、コンタクトパッド間の有効ピッチ（距離）を減少で
きることである。
６2の階層構造により、垂直方向にファンアウトが確立
される。これは、２つ以上の通路に信号または電力を供
給するのに便利である。ファンアウトの他の利点として
は、コンタクトパッドの数を増加できること、すなわ
ち、コンタクトパッド間の有効ピッチ（距離）を減少で
きることである。
【００９８】第２０図は、本発明の第３実施例の更にも
う１つの変形例を示しており、トップ型コンタクトトレ
イスは、導電ポリマーを介してプリント回路基板上に設
けられたパッドに接続されている。第２０図の例では、
コンタクトストラクチャ３０、コンタクトトレイス３
２、およびコンタクトパッド３３は、コンタクト基板２
０上に形成されている。典型的には、コンタクト基板２
０はシリコン基板であるが、ガラスエポキシ基板、ポリ
イミド基板、セラミック基板、アルミナ基板のような、
他の誘電材料を用いてもよい。コンタクトトレイス３２
は、導電ポリマー６６と２層ＴＡＢリード７６4を介し
て、ＰＣＢ基板６２2に設けられたＰＣＢ（プリント回
路基板）パッド３８に接続される。
う１つの変形例を示しており、トップ型コンタクトトレ
イスは、導電ポリマーを介してプリント回路基板上に設
けられたパッドに接続されている。第２０図の例では、
コンタクトストラクチャ３０、コンタクトトレイス３
２、およびコンタクトパッド３３は、コンタクト基板２
０上に形成されている。典型的には、コンタクト基板２
０はシリコン基板であるが、ガラスエポキシ基板、ポリ
イミド基板、セラミック基板、アルミナ基板のような、
他の誘電材料を用いてもよい。コンタクトトレイス３２
は、導電ポリマー６６と２層ＴＡＢリード７６4を介し
て、ＰＣＢ基板６２2に設けられたＰＣＢ（プリント回
路基板）パッド３８に接続される。
【００９９】コンタクト基板２０は、サポートストラク
チャ５２4とエラストマ４２2を介してＰＣＢ基板６２2
上に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ
４２2、サポートストラクチャ５２4、およびＰＣＢ基板
６２2は、それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無
い）で接着されている。ＴＡＢリード７６4の上部リー
ドＡと下部リードＢの間には、上部リードＡと下部リー
ドＢを支持するためのサポート部材５４2が備えられて
いる。
チャ５２4とエラストマ４２2を介してＰＣＢ基板６２2
上に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ
４２2、サポートストラクチャ５２4、およびＰＣＢ基板
６２2は、それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無
い）で接着されている。ＴＡＢリード７６4の上部リー
ドＡと下部リードＢの間には、上部リードＡと下部リー
ドＢを支持するためのサポート部材５４2が備えられて
いる。
【０１００】ほとんどの導電ポリマーは接続されるべき
エレクトロード間において垂直方向に導電性を有し、水
平方向には導電性を有しないように設計されている。導
電ポリマー６６の例としは、導電エラストマーがあり、
そのエラストマにはエラストマ表面より上に延びた導電
ワイヤーが充填されている。
エレクトロード間において垂直方向に導電性を有し、水
平方向には導電性を有しないように設計されている。導
電ポリマー６６の例としは、導電エラストマーがあり、
そのエラストマにはエラストマ表面より上に延びた導電
ワイヤーが充填されている。
【０１０１】導電ポリマー６６は他の様々なタイプが可
能であり、例えばアニソトロピック（異方性）導電接着
剤、アニソトロピック導電フィルム、アニソトロピック
導電ペースト、アニソトロピック導電粒などが使用でき
る。アニソトロピック導電接着剤は、導電粒が互いに接
触しない状態で充填されている。導電通路は、所定位置
における２つのエレクトロード（電極）間で接着剤が押
しつけられることで形成される。アニソトロピック導電
フィルムは、互いに接触しない状態の導電粒が充填され
た薄い誘電性樹脂である。導電通路は、所定位置におけ
る２つのエレクトロード間で導電フィルムが押しつけら
れることにより形成される。
能であり、例えばアニソトロピック（異方性）導電接着
剤、アニソトロピック導電フィルム、アニソトロピック
導電ペースト、アニソトロピック導電粒などが使用でき
る。アニソトロピック導電接着剤は、導電粒が互いに接
触しない状態で充填されている。導電通路は、所定位置
における２つのエレクトロード（電極）間で接着剤が押
しつけられることで形成される。アニソトロピック導電
フィルムは、互いに接触しない状態の導電粒が充填され
た薄い誘電性樹脂である。導電通路は、所定位置におけ
る２つのエレクトロード間で導電フィルムが押しつけら
れることにより形成される。
【０１０２】アニソトロピック導電ペーストは、互いに
接触しない状態で充填された伝導粒を有するスクリーン
プリント・ペーストである。導電通路は、所定位置にお
ける２つのエレクトロード間で導電ペーストが押しつけ
られるうことで形成される。アニソトロピック導電粒
は、絶縁性を向上するように非常に薄い誘電材料被膜に
よりコーティングされた伝導粒で満たされた薄い誘電体
樹脂である。導電通路は、所定位置における２つのエレ
クトロード間で、導電粒を覆っている誘電コーティング
を破裂させるの十分な力で押しつけることで形成され
る。
接触しない状態で充填された伝導粒を有するスクリーン
プリント・ペーストである。導電通路は、所定位置にお
ける２つのエレクトロード間で導電ペーストが押しつけ
られるうことで形成される。アニソトロピック導電粒
は、絶縁性を向上するように非常に薄い誘電材料被膜に
よりコーティングされた伝導粒で満たされた薄い誘電体
樹脂である。導電通路は、所定位置における２つのエレ
クトロード間で、導電粒を覆っている誘電コーティング
を破裂させるの十分な力で押しつけることで形成され
る。
【０１０３】ＴＡＢリード７６4は、階層的構造により
段式のリードＡとＢを有するので、この２つのリードに
よって、低い抵抗の信号通路を形成することができる。
これは、例えば半導体部品をテストするためのグラウン
ドラインやパワーラインにおいて、テスト信号の波形を
変形させないで多大な電流を流すのに有効である。
段式のリードＡとＢを有するので、この２つのリードに
よって、低い抵抗の信号通路を形成することができる。
これは、例えば半導体部品をテストするためのグラウン
ドラインやパワーラインにおいて、テスト信号の波形を
変形させないで多大な電流を流すのに有効である。
【０１０４】第２１図は、本発明の第３実施例における
更に他の例を示している。この例では、上部リードＡと
下部リードＢを有する２層ＴＡＢリード７６2が、コン
タクトストラクチャ３０に接続されたコンタクトパッド
３３に導電ポリマーを介して接続されている。第２１図
において上部リードＡは第２１図の下部リードＢに比べ
てより上側でかつ外側に設けられている。上部リードＡ
は導電伝導ポリマー６６を介してＰＣＢパッド３８に接
続され、下部リードＢは導電ポリマー６７を介してＰＣ
Ｂパッド３９に接続されている。ＰＣＢパッド３８と３
９を搭載するために、ＰＣＢ基板６２4はＰＣＢパッド
３８を搭載するためのより高い段と、ＰＣＢパッド３９
を搭載するためのより低い段とを端部に有している。
更に他の例を示している。この例では、上部リードＡと
下部リードＢを有する２層ＴＡＢリード７６2が、コン
タクトストラクチャ３０に接続されたコンタクトパッド
３３に導電ポリマーを介して接続されている。第２１図
において上部リードＡは第２１図の下部リードＢに比べ
てより上側でかつ外側に設けられている。上部リードＡ
は導電伝導ポリマー６６を介してＰＣＢパッド３８に接
続され、下部リードＢは導電ポリマー６７を介してＰＣ
Ｂパッド３９に接続されている。ＰＣＢパッド３８と３
９を搭載するために、ＰＣＢ基板６２4はＰＣＢパッド
３８を搭載するためのより高い段と、ＰＣＢパッド３９
を搭載するためのより低い段とを端部に有している。
【０１０５】ＴＡＢリード７６2とＰＣＢパッド３８と
３９の間の電気的接続は、スクリーンプリントハンダ技
術や各種のボンディング技術のようなサーフェスマウン
ト技術（ＳＭＴ）を用いて形成される。ボンディング技
術には、サーモソニック・ボンディング、サーモコンプ
レッション・ボンディング、ウルトラソニック・ボンデ
ィング等がある。
３９の間の電気的接続は、スクリーンプリントハンダ技
術や各種のボンディング技術のようなサーフェスマウン
ト技術（ＳＭＴ）を用いて形成される。ボンディング技
術には、サーモソニック・ボンディング、サーモコンプ
レッション・ボンディング、ウルトラソニック・ボンデ
ィング等がある。
【０１０６】２層リードＡとＢを有するＴＡＢリード７
６2の階層構造により、垂直方向にファンアウトを形成
できる。これは、２つ以上の通路に信号または電力を供
給するのに便利である。ファンアウトの他の利点は、コ
ンタクトパッドの数を増加できること、すなわち、コン
タクトパッド間の有効ピッチ（距離）を減少できること
である。
６2の階層構造により、垂直方向にファンアウトを形成
できる。これは、２つ以上の通路に信号または電力を供
給するのに便利である。ファンアウトの他の利点は、コ
ンタクトパッドの数を増加できること、すなわち、コン
タクトパッド間の有効ピッチ（距離）を減少できること
である。
【０１０７】第２２図−第２９図は、本発明の第４の実
施例を示しており、トップ型コンタクトトレイスが、テ
ープ自動（オートメイテド）ボンディング（ＴＡＢ）に
より形成した３層リードを介して、コンタクトターゲッ
トに接続されている。第２２図の例では、コンタクト基
板２０上に形成されたコンタクトストラクチャ３０は、
コンタクトトレイス３２を介して電気的にコンタクトパ
ッド３３に接続されている。コンタクトパッド３３はそ
の上表面がＴＡＢリード７８に接続しており、ＴＡＢリ
ード７８は更にＰＣＢ基板６２2上に設けられたプリン
ト回路基板（ＰＣＢ）相互接続パッド３８に接続されて
いる。
施例を示しており、トップ型コンタクトトレイスが、テ
ープ自動（オートメイテド）ボンディング（ＴＡＢ）に
より形成した３層リードを介して、コンタクトターゲッ
トに接続されている。第２２図の例では、コンタクト基
板２０上に形成されたコンタクトストラクチャ３０は、
コンタクトトレイス３２を介して電気的にコンタクトパ
ッド３３に接続されている。コンタクトパッド３３はそ
の上表面がＴＡＢリード７８に接続しており、ＴＡＢリ
ード７８は更にＰＣＢ基板６２2上に設けられたプリン
ト回路基板（ＰＣＢ）相互接続パッド３８に接続されて
いる。
【０１０８】コンタクト基板２０は、エラストマ４２と
サポートストラクチャ５２６を介して、ＰＣＢ基板６２
2上に搭載されている。コンタクト基板２０、エラスト
マ４２、サポートストラクチャ５２6、ＰＣＢ基板６２2
は、それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無い）で接
着されている。この例では、コンタクトパッド３３とＰ
ＣＢパッド３８を接続するための３層ＴＡＢリード７８
は、上部リードＡ、中間リードＢ、下部リードＣを有す
る。サポート部材５９1は、３層ＴＡＢリード７８の上
部リードＡと中間リードＢの間にもうけられている。サ
ポート部材５９ 2は、３層ＴＡＢリード７８の中間リー
ドＢと下部リードＣとの間に設けられている。
サポートストラクチャ５２６を介して、ＰＣＢ基板６２
2上に搭載されている。コンタクト基板２０、エラスト
マ４２、サポートストラクチャ５２6、ＰＣＢ基板６２2
は、それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無い）で接
着されている。この例では、コンタクトパッド３３とＰ
ＣＢパッド３８を接続するための３層ＴＡＢリード７８
は、上部リードＡ、中間リードＢ、下部リードＣを有す
る。サポート部材５９1は、３層ＴＡＢリード７８の上
部リードＡと中間リードＢの間にもうけられている。サ
ポート部材５９ 2は、３層ＴＡＢリード７８の中間リー
ドＢと下部リードＣとの間に設けられている。
【０１０９】ＴＡＢリード７８は、全体としてガルウイ
ング（カモメの羽）の形状をしており、この形状、サー
フェスマウント（表面実装）技術で用いられる標準ガル
ウイングリードと類似している。ガルウイング型ＴＡＢ
７８が下向きに曲がっているので、第２２図の左端に示
すように、ＰＣＢパッド３８とＴＡＢリード７８の間の
接続部の上部に、十分な空間が得られる。ＴＡＢリード
７８のリードの形状（下向きのガルウイングリード）
は、特殊なツールを必要としうる。半導体テストのよう
な応用においては、コンタクトトレイスとＰＣＢパッド
の間に多数の相互接続が使用されるので、そのようなツ
ールは、そのようなリードの作成用に標準化して用いて
も不利ではない。
ング（カモメの羽）の形状をしており、この形状、サー
フェスマウント（表面実装）技術で用いられる標準ガル
ウイングリードと類似している。ガルウイング型ＴＡＢ
７８が下向きに曲がっているので、第２２図の左端に示
すように、ＰＣＢパッド３８とＴＡＢリード７８の間の
接続部の上部に、十分な空間が得られる。ＴＡＢリード
７８のリードの形状（下向きのガルウイングリード）
は、特殊なツールを必要としうる。半導体テストのよう
な応用においては、コンタクトトレイスとＰＣＢパッド
の間に多数の相互接続が使用されるので、そのようなツ
ールは、そのようなリードの作成用に標準化して用いて
も不利ではない。
【０１１０】ＴＡＢリード７８は階層式のリードＡ、
Ｂ、Ｃを有する構造をしているので、３つの導電リード
によって、信号経路における抵抗値の減少と大きな電流
容量を実現できる。これは、例えば半導体部品をテスト
するためのグラウンドラインやパワーラインにおいて、
テスト信号の波形を変形させないで多大な電流を流すの
に有利である。
Ｂ、Ｃを有する構造をしているので、３つの導電リード
によって、信号経路における抵抗値の減少と大きな電流
容量を実現できる。これは、例えば半導体部品をテスト
するためのグラウンドラインやパワーラインにおいて、
テスト信号の波形を変形させないで多大な電流を流すの
に有利である。
【０１１１】第２３図は、本発明の第４実施例の他の例
を示している。この例では、上部リードＡ、中間リード
Ｂ、下部リードＣを有する３層ＴＡＢリード７８2は、
コンタクトトレイス３２とコンタクトストラクチャ３０
に接続されたコンタクトパッド３３に接続されている。
上部リードＡは、第２３図の中間リードＢの上部で外側
の位置に設けられ、中間リードＢは、第２３図の下部リ
ードＣの上部で外側の位置に設けられている。上部リー
ドＡはＰＣＢパッド３８に接続され、中間リードＢはＰ
ＣＢパッド３９に接続され、下部リードＣはＰＣＢパッ
ド４０に接続されている。ＰＣＢパッド３８、３９、４
０を搭載するために、ＰＣＢ基板６２4は、第２３図の
左端部において、それぞれ垂直的に異なる位置にＰＣＢ
３８、３９、４０を搭載できるような段を有している。
サポート部材５４5は、上部リードＡと中間リードＢと
の間に設けられており、サポート部材５４6は、中間リ
ードＢと下部リードＣとの間に設けられている。
を示している。この例では、上部リードＡ、中間リード
Ｂ、下部リードＣを有する３層ＴＡＢリード７８2は、
コンタクトトレイス３２とコンタクトストラクチャ３０
に接続されたコンタクトパッド３３に接続されている。
上部リードＡは、第２３図の中間リードＢの上部で外側
の位置に設けられ、中間リードＢは、第２３図の下部リ
ードＣの上部で外側の位置に設けられている。上部リー
ドＡはＰＣＢパッド３８に接続され、中間リードＢはＰ
ＣＢパッド３９に接続され、下部リードＣはＰＣＢパッ
ド４０に接続されている。ＰＣＢパッド３８、３９、４
０を搭載するために、ＰＣＢ基板６２4は、第２３図の
左端部において、それぞれ垂直的に異なる位置にＰＣＢ
３８、３９、４０を搭載できるような段を有している。
サポート部材５４5は、上部リードＡと中間リードＢと
の間に設けられており、サポート部材５４6は、中間リ
ードＢと下部リードＣとの間に設けられている。
【０１１２】ＴＡＢリード７８2と、ＰＣＢパッド３
８、３９、４０の間の電気的接続は、サーフェスマウン
ト技術（ＳＭＴ）により形成される。サーフェスマウン
ト技術には、スクリーンプリントハンダペーストや、サ
ーモソニック・ボンディング、サーモコンプレッション
・ボンディング、ウルトラソニック・ボンディング等の
各種のボンディング技術を含む。使用部品のサイズが微
小であり、かつコンタクトストラクチャ３０とコンタク
トトレイス３２、ＴＡＢリード７８2の信号経路が短い
ので、第２３図の例は、容易に数ＧＨｚのような高周波
数領域で機能できる。そのうえ、組み立てに要する部品
数が少なく単純な構造であるので、本発明のパッケージ
ング・相互接続は、低コスト、高性能性、且つ高信頼性
を実現できる。
８、３９、４０の間の電気的接続は、サーフェスマウン
ト技術（ＳＭＴ）により形成される。サーフェスマウン
ト技術には、スクリーンプリントハンダペーストや、サ
ーモソニック・ボンディング、サーモコンプレッション
・ボンディング、ウルトラソニック・ボンディング等の
各種のボンディング技術を含む。使用部品のサイズが微
小であり、かつコンタクトストラクチャ３０とコンタク
トトレイス３２、ＴＡＢリード７８2の信号経路が短い
ので、第２３図の例は、容易に数ＧＨｚのような高周波
数領域で機能できる。そのうえ、組み立てに要する部品
数が少なく単純な構造であるので、本発明のパッケージ
ング・相互接続は、低コスト、高性能性、且つ高信頼性
を実現できる。
【０１１３】ＴＡＢリード７８2は３層リードＡ、Ｂお
よびＣを有する階層構造となっているので、垂直方向に
ファンアウト（信号通路の分散）を形成できる。これ
は、２つ以上の通路に信号または電力を供給するのに便
利である。ファンアウトの他の利点は、コンタクトパッ
ドの数を増大できること、すなわち、コンタクトパッド
間の有効ピッチ（距離）を減少できることである。
よびＣを有する階層構造となっているので、垂直方向に
ファンアウト（信号通路の分散）を形成できる。これ
は、２つ以上の通路に信号または電力を供給するのに便
利である。ファンアウトの他の利点は、コンタクトパッ
ドの数を増大できること、すなわち、コンタクトパッド
間の有効ピッチ（距離）を減少できることである。
【０１１４】第２４図は、本発明の第４実施例における
更にもう１つの変形例を示しており、プリント回路基板
または他のストラクチャ上に設けられたコネクタとトッ
プ型コンタクトトレイス３２が結合されている。第２４
図の例では、コンタクトトレイス３２に接続されたコン
タクトパッド３３は、３層ＴＡＢリード７８を介してコ
ネクタ４６3に接続されている。３層ＴＡＢリード７８
は第２２図に示したものと同じ形状をしている。コネク
タ４６3は、サポートストラクチャ５２5上に設けられて
いる。
更にもう１つの変形例を示しており、プリント回路基板
または他のストラクチャ上に設けられたコネクタとトッ
プ型コンタクトトレイス３２が結合されている。第２４
図の例では、コンタクトトレイス３２に接続されたコン
タクトパッド３３は、３層ＴＡＢリード７８を介してコ
ネクタ４６3に接続されている。３層ＴＡＢリード７８
は第２２図に示したものと同じ形状をしている。コネク
タ４６3は、サポートストラクチャ５２5上に設けられて
いる。
【０１１５】コネクタ４６3は、アタッチメント機構
（図には無い）を用いてサポートストラクチャ５２5に
機械的に固定してもよい。ＴＡＢリード７８の端部は、
コネクタ４６3のリセプタクル（図には無い）に挿入さ
れている。この技術では周知のように、そのようなリセ
プタクルは、ＴＡＢリード７８の端部を受け入れるとき
に十分な接触力を発揮できるようにするためにバネ機構
を有している。３層ＴＡＢリード７８の、上部リードＡ
と中間リードＢの間に、サポート部材５９1が、リード
ＡとリードＢを支持するために備えられている。３層Ｔ
ＡＢリード７８の、中間リードＢと下部リードＣの間
に、サポート部材バ５９2が、リードＢとリードＣを支
持するために備えられている。
（図には無い）を用いてサポートストラクチャ５２5に
機械的に固定してもよい。ＴＡＢリード７８の端部は、
コネクタ４６3のリセプタクル（図には無い）に挿入さ
れている。この技術では周知のように、そのようなリセ
プタクルは、ＴＡＢリード７８の端部を受け入れるとき
に十分な接触力を発揮できるようにするためにバネ機構
を有している。３層ＴＡＢリード７８の、上部リードＡ
と中間リードＢの間に、サポート部材５９1が、リード
ＡとリードＢを支持するために備えられている。３層Ｔ
ＡＢリード７８の、中間リードＢと下部リードＣの間
に、サポート部材バ５９2が、リードＢとリードＣを支
持するために備えられている。
【０１１６】ＴＡＢリード７８は３層のリードＡ、Ｂ、
Ｃを有する構造なので、３個の導電リードによって、信
号通路における小さな抵抗と大きな電流キャパシティー
を実現できる。これは、例えば半導体部品をテストする
ためのグラウンドラインやパワーラインにおいて、テス
ト信号の波形を変形させないで多大な電流を流すのに有
利である。
Ｃを有する構造なので、３個の導電リードによって、信
号通路における小さな抵抗と大きな電流キャパシティー
を実現できる。これは、例えば半導体部品をテストする
ためのグラウンドラインやパワーラインにおいて、テス
ト信号の波形を変形させないで多大な電流を流すのに有
利である。
【０１１７】第２５図は、本発明の第３実施例における
更にもう１つの変形例を示したものであり、トップ型コ
ンタクトトレイス３２が、プリント回路基板や他のスト
ラクチャ上に設けられたコネクタに接続している。第２
５図の例では、コンタクトトレイス３２に接続されたコ
ンタクトパッド３３は、３層ＴＡＢリード７８4を介し
てコネクタ４６4に接続されている。３層ＴＡＢリード
７８4は、上部リードＡ、中間リードＢ、下部リードＣ
を有しており、それらのそれぞれの端部は互いに別離し
ている。コネクタ４６4はサポートストラクチャ５２6に
設けられている。
更にもう１つの変形例を示したものであり、トップ型コ
ンタクトトレイス３２が、プリント回路基板や他のスト
ラクチャ上に設けられたコネクタに接続している。第２
５図の例では、コンタクトトレイス３２に接続されたコ
ンタクトパッド３３は、３層ＴＡＢリード７８4を介し
てコネクタ４６4に接続されている。３層ＴＡＢリード
７８4は、上部リードＡ、中間リードＢ、下部リードＣ
を有しており、それらのそれぞれの端部は互いに別離し
ている。コネクタ４６4はサポートストラクチャ５２6に
設けられている。
【０１１８】コネクタ４６4は、アタッチメント機構
（図には無い）を用いてサポートストラクチャ５２6に
機械的な手段で固定してもよい。ＴＡＢリード７８4の
各リードＡ、Ｂ、Ｃの先端部が、コネクタ４６4のリセ
プタクル（図には無い）に挿入されている。この技術分
野では周知のように、そのようなリセプタクルは、ＴＡ
Ｂリード７８4の端を受け入れるときに十分な接触力を
発揮できるようにバネ機構を有している。３層ＴＡＢリ
ード７８4の上部リードＡと中間リードＢの間に、サポ
ート部材５９3が設けられている。３層ＴＡＢリード７
８4の中間リードＢと下部リードＣの間に、サポート部
材５９4が設けられている。
（図には無い）を用いてサポートストラクチャ５２6に
機械的な手段で固定してもよい。ＴＡＢリード７８4の
各リードＡ、Ｂ、Ｃの先端部が、コネクタ４６4のリセ
プタクル（図には無い）に挿入されている。この技術分
野では周知のように、そのようなリセプタクルは、ＴＡ
Ｂリード７８4の端を受け入れるときに十分な接触力を
発揮できるようにバネ機構を有している。３層ＴＡＢリ
ード７８4の上部リードＡと中間リードＢの間に、サポ
ート部材５９3が設けられている。３層ＴＡＢリード７
８4の中間リードＢと下部リードＣの間に、サポート部
材５９4が設けられている。
【０１１９】ＴＡＢリード７８4は３層リードＡ、Ｂ、
Ｃを有する構造なので、垂直方向にファンアウトを形成
できる。これは、２つ以上の通路に信号または電力を供
給するのに便利である。ファンアウトの他の利点は、コ
ンタクトパッドの数を増大できること、すなわち、コン
タクトパッド間の有効ピッチ（距離）を減少できること
である。
Ｃを有する構造なので、垂直方向にファンアウトを形成
できる。これは、２つ以上の通路に信号または電力を供
給するのに便利である。ファンアウトの他の利点は、コ
ンタクトパッドの数を増大できること、すなわち、コン
タクトパッド間の有効ピッチ（距離）を減少できること
である。
【０１２０】第２６図は、本発明の第４実施例における
更にもう１つの変形例を示しており、プリント回路基板
または他のストラクチャ上に設けられたパッドとトップ
型コンタクトトレイスが結合される。第２６図の例で
は、コンタクトストラクチャ３０、コンタクトトレイス
３２およびコンタクトタブ３３が、コンタクト基板２０
上に形成されている。典型的には、コンタクト基板２０
はシリコン基板であるが、ガラスエポキシ基板、ポリイ
ミド基板、セラミック基板、アルミナ基板のような、他
の誘電材料を用いてもよい。導電バンプ５６と３層ＴＡ
Ｂリード７８を介して、ＰＣＢ基板６２2上に設けられ
たＰＣＢ（プリント回路基板）接続パッド３８とコンタ
クトパッド３３が接続される。
更にもう１つの変形例を示しており、プリント回路基板
または他のストラクチャ上に設けられたパッドとトップ
型コンタクトトレイスが結合される。第２６図の例で
は、コンタクトストラクチャ３０、コンタクトトレイス
３２およびコンタクトタブ３３が、コンタクト基板２０
上に形成されている。典型的には、コンタクト基板２０
はシリコン基板であるが、ガラスエポキシ基板、ポリイ
ミド基板、セラミック基板、アルミナ基板のような、他
の誘電材料を用いてもよい。導電バンプ５６と３層ＴＡ
Ｂリード７８を介して、ＰＣＢ基板６２2上に設けられ
たＰＣＢ（プリント回路基板）接続パッド３８とコンタ
クトパッド３３が接続される。
【０１２１】コンタクト基板２０は、サポートストラク
チャ５２6とエラストマ４２とを介してＰＣＢ基板６２2
上に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ
４２、サポートストラクチャ５２6、およびＰＣＢ基板
６２2は、それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無
い）で固定されている。３層ＴＡＢリード７８の上部リ
ードＡと中間リードＢの間には、リードＡとＢを支持す
る為のサポート部材５９ 1が設けられている。また３層
ＴＡＢリード７８の中間リードＢと下部リードＣの間に
は、リードＢとＣを支持する為のサポートメンバ５９2
が設けられている。
チャ５２6とエラストマ４２とを介してＰＣＢ基板６２2
上に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ
４２、サポートストラクチャ５２6、およびＰＣＢ基板
６２2は、それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無
い）で固定されている。３層ＴＡＢリード７８の上部リ
ードＡと中間リードＢの間には、リードＡとＢを支持す
る為のサポート部材５９ 1が設けられている。また３層
ＴＡＢリード７８の中間リードＢと下部リードＣの間に
は、リードＢとＣを支持する為のサポートメンバ５９2
が設けられている。
【０１２２】ＴＡＢリード７８は階層構造のリードＡ、
Ｂ、Ｃを有するので、３個導電リードによって、信号経
路における小さな抵抗と大きな電流キャパシティーを実
現できる。これは、例えば半導体部品をテストするため
のグラウンドラインやパワーラインにおいて、テスト信
号の波形を変形させないで多大な電流を流すの有利であ
る。
Ｂ、Ｃを有するので、３個導電リードによって、信号経
路における小さな抵抗と大きな電流キャパシティーを実
現できる。これは、例えば半導体部品をテストするため
のグラウンドラインやパワーラインにおいて、テスト信
号の波形を変形させないで多大な電流を流すの有利であ
る。
【０１２３】導電バンプを加熱することにより、導電バ
ンプ５６がＰＣＢパッド３８に溶解凝固（リフロー）し
て、ＴＡＢリード７８とＰＣＢパッド３８の間を接続す
る。導電バンプ５６の例としては、標準ハンダボール技
術で用いられるハンダバンプがある。導電バンプ５６の
他の例としては、プラズマ支援によるドライハンダに用
いられるフラックスレスのハンダボールがある。
ンプ５６がＰＣＢパッド３８に溶解凝固（リフロー）し
て、ＴＡＢリード７８とＰＣＢパッド３８の間を接続す
る。導電バンプ５６の例としては、標準ハンダボール技
術で用いられるハンダバンプがある。導電バンプ５６の
他の例としては、プラズマ支援によるドライハンダに用
いられるフラックスレスのハンダボールがある。
【０１２４】第２７図は、本発明の第４実施例における
更にもう１つの例を示している。この例では、上部リー
ドＡ、中間リードＢ、下部リードＣを有する３層ＴＡＢ
リード７８2は、コンタクトストラクチャ３０に接続さ
れたコンタクトパッド３３に結合している。上部リード
Ａは、第２７図において中間リードＢの上部でかつ外側
の位置に備えられ、中間リードＢは、第２７図において
下部リードＣの上部でかつ外側の位置に備えられてい
る。上部リードＡは導電バンプ５６を介してＰＣＢパッ
ド３８に接続され、中間リードＢは導電バンプ５７を介
してＰＣＢパッド３９に接続され、下部リードＣは導電
バンプ５８を介してＰＣＢパッド４０に接続されてい
る。ＰＣＢパッド３８、３９、４０を搭載するために、
ＰＣＢ基板６２6は、それぞれ垂直的に異なる位置にＰ
ＣＢ３８、３９、４０を搭載できるような段を設けてい
る。サポートメンバ５４5は、上部リードＡと中間リー
ドＢとの間に設けられており、サポートメンバ５４
6は、中間リードＢと下部リードＣとの間に設けられて
いる。
更にもう１つの例を示している。この例では、上部リー
ドＡ、中間リードＢ、下部リードＣを有する３層ＴＡＢ
リード７８2は、コンタクトストラクチャ３０に接続さ
れたコンタクトパッド３３に結合している。上部リード
Ａは、第２７図において中間リードＢの上部でかつ外側
の位置に備えられ、中間リードＢは、第２７図において
下部リードＣの上部でかつ外側の位置に備えられてい
る。上部リードＡは導電バンプ５６を介してＰＣＢパッ
ド３８に接続され、中間リードＢは導電バンプ５７を介
してＰＣＢパッド３９に接続され、下部リードＣは導電
バンプ５８を介してＰＣＢパッド４０に接続されてい
る。ＰＣＢパッド３８、３９、４０を搭載するために、
ＰＣＢ基板６２6は、それぞれ垂直的に異なる位置にＰ
ＣＢ３８、３９、４０を搭載できるような段を設けてい
る。サポートメンバ５４5は、上部リードＡと中間リー
ドＢとの間に設けられており、サポートメンバ５４
6は、中間リードＢと下部リードＣとの間に設けられて
いる。
【０１２５】導電バンプを加熱することにより、導電バ
ンプ５６、５７、５８がＰＣＢパッド３８、３９、４０
に溶解凝固（リフロー）して、ＴＡＢリード７８2とＰ
ＣＢパッド３８、３９、４０の間を接続する。導電バン
プ５６、５７、５８の例としては、標準ハンダボール技
術で用いられるハンダバンプがある。導電バンプ５６、
５７、５８の他の例としては、プラズマ支援によるドラ
イハンダ技術に用いられるフラックスレス・ハンダボー
ルがある。
ンプ５６、５７、５８がＰＣＢパッド３８、３９、４０
に溶解凝固（リフロー）して、ＴＡＢリード７８2とＰ
ＣＢパッド３８、３９、４０の間を接続する。導電バン
プ５６、５７、５８の例としては、標準ハンダボール技
術で用いられるハンダバンプがある。導電バンプ５６、
５７、５８の他の例としては、プラズマ支援によるドラ
イハンダ技術に用いられるフラックスレス・ハンダボー
ルがある。
【０１２６】ＴＡＢリード７８2は階層構造のリード
Ａ、Ｂ、Ｃを有するので、垂直方向にファンアウト（信
号通路の分配）を形成できる。これは、２つ以上の経路
に信号や電力を供給するのに便利である。ファンアウト
の他の利点は、コンタクトパッドの数を増大できるこ
と、すなわち、コンタクトパッド間の有効ピッチ（距
離）を減少できることである。
Ａ、Ｂ、Ｃを有するので、垂直方向にファンアウト（信
号通路の分配）を形成できる。これは、２つ以上の経路
に信号や電力を供給するのに便利である。ファンアウト
の他の利点は、コンタクトパッドの数を増大できるこ
と、すなわち、コンタクトパッド間の有効ピッチ（距
離）を減少できることである。
【０１２７】第２８図は、本発明の第４実施例の更にも
う１つの変形例を示しており、プリント回路基板上に設
けられたパッドとトップ型コンタクトトレイスを導電ポ
リマーを介して接続している。第２８図の例では、コン
タクトストラクチャ３０、コンタクトトレイス３２、お
よびコンタクトタブ３３が、コンタクト基板２０上に形
成されている。典型的には、コンタクト基板２０はシリ
コン基板であるが、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基
板、セラミック基板、アルミナ基板のような、他の誘電
材料を用いてもよい。導電ポリマー６６と３層ＴＡＢリ
ード７８を介して、ＰＣＢ基板６２2上に設けられたＰ
ＣＢ（プリント回路基板）パッド３８にコンタクトパッ
ド３３が接続される。
う１つの変形例を示しており、プリント回路基板上に設
けられたパッドとトップ型コンタクトトレイスを導電ポ
リマーを介して接続している。第２８図の例では、コン
タクトストラクチャ３０、コンタクトトレイス３２、お
よびコンタクトタブ３３が、コンタクト基板２０上に形
成されている。典型的には、コンタクト基板２０はシリ
コン基板であるが、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基
板、セラミック基板、アルミナ基板のような、他の誘電
材料を用いてもよい。導電ポリマー６６と３層ＴＡＢリ
ード７８を介して、ＰＣＢ基板６２2上に設けられたＰ
ＣＢ（プリント回路基板）パッド３８にコンタクトパッ
ド３３が接続される。
【０１２８】コンタクト基板２０は、サポートストラク
チャ５２6とエラストマ４２とを介してＰＣＢ基板６２2
上に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ
４２、サポートストラクチャ５２6、およびＰＣＢ基板
６２2は、それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無
い）で接着している。３層ＴＡＢリード７８の上部リー
ドＡと中間リードＢの間には、リードＡとＢを支持する
為のサポート部材５９1が設けられている。また３層Ｔ
ＡＢリード７８の中間リードＢと下部リードＣの間に
は、リードＢとＣを支持する為のサポートメンバ５９2
が設けられている。
チャ５２6とエラストマ４２とを介してＰＣＢ基板６２2
上に搭載されている。コンタクト基板２０、エラストマ
４２、サポートストラクチャ５２6、およびＰＣＢ基板
６２2は、それぞれ互いに、例えば接着剤（図には無
い）で接着している。３層ＴＡＢリード７８の上部リー
ドＡと中間リードＢの間には、リードＡとＢを支持する
為のサポート部材５９1が設けられている。また３層Ｔ
ＡＢリード７８の中間リードＢと下部リードＣの間に
は、リードＢとＣを支持する為のサポートメンバ５９2
が設けられている。
【０１２９】ほとんどの導電ポリマーは接続されるべき
エレクトロード間において垂直方向に導電性を有し、水
平方向には導電性を有しないように設計されている。導
電ポリマー６６の例としては、導電エラストマーがあ
り、そのエラストマにはエラストマ表面より上に延びた
導電ワイヤーが充填されている。
エレクトロード間において垂直方向に導電性を有し、水
平方向には導電性を有しないように設計されている。導
電ポリマー６６の例としては、導電エラストマーがあ
り、そのエラストマにはエラストマ表面より上に延びた
導電ワイヤーが充填されている。
【０１３０】導電ポリマー６６は他の様々なタイプが可
能であり、例えばアニソトロピック（異方性）導電接着
剤、アニソトロピック導電フィルム、アニソトロピック
導電ペースト、アニソトロピック導電粒などが使用でき
る。アニソトロピック導電接着剤は、導電粒が互いに接
触しない状態で充填されている。導電通路は、所定位置
における２つのエレクトロード（電極）間で接着剤が押
しつけられることで形成される。アニソトロピック導電
フィルムは、互いに接触しない状態の導電粒が充填され
た薄い誘電性樹脂である。導電通路は、所定位置におけ
る２つのエレクトロード間で導電フィルムが押しつけら
れることにより形成される。
能であり、例えばアニソトロピック（異方性）導電接着
剤、アニソトロピック導電フィルム、アニソトロピック
導電ペースト、アニソトロピック導電粒などが使用でき
る。アニソトロピック導電接着剤は、導電粒が互いに接
触しない状態で充填されている。導電通路は、所定位置
における２つのエレクトロード（電極）間で接着剤が押
しつけられることで形成される。アニソトロピック導電
フィルムは、互いに接触しない状態の導電粒が充填され
た薄い誘電性樹脂である。導電通路は、所定位置におけ
る２つのエレクトロード間で導電フィルムが押しつけら
れることにより形成される。
【０１３１】アニソトロピック導電ペーストは、互いに
接触しない状態で充填された伝導粒を有するスクリーン
プリント・ペーストである。導電通路は、所定位置にお
ける２つのエレクトロード間で導電ペーストが押しつけ
られるうことで形成される。アニソトロピック導電粒
は、絶縁性を向上するように非常に薄い誘電材料被膜に
よりコーティングされた伝導粒で満たされた薄い誘電体
樹脂である。導電通路は、所定位置における２つのエレ
クトロード間で、導電粒を覆っている誘電コーティング
を破裂させるの十分な力で押しつけることで形成され
る。
接触しない状態で充填された伝導粒を有するスクリーン
プリント・ペーストである。導電通路は、所定位置にお
ける２つのエレクトロード間で導電ペーストが押しつけ
られるうことで形成される。アニソトロピック導電粒
は、絶縁性を向上するように非常に薄い誘電材料被膜に
よりコーティングされた伝導粒で満たされた薄い誘電体
樹脂である。導電通路は、所定位置における２つのエレ
クトロード間で、導電粒を覆っている誘電コーティング
を破裂させるの十分な力で押しつけることで形成され
る。
【０１３２】ＴＡＢリード７８は階層構造のリードＡ、
Ｂ、Ｃを有するので、３個の導電リードによって、信号
経路の抵抗を減少し、電流キャパシティーを増大するこ
とができる。これは、例えば半導体部品をテストするた
めのグラウンドラインやパワーラインにおいて、テスト
信号の波形を変形させないで多大な電流を流すために有
効である。
Ｂ、Ｃを有するので、３個の導電リードによって、信号
経路の抵抗を減少し、電流キャパシティーを増大するこ
とができる。これは、例えば半導体部品をテストするた
めのグラウンドラインやパワーラインにおいて、テスト
信号の波形を変形させないで多大な電流を流すために有
効である。
【０１３３】第２９図は、本発明の第４実施例における
更に別の変形例を示している。この例では、上部リード
Ａ、中間リードＢ、下部リードＣを有する３層ＴＡＢリ
ード７８2は、コンタクトトレイス３２とコンタクトス
トラクチャ３０に接続されたコンタクトパッド３３に接
続している。上部リードＡは、第２９図において中間リ
ードＢの上部でかつ外側の位置に設けられている。中間
リードＢは、第２９図において下部リードＣの上部でか
つ外側の位置に設けられている。上部リードＡは導電ポ
リマー６６を介してＰＣＢパッド３８に接続され、中間
リードＢは導電ポリマー６７を介してＰＣＢパッド３９
に接続され、下部リードＣは導電ポリマー６８を介して
ＰＣＢパッド４０に接続されている。ＰＣＢパッド３
８、３９、４０を搭載するために、ＰＣＢ基板６２
6は、それぞれ垂直的に異なる位置にＰＣＢ３８、３
９、４０を備えるための段を設けている。サポート部材
５４５は、上部リードＡと中間リードＢとの間に設けら
れており、サポート部材５４6は、中間リードＢと下部
リードＣとの間に設けられている。
更に別の変形例を示している。この例では、上部リード
Ａ、中間リードＢ、下部リードＣを有する３層ＴＡＢリ
ード７８2は、コンタクトトレイス３２とコンタクトス
トラクチャ３０に接続されたコンタクトパッド３３に接
続している。上部リードＡは、第２９図において中間リ
ードＢの上部でかつ外側の位置に設けられている。中間
リードＢは、第２９図において下部リードＣの上部でか
つ外側の位置に設けられている。上部リードＡは導電ポ
リマー６６を介してＰＣＢパッド３８に接続され、中間
リードＢは導電ポリマー６７を介してＰＣＢパッド３９
に接続され、下部リードＣは導電ポリマー６８を介して
ＰＣＢパッド４０に接続されている。ＰＣＢパッド３
８、３９、４０を搭載するために、ＰＣＢ基板６２
6は、それぞれ垂直的に異なる位置にＰＣＢ３８、３
９、４０を備えるための段を設けている。サポート部材
５４５は、上部リードＡと中間リードＢとの間に設けら
れており、サポート部材５４6は、中間リードＢと下部
リードＣとの間に設けられている。
【０１３４】ＴＡＢリード７８2は３層リードＡ、Ｂ、
Ｃを有するので、垂直方向にファンアウトを形成でき
る。これは、２つ以上の経路に信号や電力を供給するの
に便利である。ファンアウトの他の利点は、コンタクト
パッドの数を増加できること、すなわち、コンタクトパ
ッド間の有効ピッチ（距離）を減少できることである。
Ｃを有するので、垂直方向にファンアウトを形成でき
る。これは、２つ以上の経路に信号や電力を供給するの
に便利である。ファンアウトの他の利点は、コンタクト
パッドの数を増加できること、すなわち、コンタクトパ
ッド間の有効ピッチ（距離）を減少できることである。
【０１３５】好ましい実施例しか明記していないが、上
述した開示に基づき、添付した請求の範囲で、本発明の
精神と範囲を離れることなく、本発明の様々な形態や変
形が可能である。
述した開示に基づき、添付した請求の範囲で、本発明の
精神と範囲を離れることなく、本発明の様々な形態や変
形が可能である。
【０１３６】
【発明の効果】本発明によれば、パッケージング・相互
接続は、次世代半導体技術のテストの必要事項を満たし
た高周波帯域を実現できる。本発明のパッケージング・
相互接続は、コンタクトストラクチャの上面部を介して
電気接続をすることで、プローブカード上あるいはそれ
の等価物上に、そのコンタクトストラクチャを搭載する
ことができる。さらに、組み立てに用いる部品が全体的
として比較的少ないので、本発明のパッケージング・相
互接続は低コスト、高信頼性、且つ高生産性で構成する
ことができる。
接続は、次世代半導体技術のテストの必要事項を満たし
た高周波帯域を実現できる。本発明のパッケージング・
相互接続は、コンタクトストラクチャの上面部を介して
電気接続をすることで、プローブカード上あるいはそれ
の等価物上に、そのコンタクトストラクチャを搭載する
ことができる。さらに、組み立てに用いる部品が全体的
として比較的少ないので、本発明のパッケージング・相
互接続は低コスト、高信頼性、且つ高生産性で構成する
ことができる。
【図１】テストヘッドを有する半導体テストシステムと
基板用ハンドラとの間の構造的関係を示す概略図であ
る。
基板用ハンドラとの間の構造的関係を示す概略図であ
る。
【図２】半導体テストシステムのテストヘッドを、基板
用ハンドラに接続する際の、接続部の構成例を示す概念
図である。
用ハンドラに接続する際の、接続部の構成例を示す概念
図である。
【図３】カンチレバーをプローブコンタクタとして複数
個搭載するためのエポキシリングを有したプローブカー
ドの構成例を示す底面図である。
個搭載するためのエポキシリングを有したプローブカー
ドの構成例を示す底面図である。
【図４】（Ａ）から（Ｅ）は、第３図のプローブカード
の等価回路を示す回路図である。
の等価回路を示す回路図である。
【図５】フォトリソグラフィープロセスを用いて製造し
た、本発明に関するコンタクトストラクチャを示す概略
図である。
た、本発明に関するコンタクトストラクチャを示す概略
図である。
【図６】（Ａ）から（Ｃ）は、シリコン基板上に形成さ
れた本発明のコンタクトストラクチャを示す概略図であ
る。
れた本発明のコンタクトストラクチャを示す概略図であ
る。
【図７】コンタクトストラクチャの上面部に設けられた
コンタクトパッドとリードフレイムの間にボンディング
ワイヤをつなげることにより、パッケージング・相互接
続を形成した、本発明の第１実施例を示す概略図であ
る。
コンタクトパッドとリードフレイムの間にボンディング
ワイヤをつなげることにより、パッケージング・相互接
続を形成した、本発明の第１実施例を示す概略図であ
る。
【図８】本発明の第１実施例の変形例を示す概略図であ
る。
る。
【図９】コンタクト構造の上面部に設けられたコンタク
トパッドとプローブカードまたはパッケージ上のコンタ
クトターゲットとの間に、１層ＴＡＢ（テープ・オート
メイテド・ボンディング）リードによってパッケージン
グ・相互接続を形成した、本発明の第２実施例を示す概
念図である。
トパッドとプローブカードまたはパッケージ上のコンタ
クトターゲットとの間に、１層ＴＡＢ（テープ・オート
メイテド・ボンディング）リードによってパッケージン
グ・相互接続を形成した、本発明の第２実施例を示す概
念図である。
【図１０】相互接続・パッケージング用の部材として直
線的なＴＡＢリードを有する、本発明の第２実施例にお
ける変形実施例を示す概略図である。
線的なＴＡＢリードを有する、本発明の第２実施例にお
ける変形実施例を示す概略図である。
【図１１】コンタクトターゲットがコネクタである、本
発明の第２実施例における更に別の変形実施例を示す概
略図である。
発明の第２実施例における更に別の変形実施例を示す概
略図である。
【図１２】相互接続・パッケージング用の部材として、
ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に導電バン
プを有する、本発明の第２実施例における更に別の変形
実施例を示す概略図である。
ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に導電バン
プを有する、本発明の第２実施例における更に別の変形
実施例を示す概略図である。
【図１３】相互接続・パッケージング用の部材として、
ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に導電ポリ
マーを有する、本発明の第２実施例における更に別の変
形実施例を示す概略図である。
ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に導電ポリ
マーを有する、本発明の第２実施例における更に別の変
形実施例を示す概略図である。
【図１４】コンタクトストラクチャの上面部に設けられ
たコンタクトパッドとプローブカードまたはパッケージ
上のコンタクトターゲットとの間のパッケージング・相
互接続を２層ＴＡＢ（テープ・オートメイテド・ボンデ
ィング）リードによりに形成する、本発明の第３実施例
を示す概念図である。
たコンタクトパッドとプローブカードまたはパッケージ
上のコンタクトターゲットとの間のパッケージング・相
互接続を２層ＴＡＢ（テープ・オートメイテド・ボンデ
ィング）リードによりに形成する、本発明の第３実施例
を示す概念図である。
【図１５】１対のコンタクトターゲットに接続する相互
接続・パッケージング用の部材として、直線的な２層Ｔ
ＡＢリードを有している、本発明の第３実施例の変形実
施例を示す概念図である。
接続・パッケージング用の部材として、直線的な２層Ｔ
ＡＢリードを有している、本発明の第３実施例の変形実
施例を示す概念図である。
【図１６】２層ＴＡＢリードに接続されるコンタクトタ
ーゲットがコネクタである、本発明の第３実施例におけ
る更に別の変形実施例を示す概念図である。
ーゲットがコネクタである、本発明の第３実施例におけ
る更に別の変形実施例を示す概念図である。
【図１７】直線的な形状の２層ＴＡＢリードに接続され
るコンタクトターゲットがコネクタである、本発明の第
３実施例における更に別の変形実施例を示す概念図であ
る。
るコンタクトターゲットがコネクタである、本発明の第
３実施例における更に別の変形実施例を示す概念図であ
る。
【図１８】相互接続・パッケージング用の部材として、
ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に導電バン
プを有する、本発明の第３実施例における更に別の変形
実施例を示す概念図である。
ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に導電バン
プを有する、本発明の第３実施例における更に別の変形
実施例を示す概念図である。
【図１９】相互接続・パッケージング用の部材として、
ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に１対の導
電バンプを有する、本発明の第３実施例における更に別
の変形実施例を示す概念図である。
ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に１対の導
電バンプを有する、本発明の第３実施例における更に別
の変形実施例を示す概念図である。
【図２０】相互接続・パッケージング用の部材として、
２層ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に導電
ポリマーを有する、本発明の第３実施例における更に別
の変形実施例を示す概念図である。
２層ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に導電
ポリマーを有する、本発明の第３実施例における更に別
の変形実施例を示す概念図である。
【図２１】相互接続・パッケージング用の部材として、
２層ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に、１
対の導電ポリマーを有する、本発明の第３実施例におけ
る更に別の変形実施例を示す概念図である。
２層ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に、１
対の導電ポリマーを有する、本発明の第３実施例におけ
る更に別の変形実施例を示す概念図である。
【図２２】コンタクトストラクチャの上面部に設けられ
たコンタクトパッドと、プローブカードまたはパッケー
ジ上の接触ターゲットとの間のパッケージング・相互接
続を、３層ＴＡＢ（テープ・オートメイテド・ボンディ
ング）リードを介して形成する、本発明の第４実施例を
示す概念図である。
たコンタクトパッドと、プローブカードまたはパッケー
ジ上の接触ターゲットとの間のパッケージング・相互接
続を、３層ＴＡＢ（テープ・オートメイテド・ボンディ
ング）リードを介して形成する、本発明の第４実施例を
示す概念図である。
【図２３】３個のコンタクトターゲットに接続すべき相
互接続・パッケージング用の部品として３層ＴＡＢリー
ドを有する、本発明の第４実施例の変形実施例を示す概
念図である。
互接続・パッケージング用の部品として３層ＴＡＢリー
ドを有する、本発明の第４実施例の変形実施例を示す概
念図である。
【図２４】３層ＴＡＢリードに接続されるコンタクトタ
ーゲットがコネクタである、本発明の第４実施例におけ
る更に別の変形実施例を示す概念図である。
ーゲットがコネクタである、本発明の第４実施例におけ
る更に別の変形実施例を示す概念図である。
【図２５】直線的な形状の３層ＴＡＢリードに接続され
るコンタクトターゲットがコネクタである、本発明の第
４実施例における更に別の変形実施例を示す概念図であ
る。
るコンタクトターゲットがコネクタである、本発明の第
４実施例における更に別の変形実施例を示す概念図であ
る。
【図２６】相互接続・パッケージング用の部品として、
ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に導電バン
プを有する、本発明の第４実施例における更に別の変形
実施例を示す概念図である。
ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に導電バン
プを有する、本発明の第４実施例における更に別の変形
実施例を示す概念図である。
【図２７】相互接続・パッケージング用の部材として、
３層ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に３個
の導電バンプを有する、本発明の第４実施例における更
に別の変形実施例を示す概念図である。
３層ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に３個
の導電バンプを有する、本発明の第４実施例における更
に別の変形実施例を示す概念図である。
【図２８】相互接続・パッケージング用の部材として、
３層ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に導電
ポリマーを有する、本発明の第４実施例における更に別
の変形実施例を示す概念図である。
３層ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に導電
ポリマーを有する、本発明の第４実施例における更に別
の変形実施例を示す概念図である。
【図２９】相互接続・パッケージング用の部品として、
３層ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に３個
の導電ポリマーを有する、本発明の第４実施例における
更に別の変形実施例を示す概念図である。
３層ＴＡＢリードとコンタクトターゲットとの間に３個
の導電ポリマーを有する、本発明の第４実施例における
更に別の変形実施例を示す概念図である。
２０ コンタクト基板 ３０ コンタクトストラクチャ ３２ コンタクトトレイス ３３ コンタクトパッド ４５ リード ５２ サポートストラクチャ ７２ ボンディングワイヤ
Claims (54)
- 【請求項１】 コンタクトストラクチャ（接触構造）の
パッケージング・相互接続において、 フォトリソグラフィ製法により、コンタクト基板上に導
電材料で形成され、そのコンタクト基板に対して直立に
形成されたベース部と、一端がベース部上に形成された
水平部と、その水平部の他端に形成された接触部とによ
り構成されるコンタクトストラクチャと、 上記コンタクト基板上に形成され、一端が上記コンタク
トストラクチャに電気的に接続され、その他端が接続用
パッドとして形成されているコンタクトトレイスと、 上記コンタクトトレイスの上記接続用パッドと電気的に
接続するために、そのコンタクトトレイスの外部周辺に
設けられたコンタクトターゲットと、 上記接続用パッドの上面と上記コンタクトターゲットを
電気的に接続するためのボンディングワイヤと、 上記コンタクト基板の下部に設けられ、上記パッケージ
ング・相互接続に柔軟性を与えるためのエラストマと、 上記エラストマの下部に設けられ、上記各コンタクトス
トラクチャ、コンタクト基板およびエラストマを支持す
るためのサポートストラクチャ、 とにより構成されるパッケージング・相互接続。 - 【請求項２】 上記コンタクト基板はシリコン基板であ
り、上記コンタクトストラクチャはフォトリソグラフィ
製法により、そのシリコンによるコンタクト基板上に直
接的に形成される請求範囲１に記載のパッケージング・
相互接続。 - 【請求項３】 上記コンタクト基板は誘電体基板であ
り、上記コンタクトストラクチャはフォトリソグラフィ
製法により、その誘電体によるコンタクト基板上に直接
的に形成される請求範囲１に記載のパッケージング・相
互接続。 - 【請求項４】 上記コンタクトターゲットはプリント回
路基板（ＰＣＢ）上に設けられている請求範囲１に記載
のパッケージング・相互接続。 - 【請求項５】 コンタクトストラクチャ（接触構造）の
パッケージング・相互接続において、 フォトリソグラフィ製法により、コンタクト基板上に導
電材料で形成され、そのコンタクト基板に対して直立に
形成されたベース部と、一端がベース部上に形成された
水平部と、その水平部の他端に形成された接触部とによ
り構成されるコンタクトストラクチャと、 上記コンタクト基板上に形成され、一端が上記コンタク
トストラクチャに電気的に接続され、その他端が接続用
パッドとして形成されているコンタクトトレイスと、 上記接続用パッドと電気的に接続するために、そのコン
タクトトレイスの外部に設けられたプリント回路基板
（ＰＣＢ）上に設けられたプリント回路基板（ＰＣＢ）
パッドと、 上記接続用パッドの上面と上記ＰＣＢパッドを電気的に
接続するための単層リードと、 上記コンタクト基板の下部に設けられ、上記パッケージ
ング・相互接続に柔軟性を与えるためのエラストマと、 上記エラストマと上記ＰＣＢ基板の間に設けられ、上記
各コンタクトストラクチャ、コンタクト基板およびエラ
ストマを支持するためのサポートストラクチャ、 とにより構成されるパッケージング・相互接続。 - 【請求項６】 上記プリント回路基板はガラスエポキシ
樹脂あるいはセラミックで構成される請求範囲５に記載
のパッケージング・相互接続。 - 【請求項７】 上記プリント回路基板は多層プリント回
路基板である請求範囲５に記載のパッケージング・相互
接続。 - 【請求項８】 上記サポートストラクチャはセラミッ
ク、モールドプラスチック、または金属で構成される請
求範囲５に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項９】 上記単層リードは相互接続に用いるため
のテープ・オートメイテド・ボンディング（ＴＡＢ）構
造を有している請求範囲５に記載のパッケージング・相
互接続。 - 【請求項１０】 上記単層リードは上記接続用パッドと
プリント回路基板パッドを接続するためのガルウィング
（カモメの羽）形状を有している請求範囲５に記載のパ
ッケージング・相互接続。 - 【請求項１１】 上記単層リードの一端は上記プリント
回路基板パッドに導電バンプを介して接続されている請
求範囲５に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項１２】 上記導電バンプはハンダボールであ
り、加熱により溶解凝固して、上記接続用パッドと上記
プリント回路基板パッド間を電気的に接続する請求範囲
１１に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項１３】 上記導電バンプは導電ポリマーバンプ
またはコンプライアントバンプであり、上記接続用パッ
ドと上記プリント回路基板パッド間を電気的に接続する
請求範囲１１に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項１４】 上記単層リードの一端は上記プリント
回路基板パッドに導電ポリマーを介して接続されている
請求範囲５に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項１５】 上記導電ポリマーは導電接着剤、導電
フィルム、導電ペースト、または導電粒子である請求範
囲１４に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項１６】 上記導電ポリマーは導電エラストマで
あり、その導電エラストマはアニソトロピック（異方
性）導電接着剤、アニソトロピック導電フィルム、アニ
ソトロピック導電ペースト、またはアニソトロピック導
電粒子であり、上記接続用パッドと上記プリント回路基
板パッド間を電気的に接続する請求範囲１４に記載のパ
ッケージング・相互接続。 - 【請求項１７】 コンタクトストラクチャ（接触構造）
のパッケージング・相互接続において、 フォトリソグラフィ製法により、コンタクト基板上に導
電材料で形成され、そのコンタクト基板に対して直立に
形成されたベース部と、一端がベース部上に形成された
水平部と、その水平部の他端に形成された接触部とによ
り構成されるコンタクトストラクチャと、 上記コンタクト基板上に形成され、一端が上記コンタク
トストラクチャに電気的に接続され、その他端が接続用
パッドとして形成されているコンタクトトレイスと、 上記接続用パッドと電気的に接続するために、そのコン
タクトトレイスの外部に設けられたプリント回路基板
（ＰＣＢ）上に設けられたプリント回路基板（ＰＣＢ）
パッドと、 上記接続用パッドの上面と上記ＰＣＢパッドを電気的に
接続するための２層リードと、 上記コンタクト基板の下部に設けられ、上記パッケージ
ング・相互接続に柔軟性を与えるためのエラストマと、 上記エラストマと上記ＰＣＢ基板の間に設けられ、上記
各コンタクトストラクチャ、コンタクト基板およびエラ
ストマを支持するためのサポートストラクチャ、 とにより構成されるパッケージング・相互接続。 - 【請求項１８】 上記プリント回路基板はガラスエポキ
シ樹脂あるいはセラミックで構成される請求範囲１７に
記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項１９】 上記プリント回路基板は多層プリント
回路基板である請求範囲１７に記載のパッケージング・
相互接続。 - 【請求項２０】 上記サポートストラクチャはセラミッ
ク、モールドプラスチック、または金属で構成される請
求範囲１７に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項２１】 上記２層リードは相互接続に用いるた
めのテープ・オートメイテド・ボンディング（ＴＡＢ）
構造を有している請求範囲１７に記載のパッケージング
・相互接続。 - 【請求項２２】 上記２層リードは上記接続用パッドと
プリント回路基板パッドを接続するためのガルウィング
形状を有している請求範囲１７に記載のパッケージング
・相互接続。 - 【請求項２３】 上記２層リードの一端は上記プリント
回路基板パッドに導電バンプを介して接続されている請
求範囲１７に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項２４】 上記導電バンプはハンダボールであ
り、加熱により溶解凝固して、上記接続用パッドと上記
プリント回路基板パッド間を電気的に接続する請求範囲
２３に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項２５】 上記導電バンプは導電ポリマーバンプ
またはコンプライアントバンプであり、上記接続用パッ
ドと上記プリント回路基板パッド間を電気的に接続する
請求範囲２３に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項２６】 上記２層リードの一端は上記プリント
回路基板パッドに導電ポリマーを介して接続されている
請求範囲１７に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項２７】 上記導電ポリマーは導電接着剤、導電
フィルム、導電ペイスト、または導電粒子である請求範
囲２６に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項２８】 上記導電ポリマーは導電エラストマで
あり、その導電エラストマはアニソトロピック（異方
性）導電接着剤、アニソトロピック導電フィルム、アニ
ソトロピック導電ペースト、またはアニソトロピック導
電粒子であり、上記接続用パッドと上記プリント回路基
板パッド間を電気的に接続する請求範囲２６に記載のパ
ッケージング・相互接続。 - 【請求項２９】 上記２層リードの一端は上部リードと
下部リードに構成され、その上部リードと下部リードは
上記プリント回路基板に設けられた対応するプリント回
路基板パッドにそれぞれ接続されている請求範囲１７に
記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項３０】 上記上部リードと下部リードは、上記
プリント回路基板に設けられた対応するプリント回路基
板パッドに、対応する導電バンプを介してそれぞれ接続
されている請求範囲２９に記載のパッケージング・相互
接続。 - 【請求項３１】 上記上部リードと下部リードは、上記
プリント回路基板に設けられた対応するプリント回路基
板パッドに、対応する導電ポリマーを介してそれぞれ接
続されている請求範囲２９に記載のパッケージング・相
互接続。 - 【請求項３２】 コンタクトストラクチャ（接触構造）
のパッケージング・相互接続において、 フォトリソグラフィ製法により、コンタクト基板上に導
電材料で形成され、そのコンタクト基板に対して直立に
形成されたベース部と、一端がベース部上に形成された
水平部と、その水平部の他端に形成された接触部とによ
り構成されるコンタクトストラクチャと、 上記コンタクト基板上に形成され、一端が上記コンタク
トストラクチャに電気的に接続され、その他端が接続用
パッドとして形成されているコンタクトトレイスと、 上記接続用パッドと電気的に接続するために、そのコン
タクトトレイスの外部に設けられたプリント回路基板
（ＰＣＢ）上に設けられたプリント回路基板（ＰＣＢ）
パッドと、 上記接続用パッドの上面と上記ＰＣＢパッドを電気的に
接続するための３層リードと、 上記コンタクト基板の下部に設けられ、上記パッケージ
ング・相互接続に柔軟性を与えるためのエラストマと、 上記エラストマと上記ＰＣＢ基板の間に設けられ、上記
各コンタクトストラクチャ、コンタクト基板およびエラ
ストマを支持するためのサポートストラクチャ、 とにより構成されるパッケージング・相互接続。 - 【請求項３３】 上記プリント回路基板はガラスエポキ
シ樹脂あるいはセラミックで構成される請求範囲３２に
記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項３４】 上記プリント回路基板は多層プリント
回路基板である請求範囲３２に記載のパッケージング・
相互接続。 - 【請求項３５】 上記サポートストラクチャはセラミッ
ク、モールドプラスチック、または金属で構成される請
求範囲３２に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項３６】 上記３層リードは相互接続に用いるた
めのテープ・オートメイテド・ボンディング（ＴＡＢ）
構造を有している請求範囲３２に記載のパッケージング
・相互接続。 - 【請求項３７】 上記３層リードは上記接続用パッドと
プリント回路基板パッドを接続するためのガルウィング
形状を有している請求範囲３２に記載のパッケージング
・相互接続。 - 【請求項３８】 上記３層リードの一端は上記プリント
回路基板パッドに導電バンプを介して接続されている請
求範囲３２に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項３９】 上記導電バンプはハンダボールであ
り、加熱により溶解凝固して、上記接続用パッドと上記
プリント回路基板パッド間を電気的に接続する請求範囲
３８に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項４０】 上記導電バンプは導電ポリマーバンプ
またはコンプライアントバンプであり、上記接続用パッ
ドと上記プリント回路基板パッド間を電気的に接続する
請求範囲３８に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項４１】 上記３層リードの一端は上記プリント
回路基板パッドに導電ポリマーを介して接続されている
請求範囲３２に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項４２】 上記導電ポリマーは導電接着剤、導電
フィルム、導電ペイスト、または導電粒子である請求範
囲４１に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項４３】 上記導電ポリマーは導電エラストマで
あり、その導電エラストマはアニソトロピック（異方
性）導電接着剤、アニソトロピック導電フィルム、アニ
ソトロピック導電ペースト、またはアニソトロピック導
電粒子であり、上記接続用パッドと上記プリント回路基
板パッド間を電気的に接続する請求範囲４１に記載のパ
ッケージング・相互接続。 - 【請求項４４】 上記３層リードの一端は上部リードと
中間リードと下部リードに構成され、その各上部リード
と中間リードと下部リードは、上記プリント回路基板に
設けられた対応するプリント回路基板パッドにそれぞれ
接続されている請求範囲３２に記載のパッケージング・
相互接続。 - 【請求項４５】 上記上部リードと中間リードと下部リ
ードは、上記プリント回路基板に設けられた対応するプ
リント回路基板パッドに、対応する導電バンプを介して
それぞれ接続されている請求範囲４４に記載のパッケー
ジング・相互接続。 - 【請求項４６】 上記上部リードと中間リードと下部リ
ードは、上記プリント回路基板に設けられた対応するプ
リント回路基板パッドに、対応する導電ポリマーを介し
てそれぞれ接続されている請求範囲４４に記載のパッケ
ージング・相互接続。 - 【請求項４７】 コンタクトストラクチャ（接触構造）
のパッケージング・相互接続において、 フォトリソグラフィ製法により、コンタクト基板上に導
電材料で形成され、そのコンタクト基板に対して直立に
形成されたベース部と、一端がベース部上に形成された
水平部と、その水平部の他端に形成された接触部とによ
り構成されるコンタクトストラクチャと、 上記コンタクト基板上に形成され、一端が上記コンタク
トストラクチャに電気的に接続され、その他端が接続用
パッドとして形成されているコンタクトトレイスと、 上記接続用パッドと電気的に接続するためのコネクタ、 上記接続用パッドの上面と上記コネクタを電気的に接続
するための導電リードと、 上記コンタクト基板の下部に設けられ、上記パッケージ
ング・相互接続に柔軟性を与えるためのエラストマと、 上記エラストマの下部に設けられ、上記各コンタクトス
トラクチャ、コンタクト基板およびエラストマを支持す
るためのサポートストラクチャ、 とにより構成されるパッケージング・相互接続。 - 【請求項４８】 上記コンタクト基板はシリコン基板で
あり、上記コンタクトストラクチャはフォトリソグラフ
ィ製法により、そのシリコンによるコンタクト基板上に
直接的に形成される請求範囲４７に記載のパッケージン
グ・相互接続。 - 【請求項４９】 上記コンタクト基板は誘電体基板であ
り、上記コンタクトストラクチャはフォトリソグラフィ
製法により、その誘電体によるコンタクト基板上に直接
的に形成される請求範囲４９に記載のパッケージング・
相互接続。 - 【請求項５０】 上記コンタクトトレイスは導電材料に
より、デポジション、エバポレーション、スパッタリン
グ、またはメッキの行程により形成される請求範囲４７
に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項５１】 上記サポートストラクチャはセラミッ
ク、モールドプラスチック、または金属で構成される請
求範囲４７に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項５２】 上記導電リードは垂直方向に配置され
た複数のリードを有しその複数のリードは上記コネクタ
に接続されている請求範囲４７に記載のパッケージング
・相互接続。 - 【請求項５３】 上記導電リードは２層のリードであ
り、相互接続に用いるためのテープ・オートメイテド・
ボンディング（ＴＡＢ）構造を有している請求範囲４７
に記載のパッケージング・相互接続。 - 【請求項５４】 上記導電リードは３層のリードであ
り、相互接続に用いるためのテープ・オートメイテド・
ボンディング（ＴＡＢ）構造を有している請求範囲４７
に記載のパッケージング・相互接続。
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