JP4489472B2 - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
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Description
したがって、蒸着マスク自体は製造の律速とならず、低コストで有機発光層の蒸着が可能である。しかしながら、透明上部電極への給電は基板端部にのみ可能であるため、大形の表示装置では表示面内の発光輝度むらは避けられなかった。
また、上部電極を覆うようにして保護膜が形成され、保護膜を突き破るようにして配置された導電性部材を介して上部電極と導電性遮光パターンとが電気的に接続しても同様な効果が得られる。
更にまた、少なくとも第1の基板または第2の基板の周辺に設けられた接着層を用いて第1の基板と第2の基板とが封止されており、封止された空間が不活性ガスで充填されるようにした。
更に、画素単位で蒸着する方法で律速となっていた解像度も、LCDと同等の解像度を得ることができた。
以下に本発明に係る有機EL表示装置の実施形態1を図面に基づいて説明する。図1は有機EL表示装置の断面図である。第1基板1に形成する有機発光素子は、第1基板上に設けた下部電極5と第1注入層、第1輸送層、発光層、第2輸送層、第2注入層からなる有機発光層7と上部電極(透明電極)8より構成される。
1つ目は、下部電極5が陽極、上部透明電極8が陰極の場合である。この場合、有機発光層7は第1注入層、第1輸送層はそれぞれ正孔注入層と正孔輸送層となる。また、第2輸送層と第2注入層はそれぞれ電子輸送層と電子注入層となる。
上記構成において、第1注入層、或いは第2注入層を有さない構造も考えられる。また、第1輸送層、或いは第2輸送層が発光層に兼ねる場合もある。
また、陽極として、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化インジウムゲルマニウム等の2元系、或いは酸化インジウムスズ亜鉛等の3元系であってもよい。又、酸化インジウム以外にも酸化スズ、酸化亜鉛等を主成分とした組成であってもよい。ITOであれば、酸化インジウムに対して5−10wt%の酸化スズを含む組成が一般的に用いられる。酸化物半導体の製造法は、スパッタ法、EB蒸着法、イオンプレーティング法等が挙げられる。
また、前述の電子注入層を設ければ、陰極の条件として、低仕事関数の材料を用いる必要がなくなり、一般的な金属材料を用いることが可能となる。具体的には、アルミニウム、インジウム、モリブテン、ニッケル、等の金属や、これら金属を用いた合金や、ポリシリコン、アモルファスシリコンが望ましい。
ここで、上部透明電極の電圧降下の計算例を示す。仮に単位電流当りの発光光量が10cd/Aという高い発光効率を有する有機発光材料を用いたとし、発光輝度を300cd/m2と設定した。また、定電流駆動を行う電圧許容範囲を10Vとした。表示装置としては、画面の縦横寸法比を9:16とし、画素の縦横の数をそれぞれ、1200ドット,2000ドットとした。また、図14に示すように表示領域の長辺に沿った2端部を給電点36とした。
ΔV=総和(N×i×r)=1/2×N(N+1)×i×r (1)
N:縦方向の全画素数の1/2(=600ドット)
i:1画素に流れる定電流値
r:1画素当りの上部透明電極の抵抗値
ここで、上部透明電極の比抵抗をρ1、膜厚をt、画素の幅を横w,縦Lとする。
1画素当りの電流値は、
i=300〔cd/m2〕/10〔cd/A〕×w×L =30wL 〔A〕 (2)
となる。また、1画素当りの抵抗値は、
r=ρ1×L/(w×t) 〔Ω〕 (3)
と表せる。縦方向と横方向の表示領域の幅をそれぞれW0,L0とすると、
w=W0/2000 〔m/ドット〕 (4)
L=L0/1200 〔m/ドット〕 (5)
である。
1画素当りに流れる電流は前述の(2)式と同じである。抵抗値rは上部透明電極と側の抵抗r1と導電性遮光パターン10側の抵抗r2との合成抵抗になる。
導電性遮光パターンの横方向の幅は、0.1056wと表せる。導電性遮光パターンの縦方向の抵抗値r2は以下のようになる。
r2=ρ2×L/(0.1056w×t) 〔Ω〕 (6)
また、上部透明電極側の画素単位の抵抗値は、
r1=ρ1×L/(w×t) 〔Ω〕 (7)
であるから、合成抵抗値は、
r=r1×r2/(r1+r2) 〔Ω〕 (8)
となる。
有機EL表示装置では、酸素及び水分の濃度が高い環境で素子を駆動すると、ダークスポットと呼ばれる非発光点が出現あるいは成長して行き、劣化を起こすことが問題であった。素子の劣化が発生しない酸素及び水分濃度の上限が一般的に10ppm以下とされているため、酸素及び水分濃度が10ppm以下となるように素子周辺を不活性ガスで取り囲む必要がある。そこで、以下のように表示装置を組み立てることでこの問題を回避する。
上記では発光層が単色発光する場合を示したが、蒸着でのメタルマスクの加工精度・コストの問題が解決されるのであれば、画素毎に赤色・緑色・青色に発光する有機発光層を持つようにしても、発光輝度むらのない表示装置が実現できる。
図2に別の導電性遮光パターンの形態を持つ有機EL表示装置の断面図を示す。
導電性遮光パターン10は、図2に示すように、遮光層20と低抵抗な導電層21という2層構造にしても良い。遮光層20は黒色顔料を含んだ材料を用いることによって、金属のみの遮光パターンに比べて画像のコントラストを向上することが可能である。また、遮光層20は、導電性でなくてもかまわない。例えば、感光性ポリイミドにカーボンなどの黒色顔料を分散させた材料を用いて、ホトリソプロセスを用いて遮光層20を形成することが可能である。遮光層20の線幅によっては印刷で形成することも可能である。
図3は球状スペーサを用いた例の断面構造である。実施例1と同様な方法で基板1,2を成膜する。第2基板2には導電性ポリマーに球状スペーサ11として金メッキしたシリカビーズや金属ボールを分散させて、スピンコートで塗布し、ホトリソプロセスを行う。これにより、図8の平面図に示す導電性ブラック10上に球状スペーサ11を選択的に固着させる。スペーサの直径は5〜30μm程度が適当である。その後、環状に接着層12を基板間に塗布し、基板1,2を加圧、紫外線照射により接着層12を硬化させて、有機EL表示装置が得られる。
図4は柱状スペーサを用いた例の断面構造である。実施例1と同様な方法で基板1,2を成膜する。第2基板2には導電性遮光パターン10を形成後、図8または図10の平面図に示すように円柱状または壁状のスペーサ13を形成する。このスペーサ13は導電性を有する材料で形成し、高さは5〜30μmとする。給電点36と画素の間の距離と比べ、スペーサ13の高さは無視できる。このためスペーサ13には、上部透明電極8と同程度の比抵抗の材料を用いてもかまわない。その他の構造は実施例2と同様にして有機EL表示装置が得られる。
図5は別形態の柱状スペーサを用いた例の断面構造である。実施形態4と同様に図9または図11の平面図に示すように、導電性遮光パターン10を形成後にスペーサ14を形成する。スペーサ14は必ずしも導電性でなくても良い。スペーサ14形成後に、表示領域全体にITOやIZOなどの透明電極膜15を形成する。これにより、透明電極15を介して導電性遮光パターン10と第1基板1の上部電極8の電気的に導通が得られる。
図12に上部電極8を形成後に絶縁体よりなる保護膜32を成膜した場合の断面図を示す。図12に示すように、第1基板1上に保護膜32を成膜した後、2枚の基板1,2を重ね合わせる時に、導電性スペーサ13を強く押し付けて保護膜32に孔を空け、上部電極10と導電性スペーサ13を接続させた例を示したものである。保護膜32はガスバリア性を有するものが望ましい。
また、導電性スペーサ13と上部電極10との接触面を開口した保護膜32を形成した場合でも、同様の効果を得ることができる。
図13に、第1基板1側の上部透明電極8を覆う保護膜32と第2基板2の遮光パターン10とカラーフィルタ9を覆うオーバーコート膜37を成膜した場合の断面図を示す。図13に示すように、第1基板1上に保護膜32を成膜し、第2基板1上にオーバーコート膜37を形成した後、2枚の基板1,2を重ね合わせる時に、導電性スペーサ13を強く押し付けて保護膜32とオーバーコート膜37に孔を空け、上部電極10と導電性スペーサ13を接続させた例を示したものである。
Claims (11)
- 第1の基板上にゲート、ソース、ドレイン配線を有するトランジスタ素子を備えたトランジスタ駆動層が形成され、
該トランジスタ駆動層の上に素子分離用バンクと、順次積層された下部電極と有機発光層と透明な材料からなる上部電極とが形成され、
第2の基板上にカラーフィルタと導電性遮光パターンが形成されてなり、
前記素子分離用バンクに囲まれた前記有機発光層と前記カラーフィルタとが対向し、
前記素子分離用バンク上に位置する前記上部電極と前記導電性遮光パターンとが対向するように前記第1の基板と前記第2の基板とが対向して配置されてなり、
前記第2の基板上のカラーフィルタ及び導電性遮光パターンの前記第1の基板側に透明なオーバーコート膜を有し、
当該導電性遮光パターン上のオーバーコート膜に形成された孔を介して配置された導電性スペーサにより、前記導電性遮光パターンと前記上部電極とが電気的に接続され、
外部に配置された直流電源に接続するための給電点が少なくとも前記上部電極または前記導電性遮光パターンに設けられてなることを特徴とする有機エレクトロニクス表示装置。 - 前記導電性遮光パターンは遮光層と導電層からなり、該導電層と前記上部電極とが電気的に接続されてなることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロニクス表示装置。
- 前記導電性遮光パターンの比抵抗が前記上部電極に比較して小さいことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロニクス表示装置。
- 前記導電性遮光パターンの比抵抗が前記上部電極の比抵抗の1/100以下であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロニクス表示装置。
- 前記導電性スペーサは、球状スペーサであることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロニクス表示装置。
- 前記導電スペーサは、柱状スペーサであることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロニクス表示装置。
- 該柱状スペーサの表面に透明導電膜が形成され、該透明導電膜を介して前記導電性遮光パターンと前記上部電極とが電気的に接続されてなることを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロニクス表示装置。
- 上記第2の基板上に遮光パターン、カラーフィルタを形成後、これらの層の上に前記透明なオーバーコート膜を形成し、前記第1の基板上では前記上部電極上に透明な保護膜を形成し、該第1基板側の前記保護膜と第2の基板側の前記オーバーコート膜を突き破るようにして配置された前記導電性部材を介して前記上部電極と前記導電性遮光パターンとが電気的に接続されてなることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロニクス表示装置。
- 前記有機発光層が同一発光色を放出することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロニクス表示装置。
- 前記有機発光層が白色発光層であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロニクス表示装置。
- 少なくとも前記第1の基板または前記第2の基板の周辺に設けられた接着層を用いて前記第1の基板と前記第2の基板とが封止されてなり、封止された空間が不活性ガスで充填されてなることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロニクス表示装置。
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