JP4168668B2 - アナログバッファ回路、表示装置および携帯端末 - Google Patents
アナログバッファ回路、表示装置および携帯端末 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4168668B2 JP4168668B2 JP2002159029A JP2002159029A JP4168668B2 JP 4168668 B2 JP4168668 B2 JP 4168668B2 JP 2002159029 A JP2002159029 A JP 2002159029A JP 2002159029 A JP2002159029 A JP 2002159029A JP 4168668 B2 JP4168668 B2 JP 4168668B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- source follower
- mos transistor
- switch
- analog buffer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3685—Details of drivers for data electrodes
- G09G3/3688—Details of drivers for data electrodes suitable for active matrices only
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/2007—Display of intermediate tones
- G09G3/2011—Display of intermediate tones by amplitude modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/50—Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/50—Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
- H03F3/505—Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
- H03M1/66—Digital/analogue converters
- H03M1/74—Simultaneous conversion
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
- G09G2310/0248—Precharge or discharge of column electrodes before or after applying exact column voltages
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/027—Details of drivers for data electrodes, the drivers handling digital grey scale data, e.g. use of D/A converters
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0281—Arrangement of scan or data electrode driver circuits at the periphery of a panel not inherent to a split matrix structure
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0289—Details of voltage level shifters arranged for use in a driving circuit
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0291—Details of output amplifiers or buffers arranged for use in a driving circuit
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
- G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3614—Control of polarity reversal in general
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/375—Circuitry to compensate the offset being present in an amplifier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、アナログバッファ回路、表示装置および携帯端末に関し、特に絶縁基板上に薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;TFT)で形成されてなるアナログバッファ回路、これを表示部の周辺駆動回路に用いた表示装置および当該表示装置を画面表示部として搭載した携帯端末に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置やEL(electroluminescence) 表示装置に代表されるフラットパネル型表示装置の分野では、近年、パネルの狭額縁化、薄型化を図るために、画素がマトリクス状に配置されてなる表示部と同じ透明絶縁基板上に、当該表示部を駆動する周辺の駆動回路を一体的に搭載するいわゆる駆動回路一体型表示装置の開発が進められている。液晶表示装置やEL表示装置においては、画素トランジスタとしてTFTが用いられていることから、駆動回路を透明絶縁基板上に搭載するに当たっては当該駆動回路もTFTを用いて形成されることになる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
表示装置の周辺駆動回路には、駆動能力を上げるためにアナログバッファ回路が用いられることが多い。ここで、当該アナログバッファ回路を絶縁基板上にTFTを用いて形成する場合について考える。TFTは閾値Vthの絶対値が大きくかつそのばらつきが非常に大きい。また、ガラス基板等の絶縁基板上に形成すると、シリコン基板上に形成する場合に比べてTFTの素子特性がさらに悪化することが知られている。このように、TFTの閾値Vthの絶対値が大きくかつそのばらつきが非常に大きいと、TFTを用いて絶縁基板上にアナログバッファ回路を形成すると、アナログバッファ回路の入出力オフセットおよびそのばらつきが大きくなる。
【0004】
このアナログバッファ回路を、例えば、駆動回路一体型表示装置のデータドライバ(水平ドライバ)の出力部に、表示部のデータ線(信号線)に対応して複数個並べて用いるものとする。この場合、アナログバッファ回路の入出力オフセットのばらつきが大きいと、回路個々の出力電位誤差が大きくなる。すると、この出力電位誤差が表示部の列間の電位差となり、画面上に縦スジとして表示されるため、表示品位(ユニフォーミティ)を著しく悪化させることになる。
【0005】
また、絶縁基板上にTFTを用いてアナログ回路を形成した場合、TFTの閾値Vthの絶対値が大きいと、回路を駆動するために高い電源電圧と大きなアイドリング電流が必要になるため消費電力が大きくなり、駆動回路一体型の構成を採りつつ、表示装置の低消費電力化を図る上で不利になる。
【0006】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、絶縁基板上にTFTで形成する場合であっても、入出力オフセットが小さくかつ消費電力が少ないアナログバッファ回路、これを表示部の周辺駆動回路に用いた表示装置および当該表示装置を画面表示部として搭載した携帯端末を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明によるアナログバッファ回路は、ソースフォロアのMOSトランジスタによって出力負荷を駆動するソースフォロア手段と、このソースフォロア手段のオフセット検出を複数回に亘って分割して行い、その検出したオフセットを順にキャンセルするオフセットキャンセル手段とを備え、
前記オフセットキャンセル手段は、
回路入力端子と前記MOSトランジスタのゲートとの間に接続されたスイッチと、
前記回路入力端子と前記MOSトランジスタのソースとの間に直列に接続された2つのスイッチからなる第1スイッチ回路と、
前記回路入力端子と前記MOSトランジスタのソースとの間に直列に接続された2つのスイッチからなる少なくとも1つの第2スイッチ回路と、
前記MOSトランジスタのゲートと前記第1スイッチ回路の2つのスイッチ間との間に接続された第1キャパシタと、
前記MOSトランジスタのゲートと前記少なくとも1つの第2スイッチ回路の2つのスイッチ間との間に接続された少なくとも1つの第2キャパシタとを有する
構成となっている。このアナログバッファ回路は、デジタル表示信号をアナログ表示信号に変換して表示部のデータ線に与えるDA変換回路を表示部と同じ透明絶縁基板上に搭載してなる表示装置において、当該DA変換回路の例えば出力部に用いられる。また、このアナログバッファ回路を用いたDA変換回路を有する表示装置は、PDA(Personal Digital Assistants)や携帯電話機に代表される携帯端末に、その画面表示部として搭載される。
【0008】
上記構成のアナログバッファ回路、これをDA変換回路の一部として用い表示装置、または当該表示装置を画面表示部として搭載した携帯端末において、ソースフォロアのオフセット検出を複数回に亘って分割して行うことで、最初に検出するオフセット電圧よりも最後に検出するオフセット電圧の方がずっと最終出力時の動作点の近くで検出される。したがって、最終オフセット電圧が最後に検出したオフセット電圧と非常に近くなり、ほぼキャンセルされるため、最終オフセット電圧が十分に小さくなる。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【0010】
[第1実施形態]
図1は、本発明の第1実施形態に係るN型バッファタイプのアナログバッファ回路の構成例を示す回路図である。このN型バッファタイプのアナログバッファ回路は、NMOSトランジスタで構成され、出力信号電位が比較的高いとき、具体的には後述する特定の固定電位PSIGよりも高いときに用いられる。
【0011】
図1において、第1電源(例えば、正側電源VDD)と第2電源(例えば、負側電源VSS)との間には、ソースフォロアのNMOSトランジスタQn1と電流源In1とが直列に接続されている。回路入力端子INn1とNMOSトランジスタQn1のゲートとの間にはスイッチSn1が接続されている。回路入力端子INn1とNMOSトランジスタQn1のソースとの間には、スイッチSn2およびスイッチSn3が直列に接続され、さらにスイッチSn4およびスイッチSn5が直列に接続されている。
【0012】
NMOSトランジスタQn1のゲート(スイッチSn1の出力端)とスイッチSn4の出力端(スイッチSn5の入力端)との間にはキャパシタCn1が接続されている。NMOSトランジスタQn1のゲートとスイッチSn2の出力端(スイッチSn3の入力端)との間にはキャパシタCn2が接続されている。これら5つのスイッチSn1〜Sn5および2つのキャパシタCn1,Cn2は、ソースフォロア(NMOSトランジスタQn1)のオフセット検出を2回に亘って分割して行い、その検出したオフセットを順にキャンセルするオフセットキャンセル手段を構成している。
【0013】
NMOSトランジスタQn1のソースと回路出力端子OUTn1との間にはスイッチSn6が接続されている。回路出力端子OUTn1(スイッチSn6の出力端)にはスイッチSn7の一端が接続されている。スイッチSn7の他端には、出力負荷のプリチャージ電位として低レベル(以下、“L”レベルと記す)の固定電位PSIGが与えられる。
【0014】
次に、上記構成の第1実施形態に係るN型バッファタイプのアナログバッファ回路の回路動作について、図2のタイミングチャートを用いて説明する。本アナログバッファ回路は、基本的に、次の4つの動作を順に行うことで1サイクルの動作を完了して1回の出力を行う。
【0015】
先ず、期間Aにおいて、スイッチSn7が導通状態となり、出力負荷に対して固定電位PSIGがプリチャージされ始める。また、スイッチSn1,Sn3およびSn5が導通状態となり、NMOSトランジスタQn1のゲートに信号Vinが入力され、NMOSトランジスタQn1のゲート-ソース間に2つのキャパシタCn1,Cn2が接続される。これにより、このときのNMOSトランジスタQn1のゲート-ソース電圧(VosA)がキャパシタCn1,Cn2に蓄えられる。
【0016】
次に、期間Bにおいて、スイッチSn1,Sn5は非導通状態となり、スイッチSn4が導通状態となる。このとき、左側のキャパシタCn1の他方の電極に入力信号Vinが与えられるため、NMOSトランジスタQn1のゲート電圧はキャパシタCn1に蓄えられた電圧に応じて変化する。また、もう一つのキャパシタCn2は依然としてNMOSトランジスタQn1のゲート-ソース間に接続されたままであり、この時点でのゲート-ソース電圧(VosB)がこのキャパシタCn2に蓄積される。このときのソース電圧はおおよそVin+(VosA−VosB)となる。
【0017】
次に、期間CにおいてスイッチSn3,Sn4が非導通状態となり、スイッチSn2が導通状態となる。これにより、右側のキャパシタCn2の他方の電極に信号Vinが入力され、このキャパシタCn2に蓄えられた電圧に応じてゲート電位が変化する。このときのゲート-ソース電圧をVosCとすると、ソース電圧はおおよそVin+(VosB−VosC)となる。
【0018】
最後に、期間DにおいてスイッチSn6が導通状態となり、スイッチSn7が非導通状態となる。これにより、出力負荷がNMOSトランジスタQn1のソースフォロワ出力(ソース)に接続され、ソース電圧Vin+(VosB−VosC)が負荷に出力される。この期間Dにおける動作については期間Cの始めからオーバーラップさせて行わせることも可能である。
【0019】
上述した動作において、重要なポイントは、ソースフォロアのオフセット検出を複数回、本例の場合は2回に亘って分割して行うことで、最初に検出するオフセット電圧VosAよりも2回目に検出するオフセット電圧VosBの方がずっと最終出力時の動作点の近くで検出されている点である。これにより、オフセット電圧VosCはオフセット電圧VosBと非常に近くなり、最終オフセット電圧(VosB−VosC)が十分に小さくなる。すなわち、非常に高精度なオフセットキャンセルが達成される。
【0020】
因みに、ソースフォロアがNMOSトランジスタ単体からなる基本形の場合には、NMOSトランジスタのゲート-ソース電圧Vgs分の入出力オフセットが発生する。また、ソースフォロアのオフセット検出を1回行うオフセットキャンセルの場合には、オフセット検出時と最終出力時とのNMOSトランジスタの動作点が異なり、これに伴ってドレイン電圧に対するゲート電圧がオフセット検出時と最終出力時で異なるため、オフセット分を完全にキャンセルすることができず、基本形に比べてある程度オフセットキャンセルの効果が得られるのの依然として入出力オフセットが発生することになる。
【0021】
これに対して、第1実施形態に係るN型バッファタイプのアナログバッファ回路においては、ソースフォロアのオフセット検出を2回に亘って分割して行う構成を採ることで、最終オフセット電圧を十分に小さくでき、高精度なオフセットキャンセルを行うことができるため、極めて低オフセットで出力電位ばらつきの少ないアナログバッファ回路を実現できる。なお、この効果は、NMOSトランジスタQn1の動作点の違い(例えば、ドレイン-ソース電圧Vdsの違い)によるオフセット電圧の差が大きい場合により大きなものとなる。
【0022】
したがって、本実施形態に係るアナログバッファ回路は、閾値Vthの絶対値が大きくかつそのばらつきが非常に大きいTFTを用いて構成する場合、特にその素子特性がさらに悪化し易いガラス基板などの絶縁基板上にTFTを用いて形成する場合に有用なものとなる。ただし、本発明は、TFTで形成される回路、あるいは絶縁基板上にTFTを用いて形成される回路への適用に限定されるものではなく、それ以外の回路の場合であって、高精度なオフセットキャンセルを行うことができることは、先述した動作説明から明らかである。
【0023】
図3は、本発明の第1実施形態に係るP型バッファタイプのアナログバッファ回路の構成例を示す回路図である。このP型バッファタイプのアナログバッファ回路は、PMOSトランジスタで構成され、出力信号電位が比較的低いとき、具体的には特定の固定電位PSIGよりも低いときに用いられる。
【0024】
図3において、電源VDD電源VSSとの間には、電流源Ip1とソースフォロアのPMOSトランジスタQp1とが直列に接続されている。回路入力端子INp1とPMOSトランジスタQp1のゲートとの間にはスイッチSp1が接続されている。回路入力端子INp1とPMOSトランジスタQp1のソースとの間には、スイッチSp2およびスイッチSp3が直列に接続され、さらにスイッチSp4およびスイッチSp5が直列に接続されている。
【0025】
PMOSトランジスタQp1のゲート(スイッチSp1の出力端)とスイッチSp4の出力端(スイッチSp5の入力端)との間にはキャパシタCp1が接続されている。PMOSトランジスタQp1のゲートとスイッチSp2の出力端(スイッチSp3の入力端)との間にはキャパシタCp2が接続されている。これら5つのスイッチSp1〜Sp5および2つのキャパシタCp1,Cp2は、ソースフォロア(PMOSトランジスタQp1)のオフセット検出を2回に亘って分割して行い、その検出したオフセットを順にキャンセルするオフセットキャンセル手段を構成している。
【0026】
PMOSトランジスタQp1のソースと回路出力端子OUTp1との間にはスイッチSp6が接続されている。回路出力端子OUTp1(スイッチSp6の出力端)にはスイッチSp7の一端が接続されている。スイッチSp7の他端には、出力負荷のプリチャージ電位として高レベル(以下、“H”レベルと記す)の固定電位PSIGが与えられる。
【0027】
上記構成のP型バッファタイプのアナログバッファ回路において、スイッチSp1〜Sp7およびキャパシタCp1,Cp2は、先述したN型バッファタイプのアナログバッファ回路(図1を参照)におけるスイッチSn1〜Sn7およびキャパシタCn1,Cn2にそれぞれ対応しており、回路動作についてはN型バッファタイプのアナログバッファ回路と全く同じである。そのタイミングチャートを図4に示す。これにより、N型バッファタイプのアナログバッファ回路の場合と全く同様の作用効果を奏する。
【0028】
(第1実施形態の応用例)
図5は、第1実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路の構成例を示す回路図であり、図中、図1および図3と同等部分には同一符号を付して示している。本応用例に係るアナログバッファ回路では、出力負荷のプリチャージを交流的に行うために、N型バッファタイプのアナログバッファ回路とP型バッファタイプのアナログバッファ回路とを併用した構成を採っている。
【0029】
すなわち、図5において、回路入力端子IN1と回路出力端子OUT1との間には、図1に示したN型バッファタイプのアナログバッファ回路(以下、N型ソースフォロワNSFと記す)と、図3に示したP型バッファタイプのアナログバッファ回路(以下、P型ソースフォロワPSFと記す)とが並列に接続されている。また、回路出力端子OUT1(スイッチSn6,Sp6の各出力端)には、スイッチS7(スイッチSn7,Sp7に相当)の一端が接続されている。スイッチS7の他端には、出力負荷のプリチャージ電位として交流電位CSが与えられる。
【0030】
次に、上記構成の応用例に係るアナログバッファ回路の回路動作について、図6のタイミングチャートを参照しつつ図7〜図14の動作説明図を用いて説明する。図6のタイミングチャートにおいて、期間OAから期間ODまではN型ソースフォロワNSFがアクティブとなり、P型ソースフォロワPSFが非アクティブとなる。また、期間EA〜期間EDでは、P型ソースフォロワPSFがアクティブとなり、N型ソースフォロワNSFが非アクティブとなる。
【0031】
これらソースフォロワNSF,PSFのアクティブ、非アクティブは制御信号Ncont/Pcontで各ソースフォロワの電流源In1,Ip1を制御することにより実現される。制御信号Ncont/Pcontはプリチャージ電位CSの極性に応じて出力され、プリチャージ電位CSが“L”レベルのとき“H”レベルとなってN型ソースフォロワNSFをアクティブにし、プリチャージ電位CSが“H”レベルのとき“L”レベルとなってP型ソースフォロワPSFをアクティブにする。
【0032】
具体的な回路動作は以下の通り。先ず、期間OAでは、アナログバッファ回路は図7に示すような接続状態になる。すなわち、N型ソースフォロワNSFのスイッチSn1,Sn3,Sn5およびSn7が導通(閉)状態となり、Sn2,Sn4およびSn6が非導通(開)状態となる。このとき、P型ソースフォロワPSFにおいては、全てのスイッチが非導通状態にあり、この状態が期間ODまで続く。
【0033】
この状態では、出力負荷に“L”レベルのCS電位がプリチャージされ始め、そのプリチャージは期間ODまで続けられる。また、NMOSトランジスタQn1のゲートに信号Vinが入力されNMOSトランジスタQn1のゲート-ソース間に2つのキャパシタCn1,Cn2が接続される。これにより、このときのNMOSトランジスタQn1のゲート-ソース電圧(VosnA)がキャパシタCn1,Cn2に蓄えられる。
【0034】
次に、期間OBにおいて、アナログバッファ回路は図8に示すような接続状態になる。すなわち、N型ソースフォロワNSF側のスイッチSn1,Sn5が非導通となり、スイッチSn4が導通状態となる。このとき、左側のキャパシタCn1の他方の電極に入力信号Vinが与えられるため、NMOSトランジスタQn1のゲート電圧はキャパシタCn1に蓄えられた電圧に応じて変化する。また、もう一つキャパシタCn2は依然としてNMOSトランジスタQn1のゲート-ソース間に接続されたままであり、この時点でのゲート-ソース電圧(VosB)がこのキャパシタCn2に蓄積される。このときのソース電圧はおおよそVin+(VosA−VosB)となる。
【0035】
次いで、期間OCにおいて、アナログバッファ回路は図9に示すような接続状態になる。すなわち、N型ソースフォロワNSF側のスイッチSn3,Sn4が非導通状態となり、スイッチSn2が導通状態となる。これにより、右側のキャパシタCn2の他方の電極に信号Vinが入力され、このキャパシタCn2に蓄えられた電圧に応じてゲート電位が変化する。このときのゲート-ソース電圧をVosCとすると、ソース電圧はおおよそVin+(VosB−VosC)となる。
【0036】
最後に、期間ODにおいて、アナログバッファ回路は図10に示すような接続状態になる。すなわち、N型ソースフォロワNSF側のスイッチSn6が導通状態となり、スイッチS7が非導通状態となる。これにより、出力負荷がNMOSトランジスタQn1のソースフォロワ出力(ソース)に接続され、ソース電圧Vin+(VosB−VosC)が負荷に出力される。
【0037】
ここで、出力時のNMOSトランジスタQn1の動作点と最終的にオフセット検出されたときのNMOSトランジスタQn1の動作点は極めて近いので、VosB−VosCは極めて小さくなり、低オフセット化が実現される。
【0038】
期間EA,EB,EC,EDにおいては、出力負荷には“H”レベルのCS電位がプリチャージされ、P型ソースフォロワPSFがN型ソースフォロワNSFと全く同様な動作を行って信号を出力する。この期間EA〜EDにおける回路動作については重複するのでその説明を省略する。なお、図11〜図14が期間EA〜EDの各動作説明図である。
【0039】
以上のように、プリチャージ回路(スイッチS7)と出力電圧の極性に応じて電流制御・接続制御されるN型ソースフォロワNSFおよびP型ソースフォロワPSFを組み合わせて使用することにより、出力負荷を出力電圧の極性に対応した好ましい電位(“H”レベル/“L”レベル)にプリチャージすることが可能になる。
【0040】
なお、N型ソースフォロワNSFの電流源In1およびP型ソースフォロワPSFの電流源Ip1としては、それぞれ単一のNMOSトランジスタ、PMOSトランジスタからなる1トランジスタ型のものを用いることができる。また、図15および図16に示すような3トランジスタ型のものを用いれば、電流ばらつきが小さくなり、よりオフセット電圧および出力電位誤差を低減できる。
【0041】
図15に示す回路は、N型ソースフォロワNSF用の電流源である。図15において、電源VDDと電源VSSとの間にPMOSトランジスタQp11およびNMOSトランジスタQn11が直列に接続されている。PMOSトランジスタQp11のゲートには“L”レベルの制御信号Ncontが与えられる。NMOSトランジスタQn11はゲート-ドレイン間が短絡され、ゲート同士が接続されたNMOSトランジスタQn12と共にカレントミラー回路を形成している。NMOSトランジスタQn12は、ソースフォロアのNMOSトランジスタQn1に対して直列に接続され、そのソースが電源VSSに接続されている。
【0042】
図16に示す回路は、P型ソースフォロワPSF用の電流源である。図16において、電源VDDと電源VSSとの間にPMOSトランジスタQp12およびNMOSトランジスタQn13が直列に接続されている。NMOSトランジスタQn13のゲートには“H”レベルの制御信号Pcontが与えられる。PMOSトランジスタQp12はゲート-ドレイン間が短絡され、ゲート同士が接続されたPMOSトランジスタQp13と共にカレントミラー回路を形成している。PMOSトランジスタQp13は、ソースフォロアのPMOSトランジスタQp1に対して直列に接続され、そのソースが電源VDDに接続されている。
【0043】
以上説明した第1実施形態およびその応用例に係るアナログバッファ回路においては、ソースフォロアのオフセット検出を2回に亘って分割して行う場合を例に挙げて説明したが、オフセット検出の回数は2回に限られるものではなく、3回以上であっても良く、その回数が増える程、より高精度なオフセットキャンセルを達成することができる。以下に、オフセット検出を3回行う場合のアナログバッファ回路について、第2実施形態として説明する。
【0044】
[第2実施形態]
図17は、本発明の第2実施形態に係るN型バッファタイプのアナログバッファ回路の構成例を示す回路図である。このN型バッファタイプのアナログバッファ回路は、NMOSトランジスタで構成され、出力信号電位が比較的高いとき、具体的には後述する特定の固定電位PSIGよりも高いときに用いられる。
【0045】
図17において、電源VDD電源VSSとの間には、ソースフォロアのNMOSトランジスタQn21と電流源In21とが直列に接続されている。回路入力端子INn21とNMOSトランジスタQn21のゲートとの間には、スイッチSn21が接続されている。回路入力端子INn21とNMOSトランジスタQn21のソースとの間には、スイッチSn22およびスイッチSn23が直列に接続され、さらにスイッチSn24およびスイッチSn25が直列に接続され、さらにスイッチSn26およびスイッチSn27が直列に接続されている。
【0046】
NMOSトランジスタQn21のゲート(スイッチSn21の出力端)とスイッチSn26の出力端(スイッチSn27の入力端)との間にはキャパシタCn21が接続されている。NMOSトランジスタQn21のゲートとスイッチSn24の出力端(スイッチSn25の入力端)との間にはキャパシタCn22が接続されている。NMOSトランジスタQn21のゲートとスイッチSn22の出力端(スイッチSn23の入力端)との間にはキャパシタCn23が接続されている。
【0047】
これら7つのスイッチSn21〜Sn27および3つのキャパシタCn21〜Cn23は、ソースフォロア(NMOSトランジスタQn21)のオフセット検出を3回に亘って分割して行い、その検出したオフセットを順にキャンセルするオフセットキャンセル手段を構成している。
【0048】
NMOSトランジスタQn21のソースと回路出力端子OUTn21との間にはスイッチSn28が接続されている。回路出力端子OUTn21(スイッチSn28の出力端)にはスイッチSn29の一端が接続されている。スイッチSn29の他端には、“L”レベルの固定電位PSIGが与えられる。
【0049】
続いて、上記構成の第2実施形態に係るアナログバッファ回路の回路動作について、図19のタイミングチャートを参照しつつ図19〜図23の動作説明図を用いて説明する。本アナログバッファ回路は、基本的に、次の5つの動作を順に行うことで1サイクルの動作を完了して1回の出力を行う。
【0050】
先ず、期間Aにおいては、図19に示すように、スイッチSn29が導通状態となり、出力負荷に対して固定電位PSIGがプリチャージされ始める。また、スイッチSn21,Sn23,Sn25およびSn27が導通状態となり、NMOSトランジスタQn21のゲートに信号Vinが入力され、NMOSトランジスタQn21のゲート-ソース間に3つのキャパシタCn21,Cn22,Cn23が接続される。これにより、このときのNMOSトランジスタQn21のゲート-ソース電圧(VosA)がキャパシタCn21,Cn22,Cn23に蓄えられる。
【0051】
次に、期間Bにおいては、図20に示すように、スイッチSn21,Sn27は非導通となり、スイッチSn26が導通状態となる。このとき、一番左側のキャパシタCn21の他方の電極に入力信号Vinが与えられるため、NMOSトランジスタQn21のゲート電圧はキャパシタCn21に蓄えられた電圧に応じて変化する。また、他の2つのキャパシタCn22,Cn23は依然としてNMOSトランジスタQn21のゲート-ソース間に接続されたままであり、この時点でのゲート-ソース電圧(VosB)がこれらキャパシタCn22,Cn23に蓄積される。このときのNMOSトランジスタQn21のソース電圧はおおよそVin+(VosA−VosB)となる。
【0052】
次に、期間Cにおいては、図21に示すように、スイッチSn25,Sn26が非導通状態となり、スイッチSn24が導通状態となる。これにより、真ん中のキャパシタCn22の他方の電極に信号Vinが入力され、このキャパシタCn22に蓄えられた電圧に応じてゲート電位が変化する。このときのゲート-ソース電圧をVosCとすると、ソース電圧はおおよそVin+(VosB−VosC)となる。
【0053】
次に、期間Dにおいては、図22に示すように、スイッチSn23,Sn24が非導通状態となり、スイッチSn22が導通状態となる。これにより、一番右側のキャパシタCn21の他方の電極に信号Vinが入力され、このキャパシタCn21に蓄えられた電圧に応じてゲート電位が変化する。このときのゲート-ソース電圧をVosDとすると、ソース電圧はおおよそVin+(VosC−VosD)となる。
【0054】
最後に、期間Eにおいては、図23に示すように、スイッチSn28が導通状態となり、スイッチSn29が非導通状態となる。これにより、出力負荷がNMOSトランジスタQn21のソースフォロワ出力(ソース)に接続され、ソース電圧Vin+(VosC−VosD)が負荷に出力される。この期間Eにおける動作については期間Dの始めからオーバーラップさせて行わせることも可能である。
【0055】
上述した動作において、重要なポイントは、最初に検出するオフセット電圧VosAよりも3回目に検出するオフセット電圧VosCの方がずっと最終出力時の動作点の近くで検出されている点である。これにより、オフセット電圧VosDはオフセット電圧VosCと非常に近くなり、最終オフセット電圧(VosC−VosD)が十分に小さくなる。すなわち、ソースフォロアのオフセット検出を2回に亘って分割して行う場合よりもさらに高精度なオフセットキャンセルが達成される。
【0056】
このように、第2実施形態に係るN型バッファタイプのアナログバッファ回路によれば、ソースフォロアのオフセット検出を3回に亘って分割して行うことにより、最終オフセット電圧を2回検出の場合よりもさらに小さくでき、より高精度なオフセットキャンセルを行うことができるため、極めて低オフセットで出力電位ばらつきの少ないアナログバッファ回路を実現できる。
【0057】
図24は、本発明の第2実施形態に係るP型バッファタイプのアナログバッファ回路の構成例を示す回路図である。このP型バッファタイプのアナログバッファ回路は、PMOSトランジスタで構成され、出力信号電位が比較的低いとき、具体的には特定の固定電位PSIGよりも低いときに用いられる。
【0058】
図24において、正電源VDD負電源VSSとの間には、電流源Ip21とソースフォロアのPMOSトランジスタQp21とが直列に接続されている。回路入力端子INp21とPMOSトランジスタQp21のゲートとの間には、スイッチSp21が接続されている。回路入力端子INp21とPMOSトランジスタQp21のソースとの間には、スイッチSp22およびスイッチSp23が直列に接続され、さらにスイッチSp24およびスイッチSp25が直列に接続され、さらにスイッチSp26およびスイッチSp26が直列に接続されている。
【0059】
PMOSトランジスタQp21のゲート(スイッチSp21の出力端)とスイッチSp26の出力端(スイッチSp27の入力端)との間にはキャパシタCp1が接続されている。PMOSトランジスタQp21のゲートとスイッチSp24の出力端(スイッチSp25の入力端)との間にはキャパシタCp22が接続されている。PMOSトランジスタQp21のゲートとスイッチSp22の出力端(スイッチSp23の入力端)との間にはキャパシタCp21が接続されている。
これら7つのスイッチSp21〜Sp27および3つのキャパシタCp21〜Cp23は、ソースフォロア(PMOSトランジスタQp21)のオフセット検出を3回に亘って分割して行い、その検出したオフセットを順にキャンセルするオフセットキャンセル手段を構成している。
【0060】
PMOSトランジスタQp21のソースと回路出力端子OUTp21との間にはスイッチSp28が接続されている。回路出力端子OUTp21(スイッチSp28の出力端)にはスイッチSp29の一端が接続されている。スイッチSp29の他端には、“H”レベルの固定電位PSIGが与えられる。
【0061】
上記構成のP型バッファタイプのアナログバッファ回路において、スイッチSp21〜Sp29およびキャパシタCp21,Cp22,Cp23は、先述したN型バッファタイプのアナログバッファ回路(図17を参照)におけるスイッチSn21〜Sn29およびキャパシタCn21,Cn22,Cn23にそれぞれ対応しており、回路動作についてはN型バッファタイプのアナログバッファ回路と全く同じである。ただし、図18のタイミングチャートにおいて、入力信号Vinが“L”レベルに、プリチャージ電位PSIGが“H”レベルになる。このP型バッファタイプのアナログバッファ回路の場合にも、N型バッファタイプのアナログバッファ回路の場合と全く同様の作用効果を得ることができる。
【0062】
(第2実施形態の応用例)
図25は、第2実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路の構成例を示す回路図であり、図中、図17および図24と同等部分には同一符号を付して示している。本応用例に係るアナログバッファ回路では、出力負荷のプリチャージを交流的に行うために、N型バッファタイプのアナログバッファ回路とP型バッファタイプのアナログバッファ回路とを併用した構成を採っている。
【0063】
すなわち、図25において、回路入力端子IN21と回路出力端子OUT21との間には、図17に示したN型バッファタイプのアナログバッファ回路(N型ソースフォロワNSF)と、図24に示したP型バッファタイプのアナログバッファ回路(P型ソースフォロワPSF)とが並列に接続されている。また、回路出力端子OUT21(スイッチSn28,Sp28の各出力端)には、スイッチS29(スイッチSn29,Sp29に相当)の一端が接続されている。スイッチS29の他端には、出力負荷のプリチャージ電位として交流電位CSが与えられる。
【0064】
本応用例に係るアナログバッファ回路においては、図8のタイミングチャートを参照しつつ図19〜図23の動作説明図を用いて説明したN型バッファタイプのアナログバッファ回路の回路動作と、同様のP型バッファタイプのアナログバッファ回路の回路動作とが、プリチャージ電位CSの極性反転に同期して交互に行われることになる。このように、プリチャージ回路(スイッチS29)と出力電圧の極性に応じて電流制御・接続制御されるN型ソースフォロワNSFおよびP型ソースフォロワPSFを組み合わせて使用することで、出力負荷を好ましい電位(“H”レベル/“L”レベル)にプリチャージすることが可能になる。
【0065】
以上説明した第1,第2実施形態に係るアナログバッファ回路は、その用途が特に限定されるものではないが、例えば駆動回路一体型表示装置において、表示部を駆動する周辺の駆動回路の一部として用いて好適なものである。ただし、本発明は、表示装置の駆動回路への適用に限られるものではなく、特に絶縁基板上にTFTで形成されるアナログバッファ回路単体として用いことで有用なものとなる。
【0066】
図26は、本発明に係る駆動回路一体型表示装置、例えば液晶表示装置の構成例を示すブロック図である。図26において、透明絶縁基板、例えばガラス基板11上には、画素がマトリクス状に配置されてなる表示部(画素部)12が形成されている。ガラス基板11は、もう一枚のガラス基板と所定の間隙を持って対向配置され、両基板間に液晶材料を封止することで表示パネル(LCDパネル)を構成している。
【0067】
表示部12における画素の構成の一例を図27に示す。マトリクス状に配置された画素20の各々は、画素トランジスタであるTFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)21と、このTFT21のドレイン電極に画素電極が接続された液晶セル22と、TFT21のドレイン電極に一方の電極が接続された保持容量23とを有する構成となっている。ここで、液晶セル22は、画素電極とこれに対向して形成される対向電極との間で発生する液晶容量を意味する。
【0068】
この画素構造において、TFT21はゲート電極がゲート線(走査線)24に接続され、ソース電極がデータ線(信号線)25に接続されている。液晶セル22は対向電極がVCOM線26に対して各画素共通に接続されている。そして、液晶セル22の対向電極には、VCOM線26を介してコモン電圧VCOM(VCOM電位)が各画素共通に与えられる。保持容量23は他方の電極(対向電極側の端子)がCS線27に対して各画素共通に接続されている。
【0069】
ここで、IH(Hは水平期間)反転駆動または1F(Fはフィールド期間)反転駆動を行う場合は、各画素に書き込まれる表示信号は、VCOM電位を基準として極性反転を行うことになる。また、VCOM電位の極性を1H周期または1F周期で反転させるVCOM反転駆動をIH反転駆動または1F反転駆動と併用する場合は、CS線27に与えられるCS電位の極性もVCOM電位に同期して交流反転する。
【0070】
ここで、VCOM電位としては、CS電位とほぼ同じ振幅の交流電圧が用いられる。ただし、実際には、データ線24からTFT21を通して液晶セル22の画素電極に信号を書き込む際に、寄生容量などに起因してTFT21で電圧降下が生じることから、VCOM電位としては、その電圧降下分だけDCシフトした交流電圧が用いられる。
【0071】
再び図26において、表示部12と同じガラス基板11上には、例えば、表示部12の左側にデータ処理回路13が、表示部12の上下側に水平(H)ドライバ(水平駆動回路)14A,14Bが、表示部12の右側に垂直(V)ドライバ(垂直駆動回路)15がそれぞれ周辺の駆動回路として搭載されている。ここでは、周辺の駆動回路として一部を例示したに過ぎず、これらに限られるものではない。また、水平ドライバ14A,14Bについては表示部12の上下いずれか一方に配置されても良い。これら周辺の駆動回路は、表示部12の画素トランジスタと共に、低温ポリシリコンあるいはCG(Continuous Grain;連続粒界結晶)シリコンを用いて作製される。
【0072】
上記構成の液晶表示装置において、ガラス基板11に対して、低電圧振幅(例えば、0V−3.3V振幅)のR(赤)G(緑)B(青)パラレル入力の表示データDataが入力パッド(PAD)部16を介して基板外部から入力され、データ処理回路13において高電圧振幅(例えば0V−6.5V)にレベルシフト(レベル変換)される。レベルシフトされた表示データDataは、水平ドライバ14A,14Bに供給される。
【0073】
水平ドライバ14Aは、例えば、水平シフトレジスタ141、データサンプリングラッチ部142、第2ラッチ部143、レベルシフタ144およびDA(デジタル−アナログ)変換回路(DAC)145を有するデジタルドライバ構成となっている。水平ドライバ14Bについても、水平ドライバ14Aと全く同じ構成となっている。
【0074】
水平シフトレジスタ141は、タイミング発生回路(図示せず)から供給される水平スタートパルスHSTに応答してシフト動作を開始し、当該タイミング発生回路から供給される水平クロックパルスHCKに同期して1水平期間に順次転送していくサンプリングパルスを生成する。データサンプリングラッチ部142は、水平シフトレジスタ141で生成されたサンプリングパルスに同期して、データ処理回路13から供給される表示データDataを1水平期間で順次サンプリングしラッチする。
【0075】
このラッチされた1ライン分のデジタルデータは、水平ブランキング期間に第2ラッチ部143に移される。第2ラッチ部143からは、1ライン分のデジタルデータが一斉に出力される。この出力された1ライン分のデジタルデータは、レベルシフタ144でレベルアップされてDA変換回路145に与えられ、ここでアナログ表示信号に変換される。DA変換回路145から出力される1ライン分のアナログ表示信号は、表示部12の水平方向画素数nに対応して配線されたデータ線25−1〜25−nに出力される。
【0076】
垂直ドライバ15は、垂直シフトレジスタおよびゲートバッファによって構成される。この垂直ドライバ15において、垂直シフトレジスタは、タイミング発生回路(図示せず)から供給される垂直スタートパルスVSTに応答してシフト動作を開始し、当該タイミング発生回路から供給される垂直クロックパルスVCKに同期して1垂直期間に順次転送していく走査パルスを生成する。この生成された走査パルスは、表示部12の垂直方向画素数mに対応して配線されたゲート線24−1〜24−mにゲートバッファを通して順次出力される。
【0077】
この垂直ドライバ15による垂直走査により、走査パルスがゲート線24−1〜24−mに順次出力されると、表示部12の各画素が行(ライン)単位で順に選択される。そして、この選択された1ライン分の画素に対して、DA変換回路145から出力される1ライン分のアナログ表示信号がデータ線25−1〜25−nを経由して一斉に書き込まれる。このライン単位の書き込み動作が繰り返されることにより、1画面分の画表示が行われる。
【0078】
上記構成の液晶表示装置では、表示部12と同一のパネル(ガラス基板11)上に、データ処理回路13、水平ドライバ14A,14Bおよび垂直ドライバ15などの周辺の駆動回路を一体的に搭載したことにより、全駆動回路一体型の表示パネルを構成でき、外部に別の基板やIC、トランジスタ回路を設ける必要がないため、システム全体の小型化および低コスト化が可能になる。
【0079】
この駆動回路一体型液晶表示装置において、例えば、DA変換回路145を構成するのに、先述した第1,第2実施形態あるいはその応用例に係るアナログバッファ回路が用いられる。
【0080】
[第1適用例]
図28は、基準電圧選択型DA変換回路の構成例を示すブロック図である。ここでは、表示データDataとして、例えばR(赤)G(緑)B(青)各々6ビットのデジタルデータbR0〜bR5,bG0〜bG5,bB0〜bB5が与えられるものとする。
【0081】
図28において、基準電圧発生回路31からは、6ビットの表示データDataに対応して64階調分の基準電圧V0〜V63を発生する。これらの基準電圧V0〜V63は、基準電圧セレクタ32R,32G,32Bに与えられる。基準電圧セレクタ32R,32G,32Bは、表示部12のデータ線25−1〜25−nに対応して設けられており、64階調分の基準電圧V0〜V63の中からデジタルデータbR0〜bR5,bG0〜bG5,bB0〜bB5に対応した基準電圧を選択してアナログ表示信号として出力する。図29に、基準電圧セレクタ32R,32G,32Bの構成の一例を示す。
【0082】
基準電圧セレクタ32R,32G,32Bの出力側、即ち表示部12のデータ線25−1〜25−nとの間には、バッファ回路33R,33G,33Bが設けられている。バッファ回路33R,33G,33Bが設けられる理由は次の通りである。すなわち、液晶表示装置の画面サイズが大きくなったり、あるいは解像度が高くなったりすると、データ線25−1〜25−nに付く寄生容量などの容量負荷が重くなる。この容量負荷を決められた時間内に充放電するには、それ相応の駆動能力が要求される。したがって、バッファ回路33R,33G,33Bが必要となるのである。
【0083】
本適用例では、このバッファ回路33R,33G,33Bとして、先述した第1,第2実施形態あるいはその応用例に係るアナログバッファ回路を用いる。当該アナログバッファ回路は、先述したように、極めて低オフセットで出力電位のばらつきが少ないため、ガラス基板11などの絶縁基板上にTFTで形成しても何ら問題がない。
【0084】
したがって、第1,第2実施形態あるいはその応用例に係るアナログバッファ回路をバッファ回路33R,33G,33Bとして並べて配置しても、各バッファ回路間のオフセットのばらつきを抑えることができるため、当該オフセットばらつきに起因する縦スジが発生することがなく、表示品位(ユニフォーミティ)を向上できる。しかも、バッファ回路33R,33G,33Bを搭載できることで、データ線25−1〜25−nの容量負荷に対する駆動能力が上げることができるため、大型で高解像度の駆動回路一体型液晶表示装置の実現が可能になる。
【0085】
また、VCOM反転駆動を行う水平ドライバ14A,14Bにおいて、第1,第2実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路を用いた場合に非常に好都合となる。何故なら、データ線25−1〜25−nは、ある特定の階調レベル(例えば、ノーマリーホワイト型液晶表示装置では白レベル、ノーマリーブラック型液晶表示装置では黒レベル)にプリチャージされることが消費電力の観点から好ましく、この白レベルまたは黒レベルはVCOM反転に対応して交流的に変化するからである。
【0086】
すなわち、図5あるいは図25のプリチャージ電位CSとして、図27のCS線27に与えるCS電位(先述したように、VCOM電位に同期して交流反転する電位である)を用いることにより、当該CS電位は液晶への電圧非印加時の階調レベル(ノーマリーホワイト型液晶表示装置では白レベル、ノーマリーブラック型液晶表示装置では黒レベル)であり、その階調信号レベルからデータ線25−1〜25−nの駆動を開始すれば良く、駆動電流が少なくて済むため、消費電力の低減が可能になる。
【0087】
この適用例の場合、図5のスイッチS7および図25のスイッチS27がプリチャージスイッチとなる。そして、第1,第2実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路において、各スイッチをON/OFF駆動するスイッチ信号、電流源をON/OFF駆動する制御信号Ncont,PcontおよびプリチャージスイッチをON/OFF駆動するプリチャージ信号については、タイミング発生回路34(図28を参照)で発生される。
【0088】
[第2適用例]
基準電圧選択型DA変換回路では、特に表示部12の水平方向画素数が多くなると、それに応じて基準電圧セレクタ32R,32G,32Bの数が増加し、それに伴って基準電圧V0〜V63を伝送する配線の長さが長くなることから、図30に示すように、駆動能力を上げるために基準電圧発生回路31の後段にバッファ回路35が設けられる。ここでは、バッファ回路35を一つのブロックで示しているが、実際には、基準電圧V0〜V63の各々に対してバッファ回路35が設けられることになる。
【0089】
そして、本適用例では、このバッファ回路35として、先述した第1,第2実施形態あるいはその応用例に係るアナログバッファ回路を用いる。第1適用例では、バッファ回路33R,33G,33Bが基準電圧セレクタ32R,32G,32Bで選択後の基準電圧V0〜V63を扱っていたのに対し、本適用例では、バッファ回路35が基準電圧セレクタ32R,32G,32Bで選択前の基準電圧V0〜V63を扱うことになる。
【0090】
結局は、同じ基準電圧V0〜V63を扱うことになるため、第1,第2実施形態あるいはその応用例に係るアナログバッファ回路の使い方としては第1適用例の場合と同じことになる。したがって、先述した理由と同じ理由により、特に第1,第2実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路を用いた場合に非常に好都合となる。
【0091】
このように、基準電圧発生回路31用のバッファ回路35として、第1,第2実施形態あるいはその応用例に係るアナログバッファ回路を用いることにより、当該アナログバッファ回路は極めて低オフセットで出力電位のばらつきが少ないため、基準電圧V0〜V63相互間の相対的な電位のばらつきを抑えることができる。これにより、デジタルデータbR0〜bR5,bG0〜bG5,bB0〜bB5に正確に対応したアナログ表示信号レベルで表示駆動が行えるため、より高画質の画像を表示できることになる。
【0092】
[第3適用例]
図31は、スイッチトキャパシタ型DA変換回路の構成例を示すブロック図である。ここでは、表示データDataとして、例えばR(赤)G(緑)B(青)各々6ビットのデジタルデータbR0〜bR5,bG0〜bG5,bB0〜bB5が与えられるものとする。
【0093】
図31において、スイッチトキャパシタ型DA変換回路41R,41G,41Bが表示部12のデータ線25−1〜25−nに対応して設けられている。スイッチトキャパシタ型DA変換回路41R,41G,41Bは、基準電圧選択型DA変換回路の場合と同様の理由により、バッファ回路を内蔵している。本適用例では、このバッファ回路として、先述した第1,第2実施形態に係るアナログバッファ回路を用いる。
【0094】
図32は、第3適用例に係るスイッチトキャパシタ型DA変換回路の内部構成の具体例を示す回路図である。本具体例では、理解を容易にするために、スイッチトキャパシタ型DA変換回路を2ビット構成とし、この2ビットのスイッチトキャパシタ型DA変換回路に対して図1の第1実施形態に係るN型バッファタイプのアナログバッファ回路を組み合わせた場合を例に挙げて示している。
【0095】
図32において、図1の回路と対応させて見ると、下位ビット(LSB)の入力データVin0側には、スイッチSn2-0,Sn3-0,Sn4-0,Sn5-0およびキャパシタCn1-0,Cn2-0からなる第1のスイッチ&キャパシタ群が設けられ、上位ビット(MSB)の入力データVin1側には、スイッチSn2-1,Sn3-1,Sn4-1,Sn5-1およびキャパシタCn1-1,Cn2-1からなる第2のスイッチ&キャパシタ群が設けられている。さらに、数合わせのために固定電位Vin1(initial)に接続されたスイッチSn1-i,Sn2-i,Sn3-i,Sn4-i,Sn5-iおよびキャパシタCn1-i,Cn2-iからなる第3のスイッチ&キャパシタ群が設けられている。バッファ部分のNMOSトランジスタQn1および電流源In1、その出力部のスイッチSn6,Sn7については図1の場合と同じである。
【0096】
上記構成のバッファ内蔵のスイッチトキャパシタ型DA変換回路において、第3のスイッチ&キャパシタ群のキャパシタCn1-i,Cn2-iの容量値と第1のスイッチ&キャパシタ群のキャパシタCn1-0,Cn2-0の容量値とは等しく設定され、これらに対して第2のスイッチ&キャパシタ群のキャパシタCn1-1,Cn2-1の容量値は1/2に設定される。また、入力データVin0,Vin1は、1(“H”レベル)/0(“L”レベル)の2値データであるため、その入力によってスイッチングが行われる。その結果、入力データVin0,Vin1の各電位の差分に応じてアナログ電圧が出力される。なお、スイッチトキャパシタ型DA変換回路の動作については周知であるので、ここではその説明を省略する。
【0097】
また、バッファ回路部分はオフセットキャンセル機能を持つものであり、その回路動作は第1実施形態に係るN型バッファタイプのアナログバッファ回路の場合と同じである。そのタイミングチャートを図33に示す。なお、各スイッチをON/OFF駆動するスイッチ信号、電流源をON/OFF駆動する制御信号Ncont,PcontおよびプリチャージスイッチをON/OFF駆動するプリチャージ信号については、タイミング発生回路42で発生される。
【0098】
このオフセットキャンセル動作により、オフセットを低減し、出力電位のばらつきを少なくすることができる。したがって、スイッチトキャパシタ型DA変換回路に対して第1実施形態に係るN型バッファタイプのアナログバッファ回路を組み合わせることにより、第1適用例の場合と同様の作用効果を奏することになる。これに加えて、図32の回路構成から明らかなように、図1のキャパシタCn2に相当するキャパシタCn2-0,Cn2-1を、スイッチトキャパシタとして兼用できるというメリットもある。
【0099】
なお、本適用例では、スイッチトキャパシタ型DA変換回路に対して第1実施形態に係るN型バッファタイプのアナログバッファ回路を組み合わせた場合を例に挙げたが、第1実施形態に係るP型バッファタイプのアナログバッファ回路、第1実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路、さらには第2実施形態あるいはその応用例に係るアナログバッファ回路についても同様に組み合わせて用いることができる。
【0100】
(第3適用例の応用例)
図34は、第3適用例の応用例に係る基準電圧選択型DA変換回路の構成例を示すブロック図である。本応用例に係る基準電圧選択型DA変換回路は、基準電圧セレクタとスイッチトキャパシタとの併用型DA変換回路である。ここでは、表示データDataとして、例えばRGB各々6ビットのデジタルデータbR0〜bR5,bG0〜bG5,bB0〜bB5が与えられるものとする。
【0101】
基準電圧発生回路51は、6ビットのデジタルデータbR0〜bR5,bG0〜bG5,bB0〜bB5に対して64階調分ではなく、それよりも粗い例えば9階調分の基準電圧V0〜V8を発生する。この基準電圧V0〜V8は、基準電圧セレクタ52R,52G,52Bに供給される。基準電圧セレクタ52R,52G,52Bは、6ビットのデジタルデータbR0〜bR5,bG0〜bG5,bB0〜bB5のうち、例えば上位3ビット分のデータbR3〜bR5,bG3〜bG5,bB3〜bB5に対して、基準電圧V0〜V8のうちの近接した2つの基準電圧を選択して出力する。
【0102】
この選択された2つの基準電圧は、6ビットのデジタルデータbR0〜bR5,bG0〜bG5,bB0〜bB5のうち、下位3ビット分のデータbR0〜bR2,bG0〜bG2,bB0〜bB2と共に、スイッチトキャパシタ型DA変換回路53R,53G,53Bに入力される。スイッチトキャパシタ型DA変換回路53R,53G,53Bはその入力段に、2つの基準電圧間において下位3ビット分のデータbR0〜bR2,bG0〜bG2,bB0〜bB2に対応したレベルを持つ3ビットのデータVin0,Vin1,Vin2を生成する回路部分を持っている。
【0103】
そして、この生成された3ビットのデータVin0,Vin1,Vin2は、本来のスイッチトキャパシタ型DA変換部分に与えられる。このスイッチトキャパシタ型DA変換部分に対して、第1実施形態に係るN型バッファタイプのアナログバッファ回路を組み合わせた場合の基本回路を示したのが図32の回路である。ただし、図32の回路は、2ビットのデータVin0,Vin1に対応したものであり、3ビット対応の場合には、キャパシタおよびスイッチの回路部分がもう一つ追加されることになる。
【0104】
このように、基準電圧セレクタとスイッチトキャパシタとの併用型DA変換回路においても、そのスイッチトキャパシタ型DA変換回路53R,53G,53Bに対して、第1,第2実施形態あるいはその応用例に係るアナログバッファ回路を組み合わせることが可能である。
【0105】
なお、以上説明した各適用例では、表示素子として液晶セルを用いてなる液晶表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、この適用例に限られものではなく、表示素子としてEL(electroluminescence;エレクトロルミネッセンス)素子を用いてなるEL表示装置など、表示部と同一の基板上にアナログバッファ回路を搭載してなる表示装置全般に適用可能である。
【0106】
上述した適用例に係る液晶表示装置に代表される表示装置は、携帯電話機やPDA(Personal Digital Assistants;携帯情報端末)に代表される小型・軽量な携帯端末の画面表示部として用いて好適なものである。
【0107】
図35は、本発明に係る携帯端末、例えばPDAの構成の概略を示す外観図である。
【0108】
本例に係るPDAは、例えば、装置本体61に対して蓋体62が開閉自在に設けられた折り畳み式の構成となっている。装置本体61の上面には、キーボードなどの各種のキーが配置されてなる操作部63が配置されている。一方、蓋体62には、画面表示部64が配置されている。この画面表示部64として、先述した第1,第2,第3適用例に係るDA変換回路を、表示部と同一基板上に搭載してなる液晶表示装置が用いられる。
【0109】
これら適用例に係るDA変換回路を搭載した液晶表示装置では、先述したように、駆動回路一体型を容易に実現でき、しかも画面サイズの大型化、高解像度化および高画質化が図れるとともに、低消費電力化も可能である。したがって、当該液晶表示装置を画面表示部64として搭載することで、PDA全体の構成を簡略化、画面サイズの大型化、高解像度化および高画質化に寄与できるとともに、画面表示部64の低消費電力化によってバッテリ電源による連続使用可能時間の長時間化が図れることになる。
【0110】
なお、ここでは、PDAに適用した場合を例に採って説明したが、この適用例に限られるものではなく、本発明に係る液晶表示装置は、特に携帯電話機など小型・軽量の携帯端末全般に用いて好適なものである。
【0111】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ソースフォロアのオフセット検出を複数回に亘って分割して行うことで、最終オフセット電圧を十分に小さくでき、高精度なオフセットキャンセルを行うことができるため、極めて低オフセットで出力電位ばらつきの少ないアナログバッファ回路を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係るN型バッファタイプのアナログバッファ回路の構成例を示す回路図である。
【図2】第1実施形態に係るN型バッファタイプのアナログバッファ回路の動作説明に供するタイミングチャートである。
【図3】本発明の第1実施形態に係るP型バッファタイプのアナログバッファ回路の構成例を示す回路図である。
【図4】第1実施形態に係るP型バッファタイプのアナログバッファ回路の動作説明に供するタイミングチャートである。
【図5】第1実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路の構成例を示す回路図である。
【図6】第1実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路の動作説明に供するタイミングチャートである。
【図7】第1実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路におけるN型ソースフォロアの動作説明図(その1)である。
【図8】第1実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路におけるN型ソースフォロアの動作説明図(その2)である。
【図9】第1実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路におけるN型ソースフォロアの動作説明図(その3)である。
【図10】第1実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路におけるN型ソースフォロアの動作説明図(その4)である。
【図11】第1実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路におけるP型ソースフォロアの動作説明図(その1)である。
【図12】第1実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路におけるP型ソースフォロアの動作説明図(その2)である。
【図13】第1実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路におけるP型ソースフォロアの動作説明図(その3)である。
【図14】第1実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路におけるP型ソースフォロアの動作説明図(その4)である。
【図15】N型ソースフォロア用の電流源の回路例を示す回路図である。
【図16】P型ソースフォロア用の電流源の回路例を示す回路図である。
【図17】本発明の第2実施形態に係るN型バッファタイプのアナログバッファ回路の構成例を示す回路図である。
【図18】第2実施形態に係るN型バッファタイプのアナログバッファ回路の動作説明に供するタイミングチャートである。
【図19】第2実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路におけるN型ソースフォロアの動作説明図(その1)である。
【図20】第2実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路におけるN型ソースフォロアの動作説明図(その2)である。
【図21】第2実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路におけるN型ソースフォロアの動作説明図(その3)である。
【図22】第2実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路におけるN型ソースフォロアの動作説明図(その4)である。
【図23】第2実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路におけるN型ソースフォロアの動作説明図(その5)である。
【図24】本発明の第2実施形態に係るP型バッファタイプのアナログバッファ回路の構成例を示す回路図である。
【図25】第2実施形態の応用例に係るアナログバッファ回路の構成例を示す回路図である。
【図26】本発明に係る駆動回路一体型液晶表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図27】表示部における画素の構成の一例を示す回路図である。
【図28】本発明の第1適用例に係る基準電圧選択型DA変換回路の構成例を示すブロック図である。
【図29】基準電圧セレクタの構成例を示す回路図である。
【図30】本発明の第2適用例に係る基準電圧選択型DA変換回路の構成例を示すブロック図である。
【図31】本発明の第3適用例に係るスイッチトキャパシタ型DA変換回路の構成例を示すブロック図である。
【図32】第3適用例に係るスイッチトキャパシタ型DA変換回路の内部構成の具体例を示す回路図である。
【図33】第3適用例に係るスイッチトキャパシタ型DA変換回路の動作説明に供するタイミングチャートである。
【図34】本発明の第3適用例の応用例に係る基準電圧選択型DA変換回路の構成例を示すブロック図である。
【図35】本発明に係るPDAの構成の概略を示す外観図である。
【符号の説明】
11…ガラス基板、12…表示部、13…データ処理回路、14A,14B…水平ドライバ、15…垂直ドライバ、20…画素、21…TFT(画素トランジスタ)、22…液晶セル、23…保持容量、141…シフトレジスタ、145…DA変換回路
Claims (13)
- ソースフォロアのMOSトランジスタによって出力負荷を駆動するソースフォロア手段と、
前記ソースフォロア手段のオフセット検出を複数回に亘って分割して行い、その検出したオフセットを順にキャンセルするオフセットキャンセル手段とを備え、
前記オフセットキャンセル手段は、
回路入力端子と前記MOSトランジスタのゲートとの間に接続されたスイッチと、
前記回路入力端子と前記MOSトランジスタのソースとの間に直列に接続された2つのスイッチからなる第1スイッチ回路と、
前記回路入力端子と前記MOSトランジスタのソースとの間に直列に接続された2つのスイッチからなる少なくとも1つの第2スイッチ回路と、
前記MOSトランジスタのゲートと前記第1スイッチ回路の2つのスイッチ間との間に接続された第1キャパシタと、
前記MOSトランジスタのゲートと前記少なくとも1つの第2スイッチ回路の2つのスイッチ間との間に接続された少なくとも1つの第2キャパシタとを有する
ことを特徴とするアナログバッファ回路。 - 絶縁基板上に薄膜トランジスタで形成されてなる
ことを特徴とする請求項1記載のアナログバッファ回路。 - 前記ソースフォロア手段は、NMOSトランジスタからなる第1のソースフォロア手段とPMOSトランジスタからなる第2のソースフォロア手段とを有し、前記第1のソースフォロア手段と前記第2のソースフォロア手段とが前記出力負荷をプリチャージするプリチャージ電位の極性に応じてアクティブ状態となる
ことを特徴とする請求項1記載のアナログバッファ回路。 - 前記ソースフォロア手段は、制御信号の極性に応じて導通状態/非導通状態になる第1のMOSトランジスタと、ソースフォロアのMOSトランジスタに対して直列に接続された第2のMOSトランジスタと、前記第1のMOSトランジスタに対して直列に接続され、前記第2のMOSトランジスタと共にカレントミラー回路を形成する第3のMOSトランジスタとからなる電流源を有する
ことを特徴とする請求項1記載のアナログバッファ回路。 - 透明絶縁基板上に画素がマトリクス状に配置されてなる表示部と、
前記透明絶縁基板上に前記表示部と共に搭載され、デジタル表示信号をアナログ表示信号に変換して前記表示部のデータ線に与えるDA変換回路とを具備し、
前記DA変換回路は、
ソースフォロアのMOSトランジスタによって前記データ線を駆動するソースフォロア手段と、
前記ソースフォロア手段のオフセット検出を複数回に亘って分割して行い、その検出したオフセットを順にキャンセルするオフセットキャンセル手段とを備えたアナログバッファ回路を有し、
前記オフセットキャンセル手段は、
回路入力端子と前記MOSトランジスタのゲートとの間に接続されたスイッチと、
前記回路入力端子と前記MOSトランジスタのソースとの間に直列に接続された2つのスイッチからなる第1スイッチ回路と、
前記回路入力端子と前記MOSトランジスタのソースとの間に直列に接続された2つのスイッチからなる少なくとも1つの第2スイッチ回路と、
前記MOSトランジスタのゲートと前記第1スイッチ回路の2つのスイッチ間との間に接続された第1キャパシタと、
前記MOSトランジスタのゲートと前記少なくとも1つの第2スイッチ回路の2つのスイッチ間との間に接続された少なくとも1つの第2キャパシタとを有する
ことを特徴とする表示装置。 - 前記アナログバッファ回路が薄膜トランジスタで形成されている
ことを特徴とする請求項5記載の表示装置。 - 前記画素が液晶セルを含んでなる液晶表示装置において、
前記データ線に対して液晶への電圧非印加時の階調レベルのプリチャージ電位をプリチャージする手段を備え、
前記ソースフォロア手段は、NMOSトランジスタからなる第1のソースフォロア手段とPMOSトランジスタからなる第2のソースフォロア手段とを有し、前記第1のソースフォロア手段と前記第2のソースフォロア手段とが前記プリチャージ電位の極性に応じてアクティブ状態となる
ことを特徴とする請求項5記載の表示装置。 - 前記DA変換回路は、階調数に対応した複数の基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、前記複数の基準電圧の中からデジタル表示信号に対応した基準電圧を選択して出力する基準電圧セレクタとを有する基準電圧選択型DA変換回路であり、前記基準電圧セレクタの出力側に前記アナログバッファ回路を配置してなる
ことを特徴とする請求項5記載の表示装置。 - 前記DA変換回路は、階調数に対応した複数の基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、前記複数の基準電圧の中からデジタル表示信号に対応した基準電圧を選択して出力する基準電圧セレクタとを有する基準電圧選択型DA変換回路であり、前記基準電圧発生回路の出力側に前記アナログバッファ回路を配置してなる
ことを特徴とする請求項5記載の表示装置。 - 前記DA変換回路は、スイッチとキャパシタの組み合わせからなるスイッチトキャパシタ型DA変換回路であり、その出力段に前記アナログバッファ回路を配置してなる
ことを特徴とする請求項5記載の表示装置。 - 前記スイッチトキャパシタ型DA変換回路において、そのDA変換部のキャパシタと前記アナログバッファ回路のキャパシタとを兼用した
ことを特徴とする請求項10記載の表示装置。 - 前記DA変換回路は、階調数に対応した複数の基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、前記複数の基準電圧の中からデジタル表示信号の上位側ビットに対応した2つの近接した基準電圧を選択して出力する基準電圧セレクタと、前記基準電圧セレクタで選択された前記2つの近接した基準電圧を用いて前記デジタル表示信号の下位側ビットに対応したアナログ表示信号を生成して出力するスイッチトキャパシタ回路とを有する基準電圧選択/スイッチトキャパシタ併用型DA変換回路であり、前記スイッチトキャパシタ回路の出力段に前記アナログバッファ回路を配置してなる
ことを特徴とする請求項5記載の表示装置。 - 透明絶縁基板上に画素がマトリクス状に配置されてなる表示部と、
前記透明絶縁基板上に前記表示部と共に搭載され、デジタル表示信号をアナログ表示信号に変換して前記表示部のデータ線に与えるDA変換回路とを具備し、
前記DA変換回路は、
ソースフォロアのMOSトランジスタによって前記データ線を駆動するソースフォロア手段と、
前記ソースフォロア手段のオフセット検出を複数回に亘って分割して行い、その検出したオフセットを順にキャンセルするオフセットキャンセル手段とを備えたアナログバッファ回路を有する
表示装置を画面表示部として搭載し、
前記オフセットキャンセル手段は、
回路入力端子と前記MOSトランジスタのゲートとの間に接続されたスイッチと、
前記回路入力端子と前記MOSトランジスタのソースとの間に直列に接続された2つのスイッチからなる第1スイッチ回路と、
前記回路入力端子と前記MOSトランジスタのソースとの間に直列に接続された2つのスイッチからなる少なくとも1つの第2スイッチ回路と、
前記MOSトランジスタのゲートと前記第1スイッチ回路の2つのスイッチ間との間に接続された第1キャパシタと、
前記MOSトランジスタのゲートと前記少なくとも1つの第2スイッチ回路の2つのスイッチ間との間に接続された少なくとも1つの第2キャパシタとを有する
ことを特徴とする携帯端末。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002159029A JP4168668B2 (ja) | 2002-05-31 | 2002-05-31 | アナログバッファ回路、表示装置および携帯端末 |
US10/485,294 US7405720B2 (en) | 2002-05-31 | 2003-05-30 | Analog buffer circuit, display device and portable terminal |
SG200602211-5A SG136016A1 (en) | 2002-05-31 | 2003-05-30 | Analog buffer circuit, display device, and portable terminal |
PCT/JP2003/006856 WO2003103140A1 (ja) | 2002-05-31 | 2003-05-30 | アナログバッファ回路、表示装置および携帯端末 |
CNB038010461A CN1320747C (zh) | 2002-05-31 | 2003-05-30 | 模拟缓冲电路、显示设备和便携式终端 |
KR10-2004-7001441A KR20050009977A (ko) | 2002-05-31 | 2003-05-30 | 아날로그 버퍼 회로, 표시 장치 및 휴대 단말기 |
TW092114799A TWI225236B (en) | 2002-05-31 | 2003-05-30 | Analog buffer circuit, display, and portable terminal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002159029A JP4168668B2 (ja) | 2002-05-31 | 2002-05-31 | アナログバッファ回路、表示装置および携帯端末 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004004241A JP2004004241A (ja) | 2004-01-08 |
JP4168668B2 true JP4168668B2 (ja) | 2008-10-22 |
Family
ID=29706502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002159029A Expired - Fee Related JP4168668B2 (ja) | 2002-05-31 | 2002-05-31 | アナログバッファ回路、表示装置および携帯端末 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7405720B2 (ja) |
JP (1) | JP4168668B2 (ja) |
KR (1) | KR20050009977A (ja) |
CN (1) | CN1320747C (ja) |
SG (1) | SG136016A1 (ja) |
TW (1) | TWI225236B (ja) |
WO (1) | WO2003103140A1 (ja) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6958651B2 (en) | 2002-12-03 | 2005-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Analog circuit and display device using the same |
JP4159935B2 (ja) | 2003-03-25 | 2008-10-01 | 三菱電機株式会社 | オフセット補償回路と、それを用いたオフセット補償機能付駆動回路および液晶表示装置 |
JP2004348077A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Seiko Epson Corp | 駆動回路及びその検査方法、電気光学装置並びに電子機器 |
US7081774B2 (en) * | 2003-07-30 | 2006-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit having source follower and semiconductor device having the circuit |
KR101034776B1 (ko) * | 2004-01-19 | 2011-05-17 | 삼성전자주식회사 | 증폭기와, 이를 갖는 데이터 드라이버 및 표시 장치 |
US7336269B2 (en) * | 2004-09-24 | 2008-02-26 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Electronic discharging control circuit and method thereof for LCD |
US20060066555A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active display device and driving method thereof |
JP4517847B2 (ja) * | 2004-12-13 | 2010-08-04 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
KR100604067B1 (ko) | 2004-12-24 | 2006-07-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 버퍼 및 이를 이용한 데이터 집적회로와 발광 표시장치 |
JP4509004B2 (ja) | 2005-03-31 | 2010-07-21 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | バッファー及びこれを利用したデータ駆動回路と発光表示装置 |
JP4605601B2 (ja) * | 2005-05-16 | 2011-01-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 演算増幅器 |
TWI296405B (en) * | 2005-08-19 | 2008-05-01 | Toppoly Optoelectronics Corp | Source-follower type analogue buffer, driving method thereof, and display therwith |
US7742044B2 (en) * | 2005-08-19 | 2010-06-22 | Tpo Displays Corp. | Source-follower type analogue buffer, compensating operation method thereof, and display therewith |
KR100779663B1 (ko) * | 2006-07-21 | 2007-11-26 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 아날로그 버퍼 |
US7821296B2 (en) * | 2006-08-04 | 2010-10-26 | Analog Devices, Inc. | Stacked buffers |
TWI345189B (en) * | 2006-09-05 | 2011-07-11 | Au Optronics Corp | Analog buffer |
TWI371023B (en) * | 2006-10-10 | 2012-08-21 | Chimei Innolux Corp | Analogue buffer, compensating operation method thereof, and display therewith |
KR100873079B1 (ko) * | 2007-04-12 | 2008-12-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 아날로그 출력 버퍼회로 및 그를 이용한유기전계발광표시장치 |
KR100953302B1 (ko) * | 2007-08-24 | 2010-04-20 | 한양대학교 산학협력단 | 캐스코드 구조를 가지는 아날로그 버퍼회로 및 이의 동작방법 |
TWI341092B (en) * | 2007-09-13 | 2011-04-21 | Chimei Innolux Corp | System for displaying image |
TWI393106B (zh) * | 2008-04-23 | 2013-04-11 | Au Optronics Corp | 具電壓補償機制之類比緩衝器 |
TWI362181B (en) * | 2008-05-09 | 2012-04-11 | Au Optronics Corp | Analog buffer circuit capable of compensating threshold voltage variation of transistor |
US7804328B2 (en) * | 2008-06-23 | 2010-09-28 | Texas Instruments Incorporated | Source/emitter follower buffer driving a switching load and having improved linearity |
JP5251541B2 (ja) * | 2009-01-26 | 2013-07-31 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 定電圧発生回路およびレギュレータ回路 |
JP5382658B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2014-01-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチセンサ付き表示装置、タッチパネル、タッチパネルの駆動方法、および電子機器 |
JP5486579B2 (ja) * | 2011-11-21 | 2014-05-07 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ダブルソースフォロア回路 |
CN104393865B (zh) * | 2014-08-07 | 2017-07-18 | 杭州硅星科技有限公司 | 一种快速启动数字输出缓冲器及其控制方法 |
KR102508446B1 (ko) * | 2015-12-31 | 2023-03-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
US10659010B1 (en) * | 2019-01-23 | 2020-05-19 | Qualcomm Incorporated | RF output driver |
KR20200099423A (ko) | 2019-02-14 | 2020-08-24 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이미지 센서의 동작 방법 |
KR20220112362A (ko) | 2021-02-04 | 2022-08-11 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3175989B2 (ja) | 1993-03-01 | 2001-06-11 | 株式会社東芝 | 出力バッファ回路 |
JP2667373B2 (ja) | 1994-12-13 | 1997-10-27 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | アナログ・ビデオ信号補正装置及びtft液晶表示装置 |
JPH09330060A (ja) * | 1996-06-11 | 1997-12-22 | Toshiba Corp | 表示装置及び表示装置に用いるサンプルホールド増幅器 |
JP3613940B2 (ja) | 1997-08-29 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | ソースフォロワ回路、液晶表示装置および液晶表示装置の出力回路 |
CN1145830C (zh) * | 1999-07-30 | 2004-04-14 | 株式会社日立制作所 | 图像显示装置 |
JP3777913B2 (ja) | 1999-10-28 | 2006-05-24 | 株式会社日立製作所 | 液晶駆動回路及び液晶表示装置 |
JP3667186B2 (ja) * | 2000-02-29 | 2005-07-06 | キヤノン株式会社 | 信号転送装置及びそれを用いた固体撮像装置 |
JP2002014644A (ja) | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Hitachi Ltd | 画像表示装置 |
JP3373835B2 (ja) * | 2000-07-17 | 2003-02-04 | 財団法人工業技術研究院 | 補償Vgsを具えたソースフォロワ |
JP4449189B2 (ja) | 2000-07-21 | 2010-04-14 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置およびその駆動方法 |
JP2002108296A (ja) | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
-
2002
- 2002-05-31 JP JP2002159029A patent/JP4168668B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-05-30 TW TW092114799A patent/TWI225236B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-05-30 WO PCT/JP2003/006856 patent/WO2003103140A1/ja active Application Filing
- 2003-05-30 US US10/485,294 patent/US7405720B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-30 CN CNB038010461A patent/CN1320747C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-30 SG SG200602211-5A patent/SG136016A1/en unknown
- 2003-05-30 KR KR10-2004-7001441A patent/KR20050009977A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1320747C (zh) | 2007-06-06 |
KR20050009977A (ko) | 2005-01-26 |
TW200407832A (en) | 2004-05-16 |
US20040183772A1 (en) | 2004-09-23 |
US7405720B2 (en) | 2008-07-29 |
WO2003103140A1 (ja) | 2003-12-11 |
TWI225236B (en) | 2004-12-11 |
SG136016A1 (en) | 2007-10-29 |
CN1557047A (zh) | 2004-12-22 |
JP2004004241A (ja) | 2004-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4168668B2 (ja) | アナログバッファ回路、表示装置および携帯端末 | |
JP3286978B2 (ja) | 液晶駆動装置,液晶表示装置,アナログバッファ及び液晶駆動方法 | |
EP1335346A1 (en) | Reference voltage generation circuit, display driver circuit, display device, and method of generating reference voltage | |
US7071669B2 (en) | Reference voltage generation circuit, display driver circuit, display device, and method of generating reference voltage | |
JP3741079B2 (ja) | 表示装置および携帯端末 | |
TWI386897B (zh) | 源極驅動器、光電裝置、及電子機器 | |
CN101930706B (zh) | 信号线驱动电路、显示装置和电子装置 | |
US7973686B2 (en) | Integrated circuit device and electronic instrument | |
US20040207448A1 (en) | Level shift circuit, display, and mobile terminal | |
JP3930992B2 (ja) | 液晶表示パネル用駆動回路及び液晶表示装置 | |
JP4016184B2 (ja) | データ処理回路、表示装置および携帯端末 | |
US7932901B2 (en) | Timing generating circuit, display apparatus, and portable terminal | |
JP4161484B2 (ja) | 電気光学装置の駆動回路、電気光学装置および電子機器 | |
US7616183B2 (en) | Source driving circuit of display device and source driving method thereof | |
Choi et al. | Data driving methods and circuits for compact and high-image-quality AMOLED mobile displays | |
JP2009168842A (ja) | 基準電圧生成回路、ドライバ、電気光学装置及び電子機器 | |
JP2004198672A (ja) | 表示装置および携帯端末 | |
JP4438285B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2008065244A (ja) | 駆動回路および表示装置 | |
JP2004226435A (ja) | 表示装置および携帯端末 | |
JP2004191536A (ja) | 表示装置およびその駆動方法、並びに携帯端末 | |
JP4517847B2 (ja) | 表示装置 | |
JP4962402B2 (ja) | 電気光学装置の駆動回路、電気光学装置および電子機器 | |
JP2008089954A (ja) | データ線駆動回路、液晶表示装置およびこれを搭載した電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080219 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080520 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080627 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080715 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080728 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |