JP4170569B2 - 基板選択装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 194
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 191
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 84
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 69
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000010187 selection method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/41875—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by quality surveillance of production
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/32—Operator till task planning
- G05B2219/32186—Teaching inspection data, pictures and criteria and apply them for inspection
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/32—Operator till task planning
- G05B2219/32201—Build statistical model of past normal proces, compare with actual process
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の作製に用いられるフォトマスク用の基板の選択装置に関し、特に、フォトマスク形成用の感光材塗布基板群の中から、目的とする製品に使用する基板を選択する基板選択装置に関する。
【０００２】
【従来技術】
近年、電子機器の高性能化、軽薄短小の傾向から、ＡＳＩＣに代表される種々のＬＳＩには、ますます高集積化、高機能化が求められるようになってきており、半導体集積回路の作製に用いられるフォトマスクにおいては、更なる高精度、高品質のパタン形成が求められるようになってきた。
従来、フォトマスク製造は、一般には、以下のように行われていた。
図８に基いて簡単に説明する。
先ず、石英などの透明基板８１０の上に、クロムなどの金属薄膜からなる遮光膜あるいはシフター層８２０をスパッタ法などにより成膜した基板（ブランクスとも言う）を用意する。（図８（ａ））
そして、ブランクスの遮光膜あるいはシフター層８２０上に、感光材層（感光性樹脂膜、感光性レジストあるいは単にレジストとも言う）８３０を塗布した後、加熱乾燥処理し膜に残留している溶剤の除去や金属薄膜との密着性向上を図る。（図８（ｂ））
次に、感光材層が塗布された感光材層塗布基板の感光材層８３０に、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ Ｂｅａｍの略で電子線のこと）、レーザー光、Ｘ線などの電離放射線８４０を選択的に照射し、所望のパタン形状に感光する。（図８（ｃ））
一般にはパタン（絵柄）形成用のパタンデータにしたがい、電離放射線８４０を所定の装置で選択的に照射するため、これをこれを、パタン描画ないし単に描画とも言う。
次に、感光材層８３０を現像してレジストパタン８３５を形成した（図８（ｄ））後、レジストパタン８３５の開口８３６から露出した金属薄膜からなる遮光層８２０をエツチングして、遮光層パタン８２５を形成する。（図８（ｅ））
最後に、レジストパタン８３５を除去して、遮光層パタン８２５をその一面に配設したフオトマスクが得られる。（図８（ｆ））
そして、この後、検査、必要に応じて修正が行われ、所望のフォトマスクを得ていた。
【０００３】
上記フォトマスク製造において作製されるフォトマスクの品質は、パタン描画用に供用される感光材層塗布基板の品質に大きく影響を受けることは言うまでもないが、従来、パタン描画用に供用される感光材層塗布基板は、その種類も多く、管理がたいへんで、その作製過程における検査にて、一定の基準のもとに良品、不良品の判別が行われ、良品のみが用いられていたのが実際である。
しかし、目的とする製品の品質仕様も多種あり、検査にて良品になった感光材層塗布基板にも品質面や感光材層の感度に種々あるため、必ずしも、目的とする製品の品質仕様に見合った基板を選択していたとは言えず、使用する基板の選択１つで、検査、修正に及ぼす影響は大きかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、ＬＳｌチップなどの半導体製品の回路が、年々、高密度化、微細化している中、この作製に用いられるフォトマスクにおいては、更なる高精度、高品質のパタン形成が求められるようになってきた。
本発明は、これに対応するもので、フォトマスク作製の際、パタン描画に供用される、感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光材層塗布基板群の中から、目的とする製品を作製するための基板を、特に製品品質の面からうまく選択できる基板選択装置を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の基板選択装置は、感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光材層塗布基板群の中から、目的とする製品に使用する基板を選択する基板選択装置であって、感光材層塗布基板の、欠陥に対応して欠陥検査結果をデータベースに登録する１つ以上の欠陥登録部と、感光材層の感度を感光材層塗布のロット毎に、チェックした感光材層ロットチェック結果を、データベースに登録する感光材層ロットチェック結果登録部と、データベースに登録された欠陥検査結果、感光材層ロットチェック結果に基づいて、基板群の中から、目的とする製品作製に使用する基板を選択する基板選択部とを備えていることを特徴とするものである。
そして、上記において、感光材層塗布基板の、欠陥検査結果をデータベースに登録する欠陥登録部として、感光材層塗布基板の感光材層塗布前のブランクスのピンホール欠陥検査結果をデータベースに登録するピンホール欠陥登録部と、
感光材層塗布後の基板の、異物欠陥検査結果をデータベースに登録する異物欠陥登録部とを備えていることを特徴とするものである。
そしてまた、上記において、基板選択の基準となる基板の品質基準をデータベースに登録する選択基準登録部を備えており、基板選択部は、必要に応じ、データベースに登録された欠陥検査結果情報、感光材層ロットチェック結果情報、基板選択の基準となる基板の品質基準とから、目的とする製品作製に使用する基板を選択するものであることを特徴とするものである。
また、上記において、作製するフォトマスクに使用される基板の候補となる候補基板に対し、データベースに登録された各基板の欠陥検査結果情報、感光材層ロットチェック結果情報に基づいて、基板毎に作製するフォトマスクのパタンエリア（描画エリアとも言う）と対応させ、フォトマスク上のパタンエリア（描画エリア）内にある欠陥を抽出するパタンエリア内欠陥抽出部を備えていることを特徴とするものである。
【０００６】
また、上記において、作製するフォトマスクに使用される基板の候補となる候補基板に対し、データベースに登録された各基板の欠陥検査結果情報、感光材層ロットチェック結果情報に基づいて、基板毎に作製するフォトマスクの絵柄と対応させ、フォトマスク上で、絵柄周辺部に欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する確率を計算する、あるいは絵柄内部に欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する確率を計算する欠陥確率計算部を備えており、基板選択部は、必要に応じ、欠陥確率計算部により得られた基板毎の、絵柄周辺部に欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する確率から、あるいは、絵柄部全体にわたり、欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する確率から、目的とする製品作製に使用する基板を選択するものであることを特徴とするものである。
そして、上記において、欠陥確率計算部は、基板の対象となる全ての欠陥に対し、それぞれ、作製されるフォトマスク上での、欠陥位置に対応する、誤差を考慮した欠陥より大サイズの、欠陥領域を求め、求められた欠陥領域内の絵柄の周辺部に欠陥が発生しない確率である非発生確率を求め、更に、求められた全ての欠陥の非発生確率を、全て乗じた積を求め、これを、基板のフォトマスク上で絵柄周辺部に欠陥が発生しない確率とするものであることを特徴とするものである。
あるいは、上記において、欠陥確率計算部は、基板の対象となる全ての欠陥に対し、それぞれ、作製されるフォトマスク上での、欠陥位置に対応する、誤差を考慮した欠陥より大サイズの、欠陥領域を求め、求められた欠陥領域内の絵柄の内部に欠陥が発生しない確率である非発生確率を求め、更に、求められた全ての欠陥の非発生確率を、全て乗じた積を求め、これを、基板のフォトマスク上で絵柄全体にわたり欠陥が発生しない確率とするものであることを特徴とするものである。
尚、ここで言う確率とは、近似的な計算により算出された実質的に意味のある（近似的な）確率を含むものである。
また、フォトマスク上の絵柄（パタンとも言う）は、図８に示すフォトマスク製造工程のように、感光材層が塗布された感光材層塗布基板の感光材層８３０に、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ Ｂｅａｍの略で電子線のこと）、レーザー光、Ｘ線などの電離放射線８４０を選択的に照射し、所望のパタン形状に感光して、その潜像を形成するもので、一般にはパタン（絵柄）形成用のパタンデータにしたがい、電離放射線８４０を所定の装置で選択的に照射するため、これをパタン描画ないし単に描画とも言い、フォトマスク上の絵柄領域であるパタンエリアを描画エリアとも言う。
【０００７】
【作用】
本発明の基板選択装置は、このような構成にすることにより、フォトマスク作製の際、パタン描画に供用される、感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光材層塗布基板群の中から、目的とする製品を作製するための基板を、特に製品品質の面からうまく選択できる基板選択装置の提供を可能としている。
具体的には、感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光材層塗布基板群の中から、目的とする製品に使用する基板を選択する基板選択装置であって、感光材層塗布基板の、欠陥に対応して欠陥検査結果をデータベースに登録する１つ以上の欠陥登録部と、感光材層の感度を感光材層塗布のロット毎に、チェックした感光材層ロットチェック結果を、データベースに登録する感光材層ロットチェック結果登録部と、データベースに登録された欠陥検査結果、感光材層ロットチェック結果に基づいて、基板群の中から、目的とする製品作製に使用する基板を選択する基板選択部とを備えていることにより、これを達成している。
【０００８】
基板選択の基準となる基板の品質基準（ランクとも言う）をデータベースに登録する選択基準登録部を備えており、基板選択部は、必要に応じ、データベースに登録された欠陥検査結果、感光材層ロットチェック結果、基板選択の基準となる基板の品質基準とから、目的とする製品作製に使用する基板を選択することができる。
【０００９】
また、作製するフォトマスクに使用される基板の候補となる候補基板に対し、データベースに登録された各基板の欠陥検査結果情報、感光材層ロットチェック結果情報に基づいて、基板毎に作製するフォトマスクの絵柄と対応させ、フォトマスク上で、欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する確率を計算する欠陥確率計算部を備えており、基板選択部は、必要に応じ、欠陥確率計算部により得られた基板毎の、欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する確率から、目的とする製品作製に使用する基板を選択することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の基板選択装置の実施の形態例を図に基づいて説明する。
図１は本発明の基板選択装置の実施の形態の１例の概略構成図で、図２は欠陥検査結果データの１例を示した図で、図３は感光材層ロットチェック結果データの１例を示した図で、図４は基板の品質基準の１例を示した図で、図５は、基板選択の入力方法の１例を示した図で、図６は基板選択部による基板選択手順の１例を示したフロー図で、図７は欠陥確率計算部の動作の１例を説明するための図である。
尚、図１中、点線内は装置と基板選択処理（Ｓ１５０）を示したものである。また、図１中、Ｓ１１０〜Ｓ１７０、図６中、Ｓ５１０〜Ｓ５４０は処理ステップである。
図１、図６、図７中、１１０はピンホール欠陥検査登録部、１２０は異物欠陥検査結果登録部、１３０は感光材層ロットチエック結果登録部、１４０は選択基準登録部、１５０は基板選択部、１５１はパタンエリア内欠陥抽出部、１５２は欠陥確率計算部、１６０はデータベース、１７１は描画パタン、１７２は配置情報、１８１はピンホール欠陥検査結果データ、１８２は異物欠陥検査結果データ、１８３は感光材層感度ロットチェックデータ、１８４はフォトマスク仕様、１９０は選択支持入力、５１１は在庫基板、５１２は使用条件、５２１はピンホール欠陥検査結果データ、５２２は異物欠陥検査結果データ、５２３は対象基板、５２４はパタンエリア、５３１は対象基板、５３２は品質基準（基板ランク）、５４１は対象基板、 ６０１は基板エリア、６０５はパタンエリア（描画エリア）、６１１、６１２、６１３は欠陥、６２１、６２２、６２３は欠陥領域、６３１、６３２、６３３はパタンデータエリア、６５１、６５２は絵柄（パタンとも言う）である。
【００１１】
本発明の基板選択装置の実施の形態例は、感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光材層塗布基板群の中から、目的とする製品に、品質的に見合った基板を選択する基板選択装置で、選択された基板はパタン描画に供与される。
そして、図１に示すように、本例の基板選択装置は、感光材層塗布基板の感光材層塗布前のブランクスのピンホール欠陥検査結果（ピンホール欠陥検査結果データ１８１）をデータベース１６０に登録するピンホール欠陥登録部１１０と、感光材層塗布基板の異物欠陥検査結果（異物欠陥検査結果データ１８２）をデータベースに１６０登録する異物欠陥登録部１２０と、感光材層の感度を感光材層塗布のロット毎に、チェックした感光材層ロットチェック結果（感光材層感度ロットチェックデータ１８３）を、データベース１６０に登録する感光材層ロットチェック結果登録部１３０と、基板選択の基準となる品質基準（フォトマスク仕様１８４）をデータベース１６０に登録する選択基準選択部１４０と、データベース１６０に登録された欠陥検査結果（ピンホール欠陥検査結果データ１８１、異物欠陥検査結果データ１８２）、感光材層ロットチェック結果、基板選択の基準となる品質基準とから、品質的に適当な目的とする製品を作製するための基板を選択する基板選択部１５０とを備えている。
【００１２】
はじめに、基板の描画使用までの基板処理工程と、本例の基板選択装置の各部との関係を、図１に基づいて簡単に説明しておく。
先ず、石英などの透明基板の上に、クロムなどの金属薄膜からなる遮光膜あるいはシフター層をスパッタ法などにより成膜したブランクスに対し、所定のピンホール検査機を用い、ピンホール欠陥検査を行い（Ｓ１１０）、この結果をピンホール欠陥検査結果データ１８１として保管し、ピンホール欠陥検査結果登録部１１０を介して、データベース１６０に保管する。
次いで、ブランクスは洗浄を経て、感光材層の形成が、感光材の塗布により行なわれるが、感光材層の形成後、所定の検査装置により、異物欠陥の検査を行い（Ｓ１２０）、この結果を異物欠陥検査結果データ１８２として保管し、更に、異物欠陥検査結果登録部１２０を介して、データベース１６０に保管する。
更に、感光材層のロット毎に、テストピース（テスト用基板）を用いて、感度チエックを行い（Ｓ１３０）、この結果を感光材層感度ロットチェックデータ１８３として保管し、更に、感光材層感度ロットチェック結果登録部１３０を介して、データベース１６０に保管する。
一方、このようにして、各欠陥検査、感度チェックがなされた感光材層塗布基板を所定の保管庫（図示していない）に多数保管されることとなる。
次いで、保管されている感光材層塗布基板群から目的の基板を選択する基板選択（Ｓ１５０）を、本例の装置により行い、描画用の基板（Ｓ１６０）を選択し、描画機にてパタン描画が行われる。（Ｓ１７０）
【００１３】
次に、各欠陥検査結果データ１８１、１８２、感光材層感度ロットチェックデータ１８３、フォトマスク仕様１８４の内容を説明し、基板選択部１５０による、基板選択を説明する。
ピンホール欠陥検査結果データ１８１あるいは異物欠陥検査結果データ１８２等の欠陥検査データとしては、各基板毎に、欠陥検査により検出された欠陥のサイズとその位置（Ｘ，Ｙ座標表示）を把握したもので、例えば、図２に示すように表わされる。
感光材層感度ロットチェックデータ１８３としては、各基板毎に、感光材層の塗布ロット（ここでは、塗布日によりロットが異なるとする）毎に、テストピース等によりその感度を調べ、対応する描画機毎にこれに合った露光量（照射量）を決め、各基板毎に、基板サイズ、遮光膜種類、感光材層種類、塗布日、描画機、露光量を対応させておくもので、例えば、図３に示すように、表される。
尚、図３中、＋ａは、＋ａだけ露光量を多くして、感光材層のロット間の感度のバラツキの補正を行っているものである。
基板選択の基準となる品質基準（フォトマスク仕様１８４）は、設計ルール、パタンエリア（Ｘ、Ｙサイズ）、ピンホール欠陥検査結果ランク、異物欠陥検査結果ランク等を対応させたもので、例えば、図４に示すように表される。
尚、図４はラスター型のＥＢ機（電子線描画機）による描画に供せられる基板の品質基準の例で、表の１段目は０. ２５μｍアドレスユニット描画で、パタンエリアが１００００μｍ、１００００μｍ範囲で、ピンホール欠陥検査結果ランクがＡ、異物欠陥検査結果ランクがＢであることを意味している。
【００１４】
基板選択部１５０による、目的とする製品に見合った基板を選択する際の入力（選択支持入力１９０に相当）は、例えば、図５に示すように表示する（コンピュータ端末の表示部の）入力画面において、描画機、基板サイズ、遮光膜種類、感光材層種類等の基板条件、および、設計ルール、ピンホール欠陥検査結果ランク、異物欠陥検査結果ランク等の品質条件を、それぞれ選択して行なう。
【００１５】
基板選択部１５０による、目的とする製品に品質的に見合った基板を選択する第１の例のフロー（アルゴリズム）の例を図６に基づいて説明する。
第１の例は、データベースに登録された欠陥検査結果情報、感光材層ロットチェック結果情報、基板選択の基準となる基板の品質基準とから、基板を選択するもので、基板選択部１５０では、パタンエリア内欠陥抽出部１５１にて、対象基板について、データベースに登録された欠陥検査結果情報に基づき、それぞれ、作製するフォトマスクのパタンエリア（これを、描画エリアとも言う）に対応する領域内の欠陥数を抽出し、抽出された欠陥の数により、各対象基板をランク付けして、基板の品質基準に見合った所望の基板を使用するものである。
先ず、在庫基板５１１の中から、選択支持入力１９０により指定された、指定の描画機、基板サイズ、遮光膜種類、感光材層種類等の使用条件５１２に対応する対象基板５２３を選択する、対象基板選択を行なう。（Ｓ５１０）
次いで、この対象基板５２３の中から、ピンホール欠陥検査結果データ５２１、異物欠陥検査結果データ５２２を参照にして、パタンエリアが所定のもの（対象基板５３１）を選び、それぞれについて、９０°回転をおこない、パタンエリア内の欠陥数を把握しておく。（Ｓ５２０）
９０°回転することにより、所定のパタンエリア内においても、その中に占める欠陥の数が異なることがある。
対象基板５３１の中から、品質基準（基板ランク）５３２と照らし、所望の基板ランクのものを選び、優先順位を付けたランク分けを行ない（Ｓ５３０）、ランク分けされ、更に、優先順位が付けられた対象基板５４１を得る。（Ｓ５４０）
【００１６】
このようにして、目的とする製品の対象基板５４１が、ランク分けされ、更に優先順位が付けて挙げられるが、この対象基板５４１の中より、目的とする製品の品質仕様に見合った、所望の基板を選択し、描画機に供する。
【００１７】
基板選択部１５０による、目的とする製品に品質的に見合った基板を選択する第２の例を説明する。
第２の例は、データベースに登録された欠陥検査結果情報、感光材層ロットチェック結果情報から、基板を選択するもので、基板選択部１５０では、欠陥確率計算部１５２にて、対象基板について、データベースに登録された欠陥検査結果情報に基づき、それぞれ、フォトマスク上で欠陥が発生しない確率Ｐ０を求めるもので、この確率Ｐ０より、対象基板の中でランク付けを行い、所望の基板ランクのものを選びフォトマスク作製用の基板とするものである。
Ｐ０を求める際、対象基板に対し、対象基板とパタンエリアを相対的に９０度ずつ回転させて同様の計算を行い、それぞれの相対的な角度におけるＰ０を求め、それぞれの相対的な角度におけるＰ０を含め、対象基板の中でランク付けを行い、所望のランクのものを選ぶ。
この場合、第１の例に比べ、対象基板をさらに有効的に使用することができる。
【００１８】
以下、対象基板とパタンエリアとがある所定の相対位置関係にある場合の、フォトマスク上で欠陥が発生しない確率Ｐ０の求め方の１例を図７に基づいて説明する。
説明を分かり易くするため、具体的な例として、基板エリア６０１の描画エリア（パタンエリア）６０５内に、欠陥が 3個（欠陥６１１、６１２、６１３）あり、パタンデータエリア６３１、６３２、６３３が３つある場合の、フォトマスク上で欠陥が発生しない確率Ｐ０の求め方を説明する。
先ず、欠陥６１１、６１２、６１３について、それぞれ、パタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）の周辺部に跨る確率を計算し、これより、パタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）の周辺部に跨がらない確率Ｐ１，Ｐ２、Ｐ３をそれぞれ計算し、Ｐ０＝Ｐ１×Ｐ２×Ｐ３としてフォトマスク上で欠陥が発生しない確率Ｐ０を求める。
尚、対象基板と、パタンエリア、パタンデータエリア、パタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）との位置関係は、描画パタン１７１、配置情報１７２とから決定する。
欠陥６１１がパタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）の周辺部に跨がらない確率Ｐ１は、作製されるフォトマスク上での、欠陥６１１の位置に対応する、誤差を考慮した欠陥より大サイズの、欠陥領域６２１を求め、求められた欠陥領域６２１内の絵柄の周辺部に欠陥が発生しない確率である非発生確率を求める。
図７（ａ）の場合の、誤差を考慮した、欠陥６１１がこの中に入る欠陥より大サイズの、欠陥領域６２１（サイズＬ×Ｌ）内の絵柄が、図７（ｂ）に拡大して示すように、絵柄６５１、６５２で、欠陥領域６２１は一辺の長さをＬとする矩形領域である。
この場合、欠陥をサイズｄφの円形のものとし、絵柄６５１、６５２の周辺長さの総和をＳ１とすると、欠陥６１１がパタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）の周辺部に跨る確率は、近似的に（Ｓ１×ｄ）／（Ｌ×Ｌ）として計算される。
よって、欠陥６１１がパタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）の周辺部に跨がらない確率Ｐ１を、近似的に、Ｐ１＝１−［（Ｓ１×ｄ）／（Ｌ×Ｌ）］として求めることができる。
同様にして、欠陥６１２、６１３がパタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）の周辺部に跨がらない確率Ｐ２、Ｐ３をそれぞれ求める。
求められた、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３より、フォトマスク上で欠陥が発生しない確率Ｐ０が求められる。
パタンデータエリア（６３１、６３２、６３３に相当）が３つ以上ある場合についても、基本的には同様に計算できる。
【００１９】
尚、第２の例における、上記のＰ０計算方法は、欠陥６１１、６１２、６１３が絵柄の内部に含まれる場合には、後で欠陥修正が比較的容易に行なうことができるため、これを、実作業上、後の修正作業を前提として、欠陥発生としない計算方法である。
【００２０】
勿論、欠陥６１１、６１２、６１３が絵柄の内部に含まれる場合も、欠陥発生するものとして、欠陥発生確率を計算することもできる。
この場合は、例えば、図７（ｂ）のような欠陥領域６２１において、
サイズｄφの円形の欠陥６１１がパタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）に跨る確率は、Ｓｄ／（Ｌ×Ｌ）として計算される。
但し、Ｓｄは絵柄６５１、６５２を、それぞれ外側にｄ／２だけ太らせた場合の面積の和である。
これより、欠陥６１１がパタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）に跨がらない確率Ｐ１１は、Ｐ１１＝１−［Ｓｄ／（Ｌ×Ｌ）］として求められる。
同様に、欠陥６１２、６１３がパタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）に跨がらない確率Ｐ１２、Ｐ１３を求めることができ、求められた、Ｐ１１，Ｐ２１，Ｐ３１より、絵柄の内部にある場合も含め、フォトマスク上で欠陥が発生しない確率Ｐ０１を求めることができる。
【００２１】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、フォトマスク作製の際、パタン描画に供用される、感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光材層塗布基板群の中から、目的とする製品を作製するための基板を、特に製品品質の面からうまく選択できる基板選択装置の提供を可能とした。
これにより、従来に比べ、フォトマスク製造のトータル的な生産性を向上させ、フォトマスクの更なる高精度化、高品質化にも対応できるものとした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板選択装置の実施の形態の１例の概略構成図
【図２】欠陥検査結果データの１例を示した図
【図３】感光材層ロットチェック結果データの１例を示した図
【図４】品質基準の１例を示した図
【図５】基板選択の入力方法の１例を示した図
【図６】基板選択部による基板選択手順の１例を示したフロー図
【図７】欠陥確率計算部の動作の１例を説明するための図
【図８】フォトマスクの製造方法を説明するための図
【符号の説明】
１１０ ピンホール欠陥検査登録部
１２０ 異物欠陥検査結果登録部
１３０ 感光材層ロットチエック結果登録部
１４０ 選択基準登録部
１５０ 基板選択部
１５１ パタンエリア内欠陥抽出部
１５２ 欠陥確率計算部
１６０ データベース
１７１ 描画パタン
１７２ 配置情報
１８１ ピンホール欠陥検査結果データ
１８２ 異物欠陥検査結果データ
１８３ 感光材層感度ロットチェックデータ
１８４ フォトマスク仕様
１９０ 選択支持入力
５１１ 在庫基板
５１２ 使用条件
５２１ ピンホール欠陥検査結果データ
５２２ 異物欠陥検査結果データ
５２３ 対象基板
５２４ パタンエリア
５３１ 対象基板
５３２ 品質基準（基板ランク）
５４１ 対象基板
６１１、６１２、６１３ 欠陥
６２１、６２２、６２３ 欠陥領域
６３１、６３２、６３３ パタンデータエリア
６５１、６５２ 絵柄（パタンとも言う）
８１０ 透明基板
８２０ 遮光膜あるいはシフター層
８２５ 遮光層パタン
８３０ 感光材層（感光性樹脂膜、感光性レジストあるいは単にレジストとも言う）
８３５ レジストパタン
８４０ 電離放射線
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の作製に用いられるフォトマスク用の基板の選択装置に関し、特に、フォトマスク形成用の感光材塗布基板群の中から、目的とする製品に使用する基板を選択する基板選択装置に関する。
【０００２】
【従来技術】
近年、電子機器の高性能化、軽薄短小の傾向から、ＡＳＩＣに代表される種々のＬＳＩには、ますます高集積化、高機能化が求められるようになってきており、半導体集積回路の作製に用いられるフォトマスクにおいては、更なる高精度、高品質のパタン形成が求められるようになってきた。
従来、フォトマスク製造は、一般には、以下のように行われていた。
図８に基いて簡単に説明する。
先ず、石英などの透明基板８１０の上に、クロムなどの金属薄膜からなる遮光膜あるいはシフター層８２０をスパッタ法などにより成膜した基板（ブランクスとも言う）を用意する。（図８（ａ））
そして、ブランクスの遮光膜あるいはシフター層８２０上に、感光材層（感光性樹脂膜、感光性レジストあるいは単にレジストとも言う）８３０を塗布した後、加熱乾燥処理し膜に残留している溶剤の除去や金属薄膜との密着性向上を図る。（図８（ｂ））
次に、感光材層が塗布された感光材層塗布基板の感光材層８３０に、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ Ｂｅａｍの略で電子線のこと）、レーザー光、Ｘ線などの電離放射線８４０を選択的に照射し、所望のパタン形状に感光する。（図８（ｃ））
一般にはパタン（絵柄）形成用のパタンデータにしたがい、電離放射線８４０を所定の装置で選択的に照射するため、これをこれを、パタン描画ないし単に描画とも言う。
次に、感光材層８３０を現像してレジストパタン８３５を形成した（図８（ｄ））後、レジストパタン８３５の開口８３６から露出した金属薄膜からなる遮光層８２０をエツチングして、遮光層パタン８２５を形成する。（図８（ｅ））
最後に、レジストパタン８３５を除去して、遮光層パタン８２５をその一面に配設したフオトマスクが得られる。（図８（ｆ））
そして、この後、検査、必要に応じて修正が行われ、所望のフォトマスクを得ていた。
【０００３】
上記フォトマスク製造において作製されるフォトマスクの品質は、パタン描画用に供用される感光材層塗布基板の品質に大きく影響を受けることは言うまでもないが、従来、パタン描画用に供用される感光材層塗布基板は、その種類も多く、管理がたいへんで、その作製過程における検査にて、一定の基準のもとに良品、不良品の判別が行われ、良品のみが用いられていたのが実際である。
しかし、目的とする製品の品質仕様も多種あり、検査にて良品になった感光材層塗布基板にも品質面や感光材層の感度に種々あるため、必ずしも、目的とする製品の品質仕様に見合った基板を選択していたとは言えず、使用する基板の選択１つで、検査、修正に及ぼす影響は大きかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、ＬＳｌチップなどの半導体製品の回路が、年々、高密度化、微細化している中、この作製に用いられるフォトマスクにおいては、更なる高精度、高品質のパタン形成が求められるようになってきた。
本発明は、これに対応するもので、フォトマスク作製の際、パタン描画に供用される、感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光材層塗布基板群の中から、目的とする製品を作製するための基板を、特に製品品質の面からうまく選択できる基板選択装置を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の基板選択装置は、感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光材層塗布基板群の中から、目的とする製品に使用する基板を選択する基板選択装置であって、感光材層塗布基板の、欠陥に対応して欠陥検査結果をデータベースに登録する１つ以上の欠陥登録部と、感光材層の感度を感光材層塗布のロット毎に、チェックした感光材層ロットチェック結果を、データベースに登録する感光材層ロットチェック結果登録部と、データベースに登録された欠陥検査結果、感光材層ロットチェック結果に基づいて、基板群の中から、目的とする製品作製に使用する基板を選択する基板選択部とを備えていることを特徴とするものである。
そして、上記において、感光材層塗布基板の、欠陥検査結果をデータベースに登録する欠陥登録部として、感光材層塗布基板の感光材層塗布前のブランクスのピンホール欠陥検査結果をデータベースに登録するピンホール欠陥登録部と、
感光材層塗布後の基板の、異物欠陥検査結果をデータベースに登録する異物欠陥登録部とを備えていることを特徴とするものである。
そしてまた、上記において、基板選択の基準となる基板の品質基準をデータベースに登録する選択基準登録部を備えており、基板選択部は、必要に応じ、データベースに登録された欠陥検査結果情報、感光材層ロットチェック結果情報、基板選択の基準となる基板の品質基準とから、目的とする製品作製に使用する基板を選択するものであることを特徴とするものである。
また、上記において、作製するフォトマスクに使用される基板の候補となる候補基板に対し、データベースに登録された各基板の欠陥検査結果情報、感光材層ロットチェック結果情報に基づいて、基板毎に作製するフォトマスクのパタンエリア（描画エリアとも言う）と対応させ、フォトマスク上のパタンエリア（描画エリア）内にある欠陥を抽出するパタンエリア内欠陥抽出部を備えていることを特徴とするものである。
【０００６】
また、上記において、作製するフォトマスクに使用される基板の候補となる候補基板に対し、データベースに登録された各基板の欠陥検査結果情報、感光材層ロットチェック結果情報に基づいて、基板毎に作製するフォトマスクの絵柄と対応させ、フォトマスク上で、絵柄周辺部に欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する確率を計算する、あるいは絵柄内部に欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する確率を計算する欠陥確率計算部を備えており、基板選択部は、必要に応じ、欠陥確率計算部により得られた基板毎の、絵柄周辺部に欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する確率から、あるいは、絵柄部全体にわたり、欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する確率から、目的とする製品作製に使用する基板を選択するものであることを特徴とするものである。
そして、上記において、欠陥確率計算部は、基板の対象となる全ての欠陥に対し、それぞれ、作製されるフォトマスク上での、欠陥位置に対応する、誤差を考慮した欠陥より大サイズの、欠陥領域を求め、求められた欠陥領域内の絵柄の周辺部に欠陥が発生しない確率である非発生確率を求め、更に、求められた全ての欠陥の非発生確率を、全て乗じた積を求め、これを、基板のフォトマスク上で絵柄周辺部に欠陥が発生しない確率とするものであることを特徴とするものである。
あるいは、上記において、欠陥確率計算部は、基板の対象となる全ての欠陥に対し、それぞれ、作製されるフォトマスク上での、欠陥位置に対応する、誤差を考慮した欠陥より大サイズの、欠陥領域を求め、求められた欠陥領域内の絵柄の内部に欠陥が発生しない確率である非発生確率を求め、更に、求められた全ての欠陥の非発生確率を、全て乗じた積を求め、これを、基板のフォトマスク上で絵柄全体にわたり欠陥が発生しない確率とするものであることを特徴とするものである。
尚、ここで言う確率とは、近似的な計算により算出された実質的に意味のある（近似的な）確率を含むものである。
また、フォトマスク上の絵柄（パタンとも言う）は、図８に示すフォトマスク製造工程のように、感光材層が塗布された感光材層塗布基板の感光材層８３０に、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ Ｂｅａｍの略で電子線のこと）、レーザー光、Ｘ線などの電離放射線８４０を選択的に照射し、所望のパタン形状に感光して、その潜像を形成するもので、一般にはパタン（絵柄）形成用のパタンデータにしたがい、電離放射線８４０を所定の装置で選択的に照射するため、これをパタン描画ないし単に描画とも言い、フォトマスク上の絵柄領域であるパタンエリアを描画エリアとも言う。
【０００７】
【作用】
本発明の基板選択装置は、このような構成にすることにより、フォトマスク作製の際、パタン描画に供用される、感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光材層塗布基板群の中から、目的とする製品を作製するための基板を、特に製品品質の面からうまく選択できる基板選択装置の提供を可能としている。
具体的には、感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光材層塗布基板群の中から、目的とする製品に使用する基板を選択する基板選択装置であって、感光材層塗布基板の、欠陥に対応して欠陥検査結果をデータベースに登録する１つ以上の欠陥登録部と、感光材層の感度を感光材層塗布のロット毎に、チェックした感光材層ロットチェック結果を、データベースに登録する感光材層ロットチェック結果登録部と、データベースに登録された欠陥検査結果、感光材層ロットチェック結果に基づいて、基板群の中から、目的とする製品作製に使用する基板を選択する基板選択部とを備えていることにより、これを達成している。
【０００８】
基板選択の基準となる基板の品質基準（ランクとも言う）をデータベースに登録する選択基準登録部を備えており、基板選択部は、必要に応じ、データベースに登録された欠陥検査結果、感光材層ロットチェック結果、基板選択の基準となる基板の品質基準とから、目的とする製品作製に使用する基板を選択することができる。
【０００９】
また、作製するフォトマスクに使用される基板の候補となる候補基板に対し、データベースに登録された各基板の欠陥検査結果情報、感光材層ロットチェック結果情報に基づいて、基板毎に作製するフォトマスクの絵柄と対応させ、フォトマスク上で、欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する確率を計算する欠陥確率計算部を備えており、基板選択部は、必要に応じ、欠陥確率計算部により得られた基板毎の、欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する確率から、目的とする製品作製に使用する基板を選択することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の基板選択装置の実施の形態例を図に基づいて説明する。
図１は本発明の基板選択装置の実施の形態の１例の概略構成図で、図２は欠陥検査結果データの１例を示した図で、図３は感光材層ロットチェック結果データの１例を示した図で、図４は基板の品質基準の１例を示した図で、図５は、基板選択の入力方法の１例を示した図で、図６は基板選択部による基板選択手順の１例を示したフロー図で、図７は欠陥確率計算部の動作の１例を説明するための図である。
尚、図１中、点線内は装置と基板選択処理（Ｓ１５０）を示したものである。また、図１中、Ｓ１１０〜Ｓ１７０、図６中、Ｓ５１０〜Ｓ５４０は処理ステップである。
図１、図６、図７中、１１０はピンホール欠陥検査登録部、１２０は異物欠陥検査結果登録部、１３０は感光材層ロットチエック結果登録部、１４０は選択基準登録部、１５０は基板選択部、１５１はパタンエリア内欠陥抽出部、１５２は欠陥確率計算部、１６０はデータベース、１７１は描画パタン、１７２は配置情報、１８１はピンホール欠陥検査結果データ、１８２は異物欠陥検査結果データ、１８３は感光材層感度ロットチェックデータ、１８４はフォトマスク仕様、１９０は選択支持入力、５１１は在庫基板、５１２は使用条件、５２１はピンホール欠陥検査結果データ、５２２は異物欠陥検査結果データ、５２３は対象基板、５２４はパタンエリア、５３１は対象基板、５３２は品質基準（基板ランク）、５４１は対象基板、 ６０１は基板エリア、６０５はパタンエリア（描画エリア）、６１１、６１２、６１３は欠陥、６２１、６２２、６２３は欠陥領域、６３１、６３２、６３３はパタンデータエリア、６５１、６５２は絵柄（パタンとも言う）である。
【００１１】
本発明の基板選択装置の実施の形態例は、感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光材層塗布基板群の中から、目的とする製品に、品質的に見合った基板を選択する基板選択装置で、選択された基板はパタン描画に供与される。
そして、図１に示すように、本例の基板選択装置は、感光材層塗布基板の感光材層塗布前のブランクスのピンホール欠陥検査結果（ピンホール欠陥検査結果データ１８１）をデータベース１６０に登録するピンホール欠陥登録部１１０と、感光材層塗布基板の異物欠陥検査結果（異物欠陥検査結果データ１８２）をデータベースに１６０登録する異物欠陥登録部１２０と、感光材層の感度を感光材層塗布のロット毎に、チェックした感光材層ロットチェック結果（感光材層感度ロットチェックデータ１８３）を、データベース１６０に登録する感光材層ロットチェック結果登録部１３０と、基板選択の基準となる品質基準（フォトマスク仕様１８４）をデータベース１６０に登録する選択基準選択部１４０と、データベース１６０に登録された欠陥検査結果（ピンホール欠陥検査結果データ１８１、異物欠陥検査結果データ１８２）、感光材層ロットチェック結果、基板選択の基準となる品質基準とから、品質的に適当な目的とする製品を作製するための基板を選択する基板選択部１５０とを備えている。
【００１２】
はじめに、基板の描画使用までの基板処理工程と、本例の基板選択装置の各部との関係を、図１に基づいて簡単に説明しておく。
先ず、石英などの透明基板の上に、クロムなどの金属薄膜からなる遮光膜あるいはシフター層をスパッタ法などにより成膜したブランクスに対し、所定のピンホール検査機を用い、ピンホール欠陥検査を行い（Ｓ１１０）、この結果をピンホール欠陥検査結果データ１８１として保管し、ピンホール欠陥検査結果登録部１１０を介して、データベース１６０に保管する。
次いで、ブランクスは洗浄を経て、感光材層の形成が、感光材の塗布により行なわれるが、感光材層の形成後、所定の検査装置により、異物欠陥の検査を行い（Ｓ１２０）、この結果を異物欠陥検査結果データ１８２として保管し、更に、異物欠陥検査結果登録部１２０を介して、データベース１６０に保管する。
更に、感光材層のロット毎に、テストピース（テスト用基板）を用いて、感度チエックを行い（Ｓ１３０）、この結果を感光材層感度ロットチェックデータ１８３として保管し、更に、感光材層感度ロットチェック結果登録部１３０を介して、データベース１６０に保管する。
一方、このようにして、各欠陥検査、感度チェックがなされた感光材層塗布基板を所定の保管庫（図示していない）に多数保管されることとなる。
次いで、保管されている感光材層塗布基板群から目的の基板を選択する基板選択（Ｓ１５０）を、本例の装置により行い、描画用の基板（Ｓ１６０）を選択し、描画機にてパタン描画が行われる。（Ｓ１７０）
【００１３】
次に、各欠陥検査結果データ１８１、１８２、感光材層感度ロットチェックデータ１８３、フォトマスク仕様１８４の内容を説明し、基板選択部１５０による、基板選択を説明する。
ピンホール欠陥検査結果データ１８１あるいは異物欠陥検査結果データ１８２等の欠陥検査データとしては、各基板毎に、欠陥検査により検出された欠陥のサイズとその位置（Ｘ，Ｙ座標表示）を把握したもので、例えば、図２に示すように表わされる。
感光材層感度ロットチェックデータ１８３としては、各基板毎に、感光材層の塗布ロット（ここでは、塗布日によりロットが異なるとする）毎に、テストピース等によりその感度を調べ、対応する描画機毎にこれに合った露光量（照射量）を決め、各基板毎に、基板サイズ、遮光膜種類、感光材層種類、塗布日、描画機、露光量を対応させておくもので、例えば、図３に示すように、表される。
尚、図３中、＋ａは、＋ａだけ露光量を多くして、感光材層のロット間の感度のバラツキの補正を行っているものである。
基板選択の基準となる品質基準（フォトマスク仕様１８４）は、設計ルール、パタンエリア（Ｘ、Ｙサイズ）、ピンホール欠陥検査結果ランク、異物欠陥検査結果ランク等を対応させたもので、例えば、図４に示すように表される。
尚、図４はラスター型のＥＢ機（電子線描画機）による描画に供せられる基板の品質基準の例で、表の１段目は０. ２５μｍアドレスユニット描画で、パタンエリアが１００００μｍ、１００００μｍ範囲で、ピンホール欠陥検査結果ランクがＡ、異物欠陥検査結果ランクがＢであることを意味している。
【００１４】
基板選択部１５０による、目的とする製品に見合った基板を選択する際の入力（選択支持入力１９０に相当）は、例えば、図５に示すように表示する（コンピュータ端末の表示部の）入力画面において、描画機、基板サイズ、遮光膜種類、感光材層種類等の基板条件、および、設計ルール、ピンホール欠陥検査結果ランク、異物欠陥検査結果ランク等の品質条件を、それぞれ選択して行なう。
【００１５】
基板選択部１５０による、目的とする製品に品質的に見合った基板を選択する第１の例のフロー（アルゴリズム）の例を図６に基づいて説明する。
第１の例は、データベースに登録された欠陥検査結果情報、感光材層ロットチェック結果情報、基板選択の基準となる基板の品質基準とから、基板を選択するもので、基板選択部１５０では、パタンエリア内欠陥抽出部１５１にて、対象基板について、データベースに登録された欠陥検査結果情報に基づき、それぞれ、作製するフォトマスクのパタンエリア（これを、描画エリアとも言う）に対応する領域内の欠陥数を抽出し、抽出された欠陥の数により、各対象基板をランク付けして、基板の品質基準に見合った所望の基板を使用するものである。
先ず、在庫基板５１１の中から、選択支持入力１９０により指定された、指定の描画機、基板サイズ、遮光膜種類、感光材層種類等の使用条件５１２に対応する対象基板５２３を選択する、対象基板選択を行なう。（Ｓ５１０）
次いで、この対象基板５２３の中から、ピンホール欠陥検査結果データ５２１、異物欠陥検査結果データ５２２を参照にして、パタンエリアが所定のもの（対象基板５３１）を選び、それぞれについて、９０°回転をおこない、パタンエリア内の欠陥数を把握しておく。（Ｓ５２０）
９０°回転することにより、所定のパタンエリア内においても、その中に占める欠陥の数が異なることがある。
対象基板５３１の中から、品質基準（基板ランク）５３２と照らし、所望の基板ランクのものを選び、優先順位を付けたランク分けを行ない（Ｓ５３０）、ランク分けされ、更に、優先順位が付けられた対象基板５４１を得る。（Ｓ５４０）
【００１６】
このようにして、目的とする製品の対象基板５４１が、ランク分けされ、更に優先順位が付けて挙げられるが、この対象基板５４１の中より、目的とする製品の品質仕様に見合った、所望の基板を選択し、描画機に供する。
【００１７】
基板選択部１５０による、目的とする製品に品質的に見合った基板を選択する第２の例を説明する。
第２の例は、データベースに登録された欠陥検査結果情報、感光材層ロットチェック結果情報から、基板を選択するもので、基板選択部１５０では、欠陥確率計算部１５２にて、対象基板について、データベースに登録された欠陥検査結果情報に基づき、それぞれ、フォトマスク上で欠陥が発生しない確率Ｐ０を求めるもので、この確率Ｐ０より、対象基板の中でランク付けを行い、所望の基板ランクのものを選びフォトマスク作製用の基板とするものである。
Ｐ０を求める際、対象基板に対し、対象基板とパタンエリアを相対的に９０度ずつ回転させて同様の計算を行い、それぞれの相対的な角度におけるＰ０を求め、それぞれの相対的な角度におけるＰ０を含め、対象基板の中でランク付けを行い、所望のランクのものを選ぶ。
この場合、第１の例に比べ、対象基板をさらに有効的に使用することができる。
【００１８】
以下、対象基板とパタンエリアとがある所定の相対位置関係にある場合の、フォトマスク上で欠陥が発生しない確率Ｐ０の求め方の１例を図７に基づいて説明する。
説明を分かり易くするため、具体的な例として、基板エリア６０１の描画エリア（パタンエリア）６０５内に、欠陥が 3個（欠陥６１１、６１２、６１３）あり、パタンデータエリア６３１、６３２、６３３が３つある場合の、フォトマスク上で欠陥が発生しない確率Ｐ０の求め方を説明する。
先ず、欠陥６１１、６１２、６１３について、それぞれ、パタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）の周辺部に跨る確率を計算し、これより、パタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）の周辺部に跨がらない確率Ｐ１，Ｐ２、Ｐ３をそれぞれ計算し、Ｐ０＝Ｐ１×Ｐ２×Ｐ３としてフォトマスク上で欠陥が発生しない確率Ｐ０を求める。
尚、対象基板と、パタンエリア、パタンデータエリア、パタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）との位置関係は、描画パタン１７１、配置情報１７２とから決定する。
欠陥６１１がパタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）の周辺部に跨がらない確率Ｐ１は、作製されるフォトマスク上での、欠陥６１１の位置に対応する、誤差を考慮した欠陥より大サイズの、欠陥領域６２１を求め、求められた欠陥領域６２１内の絵柄の周辺部に欠陥が発生しない確率である非発生確率を求める。
図７（ａ）の場合の、誤差を考慮した、欠陥６１１がこの中に入る欠陥より大サイズの、欠陥領域６２１（サイズＬ×Ｌ）内の絵柄が、図７（ｂ）に拡大して示すように、絵柄６５１、６５２で、欠陥領域６２１は一辺の長さをＬとする矩形領域である。
この場合、欠陥をサイズｄφの円形のものとし、絵柄６５１、６５２の周辺長さの総和をＳ１とすると、欠陥６１１がパタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）の周辺部に跨る確率は、近似的に（Ｓ１×ｄ）／（Ｌ×Ｌ）として計算される。
よって、欠陥６１１がパタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）の周辺部に跨がらない確率Ｐ１を、近似的に、Ｐ１＝１−［（Ｓ１×ｄ）／（Ｌ×Ｌ）］として求めることができる。
同様にして、欠陥６１２、６１３がパタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）の周辺部に跨がらない確率Ｐ２、Ｐ３をそれぞれ求める。
求められた、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３より、フォトマスク上で欠陥が発生しない確率Ｐ０が求められる。
パタンデータエリア（６３１、６３２、６３３に相当）が３つ以上ある場合についても、基本的には同様に計算できる。
【００１９】
尚、第２の例における、上記のＰ０計算方法は、欠陥６１１、６１２、６１３が絵柄の内部に含まれる場合には、後で欠陥修正が比較的容易に行なうことができるため、これを、実作業上、後の修正作業を前提として、欠陥発生としない計算方法である。
【００２０】
勿論、欠陥６１１、６１２、６１３が絵柄の内部に含まれる場合も、欠陥発生するものとして、欠陥発生確率を計算することもできる。
この場合は、例えば、図７（ｂ）のような欠陥領域６２１において、
サイズｄφの円形の欠陥６１１がパタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）に跨る確率は、Ｓｄ／（Ｌ×Ｌ）として計算される。
但し、Ｓｄは絵柄６５１、６５２を、それぞれ外側にｄ／２だけ太らせた場合の面積の和である。
これより、欠陥６１１がパタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）に跨がらない確率Ｐ１１は、Ｐ１１＝１−［Ｓｄ／（Ｌ×Ｌ）］として求められる。
同様に、欠陥６１２、６１３がパタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言う）に跨がらない確率Ｐ１２、Ｐ１３を求めることができ、求められた、Ｐ１１，Ｐ２１，Ｐ３１より、絵柄の内部にある場合も含め、フォトマスク上で欠陥が発生しない確率Ｐ０１を求めることができる。
【００２１】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、フォトマスク作製の際、パタン描画に供用される、感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光材層塗布基板群の中から、目的とする製品を作製するための基板を、特に製品品質の面からうまく選択できる基板選択装置の提供を可能とした。
これにより、従来に比べ、フォトマスク製造のトータル的な生産性を向上させ、フォトマスクの更なる高精度化、高品質化にも対応できるものとした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板選択装置の実施の形態の１例の概略構成図
【図２】欠陥検査結果データの１例を示した図
【図３】感光材層ロットチェック結果データの１例を示した図
【図４】品質基準の１例を示した図
【図５】基板選択の入力方法の１例を示した図
【図６】基板選択部による基板選択手順の１例を示したフロー図
【図７】欠陥確率計算部の動作の１例を説明するための図
【図８】フォトマスクの製造方法を説明するための図
【符号の説明】
１１０ ピンホール欠陥検査登録部
１２０ 異物欠陥検査結果登録部
１３０ 感光材層ロットチエック結果登録部
１４０ 選択基準登録部
１５０ 基板選択部
１５１ パタンエリア内欠陥抽出部
１５２ 欠陥確率計算部
１６０ データベース
１７１ 描画パタン
１７２ 配置情報
１８１ ピンホール欠陥検査結果データ
１８２ 異物欠陥検査結果データ
１８３ 感光材層感度ロットチェックデータ
１８４ フォトマスク仕様
１９０ 選択支持入力
５１１ 在庫基板
５１２ 使用条件
５２１ ピンホール欠陥検査結果データ
５２２ 異物欠陥検査結果データ
５２３ 対象基板
５２４ パタンエリア
５３１ 対象基板
５３２ 品質基準（基板ランク）
５４１ 対象基板
６１１、６１２、６１３ 欠陥
６２１、６２２、６２３ 欠陥領域
６３１、６３２、６３３ パタンデータエリア
６５１、６５２ 絵柄（パタンとも言う）
８１０ 透明基板
８２０ 遮光膜あるいはシフター層
８２５ 遮光層パタン
８３０ 感光材層（感光性樹脂膜、感光性レジストあるいは単にレジストとも言う）
８３５ レジストパタン
８４０ 電離放射線
Claims (7)
- 感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光材層塗布基板群の中から、目的とする製品に使用する基板を選択する基板選択装置であって、感光材層塗布基板の、欠陥に対応して欠陥検査結果をデータベースに登録する１つ以上の欠陥登録部と、感光材層の感度を感光材層塗布のロット毎に、チェックした感光材層ロットチェック結果を、データベースに登録する感光材層ロットチェック結果登録部と、データベースに登録された欠陥検査結果、感光材層ロットチェック結果に基づいて、基板群の中から、目的とする製品作製に使用する基板を選択する基板選択部とを備えていることを特徴とする基板選択装置。
- 請求項１において、感光材層塗布基板の、欠陥検査結果をデータベースに登録する欠陥登録部として、感光材層塗布基板の感光材層塗布前のブランクスのピンホール欠陥検査結果をデータベースに登録するピンホール欠陥登録部と、感光材層塗布後の基板の、異物欠陥検査結果をデータベースに登録する異物欠陥登録部とを備えていることを特徴とする基板選択装置。
- 請求項１ないし２において、基板選択の基準となる基板の品質基準をデータベースに登録する選択基準登録部を備えており、基板選択部は、必要に応じ、データベースに登録された欠陥検査結果情報、感光材層ロットチェック結果情報、基板選択の基準となる基板の品質基準とから、目的とする製品作製に使用する基板を選択するものであることを特徴とする基板選択装置。
- 請求項１ないし３において、作製するフォトマスクに使用される基板の候補となる候補基板に対し、データベースに登録された各基板の欠陥検査結果情報、感光材層ロットチェック結果情報に基づいて、基板毎に作製するフォトマスクのパタンエリア（描画エリアとも言う）と対応させ、フォトマスク上のパタンエリア（描画エリア）内にある欠陥を抽出するパタンエリア内欠陥抽出部を備えていることを特徴とする基板選択装置。
- 請求項１ないし４において、作製するフォトマスクに使用される基板の候補となる候補基板に対し、データベースに登録された各基板の欠陥検査結果情報、感光材層ロットチェック結果情報に基づいて、基板毎に作製するフォトマスクの絵柄と対応させ、フォトマスク上で、絵柄周辺部に欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する確率を計算する、あるいは絵柄内部に欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する確率を計算する欠陥確率計算部を備えており、基板選択部は、必要に応じ、欠陥確率計算部により得られた基板毎の、絵柄周辺部に欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する確率から、あるいは、絵柄部全体にわたり、欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する確率から、目的とする製品作製に使用する基板を選択するものであることを特徴とする基板選択装置。
- 請求項５において、欠陥確率計算部は、基板の対象となる全ての欠陥に対し、それぞれ、作製されるフォトマスク上での、欠陥位置に対応する、誤差を考慮した欠陥より大サイズの、欠陥領域を求め、求められた欠陥領域内の絵柄の周辺部に欠陥が発生しない確率である非発生確率を求め、更に、求められた全ての欠陥の非発生確率を、全て乗じた積を求め、これを、基板のフォトマスク上で絵柄周辺部に欠陥が発生しない確率とするものであることを特徴とする基板選択装置。
- 請求項５において、欠陥確率計算部は、基板の対象となる全ての欠陥に対し、それぞれ、作製されるフォトマスク上での、欠陥位置に対応する、誤差を考慮した欠陥より大サイズの、欠陥領域を求め、求められた欠陥領域内の絵柄の内部に欠陥が発生しない確率である非発生確率を求め、更に、求められた全ての欠陥の非発生確率を、全て乗じた積を求め、これを、基板のフォトマスク上で絵柄全体にわたり欠陥が発生しない確率とするものであることを特徴とする基板選択装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000232215A JP4170569B2 (ja) | 2000-06-02 | 2000-07-31 | 基板選択装置 |
| EP01934361.5A EP1211558B8 (en) | 2000-06-02 | 2001-05-28 | Substrate selector |
| PCT/JP2001/004427 WO2001095029A1 (fr) | 2000-06-02 | 2001-05-28 | Selecteur de substrat |
| US10/049,051 US6801824B2 (en) | 2000-06-02 | 2001-05-28 | Substrate selector |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000166248 | 2000-06-02 | ||
| JP2000-166248 | 2000-06-02 | ||
| JP2000232215A JP4170569B2 (ja) | 2000-06-02 | 2000-07-31 | 基板選択装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002055437A JP2002055437A (ja) | 2002-02-20 |
| JP4170569B2 true JP4170569B2 (ja) | 2008-10-22 |
Family
ID=26593234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000232215A Expired - Lifetime JP4170569B2 (ja) | 2000-06-02 | 2000-07-31 | 基板選択装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6801824B2 (ja) |
| EP (1) | EP1211558B8 (ja) |
| JP (1) | JP4170569B2 (ja) |
| WO (1) | WO2001095029A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI309873B (en) * | 2002-11-26 | 2009-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mask pattern inspecting method, inspection apparatus, inspecting data used therein and inspecting data generating method |
| US9002497B2 (en) * | 2003-07-03 | 2015-04-07 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data |
| DE112005000548B4 (de) | 2004-03-09 | 2015-11-19 | Hoya Corp. | Verfahren zur Unterstützung der Maskenherstellung, Verfahren zur Bereitstellung von Maskenrohlingen und Verfahren zur Handhabung von Maskenrohlingen |
| JP4520263B2 (ja) | 2004-09-16 | 2010-08-04 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク提供システム、マスクブランク提供方法、マスクブランク用透明基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 |
| JP4675745B2 (ja) * | 2005-10-25 | 2011-04-27 | 株式会社東芝 | フォトマスク用基板の選別方法、フォトマスク作製方法及び半導体装置製造方法 |
| JP4660358B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2011-03-30 | 大日本印刷株式会社 | 基板選択装置 |
| JP4893778B2 (ja) * | 2009-05-21 | 2012-03-07 | 大日本印刷株式会社 | 描画用基板の供給方法および基板選択装置 |
| JP4520537B2 (ja) * | 2010-03-08 | 2010-08-04 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 |
| WO2014021448A1 (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-06 | 日本電気株式会社 | 生産物管理方法、生産物管理装置、生産物管理システム、及びプログラム |
| JPWO2016153052A1 (ja) * | 2015-03-26 | 2018-01-18 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクの製造方法および検査装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4586822A (en) * | 1983-06-21 | 1986-05-06 | Nippon Kogaku K. K. | Inspecting method for mask for producing semiconductor device |
| US5563702A (en) * | 1991-08-22 | 1996-10-08 | Kla Instruments Corporation | Automated photomask inspection apparatus and method |
| JPH07201946A (ja) | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置等の製造方法及びその装置並びに検査方法及びその装置 |
| JP3986571B2 (ja) * | 1994-12-09 | 2007-10-03 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 歩留り予測装置とその方法 |
| US5991699A (en) * | 1995-05-04 | 1999-11-23 | Kla Instruments Corporation | Detecting groups of defects in semiconductor feature space |
| US5649169A (en) * | 1995-06-20 | 1997-07-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for declustering semiconductor defect data |
| JPH0951028A (ja) * | 1995-08-08 | 1997-02-18 | Hitachi Ltd | フォトマスク管理システム |
| US5777901A (en) * | 1995-09-29 | 1998-07-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for automated die yield prediction in semiconductor manufacturing |
| US5786231A (en) * | 1995-12-05 | 1998-07-28 | Sandia Corporation | Screening method for selecting semiconductor substrates having defects below a predetermined level in an oxide layer |
| JP3897922B2 (ja) * | 1998-12-15 | 2007-03-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法、及びコンピュ−タ読取り可能な記録媒体 |
| JP2000306963A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法並びに半導体製造装置及び製造システム |
| US6620632B2 (en) * | 2000-04-06 | 2003-09-16 | Seh America, Inc. | Method for evaluating impurity concentrations in semiconductor substrates |
| JP3874066B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2007-01-31 | 信越化学工業株式会社 | シリカガラス基板の選別方法 |
-
2000
- 2000-07-31 JP JP2000232215A patent/JP4170569B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-05-28 WO PCT/JP2001/004427 patent/WO2001095029A1/ja active Application Filing
- 2001-05-28 US US10/049,051 patent/US6801824B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-28 EP EP01934361.5A patent/EP1211558B8/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6801824B2 (en) | 2004-10-05 |
| WO2001095029A1 (fr) | 2001-12-13 |
| JP2002055437A (ja) | 2002-02-20 |
| EP1211558A1 (en) | 2002-06-05 |
| EP1211558B1 (en) | 2015-07-01 |
| EP1211558A4 (en) | 2008-03-26 |
| US20020173870A1 (en) | 2002-11-21 |
| EP1211558B8 (en) | 2015-08-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060629 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080311 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080509 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080805 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080807 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4170569 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130815 Year of fee payment: 5 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |