KR100739065B1 - 유기 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (23)
- 구동 회로 기판의 서브 픽셀 영역에 배치되는 제1 TFT;상기 구동 회로 기판의 서브 픽셀 영역에 배치되고 상기 제1 TFT와 함께 구동 회로부를 구성하며, 제2 반도체층과, 게이트 절연막을 사이에 두고 제2 반도체층의 상부에 형성되는 제2 게이트 전극과, 층간 절연막의 상부에 형성되는 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 제2 TFT;상기 게이트 절연막의 상부에서 상기 제2 게이트 전극과 일체로 형성되는 커패시터용 하부 전극;상기 층간 절연막의 상부에 형성되는 커패시터용 상부 전극;상기 층간 절연막의 상부에서 상기 커패시터용 상부 전극 및 상기 제2 TFT의 소오스 전극과 일체로 형성되는 보조 공통 전원 라인;비아를 통해 상기 제2 TFT의 드레인 전극에 전기적으로 연결되는 제1 전극과, 제1 전극의 상측에 배치되는 제2 전극 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 발광층을 포함하며, 상기 구동 회로부의 상부에 배치되는 발광 소자; 및상기 제1 전극과 동일한 물질로 동일한 층상에 형성되며, 비아를 통해 상기 제2 TFT의 소오스 전극에 전기적으로 연결되는 공통 전원 라인을 포함하고,상기 보조 공통 전원 라인과 상기 제2 TFT의 소오스 전극 및 상기 커패시터용 상부 전극 중에서 적어도 하나가 상기 공통 전원 라인에 전기적으로 연결되는 유기 발광 표시장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제1 전극은 애노드 전극으로 이루어지는 유기 발광 표시장치.
- 제 2항에 있어서,상기 애노드 전극은 Ag를 포함하는 유기 발광 표시장치.
- 제 3항에 있어서,상기 애노드 전극은 ITO/Ag/ITO로 이루어지는 유기 발광 표시장치.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 게이트 절연막의 상부에는 상기 제1 TFT의 제1 게이트 전극 및 제1 게이트 전극과 전기적으로 연결되는 스캔 라인이 더욱 제공되고, 상기 층간 절연막의 상부에는 상기 제1 TFT의 소오스 전극 및 드레인 전극과, 상기 제1 TFT의 소오스 전극과 일체로 형성되는 데이터 라인이 제공되는 유기 발광 표시장치.
- 삭제
- 제 6항에 있어서,상기 커패시터용 하부 전극은 비아를 통해 상기 제1 TFT의 드레인 전극에 전기적으로 연결되고, 상기 공통 전원 라인은 상기 평탄화막의 상부에 위치하며, 상기 커패시터용 상부 전극은 상기 공통 전원 라인에 비아를 통해 전기적으로 연결되는 유기 발광 표시장치.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 보조 공통 전원 라인은 상기 공통 전원 라인이 형성된 방향을 따라 인접 배치된 서브 픽셀과 전기적으로 단선되는 유기 발광 표시장치.
- 제 1항에 있어서,상기 보조 공통 전원 라인은 상기 공통 전원 라인이 형성된 방향을 따라 인접 배치된 서브 픽셀과 전기적으로 연결되는 유기 발광 표시장치.
- 구동 회로 기판;소오스 영역과 드레인 영역 및 채널 영역을 구비하며, 상기 구동 회로 기판의 서브 픽셀 영역에 배치되는 제1 TFT의 제1 반도체층 및 제2 TFT의 제2 반도체층;상기 제1 및 제2 반도체층의 상부에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막의 상부에 형성되는 제1 TFT의 제1 게이트 전극 및 제2 TFT의 제2 게이트 전극과, 상기 제1 게이트 전극과 전기적으로 연결되는 스캔 라인과, 상기 제2 게이트 전극과 같은 물질로 형성되는 커패시터용 하부 전극;상기 제1 및 제2 게이트 전극, 상기 스캔 라인 및 상기 게이트 절연막의 상부에 형성되는 층간 절연막;상기 층간 절연막의 상부에 배치되는 커패시터용 상부 전극과, 상기 제1 및 제2 TFT의 소오스 전극 및 드레인 전극과, 상기 제1 TFT의 소오스 전극과 일체로 형성되며 상기 스캔 라인과 직교하도록 배치되는 데이터 라인과, 상기 상부 전극 및 상기 제2 TFT의 소오스 전극과 일체로 형성되는 보조 공통 전원 라인;상기 제1 및 제2 제2 TFT의 소오스 전극 및 드레인 전극과 상기 데이터 라인 및 상기 층간 절연막의 상부에 형성되는 평탄화막;비아를 통해 상기 제2 TFT의 드레인 전극에 전기적으로 연결되는 제1 전극과, 제1 전극의 상부에 제공되는 발광층 및 발광층의 상부에 제공되는 제2 전극을 포함하며, 상기 평탄화막의 상부에 제공되는 발광 소자; 및상기 제1 전극과 동일한 물질로 동일한 층상에 제공되며, 비아를 통해 상기 제2 TFT의 소오스 전극에 전기적으로 연결되는 공통 전원 라인을 포함하는 유기 발광 표시장치.
- 제 12항에 있어서,상기 하부 전극은 비아를 통해 상기 제1 TFT의 드레인 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 상부 전극은 비아를 통해 상기 공통 전원 라인과 전기적으로 연결되는 유기 발광 표시장치.
- 삭제
- 제 12항에 있어서,상기 보조 공통 전원 라인이 상기 공통 전원 라인이 형성된 방향을 따라 인접 배치된 서브 픽셀과 전기적으로 단선되는 유기 발광 표시장치.
- 제 12항에 있어서,상기 보조 공통 전원 라인이 상기 공통 전원 라인이 형성된 방향을 따라 인접 배치된 서브 픽셀과 전기적으로 연결되는 유기 발광 표시장치.
- 제 12항, 제 13항, 제 15항, 및 제 16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 전극은 애노드 전극으로 이루어지는 유기 발광 표시장치.
- 제 17항에 있어서,상기 애노드 전극은 Ag를 포함하는 유기 발광 표시장치.
- 제 18항에 있어서,상기 애노드 전극은 ITO/Ag/ITO로 이루어지는 유기 발광 표시장치.
- 구동 회로 기판의 서브 픽셀 영역에 제1 TFT의 제1 반도체층 및 제2 TFT의 제2 반도체층을 형성하는 단계;게이트 절연막을 형성하는 단계;제1 TFT의 제1 게이트 전극 및 제1 게이트 전극과 연결되는 스캔 라인과, 제2 TFT의 제2 게이트 전극 및 제2 게이트 전극과 연결되는 커패시터용 하부 전극을 형성하는 단계;층간 절연막을 형성하는 단계;제1 TFT의 소오스 전극 및 드레인 전극과, 제2 TFT의 소오스 전극 및 드레인 전극과, 제1 TFT의 소오스 전극과 일체로 형성되는 데이터 라인과, 커패시터용 상부 전극과, 상기 상부 전극 및 상기 제2 TFT의 소오스 전극과 연결되는 보조 공통 전원 라인을 형성하는 단계;평탄화막을 형성하는 단계;상기 제2 TFT의 소오스 전극과 상기 상부 전극에 전기적으로 연결되는 공통 전원 라인 및 상기 제2 TFT의 드레인 전극에 전기적으로 연결되는 제1 전극을 서로 동일한 물질로 형성하는 단계; 및상기 제1 전극 위에 발광층 및 제2 전극을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시장치의 제조 방법.
- 삭제
- 제 20항에 있어서,상기 보조 공통 전원 라인을 상기 공통 전원 라인의 방향을 따라 인접 배치된 서브 픽셀과 전기적으로 단선시키는 유기 발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 20항에 있어서,상기 보조 공통 전원 라인을 상기 공통 전원 라인의 방향을 따라 인접 배치된 서브 픽셀과 전기적으로 연결시키는 유기 발광 표시장치의 제조 방법.
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