JPWO2016153052A1 - フォトマスクの製造方法および検査装置 - Google Patents

Abstract

フォトマスク（１０）の製造方法は、フォトマスク製造のための各工程のうちの最終工程前に、製造途中のフォトマスク（１８）上の異物検査を行う中間検査工程を含む。

Description

本発明は、フォトマスク上の異物検査を行う中間検査工程を含むフォトマスクの製造方法に関する。また、本発明は、フォトマスク上の異物検査を行う検査装置に関する。

従来、フォトリソグラフィー技術を用いた、半導体集積回路（ＬＳＩ）、プリント配線板（ＰＷＢ）、液晶表示パネル（ＬＣＤ）等の製造に、フォトマスク（レチクル）が用いられている。このフォトマスクは、一般に次のような製造工程を経て製造される。まず、ガラス等からなる透明基材上にクロム等からなる金属膜（遮光膜）を形成し、さらにこの金属膜上に感光性のレジストを塗布する。次に、レジスト膜への電子ビームやレーザービーム等の照射によりマスクパターンを描画し、このレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。そして、このレジストパターンをマスクとして金属膜をエッチング等によりパターニングして、パターニングされた金属膜からなるマスクパターン（遮光パターン）を形成する。最後に、レジストパターンを除去してフォトマスクを得る。

このようにして製造されたフォトマスクは、マスクパターンの欠陥の有無について最終検査（パターン検査）が行われ、この最終検査でマスクパターンに欠陥がないと判断されたものだけが、実際にフォトマスクとして使用される。ところが、最終検査でマスクパターンの欠陥が発見されても、フォトマスクの製造のための各工程のうちのどの工程に問題が生じているのかを知ることは困難であった。

フォトマスクの製造のための各工程のうちのどの工程に問題が生じているのかを知るためには、現像工程後やエッチング工程後等、フォトマスクの製造工程の途中で欠陥検査を行うことが考えられる。しかし、ＬＳＩ等の配線の微細化によりフォトマスクのマスクパターンも微細化され、欠陥検査装置において検査時に照射する電磁波は、短波長化および高出力化している。製造途中のフォトマスク、とりわけレジストが塗布された状態のフォトマスク、に短波長および高出力の電磁波を照射すると、電磁波が照射されたレジストからアウトガスが放出される。アウトガスは、有機材料等から放出される様々なガスであり、このアウトガスが検査装置に付着することにより、とりわけ検査装置の光学系の性能を低下させる。

この問題を解決するために、ＪＰ２０１２−２０８１８５Ａでは、フォトマスクを載置して開口部からフォトマスクの検査面を露出させるマスク固定用ホルダー、検査光を透過させる透光性保護部材、および、透光性保護部材をマスク固定用ホルダーに対して保持する枠状の支持体で筐体を形成し、この筐体によりフォトマスクの検査面を覆う密閉空間を形成している。そして、短波長および高出力の検査光を透光性保護部材を透過させてフォトマスクに照射し、検査光の照射により密閉空間に放出されたアウトガスを、密閉空間内に不活性ガスを供給することにより、排出している。

また、ＪＰ２００９−１３４０９５Ａには、ブランクスの欠陥とフォトマスクの欠陥との一致判定処理を行うことで、ブランクスの欠陥とフォトマスクに発生した欠陥の要因分析を行い、フォトマスクの品質向上とフォトマスクの工程収率アップに寄与することが記載されている。

ＪＰ２０１２−２０８１８５Ａに開示された技術では、上述のマスク固定用ホルダー、透光性保護部材および枠状の支持体の他にも不活性ガスを供給する機構やアウトガスを排出する機構が不可欠である。したがって、検査装置の構造が複雑になり且つ検査装置が大型化する。また、レジストパターン検査のために、短波長および高出力の検査光を照射し得る高性能な光学系を必要とするため、検査装置のコストが高くなる。

ところで、本件発明者らが、マスクパターンに欠陥を生じる原因について鋭意検討を行ったところ、マスクパターンに欠陥を生じる原因の多くは、フォトマスクの製造のための各工程のいずれかにおいて、フォトマスクに塵埃等の異物が付着することであることが知見された。したがって、マスクパターンにおける欠陥の発生原因を特定するためには、フォトマスク製造のための各工程のうちのどの工程で異物が付着したかを特定することが有効である。

また、製造途中でフォトマスクに異物が付着したままその後の工程を行ったことにより欠陥が生じたフォトマスクは、製品とすることができず廃棄することとなる。すなわち、製造途中で異物が付着したフォトマスクに、その後の工程を行っても、製造されたフォトマスクに欠陥が生じれば、当該工程は無駄な工程となり得る。したがって、製造途中で異物が付着したフォトマスクに、その後の無駄な工程を行うことなく、異物の除去または当該フォトマスクの廃棄を行うためにも、フォトマスク製造のための各工程のうちのどの工程で異物が付着したかを特定することが有効である。

また、ＪＰ２００９−１３４０９５Ａに開示された技術では、ブランクスの欠陥とフォトマスクの欠陥との一致判定と分析のみを行っており、フォトマスクの欠陥の原因等については限定的にしか分析できなかった。

本発明は、このような点を考慮してなされたものであって、検査装置の複雑化、大型化を抑制しながら、フォトマスク製造のための各工程のうちのどの工程で問題が生じているのかを迅速に特定し得るフォトマスクの製造方法および検査装置を提供すること、ならびに、製造途中で異物が付着したフォトマスクに対するその後の無駄となり得る工程を省略することが可能となるフォトマスクの製造方法および検査装置を提供すること、を第１の目的とする。

また、本発明は、フォトマスクの欠陥の原因となりうる異物の発生状況を素早く特定し、フォトマスクの製造環境を改善することで品質を向上できるフォトマスクの製造方法および検査装置を提供することを第２の目的とする。

本発明によるフォトマスクの製造方法は、
フォトマスク製造のための各工程のうちの最終工程前に、製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う中間検査工程を含む。

本発明によるフォトマスクの製造方法において、
フォトマスク製造のための各工程のうちの前記最終工程後に、フォトマスクの遮光パターンの良否を確認する最終検査工程をさらに含んでもよい。

本発明によるフォトマスクの製造方法において、
前記中間検査工程で用いる中間検査装置は、前記最終検査工程で用いる最終検査装置よりも低い分解能を有してもよい。

本発明によるフォトマスクの製造方法において、
前記中間検査工程で異物が存在すると判断された製造途中のフォトマスク上の異物を除去する異物除去工程をさらに有してもよい。

本発明によるフォトマスクの製造方法において、
前記異物除去工程後に、前記異物が除去された製造途中のフォトマスクの欠陥を確認する欠陥確認工程をさらに有してもよい。

本発明によるフォトマスクの製造方法において、
前記欠陥確認工程において、欠陥なしと判定された製造途中のフォトマスク、および、欠陥はあるが当該欠陥が修正可能と判断された製造途中のフォトマスク、をフォトマスクの製造工程に戻してもよい。

本発明によるフォトマスクの製造方法において、
情報処理装置が、
フォトマスク製造のための各工程のうちのいずれかである第１の工程の後に製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第１の中間検査工程で得られた検査結果と、
ブランクスの欠陥検査を行って得られた検査結果、フォトマスク製造のための各工程のうちの前記第１の工程以外のいずれかである第２の工程の後で製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第２の中間検査工程で得られた検査結果、および、製造後のフォトマスクの欠陥検査を行って得られた検査結果、のうちの少なくともいずれかと、
を有する検査結果データを用いて、前記検査結果に含まれる異物または欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行ってもよい。

本発明による検査装置は、
フォトマスク上の異物検査を行う検査装置であって、
前記検査装置は、フォトマスクを撮像する撮像装置と、前記撮像装置で撮像された画像を処理する画像処理装置と、前記画像処理装置で処理された画像を表示する表示装置とを備え、
前記画像処理装置は、前記撮像装置で撮像された第１のフォトマスク画像からフォトマスク上に存在する異物の座標を取得し、
前記撮像装置は、前記座標に基づいて前記フォトマスクを撮像し、第２のフォトマスク画像を取得し、
前記表示装置は、前記第２のフォトマスク画像を表示する。

本発明による検査装置において、
前記撮像装置は、前記フォトマスクを下面側から撮像してもよい。

本発明による検査装置において、
前記撮像装置は、前記第１のフォトマスク画像を撮像する第１の撮像装置と、前記第２のフォトマスク画像を撮像する第２の撮像装置と、を有してもよい。

本発明によれば、検査装置の複雑化、大型化を抑制しながら、フォトマスクの製造工程中のどの工程で問題が生じているのかを迅速に特定することができる。また、本発明によれば、製造途中で異物が付着したフォトマスクに対するその後の無駄となり得る工程を省略することが可能となる。

また、本発明によれば、フォトマスクの欠陥の原因となりうる異物の発生状況を素早く特定し、フォトマスクの製造環境を改善することで品質を向上できるフォトマスクの製造方法および検査装置を提供することができる。

図１は、本発明による第１の実施形態を説明するための図であって、フォトマスクの製造方法における各工程を示す図である。 図２は、フォトマスクの製造方法の一例を説明するための図である。 図３は、フォトマスクの製造方法の一例を説明するための図である。 図４は、フォトマスクの製造方法の一例を説明するための図である。 図５は、フォトマスクの製造方法の一例を説明するための図である。 図６は、フォトマスクの製造方法の一例を説明するための図である。 図７は、フォトマスクの製造方法の一例を説明するための図である。 図８は、フォトマスクの検査システムの一例を概略的に示す平面図である。 図９は、図８の検査システムを示す側面図である。 図１０は、検査システムに含まれる中間検査装置を示す平面図である。 図１１は、図１０の中間検査装置を示す側面図である。 図１２は、中間検査装置の具体的構成の一例を示す図である。 図１３は、図１２の中間検査装置を用いた異物検出方法の一例を説明するための図である。 図１４は、中間検査工程の一例を示すフローチャートである。 図１５は、中間検査工程に続いて行われる異物除去工程および欠陥確認工程の一例を示すフローチャートである。 図１６は、本発明による第２の実施形態を説明するための図であって、フォトマスクの検査システムの一例を概略的に示す図である。 図１７は、図１６のフォトマスクの検査システムに含まれる情報処理装置のハードウェア構成を示す図である。 図１８は、図１６のフォトマスクの検査システムで取得された検査結果データの一例を示す図である。 図１９は、情報処理装置の処理を示すフローチャートである。 図２０は、情報処理装置による照合結果を示す図である。 図２１は、図１６のフォトマスクの検査システムで取得された検査結果データの他の例を示す図である。 図２２は、図２１の検査結果データの情報処理装置による照合結果を表示する方法の一例を示す図である。 図２３は、中間検査装置の具体的構成の一変形例を示す図である。 図２４は、中間検査装置の具体的構成の他の変形例を示す図である。

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。

なお、本明細書において、「板（基板）」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板（基板）」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材をも含む概念であり、したがって、「透明基板」は、「透明シート」や「透明フィルム」と呼ばれる部材と、呼称の違いのみにおいて区別され得ない。

また、「シート面（板面、フィルム面）」とは、対象となるシート状（板状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となるシート状部材（板状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。

また、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件ならびにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。

（第１の実施形態）
図１〜図１５は、本発明による第１の実施形態を説明するための図である。このうち図１は、フォトマスク製造のための各工程および各検査工程を示す図であり、図２〜図７は、フォトマスク製造のための各工程を順に説明する図である。

フォトマスクは、主に、半導体集積回路（ＬＳＩ）、プリント配線板（ＰＷＢ）、液晶表示パネル（ＬＣＤ）等の製造において、フォトリソグラフィー技術を用いたパターン形成工程で使用される。フォトマスクは、少なくとも特定波長域の光を遮光することができる材料を用いて形成された板状部材を含んでいる。この板状部材は、パターン形成工程で形成されるべきパターンに対応したパターンで、開口や薄肉化された部位を形成されている。なお、半導体集積回路の製造に用いられるフォトマスクは、レチクルとも呼ばれる。

フォトマスクは、その遮光領域の性質、遮光層の形成方法、使用方法等から種々のものに分類され得る。例えば、遮光領域の性質によって、遮光パターンが形成され光を遮蔽する遮光領域と、遮光領域以外の光を透過させる光透過領域とを有するバイナリマスクや、光を遮蔽する遮光領域と、光を半透過させる半透過領域と、光を透過させる光透過領域とを有するハーフトーンマスク等に分類され得る。また、遮光層の形成方法によって、クロム等の金属からなる膜をエッチングすることにより遮光パターンを形成するハードマスクや、ハロゲン化銀の微粒子を分散させた感光性材料に光を照射して析出した金属銀により遮光パターンを形成するエマルジョンマスク等に分類され得る。さらに、フォトマスク使用方法によって、露光される対象に密着させて使用されるコンタクト露光用のフォトマスク、露光される対象から離間配置されて使用されるプロキシミティ露光用のフォトマスク、フォトマスクと露光される対象との間にレンズや鏡等の光学装置が配置されフォトマスクを透過した光が当該光学装置を介して露光される対象に投影されるプロジェクション露光用のフォトマスク等に分類され得る。そして、本実施の形態のフォトマスクの製造方法は、いずれのフォトマスクの製造にも適用可能である。

以下に説明する本実施の形態においては、フォトマスクの製造方法の例として、主に、クロム等の金属からなる膜をエッチングすることにより遮光パターンが形成され、遮光領域と光透過領域とを有するようになるバイナリマスクの製造方法について述べる。

このフォトマスク製造のための各工程の一例として、バイナリマスクの製造のための各工程の例を図１に示す。図示された例では、フォトマスク製造工程は、ブランクス準備工程Ｓ１、レジスト層形成工程Ｓ２、レジストパターン描画工程Ｓ３、現像工程Ｓ４、遮光膜エッチング工程Ｓ５、および、レジスト層除去工程Ｓ６、の各工程を含んでいる。また、フォトマスク製造のための各工程のうちの最終工程後、とりわけ図示された例ではレジスト層除去工程Ｓ６の後、フォトマスクのマスクパターンの良否を確認する最終検査が行われる（最終検査工程Ｓ４０）。

図１に示された例では、フォトマスク製造のための各工程のうちの最終工程前に、製造途中のフォトマスク上の異物の有無を確認する中間検査工程Ｓ１０を含んでいる。とりわけ図示された例では、フォトマスク製造のための各工程（Ｓ１〜Ｓ６）のうちのレジスト層除去工程Ｓ６（最終工程）の前における各工程の間で、中間検査工程Ｓ１０が少なくとも１回行われる。中間検査工程Ｓ１０は、フォトマスク製造のための各工程のうちのいずれの工程間で行われてもよい。また、中間検査工程Ｓ１０を複数回行ってもよい。この中間検査工程Ｓ１０の詳細については後述する。

次に、図２〜図７を参照して、フォトマスク製造のための各工程について説明する。

（ブランクス準備工程Ｓ１）
まず、マスクブランクス（単にブランクスとも呼ぶ）１１を準備する。マスクブランクス１１は、フォトマスクを製造するための元材となる積層体であり、図２に示した例では、透明基板１２上に後に遮光パターン１４をなすようになる遮光層１３が積層されている。透明基板１２は、遮光層１３（遮光パターン１４）を支持する機能を有する。透明基板１２の材料は、光透過性を有するものであれば特に限られないが、例えば、ソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス材料を好適に用いることができる。また、遮光層１３としては、クロム、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）等の金属層を用いることができる。さらに、遮光層１３は単層で形成されたものに限られず、クロム層の片面または両面に酸化クロム層を設けたもののように、複数層で形成されたものであってもよい。透明基板１２上に遮光層１３を形成する方法も特に限られないが、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）、めっき法等の液相成長法、またはこれらの２以上を組み合わせた方法を採用することができる。

（レジスト層形成工程Ｓ２）
次に、図３に示されているように、マスクブランクス１１の遮光層１３の透明基板１２と反対の側に、レジスト層１５を形成する。このレジスト層１５は、例えば、公知のポジ型またはネガ型のフォトレジスト材料を、スピンコート法等によりマスクブランクス１１の遮光層１３上に塗布し、フォトレジスト材料中に含まれる有機溶剤を加熱等により除去することにより形成することができる。ここで、ポジ型のフォトレジスト材料とは、現像工程において、露光された領域に存在する材料が除去され、露光されていない領域に存在する材料が残存するようになるフォトレジスト材料である。また、ネガ型のフォトレジスト材料とは、現像工程において、露光された領域に存在する材料が残存し、露光されていない領域に存在する材料が除去されるようになるフォトレジスト材料である。

（レジストパターン描画工程Ｓ３）
レジスト層１５の形成後、レジスト層１５に、後にレジストパターン１６を形成するようになるパターンを描画する。具体的には、図４に示されているように、フォトレジスト材料を含有するレジスト層１５に、所望のパターンに沿ってレーザ光を照射するレーザ描画や電子線を照射するＥＢ描画等により、レジスト層１５のレーザ光、電子線等が照射された領域を露光させる。図４〜図７では、レジスト層１５をなすフォトレジスト材料がポジ型の材料である例を示している。レジスト層１５をなすフォトレジスト材料がポジ型の材料である場合、現像工程において除去したい領域にレーザ光、電子線等を照射し露光させる。また、レジスト層１５をなすフォトレジスト材料がネガ型の材料である場合、現像工程において残存させたい領域にレーザ光、電子線等を照射し露光させる。

（現像工程Ｓ４）
次に、図５に示されているように、レジスト層１５を現像してレジストパターン１６を形成する。例えば、スプレー法、浸漬法、パドル法等の公知の方法により、有機溶剤や有機アルカリ水溶液等の現像液をレジスト層１５に接触させ、レジスト層１５の露光された領域または露光されていない領域に存在するレジスト層１５を、溶解・除去する。図５に示された例では、レジスト層１５の露光された領域に存在するレジスト層１５が、溶解・除去されている。その後、純水等のリンス液ですすぐ。

さらに、現像工程Ｓ４でレジスト層１５に吸収された現像液の一部を除去し、膨潤したレジストパターン１６を収縮させるための加熱工程を設けてもよい。また、現像後のレジスト材料の残渣の除去や後続の遮光膜エッチング工程Ｓ５におけるエッチング液の濡れ性の向上等を目的として、デスカム処理を行ってもよい。

（遮光膜エッチング工程Ｓ５）
次に、図６に示されているように、レジストパターン１６をマスクとして、レジストパターン１６から露出した遮光層１３をエッチング（腐食）除去し、レジストパターン１６に覆われ残留した遮光層１３から遮光パターン１４を形成する。エッチング方法は特に限られないが、例えば、浸漬法、スプレー法、スピン法等を用いたウェットエッチング法や、反応性ガスや反応性イオン等を用いたドライエッチング法を採用することができる。ウェットエッチング法に用いるエッチング液としては、遮光層１３としてクロムからなる層を用いた場合、例えば、硝酸第２セリウムアンモニウム、過塩素酸および純水からなるエッチング液を用いることができる。

（レジスト層除去工程Ｓ６）
遮光膜エッチング工程Ｓ５の後、遮光パターン１４上に残留しているレジストパターン１６を、有機溶剤や酸による溶解処理やアッシング処理等により除去（剥離）する。これにより、図７に示したように、遮光パターン１４を有するフォトマスク１０が製造される。なお、図１〜図７で説明したフォトマスクの製造方法においては、このレジスト層除去工程Ｓ６が、フォトマスクを製造するための最終工程となっている。

次に、図８〜図１１を参照して、フォトマスクの検査システムについて説明する。図８は、フォトマスクの検査システムの一例を概略的に示す平面図であり、図９は、検査システムを示す側面図であり、図１０は、検査システムに含まれる中間検査装置を示す平面図であり、図１１は、中間検査装置を示す側面図である。

図８は、フォトマスクの検査システム２０の平面構成を示す図である。図８に示す検査システム２０は、クリーンルーム内に配置され、ＳＭＩＦ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）ケース投入部２１、ロボット室２２、検査室２３等を有する。図９は、検査システム２０のロボット室２２と検査室２３を示す図である。

ＳＭＩＦケース投入部２１は、検査対象である製造途中のフォトマスク１８を収納した輸送用のＳＭＩＦポッド（不図示）を配置するためのスペースである。ＳＭＩＦポッド内には、１または複数のフォトマスク１８が収納される。

ロボット室２２は開口部２２ａを介して検査室２３と通じている。ロボット室２２には、フォトマスク１８を搬送するためのロボット２４が配置される。ロボット２４は、ＳＭＩＦケース投入部２１からＳＭＩＦポッドを受け取って内部のフォトマスク１８を１枚取り出し、被検査面が下を向いた状態で検査室２３に搬送し、後述する中間検査装置３０のホルダー３５に配置する。またロボット２４は、検査後のフォトマスク１８をホルダー３５から取り出してロボット室２２に搬送し、ＳＭＩＦポッドに収納する。

ロボット室２２の天井にはＦＦＵ２５（送風部）が設けられ、これにより清浄なエアーがダウンフロー（下方への気流）として送出される。また除電を行うため、ロボット室２２の上部の壁際にはイオナイザー２６が設けられる。

検査室２３では、除振台２８の上に中間検査装置３０が配置される。中間検査装置３０はフォトマスク１８を撮影し、この撮影画像を元にフォトマスク１８の検査を行う。

検査室２３の天井には、ロボット室２２と同様にＦＦＵ２５（送風部）が設けられ、これにより清浄なエアーがダウンフロー（下方への気流）として送出される。検査室２３の側面には開口部２３ａが設けられており、この開口部２３ａから検査室２３外への排気が行われる。また、検査室２３の開口部２３ａ側の壁際には、天井から下方に延びる整流板２７が設けられる。図の例では整流板２７の下端が検査室２３の開口部２３ａ側の壁面に接しているが、壁面から離れていてもよい。

検査室２３にも、ロボット室２２と同様にイオナイザー２６が設けられている。図９に示された例では、イオナイザー２６は、開口部２２ａ側の壁際および整流板２７の上部のＦＦＵ２５側に設けられている。

中間検査装置３０は、Ｘステージ３１、Ｙステージ３２、θステージ３３、撮像装置３４、ホルダー３５、クランプ３６、後述の光源４２，５２、ハーフミラー装置５３等を有する。図９〜図１１では、光源４２，５２およびハーフミラー装置５３の図示は省略している。

Ｘステージ３１、Ｙステージ３２、θステージ３３は、フォトマスク１８の撮影位置を定めるための移動ステージであり、本実施形態では後述するホルダー３５の位置を移動させる。これらのステージはＸステージ３１、Ｙステージ３２、θステージ３３の順に上に重ねて配置される。θステージ３３は、図示しない駆動部により平面内で回転するものである。

撮像装置３４は、フォトマスク１８の撮影を行うカメラを有している。撮像装置３４は、例えば、Ｘステージ３１、Ｙステージ３２、θステージ３３において撮像装置３４に対応する位置に設けられた孔を介して、直接除振台２８に固定されるようにすることができる。

ホルダー３５は、上記した移動ステージ（Ｘステージ３１、Ｙステージ３２、θステージ３３）の上方に設けられる。ホルダー３５はフォトマスク１８を三方向から囲む板状の部材からなり、フォトマスク１８の側辺を保持する。ホルダー３５の内側には、フォトマスク１８の三辺をそれぞれ保持するための、ホルダー３５から突出した爪３７が設けられている。フォトマスク１８の残りの一辺は、クランプ３６に取付けられた爪３８によって保持される。なお、ホルダー３５の内側とは、フォトマスク１８に近い側をいうものとする。また本実施形態ではフォトマスク１８の被検査面が下を向いた状態でホルダー３５に配置される。

ホルダー３５は脚部３９によってθステージ３３上で支持される。図１０に示された例では、ホルダー３５の角部を支持するように４本の脚部３９が設けられている。

中間検査装置３０についてさらに詳細に説明する。図１２および図１３を参照して、中間検査装置３０の具体的構成の一例について説明する。

図１２に示された例では、中間検査装置３０は、フォトマスク１８を撮像する撮像装置３４と、撮像装置３４で撮像された画像を処理する画像処理装置４５と、画像処理装置４５で処理された画像を表示する表示装置４６とを備えている。図示された例では、中間検査装置３０は、ホルダー３５、第１の光源４２、第２の光源５２、ハーフミラー装置５３をさらに備えている。

ホルダー３５は、製造途中のフォトマスク１８を載置可能に設けられ、上述の移動ステージ（Ｘステージ３１、Ｙステージ３２、θステージ３３）により移動可能とされている。図示された例では、ホルダー３５は、撮像装置３４の上方に設けられている。フォトマスク１８は、その被検査面がホルダー３５の下方に設置された撮像装置３４と対面するようにして、すなわち被検査面が下方を向くようにして、ホルダー３５（爪３７，３８）に載置される。また、フォトマスク１８における検査されるべき領域は、ホルダー３５から露出している。

撮像装置３４は、例えばＣＣＤカメラ等で構成され、ホルダー３５上に載置された製造途中のフォトマスク１８を撮像（撮影）可能に設けられている。好ましくは、撮像装置３４は、暗視野および明視野の両方において撮像可能なカメラで構成される。図示された例では、撮像装置３４は、上方の映像が撮像可能になるようにしてすなわち上方を向くようにしてホルダー３５の下方に設置され、ホルダー３５に載置されたフォトマスク１８を、その下面側から撮像することができるようになっている。なお、撮像装置３４は、撮像倍率が変更可能に構成されており、とりわけ後述の第１のフォトマスク画像を撮像する際と、第２のフォトマスク画像を撮像する際とで、撮像倍率が変更可能とされている。

第１の光源４２は、ホルダー３５上に載置された製造途中のフォトマスク１８の被検査面にレーザ光等の照明光を照射可能に設けられている。とりわけ図１２および図１３に示された例では、第１の光源４２は、フォトマスク１８の板面に沿った方向およびフォトマスク１８の板面への法線方向に対して傾斜した方向から、とりわけフォトマスク１８の板面への法線方向に対して大きく傾斜した方向から、フォトマスク１８の表面に照明光を照射可能に設けられている。図示された例では、撮像装置３４の光軸の周りに、複数の第１の光源４２が設けられている。一例として、撮像装置３４の光軸の周りに互いに等角度を有して、４つまたは８つの第１の光源４２が設けられていてもよい。

図１３に示された例では、第１の光源４２から出射したレーザ光等の照明光は、フォトマスク１８の板面に沿った方向およびフォトマスク１８の板面への法線方向に対して傾斜した方向からフォトマスク１８の被検査面に入射する。フォトマスク１８の被検査面のうち異物１９等に起因する凹凸面が存在しない箇所へ入射した照明光は、当該箇所で鏡面反射（正反射）する。とりわけ、フォトマスク１８の被検査面への入射角と等しい反射角で鏡面反射する。したがって、この鏡面反射による反射光は撮像装置３４には入射しない。一方、フォトマスク１８の被検査面に異物１９等に起因する凹凸面が存在する場合、この凹凸面に照射された照明光は当該凹凸面により乱反射する。そして、乱反射した光の一部は撮像装置３４に入射する。撮像装置３４は、暗視野でフォトマスク１８の撮像を行う。なお、例えばホルダー３５をフォトマスク１８の板面と平行な面内で２次元的に移動させながら撮像装置３４による撮影を行うことで、フォトマスク１８の全体または一部の検査画像を得ることができる。

第２の光源５２は、ハーフミラー装置５３を介してホルダー３５上に載置された製造途中のフォトマスク１８の被検査面（下面）に照明光を照射可能に設けられている。ハーフミラー装置５３のハーフミラー５４は、第２の光源５２から照射された照明光を反射してその光路を曲げ、照明光をフォトマスク１８へ向ける。また、ハーフミラー５４は、フォトマスク１８から撮像装置３４へ向けて出射した光を透過させ、これにより撮像装置３４によるフォトマスク１８の撮像が可能となっている。図１２に示された例では、第２の光源５２から照射されハーフミラー５４で反射した照明光の中心軸と撮像装置３４の光軸が平行になっている。とりわけ図示された例では、第２の光源５２から照射されハーフミラー５４で反射した照明光の中心軸と撮像装置３４の光軸が一致している。すなわち、第２の光源５２およびハーフミラー装置５３は、いわゆる同軸照明装置を構成している。なお、ハーフミラー装置５３のハーフミラー５４は、移動可能に構成されており、これにより撮像装置３４の光軸上から退避するように移動することができる。

画像処理装置４５は、撮像装置３４で撮像されたフォトマスク１８の画像を処理する装置であり、例えばコンピュータ等で構成されている。本実施形態の画像処理装置４５は、撮像装置４５で撮像された第１のフォトマスク画像からフォトマスク１８上に存在する可能性のある異物候補の座標を取得するように構成されている。また、画像処理装置４５は、異物候補の座標に基づいて、当該フォトマスク１８を再度撮像するよう、撮像装置３４に指示する。さらに、画像処理装置４５は、撮像装置３４で撮像された当該フォトマスク１８の画像（第２のフォトマスク画像）を受け取り、第２のフォトマスク画像を表示装置４６へ送る。

表示装置４６は、画像処理装置４５から受け取った画像を表示する。表示装置４６は、例えば、ＣＲＴモニタ、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等で構成される。表示された画像は、異物候補の位置に異物１９が存在しているか否かを確認するために、オペレータ等により観察される。表示装置４６は、表示された画像の拡大・縮小、表示の明るさやコントラストの調整等が可能に構成されてもよい。なお、画像処理装置４５または表示装置４６に、オペレータ等からの入力を受け付ける、ボタン、キーボード、マウス、タッチパネル等の入力装置が設けられていてもよい。

次に、以上に説明した中間検査装置３０を用いた本実施形態のフォトマスクの製造方法について以下に詳述する。

本実施形態のフォトマスクの製造方法は、フォトマスク製造のための各工程のうちの最終工程前に、製造途中のフォトマスク上の異物の有無を確認する中間検査工程Ｓ１０を含んでいる。とりわけ図１に示された例では、フォトマスク製造のための各工程（Ｓ１〜Ｓ６）のうちのレジスト層除去工程Ｓ６（最終工程）の前における各工程の間で、中間検査工程Ｓ１０が少なくとも１回行われる。図１４を参照して、中間検査工程Ｓ１０について、以下に説明する。図１４は、中間検査工程Ｓ１０の流れを示すフローチャートである。

図１４に示された例では、中間検査工程Ｓ１０は、自動検査工程Ｓ２０および目視検査工程Ｓ２１の２段階で行われる。

まず、画像処理装置４５を用いて、製造途中のフォトマスク１８上の異物候補の有無が自動的に判断される（自動検査工程Ｓ２０）。まず、撮像装置３４により第１のフォトマスク画像が取得される。第１のフォトマスク画像を取得する際には、光源として第１の光源４２が使用される。このとき、ハーフミラー装置５３のハーフミラー５４は、撮像装置３４の光軸上から退避させる。図１３を参照して説明したように、フォトマスク１８の被検査面に異物１９等に起因する凹凸面が存在する場合、第１の光源４２から出射してフォトマスク１８の被検査面に入射したレーザ光等の照明光は、当該凹凸面により乱反射する。そして、乱反射した光の一部は撮像装置３４に入射する。撮像装置３４は、暗視野でフォトマスク１８の撮像を行う。なお、本実施形態では、撮像装置３４における第１のフォトマスク画像を取得する際の撮像倍率は、後述の第２のフォトマスク画像を取得する際の撮像倍率よりも相対的に小さくなるように設定される。

なお、従来方式のブランクス検査や欠陥検査では、膜種の反射率、透過率等の違いにより、各工程ごとに検査条件を設定する必要がある。一方、本実施形態の中間検査装置３０は、異物１９等に起因する凹凸面による照明光の乱反射を検知するように構成されているため、膜種の反射率、透過率等の影響を受けにくい。したがって、各工程ごとに検査条件を設定する必要はなく、一部またはすべての工程の検査条件を共通化することも可能である。例えば、図１に示された各中間検査工程Ｓ１０では、それぞれ同一の中間検査装置３０を用いることができる。また、図１に示された各中間検査工程Ｓ１０の一部またはすべての工程において、検査条件を共通化することもできる。

画像処理装置４５は、撮像装置３４で撮像されたフォトマスク１８の画像（第１のフォトマスク画像）を受け取り、この画像を処理する。画像処理は特に限られないが、例えば、撮像装置３４から受け取った画像を所定の閾値により２値化して解析してもよい。その後、画像処理装置４５は、画像処理された第１のフォトマスク画像に含まれる、異物１９に起因する凹凸面である可能性のあるデータ、すなわち異物候補のデータが存在するか否かを判断する。

第１のフォトマスク画像に異物候補のデータが存在しない場合、すなわち自動検査工程Ｓ２０で当該フォトマスク１８上に異物候補がないと判断された場合、製造途中のフォトマスク１８は、フォトマスク製造のための各工程（Ｓ１〜Ｓ６）における次工程に送られる。

一方、第１のフォトマスク画像に異物候補のデータが存在する場合、すなわち自動検査工程Ｓ２０で当該フォトマスク１８上に異物候補があると判断された場合、この異物候補のフォトマスク１８上の座標（Ｘ座標、Ｙ座標）を特定し、得られた座標のデータをリスト化する。なお、このデータには、異物候補の大きさについてのデータを含んでいてもよい。異物候補の座標が取得されると、次に、画像処理装置４５は、このリスト内の座標のデータに基づいて、当該フォトマスク１８上の各異物候補の位置を含む領域を撮像するよう、撮像装置３４に指示する。

撮像装置３４は、画像処理装置４５からの指示に基づいて、各異物候補の位置を含む領域を撮像する。これにより第２のフォトマスク画像が取得される。第２のフォトマスク画像を取得する際には、光源として第２の光源５２が使用される。このとき、ハーフミラー装置５３のハーフミラー５４は、撮像装置３４の光軸上に位置させる。第２の光源５２から出射した照明光は、ハーフミラー装置５３のハーフミラー５４で反射してフォトマスク１８へ向かい、フォトマスク１８の被検査面を照明する。被検査面で反射した光は、ハーフミラー装置５３のハーフミラー５４を透過して撮像装置３４へ入射する。このとき撮像装置３４は、フォトマスク１８の検査領域を第１のフォトマスク画像を取得する際の撮像倍率よりも大きい撮像倍率で撮像する。すなわち、第２のフォトマスク画像は、第１のフォトマスク画像よりも拡大されて撮像される。

画像処理装置４５は、撮像装置３４で撮像された第２のフォトマスク画像を受け取り、必要に応じて画像処理を行い、第２のフォトマスク画像を表示装置４６へ送る。

表示装置４６は、第２のフォトマスク画像を表示する。オペレータ等は、表示装置４６に表示された第２のフォトマスク画像を観察し、異物候補の位置に実際に異物１９が存在しているか否かを目視により確認する（目視検査工程Ｓ２１）。この目視検査工程Ｓ２１で異物なしと判断された場合、当該フォトマスク１８は、オペレータ等による入力装置への入力等により、フォトマスク製造のための各工程（Ｓ１〜Ｓ６）における次工程に送られる。一方、目視検査工程Ｓ２１で異物ありと判断された場合は、図１４のＡへ進み、オペレータ等による入力装置への入力等により、後述の異物除去工程Ｓ３０を行う。

コンピュータの画像処理等による自動検査では、不良品を良品と判定してしまう（例えば、異物が存在するのに異物なしと判定してしまう）「見逃し」を防止する観点から判定基準を厳しく設定すると、良品を不良品と判定してしまう（例えば、異物が存在しないのに異物ありと判定してしまう）「見過ぎ」が生じ得る。この「見過ぎ」の発生は製品歩留まりの低下の原因となる。一方、図１４に示された例では、自動検査工程Ｓ２０で異物候補ありと判断された場合に、フォトマスク１８上の異物１９の有無をオペレータが目視により確認し、オペレータが異物なしと判断した場合、すなわち自動検査工程Ｓ２０で見過ぎが生じていた場合、当該フォトマスク１８は、フォトマスク製造のための各工程（Ｓ１〜Ｓ６）における次工程に送られる。したがって、異物１９の見逃しを防止しつつ、製品歩留まりの向上を図ることができる。

ところで、マスクブランクス１１にはパターンが形成されていないため、ブランクス準備工程Ｓ１後からレジストパターン描画工程Ｓ３後まで（現像工程Ｓ４の前まで）の中間検査工程Ｓ１０では、例えばマスクブランクス１１の中心を座標原点として用いる。一方、現像工程Ｓ４以降の中間検査工程Ｓ１０においては、作製途中のフォトマスク１８上に形成された特定のパターンを座標原点として用いることができる。このとき、特定パターンでなく、フォトマスク１８の中心などを座標原点として用いると、中間検査装置の座標位置出し精度などの絶対座標精度が誤差に含まれ得る。これに対して、中間検査工程Ｓ１０においてフォトマスク１８上に形成された特定のパターンを座標原点とすることで、誤差を相対座標精度とすることができ、誤差範囲を小さくすることが可能になる。これにより、後述の検査結果データの照合の際の一致精度を向上させることができる。また、複数の中間検査工程Ｓ１０間では、共通の特定のパターンを座標原点として用いることにより、検査結果データの照合の際の一致精度のさらなる向上を図ることができる。

次に、図１５を参照して、中間検査工程Ｓ１０に続いて行われ得る異物除去工程Ｓ３０、異物検査工程Ｓ３１および欠陥確認工程Ｓ３２について説明する。図１５は、異物除去工程Ｓ３０、異物検査工程Ｓ３１および欠陥確認工程Ｓ３２の流れを示すフローチャートである。

図１５に示された例では、製造途中のフォトマスク１８が中間検査工程Ｓ１０で異物ありと判断された場合、とりわけ図１４に示された例において目視検査工程Ｓ２１でオペレータの目視により異物ありと判断された場合、当該異物を除去するための異物除去工程Ｓ３０を行う。異物除去工程Ｓ３０では、例えば、純水等を用いて、フォトマスク１８を洗浄し異物除去できる。また、マイクロマニュピレーターなどの装置を用い、マイクロマニュピレーターに備えられた針により異物を物理的に除去するようにしても良い。これにより、純水等による洗浄では除去しきれなかった異物も除去することができる。

異物除去工程Ｓ３０の後、当該フォトマスク１８上の異物の有無を確認する異物検査工程Ｓ３１が行われる。異物検査工程Ｓ３１は、例えば、上述の中間検査工程Ｓ１０における、自動検査工程Ｓ２０または目視検査工程Ｓ２１と同様の方法、あるいは、自動検査工程Ｓ２０および目視検査工程Ｓ２１の組み合わせにより行うことができる。また、中間検査工程Ｓ１０で用いた中間検査装置３０を用いて異物検査工程Ｓ３１を行うこともできる。

異物検査工程Ｓ３１で、フォトマスク１８上に異物ありと判断された場合、当該フォトマスク１８について再度異物除去工程Ｓ３０を行う。これを異物検査工程Ｓ３１で異物なしと判断されるまで繰り返す。または、異物除去工程Ｓ３０を所定の回数繰り返しても異物検査工程Ｓ３１で異物ありと判断される場合には、当該フォトマスク１８を取り除くようにしてもよい。

異物検査工程Ｓ３１で、フォトマスク１８上に異物なしと判断された場合、当該フォトマスク１８の欠陥を確認する欠陥確認工程Ｓ３２を行う。欠陥確認工程Ｓ３２は、例えば、上述の中間検査工程Ｓ１０における目視検査工程Ｓ２１と同様の方法により行うことができる。また、中間検査工程Ｓ１０で用いた中間検査装置３０を用いて欠陥確認工程Ｓ３２を行うこともできる。好ましくは、異物検査工程Ｓ３１に引き続いて、すなわち異物検査工程Ｓ３１と連続して欠陥確認工程Ｓ３２を行うことができる。この欠陥確認工程Ｓ３２では、フォトマスク１８について、例えば、欠陥なし、修正可能な欠陥あり、修正不可能な欠陥あり、のいずれに該当するかが判定される。ここで、修正可能な欠陥とは、例えば、その後のフォトマスク製造工程において除去される部位への欠陥を例示することができ、修正不可能な欠陥とは、例えば、形成されるべき部位の欠損等を例示することができる。

欠陥確認工程Ｓ３２で、当該フォトマスク１８が、欠陥なしと判定された場合、および、修正可能な欠陥ありと判定された場合、当該フォトマスク１８は、フォトマスク製造のための各工程（Ｓ１〜Ｓ６）における次工程に送られる。当該フォトマスク１８が、修正可能な欠陥ありと判定された場合は、その後の工程のいずれかにおいて当該欠陥の修正を行うための特別な処理を実施してもよい。一方、欠陥確認工程Ｓ３２で、当該フォトマスク１８が、修正不可能な欠陥ありと判定された場合は、当該フォトマスク１８を除去する。除去されたフォトマスク１８は、廃棄することもできるし、フォトマスク１８のブランクス１１上に形成されたレジスト層１５を剥離して、当該ブランクス１１をブランクス準備工程Ｓ１に戻すこともできる。

フォトマスク製造のための各工程のうちの最終工程の後、フォトマスク１０の遮光パターン１４の良否を確認する最終検査工程Ｓ４０が行われる。とりわけ図１に示された例では、フォトマスク製造のための各工程（Ｓ１〜Ｓ６）のうちのレジスト層除去工程Ｓ６の後に、形成された遮光パターン１４の良否を確認する最終検査工程Ｓ４０が行われる。

最終検査工程Ｓ４０では、例えば、遮光パターン１４の寸法、位置の不良、遮光パターン１４における断線、短絡、黒点、白点の発生等の不良が遮光パターン１４に生じているか否かを確認する。最終検査工程Ｓ４０における検査方法は特に限られず、公知の方法がいずれも採用できる。例えば、フォトマスク１０に、可視光、紫外光（ＵＶ）等のレーザ光を照射し、フォトマスク１０の遮光パターン１４で反射した反射光、または、フォトマスク１０の遮光パターン１４が形成されていない箇所を透過した透過光、を撮像装置で撮像し、反射光による反射画像または透過光による透過画像を画像処理または目視することにより、フォトマスク１０の遮光パターン１４の良否を確認することができる。

最終検査工程Ｓ４０で用いられる最終検査装置は、ＬＳＩ等の配線の微細化によりフォトマスクの遮光パターンも微細化されていることから、比較的高い分解能を有する。一方、中間検査工程Ｓ１０で検出されるべき異物１９は、ＬＳＩ等の配線の幅、高さ、ピッチ等の寸法（例えば、数十〜数百ｎｍ）に比べて十分に大きな寸法（例えば、数μｍ）を有している。例えば、中間検査工程Ｓ１０で検出されるべき異物１９は、ＬＳＩ等の配線の幅、高さ、ピッチ等の寸法に比べて１００倍程度の寸法を有している。これにより、中間検査工程Ｓ１０で要求される光学系の性能（分解能）と最終検査工程Ｓ４０で要求される光学系の性能（分解能）とは、大きく異なる。本実施形態では、中間検査工程Ｓ１０で用いられる中間検査装置３０の撮像装置３４として、最終検査工程Ｓ４０で用いられる最終検査装置の撮像装置の分解能に比べて低い分解能を有する撮像装置を用いることができる。

このように、中間検査工程Ｓ１０で用いる中間検査装置３０が、最終検査工程Ｓ４０で用いる最終検査装置よりも低い分解能を有する場合、中間検査装置３０として安価な検査装置を用いることができ、中間検査装置３０の低コスト化を図ることができる。

以上に説明した本実施形態のフォトマスクの製造方法は、フォトマスク製造のための各工程のうちの最終工程前に、製造途中のフォトマスク１８上の異物検査を行う中間検査工程Ｓ１０を含んでいる。

このようなフォトマスクの製造方法によれば、フォトマスクの製造工程中のどの工程で問題が生じているのかを迅速に特定することができる。また、フォトマスクの製造途中で、修正不可能な欠陥が生じているフォトマスク１８を発見することができる。これにより、当該フォトマスク１８を、その後の工程を行うことなく、すなわち無駄になる工程を行うことなく、製造工程から除去することができる。とりわけ、遮光膜エッチング工程Ｓ５を行う前に除去されたフォトマスク１８は、フォトマスク１８のブランクス１１上に形成されたレジスト層１５を剥離して、当該ブランクス１１をブランクス準備工程Ｓ１に戻すことが可能であり、これにより、廃棄するフォトマスク１８を減少させ、製品歩留まりの向上を図ることができる。

また、本実施形態のフォトマスク上の異物検査を行うための検査装置３０は、フォトマスク１８を撮像する撮像装置３４と、撮像装置３４で撮像された画像を処理する画像処理装置４５と、画像処理装置４５で処理された画像を表示する表示装置４６とを備え、画像処理装置４５は、撮像装置３４で撮像された第１のフォトマスク画像からフォトマスク１８上に存在する可能性のある異物候補の座標を取得し、撮像装置３４は、前記座標に基づいてフォトマスク１８を撮像し、第２のフォトマスク画像を取得し、表示装置４６は、第２のフォトマスク画像を表示する。

このような検査装置３０によれば、画像処理装置４５によりフォトマスク１８上に異物候補が発見されたときに、撮像装置３４が異物候補のさらなる画像（第２のフォトマスク画像）を取得し、第２のフォトマスク画像を表示装置４６で表示することができる。これにより、第２のフォトマスク画像をオペレータが目視で確認し、オペレータが異物なしと判断した場合には、当該フォトマスク１８を、フォトマスク製造のための各工程における次工程に送ることができる。したがって、異物１９の見逃しを防止しつつ、製品歩留まりの向上を図ることができる。

（第２の実施形態）
次に、図１６〜図２２を参照して、本発明による第２の実施形態について説明する。

本実施形態では、情報処理装置７０が、フォトマスク製造のための各工程のうちのいずれかである第１の工程の後に製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第１の中間検査工程で得られた検査結果と、ブランクスの欠陥検査を行って得られた検査結果、フォトマスク製造のための各工程のうちの前記第１の工程以外のいずれかである第２の工程の後で製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第２の中間検査工程で得られた検査結果、および、製造後のフォトマスクの欠陥検査を行って得られた検査結果、のうちの少なくともいずれかと、を有する検査結果データを用いて、前記検査結果に含まれる異物または欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行う。

以下、本実施形態で用いられる検査システム６０、検査システム６０による検査方法、および、この検査方法を含むフォトマスクの製造方法について説明していく。

（１．検査システム６０）
図１６は本発明の実施形態に係る検査システム６０を示す図である。図１６に示すように、検査システム６０は情報処理装置（画像処理装置）７０、検査装置（検査装置）６５ａ〜６５ｈ等を備える。

図１７は情報処理装置７０のハードウェア構成を示す図である。図１７に示すように、情報処理装置７０は、例えば制御部７１、記憶部７２、入力部７３、表示部（表示装置）７４、通信部７５等をバス７６により接続して構成されたコンピュータなどにより実現できる。但しこれに限ることなく、適宜様々な構成をとることができる。

制御部７１は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭなどから構成される。ＣＰＵは、記憶部７２、ＲＯＭなどの記録媒体に格納された情報処理装置７０の処理に係るプログラムをＲＡＭ上のワークメモリ領域に呼び出して実行する。ＲＯＭは不揮発性メモリであり、コンピュータのブートプログラムやＢＩＯＳなどのプログラム、データなどを恒久的に保持している。ＲＡＭは揮発性メモリであり、記憶部７２、ＲＯＭなどからロードしたプログラムやデータを一時的に保持するとともに、制御部７１が各種処理を行うために使用するワークエリアを備える。

記憶部７２は例えばハードディスクドライブであり、制御部７１が実行するプログラム、プログラム実行に必要なデータ、ＯＳなどが格納される。これらのプログラムやデータは、制御部７１により必要に応じて読み出され、ＲＡＭに移して実行される。本実施形態では、後述する検査結果データのデータベースが記憶部７２に保持される。

入力部７３はデータの入力を行い、例えばキーボード、マウスなどのポインティングデバイス、テンキーなどの入力装置を有する。表示部７４は、液晶パネルなどのディスプレイ装置と、ディスプレイ装置と連携して表示機能を実現するための論理回路（ビデオアダプタ等）を有する。通信部７５は、ネットワーク等を介した通信を媒介する通信インタフェースであり、他の装置との間で通信を行う。バス７６は、各部間の制御信号、データ信号等の授受を媒介する経路である。

検査装置６５ａ〜６５ｈは、ブランクス（マスクブランクス）、および、製造段階のフォトマスク（製造途中のフォトマスク）の検査を行うものである。本実施形態では、検査装置６５ａによりブランクスの欠陥検査を行い、ブランクス表面のキズ、凹凸、異物等を含む各種の欠陥を検出する。また検査装置６５ｂ〜６５ｈによりフォトマスク製造時の各プロセス工程（フォトマスク製造のための各工程）の後の製造段階のフォトマスクの異物検査を行う。これにより、製造段階のフォトマスク上の異物が検出される。なお、検査システム６０は、この他にも、製造後のフォトマスク８０の欠陥検査（最終検査）を行う最終検査装置を有している。最終検査装置では、フォトマスクのパターンの欠落、短絡、異物の付着等を含む各種の欠陥の検出が行われる。

検査装置６５ａ〜６５ｈは、異物や欠陥を検出でき、その座標が特定できるものであれば特に問わないが、例えば検査装置６５ｂ〜６５ｈとしては、検査対象物の検査領域の周囲から検査光を照射し、検査領域上の異物から散乱反射した検査光の一部を検査領域上方のカメラで受光することで検査領域の撮影を行い、撮影画像に基づき異物の検出を行うものを用いることができる。例えば、図１３を参照して説明した検査装置３０と同様の装置を用いることができる。この場合、検査対象物のパターンに関わらず高精度に異物を検出できる。

（２．フォトマスク製造時の各プロセス工程と検査結果データ３００）
図１６のＡは、フォトマスク８０として、半導体の製造時に用いる一般的なハーフトーンマスク（遮光膜をＭｏＳｉ（モリブデンシリサイド）膜とするマスク）の製造工程を示したものである。

フォトマスク８０の製造時には、（ａ）に示す、合成石英基板（透明基板）８１上にＭｏＳｉ膜８２とＣｒ（クロム）膜８３の金属薄膜（遮光層）を順に成膜したブランクスに対し、まず（ｂ）に示すようにレジスト（レジスト層）８４を塗布する。レジスト８４の塗布は、例えばスピンコートによって行われる。

その後、（ｃ）に示すように、電子ビームやレーザービームを用いて、レジスト８４にＬＳＩ（大規模集積回路）パターン（レジストパターン）を描画する。レジスト８４がポジ型レジストの場合、描画箇所８４ａはゲル化するので、（ｄ）に示すように現像を行うことにより、描画箇所８４ａのレジストを除去できる。

その後、（ｅ）に示すように残ったレジスト８４をマスクとしてＣｒ膜８３のエッチングを行い、（ｆ）に示すようにレジスト８４を剥膜する。次に（ｇ）に示すようにＣｒ膜８３をマスクとしてＭｏＳｉ膜８２のエッチングを行うと、ＬＳＩパターンがＭｏＳｉ膜８２のエッチング部分として形成される。（ｈ）に示すようにマスクとして用いたＣｒ膜８３を剥膜すると、ＬＳＩパターンを有するＭｏＳｉ膜（遮光パターン）を有するフォトマスク８０が製造される。なお、以上の工程の前後では、適宜、ブランクス、製造段階のフォトマスク、製造後のフォトマスク８０の洗浄が行われる。

本実施形態では、検査装置６５ａによりブランクスの欠陥検査が行われ、検査装置６５ｂ〜６５ｇにより（ｂ）〜（ｈ）の各プロセス工程の後の製造段階のフォトマスクの異物検査が行われる。最終的に製造されたフォトマスク８０は、最終検査装置によって欠陥検査が行われる。検査装置６５ａ〜６５ｈおよび最終検査装置による検査結果は情報処理装置７０に入力され、記憶部７２のデータベースに検査結果データとして記録される。

図１８は検査結果データ３００の一例であり、製品識別情報である製品番号で示されるフォトマスク製品ごとに、ブランクスの欠陥検査の検査結果、および各プロセス工程の後の製造段階のフォトマスクについての異物検査の検査結果が記録される。また、製造されたフォトマスク８０に対して欠陥検査を行った検査結果も同じく記録される。検査結果は異物や欠陥の座標を含み、本実施形態ではさらに異物や欠陥のサイズも併せて記録される。但し検査結果の内容はこれに限ることはない。例えばその他の情報も検査結果として併せて記録することができ、またブランクスの欠陥検査やレジスト塗布後等の異物検査を省略することも可能である。

（３．情報処理装置７０の処理）
次に、情報処理装置７０が行う処理について、図１９を参照して説明する。図１９は情報処理装置７０の処理を示すフローチャートであり、図の各ステップは情報処理装置７０の制御部７１が実行する。

本実施形態では、まずユーザが、製品番号と、座標が一致するとみなす誤差範囲を入力する。情報処理装置７０はこの入力を受付けて（Ｓ５１）、製品番号に対応する検査結果データ３００を取得し、異物や欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行う（Ｓ５２）。

照合の方法は特に限定されないが、例えば、図１８に示すような検査結果データ３００のうち１つの検査結果を基準とし、その検査結果の座標から誤差範囲内にある座標を含む、別の検査時の検査結果があるかどうかを判定する。そのような検査結果が無い場合には、基準とした検査結果のみを照合結果として抽出し、そのような検査結果が有る場合には、当該検査結果と、基準とした検査結果とを合わせて照合結果として抽出する。以降、残りの検査結果について同様の処理を繰り返す。

基準とする検査結果も特に問わないが、例えば、製造後のフォトマスク８０の欠陥検査の検査結果を基準としておくと、欠陥の座標から誤差範囲内にある異物の座標を含む、プロセス工程後等の検査結果が抽出されるので、異物の発生とマスクに発生した欠陥の対応を確実にとることができ、欠陥の原因となった異物の発生工程を特定することが容易になる。

図２０（ａ）〜（ｃ）は照合結果３０１の例であり、座標に基づく照合結果３０１として、１または複数の検査結果が抽出される。複数の検査結果が照合結果３０１として抽出される場合には、通常、それらの検査時は前後に連続している。

これらの照合結果３０１は表示部７４等で表示され（Ｓ５３）、ユーザは、ある工程で異物が付着しフォトマスクの欠陥の原因となった、あるいは、異物がある工程で付着しその後のいずれかの工程で除去された、というような異物の発生状況を素早く特定することができるようになる。

図２０（ａ）に、照合結果３０１の一例が示されている。図示された例では、フォトマスク製造のための各工程のうちのいずれかである第１の工程が、ＭｏＳｉ膜８２のエッチング工程（工程ｇ）であり、第１の中間検査工程が、検査装置６５ｇで行われる異物検査であり、フォトマスク製造のための各工程のうちの第１の工程以外のいずれかである第２の工程が、Ｃｒ膜の剥膜工程（工程ｈ）であり、第２の中間検査工程が、検査装置６５ｈで行われる異物検査である。すなわち、図２０（ａ）の照合結果３０１は、情報処理装置が、フォトマスク製造のための各工程のうちの第１の工程の後に製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第１の中間検査工程で得られた検査結果と、フォトマスク製造のための各工程のうちの第２の工程の後で製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第２の中間検査工程で得られた検査結果と、製造後のフォトマスクの欠陥検査を行って得られた検査結果と、を有する検査結果データを用いて、前記検査結果に含まれる異物または欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行った例である。図示された照合結果３０１では、ＭｏＳｉ膜８２のエッチング工程で付着した異物が、Ｃｒ膜８３の剥膜工程でも除去されず、製造後のフォトマスク８０の欠陥の原因となったことが判る。

図２０（ｂ）に、照合結果３０１の他の例が示されている。図示された例では、フォトマスク製造のための各工程のうちのいずれかである第１の工程が、レジスト８４の現像工程（工程ｄ）であり、第１の中間検査工程が、検査装置６５ｄで行われる異物検査であり、フォトマスク製造のための各工程のうちの第１の工程以外のいずれかである第２の工程が、Ｃｒ膜のエッチング工程（工程ｅ）であり、第２の中間検査工程が、検査装置６５ｅで行われる異物検査である。すなわち、図２０（ｂ）の照合結果３０１は、情報処理装置が、フォトマスク製造のための各工程のうちの第１の工程の後に製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第１の中間検査工程で得られた検査結果と、フォトマスク製造のための各工程のうちの第２の工程の後で製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第２の中間検査工程で得られた検査結果と、を有する検査結果データを用いて、前記検査結果に含まれる異物の座標に基づく検査結果の照合を行った例である。図示された照合結果３０１では、レジスト８４の現像工程で付着した異物が、次の工程（ここではＣｒ膜８３のエッチング工程）で除去されたことが判る。

図２０（ｃ）に、照合結果３０１のさらに他の例が示されている。図示された例では、フォトマスク製造のための各工程のうちのいずれかである第１の工程が、レジスト８４の現像工程（工程ｄ）であり、第１の中間検査工程が、検査装置６５ｄで行われる異物検査であり、フォトマスク製造のための各工程のうちの第１の工程以外のいずれかである第２の工程が、Ｃｒ膜のエッチング工程（工程ｅ）であり、第２の中間検査工程が、検査装置６５ｅで行われる異物検査であり、フォトマスク製造のための各工程のうちの第１の工程および第２の工程以外のいずれかである第３の工程が、レジスト８４の剥膜工程（工程ｆ）であり、第３の中間検査工程が、検査装置６５ｆで行われる異物検査である。すなわち、図２０（ｃ）の照合結果３０１は、情報処理装置が、フォトマスク製造のための各工程のうちの第１の工程の後に製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第１の中間検査工程で得られた検査結果と、フォトマスク製造のための各工程のうちの第２の工程の後で製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第２の中間検査工程で得られた検査結果と、フォトマスク製造のための各工程のうちの第３の工程の後で製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第３の中間検査工程で得られた検査結果と、を有する検査結果データを用いて、前記検査結果に含まれる異物の座標に基づく検査結果の照合を行った例である。図示された照合結果３０１では、現像工程で付着した異物が、Ｃｒ膜８３のエッチング工程では除去されなかったが、その次の工程（ここではレジスト８４の剥膜工程）では除去されたことが判る。

検査結果データ３００の具体的な記録方法および検査結果データ３００の表示部７４への具体的な表示方法等は特に限られず、必要に応じて適宜設定することができる。例えば、各工程での検査結果を照合し、検査結果の座標が一致するとみなす所定の誤差範囲内の座標に存在する異物または欠陥をグループ化し、グループ化された異物または欠陥についてのデータを、列または行ごとにまとめて表示してもよい。このような表示の一例について、図２１および図２２を参照して説明する。

図２１は、図１８を参照して説明した検査結果データ３００の他の例であり、図１８に示された例と同様に、製品識別情報である製品番号（製品番号００２）で示されるフォトマスク製品について、ブランクスの欠陥検査の検査結果、および各プロセス工程の後の製造段階のフォトマスクについての異物検査の検査結果が記録されている。また、製造されたフォトマスク８０に対して欠陥検査を行った検査結果も同じく記録されている。検査結果は異物や欠陥の座標を含み、さらに異物や欠陥のサイズも併せて記録されている。

図２２は、図２１の検査結果データ３００の、情報処理装置７０による照合結果を表示する方法の一例を示す図であり、図２１の検査結果データ３００の照合結果３０１の、情報処理装置７０の表示部７４上での表示例である。図２２に示された例では、各工程での検査結果を照合し、検査結果の座標が一致するとみなす所定の誤差範囲内の座標に存在する異物または欠陥を、それぞれグループ１〜グループ３にグループ化し、同じグループ内の異物または欠陥についてのデータが同じ縦列に表示されるようにしている。

図２２に示された表示例では、各グループの異物または欠陥について以下のように分析され得る。

（グループ１）
Ｃｒ膜エッチング後に検出された異物は、欠陥検査で検出されているので、レジスト現像後の異物検査からＣｒ膜エッチング処理前に付着し、エッチング阻害を起こした。当該異物は、その後工程のレジスト剥膜で除去された。

（グループ２）
レジスト剥膜後に検出された異物は、レジスト剥膜処理中に付着し、ＭｏＳｉ膜エッチング後、Ｃｒ膜剥膜後にも除去されておらず、欠陥検査まで残留した。

（グループ３）
Ｃｒ膜エッチング後に検出された異物は、欠陥検査で検出されていないので、Ｃｒ膜エッチング処理後に付着し、レジスト剥膜後には除去された。

以上のように、図２２に示された表示例によれば、情報処理装置７０の表示部７４に表示された照合結果を見るだけで、各異物または欠陥がどの工程で発生したのかを、迅速且つ容易に判定することができる。

また、各検査結果に異物等の撮影画像を紐付ける等しておくことで、異物の形状・材質等の情報から、プロセス工程での発塵部位や、プロセス工程で異物が除去されなかった要因（洗浄が不十分等）などを絞り込み、品質改善活動を行うこともできる。例えば、検査結果のサイズもしくは座標などの数値をクリックすると、当該サイズ、座標等に対応する撮影画像がポップアップ表示されるようにしても良い。

以上説明したように、本実施形態では、検査結果データ３００から、異物や欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行うことで、フォトマスクの欠陥の原因となりうる異物について、異物がある工程で付着しフォトマスクの欠陥の原因となった、あるいは異物がある工程で付着しその後のいずれかの工程で除去された、というような発生状況を素早く特定することができ、フォトマスクの製造環境を改善することで品質を向上できる。また、ブランクスの検査結果と、プロセス工程後の検査結果との照合を行うことにより、ブランクス欠陥がフォトマスクの欠陥として残るのか否かを、フォトマスクの製造段階で素早く判断することが出来、フォトマスクの製造工期短縮につながる。

また、本実施形態では、照合時に、検査結果の座標が一致するとみなす誤差範囲を用いるので、多少の異物等の位置ずれも許容して異物の発生状況を特定することができる。

さらに、照合時に、製造後のフォトマスクの欠陥の座標から誤差範囲内にある異物の座標を含む検査結果を抽出することで、異物の発生とマスクに発生した欠陥の対応を確実にとることができ、欠陥の原因となった異物の発生工程を特定することが容易になる。

なお、照合処理は、予め設定された誤差範囲にて事前に情報処理装置７０が行ってもよい。この場合、例えばＳ５１で製品番号を入力し、製造後のフォトマスク８０の欠陥検査の検査結果から欠陥の座標を一つ指定すれば、これに対応する照合結果３０１（例えば図２０（ａ）参照）が表示される、といったことも可能である。同様に、いずれかのプロセス工程後の異物検査の検査結果から異物の座標を一つ指定し、これに対応する照合結果を表示することも可能である。

また、本実施形態では、検査結果データ３００（図１８および図２１参照）が、ブランクスの欠陥検査の検査結果、フォトマスク製造時の各プロセス工程の後の製造段階のフォトマスクの異物検査の検査結果、製造後のフォトマスク８０の欠陥検査の検査結果を有するが、検査結果データ３００はこれに限らない。検査結果データ３００は、これらの検査結果のうち、プロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行って得られた検査結果を少なくとも１つ含む、複数の検査結果を有していればよい。また、フォトマスクの構成あるいはフォトマスクの製造工程も前記したものに限ることはない。

以下、本実施形態の好適な例について付記する。

（付記１）
フォトマスク製造時のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行って得られた検査結果と、
ブランクスの欠陥検査を行って得られた検査結果、フォトマスク製造時の前記プロセス工程以外のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行って得られた検査結果、および製造後のフォトマスクの欠陥検査を行って得られた検査結果のうち少なくともいずれかと、
を有する検査結果データについて、前記検査結果に含まれる異物または欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行うことを特徴とする情報処理装置。

これにより、検査結果データから、異物や欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行うことで、フォトマスクの欠陥の原因となりうる異物について、ある工程で異物が付着しフォトマスクの欠陥の原因となった、あるいは異物がある工程で付着しその後のいずれかの工程で除去された、というような発生状況を素早く特定することができ、フォトマスクの製造環境を改善することで品質を向上できる。

（付記２）
検査結果の座標が一致するとみなす誤差範囲を用いて照合を行うことを特徴とする付記１記載の情報処理装置。

これにより、多少の異物等の位置ずれも許容して異物の発生状況を特定することができる。

（付記３）
前記検査結果データは、前記製造後のフォトマスクの欠陥検査の検査結果を有し、
照合時に、前記製造後のフォトマスクの欠陥の座標から前記誤差範囲内にある異物の座標を含む検査結果を抽出することを特徴とする付記２記載の情報処理装置。

これにより、異物の発生とマスクに発生した欠陥の対応を確実にとることができ、欠陥の原因となった異物の発生工程を特定することが容易になる。

（付記４）
情報処理装置が、
フォトマスク製造時のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行って得られた検査結果と、
ブランクスの欠陥検査を行って得られた検査結果、フォトマスク製造時の前記プロセス工程以外のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行って得られた検査結果、および製造後のフォトマスクの欠陥検査を行って得られた検査結果のうち少なくともいずれかと、
を有する検査結果データについて、前記検査結果に含まれる異物または欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行うことを特徴とする情報処理方法。

（付記５）
コンピュータを、
フォトマスク製造時のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行って得られた検査結果と、
ブランクスの欠陥検査を行って得られた検査結果、フォトマスク製造時の前記プロセス工程以外のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行って得られた検査結果、および製造後のフォトマスクの欠陥検査を行って得られた検査結果のうち少なくともいずれかと、
を有する検査結果データについて、前記検査結果に含まれる異物または欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行う情報処理装置として機能させるためのプログラム。

（付記６）
コンピュータを、
フォトマスク製造時のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行って得られた検査結果と、
ブランクスの欠陥検査を行って得られた検査結果、フォトマスク製造時の前記プロセス工程以外のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行って得られた検査結果、および製造後のフォトマスクの欠陥検査を行って得られた検査結果のうち少なくともいずれかと、
を有する検査結果データについて、前記検査結果に含まれる異物または欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行う情報処理装置として機能させるためのプログラムを記録した記録媒体。

（付記７）
フォトマスク製造時のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行う検査装置と、
ブランクスの欠陥検査を行う検査装置、フォトマスク製造時の前記プロセス工程以外のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行う検査装置、および製造後のフォトマスクの欠陥検査を行う検査装置のうち少なくともいずれかと、
情報処理装置と、
を備え、
前記情報処理装置は、
検査装置によって得られた検査結果を有する検査結果データについて、前記検査結果に含まれる異物または欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行うことを特徴とする検査システム。

なお、上述した第１の実施形態および第２の実施形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、図面を適宜参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。

図２３に、中間検査装置３０の一変形例を示す。図２３に示された例では、中間検査装置３０は、第１撮像部４０と第２撮像部５０とを有している。

第１撮像部４０は、第１の撮像装置４５と、第１の光源４２と、を有している。第１の撮像装置４５は、例えばＣＣＤカメラ等で構成され、ホルダー３５上に載置された製造途中のフォトマスク１８を撮像（撮影）可能に設けられている。好ましくは、第１の撮像装置４５は、暗視野で撮像可能な撮像装置である。図示された例では、第１の撮像装置４５は、上方の映像が撮像可能になるようにしてすなわち上方を向くようにして設置され、ホルダー３５に載置されたフォトマスク１８を、その下面側から撮像することができるようになっている。第１の光源４２は、図１２および図１３を参照して説明した上述の第１の光源４２と同様に構成され、ホルダー３５上に載置された製造途中のフォトマスク１８の被検査面にレーザ光等の照明光を照射可能に設けられている。

第２撮像部５０は、第２の撮像装置５５と、第２の光源５２と、ハーフミラー５４を有するハーフミラー装置５３と、を有している。第２の撮像装置５５は、例えばＣＣＤカメラ等で構成され、ホルダー３５上に載置された製造途中のフォトマスク１８を撮像（撮影）可能に設けられている。好ましくは、第２の撮像装置５５は、明視野で撮像可能な撮像装置である。図示された例では、第２の撮像装置５５は、上方の映像が撮像可能になるようにしてすなわち上方を向くようにして設置され、ホルダー３５に載置されたフォトマスク１８を、その下面側から撮像することができるようになっている。第２の光源５２およびハーフミラー装置５３は、図１２および図１３を参照して説明した上述の第２の光源５２およびハーフミラー装置５３と同様に構成され、ホルダー３５上に載置された製造途中のフォトマスク１８の被検査面に照明光を照射可能に設けられている。

中間検査装置３０のホルダー３５は、製造途中のフォトマスク１８を載置可能に設けられ、図示しない駆動機構により第１撮像部４０および第２撮像部５０の間を移動可能に構成されている。

本変形例では、第１撮像部４０および画像処理装置４５を用いて自動検査工程Ｓ２０が行われる。まず、第１撮像部４０の第１の撮像装置４５により第１のフォトマスク画像が取得される。第１のフォトマスク画像を取得する際には、光源として第１の光源４２が使用される。第１の撮像装置４５は、暗視野でフォトマスク１８の撮像を行う。なお、本変形例では、第１の撮像装置４５の撮像倍率は、第２の撮像装置５５の撮像倍率よりも相対的に小さくなるように設定される。

画像処理装置４５は、第１の撮像装置４５で撮像されたフォトマスク１８の画像（第１のフォトマスク画像）を受け取り、この画像を処理する。その後、画像処理装置４５は、画像処理された第１のフォトマスク画像に含まれる、異物１９に起因する凹凸面である可能性のあるデータ、すなわち異物候補のデータが存在するか否かを判断する。

第１のフォトマスク画像に異物候補のデータが存在しない場合、すなわち自動検査工程Ｓ２０で当該フォトマスク１８上に異物候補がないと判断された場合、製造途中のフォトマスク１８は、フォトマスク製造のための各工程（Ｓ１〜Ｓ６）における次工程に送られる。

一方、第１のフォトマスク画像に異物候補のデータが存在する場合、すなわち自動検査工程Ｓ２０で当該フォトマスク１８上に異物候補があると判断された場合、この異物候補のフォトマスク１８上の座標（Ｘ座標、Ｙ座標）を特定し、得られた座標のデータをリスト化する。異物候補の座標が取得されると、次に、画像処理装置４５は、このリスト内の座標のデータに基づいて、当該フォトマスク１８上の各異物候補の位置を含む領域を撮像するよう、第２撮像部５０の第２の撮像装置５５に指示する。また、ホルダー３５を、第２撮像部５０の検査位置、すなわち、第２撮像部５０の第２の撮像装置５５の上方へ移動する。

第２の撮像装置５５は、画像処理装置４５からの指示に基づいて、各異物候補の位置を含む領域を撮像する。これにより第２のフォトマスク画像が取得される。第２のフォトマスク画像を取得する際には、光源として第２の光源５２が使用される。第２の撮像装置５５は、明視野でフォトマスク１８の撮像を行う。なお、本変形例では、第２の撮像装置５５の撮像倍率は、第１の撮像装置４５の撮像倍率よりも相対的に大きくなるように設定されており、これにより、第２の撮像装置５５は、フォトマスク１８の検査領域を第１のフォトマスク画像を取得する際の撮像倍率よりも大きい撮像倍率で撮像する。すなわち、第２のフォトマスク画像は、第１のフォトマスク画像よりも拡大されて撮像される。

画像処理装置４５は、第２の撮像装置５５で撮像された第２のフォトマスク画像を受け取り、必要に応じて画像処理を行い、第２のフォトマスク画像を表示装置４６へ送る。

表示装置４６は、第２のフォトマスク画像を表示する。オペレータ等は、表示装置４６に表示された第２のフォトマスク画像を観察し、異物候補の位置に実際に異物１９が存在しているか否かを目視により確認する（目視検査工程Ｓ２１）。

図２４に、中間検査装置３０の他の変形例を示す。図２４に示された例は、図２３を参照して説明した変形例の中間検査装置３０の上下を反転したものである。

図２４に示された例では、中間検査装置３０は、製造途中のフォトマスク１８を載置可能に設けられ、図示しない駆動機構により移動可能とされたステージ４８を有している。製造途中のフォトマスク１８は、被検査面が上側を向くようにして、ステージ４８上に載置されている。なお、ステージ４８には、フォトマスク１８をステージ４８に対して位置決めし固定する固定機構が設けられていてもよい。また、フォトマスク１８はステージ４８上に直接載置されてもよいし、フォトマスク１８を保持したパレットをステージ４８上に載置するようにしてもよい。

図示された例では、第１の撮像装置４５は、下方の映像が撮像可能になるようにしてすなわち下方を向くようにして設置され、ステージ４８に載置されたフォトマスク１８を、その上面側から撮像することができるようになっている。また、第２の撮像装置５５は、下方の映像が撮像可能になるようにしてすなわち下方を向くようにして設置され、ステージ４８に載置されたフォトマスク１８を、その上面側から撮像することができるようになっている。

図２３または図２４を参照して説明した各変形例においても、中間検査工程Ｓ１０で用いられる中間検査装置３０として、最終検査工程Ｓ４０で用いられる最終検査装置の分解能に比べて低い分解能を有する検査装置を用いることができる。とりわけ、図２３または図２４に示した、第１撮像部４０および第２撮像部５０を有する中間検査装置３０を用いる場合、第１の撮像装置４５および第２の撮像装置５５のうち相対的に高い分解能を有する撮像装置４５，５５が、最終検査装置の撮像装置の分解能に比べて低い分解能を有するものとすることができる。

他の変形例として、上述した実施の形態では、中間検査工程Ｓ１０は、自動検査工程Ｓ２０および目視検査工程Ｓ２１の２段階で行われた。しかし、これに限られず、中間検査工程Ｓ１０では、自動検査工程Ｓ２０および目視検査工程Ｓ２１のいずれか一方のみが行われるようにしてもよい。

他の変形例として、中間検査工程Ｓ１０においてフォトマスク１８上に異物ありと判断された場合に、異物除去工程Ｓ３０に進むことなく、当該フォトマスク１８を製造工程から除去するようにしてもよい。

なお、以上において上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

Claims (10)

1. フォトマスクの製造方法であって、
   フォトマスク製造のための各工程のうちの最終工程前に、製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う中間検査工程を含む、フォトマスクの製造方法。
2. フォトマスク製造のための各工程のうちの前記最終工程後に、フォトマスクの遮光パターンの良否を確認する最終検査工程をさらに含む、請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
3. 前記中間検査工程で用いる中間検査装置は、前記最終検査工程で用いる最終検査装置よりも低い分解能を有する、請求項２に記載のフォトマスクの製造方法。
4. 前記中間検査工程で異物が存在すると判断された製造途中のフォトマスク上の異物を除去する異物除去工程をさらに有する、請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
5. 前記異物除去工程後に、前記異物が除去された製造途中のフォトマスクの欠陥を確認する欠陥確認工程をさらに有する、請求項４に記載のフォトマスクの製造方法。
6. 前記欠陥確認工程において、欠陥なしと判定された製造途中のフォトマスク、および、欠陥はあるが当該欠陥が修正可能と判断された製造途中のフォトマスク、をフォトマスクの製造工程に戻す、請求項５に記載のフォトマスクの製造方法。
7. 情報処理装置が、
   フォトマスク製造のための各工程のうちのいずれかである第１の工程の後に製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第１の中間検査工程で得られた検査結果と、
   ブランクスの欠陥検査を行って得られた検査結果、フォトマスク製造のための各工程のうちの前記第１の工程以外のいずれかである第２の工程の後で製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第２の中間検査工程で得られた検査結果、および、製造後のフォトマスクの欠陥検査を行って得られた検査結果、のうちの少なくともいずれかと、
   を有する検査結果データを用いて、前記検査結果に含まれる異物または欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行う、請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
8. フォトマスク上の異物検査を行う検査装置であって、
   前記検査装置は、フォトマスクを撮像する撮像装置と、前記撮像装置で撮像された画像を処理する画像処理装置と、前記画像処理装置で処理された画像を表示する表示装置とを備え、
   前記画像処理装置は、前記撮像装置で撮像された第１のフォトマスク画像からフォトマスク上に存在する可能性のある異物候補の座標を取得し、
   前記撮像装置は、前記座標に基づいて前記フォトマスクを撮像し、第２のフォトマスク画像を取得し、
   前記表示装置は、前記第２のフォトマスク画像を表示する、検査装置。
9. 前記撮像装置は、前記フォトマスクを下面側から撮像する、請求項８に記載の検査装置。
10. 前記撮像装置は、前記第１のフォトマスク画像を撮像する第１の撮像装置と、前記第２のフォトマスク画像を撮像する第２の撮像装置と、を有する、請求項８に記載の検査装置。

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