KR20070013214A - 실리콘 단결정 제조 방법 및 실리콘 단결정 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (4)
- 도가니에 수용된 실리콘 융액으로부터 실리콘 단결정을 인상하면서 성장시켜 제조하는 실리콘 단결정 제조 방법으로서,상기 실리콘 단결정의 직경 방향으로 자장을 인가하는 자장 인가 단계를 구비하고,상기 실리콘 융액의 액면에 대한 상기 자장 중심의 높이 위치를 상기 실리콘 단결정의 축방향 온도 구배가 직경 방향의 각 부위에 있어서 일정해지도록 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,자장을 인가하면서 인상 속도를 0.2mm/분 내지 0.6mm/분의 범위에서 변화시킨 시험적인 인상을 실시하였을 때,상기 실리콘 단결정의 축방향으로 차례로 발생하는 결정 결함 상태가 상이한 영역을 각각 제 1 결정 결함 영역과 제 2 결정 결함 영역으로 하고,상기 제 1 결정 결함 영역과 상기 제 2 결정 결함 영역 사이에 형성되는 경계면에 있어서, 단결정 외주부에 있어서의 상기 경계면 위치와 단결정 중심부에 있어서의 상기 경계면 위치의 결정 성장축 방향에 있어서의 거리를 Lmm 로 하였을 때,이 거리 L 의 실리콘 단결정 직경 Dmm 에 대한 비는,L/D=35/300∼105/300 이 되는 자장 조건을 구하는 공정과,상기 실리콘 단결정의 인상에 있어서, 상기 실리콘 융액의 액면에 대한 상기 자장 중심의 높이 위치를 상기 자장 조건이 되도록 제어하여 상기 실리콘 단결정의 인상을 실시하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 2 결정 결함 영역이 공공형 점결함의 응집체 및 격자간의 실리콘형 점결함의 응집체가 존재하지 않는 퍼펙트 영역인 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조 방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 실리콘 단결정 제조 방법을 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정.
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