CN117289544B - Psm掩模版白缺陷修补方法、设备及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种PSM掩模版白缺陷修补方法、设备及存储介质，所述方法包括：在透明基板上依次加工形成层叠设置的遮光层和相移层；形成所述遮光层和/或所述相移层后，对所述遮光层和/或所述相移层进行缺陷检查，获得白缺陷的位置；根据所述白缺陷的位置，对所述遮光层和/或所述相移层的白缺陷进行修补。本发明通过选择性地对所述遮光层和/或所述相移层进行缺陷检查，并根据所述白缺陷的位置，选择性地对所述遮光层和/或所述相移层的白缺陷进行修补，适合修补高精度掩模版，而且能根据白缺陷的类型使用面修补或者局部修补的修补方式对白缺陷进行修补，提高了对白缺陷的修补能力，且相较于传统的修补方式，修补成本更低。
Description
技术领域
本发明涉及掩模版技术领域，尤其涉及一种PSM掩模版白缺陷修补方法、设备及存储介质。
背景技术
随着集成电路设计的高速发展，掩模版图形设计的尺寸日益缩小，光学邻近效应越来越明显。越来越多的光学技术以及光学邻近校正技术被应用到光刻工艺中。曝光波长的短波长化在改善清晰度的同时会减少焦点深度，从而降低工艺过程的稳定性。为了保证光刻图形的精确性，相移掩膜 (PSM，Phase ShiftMask) 技术越来越多地被采用。
相关技术中，PSM掩模版的生产流程为原材料的光阻经过曝光，显影蚀刻后，在Cr层即遮光层和相移层表面形成图形区，经过脱模清洗后在形成图形区以及Cr层表面涂覆光阻，光阻经过二次曝光，显影刻蚀后在相移层表面形成图形区，接着经过脱模清洗检验等步骤后，若产品无缺陷，则可以进行成品包装出货；若产品在此环节过程中的任一环节产生缺陷，通过检验设备检查后，需要对产生的缺陷种类及大小进行初步判断，确定是否可以修复。此过程中产生的缺陷可以是原材料自身的缺陷或非图形区误曝光后，在随后的工艺流程中形成的缺陷，对产生的缺陷多采用油墨修补针孔的修补方法进行修补，即掩模版在检验设备上检测出白缺陷后，首先确定上游fab厂是否接受修补，如果不接受修补，则直接将产品报废，其次，确定白缺陷的大小是否可以修补，白缺陷过大和过小均无法修补，最后，如果缺陷大小在合适的尺寸，通过定位缺陷的坐标位置，人工蘸取一定量的油墨涂覆在白缺陷区域，然后进行加热固化，达到修复的目的。
但是，随着晶圆制程节点的不断提升，掩模版的缺陷要求也越来越严格，传统油墨修补针孔的修补方法已经不适合修补高精度掩模版，而且修补设备对白缺陷类型的修补能力较低，且设备成本极高。
发明内容
本发明的主要目的在于：提供一种PSM掩模版白缺陷修补方法、设备及存储介质，旨在解决现有技术中的修补方法不适合修补高精度掩模版的技术问题。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
第一方面，本发明提供了一种PSM掩模版白缺陷修补方法，所述方法包括：
在透明基板上依次加工形成层叠设置的遮光层和相移层；
形成所述遮光层和/或所述相移层后，对所述遮光层和/或所述相移层进行缺陷检查，获得白缺陷的位置；
根据所述白缺陷的位置，对所述遮光层和/或所述相移层的白缺陷进行修补。
可选地，上述PSM掩模版白缺陷修补方法中，所述形成所述遮光层和/或所述相移层后，对所述遮光层和/或所述相移层进行缺陷检查，获得白缺陷的位置的步骤包括：
形成所述遮光层和所述相移层后，对所述遮光层和所述相移层进行缺陷检查；
将所述遮光层和/或所述相移层上具有所述白缺陷的位置进行标记，获得所述白缺陷的位置。
可选地，上述PSM掩模版白缺陷修补方法中，所述根据所述白缺陷的位置，对所述遮光层和/或所述相移层的白缺陷进行修补的步骤包括：
当所述遮光层和所述相移层均具有所述白缺陷时，选择局部修补的方式分别对与所述白缺陷所在的位置相对应的所述遮光层和所述相移层的白缺陷进行修补；
当所述遮光层或所述相移层具有所述白缺陷时，选择面修补的方式对与所述白缺陷所在的位置相对应的所述遮光层或所述相移层的白缺陷进行修补。
可选地，上述PSM掩模版白缺陷修补方法中，所述当所述遮光层和所述相移层均具有所述白缺陷时，选择局部修补的方式分别对与所述白缺陷所在的位置相对应的所述遮光层和所述相移层的白缺陷进行修补的步骤包括：
分别在所述遮光层和所述相移层具有所述白缺陷的位置涂覆光刻胶，对应的形成第一待曝光区域和第二待曝光区域；所述遮光层对应所述第一待曝光区域的位置设置有第一光阻，所述相移层对应所述第二待曝光区域的位置设置有第二光阻；
分别对所述第一待曝光区域和所述第二待曝光区域进行曝光，并分别剥离所述第一光阻和所述第二光阻，形成第一待修补区域和第二待修补区域；
判断所述第一待修补区域与所述第二待修补区域是否重叠；
若是，则使用第一修补材料分别对所述第一待修补区域和所述第二待修补区域进行修补；
若否，则提供第二修补材料并利用局部沉积的方式分别对所述第一待修补区域和所述第二待修补区域进行修补；所述第二修补材料不同于所述第一修补材料。
可选地，上述PSM掩模版白缺陷修补方法中，所述当所述遮光层或所述相移层具有所述白缺陷时，选择面修补的方式对与所述白缺陷所在的位置相对应的所述遮光层或所述相移层的白缺陷进行修补的步骤包括：
在所述遮光层和所述相移层中的任一者具有所述白缺陷的位置涂覆光刻胶，对应的形成第三待曝光区域；所述遮光层或所述相移层对应所述第三待曝光区域的位置设置有第三光阻；
对所述第三待曝光区域进行曝光，并剥离所述第三光阻，形成第三待修补区域；
利用面沉积的方式对所述第三待修补区域进行修补。
可选地，上述PSM掩模版白缺陷修补方法中，所述利用面沉积的方式对所述第三待曝光区域进行修补的步骤之后，所述方法还包括：
在所述遮光层和所述相移层中的另一者具有所述白缺陷的位置涂覆光刻胶，对应的形成第四待曝光区域；所述遮光层和所述相移层中的另一者对应所述第四待曝光区域的位置形成有第四光阻；
对所述第四待曝光区域进行曝光，并剥离所述第四光阻，形成第四待修补区域；
利用面沉积的方式对所述第四待修补区域进行修补。
可选地，上述PSM掩模版白缺陷修补方法中，所述形成所述遮光层和/或所述相移层后，对所述遮光层和/或所述相移层进行缺陷检查，获得白缺陷的位置的步骤包括：
在形成所述遮光层后，对所述遮光层进行缺陷检查，获得第一检查结果；
根据所述第一检查结果判断所述遮光层是否存在白缺陷；
若是，则将所述遮光层上具有所述白缺陷的位置进行标记，获得第一白缺陷的位置；
若否，则在形成所述相移层后，对所述相移层进行缺陷检查，获得第二检查结果，并根据所述第二检查结果判断所述相移层是否存在白缺陷；若是，则将所述相移层上具有所述白缺陷的位置进行标记，获得第二白缺陷的位置；若否，则所述白缺陷的位置为无。
可选地，上述PSM掩模版白缺陷修补方法中，所述根据所述白缺陷的位置，对所述遮光层和/或所述相移层的白缺陷进行修补的步骤包括：
根据所述第二白缺陷的位置，利用局部沉积或面沉积的方式对所述遮光层的白缺陷进行修补；
根据所述第一白缺陷的位置，利用所述局部沉积或所述面沉积的方式对所述相移层的白缺陷进行修补。
第二方面，本发明提供了一种PSM掩模版白缺陷修补设备，所述设备包括：存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的PSM掩模版白缺陷修补程序，通过PSM掩模版白缺陷修补程序配置为实现如上述的PSM掩模版白缺陷修补方法的步骤。
第三方面，本发明提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被一个或多个处理器执行时，实现如上述的PSM掩模版白缺陷修补方法的步骤。
本发明提供的上述一个或多个技术方案，可以具有如下优点或至少实现了如下技术效果：
本发明提出的一种PSM掩模版白缺陷修补方法、设备及存储介质，通过在形成所述遮光层和/或所述相移层后，选择性地对所述遮光层和/或所述相移层进行缺陷检查，获得白缺陷的位置，并根据所述白缺陷的位置，选择性地对所述遮光层和/或所述相移层的白缺陷进行修补，为后续对PSM掩模版白缺陷进行修复提供了多种可选的操作顺序，为修复工艺提供了多种可选的操作基础，适合修补高精度掩模版，而且能根据白缺陷的类型使用面修补或者局部修补的修补方式对白缺陷进行修补，提高了对白缺陷的修补能力，且相较于传统的修补方式，修补成本更低，另外，采用本PSM掩模版白缺陷修补方法对白缺陷进行修补时，不用受限于白缺陷的尺寸，降低了因修补造成报废的概率，同时解决了一些特殊白缺陷，如“凹陷”等无法修复的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的这些附图获得其他的附图。
图1为本发明PSM掩模版白缺陷修补方法的流程示意图；
图2为本发明一实施例对遮光层和相移层的白缺陷进行局部修补的流程示意图；
图3为本发明一实施例对遮光层和相移层的白缺陷进行面修补的流程示意图；
图4为本发明一实施例对遮光层的白缺陷进行修补的流程示意图；
图5为本发明一实施例对相移层的白缺陷进行修补的流程示意图；
图6为本发明PSM掩模版白缺陷修补设备的结构示意图。
附图标号说明：
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例只是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，在本发明实施例中，所有方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……）仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变，则该方向性指示也相应地随之改变。
在本发明中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者***不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者***所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者***中还存在另外的相同要素。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连；可以是两个元件内部的连通，也可以是两个元件的相互作用关系。
在本发明中，若有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
在本发明中，使用用于表示元件的诸如“模块”、“组件”、“件”、“部件”或“单元”的后缀仅为了有利于本发明的说明，其本身没有特定的意义。因此，“模块”、“部件”或“单元”可以混合地使用。
对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。另外，各个实施例的技术方案可以相互结合，但是，是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时，应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
下面结合一些具体实施方式进一步阐述本发明的发明构思。
本发明提出一种PSM掩模版白缺陷修补方法、设备及存储介质。
参照图1，图1为本发明PSM掩模版白缺陷修补方法的流程示意图。
在本发明一实施例中，如图1所示，一种PSM掩模版白缺陷修补方法，所述方法包括如下步骤：
步骤S10：在透明基板100上依次加工形成层叠设置的遮光层300和相移层200；
步骤S20：形成所述遮光层300和/或所述相移层200后，对所述遮光层300和/或所述相移层200进行缺陷检查，获得白缺陷的位置；
步骤S30：根据所述白缺陷的位置，对所述遮光层300和/或所述相移层200的白缺陷进行修补。
需要说明的是，所述透明基板100可以为现有技术中的玻璃基板，遮光层300可以为现有技术中的Cr层；PSM掩模版不同于二元掩模，PSM掩模版利用相位干涉原理成象，采用具有一定透光率的薄膜作为相移层200，将所述薄膜覆盖于用于形成图案的相邻缝隙上，以构成掩模版图，并使通过所述相移层200的透射光反相，以增加图形的分辨率的掩模版；白缺陷是指在生产制造过程中掩膜版上产生的一种产品缺陷，由于其结构材质与记载信息的金属薄膜不同，使原本记载图案信息，具有完全阻光或部分足光的金属薄膜缺失，导致其透光率发生变化的缺陷，被称为“白”缺陷。
作为本实施例的一种可选实施方式：形成所述遮光层300和所述相移层200后，对所述遮光层300和所述相移层200进行缺陷检查，获得白缺陷的位置；通过同时对所述遮光层300和所述相移层200进行缺陷检查的方式，能够提高对PSM掩模版白缺陷的检查效率，且为后续选择合适的方法对PSM掩模版白缺陷进行修复提供了一种操作顺序，即先对所述遮光层300和所述相移层200均进行缺陷检查后，再对所述遮光层300和所述相移层200进行白缺陷的修复，为修复工艺提供了一种待Cr层即所述遮光层300和所述相移层200均蚀刻后，对Cr层和所述相移层200的缺陷分别进行修补的操作基础。
作为本实施例的另一种可选实施方式：形成所述遮光层300和所述相移层200后，对所述遮光层300或所述相移层200进行缺陷检查，获得白缺陷的位置；通过分别对所述遮光层300和所述相移层200进行缺陷检查的方式，能够提高对PSM掩模版白缺陷的检查精度，更利于精准的确认白缺陷所在的位置，且为后续选择合适的方法对PSM掩模版白缺陷进行修复提供了另一种操作顺序，为修复工艺提供了一种先进行Cr层缺陷修补，后进行所述相移层200缺陷修补的操作基础。
应当理解的是，待所述遮光层300和所述相移层200均蚀刻后，可采用局部修补的方式或者面修补的方式对所述遮光层300和所述相移层200的缺陷分别进行修补。
具体而言，当所述遮光层300和所述相移层200同时有白缺陷时，可以直接用Cr层即所述遮光层300的材料对所述遮光层300和所述相移层200的白缺陷分别进行修补，减少了对PSM掩模版白缺陷的修复流程，且利用了一种更易于获取的修复材料，降低了对PSM掩模版白缺陷的修复难度。
本发明技术方案通过在形成所述遮光层300和/或所述相移层200后，选择性地对所述遮光层300和/或所述相移层200进行缺陷检查，获得白缺陷的位置，并根据所述白缺陷的位置，选择性地对所述遮光层300和/或所述相移层200的白缺陷进行修补，为后续对PSM掩模版白缺陷进行修复提供了多种可选的操作顺序，为修复工艺提供了多种可选的操作基础，适合修补高精度掩模版，而且能根据白缺陷的类型使用面修补或者局部修补的修补方式，提高了对白缺陷的修补能力，且相较于传统的修补方式对白缺陷进行修补，修补成本更低，另外，采用本PSM掩模版白缺陷修补方法对白缺陷进行修补时，不用受限于白缺陷的尺寸，降低了因修补造成报废的概率，同时解决了一些特殊白缺陷，如“凹陷”等无法修复的问题。
在一实施例中，所述形成所述遮光层300和/或所述相移层200后，对所述遮光层300和/或所述相移层200进行缺陷检查，获得白缺陷的位置的步骤包括：
步骤S21：形成所述遮光层300和所述相移层200后，对所述遮光层300和所述相移层200进行缺陷检查；
步骤S22：将所述遮光层300和/或所述相移层200上具有所述白缺陷的位置进行标记，获得所述白缺陷的位置。
需要说明的是，因不同的修补方法在修补效率及修补成本有着十分巨大的差异，按现有技术中的流程将PSM掩模生产完成，对所述相移层200的白缺陷进行修补的过程中，第一次曝光在Cr层即所述遮光层300所产生的白缺陷，由于在第二次曝光前涂覆有光阻的原因，在刻蚀的过程中不会导致相移层200也被蚀刻；通过选择局部修补或面修补的方式对所述相移层200的白缺陷进行精准修补， 在降低白缺陷修补成本的同时，确保了白缺陷的修补精度，更适用于修补高精度的掩模版。
参照图2和图3，图2为本发明一实施例对遮光层和相移层的白缺陷进行局部修补的流程示意图；图3为本发明一实施例对遮光层和相移层的白缺陷进行面修补的流程示意图。
在一实施例中，如图2和图3所示，实现如何选择局部修补或面修补的方式，以对所述相移层200的白缺陷进行精准修补的步骤如下：
所述根据所述白缺陷的位置，对所述遮光层300和/或所述相移层200的白缺陷进行修补的步骤包括：
步骤S31：当所述遮光层300和所述相移层200均具有所述白缺陷时，选择局部修补的方式分别对与所述白缺陷所在的位置相对应的所述遮光层300和所述相移层200的白缺陷进行修补；
步骤S32：当所述遮光层300或所述相移层200具有所述白缺陷时，选择面修补的方式对与所述白缺陷所在的位置相对应的所述遮光层300或所述相移层200的白缺陷进行修补。
关于局部修补的方式，具体而言：
在一实施例中，如图2所示，所述当所述遮光层300和所述相移层200均具有所述白缺陷时，选择局部修补的方式分别对与所述白缺陷所在的位置相对应的所述遮光层300和所述相移层200的白缺陷进行修补的步骤包括：
步骤S311：分别在所述遮光层300和所述相移层200具有所述白缺陷的位置涂覆光刻胶，对应的形成第一待曝光区域和第二待曝光区域；所述遮光层300对应所述第一待曝光区域的位置设置有第一光阻，所述相移层200对应所述第二待曝光区域的位置设置有第二光阻；
步骤S312：分别对所述第一待曝光区域和所述第二待曝光区域进行曝光，并分别剥离所述第一光阻和所述第二光阻，形成第一待修补区域和第二待修补区域；
步骤S313：判断所述第一待修补区域与所述第二待修补区域是否重叠；
步骤S314：若是，则使用第一修补材料700分别对所述第一待修补区域和所述第二待修补区域进行修补；
步骤S315：若否，则提供第二修补材料800并利用局部沉积的方式分别对所述第一待修补区域和所述第二待修补区域进行修补；所述第二修补材料800不同于所述第一修补材料700。
需要说明的是，图中的第一白缺陷是指位于所述相移层200的白缺陷，且第一白缺陷的位置对应的是所述第二待曝光区域的位置、所述第二光阻的位置及所述第二待修补区域的位置；
第二白缺陷是指位于所述遮光层300即Cr层的白缺陷，且第二白缺陷的位置对应的是所述第一待曝光区域的位置、所述第一光阻的位置及所述第一待修补区域的位置；
第一修补材料700是指现有技术中与制备Cr层所用材料相同的材料，第二修补材料800是指现有技术中与制备所述相移层200所用材料相同的材料，第一光阻和第二光阻均位于光阻层400。
应当理解的是，如图2所示，分别在第一白缺陷和第二白缺陷的周围局部涂覆适当的厚度的光刻胶，对Cr层和相移层200的缺陷实现定位曝光，曝光后的PSM通过显影工艺剥离光阻层400中被曝光部分的光阻，接着利用局部沉积的方法分别对Cr层和所述相移层200的缺陷实施修补，由于所述相移层200的厚度对相位影响大，可以通过检测设备识别到缺陷的尺寸大小S，且实现180°相位转变所需的相移层200厚度d是已知的，同样相移层200修复材料即第二修补材料800的密度是已知量ρ，可以通过修补设备的质量控制m=S*d*ρ，来实现相移层200厚度的精准修复。另外，当Cr层和相移层200同时有缺陷时，因为此处是不透光的，可以直接用第一修补材料700进行修补。
关于面修补的方式，具体而言：
在一实施例中，如图3所示，所述当所述遮光层300或所述相移层200具有所述白缺陷时，选择面修补的方式对与所述白缺陷所在的位置相对应的所述遮光层300或所述相移层200的白缺陷进行修补的步骤包括：
步骤S321：在所述遮光层300和所述相移层200中的任一者具有所述白缺陷的位置涂覆光刻胶，对应的形成第三待曝光区域；所述遮光层300或所述相移层200对应所述第三待曝光区域的位置设置有第三光阻；
步骤S322：对所述第三待曝光区域进行曝光，并剥离所述第三光阻，形成第三待修补区域；
步骤S323：利用面沉积的方式对所述第三待修补区域进行修补。
需要说明的是，第三待曝光区域的位置对应的可以是第一白缺陷的位置和/或第二白缺陷的位置。
应当理解的是，如图3所示，在PSM掩模版表面涂覆适当的厚度的光刻胶，通过检测设备的缺陷坐标识别，先对Cr层（或所述相移层200）的缺陷实现定位曝光，曝光后的PSM通过显影工艺剥离被曝光部分的光阻，接着利用面沉积的方法分别对Cr层（或所述相移层200）的缺陷实施修补；
当Cr层（或所述相移层200）修补完成后，对PSM掩模版进行去胶清洗后再次在PSM掩模版表面涂覆适当的厚度的光刻胶，对相移层200（或Cr层）的缺陷实现定位曝光，曝光后的PSM通过显影工艺剥离被曝光部分的光阻，接着利用面沉积的方法分别对相移层200（或Cr层）的缺陷实施修补；由于相移层200的厚度对相位影响大，相移层200的厚度可以通过面修复的沉积速度与时间的关系来实现厚度的精准控制，从而实现精准修复。
在一实施例中，为继续修复白缺陷，述利用面沉积的方式对所述第三待曝光区域进行修补的步骤之后，所述方法还包括：
步骤S301：在所述遮光层300和所述相移层200中的另一者具有所述白缺陷的位置涂覆光刻胶，对应的形成第四待曝光区域；所述遮光层300和所述相移层200中的另一者对应所述第四待曝光区域的位置形成有第四光阻；
步骤S302：对所述第四待曝光区域进行曝光，并剥离所述第四光阻，形成第四待修补区域；
步骤S303：利用面沉积的方式对所述第四待修补区域进行修补。
需要说明的是，本实施例中的修补方式的步骤与上一实施例中的修补方式相同，此处不再赘述。
参照图4和图5，图4为本发明一实施例对遮光层的白缺陷进行修补的流程示意图；图5为本发明一实施例对相移层的白缺陷进行修补的流程示意图。
在一实施例中，如图4和图5所示，先对所述遮光层300即Cr层的白缺陷进行缺陷修补，后进行所述相移层200的白缺陷的修补，所述形成所述遮光层300和/或所述相移层200后，对所述遮光层300和/或所述相移层200进行缺陷检查，获得白缺陷的位置的步骤包括：
步骤F21：在形成所述遮光层300后，对所述遮光层300进行缺陷检查，获得第一检查结果；
步骤F22：根据所述第一检查结果判断所述遮光层300是否存在白缺陷；
步骤F23：若是，则将所述遮光层300上具有所述白缺陷的位置进行标记，获得第一白缺陷的位置；
步骤F24：若否，则在形成所述相移层200后，对所述相移层200进行缺陷检查，获得第二检查结果，并根据所述第二检查结果判断所述相移层200是否存在白缺陷；若是，则将所述相移层200上具有所述白缺陷的位置进行标记，获得第二白缺陷的位置；若否，则所述白缺陷的位置为无。
需要说明的是，在图1至图5中左侧的曲线箭头是示意修补过程的推进。
在一实施例中，所述根据所述白缺陷的位置，对所述遮光层300和/或所述相移层200的白缺陷进行修补的步骤包括：
步骤F31：根据所述第二白缺陷的位置，利用局部沉积或面沉积的方式对所述遮光层300的白缺陷进行修补；
步骤F32：根据所述第一白缺陷的位置，利用所述局部沉积或所述面沉积的方式对所述相移层200的白缺陷进行修补。
具体而言，在步骤F31中，如图4所示，当PSM掩模版在第一次曝光完，显影蚀刻后，通过设备检查后若发现在Cr表面产生白缺陷，可以在Cr层表面涂覆一层适当厚度的光阻，根据设备检验后的坐标位置，在光刻机设备上对缺陷处进行定位曝光， 显影完成后，被曝光的部分被剥离，随后进行金属沉积可以实现Cr层无损修补，此处的沉积可以使局部沉积，也可以是面沉积，由于未曝光的部分有光刻胶的阻挡，即可实现Cr层白缺陷处无损修补，修补完成后剥离光刻胶即可。当PSM表面的白缺陷数量较多时，可以考虑使用面沉积的方式，当PSM表面的白缺陷数量较少时，可以使用局部沉积。
在步骤F32中，如图5所示，当PSM掩模版在第二次曝光完，显影蚀刻后，通过设备检查后若发现在相移层200表面产生白缺陷，可以在相移层200表面涂覆一层适当厚度的光阻，根据设备检验后的坐标位置，在光刻机设备上对缺陷处进行定位曝光， 显影完成后，被曝光的部分被剥离，随后进行相移层200沉积可以实现相移层200层无损修补，此处的沉积可以使局部沉积，也可以是面沉积，由于未曝光的部分有光刻胶的阻挡，即可实现相移层200层白缺陷处无损修补，修补完成后剥离光刻胶即可。由于相移层200的厚度对相位影响大，可以通过修补方法（局部修补或面修补）的性质对相移层200进行精准修补。如果是局部沉积，可以通过检测设备识别到缺陷的尺寸大小S，实现180°相位转变所需的相移层200厚度d是已知的，同样相移层200修复材料的密度是已知量ρ，可以通过修补设备的质量控制m=S*d*ρ，来实现相移层200厚度的精准修复。如果是面修复，相移层200的厚度可以通过沉积速度与时间的关系来实现厚度的精准控制，从而实现精准修复。因此，本发明通过上述各实施例中的PSM掩模版白缺陷修补方法，选择性地在掩膜版不同的生产周期中，根据白缺陷的类型如尺寸大小、凸起或者凹陷等，再使用面修补或者局部修补的方式对所述遮光层300和/或所述相移层200的白缺陷进行修补，提高了对白缺陷的修补能力，且相较于传统的修补方式，修补成本更低，不用受限于白缺陷的类型，降低了因修补造成报废的概率，同时解决了一些特殊白缺陷，如“凹陷”等无法修复的问题，且相较于现有的油墨修补方式，油墨的修补点清洗易脱落而导致修复无效的情况，本发明的修补方式形成的修补结构更加稳定可靠，降低了相关产品的报废率，并提高了相关产品的良率。
基于同一发明构思，本发明还提出一种PSM掩模版白缺陷修补设备。
在本发明一实施例中，一种PSM掩模版白缺陷修补设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的PSM掩模版白缺陷修补程序，通过PSM掩模版白缺陷修补程序配置为实现如上述任一项实施例中的PSM掩模版白缺陷修补方法的步骤。
下面对本发明技术实现中应用到的PSM掩模版白缺陷修补方法、装置、设备及存储介质进行详细说明：
参照图6，图6为本发明PSM掩模版白缺陷修补设备的结构示意图；
如图6所示，该设备可以包括：处理器1001，例如中央处理器（Central ProcessingUnit，CPU），通信总线1002、用户接口1003，网络接口1004，存储器1005。其中，通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信。用户接口1003可以包括智能手机、平板设备和掌上电脑(PDAs，Personal Digital Assistants)等类型的电子设备，可选用户接口1003还可以包括标准的有线接口、无线接口。网络接口1004可选的可以包括标准的有线接口、无线接口（如无线保真（Wireless-Fidelity，Wi-Fi）接口）。存储器1005可以为高速的随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）存储器，也可以为稳定的非易失性存储器（Non-VolatileMemory，NVM），例如磁盘存储器。存储器1005可选的还可以为独立于前述处理器1001的存储装置。
本领域技术人员可以理解，图6中示出的结构并不构成对设备的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
如图6所示，作为一种存储介质的存储器1005中可以包括操作***、数据存储模块、网络通信模块、用户接口模块以及PSM掩模版白缺陷修补程序。
在图6所示的设备中，网络接口1004主要用于与其他设备进行数据通信；用户接口1003主要用于与用户设备进行数据交互；本发明PSM掩模版白缺陷修补设备中的处理器1001、存储器1005可以设置在设备中，PSM掩模版白缺陷修补设备通过处理器1001调用存储器1005中存储的PSM掩模版白缺陷修补程序，并执行本发明实施例提供的PSM掩模版白缺陷修补方法。
此外，基于同一发明构思，本发明还提出一种计算机可读存储介质。
本实施例中，一种计算机可读存储介质，所述存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被一个或多个处理器执行时，实现如上述任一项实施例中的PSM掩模版白缺陷修补方法的步骤。因此，这里将不再进行赘述。另外，对采用相同方法的有益效果描述，也不再进行赘述。对于本申请所涉及的计算机可读存储介质实施例中未披露的技术细节，请参照本申请方法实施例的描述。确定为示例，程序指令可被部署为在一个计算设备上执行，或者在位于一个地点的多个计算设备上执行，又或者，在分布在多个地点且通过通信网络互连的多个计算设备上执行。
最后还需要说明的是，上述本发明实施例序号仅为了描述，不代表实施例的优劣。以上实施例仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种PSM掩模版白缺陷修补方法，其特征在于，所述方法包括：
在透明基板上依次加工形成层叠设置的遮光层和相移层；
形成所述遮光层和/或所述相移层后，对所述遮光层和/或所述相移层进行缺陷检查，获得白缺陷的位置；
根据所述白缺陷的位置，对所述遮光层和/或所述相移层的白缺陷进行修补；
其中，当所述遮光层和所述相移层均具有所述白缺陷时，分别在所述遮光层和所述相移层具有所述白缺陷的位置涂覆光刻胶，对应的形成第一待曝光区域和第二待曝光区域；所述遮光层对应所述第一待曝光区域的位置设置有第一光阻，所述相移层对应所述第二待曝光区域的位置设置有第二光阻；
分别对所述第一待曝光区域和所述第二待曝光区域进行曝光，并分别剥离所述第一光阻和所述第二光阻，形成第一待修补区域和第二待修补区域；
判断所述第一待修补区域与所述第二待修补区域是否重叠；
若是，则使用第一修补材料分别对所述第一待修补区域和所述第二待修补区域进行修补；所述第一修补材料与制备所述遮光层的材料相同；
若否，则提供第一修补材料和第二修补材料并利用局部沉积的方式分别对所述第一待修补区域和所述第二待修补区域进行修补；所述第一修补材料与制备所述遮光层的材料相同，所述第二修补材料与制备所述相移层的材料相同。
2.如权利要求1所述的PSM掩模版白缺陷修补方法，其特征在于，所述形成所述遮光层和/或所述相移层后，对所述遮光层和/或所述相移层进行缺陷检查，获得白缺陷的位置的步骤包括：
形成所述遮光层和所述相移层后，对所述遮光层和所述相移层进行缺陷检查；
将所述遮光层和/或所述相移层上具有所述白缺陷的位置进行标记，获得所述白缺陷的位置。
3.如权利要求2所述的PSM掩模版白缺陷修补方法，其特征在于，所述根据所述白缺陷的位置，对所述遮光层和/或所述相移层的白缺陷进行修补的步骤包括：
当所述遮光层或所述相移层具有所述白缺陷时，选择面修补的方式对与所述白缺陷所在的位置相对应的所述遮光层或所述相移层的白缺陷进行修补。
4.如权利要求3所述的PSM掩模版白缺陷修补方法，其特征在于，所述当所述遮光层或所述相移层具有所述白缺陷时，选择面修补的方式对与所述白缺陷所在的位置相对应的所述遮光层或所述相移层的白缺陷进行修补的步骤包括：
在所述PSM掩模版表面涂覆光刻胶，并在所述遮光层和所述相移层中的任一者具有所述白缺陷的对应位置形成第三待曝光区域；所述遮光层或所述相移层对应所述第三待曝光区域的位置设置有第三光阻；
对所述第三待曝光区域进行曝光，并剥离所述第三光阻，形成第三待修补区域；
利用面沉积的方式对所述第三待修补区域进行修补；
或者，
在所述PSM掩模版表面涂覆光刻胶，并在所述遮光层和所述相移层中的另一者具有所述白缺陷的对应位置形成第四待曝光区域；所述遮光层和所述相移层中的另一者对应所述第四待曝光区域的位置形成有第四光阻；
对所述第四待曝光区域进行曝光，并剥离所述第四光阻，形成第四待修补区域；
利用面沉积的方式对所述第四待修补区域进行修补。
5.如权利要求1所述的PSM掩模版白缺陷修补方法，其特征在于，所述形成所述遮光层和/或所述相移层后，对所述遮光层和/或所述相移层进行缺陷检查，获得白缺陷的位置的步骤包括：
在形成所述遮光层后，对所述遮光层进行缺陷检查，获得第一检查结果；
根据所述第一检查结果判断所述遮光层是否存在白缺陷；
若是，则将所述遮光层上具有所述白缺陷的位置进行标记，获得第二白缺陷的位置；
若否，则在形成所述相移层后，对所述相移层进行缺陷检查，获得第二检查结果，并根据所述第二检查结果判断所述相移层是否存在白缺陷；若是，则将所述相移层上具有所述白缺陷的位置进行标记，获得第一白缺陷的位置；若否，则所述白缺陷的位置为无。
6.如权利要求5所述的PSM掩模版白缺陷修补方法，其特征在于，所述根据所述白缺陷的位置，对所述遮光层和/或所述相移层的白缺陷进行修补的步骤包括：
根据所述第二白缺陷的位置，利用局部沉积或面沉积的方式对所述遮光层的白缺陷进行修补；
根据所述第一白缺陷的位置，利用所述局部沉积或所述面沉积的方式对所述相移层的白缺陷进行修补。
7.一种PSM掩模版白缺陷修补设备，其特征在于，所述设备包括：存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的PSM掩模版白缺陷修补程序，通过PSM掩模版白缺陷修补程序配置为实现如权利要求1至6中任一项所述的PSM掩模版白缺陷修补方法的步骤。
8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被一个或多个处理器执行时，实现如权利要求1至6中任一项所述的PSM掩模版白缺陷修补方法的步骤。
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