JP4260650B2 - 光電気複合基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、光電気複合基板及びその製造方法に係り、さらに詳しくは、電気信号用配線と光信号用導波路とを備えて構成される光電気複合基板及びその製造方法に関する。

近年、光ファイバ通信技術を中心に基幹系の通信回線の整備が着々と進行する中でボトルネックとなりつつあるのが情報端末内の電気的配線である。このような背景から、すべての信号伝達を電気信号によって行う従来の電気回路基板に代わって、電気信号の伝達速度の限界を補うために、高速部分を光信号で伝達するタイプの光電気複合基板が提案されている。

図１に示すように、従来の光電気複合基板では、コア部１０２がクラッド部１０４よって囲まれた構造の光導波路１０６が下側回路基板１００上に接着層１０８により貼着されている。また、光導波路１０６上には上側回路基板２００が透明な接着層１０８ａによって貼着されている。上側回路基板２００上の所要部には光デバイスが電気的に接続される接続パッド２０２が設けられている。光導波路１６は図１の図面に対して垂直方向に伸びて敷設されている。

さらに、接続パッド２０２の下方の上側回路基板２００、クラッド部１０４、及び下側回路基板１００の部分にはスルーホール３００が設けられている。

スルーホール３００の内面にはスルーホール導電膜３０２が形成されており、スルーホール３００の孔には樹脂体３０４が充填されている。スルーホール導電膜３０２は、上側回路基板２００上の接続パッド２０２に接続されていると共に、下側回路基板１００に内蔵された配線層（不図示）に接続されている。

また、光導波路１０６のコア部１０２を含む領域上の上側回路基板２００の部分には開口部２００ａが設けられている。さらに、上側回路基板２００の接続パッド２０２に光デバイス４００の端子が電気的に接続されている。光デバイス４００（例えば発光素子）は下側回路基板１００からスルーホール導電膜３０２を介して供給される電気信号によって駆動し、その発光面（下面）から放出された光が上側回路基板２００の開口部２００ａを通って光導波路１０６の光入射部Ａに入射される。そして、コア部１０２に入射された光信号は、全反射を繰り返して伝播し、光導波路１０６の他端上に配置された受光素子に入射されて再び電気信号に変換される。

このような構成に類似した光電気複合基板は、例えば特許文献１に記載されている。
特開２００３−２８７６３７号公報

ところで、光デバイス４００と光導波路１０６との良好な光結合性を得るには、第１に、光デバイス４００の発光部と光導波路１０６の光入射部Ａとのｘ−ｙ方向（図１の水平方向）のずれが少ないことが要求される。つまり、光デバイス４００から出射される光が、光導波路１０６の光入射部Ａからはみ出すことなくその内側に位置あわせされた状態で入射されることが肝要である。

また、第２には、光デバイス４００と光導波路１０６との距離（図のｚ方向）が重要なファクターとなる。つまり、発光素子４００の発光面（下面）と光導波路１０６との距離が長くなればなるほど光入射部Ａに入射する光束の幅は広くなることから、距離が長くなると光入射部Ａの面積を必要以上に大きくする必要がある。光導波路１０６の光入射部Ａの面積には限りがあるので、光デバイス４００と光導波路１０６との距離を短く設定することが肝要である。

例えば、図２に示すように、光デバイス４００の光の放射角度θが２３°、光導波路１０６の光入射部Ａの面積が３５×３５μｍ²の場合、光デバイス４００の光束の幅wが光導波路１０６の光入射部Ａに一致するときの光デバイス４００と光導波路１０６との距離ｄは８７．５μｍとなる。なお、図２では、光デバイス４００の発光部と光導波路１０６の光入射部Ａとにおいてｘ−ｙ方向の位置ずれがない場合を示している。

さらには、図３に示すように、光デバイス４００と光導波路１０６との距離ｄを図２よりも短く設定すると、光入射部Ａに入射する光束の幅wが狭くなり、光が光入射部Ａの内側に入射されるようになるので、ｘ−ｙ方向の位置ずれの許容量を大きく設定できることになる。

以上のように、光デバイス４００と光導波路１０６との距離ｄを短くする方が、光導波路１０６の光入射部Ａの面積を小さくできると共に、ｘ−ｙ方向のずれの許容値を大きく設定できることが理解される。

前述した従来技術では、接続パッド２０２を備えた上側回路基板２００と光導波路１０６とを接着層１０８ａを介して貼着するため、光デバイス４００が実装される接続パッド２０２と光導波路１０６の光入射部Ａとの精密な位置合わせが困難であり、相互位置関係の設定が難しい。従って、光デバイス４００からの光と光導波路１０６の光入射部Ａとにおいてｘ−ｙ方向の位置ずれが発生しやすく、所望の光結合性が得られなくなる場合が想定される。

さらには、光デバイス４００は上側回路基板２００上に実装されるので、接続パッド２０２を含む上側回路基板２００及び接着層１０８ａの厚み分だけ、光デバイス４００が光導波路１０６から離れてしまう。このため、光導波路１０６の光入射部Ａの面積が小さくなる場合には、発光素子４００の光束が光入射部１０６ａからはみ出すことになるので、所望の光結合性が得られないという問題がある。

上記した特許文献１では、これらの問題に関しては何ら考慮されていない。

本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、光デバイスと光導波路との水平方向の位置ずれを低減できると共に、光デバイスと光導波路との距離を最短に設定できる光電気複合基板及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は光電気複合基板に係り、絶縁膜と、コア部と該コア部を囲むクラッド部とにより構成される光導波路であって、少なくとも前記クラッド部の上面が前記絶縁膜から露出した状態で前記絶縁膜に埋設された前記光導波路と、前記絶縁膜を貫通するビアホールと、前記ビアホールに形成された導電体と、光デバイスを実装するための、前記導電体の上端側に接続された接続端子とを有することを特徴とする。

本発明の一つの好適な態様では、接続端子が絶縁膜の上面から突出していてもよいし、接続端子がビアホールの上部に埋め込まれて、接続端子と絶縁膜面とが同一面で形成されていてもよい。また、光導波路は絶縁膜の上面から突出していてもよいし、光導波路の上面と絶縁膜の上面とが同一面となっていてもよい。そして、光デバイスの発光面又は受光面が光導波路の所要部に対向するようにして、光デバイスが接続端子に接続される。

例えば、絶縁膜及び光導波路の上面が同一面で形成され、接続端子が絶縁膜上面から所定高さで突出して形成されている場合は、接続端子の高さのみによって光デバイスと光導波路との距離を調整することができる。あるいは、接続端子、絶縁膜及び光導波路の上面がそれぞれ同一面で形成される場合は、光デバイスに設けられるバンプの高さにより、光デバイスと光導波路との距離を調整することができる。さらには、光導波路が絶縁膜の上面から突出している場合は、接続端子（又は光デバイスのバンプ）の高さと光導波路の突出高さとによって光デバイスと光導波路との距離を調整することができる。

このため、光デバイスと光導波路とを接触しない程度まで容易に近接させることが可能となり、光結合性を向上させることができる。また、光デバイスと光導波路とを近接させることが可能になるので、光導波路の光入射部の面積を不必要に大きくする必要がなく、光電気複合基板の高密度化に容易に対応することができる。しかも、光デバイスと光導波路との距離を最短にできることから、例えば光デバイスが発光素子の場合、光導波路の光入射部に入射する際の光束の幅を狭くすることが可能となる。このため、光デバイスからの光が光導波路の光入射部の内側に入射されるようになるので、光デバイスと光入射部との水平方向の位置ずれの許容量を大きく設定でき、製造プロセスでの位置ずれ精度を緩和することができる。

上記課題を解決するため、本発明は光電気複合基板の製造方法に係り、仮基板上にコア部と該コア部を囲むクラッド部とにより構成される光導波路を形成する工程と、前記光導波路を被覆する絶縁膜を前記仮基板上に形成する工程と、前記絶縁膜を貫通して前記仮基板に到達するビアホールを形成する工程と、前記ビアホール内に金属層及び導電体を順次形成する工程と、前記仮基板を選択的に除去することにより、前記金属層、前記光導波路の前記クラッド部の上面及び前記絶縁膜の上面を露出させて、前記金属層よりなる接続端子を得る工程とを有することを特徴とする。

本発明では、まず、仮基板（例えば銅箔）上に光導波路が形成され、続いて光導波路を被覆する絶縁膜が形成される。次いで、仮基板に到達する深さのビアホールが絶縁膜に形成される。続いて、ビアホールに金属層及び導電体がそれぞれ形成され、その後に仮基板が選択的に除去される。これにより、金属層、光導波路及び絶縁膜の上面が露出して、金属層よりなる接続端子が得られる。

このような製造方法を使用することにより、上述したような構成の光電気複合基板を容易に製造することができる。本発明では、接続端子は、従来技術と違って光導波路の近傍上に接続端子を備えた回路基板が貼着されて形成されるのではなく、一連の同一製造プロセスで同一基板に光導波路の光入射部（又は光放出部）に高精度で位置合わせされて形成される。これに伴って、接続端子に実装される光デバイスも光導波路の光入射部（又は光出射部）に位置合わせされて実装されることになる。

従って、従来技術と違って、位置ずれによって光デバイスからの光が光導波路の光入射部からはみ出すおそれがなくなり、良好な光結合性が得られるようになる。

上記した発明において、接続端子が絶縁膜の上面から所定高さで突出する構造を得るには、ビアホールを形成する際に、ビアホールに連通する凹部を仮基板に形成し、その後に凹部に金属層を形成すればよい。

また、上記した発明において、光導波路が絶縁膜の上面から突出する構造を得るには、仮基板上に光導波路を形成する工程において、仮基板に、光導波路の幅に対応するくぼみ部を形成した後に、くぼみ部に光導波路の一部が嵌るように光導波路を形成すればよい。

以上説明したように、本発明の光電気複合基板では、光デバイスと光導波路とを極限まで近接させることができると共に、位置ずれが低減されるので良好な光結合性が得られるようになる。

以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。

（第１の実施の形態）
図４〜図７は本発明の第１実施形態の光電気複合基板の製造方法を示す断面図である。

本発明の第１実施形態の光電気複合基板の製造方法は、図４（ａ）に示すように、まず、仮基板として機能する銅箔１０を用意する。その後に、図４（ｂ）に示すように、銅箔１０の片面にコア部１４がクラッド部１２によって囲まれた構造の光導波路１６を形成する。コア部１４は、その屈折率がクラッド部１２の屈折率よりも高くなるように設定されている。なお、本実施形態の製造方法で使用する「上」は図面での下面上を示す場合がある。

光導波路１６の形成方法の第１例としては、図８（ａ）に示すように、まず、銅箔１０上に第１クラッド層１２ａを形成した後、その上に第１クラッド層１２ａよりも屈折率の高いコア層１４ａを形成する。次いで、図８（ｂ）に示すように、コア部１４を形成するためのレジスト膜１５をコア層１４ａ上にパターニングする。続いて、図８（ｃ）に示すように、このレジスト膜１５をマスクにしてコア層１４ａをＲＩＥによりエッチングした後、レジスト膜１５を除去することにより、コア部１４を得る。

次いで、図８（ｄ）に示すように、コア部１４を被覆するようにして、第１クラッド層１２ａと同一材料よりなる第２クラッド層１２ｂを形成した後に、所要の光導波路１６が得られるように、第２クラッド層１２ａ上にレジスト膜１５ａをパターニングする。続いて、図８（ｅ）に示すように、このレジスト膜１５ａをマスクにして第２クラッド層１２ｂ及び第１クラッド層１２ａをエッチングする。その後にレジスト膜１５ａが除去される。

これにより、図８（ｅ）に示すようなコア部１４がクラッド部１２によって囲まれた構造の光導波路１６が得られる。第１、第２クラッド層１２ａ，１２ｂ及びコア層１４ａの材料としては、石英系ガラス、フッ素系ポリイミド又はＵＶ硬化型エポキシ樹脂が好適に使用される。その形成方法としては、ＣＶＤ法や塗布法が採用される。

また、導波路１６の形成方法の第２例としては、図９（ａ）に示すように、まず、銅箔１０上に第１クラッド層１２ａを形成した後に、感光性ポリイミドなどよりなるコア層１４ａを形成する。次いで、図９（ｂ）に示すように、コア層１４ａのコア部１４になる部分に露光マスク１７を介して選択的に露光した後、現像する。これにより、図９（ｃ）に示すように、コア層１４ａがパターニングされて第１クラッド層１２ａ上にコア部１４が形成される。

さらに、図９（ｄ）に示すように、第１例と同様に、コア部１４を被覆する第２クラッド層１２ｂを形成した後に、レジスト膜１５ａをパターニングし、このレジスト膜１５ａをマスクにして第２クラッド層１２ｂ及び第１クラッド層１２ａをエッチングする。その後に、レジスト膜１５ａが除去される。これにより、図９（ｅ）に示すように、コア部１４がクラッド部１２によって囲まれた構造の光導波路１６が得られる。

あるいは、導波路１６の形成方法の第３例としては、図１０（ａ）に示すように、まず、銅箔１０上に第１クラッド層１２ａ及びコア層１４ａを順次形成する。第３例では、コア層１４ａの材料として、紫外線照射によって屈折率が上昇するポリイミドなどの樹脂からなる材料が使用される。その後に、図１０（ｂ）に示すように、コア層１４ａのコア部１４になる部分に紫外線を選択的に照射することにより、クラッド層１２ａよりも高い屈折率を有するコア部１４を形成する。

次いで、図１０（ｃ）に示すように、コア部１４を被覆する第２クラッド層１２ｂを形成した後に、第２クラッド層１２ｂ上にレジスト膜１５ａをパターニングする。続いて、このレジスト膜１５ａをマスクにして第２クラッド層１２ｂ、第１クラッド層１２ａ及びコア層１４ａのコア部１４になる部分以外の領域をエッチングする。その後に、レジスト膜１５ａが除去される。これにより、図１０（ｄ）に示すように、コア部１４がクラッド部１２によって囲まれた構造の光導波路１６が得られる。

さらには、光導波路１６の形成方法の第４例としては、コア部がクラッド部によって囲まれた構造の光導波路の部材を用意し、その部材を銅箔１０に接着層を介して貼着するようにしてもよい。

以上のようにして、銅箔１０の片面に光導波路１６を形成した後に、図４（ｃ）に示すように、銅箔１０及び光導波路１６上にエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの樹脂フィルムを貼着するなどして絶縁膜１８を形成する。これにより、光導波路１６は絶縁膜１８内に埋設されると共に、絶縁膜１８の露出面（図４（ｃ）の下面）が平坦化された状態で形成される。

続いて、図４（ｄ）に示すように、絶縁膜１８の所要部をレーザなどで加工することにより、銅箔１０に到達する深さの第１ビアホール１８ｘを形成する。このとき、第１ビアホール１８ｘは光導波路１６の光入射部（又は光出射部）に高精度で位置合わせされた状態で形成される。さらに、図５（ａ）に示すように、第１ビアホール１８ｘの底面に露出する銅箔１０の部分をエッチングすることにより、凹部１０ｘを形成する。銅箔１０のエッチングとしては、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液などを用いたウェットエッチングが採用される。あるいは、銅箔１０が異方性に加工される手段を採用してもよい。

次いで、図５（ｂ）に示すように、銅箔１０をめっき給電層に利用した電解めっきにより、銅箔１０の凹部１０ｘにはんだ、金又は銅などよりなる金属層２２ａを形成する。さらに、同様な電解めっきにより、第１ビアホール１８ｘの中にＣｕ膜などを充填して、金属層２２ａに接続される導電体２４を形成する。

なお、後に説明するように、銅箔１０は所定の段階で選択的に剥離され、金属層２２ａが露出して光デバイスが接続される接続端子となる。上記したように、第１ビアホール１８ｘが光導波路１６の所要部に位置合わせされて形成されるので、金属層２２ａ（接続端子）も光導波路１６の所要部に位置合わせされた状態で形成されることになる。

次に、導電体２４に接続されるビルドアップ配線層の形成方法について説明する。

まず、図５（ｃ）に示すように、導電体２４に接続される第１配線層２８を絶縁膜１８の上（下面）に形成する。第１配線層２８は、例えば、セミアディティブ法によって形成される。詳しく説明すると、導電体２４及び絶縁膜１８上に無電解めっきなどによりシード層（不図示）を形成した後に、第１配線層２８に対応する開口部を備えたレジスト膜（不図示）をシード層上に形成する。その後に、シード層をめっき給電層に利用する銅などの電解めっきにより、レジスト膜の開口部に金属膜（不図示）を形成する。次いで、レジスト膜を除去した後に、金属膜をマスクにしてシード層をエッチングすることにより第１配線層２８を得る。第１配線層２８の形成方法としては、この他に、サブトラクティブ法やフルアディティブ法などがある。

次いで、図６（ａ）に示すように、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの樹脂フィルムを貼着するなどして第１配線層２８を被覆する層間絶縁膜３０を形成した後、第１配線層２８上の層間絶縁膜３０の部分に第２ビアホール３０ｘを形成する。さらに、第１配線層２８の形成方法と同様な方法により、第２ビアホール３０ｘを介して第１配線層２８に接続される第２配線層２８ａを層間絶縁膜３０上に形成する。本実施形態では、２層のビルドアップ配線層２８，２８ａが形成された形態を例示したが、ｎ層（ｎは１以上の整数）の配線層が形成された形態としてもよい。さらに、第２配線層２８ａ上に開口部３４ｘが設けられたソルダレジストなどの保護層３４を層間絶縁膜３０上に形成する。

その後に、図６（ａ）の構造体から銅箔１０を選択的に剥離して除去する。これにより、図６（ｂ）に示すように、光導波路１６、絶縁膜１８及び金属層２２ａの上面が露出する。金属層２２ａは、絶縁膜１８及び光導波路１６の上面から所定の高さで突出して形成され、後に光デバイスが接続される接続端子２２となる。なお、図６（ｂ）では、半球状の接続端子２２（バンプ）が例示されているが、銅箔１０に凹部１０ｘを形成する際に銅箔１０が異方性に加工される手段を用いることで四角状の電極を形成することも可能である。また、接続端子２２の高さは、銅箔１０に形成される凹部１０ｘの深さによって適宜調整可能である。

本実施形態では、接続端子２２の高さによって光デバイスの発光面と光導波路１６との距離が決定されるので、それらを極限まで近接させることができ、光結合性を向上させることができる。

なお、上述した形態では、ビルドアップ配線層を形成した後に仮基板である銅箔１０を剥離しているが、金属層２２ａ及び導電体２４を形成した後（図５（ｂ）の工程の後）であればどの段階で剥離してもよい。また、仮基板として銅箔１０を使用する形態を例示したが、金属層２２ａ、光導波路１６及び絶縁膜１８に対して選択的に除去できる材料であればよく、銅箔１０以外にも各種の金属板などを使用できる。金属板を使用する場合はウェットエッチングにより選択的に除去される。

以上により、本発明の第１実施形態の光電気複合基板１が得られる。そして、図７に示すように、光デバイス４０の接続電極が光電気複合基板１の接続端子２２にフリップチップ接続される。本実施形態では、光デバイス４０として、光導波路１６の一端側に発光素子が実装され、光導波路１６の他端側に受光素子が実装される。本実施形態の光電気複合基板の応用例については、第２実施形態を参照されたい。

本実施形態の光電気複合基板１では、図７に示すように、コア部１４がクラッド部１２で囲まれた構造の光導波路１６が、その上面が露出する状態で絶縁膜１８の中に埋設されている。すなわち、好適には、光導波路１６の上面と絶縁膜１８の上面とが同一面となっている。光導波路１６は、図７の図面に対して垂直方向に伸びて敷設されている。絶縁膜１８にはそれを貫通する第１ビアホール１８ｘが形成されており、第１ビアホール１８ｘの中には導電体２４が充填されている。

さらに、導電体２４の上面には接続端子２２が設けられており、その接続端子２２は絶縁膜１８の上面から所要の高さで突出している。接続端子２２には光デバイス４０の接続電極が電気的に接続されている。

また、絶縁膜１８の下面には導電体２４に接続された第１配線層２８が形成されている。さらに、絶縁膜１８及び第１配線層２８の上（下面）には、第１配線層２８上に第２ビアホール３０ｘが形成された層間絶縁膜３０が形成されている。層間絶縁膜３０の上（下面）には第２ビアホール３０ｘを介して第１配線層２８に接続される第２配線層２８ａが形成されている。第２配線層２８ａ上に開口部３４ｘが設けられた保護層３４が層間絶縁膜３０上に形成されている。開口部３４ｘに露出する第２配線層２８ａは外部接続端子として機能する。あるいは、配線層２８ａに端子を接続して外部接続端子としてもよい。

本実施形態の光電気複合基板１では、同一面となって形成される絶縁膜１８及び光導波路１６の上面から所定高さで突出して接続端子２２が設けられ、その接続端子２２に光デバイス４０（例えば発光素子）が実装されている。つまり、接続端子２２の高さのみによって光デバイス４０の発光面（下面）と光導波路１６との距離ｄが決定されるので、光デバイス４０と光導波路１６とを極限まで近接させることが可能となり、光結合性を向上させることができる。また、光デバイス４０と光導波路１６とを近接させることが可能となることから、光導波路１６の光入射部の面積を不必要に大きくする必要がなく、光電気複合基板の高密度化に容易に対応することができる。

しかも、光デバイス４０と光導波路１６との距離ｄを最短にできることから、光導波路１６の光入射部に入射する際の光デバイス４０光束の幅を狭くすることが可能となる。これによって、光デバイス４０からの光が光導波路１６の光入射部の内側に入射されるようになるので、ｘ−ｙ方向の位置ずれの許容量を大きく設定でき、製造プロセスでの位置ずれ精度を緩和することができる。

さらには、接続端子２２は、従来技術と違って基板同士が貼着されて形成されるのではなく、一連の製造プロセスで同一基板上に光導波路１６の光入射部に高精度で位置合わせされた状態で形成される。これに伴って、接続端子２２に実装される光デバイス４０も光導波路１６の光入射部に位置合わせされて実装されることになる。

従って、光デバイス４０からの光が位置ずれによって光導波路１６の光入射部からはみ出すおそれがなくなり、良好な光結合性が得られるようになる。なお、光デバイス４０が受光素子である場合も同様な効果が得られる。

（第２の実施の形態）
図１１〜図１３は本発明の第２実施形態の光電気複合基板の製造方法を示す断面図である。第２実施形態の特徴は、光導波路の上面を絶縁膜の上面から突出させて形成することにより、接続端子の高さと光導波路の突出高さによって光デバイスと光導波路との距離を調整する点にある。図１１〜図１３において第１実施形態と同一工程についてはその説明を省略する。

第２実施形態の光電気複合基板の製造方法は、まず、図１１（ａ）に示すように、第１実施形態と同様に、仮基板として機能する銅箔１０を用意する。その後に、図１１（ｂ）に示すように、第２実施形態では、銅箔１０の所要部にくぼみ部１１を形成する。くぼみ部１０ｘは例えばフォトリソグラフィ及びエッチングにより形成される。このくぼみ部１１は、第１実施形態において光導波路１６の上面を絶縁膜１８の上面よりも高く設定することにより、光デバイスと光導波路との距離を調整するために形成される。このため、くぼみ部１１の幅及び長さは光導波路の幅及び長さに対応するように設定され、くぼみ部１１の深さは後に形成される接続端子の高さよりも低く設定される。

次いで、図１１（ｃ）に示すように、第１実施形態と同様な方法で、コア部１４がクラッド部１２によって囲まれた構造の光導波路１６を銅箔１０のくぼみ部１１上に形成する。これにより、光導波路１６はその一部分がくぼみ部１１に嵌った状態で形成される。

次いで、図１１（ｄ）及び（ｅ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、光導波路１６を被覆する絶縁膜１８を形成した後に、絶縁膜１８の所要部に第１ビアホール１８ｘを形成し、さらに第１ビアホール１８ｘの底部に露出する銅箔の部分に凹部１０ｘを形成する。

続いて、図１２（ａ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、銅箔１０の凹部１０ｘ内に金属層２２ａを形成した後に、金属層２２ａに接続される導電体２４を第１ビアホール１８ｘ内に充填する。

次いで、図１２（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、導電体２４に接続される第１配線層２８を絶縁膜１８の上（下面）に形成する。さらに、図１２（ｃ）に示すように、層間絶縁膜３０に設けられた第２ビアホール３０ｘを介して第１配線層２８に接続される第２配線層２８ａを層間絶縁膜３０上に形成する。続いて、第２配線層２８ａ上に開口部３４ｘが設けられた保護層３４を形成する。

その後に、図１２（ｃ）の構造体から銅箔１０を選択的に剥離して除去する。これにより、図１２（ｄ）に示すように、第１実施形態と同様に金属層２２ａが露出して接続端子２２が得られると共に、光導波路１６及び絶縁膜１８の上部が露出する。以上により、第２実施形態の光電気複合基板１ａが得られる。そして、図１３に示すように、光デバイス４０の接続電極が光電気複合基板１ａの接続端子２２に接続される。第２実施形態の光電気複合基板１ａでは、光導波路１６が絶縁膜１８の上面から突出している以外は、第１実施形態の光複合基板１と同一であるので、その説明を省略する。

第２実施形態では、光導波路１６の一部分が銅箔１０のくぼみ部１１に嵌った状態で形成されるので、光導波路１６の上面が絶縁膜１８の上面よりも銅箔１０のくぼみ部１１の深さ分だけ上に配置されることになる。従って、光デバイス４０と光導波路１６との距離ｄは、接続端子２２の高さから光導波路１６の絶縁膜１８からの突出高さを差し引いたものとなる。このため、光導波路１６の突出高さは、接続端子２２の高さよりも低く設定される。

このように、第２実施形態では、第１実施形態と同一高さの接続端子２２を形成する場合においても、光導波路１６を絶縁膜１８の上面から突出させることにより、第１実施形態より光デバイス４０と光導波路１６の距離ｄを短く設定することができる。

第１実施形態では、光デバイス４０と光導波路１６とを接触しない程度に極度に近づける場合、接続端子２２の高さのみで調整するので、接続端子２２の面積を十分に確保できないなどの不具合が発生する場合が想定される。

しかしながら、第２実施形態では、接続端子２２の高さを十分に確保する場合であっても、光導波路１６を絶縁膜１８から突出させることにより光デバイス４０と光導波路１６とを接触しない程度まで近接させることが可能となる。従って、光デバイス４０と光導波路１６とを極度に近接させる場合であっても、光デバイス４０は信頼性よく接続端子２２に接合される。

以上のように、第２実施形態は、第１実施形態と同様な効果を奏すると共に、光デバイス４０と光導波路１６とを極度に近接させる際に都合がよい。

次に、以上のようにして基本構成される光電気複合基板１ａが、光導波路を備えたＭＣＭ（Multi Chip Module）基板に適用される場合の一例について説明する。

図１４は本発明の第２実施形態の光電気複合基板が光導波路を備えたＭＣＭ基板に適用される場合の一例を示す断面図である。なお、前述した図１３は、図１４のＩ−Ｉに沿った断面に対応する模式図であるが、図１４と異なる部分を含む。

図１４に示すように、本実施形態の光電気複合基板１ａが適用されたＭＣＭ基板２では、絶縁膜１８に第１ビアホール１８ｘが設けられており、その中に導電体２４が充填されている。さらに、絶縁膜１８の上面から所定高さで突出する接続端子２２が導電体２４の上面に接続されて形成されている。さらに、光導波路１６が絶縁膜４２の上面から接続端子２２の高さより低い高さで突出した状態で絶縁膜１８に埋設されている。光導波路１６の両端部には光路を９０°変換する光路変換部１６ｘが設けられている。

そして、光導波路１６の一端側近傍の接続端子２２には発光素子４０ａが接続されており、光導波路１６の他端側近傍の接続端子２２に受光素子４０ｂが接続されている。発光素子４０ａとしては面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）が好適に使用される。

このようにして、発光素子４０ａ及び受光素子４０ｂが光導波路１６の両端側の光路変換部１６ｘの上方にそれぞれ実装されている。前述したような理由により、発光素子４０ａ及び受光素子４０ｂを光導波路１６に接触しない程度の距離まで近接させて実装することが可能である。

発光素子４０ａ及び受光素子４０ｂの横近傍の領域には、発光素子４０ａ及び受光素子４０ｂに接続される接続端子２２と同様に形成された接続端子２２ａが導電体２４に接続されて設けられている。発光素子４０ａの横近傍の接続端子２２ａには第１ＬＳＩチップ５０ａの電極が接続され、受光素子４０ｂの横近傍の接続端子２２ａには第２ＬＳＩチップ５０ｂの電極が接続されている。

なお、図１４の例では、発光素子４０ａ及び受光素子４０ｂと、ＬＳＩチップ５０ａ，５０ｂとが、同一構造の接続端子２２，２２ａにそれぞれ接続されているが、ＬＳＩチップ５０ａ，５０ｂにバンプが設けられ、絶縁膜１８から突出しない接続端子（第３実施形態を参照）にそのバンプが接続された形態としてもよい。つまり、発光素子４０ａ及び受光素子４０ｂと、ＬＳＩチップ５０ａ，５０ｂとの間で、接続方式が異なっているようにしてもよい。

また、導電体２４及び接続パッド２３の下面には第１配線層２８が接続されて形成されており、さらに層間絶縁膜３０，３０ａを介して第２、第３配線層２８ａ．２８ｂがそれぞれ形成されている。第１、第２、第３配線層２８，２８ａ，２８ｂは層間絶縁膜３０，３０ａに設けられた第２、第３ビアホール３０ｘ，３０ｙを介して相互接続されている。さらに、最下の第３配線層２８ｂ上に開口部３４ｘが設けられた保護層３４が層間絶縁膜３０ａの下面に形成され、その開口部３４ｘには第３配線層２８ｂに接続されるはんだボールやリードピンなどの外部接続用端子３６が設けられている。なお、３層のビルドアップ配線層を備えた形態を例示したが、ｎ層（ｎは１以上の整数）の配線層を備えた形態としてもよい。

第１ＬＳＩチップ５０ａは、接続端子２２ａ、導電体２４、第１、第２配線層２８，２８ａ、導電体２４及び接続端子２２を介して発光素子４０ａに電気的に接続されている。また、受光素子４０ｂは、接続端子２２、導電体２４、第１、第２配線層２８，２８ａ、導電体２４及び接続端子２２ａを介して第２ＬＳＩチップ５０ｂに電気的に接続されている。

このようにして構成されるＭＣＭ基板２では、第１ＬＳＩチップ５０ａから出力される電気信号が第１、第２配線層２８，２８ａなどを介して発光素子４０ａに供給され、発光素子４０ａはその電気信号を光信号に変換し、その光信号が光導波路１６の光入射部から入射し、光路変換部１６ｘで９０°変換される。コア部１４に入射した光は、コア部１４内で全反射を繰り返して伝播し、他端側の光路変換部１６ｘを介して受光素子４０ｂの受光面に入射される。受光素子４０ｂは光信号を電気信号に変換し、第１、第２配線層２８，２８ａなどを介して第２ＬＳＩチップ５０ｂに電気信号が供給される。

第１ＬＳＩチップ５０ａと第２ＬＳＩチップ５０ｂとの組み合わせとしては、例えば、ＣＰＵとチップセット、又はＣＰＵとメモリなどがあり、そのようなＬＳＩチップ５０ａ，５０ｂが一つの基板上に実装されて光インターコネクションで相互接続されてＭＣＭ基板２が構成される。そして、ＭＣＭ基板２の外部接続用端子３６が配線基板（マザーボード）に実装される。

近年、ＭＣＭ基板では、ＣＭＯＳ技術の進展により、例えばスループットが数十Ｇｂｉｔ／ｓ以上のものが実現されているが、端子密度と伝送速度の点で電気での入出力が限界に達するおそれがある。本実施形態では、第１及び第２ＬＳＩチップ５０ａ，５０ｂ間の伝送を光導波路１６により行うので、大容量のデータを高速でかつノイズなしに伝送することが可能となる。

また、本実施形態では、光デバイスと光導波路とを接触しない程度まで近接させることができ、しかも光デバイスを光導波路に高精度で位置合わせして実装できるので、良好な光結合性が得られ、光導波路１６を備えたＭＣＭ基板２の性能を向上させることができる。

さらには、一連の製造プロセス内で光導波路１６の下方に所要のビルドアップ配線層を形成できるので、高性能なＬＳＩチップの実装基板として容易に対応できるようになる。

次に、第２実施形態の光電気複合基板が光導波路を備えたＭＣＭ基板に適用される場合の変形例を説明する。図１５は本発明の第２実施形態の光電気複合基板が光導波路を備えたＭＣＭ基板に適用される場合の変形例を示す断面図である。

本変形例では、図１４の第１ＬＳＩチップ５０ａとして発光機能を備えたものが使用される。図１５には、発光部４０ｃが内蔵された光混載ＬＳＩチップ５０ｃが示されており、発光部４０ｃはその発光面（下面）がＬＳＩチップ５０ｃの下面と同一面になるようにＬＳＩチップ５０ｃに内蔵されている。

そして、光混載ＬＳＩチップ５０ｃが実装される領域に同様な接続端子２２ａが導電体２４上に形成され、光混載ＬＳＩチップ５０ｃの電極がその接続端子２２ａに接続されている。

このようにしても、光混載ＬＳＩチップ５０ｃの発光部４０ｃと光導波路１６との距離を同様に調整することができる。また、図示されていないが、図１４の第２ＬＳＩチップ５０ｂとしてその下面側に受光機能を備えたものを使用し、上記した光混載ＬＳＩチップ５０ｃと同様な構成で実装されるようにしてもよい。図１５において他の要素は図１４と同一であるので同一符号を付してその説明を省略する。

なお、本実施形態の光電気複合基板１ａをＭＣＭ基板に適用する形態を例示したが、プリント配線基板などの各種の回路基板の電気配線を光導波路に置き換えて適用できることはいうまでもない。

また、発光素子４０ａとして、発光面がアレイ状に複数個配置され、所定のタイミングで単数又は複数の光を出射するタイプのものを使用してもよい。

また、第１実施形態の光電気複合基板１においても、同様にＭＣＭ基板などに適用できる。

（第３の実施の形態）
図１６は本発明の第３実施形態の光電気複合基板の製造方法を示す部分断面図、図１７は同じく光電気複合基板に光デバイスが実装された様子を示す部分断面図である。

第３実施形態の特徴は、接続端子がビアホールの上部に埋め込まれてその上面が絶縁膜の上面と同一面になるように形成され、光デバイスに設けられるバンプの高さに基づいて光デバイスと光導波路との距離を調整することにある。第１及び第２実施形態と同一要素については同一符号を付してその説明を省略する。

第３実施形態の光電気複合基板の製造方法は、図１６（ａ）に示すように、まず、第２実施形態と同様な方法により、前述した図１１（ｄ）と同様な構造体を作成した後に、絶縁膜１８の所要部に第１ビアホール１８ｘを形成する。第３実施形態では、第１及び第２実施形態と違って、第１ビアホール１８ｘの底部に露出する銅箔１０の部分に凹部１１を形成しない。なお、導波路１６の上面が絶縁膜１８の上面と同一面で形成されるようにする場合は、銅箔１０にくぼみ部１１を形成しなくてもよい。

その後に、図１６（ｂ）に示すように、ビアホール１８ｘの底部に電解めっきにより金属層２２ａを形成する。金属層２２ａとして、金層及びニッケル層を順に形成するか、又は金層、パラジウム層及びニッケル層を順に形成する。その後に、金属層２２ａに接続される導電体２４をビアホール１８ｘ内に充填する。

次いで、図１６（ｃ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、導電体２４の下面に接続される第１配線層２８を絶縁膜１８の下面に形成した後に、層間絶縁膜３０の第２ビアホール３０ｘを介して第１配線層２８に接続される第２配線層２８ａを形成する。その後に、第２配線層２８ａ上に開口部３４ｘが設けられた保護層３４を形成する。

次いで、図１６（ｄ）に示すように、図１６（ｃ）の構造体から銅箔１０を剥離して除去する。これにより、金属層２２ａ、光導波路１６及び絶縁膜１８の上面が露出して、金属層２２ａが接続端子２２ｘとなる。これにより、第３実施形態の第１の光電気複合基板１ｂが得られる。

第３実施形態の第１の光電気複合基板１ｂでは、接続端子２２ｘが第１ビアホール１８ｘの上部に埋め込まれ、その上面が絶縁膜１８の上面と同一面となって導電体２４に接続されて形成されている。また、光導波路１６は絶縁膜１８の上面から突出した状態で絶縁膜１８に埋設されている。

そして、図１７に示すように、はんだや金などからなるバンプ４１が設けられた光デバイス４０が用意され、光デバイス４０の発光面又は受光面が光導波路１６の所要部に対向して、光デバイス４０のバンプ４１が接続端子２２ｘにフリップチップ実装されて電気的に接続される。

第３実施形態では、光デバイス４０と光導波路１６との距離ｄは、光デバイス４０のバンプ４１の高さから光導波路１６の絶縁膜１８からの突出高さを差し引いたものとなる。このため、光導波路１６の突出高さは、光デバイス４０のバンプ４１の高さよりも低く設定される。

また、前述した図１６（ａ）において銅箔１０にくぼみ部１１を形成しない場合は、図１８に示すように、接続端子２２ｘ、光導波路１６及び絶縁膜１８の上面は同一面となって形成され、第３実施形態の第２の光電気複合基板１ｃとなる。そして、光デバイス４０のバンプ４１が接続端子２２ｘにフリップチップ実装されて電気的に接続される。第２の光電気複合基板１ｃでは、光デバイス４０のバンプ４１の高さのみによって、光デバイス４０と光導波路１６との距離が調整される。

第３実施形態においても、光デバイス４０は光導波路１６に精度よく位置合わせされて実装されると共に、光デバイス４０を光導波路１６に接触しない程度まで容易に近接させることができる。従って、第３実施形態は第１及び第２実施形態と同様な効果を奏する。

次に、第３実施形態の第１の光電気複合基板１ｂをＭＣＭ基板に適用する場合の一例について説明する。図１９は本発明の第３実施形態の第１の光電気複合基板をＭＣＭ基板に適用した場合の一例を示す断面図である。

図１９に示すように、第３実施形態の第１の光電気複合基板１ｂが適用されたＭＣＭ基板２ａでは、絶縁膜１８に設けられた第１ビアホール１８ｘ内の上部に接続端子２２ｘが埋め込まれ、その下側に導電体２４が充填されている。前述したように、接続端子２２ｘはその上面が絶縁膜１８の上面と同一面となった状態で設けられている。また、光導波路１６が絶縁膜１８の上面から所定高さで突出した状態で絶縁膜１８に埋設されている。そして、光導波路１６の一端側近傍の接続端子２２ｘには発光素子４０ａのバンプ４１が接続されており、光導波路１６の他端側近傍の接続端子２２ｘに受光素子４０ｂのバンプ４１が接続されている。

このようにして、発光素子４０ａ及び受光素子４０ｂが光導波路１６の両端側の光路変換部１６ｘの上方にそれぞれ実装されている。発光素子４０ａ及び受光素子４０ｂと光導波路１６との距離は、それらに設けられたバンプ４１の高さと、光導波路１６の突出高さによって調整される。

発光素子４０ａ及び受光素子４０ｂのそれぞれの近傍領域には、上記した接続端子２２ｘと同様に形成された接続端子２２ｙが絶縁膜１８の第１ビアホール１８ｘ内の上部に埋め込まれている。発光素子４０ａの横近傍の接続端子２２ｙには第１ＬＳＩチップ５０ａのバンプ５１が接続され、受光素子４０ｂの横近傍の接続端子２２ｙには第２ＬＳＩチップ５０ｂのバンプ５１が接続されている。

なお、図１９の例では、発光素子４０ａ及び受光素子４０ｂのバンプ４１と、ＬＳＩチップ５０ａ，５０ｂとのバンプ５１とが絶縁膜１８から突出しない接続端子２２ｘ，２２ｙにそれぞれ接続されているが、ＬＳＩチップ５０ａ，５０ｂにバンプ５１を設けずに、絶縁膜１８から突出する接続端子（第２実施形態）にＬＳＩチップ５０ａ，５０ｂの電極が接続された形態としてもよい。

第３実施形態に係るＭＣＭ基板２ａは、第２実施形態に係るＭＣＭ基板２と同様に作用し、同様な効果を奏する。

また、第３実施形態の第２の光電気複合基板１ｃも同様にＭＣＭ基板などに適用できる。

図１は従来技術に係る光電気複合基板の一部の構成を示す断面図である。 図２は面発光レーザからの光が光導波路に入射する様子を示す断面図（その１）である。 図３は面発光レーザからの光が光導波路に入射する様子を示す断面図（その２）である。 図４は本発明の第１実施形態の光電気複合基板の製造方法を示す部分断面図（その１）である。 図５は本発明の第１実施形態の光電気複合基板の製造方法を示す部分断面図（その２）である。 図６は本発明の第１実施形態の光電気複合基板の製造方法を示す部分断面図（その３）である。 図７は本発明の第１実施形態の光電気複合基板に光デバイスが実装された様子を示す部分断面図である。 図８は本発明の第１実施形態に係る光導波路の形成方法の第１例を示す部分断面図である。 図９は本発明の第１実施形態に係る光導波路の形成方法の第２例を示す部分断面図である。 図１０は本発明の第１実施形態に係る光導波路の形成方法の第３例を示す部分断面図である。 図１１は本発明の第２実施形態の光電気複合基板の製造方法を示す部分断面図（その１）である。 図１２は本発明の第２実施形態の光電気複合基板の製造方法を示す部分断面図（その２）である。 図１３は本発明の第２実施形態の光電気複合基板に光デバイスが実装された様子を示す部分断面図である。 図１４は本発明の第２実施形態の光電気複合基板をＭＣＭ基板に適用した場合の一例を示す断面図である。 図１５は本発明の第２実施形態の光電気複合基板をＭＣＭ基板に適用した場合の変形例を示す断面図である。 図１６は本発明の第３実施形態の光電気複合基板の製造方法を示す部分断面図である。 図１７は本発明の第３実施形態の第１の光電気複合基板に光デバイスが実装された様子を示す部分断面図である。 図１８は本発明の第３実施形態の第２の光電気複合基板に光デバイスが実装された様子を示す部分断面図である。 図１９は本発明の第３実施形態の第１の光電気複合基板をＭＣＭ基板に適用した場合の一例を示す断面図である。

符号の説明

１，１ａ…光電気複合基板、２，２ａ…ＭＣＭ基板、１０…銅箔、１１…くぼみ部、１２…クラッド部、１２ａ…クラッド層、１４…コア部、１４ａ…コア層、１５，１５ａ…レジスト膜、１６…光導波路、１７…露光マスク、１８…絶縁膜、１８ｘ…第１ビアホール、２３…接続パッド、２２，２２ａ，２２ｘ，２２ｙ…接続端子、２４…導電体、２８…第１配線層、２８ａ…第２配線層、２８ｂ…第３配線層、３０，３０ａ…層間絶縁膜、３０ｘ…第２ビアホール、３０ｙ…第３ビアホール、３４…保護層、３４ｘ…開口部、４０…光デバイス、４０ａ…発光素子、４０ｂ…受光素子、４０ｃ…発光部、４１，５１…バンプ、５０ａ…第１ＬＳＩチップ、５０ｂ…第２ＬＳＩチップ、５０ｃ…光混載ＬＳＩチップ。

Claims (20)

1. 絶縁膜と、
   コア部と該コア部を囲むクラッド部とにより構成される光導波路であって、少なくとも前記クラッド部の上面が前記絶縁膜から露出した状態で前記絶縁膜に埋設された前記光導波路と、
   前記絶縁膜を貫通するビアホールと、
   前記ビアホールに形成された導電体と、
   光デバイスを実装するための、前記導電体の上端側に接続された接続端子とを有することを特徴とする光電気複合基板。
2. 前記導電体は前記ビアホール内の上部まで形成され、前記接続端子は前記絶縁膜の上面から所定高さで突出して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光電気複合基板。
3. 前記導電体は前記ビアホール内の上部を除く部分に形成され、前記接続端子が該ビアホール内の上部に埋め込まれて前記導電体に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の光電気複合基板。
4. 前記光導波路は、前記絶縁膜の上面から所定高さで突出した状態で前記絶縁膜に埋設されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光電気複合基板。
5. 前記絶縁膜の下面側には、前記導電体の下端側に接続される、ｎ層（ｎは１以上の整数）の配線層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光電気複合基板。
6. 前記光導波路は、
   一端側に配置され、光が入射される光入射部と、
   他端側に配置され、光が出射される光出射部とを備え、
   前記光入射部に向けて発光する面発光レーザが前記光入射部の近傍の前記接続端子に接続され、前記光出射部からの光を受光する受光素子が前記光出射部の近傍の前記接続端子に接続されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の光電気複合基板。
7. 前記光導波路は、複数のＬＳＩチップの間の相互伝送に利用されることを特徴とする請求項６に記載の光電気複合基板。
8. 前記光デバイスの発光面又は受光面が前記光導波路に対向して、前記接続端子に接続された前記光デバイスをさらに有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の光電気複合基板。
9. 前記光デバイスは、発光機能又は受光機能を備えた光混載ＬＳＩチップであって、該光混載ＬＳＩチップの発光面又は受光面が、前記光導波路の所要部に対向するように前記光混載ＬＳＩチップが前記接続端子に接続されていることを特徴とする請求項８に記載の光電気複合基板。
10. 前記光デバイスの発光面又は受光面が前記光導波路に対向して、前記接続端子に接続された前記光デバイスをさらに有し、該光デバイスがバンプを備えており、前記接続端子に前記光デバイスのバンプが接続されていることを特徴とする請求項３に記載の光電気複合基板。
11. 前記接続端子は、はんだ又は金よりなるバンプ又は電極であることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一項に記載の光電気複合基板。
12. 前記コア部の屈折率は前記クラッド部の屈折率より高く設定されていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の光電気複合基板。
13. 仮基板上にコア部と該コア部を囲むクラッド部とにより構成される光導波路を形成する工程と、
    前記光導波路を被覆する絶縁膜を前記仮基板上に形成する工程と、
    前記絶縁膜を貫通して前記仮基板に到達するビアホールを形成する工程と、
    前記ビアホール内に金属層及び導電体を順次形成する工程と、
    前記仮基板を選択的に除去することにより、前記金属層、前記光導波路の前記クラッド部の上面及び前記絶縁膜の上面を露出させて、前記金属層よりなる接続端子を得る工程とを有することを特徴とする光電気複合基板の製造方法
14. 前記ビアホールを形成する工程は、前記ビアホールに連通する凹部を前記仮基板に形成する工程を含み、ビアホールは前記凹部を含んで構成され、
    前記ビアホール内に金属層及び導電体を順次形成する工程は、前記前記仮基板の凹部に前記金属層を形成することを含み、
    接続端子を得る工程において、前記絶縁膜の上面から所定高さで突出する前記金属層よりなる前記接続端子を得ることを特徴とする請求項１３に記載の光電気複合基板の製造方法。
15. 前記仮基板上に前記光導波路を形成する工程は、
    前記仮基板に、前記光導波路の幅に対応するくぼみ部を形成する工程と、
    前記くぼみ部に前記光導波路の一部を嵌め込んで前記光導波路を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１３乃至１４のいずれか一項に記載の光電気複合基板の製造方法。
16. 前記仮基板を選択的に除去する工程の前又は後に、前記絶縁膜の前記金属層側の面と反対面側に、前記導電体に接続される、ｎ層（ｎは１以上の整数）の配線層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれか一項に記載の光電気複合基板の製造方法。
17. 前記仮基板を除去する工程の後に、光デバイスの発光面又は受光面を前記光導波路の所要部に対向させた状態で、前記光デバイスを前記接続端子に接続する工程をさらに有することを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれか一項に記載の光電気複合基板の製造方法。
18. 前記仮基板は導電性金属よりなり、
    前記ビアホールに前記金属層及び導電体を形成する工程において、前記仮基板をめっき給電層に利用する電解めっきにより、前記金属層及び前記導電体をそれぞれ形成することを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれか一項に記載の光電気複合基板の製造方法。
19. 前記仮基板上に前記光導波路を形成する工程は、
    前記仮基板上に第１クラッド層を形成する工程と、
    前記第１クラッド層上に該第１クラッド層より屈折率の高いコア層を形成する工程と、
    前記コア層をパターニングすることにより前記コア部を得る工程と、
    前記第１クラッド層と同一材料よりなる第２クラッド層を、前記第１クラッド層及び前記コア部の上に形成する工程と、
    前記光導波路が得られるように、前記第２クラッド層及び第１クラッド層をパターニングする工程とを含むことを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれか一項に記載の光電気複合基板の製造方法。
20. 前記仮基板は銅箔であって、前記金属層ははんだ又は金よりなり、前記導電体は銅よりなることを特徴とする請求項１８に記載の光電気複合基板の製造方法。

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