JP4047586B2 - 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置、特に、横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜電界効果型トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、ＴＦＴと記す）を画素のスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置（以下、ＡＭＬＣＤと記す）は高品位の画質を有し、携帯型コンピュータの表示デバイスあるいは最近では省スペースのデスクトップコンピュータのモニターとして幅広く用いられている。ＡＭＬＣＤの種類には大きく区分して、配向した液晶分子の分子軸の方向（「ディレクタ」と呼ばれる）を基板に対して直交する面内において回転させ、表示を行う形式のものと、基板に対して平行な面内において回転させ、表示を行う形式のものがある。前者の代表例がＴＮ（Twisted Nematic ：ねじれネマティック）モードの液晶表示装置であり、後者はＩＰＳ（In-Plane Switching）モード（横電界方式）の液晶表示装置と呼ばれる。ＩＰＳモードの液晶表示装置は、基本的には視点を動かしても液晶分子の短軸方向のみを見ていることになるため、液晶分子の「立ち方」の視野角に対する依存性がなく、ＴＮモードの液晶表示装置よりも広い視野角を達成することができる。このため、ＩＰＳモードのＬＣＤは、大型用途に用いられることが多い。
【０００３】
一方で、従来のＩＰＳモードのＬＣＤは、液晶を挟持する２枚の透明基板のいずれか一方に、走査線及びデータ線のいずれかからなる不透明材料からなる液晶を駆動するための電極が形成されるため、これら電極によって開口率が低くなり、これに伴い透過率が低いといった問題点を有している。そのため、透過率向上検討がなされてきた。高開口率化の手法の一つとして、特許第３１２３２７３号公報に開示された技術がある（以下、従来例１と呼ぶ）。従来例１においては、「信号配線の液晶層に面する部分の一部が絶縁物を介して導電体で覆われており、前記導電体が、前記液晶に対して主として基板面に平行な電界を印加する電極の一方であるソース電極あるいは共通電極と電気的に接続されている」ことが特徴である。このようにすることにより、共通電極で信号線の電界を遮蔽することができ、画素の有効表示領域を広げることができるので、画素の開口率ひいては光利用効率を高めることができる。また、特開平９−７３１０１号公報において開示されている技術として、液晶を駆動する電極を透明材料化することで、光利用効率をさらに高めることができるとしている。
【０００４】
ところで、ＡＭＬＣＤの場合、その動作モードに関わらず、ＴＦＴを介して誘電体である液晶に所望の電荷を書きこみ、書きこまれた電荷から生ずる電界によって、液晶配向を制御することで、外部光の透過強度を制御して表示動作させることが基本原理である。ＴＦＴを介して書きこまれた電荷は、次のタイミングで新たな電荷を書きこむまで（１フレーム内）は、書きこまれた電荷（すなわち電界）を保持することが理想であるが、液晶は誘電率異方性を有するため、電界に応じて液晶が回転し、ＴＦＴを介して書きこまれた電荷による電界の低下が発生する（以下、誘電緩和と呼ぶ）。この誘電緩和による電界低減は、液晶容量に対してある比率を有する蓄積容量を形成することで、ＴＦＴがオン状態になったときに書きこむ電荷量を増大させ、誘電緩和が発生しても蓄積容量に書きこんだ電荷を液晶容量に分散させることで抑制している。
【０００５】
また、蓄積容量を設けることも考えられており、この蓄積容量は、ＴＦＴのゲートスイッチがオン状態からオフ状態に変化した際に発生する画素電圧低下（一般に、フィードスルー量△Ｖｐと称する）抑制に対しても効果的があることから、フリッカ対策としても取り入れられている。このフィードスルーが発生する原因は、ＴＦＴのゲート・ソース間の寄生容量Ｃｇｓであり、ゲートパルスがオンになったときに液晶容量Ｃｌｃ、蓄積容量Ｃｓｃに充電された各電荷が、ゲートパルスがオフになった瞬間に各々の容量に再分配されることに起因する。横方向電界駆動方式は、ＴＮ方式におけるカラーフィルター形成基板上の透明電極が存在しないため、ピクセル電極とコモン電極により発生した電気力線は色層内部を通過する。すなわち、横方向駆動方式におけるフィードスルー△Ｖｐは、色層容量Ｃｃｏｌｏｒの関数にもなる。フィードスルー量ΔＶｐは次式で表される。
△Ｖｐ＝ Ｃgs／（Ｃgs＋Ｃsc＋Ｃlc＋Ｃcolor ）×（Ｖｇon−Ｖｇoff ）
以上から、ＩＰＳモードのＬＣＤにおいても、蓄積容量Ｃｓｃを大きくすることはＡＭ−ＬＣＤ動作の上で必要である。
【０００６】
一方で、ＩＰＳモードのＬＣＤにおける蓄積容量の付与は、固定電位の金属膜と画素電極との間に層間絶縁膜を挟んで形成するが、一般に蓄積容量は２つの手法で形成される。一つはコモンストレージ法であり、他方はゲートストレージ法である。後者は、前段の走査線と画素電極との間に蓄積容量を形成することを指すが、走査線と画素電極間の蓄積容量が走査線信号への負荷になることによって、ゲート線信号が信号遅延を引き起こし、パネル面内におけるパネル透過率バラツキとなりやすいため、一般に大型ＬＣＤにおいてはコモンストレージが好んで使用される。コモンストレージ法は、共通電極と画素電極との間に蓄積容量を形成手法であるが、ＩＰＳモードのＬＣＤの場合、必然的に単位画素内に櫛歯状共通電極が配置されることから、共通電極に対する蓄積容量付与をしやすいこと、また走査線に対する負荷がないので走査線信号遅延も起こりにくいことから、一般に大型ＬＣＤにおいてはコモンストレージが好んで使用される。
【０００７】
ここでＬＣＤに形成される共通電極配線とデータ線は、大型ＬＣＤの場合に関しては、以下の理由により不透明材料から構成される。共通電極配線は共通電極電位遅延を防止するために、例えばクロム、チタン、モリブデン、タングステン、アルミなどの単層や、これらの金属の積層構造といった低抵抗配線材料を用いる必要がある。これらの配線材料は不透明材料であるため、共通電極配線が占める面積は開口部として機能せず、光透過に寄与しない。また、ＴＦＴの製造工程数の増加を避けて、走査線と同一工程・同一材料にて共通電極配線を形成する場合、走査線及び共通電極配線の配線抵抗を下げる目的及びＴＦＴのバックチャネルを外光から保護する目的で、低抵抗かつ不透明の配線材料を使用する必要がある。この場合も共通電極配線が占める面積は開口部として機能せず、光透過に寄与しない。さらに、データ線についても走査線と同様に、配線抵抗を低減する目的で、低抵抗かつ不透明の配線材料を使用する必要がある。
【０００８】
また、別な問題として、データ線信号による電界を開口部の液晶に与えないようにするために、データ線を覆うように共通電極を形成すると、データ線と共通電極との間の寄生容量が大きくなり、データ線信号遅延が生じ易くなる。データ線信号遅延を防止するには、データ線と共通電極との間の寄生容量を小さくする必要があるが、そのためデータ線とデータ線をシールドする共通電極間に、低誘電率の層間膜を形成するか、高誘電率の層間膜を厚く形成することにより、達成できる。そのため、ＬＣＤの表示を安定させるための十分大きな蓄積容量は、データ線層とデータ線をシールドする共通電極層との間において形成することはできず、共通電極配線層とデータ線層との間に蓄積容量を形成する必要があった。この場合、蓄積容量を増大させるには、共通電極配線層とデータ線層との間の層間膜を薄膜化することも一つの手段であるが、配線同士の電気的短絡による歩留まり低下の確率が増大すること、ＴＦＴのスイッチ特性に影響を与えるというデメリットがあるため、ＴＦＴアレイとしては、走査線を挟んで２本の共通電極配線を形成して蓄積容量面積を大きくすることが最も効果的である。
【０００９】
さらに別な問題として、ＩＰＳ−ＬＣＤにおいては、図２２に示すように、共通電極と画素電極に囲まれた縦長の領域をコラムと称するが、コラム終端においては、液晶に印加される電界方向は複雑になるため、所望の方向に回転する液晶領域と、所望の方向とは逆方向に回転する液晶領域の２つ液晶領域が形成される現象が生じやすい。また、所望の方向とは逆方向に回転する液晶領域は、正常に回転する液晶領域と比較して、強電界を印加しないと液晶が回転しないため、この逆方向に回転する液晶領域が発生している面積分はパネル透過率にあまり寄与できず、パネル透過率を下げてしまうという問題点があった。さらに、上記２つの領域の境界は電界強度に依存なく液晶は殆ど回転しないため、領域境界は単位画素内に発生する割合だけ、パネル透過率を低下させてしまっていたため、高透過率を有するＩＰＳモードのＬＣＤにおいては、単位画素内において所望の方向とは逆方向に回転する液晶領域を形成しない工夫が必要であった。
【００１０】
この液晶回転領域発生を防止する技術が特許第２９７３９３４号公報（以下、従来例３と呼ぶ）において開示されている。この従来例３で記載されている技術は、液晶を駆動するための電極（すなわち画素電極と共通電極）を張り出す／引っ込める凹凸構造とすることで、液晶に印加する電界を制御するものである。
【００１１】
このように、コラム終端での複雑な電界方向を規定するため、及び走査線電位をシールドするため、走査線を共通電極配線で挟む（すなわち単位素子当たりに２本の共通電極配線を形成する）ことは、走査線信号の漏れ電界による液晶の配向乱れ及び液晶の逆回転を防止し、ＬＣＤとしての信頼性を向上させるために必要であった。このようなことから、共通電極配線を単位画素当たりに２本形成することで、ＬＣＤの表示を安定化する蓄積容量も単位画素当たりに少なくとも２ヶ所に形成することができるようにし、さらなる大きな蓄積容量をとることができる。ここで、単位画素内において蓄積容量が２箇所以上に分離されると、それぞれの部位が蓄積容量として機能するためには、蓄積容量のデータ線と同層の画素電位膜を共通配線に対して形成し、これらの画素電位膜をＴＦＴを介して入力される画素電位と等電位とする必要があった。
【００１２】
このような２箇所の蓄積容量を構成する画素電位膜を相互に電気接続して所定の電位に接続するために両画素電位膜を導電層の一部を利用して相互に接続する構成を採用すると、次のような問題が生じることが判明した。
【００１３】
第１は、２箇所の蓄積容量を構成する画素電位膜を相互に接続する電位膜がデータ線と同層の金属膜で形成され、この金属膜と画素電極が液晶セルのセル厚方向に重畳されると、これらが重畳されている領域においては、画素電極上の液晶が電界により回転しても、その部分はパネル透過率に寄与できないため、全体としてのパネル透過率が低下するという問題点があった。
【００１４】
第２は、液晶に印加する横電界は画素電極と画素電位膜が積層している領域においては、２つの画素電位膜をつなぐ金属膜と画素電極が異なる層から形成されるため、それぞれをパターン化する際の層間の重ねずれが生じた場合に、画素電極電位となっている面積が増加し、実効的な開口率を低下させ、透過率が下がるという問題点があった。
【００１５】
第３は、２つの画素電位膜をつなぐ金属膜が画素電極の下層に配置された櫛歯電極間においては、電界が局所的に強くなり、単位素子内で電界強度がばらつくことで、全白表示をした際の輝度が低下するという問題点があった。
【００１６】
その他、透明材料で構成される画素電極及び共通電極の電極形状は、エッチングをする際に、下地金属（走査線層及びデータ線層）の段差により、局所的な電極断線が生じ、電極パターンに断線が生じることで、部分的に液晶に横電界が印加されない表示不良が発生することといった歩留まりを低下させる原因となっていた。
【００１７】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、更なる高透過率を有するＩＰＳ型液晶表示装置を製造し、かつその製造歩留まりを向上させることを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、画素電極と共通電極の間に印加される能動素子基板の表面に略平行な電界により液晶層の分子軸を能動素子基板に平行な面内において回転させることにより表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、１つの画素内に不透明材料からなる共通電極配線が独立して２本配置され、１本の共通電極配線は自段の走査線に隣接して配置され、他方の共通電極配線は前段の走査線に隣接して配置されており、各共通電極配線上にデータ線と同一層の画素電位膜が層間膜を挟んで重畳されて表示状態を安定化させるための蓄積容量が形成されており、単位画素当たりにそれぞれ形成されて前段の走査線近傍の共通電極配線に重畳される画素電位膜と自段の走査線近傍の共通電極配線に重畳される画素電位膜は、透明電極からなる画素電極により相互に接続されていることを特徴とする。
【００１９】
ここで、データ線と共通電極との層間に形成される層間絶縁膜が無機膜単層であることが好ましい。また、能動素子基板と液晶層を介して対向配置される対向基板には、単位画素に対応する色層が形成されており、あるいは形成されていない構成とする。
【００２０】
また、本発明は、画素電極と共通電極の間に印加される能動素子基板の表面に略平行な電界により液晶層の分子軸を能動素子基板に平行な面内において回転させることにより表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、１つの画素内に不透明材料からなる共通電極配線が独立して２本配置され、１本の共通電極配線は自段の走査線に隣接して配置され、他方の共通電極配線は前段の走査線に隣接して配置されており、各共通電極配線上にデータ線と同一層の画素電位膜が層間膜を挟んで重畳されて表示状態を安定化させるための蓄積容量が形成されており、単位画素当たりにそれぞれ形成されて前段の走査線近傍の共通電極配線に重畳される画素電位膜と自段の走査線近傍の共通電極配線に重畳される画素電位膜は、液晶層から最も遠い導電層で形成された接続電極により相互に接続されていることを特徴とする。
【００２１】
ここで、接続電極は共通電極配線及び走査線と同一層に形成される。あるいは、共通電極配線と走査線は異なる層に形成されており、接続電極は共通電極配線と同一層に形成される。
【００２２】
さらに、本発明は前記本発明の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、共通電極及び画素電極はそれぞれ透明電極から成り、データ線より液晶層に近い層上に形成されており、走査線近傍を除いてデータ線は絶縁膜を挟んで共通電極によって完全に覆われており、共通電極は各々の画素ごとにコンタクトホールを介して共通電極配線に接続されており、データ線が共通電極によって完全に覆われた領域においては、データ線に対向する位置の対向基板に配されたブラックマトリクスの幅はデータ線を覆うように形成された共通電極の幅よりも小さい幅を有するように形成されており、データ線を覆う共通電極と、これに隣接する画素電極の間には平面上において遮光膜が存在しないように形成されていることが好ましい。
【００２３】
本発明によれば、特定の櫛歯間隔の液晶のみ強電界が印加されることによる白輝度低下を防止でき、高透過率を有する横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を製造することができる。
【００２４】
なお、本発明においては次の形態とすることが好ましい。すなわち、画素電極と共通電極は同一層に形成される。あるいは画素電極と共通電極は、絶縁膜を介して異なる層に形成される。異なる層に形成することにより、液晶表示装置の製造に関して製造プロセスは増加するが、画素電極と共通電極の配置に関する自由度が上がり、更なる高透過率を有する横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を製造することができる。
【００２５】
また、画素電極と共通電極は、共通電極が前記液晶層に配向膜を介して接する構成とすることにより、データ線とデータ線をシールドする共通電極との間の寄生容量を小さくでき、データ線信号遅延を防止できるため、高開口率でかつ更なる表示均一化を有する横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を製造することができる。
【００２６】
さらに、共通電極は、走査線、データ線、共通電極配線の少なくとも一つに電気信号を入力する配線端子部を構成する導電材料と同一層に形成することにより、液晶表示装置の製造に関してプロセス増加無しに高透過率を有する横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を製造することができる。
【００２７】
さらに、画素電極と共通電極は、少なくとも下地の共通電極配線及びデータ線に乗り上げるもしくは乗り越える領域においては局所的に電極幅が太い構成とすることにより、透明電極の局所的な断線を防止できるため、高透過率でかつ製造歩留まりの高い横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を製造することができる。
【００２８】
また、画素電極と共通電極の材料を、ＩＴＯもしくはＩＺＯとすることにより、配向膜を介して液晶駆動電極が液晶と接しても電気化学的に安定な材料を用いることができるため、画素電極と共通電極が透明となり、液晶を駆動する櫛歯電極の上層に位置する液晶を電界制御することで、高透過率を有する横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を製造することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
次に、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１〜図４に本発明の第１の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を示す。図１は液晶表示装置１を構成する能動素子基板の平面図、図２は図１のＦ−Ｆ’線における箇所の液晶表示装置１１１の断面図である。これらの図において、液晶表示装置１は、能動素子基板１１と、対向基板１２と、前記能動素子基板１１と対向基板１２との間に挟まれた状態で保持されている液晶層１３を備えている。また、前記能動素子基板１１と対向基板１２の各外側面にはそれぞれ偏光板１４，２１を備えている。なお、本明細書では、前記能動素子基板１１及び対向基板１２において、液晶層１３により近い層を上側、液晶層１３からより遠い層を下側と称することにする。
【００３０】
前記対向基板１２は、ガラス等の透明な絶縁性基板からなる第２の透明基板１６の上面に複数の画素領域を区画するための遮光膜としてのブラックマトリクス１７と、各画素領域に形成されるとともに、周辺部において前記ブラックマトリクス１７に重なりあっている色層１８と、前記ブラックマトリクス１７と色層１８の上に形成された透明なオーバーコート層からなる平坦化膜１９から形成されている。前記色層１８は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の染料または顔料を含む樹脂膜からなっている。また、液晶表示パネル表面からの接触等による帯電が液晶層１３へ電気的な影響を与えることを防止するために、前記第２の透明基板１６の下面には、透明な導電層１５が形成されている。
【００３１】
前記能動素子基板１１は、同様な透明絶縁性基板からなる第１の透明基板２２上に、第１の金属層により形成される走査線２８、ゲート電極３０ｃ及び共通電極配線２６ａ，２６ｂと、その上層に形成された第１の層間絶縁膜２３と、前記第１の層間絶縁膜２３の上層の前記ゲート電極を覆う領域に形成された島状の非晶質（アモルファス）シリコン膜４１と、第２の金属層により形成されるデータ線２４、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor) ３０のソース電極３０ｂ、及びドレイン電極３０ａと、この上に形成されて第２の層間絶縁膜２５を構成する第１の絶縁膜２５ａ及び第２の絶縁膜２５ｂと、その上に透明電極材料により形成された共通電極２６及び画素電極２７とを有する。
【００３２】
さらに、前記能動素子基板１１と対向基板１２とは、それぞれの上面に配向膜３１、配向膜２０を配し、図１に示すように画素電極２７および共通電極２６の延伸方向から、１０乃至３０°程度の角度を傾けた所定の方向に液晶層１３がホモジニアス配向するようにラビング処理がなされた後に、相互に対向配置される。この角度を液晶分子の初期配向方位と言う。そして、前記能動素子基板１１と対向基板１２とは、液晶層１３の厚みを保持するためのスペーサー（図示せず）によって前記配向膜３１，２０を所要間隙で対向した状態で、しかも周囲をシール（図示せず）で囲った状態で貼り合わされており、この囲まれた間隙内に液晶が密封状態に充填されて前記液晶層１３が形成されている。
【００３３】
次に、前記能動素子基板１１の構成について詳細に説明する。図３（ａ）は前記第１及び第２の金属層まで形成した時点での平面図、図３（ｂ）は透明電極材料の層の平面図である。また、図４は図１のＡ−Ａ’線〜Ｅ−Ｅ’線の各断面図であり、前記ＴＦＴ３０（Ａ−Ａ’）、単位画素領域の一部（Ｂ−Ｂ’）、共通電極用コンタクトホール３９ａ（Ｃ−Ｃ’）、画素電位膜４２ｂのコンタクトホール３９ｃ（Ｄ−Ｄ’）、画素電極２７の一部（Ｅ−Ｅ’）、並びに図１〜３には表れない共通電極配線の外部コンタクト部（Ｇ）とデータ線の外部コンタクト部の接続部（Ｈ）の各断面構造をそれぞれ示したものである。図３（ａ）に示すように、能動素子基板１１の上面には、クロム等の低抵抗な金属材料からなる第１の金属層により、走査用信号が供給される走査線２８と、図には表れない周辺部において基準電位が供給される共通電極配線２６ａ，２６ｂがＸ方向（図の左右方向）に延びるように形成されている。前記走査線２８は画素領域のＹ方向（図の上下方向）単位ごとに配列され、共通電極配線２６ａ，２６ｂは走査線２８をＹ方向に挟み込む形で配置されている。ここで、同図から明らかなように、一方の共通電極配線２６ａは自段の走査線２８に隣接されており、他方の共通電極配線２６ｂは同図の上側に位置する前段の走査線２８に隣接するように配置されている。また、同様にクロム等の低抵抗な金属材料からなる第２の金属層により、データ信号が供給されるデータ線２４が画素領域のＸ方向単位毎に配列される。また、この第２の金属層により、後述するようにＴＦＴ３０のドレイン電極３０ａ及びソース電極３０ｂが形成されるとともに、各画素領域内においてそれぞれ自段の走査線２８とＹ方向に前段の画素の走査線に近接配置してそれぞれ２つの画素電位膜４２ａ，４２ｂが形成されている。以下、前者を自段の画素電位膜、後者を前段の画素電位膜と称する。
【００３４】
前記ＴＦＴ３０は走査線２８とデータ線２４との交点の近傍に各画素に対応して設けられている。前記走査線の一部でゲート電極３０ｃが形成されており、このゲート電極３０ｃを覆う第１層間絶縁膜上にアイランド状にアモルファスシリコン４１が形成され、その上に前記データ線２４と同じ第２の金属層によってドレイン電極３０ａと、ソース電極３０ｂとが形成されている。したがって、ゲート電極３０ｃは走査線２８と一体であり、ドレイン電極３０ａはデータ線２４に電気的に接続される。また、ソース電極３０ｂは前記２つの画素電位膜４２ａ，２ｂのうち、自段の走査線２８に近接配置された側の画素電位膜４２ａと一体に形成される。
【００３５】
前記第２の金属層の上には、第２の層間絶縁膜２５が形成される。ここでは、図４に示すように、第２の層間絶縁膜２５は下層の第１の絶縁膜２５ａと上層の第２の絶縁膜２５ｂの積層構造として形成されている。なお、この第２の層間絶縁膜２５はここでは１ないし２μｍの膜厚を有しているが、無機膜または有機膜の何れかからなる単層膜として構成することができる。勿論、他の膜厚、膜材料で構成することも可能である。そして、前記第２の層間絶縁膜２５の上に、図３（ｂ）に示すように、ＩＴＯ（Indium Tin Oxside ）からなる透明電極材料によって共通電極２６及び画素電極２７が形成される。共通電極２６はＸ方向及びＹ方向にマトリクスに近い形状に形成されており、前記共通電極配線とデータ線の上側に沿って配設される。特に、データ線２４が走査線２８と交差する領域及びその近傍の領域を除いて、データ線の上側ではデータ線２４を完全に覆うように幅広に形成されている。なお、共通電極２６と画素電極２７に囲まれた縦長の領域をコラムと言い、各コラムに画素が対応している。また、各画素においては共通電極２６と画素電極２７は何れも櫛歯形状をなしており、各電極の櫛歯は何れもデータ線２４と平行に延びているとともに、共通電極２６と画素電極２７の櫛歯が相互に噛み合うように、かつ両者の櫛歯が相互に隔置されるように配置されている。その上で、前記共通電極２６は、共通電極用コンタクトホール３９ａを介して、画素毎に共通電極配線２６ａ，２６ｂに接続される。また、画素電極２７は前記自段の画素電位膜４２ａ、すなわちＴＦＴ３０のソース電極３０ｂと前段の画素電位膜４２ｂにそれぞれ画素電極用コンタクトホール３９ｂ，３９ｃを介して電気接続されている。なお、これらコンタクトホールの形状、配置は図示のものに限定されるものではない。
【００３６】
一方、対向基板１２においては、図２に示したように、前記ブラックマトリクス１７は、データ線２４と平面上において重なり合う領域においては、隣の画素から漏れ出る光を遮光するために存在するため、前述のようにデータ線２４を完全に覆っている共通電極２６よりも幅狭にできており、共通電極２６を透過する光を遮らないように構成されている。
【００３７】
以上の構成の横電界方式の本液晶表示装置１においては、走査線２８を介して供給される走査用信号により選択され、かつ、データ線２４を介して供給されるデータ信号が書き込まれた画素において、共通電極２６と画素電極２７との間で、前記第１及び第２の透明基板１６，２２に平行な電界を生じさせ、この電界に従って液晶分子の配向方向を前記両透明基板１６，２２と平行な平面内において回転させ、所定の表示が行われる。
【００３８】
そして、本液晶表示装置１においては、共通電極２６及び画素電極２７は透明材料からなるため、共通電極２６が占める領域の分だけ透明領域が増えることになり、開口率の向上を図ることができる。また、第１の層間絶縁膜２３の上には、データ線２４とともに、共通電極配線に重畳する形で第２の金属層からなる画素電位膜４２ａ，４２ｂが形成されているが、これら画素電位膜４２ａ，４２ｂは、２つの目的で形成される。一つは液晶容量と電気的に並列接続される大きな蓄積容量を形成するため、もう一つは液晶が逆回転方向に回転することを防止する構造を形成するためである。第２の金属層からなる画素電位膜４２ａ，４２ｂは単位画素当たりにデータ線２４が延伸する方向に、少なくとも２ヶ所に分離されることになるが、自段のゲート電極３０ｃ近傍に形成される画素電位膜４２ａは、ＴＦＴ３０の第２の金属層からなるソース電極３０ｂと一体化することで電位供給され、前段の走査線２８ａ近傍の画素電位膜４２ｂは、コンタクトホール３９ｂを介して同電位となる画素電極２７とコンタクトホール３９ｃを介して接続されている。
【００３９】
このように透明材料からなる画素電極２７を橋渡しとして少なくとも２ヶ所の画素電位膜４２ａ，４２ｂを相互に接続することにより、画素の平面図上の上下両側にそれぞれ蓄積容量部を形成することができるため、蓄積容量を大きくとることができ表示を安定化することができる。また、単位画素当たりの少なくとも２ヶ所の蓄積容量部を透明材料からなる画素電極２７により接続するため、画素電極での透過光を遮光することなく、コラム毎の電界強度が一定になるため、更なる高透過率を有するＩＰＳ型液晶表示を製造することができる。なお、画素電位膜４２ａ，４２ｂ及び共通電極配線２６ａ，２６ｂの縁部の形状を凹凸形状とすることで、液晶の逆回転方向の回転を防止することが可能になる。
【００４０】
ここで、共通電極２６は前述したように、データ線２４が走査線２８と交差する領域及びその近傍の領域を除いてデータ線２４を完全に覆うように形成されている。すなわち、データ線２４の幅をＬ（Ｄ）、共通電極２６の幅をＬ（ＣＯＭ）とすると、
Ｌ（ＣＯＭ）＞Ｌ（Ｄ）
であり、かつ、データ線２４の幅Ｌ（Ｄ）は共通電極２６の幅Ｌ（ＣＯＭ）に包含される。なお、データ線２４が走査線２８と交差する領域及びその近傍の領域は段差が大きいので、ショート防止のためにこの領域では、共通電極２６はデータ線２４を覆っていない。
【００４１】
以上のように、本液晶表示装置１においては、共通電極２６がデータ線２４を完全に覆っているため、データ線２４の電界を共通電極２６がシールドすることができる。このため、共通電極２６がデータ線２４を完全に覆っていない場合に、この部分とこれに隣接する画素電極２７との間に電界が発生し、この部分で液晶は誤動作し、共通電極２６と画素電極２７との間の電位差で決まらない動きを行って縦クロストークの原因となるが、このような問題が解消できる。本液晶表示装置１においては、ほとんどの領域で共通電極２６はデータ線２４を完全に覆うように形成されているが、共通電極２６はデータ線２４の両側においてそれぞれ１．５μｍ以上の張り出し幅を有していることが好ましい。
【００４２】
さらに、縦クロストークの発生が抑制されることに伴い、データ線２４からの漏れ電界に起因して発生する表示不良を防止するためのブラックマトリクス１７の形成は不要となる。従って、ブラックマトリクス１７はコントラストの改善のためにのみ形成すればよいこととなり、ブラックマトリクス１７の幅を短縮することが可能である。ブラックマトリクス１７の幅を小さくすることに伴い、本液晶表示装置１における開口率を大きくすることができる。
【００４３】
このように、データ線２４上のブラックマトリクス１７の幅は共通電極２６の幅よりも小さく設定され、上方から見た場合の平面図上、データ線を覆う共通電極２６とこれに隣接する位置にある画素電極２７との間にはいかなる遮光膜も存在していない。また、ブラックマトリクス１７はデータ線２４よりも小さい幅を有しており、その全領域においてデータ線２４と重なり合っている。すなわち、データ線２４の幅をＬ（Ｄ）、ブラックマトリクス１７の幅をＬ（ＢＭ）とすると、
Ｌ（Ｄ）＞Ｌ（ＢＭ）
であり、かつ、平面図上、ブラックマトリクス１７の幅Ｌ（ＢＭ）はデータ線２４の幅Ｌ（Ｄ）に包含される。ブラックマトリクス１７がデータ線２４より小さい幅を有することにより、データ線２４を覆う透明な共通電極２６のはみだし部分からの透過光を全て利用することができ、パネル透過率をさらに向上させることができる。因みに、本実施形態におけるブラックマトリクス１７は６μｍの幅を有しているが、この幅寸法は６μｍに限定されるものではなく、６μｍ以上の任意の幅を有することが望ましい。６μｍ未満の場合、データ線２４からの反射が大きくなるため、明るい使用環境では見えにくくなる。
【００４４】
ここで、対向基板１２のブラックマトリクス１７の幅が充分広い場合は、誤動作領域を観察者に対して遮光すればよいが、本実施形態のようにブラックマトリクス１７がデータ線２４を完全には覆っていない場合は、データ線２４の下方に共通電極２６に接続された遮光層を設け、バックライトからの光を遮光することによって、誤動作領域を観察者に対して遮光することができる。この遮光層が共通電極２６に接続されていないと、電位的に不安定となり、画素電極２７との間にＤＣ電界を発生させてしまうか、もしくはクロストークなどの誤動作の原因と成り得る。具体的には、走査線２８を形成する第１の金属層で共通電極配線２６ａに接続された遮光層を形成する。共通電極配線２６ａ，２６ｂはコンタクトホール３９ａによって共通電極２６と接続されているので、共通電極配線２６ａ，２６ｂを遮光層にすることもできる。遮光層としては、例えばクロム、チタン、モリブデン、タングステン、アルミなどの単層や、これらの金属の積層構造を用いることができる。積層構造を用いることにより、さらに低抵抗化を図ることができる。
【００４５】
本液晶表示装置１における共通電極２６は透明材料であるＩＴＯから形成されているため、前述のように本液晶表示装置１における透明領域が増大して開口率を高めることができるが、ＩＴＯのシート抵抗は１００Ω／□程度と大きいという不利な点がある。しかしながら、共通電極２６を画素ごとに共通電極配線２６ａまたは２６ｂに接続して横方向に接続することで、共通電極２６の配線全体の抵抗を下げ、かつ冗長性を持たせる効果がある。このように、共通電極２６をＩＴＯで構成することにより、他の金属から構成する場合と比較して、本液晶表示装置１０の信頼性を向上させることができる。
【００４６】
なお、共通電極２６は本液晶表示装置１の端子を被覆する材料と同一材料から形成することができる。すなわち、図４のＧに示す共通電極用コンタクト部のように端子を共通電極２６のＩＴＯと同じ層で構成することができる。図４のＨに示すデータ線端子、及び図には表れない走査線端子も同様に共通電極２６のＩＴＯと同じ層で形成することができる。これにより、共通電極２６は本液晶表示装置１０の端子部と同じ工程で、かつ同じ材料で形成することが可能となり、ひいては、共通電極２６の形成のために工程数が増加することを防止することができる。
【００４７】
また、本液晶表示装置１においては、共通電極２６と画素電極２７とは何れも第２の層間絶縁膜２５上に形成されている。このように、共通電極２６と画素電極２７とを同層上に形成することにより、共通電極２６と画素電極２７とを同一工程において、かつ、同一材料で形成することができるようになり、ひいては、製造効率を向上させることができる。
【００４８】
また、共通電極２６とデータ線２４との間に存在する第２の層間絶縁膜２５の膜厚（ｄ）と誘電率（ε）の除算ｄ／εを十分大きくとることにより、データ線２４と共通電極２６との間の寄生容量を低減させることができる。
【００４９】
また、図１に示すように、透明材料からなる画素電極２６と共通電極２７は、少なくともこれより下層の共通電極配線層及びデータ線層に乗り上げるもしくは乗り越える領域においては、局所的に電極幅を太く形成している。これにより、透明電極の局所的な断線を防止できるため、高透過率でかつ製造歩留まりの高い横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を製造することができる。
【００５０】
以上説明した第１の実施形態の液晶表示装置１の製造方法を図５〜図６を参照して説明する。なお、これらの図で示される各断面部分は、図４に示した断面図と同じ箇所の断面部分である。先ず、図５（ａ）において、第１の透明基板２２としてのガラス基板上に第１の金属層としてクロム層からなるゲート電極３０ｃ及び共通電極配線２６ａ，２６ｂをフォトリソグラフィ及びドライエッチングによりパターニングし、形成する。次いで、ゲート電極３０ｃ及び共通電極配線２６ａ，２６ｂを覆って、前記透明基板２２上に酸化シリコン膜（ＳｉＯ２ ）と窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）との積層膜から成る第１の層間絶縁膜２３を一面に形成する。次いで、ａ（アモルファス）−Ｓｉ膜３２とｎ型不純物を高濃度に含むｎ⁺ ａ−Ｓｉ膜３３の積層膜から成るアモルファスシリコン４１を第１の層間絶縁膜２３の上に一面に形成する。次いで、図５（ｂ）のように、前記アモルファスシリコン膜３２，３３をフォトリソグラフィ及びドライエッチングによりＴＦＴの島状半導体層となるようにパターニングする。
【００５１】
次いで、図５（ｃ）のように、前記透明絶縁性基板２２上に第２の金属層としてクロム層を一面に堆積させ、このクロム層をフォトリソグラフィー及びドライエッチングによりパターニングし、第２の金属層でＴＦＴ３０のドレイン電極３０ａ、ソース電極３０ｂ、データ線２４を形成する。この際に、蓄積容量として機能するように、単位画素当たりに少なくとも２箇所に分離して画素電位膜４２ａ，４２ｂを形成する。これらの画素電位膜４２ａ，４２ｂは共通電極配線２６ａ及び２６ｂに対してそれぞれ第１の層間絶縁膜２３を挟みこむ形で重畳されてパターン形成される。また、２箇所の画素電位膜４２ａ，４２ｂのうち、自段のゲート電極３０ｃ近傍に配置される画素電位膜４２ａは前記ソース電極３０ｂと一体化されて形成され、前段のゲート電極３０ｃ近傍に配置される画素電位膜４２ｂは孤立パターンとして形成される。
【００５２】
次いで、図６（ａ）のように、ドレイン電極３０ａとソース電極３０ｂとの間の開口部において、アモルファスシリコン４１の途中まで、ｎ⁺ 型ａ−Ｓｉ膜３３及びａ−Ｓｉ膜３２をドレイン電極３０ａ及びソース電極３０ｂをマスクとしてエッチングし、ＴＦＴ３０のチャネルを形成する。次いで、無機膜としての窒化シリコン膜から成る第２の層間絶縁膜２５の第１の絶縁膜２５ａを全面に堆積させる。次いで、その上に有機膜としての感光性アクリル樹脂膜から成る第２の層間絶縁膜２５の第２の絶縁膜２５ｂを堆積させる。次いで、図６（ｂ）のように、前記第２の絶縁膜２５ｂの感光性アクリル樹脂膜を露光、現像、焼成し、自段のゲート電極３０ｃ近傍に配置されるソース電極３０ｂの上方において、第１の層間絶縁膜２３の窒化シリコン膜に到達する画素電極用コンタクトホール３９ｂ、前段のゲート電極近傍に配置されるコンタクトホール３９ｃを形成し、同時に、共通電極配線２６ｂの上方において、第１の層間絶縁膜２３の窒化シリコン膜に到達する共通電極用コンタクトホール３９ａを形成する。
【００５３】
次いで、図６（ｃ）のように、画素電極用コンタクトホール３９ｂ，３９ｃ及び共通電極用コンタクトホール３９ａを介して、露出している第２の層間絶縁膜２５の第１の絶縁膜２５ａの窒化シリコン膜をエッチングし、共通電極用コンタクトホール３９ａの場合には、さらに酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層膜から成る第１の層間絶縁膜２３をエッチングし、画素電極用コンタクトホール３９ｂ及び３９ｃ、共通電極用コンタクトホール３９ａをそれぞれソース電極３０ｂ及び画素電位膜４２ａ，４２ｂ、共通電極配線２６ａもしくは２６ｂに到達させる。次いで、ＩＴＯ４６を全面に堆積させ、各コンタクトホール３９ａ，３９ｂ，３９ｃの内壁をＩＴＯ４６で覆うとともに、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、単位素子の形成領域内において、ＩＴＯ４６からなる共通電極２６及び画素電極２７を形成する。このようにして形成された能動素子基板１１は、透明材料からなる画素電極２７により自段ゲート電極３０ｃ近傍の蓄積容量部と前段ゲート電極３０ｄ近傍の各画素電位膜４２ａ，４２ｂが画素電極２７を介して相互に接続され、これらにより２箇所において蓄積容量が構成されることになる。
【００５４】
対向基板１２については、図示は省略するが、図２を参照すると、第２の透明基板としてのガラス基板１６の所定の領域に対して遮光層１７、色層１８、オーバーコート層１９を所定のパターンに形成して作成した。また、ガラス基板１６には手で液晶パネルを触った際に発生するチャージアップによる表示むらを防止するよう裏面にＩＴＯなどの透明導電膜１５をスパッタして形成した。
【００５５】
このようにして得られた能動素子基板１１と対向基板１２を所定の間隔を持つようセル内スペーサ等（図示せず）で間隙を形成して、その中にネマティック液晶を封止して液晶層１３を形成し、液晶パネルを構成した。液晶材料は誘電率異方性△εが正でその値が８（５８９ｎｍ，２０℃）、屈折率異方性△ｎが０．０７５、液晶の比抵抗が１．５ｘ１０¹²Ω・ｃｍのネマティック液晶を使用した。液晶層の厚み（セルギャップ）は４．０μｍとした。また、能動素子基板１１及び対向基板１２のそれぞれの表面にオフセット印刷等の手法にて配向膜３１及び２０を形成し、液晶分子を所定の方向に並ばせるようラビング方法にて櫛歯電極の短手方向に対して１５°傾けて平行配向するように液晶分子を配向させた。さらに、両基板１１，１２の外側面にはそれぞれ偏光板１４，２１を配設した。
【００５６】
このようにして形成された液晶パネルについて、外部からの信号電圧により液晶の配向状態を変化させることで液晶パネルを透過する光の強さを制御し、液晶表示装置として階調表示を行なった。その際、画素電極２７と共通電極２６との間に電位差を与えない場合を黒表示とし、ガラス基板に対して概平行な電界を生むように、初期配向角度から略４５°液晶が回転して透過光強度が最大になるよう電位差を与える場合に白表示として動作させた（ノーマリーブラック方式）。このようにして得られた液晶パネルを液晶表示装置として駆動装置に組み込み表示を行い、高い透過率を有するＩＰＳ型液晶表示装置が確認できた。
【００５７】
（第２の実施形態）
図７は本発明の第２の実施形態にかかる能動素子基板の平面図、図８はそのＦ−Ｆ’線に沿う部分の液晶表示装置２の断面図、図９（ａ），（ｂ）は下層の金属層と上層の金属層のレイアウト図である。なお、第１の実施形態と等価な部分には同一符号を付してある。以降の実施形態についても同様である。本実施形態は第１の実施形態と比較すると、能動素子基板１１において、自段ゲート電極近傍の画素電位膜４２ａと前段ゲート電極近傍の画素電位膜４２ｂを電気接続する構成が異なることを除けばその他は同一である。すなわち、前記第１の実施形態では、前記２つの画素電位膜４２ａ，４２ｂを透明材料である画素電極２７を橋渡しとして接続しているが、本実施形態ではコンタクトホール４４ａ，４４ｂを介して不透明材料である走査線２８と同一層の接続電極４３で接続する。対向基板１２については第１の実施形態と同じである。
【００５８】
その製造方法は、第１０図の工程断面図を参照すると、第１の実施形態の図５（ａ）の工程で、ガラス基板２２上にクロム層からなるゲート電極３０ｃ及び共通電極配線２６ａ，２６ｂをフォトリソグラフィ及びドライエッチングによりパターニングして形成するが、このとき同時に、図１０（ａ）に示すように、画素領域のほぼ中央に共通電極配線２６ａ，２６ｂと直交する方向に向けて接続電極４３を形成する。この接続電極４３の平面パターン形状は図９（ａ）に示す通りである。次いで、第１の実施形態の図５（ｂ）から（ｃ）までの工程と同様に、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層膜から成る第１の層間絶縁膜２３を一面に形成し、さらにＴＦＴのアモルファスシリコン４１を島状半導体層となるように形成する。
【００５９】
次いで、図１０（ｂ）のように、自段のゲート電極３０ｃ近傍及び前段のゲート電極３０ｄ近傍において、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層膜から成る第１の層間絶縁膜２３をエッチングし、図９（ａ）のように、接続電極用コンタクトホール４４ａ，４４ｂを形成し、第１の金属層である接続電極４３に到達させる。次いで、第２の金属層としてクロム層を一面に堆積させ、このクロム層をフォトリソグラフィ及びドライエッチングによりパターニングし、第２の金属層でＴＦＴ５０のドレイン電極３０ａ、ソース電極３０ｂ、データ線２４を形成する。この際、自段のゲート電極３０ｃ近傍及び前段のゲート電極３０ｄ近傍においては、第１の金属層からなる接続電極４３と第２の金属層からなるソース電極３０ｂはコンタクトホール４４ａ，４４ｂ及び接続電極４３を介して接続される。
【００６０】
次いで、図１０（ｃ）のように、ドレイン電極３０ａとソース電極３０ｂとの間の開口部において、アモルファスシリコン膜の途中まで、ｎ⁺ 型ａ−Ｓｉ膜３３及びａ−Ｓｉ膜３２をドレイン電極３０ａ及びソース電極３０ｂをマスクとしてエッチングし、ＴＦＴ５０のチャネルを形成する。次いで、無機膜としての窒化シリコン膜から成る第２の層間絶縁膜２５の第１の絶縁膜２５ａを全面に堆積させる。次いで、窒化シリコン膜から成る第２の層間絶縁膜２５の第１の絶縁膜２５ａの上に有機膜としての感光性アクリル樹脂膜から成る第２の層間絶縁膜２５の第２の絶縁膜２５ｂを堆積させる。次いで、第２の層間絶縁膜の第２の膜２５ｂの感光性アクリル樹脂膜を露光、現像、焼成し、ソース電極３０ｂの上方において、第１の層間絶縁膜２３の窒化シリコン膜に到達する画素電極用コンタクトホール３９ｂを形成し、同時に、共通電極配線２６ｂの上方において、第１の層間絶縁膜２３の窒化シリコン膜に到達する共通電極用コンタクトホール３９ａを形成する。
【００６１】
次いで、画素電極用コンタクトホール３９ｂ、共通電極用コンタクトホール３９ａを介して、露出している第２の層間絶縁膜２５の第１の膜２５ａの窒化シリコン膜をエッチングし、共通電極用コンタクトホール３９ａの場合には、さらに酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層膜から成る第１の層間絶縁膜２３をエッチングし、画素電極用コンタクトホール３９ｂ、共通電極用コンタクトホール３９ａをそれぞれソース電極３０ｂ、共通電極配線２６ａもしくは２６ｂに到達させる。次いで、ＩＴＯ４６を全面に堆積させ、各コンタクトホール３９ａ、３９ｂの内壁をＩＴＯ４６で覆うとともに、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、単位素子の形成領域内において、ＩＴＯ４６からなる共通電極２６及び画素電極２７を形成する。
【００６２】
このようにして形成された能動素子基板１１は、液晶層から不透明材料からなるゲート電極層からなる接続電極４３により自段のゲート電極３０ｃ近傍の蓄積容量部と前段のゲート電極３０ｄ近傍の蓄積容量部を２つのコンタクトホール４４ａ，４４ｂ及び接続電極４３を介して接続することになる。
【００６３】
そして、得られた能動素子基板１１と対向基板１２の間に、第１の実施形態と同様な条件でネマティック液晶を封止して液晶層１３を形成し、液晶パネルを構成した。そして、外部からの信号電圧により液晶の配向状態を変化させることで液晶パネルを透過する光の強さを制御し、液晶表示装置として階調表示を行なった。その際、画素電極２７と共通電極２６との間に電位差を与えない場合を黒表示とし、ガラス基板に対して概平行な電界を生むように、初期配向角度から略４５°液晶が回転して透過光強度が最大になるよう電位差を与える場合に白表示として動作させた（ノーマリーブラック方式）。このようにして得られた液晶パネルを液晶表示装置として駆動装置に組み込み表示を行い、高い透過率を有するＩＰＳ型液晶表示装置が確認できた。
【００６４】
特に、本実施形態では、前段のゲート電極３０ｄの近傍に形成される画素電位膜４２ｂへの電気的な接続は、液晶層１３から最も離れた共通電極配線２６ａ，２６ｂと同じ層の接続電極４３により行っているので、当該接続電極４３は不透明材料であり、透明材料からなる画素電極での透過光を遮光することにはなるが、接続電極４３は最も下層に形成されていて液晶層１３から最も遠い導電層で構成されているため、当該接続電極４３からの液晶への電界印加寄与は小さくなり、これによりコラム毎の電界強度のバラツキが小さくなり、高透過率を有するＩＰＳ型液晶表示装置を得ることが可能になる。
【００６５】
なお、この実施形態では、接続電極４３を共通電極配線２６ａ，２６ｂと同じ層で形成しているが、共通電極配線２６ａ，２６ｂと走査線２８が異なる層で形成される場合は、液晶層から最も遠い側の配線層で接続電極４３を形成して、画素電位膜４２ａ，４２ｂの接続を行うようにすればよい。
【００６６】
（第３の実施形態）
図１１は本発明の第３の実施形態にかかる能動素子基板の平面図、図１２はそのＦ−Ｆ’線に沿う部分の液晶表示装置３の断面図、図１３は下層の導電層と上層の導電層のレイアウト図である。本実施形態は第２の実施形態と比較すると、能動素子基板１１において、第２の実施形態では２つの画素電位膜４２ａ，４２ｂを走査線及び共通電極配線を形成するための不透明材料である第１の金属層からなる接続電極４３を橋渡しとして接続しているが、本実施形態は走査線と共通電極配線を互いに異なる層から形成し、共通電極配線と同一層で形成した接続電極により接続する。その他の構成及び対向基板１２については第２の実施形態と同じである。
【００６７】
この実施形態の製造方法は、図１４の断面図を参照すると、透明絶縁性基板２２としてのガラス基板上にクロム層からなる共通電極配線２６ａ，２６ｂ及び接続電極４３をフォトリソグラフィ及びドライエッチングによりパターニングし、形成する。次いで、共通電極配線２６ａ及び接続電極４３を覆って、透明絶縁性基板２２上に窒化シリコン膜から成る第３の層間絶縁膜４５を一面に形成する。次いで、窒化シリコン膜から成る第３の層間絶縁膜４５上に、第３の金属層としてクロム層からなる走査線２８をフォトリソグラフィ及びドライエッチングによりパターニングし、形成する。次いで、走査線２８を覆って、第３の層間絶縁膜４５上に、前記各実施形態と同様に積層構造から成る第１の層間絶縁膜２３を一面に形成する。
【００６８】
次いで、ａ−Ｓｉ膜３２とｎ⁺ ａ−Ｓｉ膜３３の積層膜から成るアモルファスシリコン膜を第１の層間絶縁膜２３の上に一面に形成する。次いで、アモルファスシリコン膜３２，３３をフォトリソグラフィ及びドライエッチングにより薄膜トランジスタの島状半導体層となるようにパターニングしアモルファスシリコン４１を形成する。次いで、自段のゲート電極３０ｃ近傍及び近傍前段のゲート電極３０ｄ近傍において、第１の層間絶縁膜２３及び第３の層間絶縁膜４５を同時にエッチングし、接続電極用コンタクトホール４４ａ，４４ｂを形成し、接続電極４３に到達させる。
【００６９】
次いで、クロム層を一面に堆積させ、このクロム層をフォトリソグラフィ及びドライエッチングによりパターニングし、ＴＦＴ５０のドレイン電極３０ａ、ソース電極３０ｂ、データ線２４、画素電位膜４２ａ，４２ｂを形成する。なお、ソース電極３０ｂと画素電位膜４２ａは一体に形成する。この際、自段のゲート電極３０ｃ近傍及び前段のゲート電極３０ｄ近傍においては、接続電極４３とソース電極３０ｂ（画素電位膜４２ａ）と画素電位膜４２ｂはそれぞれコンタクトホール４４ａ，４４ｂ及び接続電極４３を介して接続される。
【００７０】
以下、第２の実施形態と同様であり、ドレイン電極３０ａとソース電極３０ｂとの間の開口部において、アモルファスシリコン膜の途中まで、ｎ⁺ 型ａ−Ｓｉ膜３３及びａ−Ｓｉ膜３２をドレイン電極３０ａ及びソース電極３０ｂをマスクとしてエッチングし、ＴＦＴ３０のチャネルを形成する。次いで、無機膜としての窒化シリコン膜から成る第２の層間絶縁膜２５の第１の絶縁膜２５ａを全面に堆積させる。次いで、窒化シリコン膜から成る第２の層間絶縁膜２５の第１の絶縁膜２５ａの上に有機膜としての感光性アクリル樹脂膜から成る第２の層間絶縁膜２５の第２の絶縁膜２５ｂを堆積させる。次いで、第２の層間絶縁膜の第２の膜２５ｂの感光性アクリル樹脂膜を露光、現像、焼成し、ソース電極３０ｂの上方において、第１の層間絶縁膜２３の窒化シリコン膜に到達する画素電極用コンタクトホール３９ｂを形成し、同時に、共通電極配線２６ｂの上方において、第１の層間絶縁膜２３の窒化シリコン膜に到達する共通電極用コンタクトホール３９ａを形成する。
【００７１】
次いで、画素電極用コンタクトホール３９ｂ、共通電極用コンタクトホール３９ａを介して、露出している第２の層間絶縁膜２５の第１の膜２５ａの窒化シリコン膜をエッチングし、共通電極用コンタクトホール３９ａの場合には、さらに酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層膜から成る第１の層間絶縁膜２３をエッチングし、画素電極用コンタクトホール３９ｂ、共通電極用コンタクトホール３９ａをそれぞれソース電極３０ｂ、共通電極配線２６ａもしくは２６ｂに到達させる。次いで、ＩＴＯ４６を全面に堆積させ、各コンタクトホール３９ａ、３９ｂの内壁をＩＴＯ４６で覆うとともに、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、単位素子の形成領域内において、ＩＴＯ４６からなる共通電極２６及び画素電極２７を形成する。
【００７２】
このようにして形成された能動素子基板１１は、液晶層１３から最も遠い層である不透明材料の共通電極配線と同一層からなる接続電極４３により、自段のゲート電極３０ｃ近傍の画素電位膜と前段のゲート電極３０ｄ近傍の画素電位膜を２つのコンタクトホール４４ａ，４４ｂ及び接続電極４３を介して接続することになる。
【００７３】
そして、得られた能動素子基板１１と対向基板１２の間に、第１の実施形態と同様な条件でネマティック液晶１３を封止して液晶パネルを構成した。そして、外部からの信号電圧により液晶の配向状態を変化させることで液晶パネルを透過する光の強さを制御し、液晶表示装置として階調表示を行なった。その際、画素電極２７と共通電極２６との間に電位差を与えない場合を黒表示とし、ガラス基板に対して概平行な電界を生むように、初期配向角度から略45°液晶が回転して透過光強度が最大になるよう電位差を与える場合に白表示として動作させた（ノーマリーブラック方式）。このようにして得られた液晶パネルを液晶表示装置として駆動装置に組み込み表示を行い、高い透過率を有するＩＰＳ型液晶表示装置が確認できた。
【００７４】
本実施形態においては、前段のゲート電極３０ｄの近傍に形成される画素電位膜４２ｂへの電気的な接続は、液晶層１３から最も離れた共通電極配線２６ａ，２６ｂと同じ層の接続電極４３により行っているので、当該接続電極４３は不透明材料であり、透明材料からなる画素電極での透過光を遮光することにはなるが、接続電極４３は最も下層に形成されていて液晶層１３から最も遠い配線層で構成されているため、当該接続電極４３からの液晶への電界印加寄与は小さくなり、これによりコラム毎の電界強度のバラツキが小さくなり、高透過率を有するＩＰＳ型液晶表示装置を得ることが可能になる。
【００７５】
（第４の実施形態）
図１５は本発明の第４の実施形態にかかる能動素子基板の平面図、図１６はそのＦ−Ｆ’線に沿う部分の液晶表示装置４の断面図である。本実施形態は第１の実施形態と比較すると、能動素子基板１１において、液晶を駆動するための透明電極である画素電極２７と共通電極２６が層間絶縁膜を介して異なる層に形成されていることを除けば、その他は同一である。すなわち、２つの蓄積容量を構成するための画素電位膜４２ａ，４２ｂを透明電極である画素電極２７を橋渡しとして接続していることは第１の実施形態と同じである。ここで、画素電極２７は第２の層間絶縁膜の上に形成されているが、共通電極２６は画素電極の上に形成された第４の層間絶縁膜の上に形成されている。また、対向基板は第１の実施形態と同じである。
【００７６】
この第４の実施形態の液晶表示装置の製造方法では、第１の実施形態の製造方法を示す図５（ａ）から図６（ｂ）までの工程は同じである。以降は、図１７の断面図をを併せて参照すると、第２の層間絶縁膜２５を形成した後、第２の層間絶縁膜の第２の絶縁膜２５ｂの感光性アクリル樹脂膜を露光、現像、焼成し、自段のゲート電極３０ｃ近傍に配置されるソース電極３０ｂの上方において、第１の層間絶縁膜２３の窒化シリコン膜に到達する画素電極用コンタクトホール３９ｂ、前段のゲート電極３０ｄ近傍に配置される共通電極用コンタクトホール３９ｃを形成し、同時に、共通電極配線２６ｂの上方において、第１の層間絶縁膜２３の窒化シリコン膜に到達する共通電極用コンタクトホール３９ａを形成する。次いで、画素電極用コンタクトホール３９ｂ，３９ｃ及び共通電極用コンタクトホール３９ａを介して、露出している第２の層間絶縁膜２５の第１の膜２５ａの窒化シリコン膜をエッチングし、共通電極用コンタクトホール３９ａの場合には、さらに酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層膜から成る第１の層間絶縁膜２３をエッチングし、画素電極用コンタクトホール３９ｂ及び３９ｃ、共通電極用コンタクトホール３９ｃをそれぞれ画素電位膜４２ａ及び４２ｂ、共通電極配線２６ｂに到達させる。
【００７７】
次いで、ＩＴＯ４６を全面に堆積させ、各コンタクトホール３９ａ、３９ｂ、３９ｃの内壁をＩＴＯ４６で覆うとともに、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、単位素子の形成領域内において、ＩＴＯ４６からなる画素電極２７を形成する。次いで、前記透明絶縁性基板の上に、有機膜としての感光性アクリル樹脂からなる第４の層間絶縁膜４７を堆積させる。次いで、第４の層間絶縁膜４７を感光性アクリル樹脂膜を露光、現像、焼成し、コンタクトホール３９ａを共通電極配線２６ｂに到達させる。さらに、ＩＴＯ４６を全面に堆積させ、各コンタクトホール３９ａ，３９ｂ，３９cの内壁をＩＴＯ４６で覆うとともに、フォ トリソグラフィ及びエッチングにより、単位素子の形成領域内において、ＩＴＯ４６からなる共通電極２６を形成する。このようにして形成された能動素子基板１１は、透明材料からなる画素電極２７により自段ゲート電極３０ｃ近傍の画素電位膜４２ａと前段ゲート電極３０ｄ近傍の画素電位膜４２ｂを相互に電気接続することになる。
【００７８】
このようにして得られた能動素子基板１１と対向基板１２の間に、第１の実施形態と同様な条件でネマティック液晶１３を封止して液晶パネルを構成した。そして、外部からの信号電圧により液晶の配向状態を変化させることで液晶パネルを透過する光の強さを制御し、液晶表示装置として階調表示を行なった。その際、画素電極２７と共通電極２６との間に電位差を与えない場合を黒表示とし、ガラス基板に対して概平行な電界を生むように、初期配向角度から略４５°液晶が回転して透過光強度が最大になるよう電位差を与える場合に白表示として動作させた（ノーマリーブラック方式）。このようにして得られた液晶パネルを液晶表示装置として駆動装置に組み込み表示を行い、高い透過率を有するＩＰＳ型液晶表示装置が確認できた。
【００７９】
この実施形態のように、第４の層間絶縁膜４７を介して共通電極２６と画素電極２７が互いに異なる層で形成する場合、ＬＣＤの製造コストは増加するが、電極設計の自由度が上昇するため、さらなる高透過率化を図ることができる。このように、共通電極２６と画素電極２７が互いに異なる層に形成される場合、ＬＣＤの表示の安定性及び信頼性の面からは、共通電極２６を液晶層１３に配置したほうが好ましい。
【００８０】
（第５の実施例）
図１８は本発明の第５の実施形態にかかる能動素子基板の平面図、図１９はそのＦ−Ｆ’線に沿う部分の液晶表示装置５の断面図である。本実施形態は第１の実施形態と比較すると、能動素子基板１１において、データ線２４とその上層の共通電極２６との層間に形成される第２の層間絶縁膜２５が無機膜単層であることを除けば、その他は同一である。また、対向基板１２についても同じである。
【００８１】
この第５の実施形態の製造方法は図５（ａ）〜図６（ｃ）に示した第１の実施形態の製造工程とほぼ同じであるが、図６（ａ）に示した第２の層間絶縁膜の製造工程においては、無機膜としての窒化シリコン膜から成る第２の層間絶縁膜２５を全面に堆積させる。次いで、第１の実施形態と同様に、自段のゲート電極３０ｃ近傍に配置される第１の層間絶縁膜２３の窒化シリコン膜に到達する画素電極用コンタクトホール３９ｂ、前段のゲート電極３０ｄ近傍に配置されるコンタクトホール３９ｃを形成し、同時に、共通電極配線２６ｂの上方において、第１の層間絶縁膜２３の窒化シリコン膜に到達する共通電極用コンタクトホール３９ａを形成する。共通電極用コンタクトホールの場合には、さらに酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層膜から成る第１の層間絶縁膜２３をエッチングし、共通電極用コンタクトホール３９ａを共通電極配線２６ａもしくは２６ｂに到達させる。
【００８２】
以下、第１の実施形態と同じ工程により、第５の実施形態の能動素子基板１１を製造する。このようにして形成された能動素子基板１１は、透明材料からなる画素電極２７により自段ゲート電極３０ｃ近傍の画素電位膜４２ａと前段ゲート電極３０ｄ近傍の画素電位膜４２ｂを相互に電気接続することになる。
【００８３】
このようにして得られた能動素子基板１１と対向基板１２の間に、第１の実施形態と同様な条件でネマティック液晶を封止して液晶層１３を形成し液晶パネルを構成した。そして、外部からの信号電圧により液晶の配向状態を変化させることで液晶パネルを透過する光の強さを制御し、液晶表示装置として階調表示を行なった。その際、画素電極２７と共通電極２６との間に電位差を与えない場合を黒表示とし、ガラス基板に対して概平行な電界を生むように、初期配向角度から略４５°液晶が回転して透過光強度が最大になるよう電位差を与える場合に白表示として動作させた（ノーマリーブラック方式）。このようにして得られた液晶パネルを液晶表示装置として駆動装置に組み込み表示を行い、高い透過率を有するＩＰＳ型液晶表示装置が確認できた。
【００８４】
（第６の実施例）
図２０は本発明の第６の実施形態にかかる能動素子基板の平面図、図２１はそのＦ−Ｆ’線に沿う部分の液晶表示装置６の断面図である。本実施形態は第１の実施形態と比較すると、能動素子基板１１は同一であり、対向基板１２の構成が異なっている。第６の実施形態では、対向基板１２に色層が形成されていないことが第１の実施形態と相違している。
【００８５】
すなわち、第６の実施形態の対向基板１２については、第２の透明基板としてのガラス基板１６の所定の領域に対して遮光層１７、オーバーコート層１９を所定のパターンに形成して作成した。また、ガラス基板１６には手で液晶パネルを触った際に発生するチャージアップによる表示むらを防止するよう裏面にＩＴＯなどの透明導電膜１５をスパッタして形成した。
【００８６】
この実施形態ては、第１の実施形態と同様な能動素子基板１１と、本実施形態の対向基板１２の間に、第１の実施形態と同様な条件でネマティック液晶を封止して液晶層１３を形成して液晶パネルを構成した。そして、外部からの信号電圧により液晶の配向状態を変化させることで液晶パネルを透過する光の強さを制御し、液晶表示装置として階調表示を行なった。その際、画素電極２７と共通電極２６との間に電位差を与えない場合を黒表示とし、ガラス基板に対して概平行な電界を生むように、初期配向角度から略４５°液晶が回転して透過光強度が最大になるよう電位差を与える場合に白表示として動作させた（ノーマリーブラック方式）。このようにして得られた液晶パネルを液晶表示装置として駆動装置に組み込み表示を行い、高い透過率を有するＩＰＳ型液晶表示装置が確認できた。
【００８７】
なお、前記各実施形態においては共に透明材料からなる共通電極２６と画素電極１７は、高信頼性の観点から前記したＩＴＯに限られるものではなく、ＩＺＯ（Indium Zn Oxide)からなる導電膜で構成してもよい。
【００８８】
以上のように、第１ないし第６の実施形態において、液晶駆動電極である共通電極と画素電極が直線型構造についてのみ詳細に記述してきたが、製造コストを上げること無く、表示ムラを防止した液晶表示装置を提供するという点に関しては、液晶駆動電極が折れ曲った、いわゆるマルチドメイン単位素子構造についても、共通電極配線に突起を設けると同様の効果を得ることができる。この場合、更なる視野角を拡大する利点があり、液晶表示装置として好ましい。
【００８９】
なお、上記の各実施形態の説明においては、本発明の特徴となる部分について主に説明し、本分野において通常の知識を有する者にとって既知の事項については特に詳述していないが、たとえ記載がなくてもこれらの事項は上記の者にとっては類推可能な事項に属する。
【００９０】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る液晶表示装置によれば、横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の単位画素当たりにぞれぞれ形成される、前段の走査線近傍の共通電極配線に重畳される画素電位膜と自段の走査線近傍の共通電極配線に重畳される画素電位膜を透明電極からなる画素電極により相互に接続した構成とすることにより、あるいは、液晶層から最も遠い層に形成された接続電極により相互に接続した構成とすることにより、製造コストを上げることなく、開口率を向上させ、かつ製造歩留まりの高いＩＰＳモードの液晶表示装置を提供することを達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態における能動素子基板の平面レイアウト図である。
【図２】図１のＦ−Ｆ’線に沿う液晶表示装置の断面図である。
【図３】第１の実施形態における下層の導電層のレイアウトとその上層のＩＴＯ層のレイアウトをそれぞれ示す平面図である。
【図４】図１のＡ−Ａ’〜Ｅ−Ｅ’線、及びコンタクト部分の各断面図である。
【図５】第１の実施形態の製造方法の工程断面図のその１である。
【図６】第１の実施形態の製造方法の工程断面図のその２である。
【図７】第２の実施形態における能動素子基板の平面レイアウト図である。
【図８】図７のＦ−Ｆ’線に沿う液晶表示装置の断面図である。
【図９】第２の実施形態における下層の導電層のレイアウトとその上層の導電層のレイアウトをそれぞれ示す平面図である。
【図１０】第２の実施形態の製造方法の工程断面図である。
【図１１】第３の実施形態における能動素子基板の平面レイアウト図である。
【図１２】図１１のＦ−Ｆ’線に沿う液晶表示装置の断面図である。
【図１３】第３の実施形態における下層の導電層のレイアウトとその上層の導電層のレイアウトをそれぞれ示す平面図である。
【図１４】第３の実施形態の各部の断面図である。
【図１５】第４の実施形態における能動素子基板の平面レイアウト図である。
【図１６】図１５のＦ−Ｆ’線に沿う液晶表示装置の断面図である。
【図１７】第４の実施形態の各部の断面図である。
【図１８】第５の実施形態における能動素子基板の平面レイアウト図である。
【図１９】図１８のＦ−Ｆ’線に沿う液晶表示装置の断面図である。
【図２０】第６の実施形態における能動素子基板の平面レイアウト図である。
【図２１】図２０のＦ−Ｆ’線に沿う液晶表示装置の断面図である。
【図２２】液晶表示装置において逆方向に回転する液晶領域を説明するための図である。
【符号の説明】
１〜６ 第１ないし第６の各実施形態の液晶表示装置
１１ 能動素子基板
１２ 対向基板
１３ 液晶層
１４ 偏光板
１５ 導電層
１６ 第２の透明基板
１７ ブラックマトリクス
１８ 色層
１９ オーバーコート層
２０，３１ 配向膜
２１ 偏光板
２２ 第１の透明基板
２３ 第１の層間絶縁膜
２４ データ線
２５ 第２の層間絶縁膜
２５ａ 第２の層間絶縁膜の第１の膜
２５ｂ 第２の層間絶縁膜の第２の膜
２６ 共通電極
２６ａ，２６ｂ 共通電極配線
２７ 画素電極
２８ 走査線
２９ 金属膜
２９ａ 第１の金属層
２９ｂ 第２の金属層
３０ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
３０ａ ドレイン電極
３０ｂ ソース電極
３０ｃ 自段のゲート電極
３０ｄ 前段のゲート電極
３２ ａ−Ｓｉ膜
３３ ｎ⁺ ａ−Ｓｉ膜
３９ａ 共通電極用コンタクトホール
３９ｂ，３９ｃ 画素電極用コンタクトホール
３０ｄ 前段のゲート電極
４１ 島状アモルファスシリコン
４２ａ 自段のゲート電極近傍のデータ線層の画素電位膜
４２ｂ 前段のゲート電極近傍のデータ線層の画素電位膜
４３ 接続電極
４４ａ，４４ｂ 接続電極用コンタクトホール
４５ 第３の層間絶縁膜
４６ ＩＴＯ
４７ 第４の層間絶縁膜

Claims (15)

1. 能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層とからなる液晶表示装置であって、前記能動素子基板は、少なくともゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続されており、前記画素電極と前記共通電極の間に印加される前記能動素子基板の表面に略平行な電界により前記液晶層の分子軸を前記能動素子基板に平行な面内において回転させることにより表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、１つの画素内に不透明材料からなる前記共通電極配線が独立して２本配置され、１本の共通電極配線は自段の走査線に隣接して配置され、他方の共通電極配線は前段の走査線に隣接して配置されており、前記各共通電極配線上に前記データ線と同一層の画素電位膜が層間膜を挟んで重畳されて表示状態を安定化させるための蓄積容量が形成されており、単位画素当たりにそれぞれ形成されて前段の走査線近傍の共通電極配線に重畳される画素電位膜と自段の走査線近傍の共通電極配線に重畳される画素電位膜は、透明電極からなる画素電極により相互に接続されていることを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
2. 能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層とからなる液晶表示装置であって、前記能動素子基板は、少なくともゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続されており、前記画素電極と前記共通電極の間に印加される前記能動素子基板の表面に略平行な電界により前記液晶層の分子軸を前記能動素子基板に平行な面内において回転させることにより表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、１つの画素内に不透明材料からなる前記共通電極配線が独立して２本配置され、１本の共通電極配線は自段の走査線に隣接して配置され、他方の共通電極配線は前段の走査線に隣接して配置されており、前記各共通電極配線上に前記データ線と同一層の画素電位膜が層間膜を挟んで重畳されて表示状態を安定化させるための蓄積容量が形成されており、単位画素当たりにそれぞれ形成されて前段の走査線近傍の共通電極配線に重畳される画素電位膜と自段の走査線近傍の共通電極配線に重畳される画素電位膜は、前記液晶層から最も遠い導電層で形成された接続電極により相互に接続されていることを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
3. 前記データ線と前記共通電極との層間に形成される層間絶縁膜が無機膜単層であることを特徴とする請求項１に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
4. 前記対向基板には、前記単位画素に対応する色層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
5. 前記対向基板には、前記単位画素に対応する色層が形成されていないことを特徴とする請求項１に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
6. 前記接続電極は前記共通電極配線及び前記走査線と同一層に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
7. 前記共通電極配線と前記走査線は異なる層に形成されており、前記接続電極は前記共通電極配線と同一層に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
8. 前記単位画素当たりの２つの画素電位膜は、前記データ線の延伸方向と略平行な方向に離れて配置され、配置されたそれぞれの領域においてコンタクトホールを介して前記画素電極または接続電極に接続されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
9. 前記共通電極及び画素電極はそれぞれ透明電極から成り、前記データ線より前記液晶層に近い層上に形成されており、前記走査線近傍を除いて、前記データ線は絶縁膜を挟んで前記共通電極によって完全に覆われており、前記共通電極は各々の画素ごとにコンタクトホールを介して前記共通電極配線に接続されており、前記データ線が前記共通電極によって完全に覆われた領域においては、前記データ線に対向する位置の前記対向基板に配されたブラックマトリクスの幅は前記データ線を覆うように形成された前記共通電極の幅よりも小さい幅を有するように形成されており、前記データ線を覆う共通電極と、これに隣接する前記画素電極の間には平面上において遮光膜が存在しないように形成されていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
10. 前記画素電極と前記共通電極は同一層に形成されることを特徴とする請求項９に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
11. 前記画素電極と共通電極は、絶縁膜を介して異なる層に形成されることを特徴とする請求項９に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
12. 絶縁膜を介して異なる層に形成される前記画素電極と前記共通電極は、前記共通電極が前記液晶層に配向膜を介して接することを特徴とする請求項１１に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
13. 前記共通電極は、前記走査線、データ線、共通電極配線の少なくとも一つに電気信号を入力する配線端子部を構成する導電材料と同一層に形成されることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
14. 前記画素電極と共通電極は、少なくとも下地の共通電極配線及びデータ線に乗り上げるもしくは乗り越える領域においては局所的に電極幅が太いことを特徴とする請求項１３に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
15. 前記画素電極と共通電極の材料は、ＩＴＯもしくはＩＺＯであることを特徴とする請求項１乃至６に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。

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