KR20100011034A - 유기전계 발광소자의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 투명한 유리기판 상에 순차 적층된 흡수층과, 희생층과, 전사층을 갖는 전사기판을 준비하는 단계와; 기판 상에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 각 화소영역 내에 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 스위칭 박막트랜지스터의 일전극과 연결된 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 구동 박막트랜지스터의 일 전극을 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계와; 상기 각 화소영역에 상기 보호층 상부로 상기 콘택홀을 통해 상기 구동 박막트랜지스터의 일전극과 접촉하는 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 보호층 위로 상기 각 화소영역의 경계에 격벽을 형성하는 단계와; 상기 각 화소영역에 상기 제 1 전극 위로 유기 발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기 발광층과 상기 전사층이 이격하며 마주하도록 상기 유기 발광층이 형성된 기판과 상기 전사기판을 위치시키는 단계와; 진공의 분위기에서 상기 전사기판에 대해 레이저 빔을 일측에서 타측으로 조사하여 상기 전사층을 상기 유기 발광층이 형성된 기판으로 전사시킴으로써 상기 격벽과 유기 발광층과 접촉하는 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계 발광소자 제조 방법을 제공한다.

Description

유기전계 발광소자의 제조 방법{Method of fabricating organic electroluminescent device}

본 발명은 유기전계 발광소자(Organic Electroluminescent Device)에 관한 것이며, 특히 유기 발광층의 손상에 의해 발생하는 다크스팟(dark spot) 발생을 방지하여 표시품위를 향상시킬 수 있는 유기전계 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.

평판 디스플레이(FPD ; Flat Panel Display)중 하나인 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.

이러한 특성을 갖는 유기전계 발광소자는 크게 패시브 매트릭스 타입과 액티브 매트릭스 타입으로 나뉘어지는데, 패시브 매트릭스 방식에서는 주사선(scan line)과 신호선(signal line)이 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하고, 각각의 픽셀을 구동하기 위하여 주사선을 시간에 따라 순차적으로 구동하므로, 요구되는 평균 휘도를 나타내기 위해서는 평균 휘도에 라인수를 곱한 것 만큼의 순간 휘도를 내야만 한다.

그러나, 액티브 매트릭스 방식에서는, 화소영역(pixel)을 온(on)/오프(off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)가 각 화소영역(pixel)별로 위치하고, 이러한 스위칭 박막트랜지스터의 일전극과 연결되며 구동 박막트랜지스터가 형성되고 있으며, 상기 구동 박막트랜지스터의 일전극과 연결되어 있는 애노드 전극은 각 화소영역 단위로 온(on)/오프(off)되고, 이러한 애노드 전극과 대향하여 캐소드 전극이 기판 전면에 형성되고 있다.

그리고, 상기 액티브 매트릭스 방식에서는 각 화소영역에 인가된 전압이 스토리지 캐패시터(storage capacitor)에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame) 신호가 인가될 때까지 전원을 인가해 주도록 함으로써, 주사선 수에 관계없이 한 화면을 계속해서 구동한다. 따라서, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점을 가지므로 최근에는 액티브 매트릭스 방식의 유기전계 발광소자가 주로 이용되고 있다.

이하, 이러한 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 기본적인 구조 및 동작 특성에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 간략한 회로도이다.

도시한 바와 같이 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 하나의 화소영역은 스위칭(switching) 박막트랜지스터(STr)와 구동(driving) 박막트랜지스터(DTr), 스토리지 커패시터(StgC), 그리고 유기전계발광 다이오드(E)로 이루어진다.

즉, 제 1 방향으로 게이트 배선(GL)이 형성되어 있고, 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 형성되어 화소영역(P)을 정의하며 데이터 배선(DL)이 형성되어 있으며, 상기 데이터 배선(DL)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다.

또한, 상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 일전극과 전기적으로 연결되며 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다.

이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 유기전계 발광 다이오드(E)와 전기적으로 연결되고 있다. 즉, 상기 유기전계발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제 1 전극은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극과 연결되고, 타측 단자인 제 2 전극은 전원배선(PL)과 연결되고 있다. 이때, 상기 전원배선(PL)은 전원전압을 상기 유기전계 발광 다이오드(E)로 전달하게 된다.

또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에는 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되고 있다.

따라서, 상기 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 상기 데이터 배선(DL)의 신호가 스위칭 박막트랜지스터(STr)를 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극에 전달되어 상기 구 동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 유기전계발광 다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. 이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 전원배선(PL)으로부터 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 상기 유기전계발광 다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 되며, 상기 스토리지 커패시터(StgC)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.

이러한 전류 구동을 하는 유기전계 발광소자는 유기전계발광 다이오드를 통해 발광된 빛의 투과방향에 따라 상부 발광방식(top emission type)과 하부 발광방식(bottom emission type)으로 나뉜다.

도 2는 종래의 유기전계 발광소자에 대한 개략적인 단면도이다.

도시한 바와 같이, 제 1, 2 기판(10, 30)이 서로 대향되게 배치되어 있고, 제 1, 2 기판(10, 30)의 가장자리는 씰패턴(40 ; seal pattern)에 의해 봉지되어 있다. 제 1 기판(10)의 상부에는 각 화소영역 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다. 또한, 상기 각각의 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결되어 제 1 전극(12)이 형성되어 있고, 상기 제 1 전극(12) 상부에는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결되며 적(14a), 녹(14b), 청(14c)색을 발광하는 유기 발광층(14)이 격벽(15)에 의해 분리되며 형성되어 있으며, 유기 발광층(14) 상부에는 전면에 제 2 전극(16) 이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 전극(12, 16)은 상기 유기 발광층(14)에 전계를 인가해주는 역할을 하고 있으며, 상기 제 1, 2 전극(12, 16)은 각각 애노드 전극과 캐소드 전극을 이룰 수도 있고, 또는 그 반대로 캐소드 전극과 애노드 전극을 이룰 수도 있다.

한편, 전술한 씰패턴(40)에 의해서 상기 제 1 기판(10) 상의 전면에 형성된 상기 제 2 전극(16)과 상기 제 2 기판(30)은 일정간격 이격되며 위치하고 있다. 이때 상기 제 1 기판(10)과 제 2 기판(30)의 이격영역에는 불활성 기체 또는 진공의 분위기를 이루는 것이 특징이다. 또한, 산소 또는 습기에 매우 취약한 상기 유기 발광층(14)의 열화 방지를 위해 상기 씰패턴(40)의 내측으로 외부로의 수분을 차단하는 흡습제(미도시)가 더욱 구비되고 있다.

이러한 구조를 갖는 유기전계 발광소자는 상기 제 1 전극(12)을 캐소드 (cathode)전극으로, 제 2 전극(16)을 애노드(anode) 전극으로 구성할 경우, 상기 제 1 전극(12)은 일함수가 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄 또는 알루미늄 합금 중에서 선택되며 상기 제 2 전극(16)은 투명도전성 물질 중 일함수가 높은 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로써 형성하고, 상기 유기 발광층은 발광 효율을 극대화하기 위해 다층으로 형성되기도 한다.

한편, 전술한 구조를 갖는 유기전계 발광소자를 제조하는데 있어 상기 제 1 전극과 제 2 전극은 모두 진공의 분위기에서 쉐도우 마스크를 이용한 진공 증착 또는 스퍼터 장치를 통한 스퍼터링을 통해 형성되고 있다.

하지만, 최근 표시장치는 대면적화가 추세이며, 이러한 대면적을 갖는 표시 장치를 제조하기 위해서는 장비의 대형화가 필수가 되고 있다. 이 경우, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하는데 사용되며 상기 기판의 면적에 비례하여 상기 기판보다 큰 면적을 갖는 상기 쉐도우 마스크는 400Kg 이상의 무게를 갖게 됨으로써 이를 장착하거나 다른 쉐도우 마스크로 교체 시 너무 많은 시간이 걸리고 있으며, 이를 이용한 진공 증착 공정 진행에 있어서도 쳐짐 등이 발생하여 오차가 심하게 발생하고 있는 실정이다.

또한, 스퍼터링의 경우 상기 제 1 전극의 형성에는 문제되지 않지만, 상기 유기 발광층 상부에 형성되는 제 2 전극을 형성 시 스퍼터링 특성 상 진공의 챔버 내부에 플라즈마를 형성시켜야 하며, 이러한 과정에서 상기 플라즈마에 노출된 유기 발광층은 그 내부적 손상이 발생하여 상기 손상된 부분이 다크 스팟이 되어 표시품위를 저하시키는 문제가 발생하고 있다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 유기 발광층에 손상을 가하지 않아 유기 발광층의 다크스팟 발생을 원천적으로 방지할 수 있는 유기전계 발광소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법은, 순차 적층된 흡수층과, 희생층과, 전사층을 갖는 전사기판을 준비하 는 단계와; 기판 상에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 각 화소영역 내에 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 스위칭 박막트랜지스터의 일전극과 연결된 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 구동 박막트랜지스터의 일전극과 접촉하는 제 1 전극을 각 화소영역에 형성하는 단계와; 상기 각 화소영역의 경계에 상기 제 1 전극의 테두리와 중첩하는 격벽을 형성하는 단계와; 상기 각 화소영역에 상기 제 1 전극 위로 유기 발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기 발광층과 상기 전사층이 이격하며 마주하도록 상기 기판과 상기 전사기판을 위치시키는 단계와; 진공의 분위기에서 상기 전사기판에 대해 레이저 빔을 일측에서 타측으로 조사하여 상기 전사층을 상기 유기 발광층이 형성된 기판으로 전사시킴으로써 상기 격벽과 유기 발광층과 접촉하는 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 흡수층은 빛 에너지를 열에너지로 바꾸는 역할을 하며, 상기 희생층은 열을 받으면 상기 전사층과의 접착력이 약화되는 특성을 갖는 것이 특징이다.

상기 유기 발광층의 표면과 상기 격벽 최상측 끝단간의 높이차는 수 백Å 내지 1㎛인 것이 특징이다.

상기 전사기판을 준비하는 단계는, 상기 투명한 기판 상에 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 알루미늄(Al) 중에서 선택되는 하나의 금속물질을 증착함으로써 상기 흡수층을 형성하는 단계와; 상기 흡수층 위로 유기물질을 도포하여 상기 희생층을 형성하는 단계와; 상기 희생층 위로 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 증착함으로써 상기 전사층을 형성하는 단계를 포함한다.

상기 제 1 전극을 형성하기 전에 상기 구동 박막트랜지스터의 일 전극을 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호층을 전면에 형성하는 단계를 포함한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법은, 순차 적층된 흡수층과, 희생층과, 패턴된 전사층을 갖는 전사기판을 준비하는 단계와; 제 1 기판 상에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 각 화소영역 내에 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 스위칭 박막트랜지스터의 일전극과 연결된 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 제 1 기판에 대응하는 제 2 기판의 내측면 전면에 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극 위로 상기 각 화소영역의 경계에 격벽을 형성하는 단계와; 상기 격벽으로 둘러싸인 각 화소영역에 상기 제 1 전극 위로 유기 발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기 발광층과 상기 패턴된 전사층이 이격하며 마주하도록 상기 제 2 기판과 상기 전사기판을 위치시키는 단계와; 진공의 분위기에서 상기 전사기판에 대해 레이저 빔을 일측에서 타측으로 조사하여 상기 패턴된 전사층을 상기 유기 발광층이 형성된 기판으로 전사시킴으로써 상기 각 화소영역별로 상기 유기 발광층과 접촉하는 제 2 전극을 형성하는 단계와; 상기 구동박막트랜지스터의 일전극과 상기 제 2 전극이 전기적으로 연결되도록 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하며, 상기 흡수층은 빛 에너지를 열에너지로 바꾸는 역할을 하며, 상기 희생층은 열을 받으면 상기 패턴된 전사층과의 접착력이 약화되는 특성을 갖는 것이 특징이다.

이때, 상기 전사기판을 준비하는 단계는, 상기 투명한 기판 상에 몰리브 덴(Mo), 은(Ag), 알루미늄(Al) 중에서 선택되는 하나의 금속물질을 증착함으로써 상기 흡수층을 형성하는 단계와; 상기 흡수층 위로 유기물질을 도포하여 상기 희생층을 형성하는 단계와; 상기 희생층 위로 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 증착하고 이를 패터닝함으로써 상기 패턴된 전사층을 형성하는 단계를 포함한다.

또한, 상기 구동 박막트랜지스터 위로 전면에 상기 구동 박막트랜지스터의 일 전극을 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계와; 상기 보호층 위로 상기 각 화소영역 내에 기둥형태의 스페이서를 형성하는 단계와; 상기 스페이서를 완전히 덮으며 상기 콘택홀을 통해 상기 구동 박막트랜지스터의 일전극과 접촉하며 각 화소영역에 연결전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 구동 박막트랜지스터의 일전극과 상기 제 2 전극의 전기적인 연결은 상기 스페이서를 덮으며 형성된 상기 연결전극과 상기 제 2 전극이 접촉함으로써 이루어지는 것이 특징이다.

또한, 상기 일실시예 및 또 다른 실시예에 있어, 상기 유기 발광층을 형성하는 단계는, 전자주입층(electron injection layer)과 전자수송층(electron transporting layer)과 유기 발광물질층과, 정공수송층(hole transporting layer) 및 정공주입층(hole injection layer)을 순차 적층하는 단계를 포함한다.

본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법은 유기 발광층과 접촉하는 제 2 전극을 스퍼터링에 의해 형성하지 않음으로 플라즈마에 노출에 의한 유기 발 광층 내부의 손상을 방지하여 다크스팟 현상을 발생에 의한 표시품질 저하를 방지하는 효과가 있다. 나아가 유기 발광층의 손상에 의한 수명 단축을 저감시키는 효과가 있다.

또한, 대면적화에 의해 그 무게가 400Kg 이상이 되는 쉐도우 마스크 없이 대면적화 기판에 무리없는 적용이 가능함으로써 대면적을 갖는 유기전계 발광소자 제조를 용이하게 하는 장점을 갖는다.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 3a 내지 3g는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 구동 박막트랜지스터 및 유기전계 발광 다이오드를 포함하는 하나의 화소영역에 대한 제조 단계별 공정 단면도이다. 이때 설명의 편의를 위해 구동 박막트랜지스터가 형성되는 영역을 구동영역, 그리고 발광 다이오드가 형성되는 영역을 발광영역이라 정의한다.

우선, 도 3a에 도시한 바와 같이, 기판(101) 상에 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(120)을 형성하고, 상기 게이트 및 데이터 배선(미도시, 120)이 교차하는 부근에 이들 두 배선(미도시, 120)과 연결되는 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 일전극과 연결되는 구동 박막트랜지스터(DTr)를 형성한다. 이러한 게이트 및 데이터 배선(미도시, 120)과 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)를 형성 하는 방법은 일반적인 방법에 따르므로 상세한 설명은 생략한다. 도면에 있어서는 폴리실리콘을 이용한 액티브영역(105a)과 불순물 도핑영역(105b)을 갖는 반도체층(105)을 포함하여 그 상부로 게이트 절연막(108)과 게이트 전극(113)과, 층간절연막(117)과 상기 반도체층(105)의 불순물 도핑영역(105b)과 각각 접촉하며 이격하는 소스 및 드레인 전극(125, 128)으로 구성되는 탑 게이트 구조의 박막트랜지스터(DTr)가 형성되고 있음을 보이고 있지만, 상기 박막트랜지스터의 구조는 다양한 변화 및 변경이 가능함은 자명하다. 일례로 게이트 전극과 게이트 절연막과 순수 비정질 실리콘의 액티브층과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층으로 구성된 반도체층과 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극의 적층 구조를 갖는 보텀 게이트 구조의 박막트랜지스터를 형성할 수도 있다.

다음, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시, DTr) 위로 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO₂) 또는 질화실리콘(SiNx)을 증착하거나 또는 유기절연물질 예를들면 벤조사이클로부텐(BCB) 또는 포토아크릴(photo acryl)을 도포함으로써 보호층(133)을 형성하고, 이에 대해 마스크 공정을 진행함으로써 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(128)(도면에서는 드레인 전극이 되고 있지만, 이는 박막트랜지스터의 타입에 따라 소스 전극이 될 수도 있다.)을 노출시키는 콘택홀(135)을 형성한다.

다음, 도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 콘택홀(135)이 형성된 보호층(133) 위로 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합 금(AlNd)을 전면에 스퍼터링을 통해 증착하여 금속층(미도시)을 형성하고, 이에 대해 포토레지스트의 도포, 노광 마스크를 이용한 노광, 노광된 포토레지스트의 현상, 식각 및 스트립 등 일련의 단위 공정을 포함하는 마스크 공정을 실시하여 패터닝함으로써 상기 콘택홀(135)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(128)과 접촉하며 각 화소영역(P)별로 분리된 제 1 전극(140)을 형성한다. 이 경우 상기 각 화소영역(P)별로 분리된 제 1 전극(140)은 아직 유기 발광층이 형성되고 있지 않으므로 스퍼터링 진행에 의해 형성된다 하더라도 문제되지 않는다. 이때 상기 제 1 전극(140)은 캐소드 역할을 하게 된다.

다음, 도 3c에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 전극(140)의 외부로 노출된 상기 보호층(133)과 상기 제 1 전극(140)의 테두리 상부에 상기 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선에(120) 대응하여 격벽(145)을 형성한다. 이때 상기 격벽(145)은 각 화소영역(P)을 포획하는 형태가 되며, 상기 격벽(145)으로 둘러싸인 화소영역(P)에 있어서는 상기 제 1 전극(140)이 노출되고 있다.

다음, 도 3d에 도시한 바와 같이, 상기 격벽(145)이 형성된 기판(101)에 대해 유기 발광물질을 노즐 코팅 또는 잉크젯 코팅 등을 통해 각 화소영역(P)별로 적, 녹, 청색을 발광하는 유기 발광층(150)을 형성한다. 이때 상기 유기 발광층(150)은 그 높이가 상기 격벽(145)의 높이보다 같거나 작게 형성하는 것이 특징이다. 이때 상기 유기 발광층(150)의 높이는 상기 격벽(145) 높이의 90% 내지 98% 정도가 되도록, 더욱 정확히 상기 격벽(145)의 최상층 끝단과 상기 유기 발광층(150)의 표면과의 높이 차이가 수백 Å 내지 1㎛ 정도가 되도록 형성하는 것이 바람직하다. 이렇게 상기 유기 발광층(150)의 높이를 격벽(145)의 높이와 유사하도록 형성하는 이유는 추후 형성될 제 2 전극과 상기 유기 발광층(150)의 표면이 완전 밀착되도록 형성하기 위함이다.

이때 도면에 있어서는 상기 유기 발광층(150)은 단일층 구조를 갖는 것으로 도시되고 있지만, 발광 효율을 높이기 위해 상기 유기 발광층(150)은 다중층 구조를 갖도록 형성될 수도 있다. 즉, 전자주입층(electron injection layer)(미도시)과 전자수송층(electron transporting layer)(미도시)과 발광층(미도시)과 정공수송층(hole transporting layer)(미도시) 및 정공주입층(hole injection layer)(미도시)의 5중층 구조를 갖도록 형성할 수도 있다. 이 경우 이들 5중층 구조의 물질층을 통칭하여 유기 발광층(150)이라 칭하며, 단일층 구조를 이루는 것과 동일하게 다중층 구조를 갖는 상기 유기 발광층(150)의 높이 또한 상기 격벽(145) 높이의 90% 내지 98% 정도가 되도록 하는 것이 바람직하다.

다음, 도 3e에 도시한 바와 같이, 진공의 분위기를 갖는 진공 챔버(190) 내부에서 상기 유기 발광층(150)이 형성된 기판(101)에 대응하여 투명한 유리기판(170) 상에 레이저 빔 조사에 의해 빛 에너지를 열에너지로 바꾸는 것이 가능한 흡수층(173)과 유기물질로 이루어진 희생층(176)과 일함수 값이 높은 투명한 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어진 전사층(179)이 형성된 것을 특징으로 하는 전사기판(170)을 상기 전사층(179)과 상기 유기 발광층(150)이 서로 마주하도록 위치시킨다.

다음, 도 3f에 도시한 바와 같이, 상기 진공 챔버(190) 내에서 서로 마주하 는 전사기판(170)과 유기 발광층(150)이 형성된 기판(101)을 서로 마주하는 상기 유기 발광층(150)과 상기 전사층(179)이 수백 ㎛ 내지 수 mm 정도 이격간격이 되도록 근접시킨다. 이후, 상기 전사기판(170)에 대해 레이저 조사장치(193)를 통해 특정 파장대와 에너지 밀도를 갖는 레이저 빔(LB)을 일측끝단에서 타측끝단으로 스캔하듯이 조사한다. 이 경우 상기 레이저 빔의 파장대와 에너지 밀도는 상기 전사기판(170)의 흡수층(173)을 이루는 물질에 따라 달라질 수 있다. 상기 흡수층(173)은 주로 빛의 투과를 방지하며 조사된 레이저 빔(LB)을 흡수하여 이를 열에너지로 전환시키는 능력이 우수한 금속물질 예를들면 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 알루미늄(Al) 중 하나로 이루어지는 것이 바람직하다.

상기 레이저 빔(LB) 조사에 의해 레이저 빔(LB)이 조사된 부분에 대응하는 흡수층(173)은 상기 조사된 레이저 빔(LB)의 빛 에너지를 열에너지로 변환하게 됨으로써 열을 발산하게 된다. 이때 상기 흡수층(173)으로부터 발산된 열은 상기 유기 물질로 이루어진 희생층(176)으로 전달되고, 상기 희생층(176)은 그 특성상 표면의 접찹력이 약화되며, 따라서 상기 전사층(179)이 서서히 상기 희생층(176)으로부터 떨어져 나오게 된다. 이때, 상기 희생층(176)으로부터 분리된 상기 전사층(179)은 상기 유기 발광층(150) 및 격벽(145)과 접촉하며 유기 발광층(150)이 형성된 기판(101)으로 전사되게 된다.

이때, 이와 같은 공정은 모두 진공의 챔버(190) 내부의 진공의 분위기에서 진행되므로 상기 전사되는 전사층(179)과 유기 발광층(150) 사이에 공기층이 개재될 여지가 없다. 또한, 상기 전사층(179)은 그 자체가 도전성 물질로 이루어지므로 연성 특성을 가지며, 상기 희생층(176)을 통해 전달된 열에 의해 상온보다는 높은 온도를 가짐으로써 상기 유기 발광층(150) 및 격벽(145)과 접촉 시 완전 밀착이 이루어지게 된다. 이 경우 상기 격벽(145)이 상기 유기 발광층(150)의 높이보다 소정간격 높게 형성되지만, 상기 격벽(145)과 유기 발광층(150)과의 높이차는 수백 Å 내지 1㎛ 정도가 되며 이 정도의 두께 차이는 무리없이 상기 전사층(179)의 연성 특성에 의해 극복됨으로써 완전 밀착이 가능하게 된다. 또한, 이러한 투명 도전성 물질의 전사층(179)은 상기 유기 발광층(150)이 형성된 기판(101)으로 전사된 후에는 상기 진공 챔버(190)의 진공의 분위기에서 대기압 분위기를 갖는 챔버 외부로 이동하게 되며, 이 경우 상기 전사층(179)과 유기 절연층(150)의 접촉이 완전히 이루어지지 않은 영역이 발생한다 하여도 이들 두 구성물질 사이의 내부는 진공인 상태가 되므로 대기압에 노출됨과 동시에 기압차에 의해 자연적으로 가압하는 상태를 이루게 됨으로써 상기 유기 발광층(150)과 상기 전사층(179)은 완전 접촉하는 상태를 이루게 된다.

다음 도 3g에 도시한 바와 같이, 상기 유기 발광층(150)이 형성된 기판(101)으로 전사된 상기 투명 도전성 물질의 전사층(도 3f의 179)은 제 2 전극(155)을 이루게 된다. 이 경우 상기 제 2 전극(155)은 애노드 전극의 역할을 하게 된다.

상기 유기 발광층(150) 상부에 형성된 투명 도전성 물질의 제 2 전극(155)은 플라즈마를 이용하는 스퍼터링을 통한 증착에 의해 형성하는 것이 아니기에 상기 플라즈마 분위기에 의한 상기 유기 발광층(150)의 내부 손상은 전혀 발생하지 않는 것이 특징이다. 따라서 상기 유기 발광층 내부의 손상이 없으므로 다크스팟도 발생 하지 않게 되므로 표시품위를 향상시킬 수 있다.

한편, 전술한 전사 방법에 의해 형성된 제 2 전극(155)이 형성된 기판(101)에 대해 도면에 나타내지 않았지만, 그 테두리를 따라 씰패턴(미도시)을 형성하고, 상기 씰패턴(미도시) 내측으로 흡습제(미도시)를 패터닝 한 후, 투명한 기판(미도시)을 진공의 분위기 또는 불활성 기체 분위기에서 합착함으로써 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(100)를 완성할 수 있다.

이때, 전술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자 제조에 이용되는 전사기판의 경우 간단한 방법에 의해 제조할 수 있다. 즉, 투명한 기판 일례로 유리기판 전면에 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 알루미늄(Al) 중에서 선택되는 하나의 금속물질을 스퍼터링을 통해 증착함으로써 흡수층을 형성한다. 이후, 상기 흡수층 위로 열을 받으면 접착력이 저감되는 특성을 갖는 유기물질을 도포함으로써 희생층을 형성하고, 상기 희생층 위로 스퍼터링을 통해 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 증착하여 전사층을 형성함으로써 완성할 수 있다. 이때 상기 희생층은 열을 받으면 다른층과의 계면에서의 접착력이 약화되는 특징으로 가지며, 이때 상기 흡수층과의 접착력보다는 상기 전사층과의 접착력이 더욱 빠른 속도로 약화되는 특징을 갖는다. 따라서 이러한 희생층의 특성에 의해 전사층만이 다른 기판으로 전사되게 되는 것이다.

도 4 는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 하나의 화소영역에 대해 개략적으로 도시한 단면도이다. 제 2 실시예의 경우 구동 및 스위칭 박 막트랜지스터는 액티브층(212a)과 오믹콘택층(212b)을 포함하는 반도체층(212)을 갖는 보텀 게이트 구조를 갖는 것을 일례로 도시하였다.

도시한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자(200)는 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(220)과 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)가 형성된 제 1 기판(201)과, 상기 제 1 기판(201)에 대응하여 제 1, 2 전극(253, 260)과, 상기 두 전극(253, 260) 사이에 개재된 유기 발광층(258)으로 구성된 유기전계 발광 다이오드(E)를 포함하는 제 2 기판(250)과, 상기 제 1, 2 기판(201, 250) 더욱 정확히는 상기 제 1 기판(201)에 각 화소영역(P) 별로 구비된 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(227)과 상기 제 2 기판(250) 하부에 각 화소영역(P)별로 구비된 제 2 전극(260)을 전기적으로 연결시키는 연결전극(245)과, 상기 제 1, 2 기판(201, 250)의 테두리부에 형성된 씰패턴(미도시)을 포함하여 구성되고 있다. 이때 상기 씰패턴 내측에는 흡습물질로 이루어진 흡습패턴(미도시)이 더욱 구성되고 있다.

전술한 구조를 갖는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자(200)의 경우, 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)의 어레이 소자와 유기전계 발광 다이오드(E)를 각각 서로 다른 기판(201, 250)에 구성하여 이를 합착하여 형성하므로 어레이 소자 제조 수율과 유기전계 발광 다이오드 제조 수율을 각각 따로 관리하게 되어 제품 수율 측면에서 유리한 구조가 됨을 알 수 있다.

한편, 본 발명의 제 1 실시예에 있어서는 유기 발광층과 접촉하며 상기 유기 발광층보다 나중에 형성되는 제 2 전극이 기판 전면에 형성되고, 상기 유기 발광층 보다 먼저 형성되는 제 1 전극이 화소영역별로 패터닝되어 형성되는 구성을 가짐을 보이고 있지만, 본 발명의 제 2 실시예에 있어서는 상기 유기 발광층(258)과 접촉하며 상기 유기 발광층(258)보다 나중에 형성되는 제 2 전극(260)이 각 화소영역(P)별로 분리된 형태를 갖고 상기 유기 발광층(258)보다 먼저 형성되는 제 1 전극(253)이 전면에 형성되는 것이 특징이다.

한편, 전술한 구조를 갖는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법에 대해 설명한다. 이때 본 발명의 특징적인 제조방법은 유기 발광층과 접촉하며 형성되는 제 2 전극의 형성에 있으므로 유기전계 발광 다이오드가 형성된 제 2 기판의 제조 방법 위주로 설명한다.

구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)를 포함하는 제 1 기판(201)의 경우, 일반적인 제조방법에 의해 게이트 및 데이터 배선(미도시, 220)과 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)를 형성할 수 있으며, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시) 상부에 콘택홀(235)을 포함하는 보호층(230)을 형성하고, 상기 보호층(230) 상부에 각 화소영역(P) 별로 기둥 형태의 스페이서(240)를 형성한 후, 상기 스페이서(240)를 덮으며 상기 콘택홀(235)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(227)과 접촉하는 연결전극(245)을 형성함으로써 완성할 수 있다.

도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자용 유기전계 발광 다이오드 기판의 하나의 화소영역에 대한 제조 단계별 공정 단면도이다.

우선, 도 5a에 도시한 바와 같이, 제 2 기판(250)의 전면에 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)을 스퍼터링을 통해 증착함으로써 제 1 전극(253)을 형성한다.

다음, 도 5b에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 전극(253) 위로 유기절연물질을 도포하고 이를 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 상기 제 1 기판의 게이트 및 데이터 배선에 대응하여 각 화소영역(P)을 포획하는 형태의 격벽(256)을 형성한다. 이때 상기 격벽(256) 형성 전에 상기 격벽(256)이 형성될 부분에 상기 격벽(256)보다 넓은 폭을 가지며 무기절연물질로써 상기 각 화소영역(P)을 포획하는 형태로 버퍼패턴(미도시)을 더욱 형성할 수도 있다.

다음, 도 5c에 도시한 바와 같이, 상기 격벽(256)이 형성된 상기 제 2 기판(250)에 대해 유기 발광물질을 노즐 코팅 또는 잉크젯 코팅 등을 통해 각 화소영역(P)별로 적, 녹, 청색을 발광하는 유기 발광층(258)을 형성한다. 이때 상기 유기 발광층(258)은 그 높이가 상기 격벽(256)의 높이보다 같거나 작게 형성하는 것이 특징이다. 본 발명의 제 2 실시예의 경우 제 1 실시예와는 달리 상기 유기 발광층(258)과 상기 격벽(256)의 높이 차에 대한 별도의 제한은 없는 것이 특징이다.

한편, 도면에 있어서는 상기 유기 발광층(258)은 단일층 구조를 갖는 것으로 도시되고 있지만, 발광 효율을 높이기 위해 상기 유기 발광층(258)은 다중층 구조를 갖도록 형성될 수도 있다. 이에 대해서는 전술한 제 1 실시예와 동일하므로 그 설명은 생략한다.

다음, 도 5d에 도시한 바와 같이, 진공의 분위기 형성이 가능한 진공 챔 버(290) 내부에 상기 유기 발광층(258)이 형성된 제 2 기판(250)과, 이에 대응하여 투명한 기판(270) 일례로 유리기판 상에 레이저 빔 조사에 의해 빛 에너지를 열에너지로 바꾸는 것이 가능한 흡수층(273)과 유기물질로 이루어진 희생층(276)과 일함수 값이 높은 투명한 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지며 다수의 각 화소영역(P)에 대응하도록 패터닝되어진 형태의 전사층(279)이 형성된 것을 특징으로 하는 전사기판(270)을 상기 전사층(279)과 상기 유기 발광층(258)이 서로 마주하도록 위치시킨다.

다음, 도 5e에 도시한 바와 같이, 상기 진공 챔버(290) 내의 진공의 분위기에서 서로 마주하는 상기 전사기판(270)과 상기 제 2 기판(250)을 서로 마주하는 상기 유기 발광층(258)과 상기 전사층(279)이 수백 ㎛ 내지 수 mm 정도 이격간격이 되도록 근접시킨 상태에서 상기 전사기판(270)에 대해 레이저 조사 장치(293)를 이용하여 특정 파장대와 에너지 밀도를 갖는 레이저 빔(LB)을 일측끝단에서 타측끝단으로 스캔하듯이 조사한다.

상기 레이저 빔(LB) 조사에 의해 상기 특정 파장대와 에너지 밀도를 갖는 레이저 빔(LM)이 조사된 부분에 대응하는 흡수층(273)은 상기 조사된 레이저 빔(LM)의 에너지를 열에너지로 변환하게 됨으로써 열을 발산하게 된다. 이때 상기 흡수층(273)으로부터 발산된 열은 상기 유기 물질로 이루어진 희생층(276)으로 전달되고, 상기 희생층(276)은 그 표면의 접찹력이 약화되며, 따라서 패터닝된 다수의 상기 각 전사층(279)이 서서히 상기 희생층(276)으로부터 떨어져 나오게 된다. 이때, 상기 희생층(276)으로부터 분리된 상기 각 전사층(279)은 각 화소영역(P)별로 형성 된 상기 유기 발광층(258) 접촉하며 유기전계 발광 다이오드 기판(250)으로 전사됨으로써 도 5f에 도시한 바와같이, 각 화소영역(P)별로 분리된 제 2 전극(260)을 이루게 된다. 이때, 이와 같은 공정은 모두 진공 챔버(도 5e의 290) 내부의 진공의 분위기에서 진행되며 상기 전사되어 형성되는 제 2 전극(260)과 유기 발광층(258) 사이에 공기층이 개재될 여지가 없다. 이때 상기 기판(250) 전면에 형성된 제 1 전극(253)과 유기 발광층(258) 및 화소영역(P)별로 형성된 상기 제 2 전극(260)은 유기 전계 발광 다이오드(E)를 이룬다.

이러한 본 발명의 제 2 실시예의 제조 방법에 따른 유기전계 발광 다이오드 기판의 제조에 있어서도 상기 유기 발광층(258)과 접촉하며 형성되는 제 2 전극(260)을 스퍼터링에 의해 형성하지 않고 레이저 조사를 통한 전사방법에 의해 형성함으로써 유기 발광층(258) 손상에 의한 다크스팟을 방지할 수 있다.

다음, 도 4를 참조하면, 전술한 바와 같이 제조된 유기전계 발광 다이오드가 형성된 제 2 기판(250)과 박막트랜지스터(DTr) 및 연결전극(245)이 형성된 제 1 기판(201)을 그 테두리에 씰패턴(미도시)을 형성하고 진공의 분위기 또는 불활성 기체 분위기에서 합착함으로써 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광 소자(200)를 완성할 수 있다.

한편, 이러한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자 제조에 사용되는 전사기판은, 제 1 실시예에 제시된 전사기판의 제조방법에 의해 희생층 상부의 전면에 투명 도전성 물질로써 전면에 이어진 상태의 전사층을 형성한 후, 이를 마스크 공정을 실시하여 패터닝함으로써 각 화소영역 정도의 크기로 분리된 다수의 전사층을 형성함으로써 제조할 수 있다.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 간략한 회로도.

도 2는 종래의 유기전계 발광소자에 대한 개략적인 단면도.

도 3a 내지 3g는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 구동 박막트랜지스터 및 유기전계 발광 다이오드를 포함하는 하나의 화소영역에 대한 제조 단계별 공정 단면도.

도 4 는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 하나의 화소영역에 대해 개략적으로 도시한 단면도.

도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자용 유기전계 발광 다이오드 기판의 하나의 화소영역에 대한 제조 단계별 공정 단면도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉

101 : 기판 105 : 반도체층

105a : 액티브층 105b : 불순물 도핑영역

108 : 게이트 절연막 113 : 게이트 전극

117 : 층간 절연막 120 : 데이터 배선

125 : 소스 전극 128 : 드레인 전극

133 : 보호층 135 : 콘택홀

140 : 제 1 전극 145 : 격벽

150 : 유기 발광층 170 : 전사기판(유리기판)

173 : 흡수층 176 : 희생층

179 : 전사층 190 : 진공챔버

193 : 레이저 조사 장치 LB : 레이저 빔

P : 화소영역

Claims (8)

1. 순차 적층된 흡수층과, 희생층과, 전사층을 갖는 전사기판을 준비하는 단계와;

   기판 상에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 각 화소영역 내에 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 스위칭 박막트랜지스터의 일전극과 연결된 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;

   상기 구동 박막트랜지스터의 일전극과 접촉하는 제 1 전극을 각 화소영역에 형성하는 단계와;

   상기 각 화소영역의 경계에 상기 제 1 전극의 테두리와 중첩하는 격벽을 형성하는 단계와;

   상기 각 화소영역에 상기 제 1 전극 위로 유기 발광층을 형성하는 단계와;

   상기 유기 발광층과 상기 전사층이 이격하며 마주하도록 상기 기판과 상기 전사기판을 위치시키는 단계와;

   진공의 분위기에서 상기 전사기판에 대해 레이저 빔을 일측에서 타측으로 조사하여 상기 전사층을 상기 유기 발광층이 형성된 기판으로 전사시킴으로써 상기 격벽과 유기 발광층과 접촉하는 제 2 전극을 형성하는 단계

   를 포함하며, 상기 흡수층은 빛 에너지를 열에너지로 바꾸는 역할을 하며, 상기 희생층은 열을 받으면 상기 전사층과의 접착력이 약화되는 특성을 갖는 것이 특징인 유기전계 발광소자 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 유기 발광층의 표면과 상기 격벽 최상측 끝단간의 높이차는 수 백Å 내지 1㎛인 것이 특징인 유기전계 발광소자 제조 방법.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 전사기판을 준비하는 단계는,

   상기 투명한 기판 상에 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 알루미늄(Al) 중에서 선택되는 하나의 금속물질을 증착함으로써 상기 흡수층을 형성하는 단계와;

   상기 흡수층 위로 유기물질을 도포하여 상기 희생층을 형성하는 단계와;

   상기 희생층 위로 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 증착함으로써 상기 전사층을 형성하는 단계

   를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조 방법.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 1 전극을 형성하기 전에 상기 구동 박막트랜지스터의 일 전극을 노 출시키는 콘택홀을 갖는 보호층을 전면에 형성하는 단계를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조 방법.
5. 순차 적층된 흡수층과, 희생층과, 패턴된 전사층을 갖는 전사기판을 준비하는 단계와;

   제 1 기판 상에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 각 화소영역 내에 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 스위칭 박막트랜지스터의 일전극과 연결된 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;

   상기 제 1 기판에 대응하는 제 2 기판의 내측면 전면에 제 1 전극을 형성하는 단계와;

   상기 제 1 전극 위로 상기 각 화소영역의 경계에 격벽을 형성하는 단계와;

   상기 격벽으로 둘러싸인 각 화소영역에 상기 제 1 전극 위로 유기 발광층을 형성하는 단계와;

   상기 유기 발광층과 상기 패턴된 전사층이 이격하며 마주하도록 상기 제 2 기판과 상기 전사기판을 위치시키는 단계와;

   진공의 분위기에서 상기 전사기판에 대해 레이저 빔을 일측에서 타측으로 조사하여 상기 패턴된 전사층을 상기 유기 발광층이 형성된 기판으로 전사시킴으로써 상기 각 화소영역별로 상기 유기 발광층과 접촉하는 제 2 전극을 형성하는 단계와;

   상기 구동박막트랜지스터의 일전극과 상기 제 2 전극이 전기적으로 연결되도록 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계

   를 포함하며, 상기 흡수층은 빛 에너지를 열에너지로 바꾸는 역할을 하며, 상기 희생층은 열을 받으면 상기 패턴된 전사층과의 접착력이 약화되는 특성을 갖는 것이 특징인 유기전계 발광소자 제조 방법.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 전사기판을 준비하는 단계는,

   상기 투명한 기판 상에 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 알루미늄(Al) 중에서 선택되는 하나의 금속물질을 증착함으로써 상기 흡수층을 형성하는 단계와;

   상기 흡수층 위로 유기물질을 도포하여 상기 희생층을 형성하는 단계와;

   상기 희생층 위로 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 증착하고 이를 패터닝함으로써 상기 패턴된 전사층을 형성하는 단계

   를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조 방법.
7. 제 5 항에 있어서,

   상기 구동 박막트랜지스터 위로 전면에 상기 구동 박막트랜지스터의 일 전극을 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계와;

   상기 보호층 위로 상기 각 화소영역 내에 기둥형태의 스페이서를 형성하는 단계와;

   상기 스페이서를 완전히 덮으며 상기 콘택홀을 통해 상기 구동 박막트랜지스터의 일전극과 접촉하며 각 화소영역에 연결전극을 형성하는 단계

   를 포함하며, 상기 구동 박막트랜지스터의 일전극과 상기 제 2 전극의 전기적인 연결은 상기 스페이서를 덮으며 형성된 상기 연결전극과 상기 제 2 전극이 접촉함으로써 이루어지는 것이 특징인 유기전계 발광소자의 제조 방법.
8. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,

   상기 유기 발광층을 형성하는 단계는,

   전자주입층(electron injection layer)과 전자수송층(electron transporting layer)과 유기 발광물질층과, 정공수송층(hole transporting layer) 및 정공주입층(hole injection layer)을 순차 적층하는 단계를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조 방법.

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