JP2005243428A - エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 エレクトロルミネッセンスを用いた表示パネルを製造するに際して、画素電極の損傷を抑えること。
【解決手段】 透明基板2上にカラーフィルタ3R,3G,3Bを格子状にパターニングし、下部電極4をカラーフィルタ3R,3G,3B上に成膜し、エレクトロルミネッセンス層5を下部電極4上に成膜し、上部電極6をエレクトロルミネッセンス層5上に成膜し、導電性保護膜7を上部電極6上に成膜する。そして、フォトレジスト法によりレジストマスク8を導電性保護膜7上に形成し、レジストマスク8間の開口部を通じて導電性保護膜7及び上部電極6にイオンをドープする。得られたエレクトロルミネッセンス素子アレイ基板1とトランジスタアレイ基板10との間に導電性スペーサ14を挟持して、エレクトロルミネッセンス素子アレイ基板1をトランジスタアレイ基板10に貼り合わせる。
【選択図】 図6
【解決手段】 透明基板2上にカラーフィルタ3R,3G,3Bを格子状にパターニングし、下部電極4をカラーフィルタ3R,3G,3B上に成膜し、エレクトロルミネッセンス層5を下部電極4上に成膜し、上部電極6をエレクトロルミネッセンス層5上に成膜し、導電性保護膜7を上部電極6上に成膜する。そして、フォトレジスト法によりレジストマスク8を導電性保護膜7上に形成し、レジストマスク8間の開口部を通じて導電性保護膜7及び上部電極6にイオンをドープする。得られたエレクトロルミネッセンス素子アレイ基板1とトランジスタアレイ基板10との間に導電性スペーサ14を挟持して、エレクトロルミネッセンス素子アレイ基板1をトランジスタアレイ基板10に貼り合わせる。
【選択図】 図6
Description
本発明は、自発光するエレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence)素子を用いたエレクトロルミネッセンス表示パネルを製造する方法に関する。
自発光するエレクトロルミネッセンス素子は表示装置に用いられている。特に、有機エレクトロルミネッセンス素子はアノード、エレクトロルミネッセンス層、カソードの順に積層された積層構造を為しており、アノードとカソードの間に順バイアス電圧が印加されるとエレクトロルミネッセンス層において発光する。このような有機エレクトロルミネッセンス素子を画素として基板上にマトリクス状に配列して、各有機エレクトロルミネッセンス素子を所定の階調輝度で発光させることによって画像表示を行うエレクトロルミネッセンス表示パネルが実現化されている。
エレクトロルミネッセンス表示パネルでは、アノード又はカソードのうち、少なくとも一方の電極をパターニングする必要がある。このとき、カソードは、電子注入性のために仕事関数が低い材料から選択されているため、フォトリソグラフィではエッチャントによって酸化されてしまうために利用困難である。このため、カソードをパターニングする場合はメタルマスクを用いて蒸着していたが高精細に形成することができない。
また発光領域をカソードのパターニング以外で行う方法として、基板に成膜された発光層上にマスクを配置させてから紫外線を照射してマスクのスリットから入射された発光層の発光性を失わせてマスクで遮光された領域にパターニングするものがある(例えば、特許文献1参照。)。
特開平4−255692号公報
また発光領域をカソードのパターニング以外で行う方法として、基板に成膜された発光層上にマスクを配置させてから紫外線を照射してマスクのスリットから入射された発光層の発光性を失わせてマスクで遮光された領域にパターニングするものがある(例えば、特許文献1参照。)。
しかしながら、上記紫外線のパターニングは、フォトリソグラフィ以外のマスクによって行われているため高精細にパターニングできなかった。
そこで、本発明は、上記のような問題点を解決しようとしてなされたものであり、エレクトロルミネッセンスを用いた表示パネルを製造するに際して、高精細な画素にパターニングすることを目的とする。
以上の課題を解決するために、本発明のエレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法は、基板上に形成された下部電極上にエレクトロルミネッセンス層を成膜するエレクトロルミネッセンス層成膜工程と、前記エレクトロルミネッセンス層上に上部電極を成膜する上部電極成膜工程と、前記上部電極に対して所定パターンでイオンをドープするイオンドープ工程と、を含む。
以上のように、上部電極のうちイオンをドープした部分の導電性が低下し、イオンをドープしていない部分の導電性が維持される。そのため、エレクトロルミネッセンス層はイオンをドープした部分に重なった領域において発光し、イオンをドープしていない部分に重なった領域において発光しない。従って、上部電極を画素ごとにパターニングすることができる。
好ましくは、前記基板として、二次元アレイ状に配列された複数色のカラーフィルタによって被覆された透明基板を用い、前記下部電極として、前記複数色のカラーフィルタ全体を被覆した透明電極を用い、前記イオンドープ工程では、前記複数色のカラーフィルタのそれぞれに対応したパターンで前記上部電極に対してイオンをドープする。
基板及び下部電極が透明であり、基板と下部電極との間にカラーフィルタが形成されているので、エレクトロルミネッセンス層で発した光は下部電極、カラーフィルタ及び基板を透過して、基板の反対面から出射する。
ここで、エレクトロルミネッセンス層はイオンをドープした部分に重なった領域において発光せず、イオンをドープしていない部分に重なった領域において発光する上、カラーフィルタのそれぞれに対応したパターンで上部電極に対してイオンをドープするので、画素ごとにカラーフィルタを配置させたエレクトロルミネッセンス表示パネルを提供することができる。
また、下部電極及びエレクトロルミネッセンス層を画素ごとにパターニングしていないので、エレクトロルミネッセンス表示パネルを短時間且つ簡単に製造することができる。
ここで、エレクトロルミネッセンス層はイオンをドープした部分に重なった領域において発光せず、イオンをドープしていない部分に重なった領域において発光する上、カラーフィルタのそれぞれに対応したパターンで上部電極に対してイオンをドープするので、画素ごとにカラーフィルタを配置させたエレクトロルミネッセンス表示パネルを提供することができる。
また、下部電極及びエレクトロルミネッセンス層を画素ごとにパターニングしていないので、エレクトロルミネッセンス表示パネルを短時間且つ簡単に製造することができる。
好ましくは、前記上部電極成膜工程と前記イオンドープ工程との間において、前記上部電極上に導電性保護膜を成膜する導電性保護膜成膜工程を更に含み、前記イオンドープ工程において、前記上部電極とともに前記導電性保護膜に対して所定パターンでイオンをドープする。
以上のように、上部電極上に導電性保護膜を成膜することによって、上部電極が劣化しやすくても上部電極を保護することができる。
好ましくは、前記イオンドープ工程では、前記上部電極上に複数のマスクを離間した状態に配置して、前記複数のマスクの間を通じて前記上部電極にイオンをドープする。
以上のように、上部電極のうちマスクに重なった部分にはイオンがドープされないので、導電性が維持され、上部電極のうちマスクに重なっていない部分にはイオンがドープされるので、導電性が低下する。従って、上部電極を画素ごとにパターニングすることができる。
好ましくは、前記複数のマスクを格子状に配置する。
以上のように、マスクを格子状に配置することによって、画素が格子状に配列されたエレクトロルミネッセンス表示パネルを製造することができる。
本発明によれば、イオンを上部電極に部分的にドープすることによって、エッチャントを用いずに上部電極を画素ごとにパターニングすることができる。エッチャントを用いずに上部電極をパターニングしているので、上部電極のうちイオンをドープしていない部分がエッチャントにより損傷することなく高精細に画素をパターニングできる。
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
図1〜図7は、本発明を適用した実施形態におけるエレクトロルミネッセンス表示パネルの各工程を順に示したものである。なお、図1〜図7は何れも、透明基板2に直交する面に沿った断面図である。
まず、図1に示すように、絶縁性の透明基板2を準備する。透明基板2は、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他のガラス、PMMA(ポリメタクリ酸メチル)、ポリカーボネート、その他の樹脂等の透明な材料で板状又はシート状に形成されたものである。
透明基板2の一方の面に、赤のカラーフィルタ3R、緑のカラーフィルタ3G及び青のカラーフィルタ3Bを二次元アレイ状にパターニングする。例えば、透明基板2を平面視した場合、透明基板2の縦方向には同一色のカラーフィルタを一列に配列させ、透明基板2の横方向には赤、緑、青の順に繰り返すようにカラーフィルタを一列に配列させ、全体としてカラーフィルタ3R,3G,3Bを格子状にパターニングする。なお、カラーフィルタ3R,3G,3Bをデルタ配列やストライプ配列にパターニングしても良い。また互いに隣接する画素に対応するカラーフィルタ3R,3G,3B同士の間にブラックマスクを設けてもよい。
次に、図2に示すように、PVD法、CVD法、スパッタリング法、その他の気相成長法によってカラーフィルタ3R,3G,3B上に図示しない保護膜を介して下部電極4をべた一面に成膜し、透明な金属酸化物からなる下部電極4でカラーフィルタ3R,3G,3Bの全体を被覆する。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛若しくは酸化スズ又はこれらのうちの少なくとも一つを含む混合物(例えば、錫ドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム、カドミウム−錫酸化物(CTO))からなる膜を下部電極4として成膜する。ここで、下部電極4は、全ての画素に共通した電極であり、アノードとして機能する。
次に、図3に示すように、有機化合物である白色発光材料からなるエレクトロルミネッセンス層5を下部電極4上にべた一面に成膜する。ここで、エレクトロルミネッセンス層5の有機化合物が低分子有機化合物である場合には、蒸着法によりエレクトロルミネッセンス層5を成膜し、エレクトロルミネッセンス層5の有機化合物が高分子有機化合物である場合には、湿式塗布法(例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法(液滴吐出法))によりエレクトロルミネッセンス層5を成膜する。また、エレクトロルミネッセンス層5を積層構造(例えば、下部電極4から順に正孔輸送層、狭義の発光層、電子輸送層となる三層構造、下部電極4から順に正孔輸送層、狭義の発光層となる二層構造)として形成する場合には、各層を順に成膜することによってエレクトロルミネッセンス層5を形成する。例えば、エレクトロルミネッセンス層5は、導電性高分子であるPEDOT(ポリチオフェン)及びドーパントであるPSS(ポリスチレンスルホン酸)からなる正孔注入層、ポリフルオレン系発光材料からなる狭義の発光層の順に積層した二層構造として形成する場合には、PEDOT及びPSSを含有した有機溶液を下部電極4上に塗布することによって正孔輸送層を成膜し、次に、ポリフルオレン系発光材料を含有した有機溶液を正孔輸送層上に塗布することによって狭義の発光層を成膜する。なお、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法ではインクジェット法よりもエレクトロルミネッセンス層5を短時間に成膜することができ、更にスピンコート法では蒸着法の場合よりも大きな透明基板2に対してエレクトロルミネッセンス層5を成膜することができる。
次に、図4に示すように、PVD法、CVD法、スパッタリング法、その他の気相成長法によって、低仕事関数の材料からなる上部電極6をエレクトロルミネッセンス層5上にべた一面に成膜する。具体的には、マグネシウム、カルシウム、リチウム若しくはバリウムや希土類からなる金属又はこれらの金属を少なくとも一種を含む合金で形成されている。ここで、上部電極6はカソードとして機能する。以上のように、エレクトロルミネッセンス層5を成膜した後、エレクトロルミネッセンス層5をフォトリソグラフィ法によるエッチングを行うことなく上部電極6を成膜したので、エレクトロルミネッセンス層5が劣化しない。
次に、図5に示すように、PVD法、CVD法、スパッタリング法、その他の気相成長法によって、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン等の導電性高分子からなる導電性保護膜7を上部電極6上にべた一面に成膜する。以上のように、上部電極6を成膜した後、上部電極6をフォトリソグラフィ法によるエッチングを行うことなく導電性保護膜7を成膜したので、上部電極6が損傷しない。
次に、図6に示すように、感光性樹脂を導電性保護膜7上に塗布し、塗布した感光性樹脂を露光・現像すること(フォトレジスト法)によって、互いに離間配列した複数のレジストマスク8に感光性樹脂を形状加工する。特に、カラーフィルタ3R,3G,3Bに対応させた状態に複数のレジストマスク8を配置させるように、塗布した感光性樹脂を露光・現像する。カラーフィルタ3R,3G,3Bが格子状に配列されている場合には、レジストマスク8を格子状に配置させ、カラーフィルタ3R,3G,3B間の境界に対応させてレジストマスク8間の開口部8aを網目状に形成する。このようにレジストマスク8を形成するときには、導電性保護膜7が成膜されているので上部電極6の劣化を抑えることができる。
次に、レジストマスク8で導電性保護膜7をマスキングした状態で、導電性保護膜7に対してイオンをドープする。導電性保護膜7はレジストマスク8によってマスクされているので、導電性保護膜7のうちレジストマスク8に覆われていない領域7a(開口部8aにおいて露出した領域)がドーピングしたイオンによって変質して高抵抗になる。一方、導電性保護膜7のうちレジストマスク8に覆われている領域7bにはイオンがドーピングされないので、導電性を維持する。更に、イオンは上部電極6にまで拡散し、上部電極6のうち平面視してレジストマスク8と重なっていない領域6aがイオンによって変質して電子注入性が低下し、平面視してレジストマスク8と重なる領域6bは電子注入性を維持する。
以上のように、上部電極6をイオンドープ法によって領域6aと領域6bに区分することによって、領域6bはカソードとしての機能を維持するが、領域6aはカソードとして機能しなくなり、これにより、上部電極6を画素ごとに分割することができる。導電性保護膜7もイオンドープ法によって領域7aと領域7bに区分され、領域7bは導電性を維持するが、領域7aは高抵抗になる。
また、イオンを導電性保護膜7にドープする代わりに、エキシマレーザー等のレーザーを用いても良い。すなわち、レジストマスク8で導電性保護膜7をマスキングした状態で導電性保護膜7及び上部電極6に対してレーザーを照射することによって、導電性保護膜7のうちレジストマスク8に覆われていない領域7aが溶融し、更に、上部電極6のうち平面視してレジストマスク8と重なっていない領域6aが溶融する。領域6a及び領域7aの溶融により、導電性保護膜7及び上部電極6が切断されて画素ごとに分割される。
なお、イオンをドープする場合であっても、レーザーを照射する場合であっても、導電性保護膜7を成膜せずに、上部電極6上に直接レジストマスク8を形成しても良い。レジストマスク8で上部電極6をマスキングした状態で、上部電極6にイオンドープ又はレーザー照射を行うことで、上部電極6を領域6aと領域6bに区分することができる。
イオンドープ又はレーザー照射によって上部電極6を区分した後、除去液でレジストマスク8を除去し、導電性保護膜7(又は上部電極6)の表面を洗浄液(例えば、水)で洗浄する。導電性保護膜7が成膜した場合には、除去液や洗浄液から上部電極6を保護することができる。
以上のようにして、エレクトロルミネッセンス素子アレイ基板1が完成する。
以上のようにして、エレクトロルミネッセンス素子アレイ基板1が完成する。
一方、図7に示すように、トランジスタアレイ基板10を準備する。このトランジスタアレイ基板10は、基板13と、基板13上に形成された複数の信号線と、信号線に対してねじれの位置となるように基板13上に形成されるとともに平面視して信号線に直交する複数の走査線と、画素ごとに形成され、走査線及び信号線から信号を入力することによりスイッチング等を行う複数の薄膜トランジスタ11と、画素ごとに薄膜トランジスタ11に接続され、露出した状態に形成された複数の接触電極12とからなる。ここで、接触電極12は、上部電極6の領域6b(導電性保護膜7の領域7b)に対応するように配列されている。上部電極6の領域6bが格子状に形成されていれば、接触電極12が格子状に配列されている。
そして、導電性スペーサ14を導電性保護膜7又は接触電極12に散布する。次に、トランジスタアレイ基板10の両面のうち接触電極12が露出した側の面を透明基板2に向け、エレクトロルミネッセンス素子アレイ基板1の導電性保護膜7をトランジスタアレイ基板10に向け、導電性スペーサ14をエレクトロルミネッセンス素子アレイ基板1とトランジスタアレイ基板10との間に挟持する。ここで、一領域6b(一領域7b)につき一つの接触電極12が重なるように、トランジスタアレイ基板10とエレクトロルミネッセンス素子アレイ基板1の位置決めをし、導電性スペーサ14を相対向した接触電極12及び領域7bに接触させ、導電性スペーサ14によって接触電極12を領域7bに導電させる。以上のように導電性スペーサ14を挟持する時に荷重が導電性保護膜7に作用するが、この導電性保護膜7が変形することによって導電性保護膜7が緩衝材として機能し、上部電極6やエレクトロルミネッセンス層5に大きな荷重が作用しなくなる。
なお、導電性スペーサ14を塗布する代わりに、接触電極12上に導電性の凸部を形成し、その凸部によって接触電極12と領域7bを導電させても良い。
なお、導電性スペーサ14を塗布する代わりに、接触電極12上に導電性の凸部を形成し、その凸部によって接触電極12と領域7bを導電させても良い。
そして、トランジスタアレイ基板10及びエレクトロルミネッセンス素子アレイ基板1の周囲を封止する。以上により、エレクトロルミネッセンス表示パネルが完成する。
以上のように製造されたエレクトロルミネッセンス表示パネルでは、上部電極6の領域6aの導電性が低下して、領域6aの電子注入性がなくなるから、エレクトロルミネッセンス層5は領域6bと重なった部分において発光し、領域6aと重なった部分においては発光しない。エレクトロルミネッセンス層5で発した光は、下部電極4、カラーフィルタ3R,3G,3B、透明基板2を透過して、透明基板2の裏面から出射する。
本実施形態の製造方法では、エレクトロルミネッセンス層5をべた一面に成膜しているため、画素ごとにエレクトロルミネッセンス層をパターニングする場合よりも工程数が減り、更にエレクトロルミネッセンス層5を容易に成膜することができる。更に、エレクトロルミネッセンス層5をパターニングしていないので、エレクトロルミネッセンス層5がレジスト、レジストの除去液、残留レジストの洗浄液等によって劣化することがない。
また、上部電極6にイオンをドープするか、又は上部電極6にレーザーを照射することによって、上部電極6を導電性の低い領域6aと導電性の高い領域6bに区分しているので、エッチング液等で上部電極6をパターニングする場合よりも、上部電極6の領域6bの損傷を抑えることができる。
また、イオンドープ法又はレーザー照射法を用いているので、上部電極6上に導電性保護膜7を成膜した状態でも上部電極6を導電性の低い領域6aと導電性の高い領域6bに区分することができる。このように上部電極6上に導電性保護膜7を成膜した状態であるため、上部電極6をレジストマスク8、レジストマスク8の除去液、レジストマスク8の洗浄液から保護することができる。
なお、本発明は上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。
例えば、上記実施形態では上部電極6をカソードとし、下部電極4をアノードとしたが、上部電極6を高仕事関数の材料からなるアノードとし、下部電極4を低仕事関数の材料からなるカソードとしても良い。
例えば、上記実施形態では上部電極6をカソードとし、下部電極4をアノードとしたが、上部電極6を高仕事関数の材料からなるアノードとし、下部電極4を低仕事関数の材料からなるカソードとしても良い。
また、エレクトロルミネッセンス層5として有機化合物を用いたが、無機化合物を蒸着することでエレクトロルミネッセンス層5を成膜しても良い。エレクトロルミネッセンス層5を無機化合物とする場合には、エレクトロルミネッセンス層5を成膜する前に酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁膜を下部電極4上にべた一面に成膜し、エレクトロルミネッセンス層5を成膜した後に、更に絶縁膜をエレクトロルミネッセンス層5上に成膜する。その後は、上記実施形態の場合と同様に、上部電極6、導電性保護膜7を順に成膜し、レジストマスク8を形成した状態でイオンをドープし又はレーザーを照射することによって、上部電極6及び導電性保護膜7をパターニングする。
2 透明基板
3R、3B、3G カラーフィルタ
4 下部電極
5 エレクトロルミネッセンス層
6 上部電極
7 導電性保護膜
8 レジストマスク
3R、3B、3G カラーフィルタ
4 下部電極
5 エレクトロルミネッセンス層
6 上部電極
7 導電性保護膜
8 レジストマスク
Claims (5)
- 基板上に形成された下部電極上にエレクトロルミネッセンス層を成膜するエレクトロルミネッセンス層成膜工程と、
前記エレクトロルミネッセンス層上に上部電極を成膜する上部電極成膜工程と、
前記上部電極に対して所定パターンでイオンをドープするイオンドープ工程と、を含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法。 - 前記基板として、二次元アレイ状に配列された複数色のカラーフィルタによって被覆された透明基板を用い、前記下部電極として、前記複数色のカラーフィルタ全体を被覆した透明電極を用い、前記イオンドープ工程では、前記複数色のカラーフィルタのそれぞれに対応したパターンで前記上部電極に対してイオンをドープすることを特徴とする請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法。
- 前記上部電極成膜工程と前記イオンドープ工程との間において、前記上部電極上に導電性保護膜を成膜する導電性保護膜成膜工程を更に含み、
前記イオンドープ工程において、前記上部電極とともに前記導電性保護膜に対して所定パターンでイオンをドープすることを特徴とする請求項1又は2に記載のエレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法。 - 前記イオンドープ工程では、前記上部電極上に複数のマスクを離間した状態に配置して、前記複数のマスクの間を通じて前記上部電極にイオンをドープすることを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載のエレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法。
- 前記複数のマスクを格子状に配置することを特徴とする請求項4に記載のエレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004051594A JP2005243428A (ja) | 2004-02-26 | 2004-02-26 | エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法 |
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Cited By (1)
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JP2005268062A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Hitachi Displays Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
-
2004
- 2004-02-26 JP JP2004051594A patent/JP2005243428A/ja active Pending
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JP2005268062A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Hitachi Displays Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP4489472B2 (ja) * | 2004-03-19 | 2010-06-23 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
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