TWI225236B - Analog buffer circuit, display, and portable terminal - Google Patents

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TWI225236B
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Yoshitoshi Kida
Toshikazu Maekawa
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Sony Corp
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Description

1225236 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於類比緩衝電路、顯示裝置及攜帶式終端， 特別係關於以薄膜電晶體（Thin FilmTransistor; TFT)形成於絕緣 基板上所構成之類比緩衝電路、將其使用於顯示部之週邊 驅動電路之顯示裝置及搭載該顯示裝置作為畫面顯示部之 攜帶式終端。 【先前技術】
在液晶顯示裝置及EL (electroluminescence ;電致發光）顯示 裝置所代表之扁平面板型顯示裝置之領域中，近年來，為 了謀求面板之窄框緣化、薄型化，已經積極地朝向在與像 素配置成矩陣狀所構成之顯示部相同之透明絕緣基板上， 一體地搭載驅動該顯示部之週邊驅動電路之所謂驅動電路 一體型顯示裝置發展。在液晶顯示裝置及EL顯示裝置中， 由於使用TFT作為像素電晶體，故在將驅動電路搭載於透明 絕緣基板上之際，該驅動電路也會以TFT形成。
在顯示裝置之週邊驅動電路中，為了提高驅動能力，多 半使用類比緩衝電路。茲就使用TFT將該類比緩衝電路形成 於絕緣基板上之情形加以考慮。已知TFT之臨限值Vth之絕 對值較大且其差異非常大。又，形成於玻璃基板等絕緣基 板上時’ TFT之元件特性比形成於矽基板上之情形更差。如 此，TFT之臨限值Vtii之絕對值較大且其差異非常大時，使 用TFT將類比緩衝電路形成於絕緣基板上時，類比緩衝電路 之輸出入偏移及其差異會增大。 84649 假設將此類比緩衝電路例如在驅動電路一體型顧示裝置 之資料驅動器（水平驅動器）之輸出部’對應於二ϋ之资
料線（訊號線）而多數個排較用。此時，類比緩衝電路I 輪出入偏移之差異’各個電路之輸出電位誤差會變^。如 此一來，此輸出電位誤差會變成顯示部之行間之電位声， 而以縱線條方式顯示之畫面上，使顯示品位（均勻^生^^著 地惡化。 Μ 又，使用TFT將類比緩衝電路形成於絕緣基板上 tft 之臨限值Vth之絕對值較大時 電源電壓與較大之空閒電流 採用驅動電路一體型之構成 力化上，顯屬不利。 ’為了驅動電路，需要較高之 ’使得耗電力增大，故在一面 ’ 一面謀求顯示裝置之低耗電 本發明係鑒於上述問題，經多方研發而成，其目的在於 即使以TFT开》成於絕緣基板時，也可提供輸出入偏移小且耗 電力少之類比緩衝電路、將其使用於顯示部之週邊驅動電 路之顯示裝置及搭載該顯示裝置作為晝面顯示部之攜帶式 終端。 【發明内容】 本發明之類比緩衝電路係呈現包含驅動輸出負載之源極 輸出器手段、與分多數次施行此源極輸出器手段之偏移檢 測’並依序消除其檢測之偏移量之偏移消除手段之構成。 此類比緩衝電路係在將數位顯示訊號變換成類比顯示訊號 而施加至顯示部之資料線之DA變換電路，搭載於與顯示部 相同之透明絕緣基板上所構成之顯示裝置中，被使用作為 84649 1225236 該DA變換電路之例如輸出部。又，具有使用此類比緩衝電 路之DA變換電路之顯示裝置係被搭載於以PDA (Personal Digital Assistants ;個人數位助理）及行動電話機所代表之攜帶 式終端，以作為其畫面顯示部。
在上述構成之類比緩衝電路、以此作為DA變換電路之一 部分使用之顯示裝置，或搭載該顯示裝置作為畫面顯示部 之攜帶式終端中，分多數次施行此源極輸出器之偏移檢測 時，與取初檢測之偏移電壓相比^最後檢測之偏移電壓係 在一直到最終輸出時之動作點附近才被檢測，因此，最終 偏移電壓非常接近於最後檢測之偏移電壓，且幾乎可被完 全消除，故最終偏移電壓非常地小。 【實施方式】 以下，參照圖式，詳細說明本發明之實施形態。 [第1實施形態]
圖1係表示本發明之第1實施形態之N型緩衝型類比緩衝 電路之構成例之電路圖。此N型緩衝型類比緩衝電路係由 NMOS電晶體所構成，係在輸出訊號電位較高時使用，具體 而言，係在輸出訊號電位高於後述之特定之固定電位PSIG 時使用。 在圖1中，在第1電源（例如正側電源VDD)與第2電源（例如 負側電源VSS)之間，串聯連接源極輸出器之NMOS電晶體 Qnl與電流源Ini。在電路輸入端子INnl與NMOS電晶體Qnl之 閘極之間連接開關Snl。在電路輸入端子INnl與NMOS電晶體 Qnl之源極之間串聯連接開關Sn2及開關Sn3，再串聯連接開 84649 1225236 關Sn4及開關Sn5。 在NMOS私晶體Qnl之閘極（開關Snl之輸出端）與開關如4之 輸出端（開關Sn5之輸入端）之間連接電容器Cnl。在電 晶體Qnl之閘極與開關Sn2之輸出端（開關Sn3之輸入端）之間 連接電容器Cn2。此等5個開關Snl〜Sn5及2個電容器Qil、Cn2 構成分2次施行源極輸出器（NMOS電晶體Qnl)之偏移檢測， 依序消除其檢測之偏移量之偏移消除手段。
在NMOS電晶體Qnl之源極與電路輸出端子〇uTnl之間連接 開關Sn6。在電路輸出端子〇UTnl (開關sn6之輸出端）連接開 關Sn7之一端。低位準（以下稱“L”位準）之固定電位pSIG被供 應至開關Sn7之他端’以作為輸出負載之預充電電位。 其次，利用圖2之時間圖說明上述構成之第1實施形態之 N型緩衝型類比缓衝電路之電路動作。本類比緩衝電路基 本上係利用依序施行下列4個動作，以完成1循環之動作， 然後施行1次輸出。
首先，在期間A，開關Sn7呈導通狀態，固定電位PSIG開 始被預充電至輸出負載。又，開關Snl、Sn3及Sn5呈導通狀 態，訊號Vin被輸入至NMOS電晶體Qnl之閘極，在nmos電 晶體Qnl之閘極-源極間連接2個電容器Cnl、Cn2，因此，此 時之NMOS電晶體Qnl之閘極-源極電壓（v〇sA)被蓄積於電容 器Cn卜Cn2 〇 其次，在期間B，開關Snl、Sn5呈非導通狀態，開關Sn4 呈導通狀態。此時’輸入訊號Vin被供應至左側之電容器 Cnl之他方電極，故NMOS電晶體Qnl之閘極電壓依照蓄積於 84649 1225236 電容器Cnl之電要發生變化。又，另一個電容器Cn2依然一 直連接於NMOS電晶體Qnl之閘極_源極間，在此時點之閘 極-源極電壓（VosB)被蓄積於此電容器Cn2。此時之源極電壓 約為 Vin+(VosA-V〇sB)。 其次，在期間C，開關Sn3、Sn4呈非導通狀態，開關Sn2呈 導通狀悲。因此，輸入訊號Vin被供應至右側之電容器cn2 之他方電極，使間極電位依照蓄積於此電容器Cn2之電壓發 生變化。假設此時之閘極-源極電壓為WsC時，源極電壓約 為 Vin+(VosB—VosC)。 最後，在期間D，開關Sn6呈導通狀態，開關Sn7呈非導通 狀態。因此，輸出負載被連接至電晶體Qnl之源極輸 出器之輸出（源極），而將源極電壓Vin+(v〇sB-V〇sC)輸出至負 載。此期間D之動作也可由期間C之開始起重疊地施行。 在上述之動作中，重要的重點在於：分多數次（在本例之 情形為2次）施行此源極輸出器之偏移檢測時，與最初檢測 之偏移電壓VosA相比’第2次檢測之偏移電壓v〇sB係在一直 到最終輸出時之動作點附近才被檢測之點上。因此，偏移 電壓VosC非常接近於偏移電壓VosB，故最終偏移電壓（v〇sB一 VosC)非常地小。即，可達成非常高精度之偏移消除效果。 附帶言之，源極輸出器屬於利用NMOS電晶體單獨所構成 之基本型之情形時，會發生相當於NMOS電晶體之閘極_源 極電壓Vgs部分之輸出入偏移。又，在施行i次源極輸出器 之偏移檢測之偏移消除之情形，偏移檢測時與最終輸出時 之NMOS電晶體之動作點會有差異，連帶地，對汲極電壓之 84649 -10- 閘極電壓也會在偏移檢測時與最終輸 法完全消除偏移部分，盥基本刑相+ ^ ...... /、卷本土相比，雖可獲得某種程度 《偏移㈣效果，但依然會發生輸 相對地，在第1實施形態之N型緩衝型二 ^於^分2次施行源極輸出器之偏移檢測之構成，故可充 7刀縮小取終偏移電壓，施行高精度之偏移消除，故可會現 偏移值極低而輸出電位差異少之類比緩衝電路。又，在 觸電晶體制之動作點之差異（例如格源極杨之差異） 所引起之偏移電壓之差較大時，其效果更大。 因此’本實施形態之類比緩衝電路使用臨限值職之絕對 值較大且其差異非常大之TFT構成時，尤其可有效使用於利 用Μ形成在其元件特性更料惡化之玻璃基板等 絕緣基板 本發明並非僅限疋於適用在以tft形成之電路，或 1 吏用TFT形成於絕緣基板上之電路，在其他之電路之情形， :可施行㊅精度之偏移消除，此點已可從前述之動作說明 中’獲得明悉。 圖3係表示本發明之箆]余* 罘1貝她形怨之P型緩衝型類比緩衝 笔路之構成例之電路圖。 此Ρ型緩衝型類比緩衝電路係由 ρ刪電晶體所構成，係在輸出訊號電位較低時使用，具體 係在幸别出訊號電位低於特定之固定電位脱⑽使用。 1圖3中’在電源VDD與電源vss之間，串聯連接電流源
Ipl與源極輸出器之PMQS雨曰 包日曰随Qpl。在電路輸入端子INpl M PMOS電晶體Qpi之閘極乏 Η一 <間連接開關Spl。在電路輸入端 子INpl與PMOS電晶體〇Όι >、、店4 曰恤你1^/原極之間串聯連接開關SP2及開 84649 -11- 1225236 關Sp3，再串聯連接開關Sp4及開關Sp5。 在PMOS電晶體Qpl之閘極（開關Spl之輸出端）與開關Sp4之 輸出端（開關Sp5之輸入端）之間連接電容器Cpl。在PMOS電 晶體Qpl之閘極與開關Sp2之輸出端（開關Sp3之輸入端）之間 連接電容器Cp2。此等5個開關Spl〜Sp5及2個電容器Cp卜Cp2 構成分2次施行源極輸出器（PMOS電晶體Qpl)之偏移檢測， 依序消除其檢測之偏移量之偏移消除手段。
在PMOS電晶體Qpl之源極與電路輸出端子OUTpl之間連接 開關Sp6。在電路輸出端子OUTpl(開關Sp6之輸出端）連接開 關Sp7之一端。高位準（以下稱“H”位準）之固定電位PSIG被供 應至開關Sp7之他端，以作為輸出負載之預充電電位。
在上述構成之P型緩衝型類比緩衝電路中，開關Spl〜Sp7 及電容器Cpl、Cp2對應於前述N型緩衝型類比緩衝電路（參 照圖1)中，開關Snl〜Sn7及電容器Cnl、Cn2，電路動作也與N 型緩衝型類比緩衝電路完全相同，其時間圖如圖4所示。因 此，可獲得與N型緩衝型類比緩衝電路之情形完全相同之 作用效果。 (第1實施形態之應用例） 圖5係表示第1實施形態之應用例之類比緩衝電路之構成 例之電路圖，圖中，在與圖1及圖3同等之部分附以同一符 號予以表示。在本應用例之類比緩衝電路中，為了交流地 施行輸出負載之預充電，採用併用N型緩衝型類比緩衝電 路與P型緩衝型類比緩衝電路之構成。 即，在圖5中，在電路輸入端子IN1與電路輸出端子OUT1 84649 -12- 1225236 之間並聯連接圖1所示之N型緩衝型類比緩衝電路（以下稱N 型源極輸出器NSF)與圖3所示之P型緩衝型類比緩衝電路（以 下稱P型源極輸出器PSF)。又，在電路輸出端子0UT1(開關 Sn6、Sp6之各輸出端）連接開關S7(相當於開關Sn7、Sp7)之一 端。交流電位CS被供應至開關S7之他端，以作為輸出負載 之預充電電位。 其次，一面參照圖7〜圖14之動作說明圖，一面說明上述 構成之應用例之類比緩衝電路之電路動作。在圖6之時間圖 中，在期間OA至期間0D，N型源極輸出器NSF為有效狀態 ，P型源極輸出器PSF為非有效狀態；又，在期間EA至期間 ED，P型源極輸出器PSF為有效狀態，N型源極輸出器NSF為 非有效狀態。 此等源極輸出器NSF、PSF之有效狀態、非有效狀態係利 用控制訊號Ncont/Pcont控制各源極輸出器之電流源Ini、Ipl 加以實現。控制訊號Ncont/Pcont係依照預充電電位CS之極性 被輸出，在預充電電位CS為“L”位準時，成為“H”位準，使 N型源極輸出器NSF成為有效狀態；在預充電電位CS為“H” 位準時，成為“L”位準，使P型源極輸出器PSF成為有效狀態。 具體的電路動作如下。首先，在期間0A，類比緩衝電路 成為如圖7所示之連接狀態。即，N型源極輸出器NSF之開 關Snl、Sn3、Sn5及Sn7呈導通（關）狀態，Sn2、Sn4、及Sn6呈 非導通（開）狀態。此時，在P型源極輸出器PSF中，全部之 開關均為非導通狀態，此狀態持續至期間0D為止。 在此狀態下，“L”位準之CS電位開始被預充電至輸出負 84649 -13- 1225236 載，其預充電持續至期間OD。又，訊號Vin被輸入至NMOS 電晶體Qnl之閘極，在NMOS電晶體Qnl之汲極·源極間連接2 個電容器Cnl、Cn2，藉以將此時之NMOS電晶體Qnl之汲極-源極電壓（VosnA)蓄積於電容器Cnl、Cn2。
其次，在期間OB，類比緩衝電路成為如圖8所示之連接 狀態。即，N型源極輸出器NSF側之開關Snl、Sn5呈非導通 狀態，開關Sn4呈導通狀態。此時，輸入訊號Vin被供應至 左側之電容器Cnl之他方電極，故NMOS電晶體Qnl之閘極電 壓依照蓄積於電容器Cnl之電壓發生變化。又，另一個電容 器Cn2依然一直連接於NMOS電晶體Qnl之閘極-源極間，在 此時點之閘極-源極電壓（VosB)被蓄積於此電容器Cn2。此時 之源極電壓約為Vin+(VosA-VosB)。
其次，在期間OC，類比緩衝電路成為如圖9所示之連接 狀態。即，N型源極輸出器NSF侧之開關Sn3、Sn4呈非導通 狀態，開關Sn2呈導通狀態。因此，輸入訊號Vin被供應至右 側之電容器Cn2之他方電極，使閘極電位依照蓄積於此電容 器Cn2之電壓發生變化。假設此時之閘極-源極電壓為VosC 時，源極電壓約為Vin+(VosB-VosC)。 最後，在期間0D，類比緩衝電路成為如圖10所示之連接 狀態。即，N型源極輸出器NSF側之開關Sn6呈導通狀態， 開關S7呈非導通狀態。因此，輸出負載被連接至NMOS電晶 體Qnl之源極輸出器之輸出（源極），而將源極電壓Vin+ (VosB-VosC)輸出至負載。 在此，輸出時之NMOS電晶體Qnl之動作點與最終偏移檢 84649 -14- 1225236 測時之NMOS電晶體Qnl之動作點極為接近，故最終偏移電 壓VosB-VosC非常地小，而可實現低偏移化。 在期間EA、EB、Ec、ED中，“H，，位準之cs電位被預充電 至輸出負載，P型源極輸出器PSF施行與N型源極輸出器nsf 完全相同之動作，以輸出訊號。此期間£八〜£〇之電路動作 因重複之關係，故省略其說明。又，圖u〜圖14係期間 EA〜ED之各動作說明圖。
如以上所述，將依照預充電電路（開關S7)與輸出電壓之 極性被施行電流控制•連接控制之N型源極輸出器NsF&p 型源極輸出器PSF組合使用時，可將輸出負載預充電至對應 於輸出電壓之極性之理想之電位（“H，，位準/“L”位準）。 又，作為N型源極輸出器NSF之電流源如及p型源極輸出 器PSF之電流源Ip卜可分別使用單一 NM〇s電晶體、pM〇s電 η曰fa構成之1電晶體型之電流源。又，如使用圖丨5及圖16所 不之3電晶體型之電流源時，電流差異會變小，更可降低偏 移電壓及輸出電位誤差。
圖15所示之電路係ν型源極輸出器NSF用之電流源。在圖 15中’在電源VDD與電源VSS間串聯連接pm〇S電晶體Qpll及 NMOS電晶體Qnll。“L”位準之控制訊號Nc〇nt被供應至PM〇s 電晶體Qpll之閘極。NMOS電晶體Qnll之閘極_汲極間被短路 ’並與閘極彼此連接之NMOS電晶體Qni2共同形成電流反射 鏡電路。NMOS電晶體Qnl2串聯連接於源極輸出器之NMOS 電晶體Qnl，其源極連接於電源VSS。 圖16所示之電路係P型源極輸出器pSF用之電流源。在圖 84649 -15 - 1225236 16中，在電源VDD與電源vss間串聯連接pM〇s電晶體制2及 NMOS電晶師13。“H”位準之控制訊號pc〇nt被供應至丽〇s 電晶體Qnl3之閘極。PMOS電晶體Qpl2之閘極_汲極間被短路 ’、並與閘極彼此連接之PM〇s電晶體⑽共同形成電流反射 鏡屯路PMOS包晶體Qpi3争聯連接於源極輸出器之pM〇s電 晶體Qpl，其源極連接於電源VDD。 在以上所說明之第1實施形態及其應用例之類比緩衝電路 中，雖係以分2次施行源極輸出器之偏移檢測之情形為例加 以說明，但偏移檢測之次數並非限定於2次，也可為）次以 上，且其次數愈增加，愈可達成愈高精度之偏移消除效果 。以下，作為第2實施形態，說明分3次施行源極輸出器之 偏移檢測之情形之類比緩衝電路。 [第2實施形態] 圖17係表示本發明之第2實施形態之N型緩衝型類比緩衝 電路之構成例之電路圖。此N型緩衝型類比緩衝電路係由 NMOS %晶體所構成，係在輸出訊號電位較高時使用，具體 而cr係在和出訊號電位南於後述之特定之固定電位pSlG 時使用。 在圖17中，在電源VDD與電源VSS之間，串聯連接源極輸 出器之NMOS電晶體Qn2l與電流源In21。在電路輸入端子 INn21與NMOS電晶體Qn2l之閘極之間連接開關Sn2卜在電路 輸入端子INn21與nmos電晶體Qn2丨之源極之串連連接開關 Sn22及開關Sn23，再串聯連接開關Sn24及開關Sn25，再串聯 連接開關Sn26及開關Sn27。 84649 -16 - 1225236 在NMOS電晶體Qn21之閘極（開關Sn21之輸出端）與開關 Sn26之輸出端（開關Sn27之輸入端）之間連接電容器Cn21。在 NMOS電晶體Qn21之閘極與開關Sn24之輸出端（開關Sn25之輸 入端）之間連接電容器Cn22。在NMOS電晶體Qn21之閘極與開 關Sn22之輸出端（開關Sn23之輸入端）之間連接電容器Cn23。
此等7個開關Sn21〜Sn27及3個電容器Cn21〜Cn23構成分3次 施行源極輸出器（NMOS電晶體Qn21)之偏移檢測，依序消除 其檢測之偏移量之偏移消除手段。 在NMOS電晶體Qn21之源極與電路輸出端子OUTn21之間連 接開關Sn28。在電路輸出端子OUTn21(開關Sn28之輸出端）連 接開關Sn29之一端。“L”位準之固定電位PSIG被供應至開關
Sn29之他端。
接著，一面參照圖18之時間圖，一面利用圖19〜圖23之動 作說明圖說明上述構成之第2實施形態之類比緩衝電路之電 路動作。本類比緩衝電路基本上係利用依序施行下列5個動 作，以完成1循環之動作，然後施行1次輸出。 首先，在期間A，如圖19所示，開關Sn29呈導通狀態，固 定電位PSIG開始被預充電至輸出負載。又，開關Sn21、Sn23 、Sn25及Sn27呈導通狀態，訊號Vin被輸入至NMOS電晶體 Qn21之閘極，在NMOS電晶體Qn21之閘極-源極間連接3個電 容器Cn21、Cn22、Cn23，因此，此時之NMOS電晶體Qn21之 閘極-源極電壓（VosA)被蓄積於電容器Cn2卜Cn22、Cn23。 其次，在期間B，如圖20所示，開關Sn21、Sn27呈非導通 狀態，開關Sn26呈導通狀態。此時，輸入訊號Vin被供應至 84649 -17- 1225236 最左側之電容器Cn21之他方電極，故NMOS電晶體Qn21之閘 極電壓依照蓄積於電容器Cn21之電壓發生變化。又，另一 値電容器Cn22、Cn23依然一直連接於NM〇s電晶體Qn2i之閘 極-源極間，在此時點之閘極-源極電壓（vosB)被蓄積於此電 容器Cn22、Cn23。此時之NMOS電晶體Qn21之源極電壓約為 Vin+(VosA-VosB)。
其次，在期間C，如圖21所示，開關Sn25、Sn26呈非導通 狀態，開關Sn24呈導通狀態。因此，輸入訊號yin被供應至 最中間之電容器Cn22之他方電極，使閘極電位依照蓄積於 此電容器Cn22之電壓發生變化。假設此時之閘極-源極電壓 為VosC時，源極電壓約為Vin+(VosB-VosC)。 其次，在期間D，如圖22所示，開關Sn23、Sn24呈非導通 狀態，開關Sn22呈導通狀態。因此，輸入訊號vin被輸入至 最右側之電容器Cn23之他方電極，使閘極電位依照蓄積於 此電容器Cn23之電壓發生變化。假設此時之閘極-源極電壓 為VosD時，源極電壓約為Vin+(VosC-VosD)。
最後，在期間E，如圖23所示，開關Sn28呈導通狀態，開 關Sn29呈非導通狀態。因此，輸出負載被連接至NMOS電晶 體Qn21之源極輸出器之輸出（源極），而將源極電壓 Vin+(VosC-VosD)輸出至負載。此期間E之動作也可由期間D 之開始起重疊地施行。 在上述之動作中，重要的重點在於：與最初檢測之偏移 電壓VosA相比，第3次檢測之偏移電壓VosC係在一直到最終 輸出時之動作點附近才被檢測之點上。因此，VosD非常接 84649 -18- 1225236 近於VosC，故最終偏移電壓（VosC-VosD)非常地小。即，可 達成比分2次施行此源極輸出器之偏移檢測之情形更高精度 之偏移消除效果。 如此，依據本發明之第2實施形態之N型緩衝型類比緩衝 電路，可分3次施行此源極輸出器之偏移檢測，將最終偏移 電壓縮得比分2次施行此源極輸出器之偏移檢測之情形更小 ，施行更高精度之偏移消除，故可實現偏移值極低而輸出 電位差異少之類比緩衝電路。 圖24係表示本發明之第2實施形態之P型緩衝型類比緩衝 電路之構成例之電路圖。此P型緩衝型類比緩衝電路係由 PMOS電晶體所構成’係在輸出訊號電位較低時使用’具體 而言，係在輸出訊號電位低於特定之固定電位PSIG時使用。 在圖24中，在正電源VDD與負電源VSS之間，串聯連接電 流源Ip21與源極輸出器之PMOS電晶體Qp2卜在電路輸入端 子INp21與PMOS電晶體Qp21之閘極之間連接開關Sp21。在電 路輸入端子INp21與PMOS電晶體Qp21之源極之串聯間連接開 關Sp22及開關Sp23，再串聯連接開關Sp24及開關Sp25，再串 聯連接開關Sp26及開關Sp27。 在PMOS電晶體Qp21之閘極（開關Sp21之輸出端）與開關Sp26 之輸出端（開關Sp27之輸入端）之間連接電容器Cp21。在 PMOS電晶體Qp21之閘極與開關Sp24之輸出端（開關Sp25之輸 入端）之間連接電容器Cp22。在PMOS電晶體Qp21之閘極與開 關Sp22之輸出端（開關Sp23之輸入端）之間連接電容器Cp23。 此等7個開關Sp21〜Sp27及3個電容器Cp21〜Cp23構成分3次 84649 -19- 1225236 施行源極輸出器（PMOS電晶體Qp21)之偏移檢測，依序消除 其檢測之偏移量之偏移消除手段。 在PMOS電晶體Qp21之源極與電路輸出端子0UTp21之間連 接開關Sp28。在電路輸出端子0UTp21 (開關Sp28之輸出端）連 接開關Sp29之一端。“H”位準之固定電位PSIG被供應至開關 Sp29之他端。 在上述構成之P型緩衝型類比緩衝電路中，開關Sp21〜Sp29 及電容器Cp21、Cp22、Cp23對應於前述N型緩衝型類比緩衝 電路（參照圖17)中，開關Sn21〜Sn29及電容器Cn21、Cn22、Cp23 ，電路動作也與N型緩衝型類比緩衝電路完全相同。但， 在圖18所示之時間圖中，輸入訊號Vin成為“L”位準，預充 電電位PSIG成為“H”位準。此P型緩衝型類比緩衝電路可獲 得與N型緩衝型類比緩衝電路之情形完全相同之作用效果。 (第2實施形態之應用例） 圖25係表示第2實施形態之應用例之類比緩衝電路之構成 例之電路圖，圖中，在與圖17及圖24同等之部分附以同一 符號予以表示。在本應用例之類比緩衝電路中，為了交流 地施行輸出負載之預充電，採用併用N型緩衝型類比緩衝 電路與P型緩衝型類比緩衝電路之構成。 即，在圖25中，在電路輸入端子IN21與電路輸出端子 0UT21之間並聯連接圖17所示之N型緩衝型類比緩衝電路（以 下稱N型源極輸出器NSF)與圖24所示之P型緩衝型類比緩衝 電路（以下稱P型源極輸出器PSF)。又，在電路輸出端子 0UT21 (開關Sn28、Sp28之各輸出端）連接開關S29(相當於開關 84649 -20- 1225236 、、Sp29)< —端。又流電位cs被供應至㈣S29之他端， 以作為輸出負載之預充電電位。 —在本應用例之類比緩衝電路中，—面參照圖6之時間圖， —面利用圖19〜圖23之動作說明圖所說明之N型缓衝型類比 緩衝電路之電路動作、與同樣之p型缓衝型類比緩衝電路之 電路動作係與預充電電位CS之極性反轉同步地交戶被施行 2此’、將依照預充電電路（開關S29)與輸出電壓之極性被 人T %伽^工制•連接控制之N型源極輸出器及p型源極 2器PSF組合使用時，可將輸出負載預充電至對應於輸出 電壓之極性之理想之電位（“H，，位準/“L ”位準）。 以上所說明之第1、第2實施形態之類比緩衝電路並未特 別限定其用途，例如也可適合於在驅動電路—體型顯示裝 置中，使用作為驅動顯示部之週邊驅動電路之一部分。但 本發明並非限定於適用於顯示裝置之驅動電路，特別可 有效使用作為以TFT形成於絕緣基板上之類比緩衝電路之單 一構件。 圖26係表示本發明之驅動電路一體型顯示裝置，例如液 晶顯示裝置之構成例之區塊圖。在圖26中，在透明絕緣基 板，例如玻璃基板11上，形成有像素配置成矩陣狀所構成 <顯示部（像素部）12。玻璃基板丨丨係以特定間隔與另一片玻 璃基板配置成相對向，利用將液晶材料封閉於兩基板間而 構成顯示面板（LCD面板）。 顯π部12之像素之構成之一例如圖27所示。配置成矩陣狀 之像素20係分別呈現具有像素電晶體之TFT (Thin FilmTransist〇r 84649 -21 - 1225236 ;薄膜電晶體）2卜像素電極連接於此TFT21之汲極之液晶單 元22、及一方電極連接於丁?丁21之汲極之保持電容23之構成 。在此，液晶單元22具有在像素電極與其相對向形成之對 向電極之間所產生之液晶電答之意。
在此像素構造中，TFT21之閘極連接於閘線（掃描線）24， 源極連接於資料線（訊號線）25。液晶單元22之對向電極之各 像素共通連接於VCOM線26。而，經由VCOM線26，將常用 電壓VCOM (VCOM電位）共通地供應至液晶單元22之對向電 極之各像素。保持電容23之他方電極（對向電極側之端子） 之各像素共通連接於CS線27。
在此，施行1H (H為水平期間）反轉驅動或IF (F為場期間） 反轉驅動時，寫入於各像素之顯示訊號可利用VCOM電位為 基準，施行極性反轉。又，將使VCOM電位之極性以1H週 期或1F週期反轉之VCOM反轉驅動與1H反轉驅動或1F反轉驅 動併用時，施加至CS線27之CS電位之極性也會與VCOM電 位同步地交流反轉。 在此，作為VCOM電位，可使用與CS電位大致相同振幅 之交流電壓。但，實際上，在將訊號由資料線25，通過 TFT21而寫入液晶單元22之像素電極之際，會因寄生電容等 而在TFT21發生電壓下降，故作為VCOM電位，可使用DC移 位相當於該電壓下降部分之交流電壓。 再於圖26中，在與顯示器12相同之玻璃基板11上，例如 在顯示器12之左側，搭載資料處理電路13，在顯示器12之 上下側，搭載水平（H)驅動器（水平驅動電路）14A、14B，在 84649 -22- 1225236 顯示器12之右側，搭載垂直（V)驅動器（垂直驅動電路）15， 以作為週邊驅動電路。在此，作為週邊驅動電路，僅不過 舉一邵分作為例子而已，並非以此等為限。又，水平驅動 器14A、14B也可配置於顯示器12之上下中之任一方。此等 週邊驅動電路係與顯示部12之像素電晶體共同利用低溫多 晶石夕或CG (Continuous Grain ;連續粒界結晶）>?夕所製成。
在上述構成之液晶顯示裝置中，將低電壓振幅（例如0V-3.3V振幅）之R(紅）G(綠）B(藍）並行輸入之顯示資料Data，經 由輸入封包裝卸（PAD)部16，由基板外部被輸入至玻璃基板 11，並在資料處理電路13被位準移動（位準變換）成高電壓振 幅（例如0V-6.5V)。被位準移動之顯示資料Data係被供應至水 平驅動器14A、14B。
水平驅動器14A例如係呈現具有水平移位暫存器141、資 料抽樣鎖存部142、第2鎖存部143、位準移動器144及DA(數 位-類比）變換電路（DAC)145之數位驅動器構成。水平驅動 器14B也呈現完全與水平驅動器14A相同之構成。 水平移位暫存器141係回應定時脈衝產生器（未予圖示）所 供應之水平啟動脈衝HST而開始執行移位動作，並與該定 時脈衝產生器所供應之水平時鐘脈衝HCK同步地產生在1水 平期間依次轉送之抽樣脈衝。資料抽樣鎖存部142係與水平 移位暫存器141產生之抽樣脈衝同步地，在1水平期間依次 抽樣並鎖存由資料處理電路13供應之顯示資料Data。 此被鎖存之1線份之數位資料在水平消隱期間被移送至第 2鎖存部143。由第2鎖存部143，一齊輸出1線份之數位資料 84649 -23· 1225236 。此輸出之1線份之數位資料在位準移動器144被提升位準 後，被供應至DA變換電路145，於此被變換成類比顯示訊號 。由DA變換電路145被輸出之1線份之類比顯示訊號係被輸 出土對應於_示部12之水平方向像素數η而配線之資料線 25-1 〜25·ϋ 〇 垂直驅動器15係由垂直移位暫存器及閘緩衝器所構成。 在此垂直驅動器15中，垂直移位暫存器係回應定時脈衝產 生器（未予圖示）所供應之垂直啟動脈衝VST而開始執行移位 動作，並與該定時脈衝產生器所供應之垂直時鐘脈衝VCK 同步地產生在1垂直期間依次轉送之掃描脈衝。此產生之掃 描脈衝係通過閘緩衝器被依次輸出至對應於顯示部12之垂 直方向像素數m而配線之閘線24-1〜24_m。 當掃描脈衝利用此垂直驅動器15之垂直掃描，而被依次 輸出至閘線24-1〜24-m時，即可依照順序以列（線）為單位選 擇顯示部12之各像素。而，對此選擇之丨線份之像素，經由 資料線25-1〜25-n-齊寫入由DA變換電路145輸出之i線份之 類比顯示資料。利用重複施行此線單位之寫入動作，可施 行1畫面份之圖像顯示。 在上述構成^液晶顯示裝置中，在與顯示部12同一面板 (玻璃基板11)上’利用一體地搭載資料處理電路η、水平驅 動备14A、14B及垂直驅動器15等週邊驅動電路，即可構成 王驅動包路-體型顯示面板’由於不需要在外部設置別的 基板及1C電晶體電路，故可達成系統整體之小型化及低成 84649 -24- 1225236 在此驅動電路一體型液晶顯示裝置中，例如為了構成DA 變換電路145，可使用前述第1、第2實施形態或其應用例之 類比緩衝電路。 [第1適用例] 圖28係表示基準電壓選擇型DA變換電路之構成例之區塊 圖。在此，係施加例如R(紅）G(綠）B(藍）各6位元之數位資 料bRO〜bR5、bGO〜bG5、bBO〜bB5，以作為顯示資料Data。 在圖28中，由基準電壓產生電路31，對應於6位元之顯示 資料Data而產生64色調份之基準電壓V0〜V63。此等基準電 壓V0〜V63被施加至基準電壓選擇器32R、32G、32B。基準電 壓選擇器32R、32G、32B係對應於顯示部12之資料線25-1〜 25_n被設置，可由64色調份之基準電壓V0〜V63中選擇對應 於數位資料bRO〜bR5、bGO〜bG5、bBO〜bB5之基準電壓，並加 以輸出，以作為類比顯示資料。圖29係表示基準電壓選擇 器32R、32G、32B之構成之一例。 在基準電壓選擇器32R、32G、32B之輸出侧，即在與顯示 部12之資料線25-1〜25·η之間，設有緩衝電路33R、33G、33B 。設有緩衝電路33R、33G、33Β之理由如下：即，如果液晶 顯示裝置之畫面尺寸較大或解像度較高時，附在資料線25-1〜 25-η之寄生電容等之電容負載會加重。為了在決定之時間 將此電容負載充放電，要求有相對應之驅動能力，因此， 需要設置緩衝電路33R、33G、33Β。 在本適用例中，使用前述第1、第2實施形態或其應用例 之類比緩衝電路，作為此緩衝電路33R、33G、33Β。該類比 84649 -25 - 1225236 緩衝電路如前所述，由於偏移值極低而輸出電位差異較少 ’即使以TFT形成於玻璃基板11等絕緣基板上，也不會有任 何問題。 因此，即使將第1、第2實施形態或其應用例之類比緩衝 電路排列配置，以作為此緩衝電路33R、33G、33B，也可抑 制各緩衝電路間之偏移之誤差，故不會發生因該偏移之誤 差引起之縱線條，提高顯示品位（均勻性）。且由於可搭載 緩衝電路33R、33G、33B，可提高對資料線之電容 負載之驅動能力，故可實現大型而高解像度之驅動電路一 體型液晶顯示裝置。 占又，在施行VCOM反轉驅動之水平驅動器丨从、中，非 吊通合於使用第1、第2實施形態或其應用例之類比緩衝電 路。因為資料線25士心從耗電力之觀點，最好被預充電 至某種特定之色調位準（例如，在常白型液晶顯示裝置之情 /為白色位+，在常黑型液晶顯示裝置之情形為黑色位準 變=位準或黑色位準可對應於vc〇M反轉而呈現交流地 :’作為圖5或圖25之預充電電位cs，使用施加至訪 泉27之以電位（如前㈣，為可對應電位而交、 時’該㈣位為液晶未施 =白型液晶顯示裝置之情形為白色位準，在常 ==為25黑— 低耗電力 m即可，使用較少之驅動電流，故可^ 84649 -26- 1225236 本適用例之情形，圖5之開關S7及圖25之開關S29為預充 電開關。而’在第i、第2實施形態之應用例之類比緩衝電 路中，有關驅動各開關之通電/斷電之開關訊號、驅動電流 源之通電/斷電之控制訊號价〇加、Pc〇nt及驅動預充電開關之 通電/斷電之預充電訊號，均係利用定時脈衝產生器34(參 照圖28)產生。 / [第2適用例]
在基準電壓選擇型DA變換電路中，特別在顯示部12之水 平方向像素數增多時，相對應地，基準電壓選擇器、 32G、32B也會增加，同時，傳送基準電壓v〇〜V63之配線長 度也會變長，故如圖30所示，為了提高驅動能力，在基準 電壓產生電路31之後段設置緩衝電路35。在此，雖係以I 個區塊顯示緩衝電路35，但實際上，係對對應於各基準電 壓V0〜V63分別設置緩衝電路35。 而，在本適用例中，使用前述第丨、第2實施形態或其應 用例之類比緩衝電路作為此緩衝電路35。在第i適用例中，
緩衝電路33R、33G、33B係處理被基準電壓選擇器32R、32G 、32B選擇後之基準電壓V0〜V63;相對地，在本適用例中， 緩衝電路35係處理被基準電壓選擇器32R、32G、3迅選擇前 之基準電壓V0〜V63。 結果，由於處理相同之基準電壓ν〇〜ν63，故就第1、第2 實施形態或其應用例之類比緩衝電路之使用方法而言，與 第1適用例之情形相同，因此，基於與前述理由相同之理由 ，尤其以使用第1、第2實施形態或其應用例之類比緩衝電 84649 -27- 1225236 路之情形非常合適。 如此，使用第1、第2實施形態或其應用例之類比緩衝電 路，作為基準電壓產生電路31用之緩衝電路35時，由於該 類比緩衝電路之偏移值極低而輸出電位差異較少，故可抑 制基準電壓V0〜V63相互間之相對的電位差異。藉此，可利 用正確對應於數位資料bRO〜bR5、bGO〜bG5、bBO〜bB5之類比 顯示訊號位準施行顯示驅動，故可顯示更高畫質之圖像。 [第3適用例] 圖31係表示開關及電容器型DA變換電路之構成例之區塊 圖。在此，係施加例如R(紅）G(綠）B(藍）各6位元之數位資 料bRO〜bR5、bGO〜bG5、bBO〜bB5，以作為顯示資料Data。 在圖31中，對應著顯示部12之資料線25-1〜25-n而設置開 關及電容器型DA變換電路41R、41G、41B。開關及電容器型 DA變換電路41R、41G、41B基於與基準電壓選擇型DA變換 電路之情形同樣之理由，内建有緩衝電路。在本適用例中 ，使用前述第1、第2實施形態之類比緩衝電路，作為此緩 衝電路。 圖32係第3適用例之開關及電容器型DA變換電路之内部 構成之具體例之電路圖。在本具體例中，為了容易瞭解起 見，將開關及電容器型DA變換電路採用2位元之構成方式 ，而以將圖1之第1實施形態之N型缓衝型類比緩衝電路組 合於此2位元之開關及電容器型DA變換電路之情形為例加 以說明。 在圖32中，對應於圖1之電路加以觀察時，在最低有效位 84649 -28- 1225236 元（LSB)之輸入資料VinO側設有開關Sn2-0、Sn3-0、Sn4-0、 Sn5-0及電容器Cnl-O、Cn2-0構成之第1開關及電容器群，在 最高有效位元（MSB)之輸入資料Vinl側設有開關Sn2-1、Sn3-1 、Sn4-1、Sn5-1及電容器Cnl-1、Cn2-1構成之第2開關及電容 器群。另外，為配合數目，設有連接於固定電位Vinl (初始 電位）之開關 Snl-i、Sn2_i、Sn3-i、Sn4-i、Sn5_i及電容器Cnl-i 、Cn2-i構成之第3開關及電容器群。緩衝器部分之NMOS電 晶體Qnl及電流源Ini、其輸出部之開關Sn6、Sn7均與圖1之 情形相同。 在上述構成之内建緩衝器之開關及電容器型DA變換電路 中，將第3開關及電容器群之電容器Cnl-i、Cn2-i之電容值 與第1開關及電容器群之電容器Cnl-0、Cn2-0之電容值設定 於相同值，相對地，將第2開關及電容器群之電容器Cnl-1 、Cn2-1之電容值設定於1/2。又，輸入資料VinO、Vinl為 1 (“Η”位準）/0(“L”位準）之2值資料，故可利用其輸入施行開 關動作。其結果，可對應於輸入資料VinO、Vinl之各電位之 差分輸出類比電壓。由於開關及電容器型DA變換電路之動 作為一般所週知，故在此省略其說明。 又，緩衝電路部分具有偏移消除機能，其電路動作與第1 實施形態之N型緩衝型類比緩衝電路之情形相同，其時間 圖如圖33所示。有關驅動各開關之通電/斷電之開關訊號、 驅動電流源之通電/斷電之控制訊號Ncont、Pcont及驅動預充 電開關之通電/斷電之預充電訊號，均係利用定時脈衝產生 器42產生。 84649 •29- 1225236 利用此偏移消除動作，可降低偏移值，減少輸出電位誤 差，因此，將第1實施形態之N型緩衝型類比緩衝電路組合 於開關及電容器型DA變換電路時，可發揮與第1適用例之 情形同樣之作用效果。加之，由圖32之電路構成可知，也 具有可將相當於圖1之電容器Cn2之電容器Cn2-0、Cn2-1兼用 作為開關及電容器之優點。 又，在本適用例中，雖係以將第1實施形態之N型緩衝型 類比緩衝電路組合於開關及電容器型D A變換電路之情形為 例加以說明，但對於第1實施形態之P型緩衝型類比緩衝電 路、第1實施形態之應用例之類比緩衝電路，甚至於第2實 施形態或其應用例之類比緩衝電路，也均可組合使用。 [第3適用例之應用例] 圖34係表示第3適用例之應用例之基準電壓選擇型DA變 換電路之構成例之區塊圖。本應用例之基準電壓選擇型DA 變換電路係基準電壓選擇器與開關及電容器之併用型DA變 換電路。在此，係施加例如RGB各6位元之數位資料bRO〜 bR5、bGO〜bG5、bBO〜bB5，以作為顯示資料Data。 基準電壓產生電路51係對6位元之數位資料bRO〜bR5、 bGO〜bG5、bBO〜bB5，並非產生64色調份之基準電壓，而係 產生比其更粗之9色調份之基準電壓V0〜V8。此被供應至基 準電壓選擇器52R、52G、52B。基準電壓選擇器52R、52G、 52B係對6位元之數位資料bRO〜bR5、bGO〜bG5、bBO〜bB5中， 例如最高有效之3位元份之資料bR3〜bR5、bG3〜bG5、bB3〜 bB5,選擇基準電壓V0〜V8中接近之2個基準電壓加以輸出。 84649 -30- 1225236 此選擇之2個基準電壓係與6位元之數位資料bRO〜bR5、 bGO〜bG5、bBO〜bB5中，最低有效之3位元份之數位資料bRO〜 bR2、bGO〜bG2、bBO〜bB2共同地被輸入至開關及電容器型DA 變換電路53R、53G、53B。開關及電容器型DA變換電路53R 、53G、53B在其輸入段具有在2個基準電壓中，產生具有對 應於最低有效之3位元份之數位資料bRO〜bR2、bGO〜bG2、 bBO〜bB2之位準之3位元之資料VinO、Vin卜Vin2之電路部分。
而，此產生之3位元之資料VinO、Vinl、Vin2係被供應至本 來之開關及電容器型DA變換部分。圖32之電路係表示將第 1實施形態之N型緩衝型類比緩衝電路組合於此開關及電容 器型DA變換部分時之基本電路。但，圖32之電路係對應於 2位元之資料VinO、Vinl，對應於3位元之資料時，需另外追 加一個電容器及開關部分。
如此，即使在基準電壓選擇器與開關及電容器之併用型 DA變換電路中，也可將第1、第2實施形態或其應用例之類 比緩衝電路組合於該開關及電容器型DA變換電路53R、53G 、53B。 又，在以上所說明之各適用例中，作為顯示元件，雖係 以適用於使用液晶單元之液晶顯示裝置之情形為例加以說 明，但並非限定於此適用例，也可適用於例如使用EL (electroluminescence ;電致發光）元件作為顯示元件之EL顯示裝 置等將類比緩衝電路搭載於與顯示部同一基板上所構成之 全部之顯示裝置。 上述適用例之液晶顯示裝置所代表之顯示裝置適合於使 84649 -31 - 1225236 用作為行動電話機及PDA (Personal Digital Assistants ;個人數位 助理）所代表之小型•輕量之攜帶式終端之畫面顯示部。 圖35係表示本發明之攜帶式終端，例如PDA之構成之概 略之外觀圖。 本例之PDA例如係採用將蓋體62設成可對裝置本體61開 1自如之摺璺式之構成方式。在裝置本體61之上面配置有 配汉鍵釦等各種按鍵之操作部63。另一方面，在蓋體62配 置^畫面顯示部64。作為此畫面顯示部64，使用將前述第i ^ 第3適用例之da變換電路搭載於與顯示部同一基板 上所構成之液晶顯示裝置。 义在捻載此等適用例之〇八變換電路之液晶顯示裝置中，^ 則=逑，可容易地實現驅動電路一體型，謀求畫面尺寸^ 土化、回解像度化及高畫質化，並可達成低耗電化。β 二載忒液w顯示裝置作為畫面顯示部料， PDA整體乏播士士 了 J間4 :炙構成，有助於畫面尺寸之大型化、高解像度十 ，也：：貝化、’ f可利用畫面顯示部64之低耗電化，謀求1 /私源又可連續使用時間之延長。 ^在此’雖係以適料PDA之情形為例加以說明， = 本發明之液晶顯示裝置尤其可^ ’寺王般之小型.輕量之攜帶式終端。 ::上所說明’依據本發明，由於可分多數 :出^偏移檢測，施行最終偏移電壓充分地小，且= 二=除，故可實現偏移值極低而輸出電位差異少i 類比緩衝電路。 夕又 84649 -32- 【圖式簡單說明】 比緩衝 路之動 圖1係表示本發明之第1實施形態之N型緩衝型％ %路之構成例之電路圖。 , 圖2係祝明第1實施形態之N型緩衝型類比緩衝雨 作之時間圖。 包 類比緩衝 ㊉圖3係表示本發明之第1實施形態之p型緩衝型 電路之構成例之電路圖。 圖4係說明第i實施形態之p型緩衝型類比緩衝 作之時間圖。 圖5係表不第1實施形態之應用例之類比緩衝電路之構 例之電路圖。 、圖6係說明第1實施形態之應用例之類比緩衝電路之動作 之時間圖。 圖7係第1實施形態之應用例之類比緩衝電路之Ν型源極 輪出器之動作說明圖（其一）。 圖8係第1實施形態之應用例之類比緩衝電路型源極 輸出器之動作說明圖（其二）。 一 係第1 5施开;^悲之應用例之類比緩衝電路之Ν型源極 輸出器之動作說明圖（其三）。 圖10係第1 @訑形態之應用例之類比緩衝電路刑 輸出器之動作說明圖(其四卜 土純 圖11係第1實施形態之應用例之類比緩衝電路之ρ型源極 輸出器之動作說明圖（其一）。 圖12係第1貫施形態之應用例之類比緩衝電路之ρ型源極 84649 •33· 輸出器之動作說明圖(其二)。
圖13係第1每、A ^ 焉她形態之應用例之類比緩衝電路之p型源極 輸出器之動作說明圖（其三）。 圖14係笫1余、λ· Μ 爲她形態之應用例之類比緩衝電路之ρ型源極 輪出器之動作說明圖（其四）。 圖15係Ν型源極輸出器用之電流源之電路例之電路圖。 圖16係Ρ型源極輸出器用之電流源之電路例之電路圖。 ° #、示本發明之第2實施形態之Ν型緩衝型類比緩衝 電路之構成例之電路圖。 圖18係說明第2實施形態之Ν型緩衝型類比緩衝電路之動 作之時間圖。 圖19係第2實施形態之應用例之類比緩衝電路之Ν型源極 輪出器之動作說明圖（其一）。 圖20係第2實施形態之應用例之類比緩衝電路之ν型源極 輪出器之動作說明圖（其二）。 圖21係第2貫施形態之應用例之類比緩衝電路之ν型源極 輪出器之動作說明圖（其三）。 圖22係第2〶施形怨之應用例之類比緩衝電路之ν型源極 輪出器之動作說明圖（其四）。 圖23係第2貫施形怨之應用例之類比緩衝電路之ν型源極 輪出器之動作說明圖（其五）。 、圖24係本發明之第2實施形態之？型缓衝型類比緩衝電路 之構成例之電路圖。 圖25係表示第2實施形態之應用例之類比缓衝電路之構成 84649 -34- 1225236 例之電路圖。 圖26係表不本發明之驅動電路一體型液晶顯裝置之構 成例之區塊圖。 圖27係表示顯示部之像素之構成之一例之電路圖。 圖28係表示本發明之第1適用例之基準電壓選擇型DA變 換電路之構成例之區塊圖。 圖29係表示基準電壓選擇器之構成例之電路圖。 圖30係表示本發明之第2適用例之基準電壓選擇型DA變 換電路之構成例之區塊圖。 圖31係表示本發明之第3適用例之開關及電容器型DA變 換電路之構成例之區塊圖。 圖32係第3適用例之開關及電容器型DA變換電路之内部 構成之具體例之電路圖。 圖33係說明第3適用例之開關及電容器型DA變換電路之 動作之時間圖。 圖34係表示本發明之第3適用例之基準電壓選擇型DA變 換電路之構成例之區塊圖。 圖35係表示本發明之PDA之構成之概略之外觀圖。 【圖式代表符號說明】
Qnl，Qnll〜Qnl3, Qn21 NMOS電晶體 11 玻璃基板 12 顯示部（像素部） 13 資料處理電路 15 垂直驅動器 84649 -35 - 1225236 16 20 21 22 23 24 25 26 27 31 35 61 62 63 64 141 142 143 144 OUT1，OUT21，OUTpl，OUTp21， OUTn21
14A，14B 24- 1 〜24-m 25- 1 〜25-n 84649 36- 封包裝卸（PAD)部 像素 TFT 液晶單元 保持電容 閘線 資料線（訊號線） VCOM 線 CS線 基準電壓產生電路 緩衝電路 裝置本體 蓋體 操作部 畫面顯示邵 移位暫存器 移位暫存器 第2鎖存部 位準移動器 電路輸出端子 水平驅動器 閘線 資料線 1225236
32R，32G，32B，52R，52G，52B 33R，33G，33B 34, 42 41R，41Q 41B 基準電壓選擇器 緩衝電路 定時脈衝產生器 電容器型D A變換電路 53R，53G，53B，145 DA變換電路 bRO〜bR5, bGO〜bG5, bBO〜bB5 bR3 〜bR5, bG3 〜bG5, bB3 〜bB5， bRO 〜bR2, bGO 〜b<32, bBO 〜Bb2， VinO, Vinl，Vin2 Cnl，Cn2, Cn21 〜Οη23，αι1-0, Cn2-0, Cnl-1，Cn2_l，Cnl-i，Cn2_i，Cpl， Cp2, Cp21，Cp23cscs data HCK HST Inl，In21，Ipl，Ip21 IN21，INnl，INn21，INpl，INp21， OUTnl 數位資料 資料 電容器 交流電位 預充電電位 顯示資料 水平時鐘脈衝 水平啟動脈衝 電流源 電路輸入端子 垂直方向像素數
Ncont/Pcont NSF 控制信號 N型源極輸出器 84649 -37 1225236
PSF PSIG，Vinl
Qpl，Qpl2, Qpl3, Qp21 S7，S29, Snl 〜Sn7, Snl-i，Sn2-i，Sn3-i，
Sn4-i，Sn5-i，Sn2-0, Sn3-0, Sn4-0，
Sn5-0, Sn2-1，Sn3-1，Sn4-1，Sn5-1，
Sn21 〜Sn29, Spl 〜Sp7, Sp21 〜Sp29 VO 〜V63
VCK
VCOM
VDD，VSS
Vds
Vgs
Vin
VinO, Vinl VosA 〜VosD VST Vth 84649 -38 - P型源極輸出器 固定電位 iPMOS電晶體 開關 基準電壓 垂直時鐘脈衝 常用電壓 電源 汲極-源極 閘極-源極 輸入訊號 輸入資料 偏移電壓 垂直啟動脈衝 臨限值

Claims (1)

1225236 拾、申請專利範圍： L 一種類比缓衝電路，其特徵在於包含： 2. 源極輸出器手段’其係驅動輸出負載者；及 偏私消除手段’其係分多數次施行前述源極 奴<偏移檢測，並依序消除其檢測之偏移者。^出备手 3· 如申請專利範圍第1項之類比緩衝電路，並 體形成於絕緣基板上所構成者。 ’、溥膜電晶 二專利範圍第i項之類比緩衝電路，其中前述源極輸 出咨手段係包含NM(DS電晶體構成以 4. 2 PMOS電晶體構成之第2源極輸出器手段，依昭預充命 ，述輸出負載之預充電電位之極性，使前述第丨源極輸: 咨手段與前述第2源極輸出器手段成為有效狀態者。 如申請專利範圍第1項之類比緩衝電路，其中前述源極輸 出器手段係包含電流源，其係包含依照控制訊號之極性 而成為導通狀態/非導通狀態之第丨M〇s電晶體、串聯連 接方；源極輸出器之MOS電晶體之第2 MOS電晶體、及串聯 連接於前述第1 MOS電晶體，且與前述第2 M〇s電晶體共 同形成電流反射鏡電路之第3 MOS電晶體者。 5· 一種顯示裝置，其特徵在於包含·· 顯示邵，其係在透明絕緣基板上將像素配置成矩陣狀 所構成者；與 DA變換電路，其係與前述顯示部共同搭載於前述透明 絕緣基板上，將數位顯示訊號變換成類比顯示訊號而施 加至前述顯示部之資料線者； 84649 1225236 則逑DA變換電路係包含類比緩衝電路，其係包含： :桎輻出器手段，其係驅動前述資料線者；及 哭手^偏移/肖除手段，其係分多數次施行前述源極輸出 :又<偏移檢測’並依序消除其檢測之偏移者。 如申請專利範圍第5項乏甚 # ^ 路#、； t 不衣置，其中前述類比緩衝電 各係以溥膜電晶體形成者。 7· 如申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中 在則迷像素含有液晶單元所構成之液 包含 n τ 將液晶未施加電壓時之 至前述資料線之手段； 色調位準之預充電電位預充電 器手段係包含胸〇8電晶體構成之約源 極輸出器手段與麵電晶體構成之第2源極輸出器手段 前述預充電電位之極性，使前述第1祕輸出器手 &與前述第2源極輸出器手段成為有效狀態者。 8. 如申請專利範圍第5項之顯示裳置，其中前述da變換電 路係基準電壓選擇型DAt換電路，其係包含產生對應於 色調數之多數基準電壓之基準電壓產生電路、由前述多 數基準電壓中選擇並輸出對應於數位顯示訊號之基準電 壓《基準電壓選擇器，且將前述類比緩衝電路配置於前 述基準電壓選擇器之輸出侧所構成者。 9. 如申請專利IS圍第5項之顯示裝置，其中前述da變換電 路係基準電壓選擇型既變換電路，其係包含產生對應於 色調數之多數基準電壓之基準電壓產生電路、由前述多 84649 1225236 ί基^壓中選擇並輸㈣應於數位顯示《之基準電 =二電壓選擇器’且將前述類比缓衝電路配置於前 以基η壓產生電路之輸出側所構成者。 ::叫專利乾園第5項之顯示裝置，其中前述以變換電 與電容器所組合而成之開關及電容器型DA變換 且將前《比緩衝電路配置於其輸㈣所構成者。 t申請專利第1G項之顯示裝置，其中在前述開關及 琶容器型DA變換電路中，將其DA變換部之電容器與前述 類比缓衝電路之電容器兼用者。 12·如申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中前述da變換電 路係基準電壓選擇，關及電容器❹型DA變換電路，A 係包含基準電壓產生電路’其係產生對應於色調數之多 數基準電壓者；基準電壓選擇器，其係由前述多數基準 電壓中選擇錢出對應於數位顯示訊號之最高有效側位 兀之2個接近之基準電壓者；及開關及電容器電路，並係 利用前述基準電壓選擇器選擇之前述2個接近之基準電壓 :產生並輸出對應於前述數位顯示訊號之最低有效側位 元之類比顯示訊號者；且將前述類比緩衝電路配置於前 述開關及電容器電路之輸出段所構成者。 、 13·—種攜帶式終端，其特徵在於作為畫面顯示部搭載下 顯示裝置，其係包含： 顯示部，其係在透明絕緣基板上將像素配置成矩陣狀 所構成者，與 DA變換以各，其係、與前述顯示部共同搭載於前述透明 84649 1225236 絶緣基板上’將數位顯示訊號變換成類比顯示訊號而施 力口至前述顯示部之資料線者； 別现變換電路係包含 、 _ 1 w六’卬巴I 源極輸it?為手段，其係驅動前述資料線者 偏移消除手段，其係分多赵、A、A / , 段> Μ 〃 數〆人她伃前述源極輪+ 口口本 偏移檢測，並依料除其檢測之偏移者。出态手 84649
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