JP4516457B2 - 酸化マグネシウム薄膜の改質方法 - Google Patents
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本発明の酸化マグネシウム薄膜の製造方法を利用することにより、放電開始電圧や放電維持電圧などの放電特性に優れたAC型PDPを有利に製造することができる。
本発明において、改質処理の対象となる酸化マグネシウム薄膜は、基体に塗布法により形成された酸化マグネシウム薄膜である。特に、AC型PDPのフロントカバープレート(前面板)に塗布法により形成された酸化マグネシウム薄膜である。酸化マグネシウム薄膜の厚さは、0.05〜20μmの範囲にあることが好ましく、0.05〜5.0μmの範囲にあることが特に好ましい。
光学的に重合あるいは硬化する化合物もしくは組成物としては、光を照射することで重合するネガ型の感光性樹脂組成物を用いることができる。ネガ型感光性樹脂組成物は、200〜480nmの光の照射により重合あるいは硬化する組成物であることが好ましい。塗布液の溶媒が水である場合は、ポリビニルアルコールやビニルモノマー等にけい皮酸基を反応させたポリけい皮酸類に光増感剤としてN−アセチル4−ニトロ−1−ナフチルアミンや2,4,6−トリニトロアニリンなどを添加したネガ型感光性樹脂組成物を有利に用いることができる。塗布液の溶媒がアルコールである場合にはフェノール樹脂にビスアジドを添加したネガ型感光性樹脂組成物を有利に使用することができる。ネガ型感光性樹脂組成物の添加量は、塗布液の全組成物の質量を基準として5〜90質量%の範囲にあることが好ましい。
ネガ型感光性樹脂組成物を重合硬化させるための光源としては、一般的に用いられているように、キセノン−水銀ランプ等が使用できる。
アルギン酸塩は、塩化カルシウム水溶液などのカルシウム塩水溶液に接触させることによってゲル化させることができる。アルギン酸塩のゲル化に用いる塩化カルシウム水溶液は濃度が0.5〜40質量%の範囲にあることが好ましい。
脂肪族二価アルコールと有機酸とからなる組成物は、60〜350℃、特に250〜350℃の加熱処理によりエステル化させることが好ましい。
[塗布液1]
エチレングリコール53質量部に硝酸マグネシウム六水和物6質量部を撹拌溶解した。この溶液にクエン酸41質量部を添加し、130℃で脱溶媒とエステル化反応により部分的に縮重合させて粘度を調整したものを、塗布液1として調製した。
この塗布液をガラス基板上にスピンコーティング法により塗布した。このガラス基板を250℃大気中で加熱処理して、塗布膜を固化させた。この時点で、乾燥収縮のない塗布膜が得られた。次いで、ガラス基板を大気中500℃で1時間焼成した。得られた酸化マグネシウム薄膜は、膜厚は0.2μmで、外観は、膜割れや剥離がなく、スコッチテープによる付着力試験でも剥離することがなく良好であった。
フェノール系ノボラック樹脂に増感剤としてビスアジドを添加したネガ型光硬化型樹脂組成物とエタノールとを質量比で90:10となるように混合した混合液を調製した。この混合液88質量部に、気相法により作製された酸化マグネシウム粉末(宇部マテリアルズ(株)製、100A)10質量部、そして焼結助剤としてフッ化リチウムとフッ化ナトリウムとをそれぞれ1質量部ずつを分散させたものをボールミルにて混合分散して塗布液2を調製した。
この塗布液をガラス基板上にスピンコーティング法により塗布した。このガラス基板を100℃で30分予備乾燥した後、キセノン−水銀ランプを照射して、塗布膜を固化させた。クラック等のない均一な塗布膜が得られた。次いで、ガラス基板を大気中500℃で1時間焼成した。得られた酸化マグネシウム薄膜は、膜厚は0.2μmで、外観は、膜割れや剥離がなく、スコッチテープによる付着力試験でも剥離することがなく良好であった。
気相法により作製された酸化マグネシウム粉末(宇部マテリアルズ(株)製、100A)10質量部、そして焼結助剤としてフッ化リチウムとフッ化ナトリウムとをそれぞれ1質量部を、濃度0.5質量%のアルギン酸ナトリウム水溶液88質量部に分散させたものをボールミルにて混合分散して塗布液3を調製した。
この塗布液をガラス基板上にスピンコーティング法により塗布した。このガラス基板を濃度5質量%の塩化カルシウム水溶液に浸せきさせて、塗布膜を固化させた。この時点で、乾燥収縮のない塗布膜が得られた。次いで、ガラス基板を大気中500℃で1時間焼成した。得られた酸化マグネシウム薄膜は、膜厚は2μmで、外観は、膜割れや剥離がなく、スコッチテープによる付着力試験でも剥離することがなく良好であった。
酸化マグネシウム薄膜の改質効果の評価は、図1〜図3に示す構成の評価用パネルを使用して行なった。
図1は、評価パネルを上から見た図であり、図2は、図1の要部拡大図であり、図3は、図1のA−A線断面図である。
評価パネルは、ガラス基板1、ガラス基板1の上に形成された二本の電極線2a、2bからなる十組の放電電極3と、放電電極の電極線2a、2bを外部に接続するための取り付け用電極4a、4bとからなる電極パターン、そして電極パターンの放電電極部を覆うように形成された誘電体層5からなる。
ガラス基板1のサイズは縦:50mm×横:50mm、取り出し電極4a、4bの幅はそれぞれ10mmであり、放電電極3を構成する2本の電極線2a、2b(幅は何れも0.3mm)のギャップは0.1mmであり、各放電電極3のギャップは0.2mmである。電極線と取り付け用電極との接点部分は、幅0.5mmである。
評価対象の酸化マグネシウム薄膜は、誘電体層を覆うように形成する。
評価用パネルの取り付け用電極に高電圧パルス発生装置を取り付ける。評価用パネルを上部に観察窓が設けられている密閉容器に、評価用パネルの放電電極が観察窓から見える位置に設置する。密閉容器の内圧を0.13Pa(1×10-3Torr)以下まで減圧にする。続いて、密閉容器内にHe:95体積%、Xe:5体積%からなる混合ガスを容器内圧が大気圧となるまで充填する。この操作を3回繰り返した後、密閉容器の内圧を、混合ガスにて6.67×104Pa(500Torr)に調整する。その後、高電圧パルス発生装置により、評価用パネルの取り付け用電極に方形波形の電圧を加えて、放電状態を観察する。具体的には、電圧を徐々に増加させて行き、放電が開始した電圧を放電開始電圧とし、次に電圧を徐々に減少させて行き、放電電極の放電が、十組中で一組でも途切れる電圧を放電維持電圧とする。
評価用パネルの所定の位置に、塗布液1をスピンコーティング法により塗布し、塗布膜を大気中250℃で処理した後、さらに大気中500℃で1時間焼成して、厚さ0.2μmの酸化マグネシウム薄膜を形成した。この評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表1に示す。
評価用パネルの所定の位置に、比較例1と同様にして、厚さ0.2μmの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを加熱炉内に配置し、大気圧下、アンモニアを毎分100ミリリットルで流しながら、600℃で2時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表1に示す。
評価用パネルの所定の位置に、比較例1と同様にして、厚さ0.2μmの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを加熱炉内に配置し、大気圧下、ヒドラジンを毎分100ミリリットルで流しながら、600℃で2時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表1に示す。
評価用パネルの所定の位置に、比較例1と同様にして、厚さ0.2μmの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを減圧加熱炉内に配置し、6.67Pa(0.05Torr)の減圧下にて、600℃で2時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表1に示す。
評価用パネルの所定の位置に、比較例1と同様にして、厚さ0.2μmの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを減圧プラズマ発生装置内に配置し、13.56MHzの減圧水素プラズマ(圧力:13Pa(0.1Torr))中で、300℃で2時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表1に示す。
評価用パネルの所定の位置に、塗布液2をスピンコーティング法により塗布し、塗布膜を100℃で30分予備乾燥し、次いでキセノン−水銀ランプを照射した後、500℃で1時間焼成して厚さ0.2μmの酸化マグネシウム薄膜を形成した。この評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表1に示す。
評価用パネルの所定の位置に、比較例2と同様にして、厚さ0.2μmの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを加熱炉内に配置し、大気圧下、アンモニアを毎分100ミリリットルで流しながら、600℃で2時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表1に示す。
評価用パネルの所定の位置に、比較例2と同様にして、厚さ0.2μmの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを加熱炉内に配置し、大気圧下、ヒドラジンを毎分100ミリリットルで流しながら、600℃で2時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表1に示す。
評価用パネルの所定の位置に、比較例2と同様にして、厚さ0.2μmの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを減圧加熱炉内に配置し、6.67Paの減圧下にて、600℃で2時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表1に示す。
評価用パネルの所定の位置に、比較例2と同様にして、厚さ0.2μmの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを減圧プラズマ発生装置内に配置し、13.56MHzの減圧水素プラズマ(圧力:13pa(0.1Torr))中で、300℃で2時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表1に示す。
評価用パネルの所定の位置に、塗布液3をスピンコーティング法により塗布し、塗布膜を濃度5質量%の塩化カルシウム水溶液に浸せきさせた後、大気中500℃で1時間焼成して、厚さ2μmの酸化マグネシウム薄膜を形成した。この評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表1に示す。
評価用パネルの所定の位置に、比較例3と同様にして、厚さ2μmの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを加熱炉内に配置し、大気圧下、アンモニアを毎分100ミリリットルで流しながら、600℃で2時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表1に示す。
評価用パネルの所定の位置に、比較例3と同様にして、厚さ2μmの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを加熱炉内に配置し、大気圧下、ヒドラジンを毎分100ミリリットルで流しながら、600℃で2時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表1に示す。
評価用パネルの所定の位置に、比較例3と同様にして、厚さ2μmの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを減圧加熱炉内に配置し、6.67Paの減圧下にて、600℃で2時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表1に示す。
評価用パネルの所定の位置に、比較例3と同様にして、厚さ2μmの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを減圧プラズマ発生装置内に配置し、13.56MHzの減圧水素プラズマ(圧力:13pa(0.1Torr))中で、300℃で2時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表1に示す。
────────────────────────────────────────
改質処理条件 放電開始 放電維持
電圧(V) 電圧(V)
────────────────────────────────────────
比較例1 未処理 240 175
実施例1 アンモニア 600℃×2時間 192 140
実施例2 ヒドラジン 600℃×2時間 182 133
実施例3 減圧下 600℃×2時間 175 127
実施例4 減圧水素プラズマ 300℃×2時間 168 123
────────────────────────────────────────
比較例2 未処理 245 181
実施例5 アンモニア 600℃×2時間 196 145
実施例6 ヒドラジン 600℃×2時間 189 139
実施例7 減圧下 600℃×2時間 181 134
実施例8 減圧水素プラズマ 300℃×2時間 174 126
────────────────────────────────────────
比較例3 未処理 238 170
実施例9 アンモニア 600℃×2時間 188 134
実施例10 ヒドラジン 600℃×2時間 179 128
実施例11 減圧下 600℃×2時間 172 122
実施例12 減圧水素プラズマ 300℃×2時間 164 117
────────────────────────────────────────
2a、2b 電極線
3 放電電極
4a、4b 取り付け用電極
5 誘電体層
Claims (2)
- 基体に塗布法により形成された酸化マグネシウム薄膜を減圧プラズマ雰囲気下にて100〜1200℃の温度に加熱することからなる交流型プラズマディスプレイパネルの保護膜用酸化マグネシウム薄膜の改質方法。
- 基体に塗布法により酸化マグネシウム薄膜を形成する工程、次いで形成した酸化マグネシウム薄膜を減圧プラズマ雰囲気下にて100〜1200℃の温度に加熱することからなる交流型プラズマディスプレイパネルの保護膜用酸化マグネシウム薄膜の製造方法。
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WO2009011067A1 (ja) * | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Hitachi, Ltd. | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
KR20120023053A (ko) * | 2010-02-12 | 2012-03-12 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 |
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WO2011118162A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
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JP2013033626A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
WO2013018348A1 (ja) * | 2011-08-03 | 2013-02-07 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
WO2013018351A1 (ja) * | 2011-08-03 | 2013-02-07 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JP2013037797A (ja) * | 2011-08-04 | 2013-02-21 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11339665A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 交流型プラズマディスプレイパネル、交流型プラズマディスプレイパネル用基板及び交流型プラズマディスプレイパネル用保護膜材料 |
JP2000076989A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガス放電パネルの製造方法およびガス放電パネル |
JP2000087249A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置および方法 |
JP2002117757A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
WO2004049375A1 (ja) * | 2002-11-22 | 2004-06-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
JP2004220968A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Pioneer Electronic Corp | ディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JP2004238734A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-26 | Nippon Steel Corp | 高磁場鉄損と被膜特性に優れる超高磁束密度一方向性電磁鋼板 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11339665A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 交流型プラズマディスプレイパネル、交流型プラズマディスプレイパネル用基板及び交流型プラズマディスプレイパネル用保護膜材料 |
JP2000076989A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガス放電パネルの製造方法およびガス放電パネル |
JP2000087249A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置および方法 |
JP2002117757A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
WO2004049375A1 (ja) * | 2002-11-22 | 2004-06-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
JP2004238734A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-26 | Nippon Steel Corp | 高磁場鉄損と被膜特性に優れる超高磁束密度一方向性電磁鋼板 |
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