JP7390895B2 - アレイ基板、表示パネルおよび表示装置 - Google Patents
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Description
本出願は、2018年10月25日に中国特許局へ提出され、出願番号が201811255929.3である中国特許出願を基礎とする優先権を主張しており、当該出願の開示内容をすべて、引用方式で本明細書に組み込んでいる。
ベース基板と、
ベース基板上に設けられたデータ線及び共通電極線と、
ベース基板上に設けられ、両方ともに前記データ線及び前記共通電極線と交差してサブ画素を画定する第1のゲート線及び第2のゲート線と、を含み、
前記サブ画素は、
ベース基板上に設けられた画素電極と、
画素電極の前記ベース基板から遠い側に設けられた共通電極と、
画素電極と共通電極との間に設けられた絶縁層と、を含み、
前記共通電極は、複数のスリットを含み、前記スリットの延在方向は、前記データ線の延在方向と同じであることを特徴とするアレイ基板が提供される。
前記複数のスリットは、前記共通電極線に近い第2のスリットを含み、前記画素電極は、前記共通電極線に近い第2の側面を含み、前記画素電極の第2の側面の前記ベース基板上への正投影は、前記第2のスリットの前記ベース基板上への正投影内に位置する。
前記画素電極の第2の側面の前記ベース基板上への正投影は、前記第2のスリットの前記ベース基板上への正投影の前記共通電極線に垂直な方向における中間位置に位置する。
前記画素電極は、前記第2のゲート線に近い第4の側面を含み、前記画素電極の第4の側面の前記ベース基板上への正投影は、前記複数のスリットの前記ベース基板上への正投影と部分的に重なる。
前記遮光部は、前記薄膜トランジスタのゲートと同一の層に位置する。
前記第1のデータ線部分は、前記第1のスリット部分と平行であり、前記第2のデータ線部分は、前記第2のスリット部分と平行である。
同一行の複数のサブ画素のうち、奇数列のサブ画素は、前記第1のゲート線に接続され、偶数列のサブ画素は、前記第2のゲート線に接続されている。
2 共通電極
3 絶縁層
4 画素電極
10 ベース基板
20 共通電極
30 絶縁層
31 絶縁層
32 絶縁層
40 画素電極
41 電極部
42 スリット
50 遮光部
60 ゲート駆動回路
141 導電プラグ
142 導電プラグ
150 アレイ基板
152 対向基板
154 液晶層
160 表示装置
201 電極部
202 スリット
202A スリット
202A1 側面
202A2 側面
202B スリット
202B1 側面
202B2 側面
205 接続部
301 絶縁層
302 絶縁層
401 側面
402 側面
403 側面
404 側面
501 側面
502 側面
1521 ベース基板
1522 ブラックマトリックス
2021 スリット部分
2022 スリット部分
Claims (19)
- ベース基板と、
ベース基板上に設けられたデータ線及び共通電極線と、
ベース基板上に設けられ、両方ともに前記データ線及び前記共通電極線と絶縁交差してサブ画素を画定する第1のゲート線及び第2のゲート線と、を含み、
前記サブ画素は、
ベース基板上に設けられた画素電極と、
画素電極の前記ベース基板から遠い側に設けられた共通電極と、
画素電極と共通電極との間に設けられた絶縁層と、を含み、
前記共通電極は、複数のスリットを含み、前記スリットの延在方向は、前記データ線の延在方向と同じであり、
前記複数のスリットは、前記データ線に最も近い第1のスリットを含み、前記画素電極は、前記データ線に近い第1の側面を含み、前記画素電極の第1の側面の前記ベース基板上への正投影は、前記第1のスリットの前記ベース基板上への正投影内に位置し、
前記サブ画素は遮光部をさらに含み、前記遮光部の前記ベース基板上への正投影は、前記データ線の前記ベース基板上への正投影と前記画素電極の前記ベース基板上への正投影との間に位置する
ことを特徴とするアレイ基板。 - 前記複数のスリットは、前記共通電極線に最も近い第2のスリットを含み、前記画素電極は、前記共通電極線に近い第2の側面を含み、前記画素電極の第2の側面の前記ベース基板上への正投影は、前記第2のスリットの前記ベース基板上への正投影内に位置する
ことを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板。 - 前記画素電極の第1の側面の前記ベース基板上への正投影は、前記第1のスリットの前記ベース基板上への正投影の前記データ線に垂直な方向における中間位置に位置する;及び/又は、
前記画素電極の第2の側面の前記ベース基板上への正投影は、前記第2のスリットの前記ベース基板上への正投影の前記共通電極線に垂直な方向における中間位置に位置する
ことを特徴とする請求項2に記載のアレイ基板。 - 前記画素電極は、前記第1のゲート線に近い第3の側面を含み、前記画素電極の第3の側面の前記ベース基板上への正投影は、前記複数のスリットの前記ベース基板上への正投影と部分的に重なる;及び/又は、
前記画素電極は、前記第2のゲート線に近い第4の側面を含み、前記画素電極の第4の側面の前記ベース基板上への正投影は、前記複数のスリットの前記ベース基板上への正投影と部分的に重なる
ことを特徴とする請求項3に記載のアレイ基板。 - 前記共通電極の前記ベース基板上への正投影は、前記共通電極線の前記ベース基板上への正投影と少なくとも部分的に重なる
ことを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のアレイ基板。 - 前記アレイ基板は複数の前記サブ画素を含み、前記複数のサブ画素のうち同一行に位置する少なくとも2つのサブ画素がそれぞれ前記共通電極線の両側に位置し、
前記共通電極線の一方側に位置するサブ画素の共通電極および前記共通電極線の他方側に位置するサブ画素の共通電極のうちいずれかの前記ベース基板上への正投影は、前記共通電極線の前記ベース基板上への正投影と少なくとも部分的に重なる
ことを特徴とする請求項5に記載のアレイ基板。 - 前記アレイ基板は、前記共通電極線の一方側に位置するサブ画素の共通電極と前記共通電極線の他方側に位置するサブ画素の共通電極とを接続する接続部をさらに含み、前記接続部の前記ベース基板上への正投影は、前記共通電極線の前記ベース基板上への正投影と少なくとも部分的に重なり、かつ、前記接続部の前記共通電極線の延在方向に沿った寸法は、前記共通電極線の一方側に位置するサブ画素の共通電極および前記共通電極線の他方側に位置するサブ画素の共通電極のうちいずれかの前記共通電極線の延在方向に沿った寸法に等しい
ことを特徴とする請求項6に記載のアレイ基板。 - 前記ベース基板上への前記第1のスリットの正投影と、前記ベース基板上へのデータ線の正投影との間の距離は、前記ベース基板上への前記第2のスリットの正投影と前記ベース基板上への前記共通電極線の正投影との距離より大きく、かつ、前記ベース基板上への前記画素電極の第1の側面の正投影と前記ベース基板上へのデータ線の正投影との距離が、前記ベース基板上への前記画素電極の第2の側面の正投影と前記ベース基板上への前記共通電極線の正投影との距離よりも大きい
ことを特徴とする請求項2~4および6~7のいずれかに記載のアレイ基板。 - 前記遮光部は、前記データ線に近い第1の側面と前記データ線から遠い第2の側面とを含み、前記データ線は、前記遮光部に近い第1の側面を含み、前記遮光部の第1の側面の前記ベース基板上への正投影と前記データ線の第1の側面の前記ベース基板上への正投影との間の距離は、前記遮光部の第2の側面の前記ベース基板上への正投影と前記画素電極の第1の側面の前記ベース基板上への正投影との間の距離よりも小さい
ことを特徴とする請求項1~4および6~7のいずれかに記載のアレイ基板。 - 前記遮光部の第1の側面の前記ベース基板上への正投影は、前記データ線の第1の側面の前記ベース基板上への正投影と重なる
ことを特徴とする請求項9に記載のアレイ基板。 - 前記遮光部は、前記画素電極と同一の層に位置する
ことを特徴とする請求項1~4および6~7のいずれかに記載のアレイ基板。 - 前記サブ画素のデータ線の前記ベース基板上への正投影は、前記サブ画素の共通電極の前記ベース基板上への正投影と重ならない
ことを特徴とする請求項1~4および6~7のいずれかに記載のアレイ基板。 - ゲートを有する薄膜トランジスタをさらに含み、
前記遮光部は、前記薄膜トランジスタのゲートと同一の層に位置する
ことを特徴とする請求項1~4および6~7のいずれかに記載のアレイ基板。 - 前記データ線は、第1のデータ線部分と第2のデータ線部分とを含み、前記第1のデータ線部分と前記第2のデータ線部分とが交差し、
1つの前記スリットは、第1のスリット部分と第2のスリット部分とを含み、前記第1のスリット部分と前記第2のスリット部分とが交差し、
前記第1のデータ線部分は、前記第1のスリット部分と平行であり、前記第2のデータ線部分は、前記第2のスリット部分と平行である
ことを特徴とする請求項1~4、6~7および9~13のいずれかに記載のアレイ基板。 - 前記アレイ基板は、複数の前記サブ画素を含み、
同一行の複数のサブ画素のうち、奇数列のサブ画素は、前記第1のゲート線に接続され、偶数列のサブ画素は、前記第2のゲート線に接続されている
ことを特徴とする請求項1~4、6~7および9~13のいずれかに記載のアレイ基板。 - 前記画素電極は、面状電極である
ことを特徴とする請求項1~4、6~7および9~13のいずれかに記載のアレイ基板。 - 前記データ線と前記共通電極線とは同一層で離間して設けられ、前記共通電極線は第1の導電プラグを介して前記共通電極と電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板。 - 前記遮光部は、第2の導電プラグを介して前記共通電極と電気的に接続されている。
ことを特徴とする請求項11に記載のアレイ基板。 - ベース基板と、
ベース基板上に設けられたデータ線及び共通電極線と、
ベース基板上に設けられ、両方ともに前記データ線及び前記共通電極線と交差してサブ画素を画定する第1のゲート線及び第2のゲート線と、を含み、
前記サブ画素は、
ベース基板上に設けられた画素電極と、
画素電極の前記ベース基板から遠い側に設けられた共通電極と、
画素電極と共通電極との間に設けられた絶縁層と、を含み、
前記共通電極は、複数のスリットを含み、前記スリットの延在方向は、前記データ線の延在方向と同じであり、
前記複数のスリットは、前記共通電極線に最も近い第2のスリットを含み、前記画素電極は、前記共通電極線に近い第2の側面を含み、前記画素電極の第2の側面の前記ベース基板上への正投影は、前記第2のスリットの前記ベース基板上への正投影内に位置し、
前記サブ画素は遮光部をさらに含み、前記遮光部の前記ベース基板上への正投影は、前記データ線の前記ベース基板上への正投影と前記画素電極の前記ベース基板上への正投影との間に位置する
ことを特徴とするアレイ基板。
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