JP2000076989A - ガス放電パネルの製造方法およびガス放電パネル - Google Patents
ガス放電パネルの製造方法およびガス放電パネルInfo
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- JP2000076989A JP2000076989A JP24273098A JP24273098A JP2000076989A JP 2000076989 A JP2000076989 A JP 2000076989A JP 24273098 A JP24273098 A JP 24273098A JP 24273098 A JP24273098 A JP 24273098A JP 2000076989 A JP2000076989 A JP 2000076989A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放電特性の良好な優れた表示品位を実現する
ガス放電パネルと、そのパネルを安定して製造すること
を実現する製造方法を提供する。 【解決手段】 誘電体層２と保護層３が形成された基板
４を、酸素を含む雰囲気中において紫外線照射を行い、
保護層３の表面改質を行う。また、保護層３の表面改質
を行う際には真空チャンバ１８の減圧雰囲気で実施す
る。
ガス放電パネルと、そのパネルを安定して製造すること
を実現する製造方法を提供する。 【解決手段】 誘電体層２と保護層３が形成された基板
４を、酸素を含む雰囲気中において紫外線照射を行い、
保護層３の表面改質を行う。また、保護層３の表面改質
を行う際には真空チャンバ１８の減圧雰囲気で実施す
る。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体層と保護層
が形成された基板を用いたガス放電パネルの製造方法に
関する。
が形成された基板を用いたガス放電パネルの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のガス放電パネルとして
は、図５に示すＡＣ型のプラズマディスプレイパネル
（以下、ＰＤＰという）が知られている。
は、図５に示すＡＣ型のプラズマディスプレイパネル
（以下、ＰＤＰという）が知られている。
【０００３】このＰＤＰは、内表面上に複数本の電極
１，誘電体層２及び保護層３が形成されたガラス製の上
部パネル側の基板４と、電極１とは直交する向きに沿っ
て配置された複数本の電極５及び誘電体層６が内表面上
に形成され、かつ、誘電体層６上の所定位置毎には発光
領域を区画する低融点ガラス製の隔壁７が並列形成され
たガラス製の下部パネル側の基板８とを対向配置したう
えで、外周端縁を低融点ガラスからなる封着部材９でも
って封着した構成の外囲器１０を備えている。
１，誘電体層２及び保護層３が形成されたガラス製の上
部パネル側の基板４と、電極１とは直交する向きに沿っ
て配置された複数本の電極５及び誘電体層６が内表面上
に形成され、かつ、誘電体層６上の所定位置毎には発光
領域を区画する低融点ガラス製の隔壁７が並列形成され
たガラス製の下部パネル側の基板８とを対向配置したう
えで、外周端縁を低融点ガラスからなる封着部材９でも
って封着した構成の外囲器１０を備えている。
【０００４】そして、隔壁７によって区画された各発光
領域ごとの誘電体層６の上にはカラー表示を実現するた
めの蛍光体１１が塗布されており、外囲器１０内には放
電空間１２で放電を行わせるため、ネオン及びキセノン
を混合してなる放電ガスが下部パネル基板８の孔８ａと
チップ管１３を通して約５００Ｔｏｒｒの圧力で封入さ
れている。なお、封入後、図に示すようにチップ管１３
は封止されている。
領域ごとの誘電体層６の上にはカラー表示を実現するた
めの蛍光体１１が塗布されており、外囲器１０内には放
電空間１２で放電を行わせるため、ネオン及びキセノン
を混合してなる放電ガスが下部パネル基板８の孔８ａと
チップ管１３を通して約５００Ｔｏｒｒの圧力で封入さ
れている。なお、封入後、図に示すようにチップ管１３
は封止されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ガ
ス放電パネルの放電電圧などで示される放電特性は、保
護層３の形成条件，膜質により大きく左右されており、
厳しい工程管理が必要とされていたが、それでも、ばら
つきが発生し、放電状態の安定化が困難であり、製品の
表示品位の不安定につながるものであった。
ス放電パネルの放電電圧などで示される放電特性は、保
護層３の形成条件，膜質により大きく左右されており、
厳しい工程管理が必要とされていたが、それでも、ばら
つきが発生し、放電状態の安定化が困難であり、製品の
表示品位の不安定につながるものであった。
【０００６】この原因として考えられるのは、保護層の
形成後のパネル化に至る工程までの処理や、処理前後で
の放置時間などによると考えられるが、詳細は不明であ
る。本発明は、放電特性の良好な優れた表示品位を実現
するガス放電パネルと、そのパネルを安定して製造でき
る製造方法を提供することを目的する。
形成後のパネル化に至る工程までの処理や、処理前後で
の放置時間などによると考えられるが、詳細は不明であ
る。本発明は、放電特性の良好な優れた表示品位を実現
するガス放電パネルと、そのパネルを安定して製造でき
る製造方法を提供することを目的する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のガス放電パネル
の製造方法は、誘電体層と保護層が形成された基板の前
記保護層を酸化させる表面改質することを特徴とする。
の製造方法は、誘電体層と保護層が形成された基板の前
記保護層を酸化させる表面改質することを特徴とする。
【０００８】この本発明によると、放電特性の良好な優
れた表示品位を実現するガス放電パネルとそのパネルを
安定して製造できる。
れた表示品位を実現するガス放電パネルとそのパネルを
安定して製造できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】請求項１記載のガス放電パネルの
製造方法は、誘電体層と保護層が形成された基板を用い
てガス放電パネルを製造するに際し、酸素を含む雰囲気
中において前記基板に紫外線照射を行って前記保護層の
表面改質を行うことを特徴とする。
製造方法は、誘電体層と保護層が形成された基板を用い
てガス放電パネルを製造するに際し、酸素を含む雰囲気
中において前記基板に紫外線照射を行って前記保護層の
表面改質を行うことを特徴とする。
【００１０】請求項２記載のガス放電パネルは、誘電体
層と保護層が形成された基板を用いたガス放電パネルに
おいて、前記基板として、酸素を含む雰囲気中において
紫外線照射を行って前記保護層の表面改質を行ったもの
を用いたことを特徴とする。
層と保護層が形成された基板を用いたガス放電パネルに
おいて、前記基板として、酸素を含む雰囲気中において
紫外線照射を行って前記保護層の表面改質を行ったもの
を用いたことを特徴とする。
【００１１】請求項３記載のガス放電パネルの製造方法
は、請求項１において、酸素を含む雰囲気中において紫
外線照射しての保護層の表面改質を、減圧雰囲気で実施
すことを特徴とする。
は、請求項１において、酸素を含む雰囲気中において紫
外線照射しての保護層の表面改質を、減圧雰囲気で実施
すことを特徴とする。
【００１２】請求項４記載のガス放電パネルの製造方法
は、誘電体層と保護層が形成された基板を用いてガス放
電パネルを製造するに際し、酸素を含むガスからなるプ
ラズマ中に前記基板を曝して前記保護層の表面改質を行
うことを特徴とする。
は、誘電体層と保護層が形成された基板を用いてガス放
電パネルを製造するに際し、酸素を含むガスからなるプ
ラズマ中に前記基板を曝して前記保護層の表面改質を行
うことを特徴とする。
【００１３】請求項５記載のガス放電パネルは、誘電体
層と保護層が形成された基板を用いたガス放電パネルに
おいて、前記基板として、酸素を含むガスからなるプラ
ズマ中に曝して前記保護層の表面改質を行ったものを用
いたことを特徴とする。
層と保護層が形成された基板を用いたガス放電パネルに
おいて、前記基板として、酸素を含むガスからなるプラ
ズマ中に曝して前記保護層の表面改質を行ったものを用
いたことを特徴とする。
【００１４】請求項６記載のガス放電パネルの製造方法
は、誘電体層と保護層が形成された基板を用いてガス放
電パネルを製造するに際し、前記基板の保護層に酸素イ
オンの打ち込みを行って前記保護層の表面改質を行うこ
とを特徴とする。
は、誘電体層と保護層が形成された基板を用いてガス放
電パネルを製造するに際し、前記基板の保護層に酸素イ
オンの打ち込みを行って前記保護層の表面改質を行うこ
とを特徴とする。
【００１５】請求項７記載のガス放電パネルは、誘電体
層と保護層が形成された基板を用いたガス放電パネルに
おいて、前記基板として、保護層に酸素イオンの打ち込
みを行って前記保護層の表面改質を行ったものを用いた
ことを特徴とする。
層と保護層が形成された基板を用いたガス放電パネルに
おいて、前記基板として、保護層に酸素イオンの打ち込
みを行って前記保護層の表面改質を行ったものを用いた
ことを特徴とする。
【００１６】請求項８記載のガス放電パネルの製造方法
は、請求項１，請求項３，請求項４または請求項６にお
いて、基板の保護層の表面をドライエッチング処理によ
りエッチングした後、前記保護層の表面改質を行うこと
を特徴とする。
は、請求項１，請求項３，請求項４または請求項６にお
いて、基板の保護層の表面をドライエッチング処理によ
りエッチングした後、前記保護層の表面改質を行うこと
を特徴とする。
【００１７】請求項９記載のガス放電パネルの製造方法
は、請求項１，請求項３，請求項４，請求項６または請
求項８において、真空成膜装置で保護層を形成後、大気
解放しないで前記保護層の表面改質を行うことを特徴と
する。
は、請求項１，請求項３，請求項４，請求項６または請
求項８において、真空成膜装置で保護層を形成後、大気
解放しないで前記保護層の表面改質を行うことを特徴と
する。
【００１８】請求項１０記載のガス放電パネルの製造方
法は、請求項１，請求項３，請求項４，請求項６，請求
項８または請求項９において、保護層がアルカリ土類金
属の酸化物またはアルカリ土類金属のフッ化物あるいは
これらの混合物の膜であることを特徴とする。
法は、請求項１，請求項３，請求項４，請求項６，請求
項８または請求項９において、保護層がアルカリ土類金
属の酸化物またはアルカリ土類金属のフッ化物あるいは
これらの混合物の膜であることを特徴とする。
【００１９】請求項１１記載のガス放電パネルは、請求
項２，請求項５または請求項７において、保護層がアル
カリ土類金属の酸化物またはアルカリ土類金属のフッ化
物あるいはこれらの混合物の膜であることを特徴とす
る。
項２，請求項５または請求項７において、保護層がアル
カリ土類金属の酸化物またはアルカリ土類金属のフッ化
物あるいはこれらの混合物の膜であることを特徴とす
る。
【００２０】請求項１２記載の記載のガス放電パネルの
製造方法は、誘電体層と保護層が形成された基板を用い
てガス放電パネルを製造するに際し、基板の前記保護層
の表面を酸化させる表面改質を行うことを特徴とする。
製造方法は、誘電体層と保護層が形成された基板を用い
てガス放電パネルを製造するに際し、基板の前記保護層
の表面を酸化させる表面改質を行うことを特徴とする。
【００２１】本発明により、保護層の表面改質により保
護層が膜質の安定化が図られ、保護層形成時の膜質のバ
ラツキ、パネル化に至る工程までの処理、処理前後での
放置時間等に起因するパネル化した際の放電電圧の上昇
等の放電特性の劣化を引き起こすことを防ぎ、本発明を
採用した際には、放電特性が良好なガス放電パネルを安
定して得られた。
護層が膜質の安定化が図られ、保護層形成時の膜質のバ
ラツキ、パネル化に至る工程までの処理、処理前後での
放置時間等に起因するパネル化した際の放電電圧の上昇
等の放電特性の劣化を引き起こすことを防ぎ、本発明を
採用した際には、放電特性が良好なガス放電パネルを安
定して得られた。
【００２２】以下、本発明のガス放電パネルの製造方法
を具体的な各実施の形態に基づいて説明する。なお、従
来例を示す図５と同様の作用をなすものには同一の符号
を付けて説明する。
を具体的な各実施の形態に基づいて説明する。なお、従
来例を示す図５と同様の作用をなすものには同一の符号
を付けて説明する。
【００２３】（実施の形態１）図１はＰＤＰの製造に使
用する基板を加工する装置を示す。基板４には、電極
１，誘電体層２，保護層３が形成されている。
用する基板を加工する装置を示す。基板４には、電極
１，誘電体層２，保護層３が形成されている。
【００２４】この基板４は、真空チャンバ１８にセット
して加工されて、加工後の基板４を使用してＰＤＰが製
造される。真空チャンバ１８には、酸素ガス導入系１
４、アルゴンガス導入系１５、真空排気系１６、３６６
ｎｍ付近の波長を主とする紫外線照射ランプ１７が具備
されており、加工を受ける基板４は、この真空チャンバ
１８内の基板加熱冷却機構およびＲＦバイアス印加機構
を有するＲＦ電極（基板ホルダ）１９に設置し、ＲＦ電
極（基板ホルダ）１９の温度を３０℃に制御し、アルゴ
ンガス導入系１５より１０００ｃｃｍのアルゴンガスと
酸素ガス導入系１４より１００ｃｃｍの酸素ガスを導入
し、真空排気系１６により真空チャンバ１８内の圧力を
３００ｍＴｏｒｒに調整する。
して加工されて、加工後の基板４を使用してＰＤＰが製
造される。真空チャンバ１８には、酸素ガス導入系１
４、アルゴンガス導入系１５、真空排気系１６、３６６
ｎｍ付近の波長を主とする紫外線照射ランプ１７が具備
されており、加工を受ける基板４は、この真空チャンバ
１８内の基板加熱冷却機構およびＲＦバイアス印加機構
を有するＲＦ電極（基板ホルダ）１９に設置し、ＲＦ電
極（基板ホルダ）１９の温度を３０℃に制御し、アルゴ
ンガス導入系１５より１０００ｃｃｍのアルゴンガスと
酸素ガス導入系１４より１００ｃｃｍの酸素ガスを導入
し、真空排気系１６により真空チャンバ１８内の圧力を
３００ｍＴｏｒｒに調整する。
【００２５】そしてＲＦ電極（基板ホルダ）１９に３Ｗ
／ｃｍ2 のＲＦパワ−を印加し、基板４の保護層３の上
にプラズマを発生させ、１５分間ドライエッチング処理
し、保護層３の表面層を約５０Åエッチング処理する。
／ｃｍ2 のＲＦパワ−を印加し、基板４の保護層３の上
にプラズマを発生させ、１５分間ドライエッチング処理
し、保護層３の表面層を約５０Åエッチング処理する。
【００２６】その後、一度、アルゴンガス、酸素ガスの
導入を停止し、残留ガスを排気した後、酸素ガス導入系
１４より３０００ｃｃｍの酸素ガスを導入し、真空排気
系１６により真空チャンバ１８内の圧力を５０Ｔｏｒｒ
に調整する。基板はＲＦ電極（基板ホルダ）１９を１５
０℃に加熱制御し保持しておく。そして紫外線照射ラン
プ１７を点灯し、５分間照射して表面改質した。
導入を停止し、残留ガスを排気した後、酸素ガス導入系
１４より３０００ｃｃｍの酸素ガスを導入し、真空排気
系１６により真空チャンバ１８内の圧力を５０Ｔｏｒｒ
に調整する。基板はＲＦ電極（基板ホルダ）１９を１５
０℃に加熱制御し保持しておく。そして紫外線照射ラン
プ１７を点灯し、５分間照射して表面改質した。
【００２７】この表面改質の処理による保護層の膜改質
の詳細なプロセスは不明だが、紫外線照射により酸素分
子がオゾンとなり、保護層（ＭｇＯ）の表面付近のカ−
ボン等の吸着物および、蒸着時に巻く中に取り込まれた
カ−ボン等の含有物をＣＯ2として除去していると考え
られる。
の詳細なプロセスは不明だが、紫外線照射により酸素分
子がオゾンとなり、保護層（ＭｇＯ）の表面付近のカ−
ボン等の吸着物および、蒸着時に巻く中に取り込まれた
カ−ボン等の含有物をＣＯ2として除去していると考え
られる。
【００２８】また、ＥＢ蒸着法などにより形成された保
護層（ＭｇＯ）のＭｇ／Ｏの比は１／１でなくＯに比べ
Ｍｇが多い状態で形成されているため、オゾン分子など
が表面近傍のＭｇの酸素欠損部分と結合し、保護層表面
付近はＭｇとＯがすべて結合している安定な膜面とな
り、パネル化に至るまでの後工程において保護層が吸着
や反応をしにくくなるのではないかと考えられる。
護層（ＭｇＯ）のＭｇ／Ｏの比は１／１でなくＯに比べ
Ｍｇが多い状態で形成されているため、オゾン分子など
が表面近傍のＭｇの酸素欠損部分と結合し、保護層表面
付近はＭｇとＯがすべて結合している安定な膜面とな
り、パネル化に至るまでの後工程において保護層が吸着
や反応をしにくくなるのではないかと考えられる。
【００２９】また、吸着などにより表面付近に形成され
たＭｇＣＯ3 もオゾンにより分解されＭｇＯに変化して
いるのではないかと考えられる。また、紫外線照射ラン
プ１７による処理を実施する前に、保護層３の表面近傍
の吸着ガス等をドライエッチング処理により除去するた
め、より一層、後工程等により変化しにくい保護層３と
なっていると考えられる。
たＭｇＣＯ3 もオゾンにより分解されＭｇＯに変化して
いるのではないかと考えられる。また、紫外線照射ラン
プ１７による処理を実施する前に、保護層３の表面近傍
の吸着ガス等をドライエッチング処理により除去するた
め、より一層、後工程等により変化しにくい保護層３と
なっていると考えられる。
【００３０】本製造方法により従来のように高い放電電
圧や放電電圧のばらつき等の放電特性の不安定、劣化を
生じない、従来に比べ１０％程度低い安定した放電電圧
のパネルの製造を行うことができた。
圧や放電電圧のばらつき等の放電特性の不安定、劣化を
生じない、従来に比べ１０％程度低い安定した放電電圧
のパネルの製造を行うことができた。
【００３１】また、この実施の形態では３６６ｎｍ付近
の波長を主とする紫外線照射ランプを用いて実施した
が、３１４ｎｍ付近や４３６ｎｍ付近などの波長を主と
する紫外線照射ランプでも同様な効果が得られており、
本実施例の紫外線照射ランプに限定されるものではな
い。
の波長を主とする紫外線照射ランプを用いて実施した
が、３１４ｎｍ付近や４３６ｎｍ付近などの波長を主と
する紫外線照射ランプでも同様な効果が得られており、
本実施例の紫外線照射ランプに限定されるものではな
い。
【００３２】また、保護層としてＭｇＯを用いたが、Ｍ
ｇＦや（ＭｇＯ＋ＭｇＦ）の混合層でもよく、アルカリ
土類金属の酸化物またはアルカリ土類金属のフッ化物あ
るいはこれらの混合物の膜などを使用することができ、
本実施例に限定されるものではない。
ｇＦや（ＭｇＯ＋ＭｇＦ）の混合層でもよく、アルカリ
土類金属の酸化物またはアルカリ土類金属のフッ化物あ
るいはこれらの混合物の膜などを使用することができ、
本実施例に限定されるものではない。
【００３３】（実施の形態２）図２はＰＤＰの製造に使
用する基板を加工する装置を示す。基板４には、電極
１，誘電体層２，保護層３が形成されている。
用する基板を加工する装置を示す。基板４には、電極
１，誘電体層２，保護層３が形成されている。
【００３４】この基板４は、真空チャンバ２４にセット
して加工されて、加工後の基板４を使用してＰＤＰが製
造される。真空チャンバ２４には、アルゴンガス導入系
２０、酸素ガス導入系２１、真空排気系２２、基板加熱
冷却機構およびＲＦバイアス印加機構を具備したＲＦ電
極（基板ホルダ）２３が具備されており、加工を受ける
基板４は、この真空チャンバ２４内のＲＦ電極２３に設
置し、ＲＦ電極（基板ホルダ）２３の温度を３０℃に制
御し、アルゴンガス導入系２０より１０００ｃｃｍのア
ルゴンガスと酸素ガス導入系２１より１００ｃｃｍの酸
素ガスを導入し、真空排気系２２により真空チャンバ２
５内の圧力を３００ｍＴｏｒｒに調整する。
して加工されて、加工後の基板４を使用してＰＤＰが製
造される。真空チャンバ２４には、アルゴンガス導入系
２０、酸素ガス導入系２１、真空排気系２２、基板加熱
冷却機構およびＲＦバイアス印加機構を具備したＲＦ電
極（基板ホルダ）２３が具備されており、加工を受ける
基板４は、この真空チャンバ２４内のＲＦ電極２３に設
置し、ＲＦ電極（基板ホルダ）２３の温度を３０℃に制
御し、アルゴンガス導入系２０より１０００ｃｃｍのア
ルゴンガスと酸素ガス導入系２１より１００ｃｃｍの酸
素ガスを導入し、真空排気系２２により真空チャンバ２
５内の圧力を３００ｍＴｏｒｒに調整する。
【００３５】そしてＲＦ電極（基板ホルダ）２３に３Ｗ
／ｃｍ2 のＲＦパワ−を印加し、設置した保護層３上に
プラズマを発生させ、１５分間ドライエッチング処理
し、保護層３の表層を約５０Åエッチング処理する。
／ｃｍ2 のＲＦパワ−を印加し、設置した保護層３上に
プラズマを発生させ、１５分間ドライエッチング処理
し、保護層３の表層を約５０Åエッチング処理する。
【００３６】その後、一度、アルゴンガス、酸素ガスの
導入を停止し、残留ガスを排気した後、酸素ガス導入系
２１より１０００ｃｃｍの酸素ガスを導入し、真空排気
系２２により真空チャンバ２５内の圧力を３００ｍＴｏ
ｒｒに調整する。
導入を停止し、残留ガスを排気した後、酸素ガス導入系
２１より１０００ｃｃｍの酸素ガスを導入し、真空排気
系２２により真空チャンバ２５内の圧力を３００ｍＴｏ
ｒｒに調整する。
【００３７】ＲＦ電極（基板ホルダ）２３は１００℃に
加熱制御する。そしてＲＦ電極（基板ホルダ）２３に３
Ｗ／ｃｍ2のＲＦパワ−を投入し、酸素プラズマに保護
層３を曝し、２０分処理して表面改質した。
加熱制御する。そしてＲＦ電極（基板ホルダ）２３に３
Ｗ／ｃｍ2のＲＦパワ−を投入し、酸素プラズマに保護
層３を曝し、２０分処理して表面改質した。
【００３８】この表面処理による膜改質の詳細なプロセ
スは不明だが、酸素プラズマによる処理により活性な酸
素原子、分子により保護層（ＭｇＯ）表面付近のカ−ボ
ン等の吸着物をＣＯ2 として除去していると考えられ
る。
スは不明だが、酸素プラズマによる処理により活性な酸
素原子、分子により保護層（ＭｇＯ）表面付近のカ−ボ
ン等の吸着物をＣＯ2 として除去していると考えられ
る。
【００３９】また、ＥＢ蒸着法等により形成された保護
層（ＭｇＯ）のＭｇ／Ｏの比は１／１でなくＯに比べＭ
ｇが多い状態で形成されているため、活性な酸素原子、
分子が表面近傍のＭｇの酸素欠損部分と結合し、保護層
表面付近はＭｇとＯがすべて結合している安定な膜面と
なり、後工程において吸着や反応をしにくくなるのでは
ないかと考えられる。
層（ＭｇＯ）のＭｇ／Ｏの比は１／１でなくＯに比べＭ
ｇが多い状態で形成されているため、活性な酸素原子、
分子が表面近傍のＭｇの酸素欠損部分と結合し、保護層
表面付近はＭｇとＯがすべて結合している安定な膜面と
なり、後工程において吸着や反応をしにくくなるのでは
ないかと考えられる。
【００４０】本製造方法により従来のように高い放電電
圧や放電電圧のばらつき等の放電特性の不安定、劣化を
生じない、従来に比べ１０％程度低い安定した放電電圧
のパネルの製造を行うことができる。
圧や放電電圧のばらつき等の放電特性の不安定、劣化を
生じない、従来に比べ１０％程度低い安定した放電電圧
のパネルの製造を行うことができる。
【００４１】また、本実施例では酸素プラズマにより保
護層３の表面改質を実施したが、図３に示すように、イ
オンガン２５を用いて保護層３に酸素イオンを打ち込み
を行うことにより、表面改質を実施してもよい。
護層３の表面改質を実施したが、図３に示すように、イ
オンガン２５を用いて保護層３に酸素イオンを打ち込み
を行うことにより、表面改質を実施してもよい。
【００４２】また、保護層としてＭｇＯを用いたが、Ｍ
ｇＦや（ＭｇＯ＋ＭｇＦ）の混合層でもよく、アルカリ
土類金属の酸化物またはアルカリ土類金属のフッ化物あ
るいはこれらの混合物の膜などを使用することができ、
本実施例に限定されるものではない。
ｇＦや（ＭｇＯ＋ＭｇＦ）の混合層でもよく、アルカリ
土類金属の酸化物またはアルカリ土類金属のフッ化物あ
るいはこれらの混合物の膜などを使用することができ、
本実施例に限定されるものではない。
【００４３】（実施の形態３）図４は本実施の形態に係
る保護層の形成と表面改質に関する装置の処理工程を示
す。
る保護層の形成と表面改質に関する装置の処理工程を示
す。
【００４４】従来では、保護層３としてのＭｇＯ膜はＥ
Ｂ蒸着装置などの真空成膜装置で形成され、真空装置か
ら大気中に出され、次工程に送られる。のが一般的であ
るが、本実施例において、図４（ａ）に示すインライン
型の装置では、電極１と誘電体層２が形成された基板を
ロ−ドロック室２６に投入し、基板加熱室２７、基板加
熱＋バッファ−室２８で基板加熱を実施した後、蒸着室
２９で保護層が形成される。保護層３が形成された後、
真空状態を破らずにエッチング室３０に送られドライエ
ッチング処理により保護層３の表面を約５０Åエッチン
グし、次の表面改質室３１で先に記した発明の（実施の
形態１）または（実施の形態２）の表面処理が実施さ
れ、その後、基板冷却＋バッファ室３２で冷却された
後、アンロ−ドロック室３３から取り出される。
Ｂ蒸着装置などの真空成膜装置で形成され、真空装置か
ら大気中に出され、次工程に送られる。のが一般的であ
るが、本実施例において、図４（ａ）に示すインライン
型の装置では、電極１と誘電体層２が形成された基板を
ロ−ドロック室２６に投入し、基板加熱室２７、基板加
熱＋バッファ−室２８で基板加熱を実施した後、蒸着室
２９で保護層が形成される。保護層３が形成された後、
真空状態を破らずにエッチング室３０に送られドライエ
ッチング処理により保護層３の表面を約５０Åエッチン
グし、次の表面改質室３１で先に記した発明の（実施の
形態１）または（実施の形態２）の表面処理が実施さ
れ、その後、基板冷却＋バッファ室３２で冷却された
後、アンロ−ドロック室３３から取り出される。
【００４５】また、図４（ｂ）に示すように枚葉型で
は、ロ−ドロック２６から投入された基板は、移載室３
４を経由して、基板加熱室２７，基板加熱＋バッファ−
室２８，蒸着室２９，エッチング室３０，表面改質室３
１，基板冷却室３２へ矢印で示すように順に送られて処
理され、アンロ−ドロック室３３から取り出される。
は、ロ−ドロック２６から投入された基板は、移載室３
４を経由して、基板加熱室２７，基板加熱＋バッファ−
室２８，蒸着室２９，エッチング室３０，表面改質室３
１，基板冷却室３２へ矢印で示すように順に送られて処
理され、アンロ−ドロック室３３から取り出される。
【００４６】本実施例の形態により保護層を形成した
後、大気解放せずに表面改質の処理が実施されるため、
大気解放した時に生じるガス吸着などの発生が防げ、成
膜時に膜中に取り込まれる不純物や、成膜装置内のガス
による吸着だけになるため、表面改質処理の効果がより
一層大きくなる。
後、大気解放せずに表面改質の処理が実施されるため、
大気解放した時に生じるガス吸着などの発生が防げ、成
膜時に膜中に取り込まれる不純物や、成膜装置内のガス
による吸着だけになるため、表面改質処理の効果がより
一層大きくなる。
【００４７】本製造方法により従来のように高い放電電
圧や放電電圧のばらつき等の放電特性の不安定、劣化を
生じない、従来に比べ１３％程度低い安定した放電電圧
のパネルの製造を行うことができた。
圧や放電電圧のばらつき等の放電特性の不安定、劣化を
生じない、従来に比べ１３％程度低い安定した放電電圧
のパネルの製造を行うことができた。
【００４８】また、本実施例において保護層としてＭｇ
Ｏを用いたが、ＭｇＦやＭｇＯ＋ＭｇＦの混合層などで
もよく、アルカリ土類金属の酸化物またはアルカリ土類
金属のフッ化物あるいはこれらの混合物の膜などを使用
することができ、本実施例に限定されるものではない。
Ｏを用いたが、ＭｇＦやＭｇＯ＋ＭｇＦの混合層などで
もよく、アルカリ土類金属の酸化物またはアルカリ土類
金属のフッ化物あるいはこれらの混合物の膜などを使用
することができ、本実施例に限定されるものではない。
【００４９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、保護層の
表面改質を行うことで、保護層形成時の膜質のバラツ
キ、パネル化までの後工程の処理、処理前後での放置時
間による影響を受けにくい安定な膜質とするために、パ
ネル化した際の放電特性の良好なガス放電パネルが実現
でき、また、厳しい工程管理を必要としない安易な製造
工程で、表示特性の良好なガス放電パネルの安定した製
造を実現できる。
表面改質を行うことで、保護層形成時の膜質のバラツ
キ、パネル化までの後工程の処理、処理前後での放置時
間による影響を受けにくい安定な膜質とするために、パ
ネル化した際の放電特性の良好なガス放電パネルが実現
でき、また、厳しい工程管理を必要としない安易な製造
工程で、表示特性の良好なガス放電パネルの安定した製
造を実現できる。
【図１】本発明の（実施の形態１）の製造工程において
保護層の表面改質を実行する装置の概略断面図
保護層の表面改質を実行する装置の概略断面図
【図２】本発明の（実施の形態２）の製造工程において
保護層の表面改質を実行する装置の概略断面図
保護層の表面改質を実行する装置の概略断面図
【図３】本発明の製造工程において保護層の表面改質を
実行する装置の別の実施の形態の概略断面図
実行する装置の別の実施の形態の概略断面図
【図４】本発明の（実施の形態３）の保護層形成と表面
改質を実施するインライン型装置と枚葉型装置の処理工
程を示す概略断面図
改質を実施するインライン型装置と枚葉型装置の処理工
程を示す概略断面図
【図５】従来のＰＤＰの破断斜視図
１ 電極 ２ 誘電体層 ３ 保護層 ４ 基板 ５ 電極 ６ 誘電体層 ７ 隔壁 ８ 基板 ８ａ 孔 ９ 封着部材 １０ 外囲器 １１ 蛍光体 １２ 放電空間 １３ チップ管 １４ 酸素ガス導入系 １５ アルゴンガス導入系 １６ 真空空排気系 １７ 紫外線照射ランプ １８ 真空チャンバ １９ ＲＦ電極（基板ホルダ） ２０ アルゴンガス導入系 ２１ 酸素ガス導入系 ２２ 真空排気系 ２３ ＲＦ電極（基板ホルダ） ２４ 真空チャンバ ２５ イオンガン ２６ ロ−ドロック室 ２７ 基板加熱室 ２８ 基板加熱＋バッファ室 ２９ 蒸着室 ３０ エッチング室 ３１ 表面改質室 ３２ 基板冷却＋バッファ室 ３３ アンロ−ドロック室 ３４ 移載室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高田 祐助 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 東野 秀隆 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大谷 光弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5C027 AA05 5C040 AA02 AA04 DD11 5C094 AA03 AA42 AA43 AA55 BA31 BA32 CA19 DA13 DA15 FB02 FB15 GB10
Claims (12)
- 【請求項１】誘電体層と保護層が形成された基板を用い
てガス放電パネルを製造するに際し、酸素を含む雰囲気
中において前記基板に紫外線照射を行って前記保護層の
表面改質を行うガス放電パネルの製造方法。 - 【請求項２】誘電体層と保護層が形成された基板を用い
たガス放電パネルにおいて、前記基板として、酸素を含
む雰囲気中において紫外線照射を行って前記保護層の表
面改質を行ったものを用いたガス放電パネル。 - 【請求項３】酸素を含む雰囲気中において紫外線照射し
ての保護層の表面改質を、減圧雰囲気で実施する請求項
１記載のガス放電パネルの製造方法。 - 【請求項４】誘電体層と保護層が形成された基板を用い
てガス放電パネルを製造するに際し、酸素を含むガスか
らなるプラズマ中に前記基板を曝して前記保護層の表面
改質を行うガス放電パネルの製造方法。 - 【請求項５】誘電体層と保護層が形成された基板を用い
たガス放電パネルにおいて、前記基板として、酸素を含
むガスからなるプラズマ中に曝して前記保護層の表面改
質を行ったものを用いたガス放電パネル。 - 【請求項６】誘電体層と保護層が形成された基板を用い
てガス放電パネルを製造するに際し、前記基板の保護層
に酸素イオンの打ち込みを行って前記保護層の表面改質
を行うガス放電パネルの製造方法。 - 【請求項７】誘電体層と保護層が形成された基板を用い
たガス放電パネルにおいて、前記基板として、保護層に
酸素イオンの打ち込みを行って前記保護層の表面改質を
行ったものを用いたガス放電パネル。 - 【請求項８】基板の保護層の表面をドライエッチング処
理によりエッチングした後、前記保護層の表面改質を行
う請求項１，請求項３，請求項４または請求項６の何れ
かに記載のガス放電パネルの製造方法。 - 【請求項９】真空成膜装置で保護層を形成後、大気解放
しないで前記保護層の表面改質を行う請求項１，請求項
３，請求項４，請求項６または請求項８の何れかに記載
のガス放電パネルの製造方法。 - 【請求項１０】保護層が、アルカリ土類金属の酸化物ま
たはアルカリ土類金属のフッ化物あるいはこれらの混合
物の膜であることを特徴とする請求項１，請求項３，請
求項４，請求項６，請求項８または請求項９の何れかに
記載のガス放電パネルの製造方法。 - 【請求項１１】保護層が、アルカリ土類金属の酸化物ま
たはアルカリ土類金属のフッ化物あるいはこれらの混合
物の膜であることを特徴とする請求項２，請求項５また
は請求項７の何れかに記載のガス放電パネル。 - 【請求項１２】誘電体層と保護層が形成された基板を用
いてガス放電パネルを製造するに際し、基板の前記保護
層の表面を酸化させる表面改質を行うことを特徴とする
ガス放電パネル。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24273098A JP3444793B2 (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | ガス放電パネルの製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24273098A JP3444793B2 (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | ガス放電パネルの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000076989A true JP2000076989A (ja) | 2000-03-14 |
| JP3444793B2 JP3444793B2 (ja) | 2003-09-08 |
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|---|---|---|---|
| JP24273098A Expired - Fee Related JP3444793B2 (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | ガス放電パネルの製造方法 |
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-
1998
- 1998-08-28 JP JP24273098A patent/JP3444793B2/ja not_active Expired - Fee Related
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