JP2003207803A - 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造コストを上げることなく、製造歩留りを
向上した高透過率のＩＰＳ（横電界方式）の液晶表示装
置を提供する。 【解決手段】 透明材料からなる画素電極２７及び共通
電極２６により横電界駆動する液晶表示装置において、
走査線２８を挟んで２本の共通電極配線２６ａ，２６ｂ
を配置し、各共通電極配線２６ａ，２６ｂにおいて層間
絶縁膜を挟んで画素電極電位である画素電位膜４２ａ，
４２ｂを重畳して蓄積容量部を形成する。自段のゲート
電極近傍の画素電位膜４２ａと前段のゲート電極近傍の
画素電位膜４２ｂとをコンタクトホール３９ｂ，３９ｃ
を介して画素電極２７で接続し、この画素電極２７を橋
渡しとして両方の画素電位膜４２ａ，４２ｂにＴＦＴ３
０からの電位を入力する構成とする。両画素電位膜４２
ａ，４２ｂにより蓄積容量が増大でき、その一方で開口
率の低下が防止され、高透過率のＩＰＳの液晶表示装置
が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置、特
に、横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜電界効果型トランジスタ（Thin Fil
m Transistor：以下、ＴＦＴと記す）を画素のスイッチ
ング素子として用いるアクティブマトリクス型液晶表示
装置（以下、ＡＭＬＣＤと記す）は高品位の画質を有
し、携帯型コンピュータの表示デバイスあるいは最近で
は省スペースのデスクトップコンピュータのモニターと
して幅広く用いられている。ＡＭＬＣＤの種類には大き
く区分して、配向した液晶分子の分子軸の方向（「ディ
レクタ」と呼ばれる）を基板に対して直交する面内にお
いて回転させ、表示を行う形式のものと、基板に対して
平行な面内において回転させ、表示を行う形式のものが
ある。前者の代表例がＴＮ（Twisted Nematic ：ねじれ
ネマティック）モードの液晶表示装置であり、後者はＩ
ＰＳ（In-Plane Switching）モード（横電界方式）の液
晶表示装置と呼ばれる。ＩＰＳモードの液晶表示装置
は、基本的には視点を動かしても液晶分子の短軸方向の
みを見ていることになるため、液晶分子の「立ち方」の
視野角に対する依存性がなく、ＴＮモードの液晶表示装
置よりも広い視野角を達成することができる。このた
め、ＩＰＳモードのＬＣＤは、大型用途に用いられるこ
とが多い。

【０００３】一方で、従来のＩＰＳモードのＬＣＤは、
液晶を挟持する２枚の透明基板のいずれか一方に、走査
線及びデータ線のいずれかからなる不透明材料からなる
液晶を駆動するための電極が形成されるため、これら電
極によって開口率が低くなり、これに伴い透過率が低い
といった問題点を有している。そのため、透過率向上検
討がなされてきた。高開口率化の手法の一つとして、特
許第３１２３２７３号公報に開示された技術がある（以
下、従来例１と呼ぶ）。従来例１においては、「信号配
線の液晶層に面する部分の一部が絶縁物を介して導電体
で覆われており、前記導電体が、前記液晶に対して主と
して基板面に平行な電界を印加する電極の一方であるソ
ース電極あるいは共通電極と電気的に接続されている」
ことが特徴である。このようにすることにより、共通電
極で信号線の電界を遮蔽することができ、画素の有効表
示領域を広げることができるので、画素の開口率ひいて
は光利用効率を高めることができる。また、特開平９−
７３１０１号公報において開示されている技術として、
液晶を駆動する電極を透明材料化することで、光利用効
率をさらに高めることができるとしている。

【０００４】ところで、ＡＭＬＣＤの場合、その動作モ
ードに関わらず、ＴＦＴを介して誘電体である液晶に所
望の電荷を書きこみ、書きこまれた電荷から生ずる電界
によって、液晶配向を制御することで、外部光の透過強
度を制御して表示動作させることが基本原理である。Ｔ
ＦＴを介して書きこまれた電荷は、次のタイミングで新
たな電荷を書きこむまで（１フレーム内）は、書きこま
れた電荷（すなわち電界）を保持することが理想である
が、液晶は誘電率異方性を有するため、電界に応じて液
晶が回転し、ＴＦＴを介して書きこまれた電荷による電
界の低下が発生する（以下、誘電緩和と呼ぶ）。この誘
電緩和による電界低減は、液晶容量に対してある比率を
有する蓄積容量を形成することで、ＴＦＴがオン状態に
なったときに書きこむ電荷量を増大させ、誘電緩和が発
生しても蓄積容量に書きこんだ電荷を液晶容量に分散さ
せることで抑制している。

【０００５】また、蓄積容量を設けることも考えられて
おり、この蓄積容量は、ＴＦＴのゲートスイッチがオン
状態からオフ状態に変化した際に発生する画素電圧低下
（一般に、フィードスルー量△Ｖｐと称する）抑制に対
しても効果的があることから、フリッカ対策としても取
り入れられている。このフィードスルーが発生する原因
は、ＴＦＴのゲート・ソース間の寄生容量Ｃｇｓであ
り、ゲートパルスがオンになったときに液晶容量Ｃｌ
ｃ、蓄積容量Ｃｓｃに充電された各電荷が、ゲートパル
スがオフになった瞬間に各々の容量に再分配されること
に起因する。横方向電界駆動方式は、ＴＮ方式における
カラーフィルター形成基板上の透明電極が存在しないた
め、ピクセル電極とコモン電極により発生した電気力線
は色層内部を通過する。すなわち、横方向駆動方式にお
けるフィードスルー△Ｖｐは、色層容量Ｃｃｏｌｏｒの
関数にもなる。フィードスルー量ΔＶｐは次式で表され
る。 △Ｖｐ＝ Ｃgs／（Ｃgs＋Ｃsc＋Ｃlc＋Ｃcolor ）×
（Ｖｇon−Ｖｇoff ） 以上から、ＩＰＳモードのＬＣＤにおいても、蓄積容量
Ｃｓｃを大きくすることはＡＭ−ＬＣＤ動作の上で必要
である。

【０００６】一方で、ＩＰＳモードのＬＣＤにおける蓄
積容量の付与は、固定電位の金属膜と画素電極との間に
層間絶縁膜を挟んで形成するが、一般に蓄積容量は２つ
の手法で形成される。一つはコモンストレージ法であ
り、他方はゲートストレージ法である。後者は、前段の
走査線と画素電極との間に蓄積容量を形成することを指
すが、走査線と画素電極間の蓄積容量が走査線信号への
負荷になることによって、ゲート線信号が信号遅延を引
き起こし、パネル面内におけるパネル透過率バラツキと
なりやすいため、一般に大型ＬＣＤにおいてはコモンス
トレージが好んで使用される。コモンストレージ法は、
共通電極と画素電極との間に蓄積容量を形成手法である
が、ＩＰＳモードのＬＣＤの場合、必然的に単位画素内
に櫛歯状共通電極が配置されることから、共通電極に対
する蓄積容量付与をしやすいこと、また走査線に対する
負荷がないので走査線信号遅延も起こりにくいことか
ら、一般に大型ＬＣＤにおいてはコモンストレージが好
んで使用される。

【０００７】ここでＬＣＤに形成される共通電極配線と
データ線は、大型ＬＣＤの場合に関しては、以下の理由
により不透明材料から構成される。共通電極配線は共通
電極電位遅延を防止するために、例えばクロム、チタ
ン、モリブデン、タングステン、アルミなどの単層や、
これらの金属の積層構造といった低抵抗配線材料を用い
る必要がある。これらの配線材料は不透明材料であるた
め、共通電極配線が占める面積は開口部として機能せ
ず、光透過に寄与しない。また、ＴＦＴの製造工程数の
増加を避けて、走査線と同一工程・同一材料にて共通電
極配線を形成する場合、走査線及び共通電極配線の配線
抵抗を下げる目的及びＴＦＴのバックチャネルを外光か
ら保護する目的で、低抵抗かつ不透明の配線材料を使用
する必要がある。この場合も共通電極配線が占める面積
は開口部として機能せず、光透過に寄与しない。さら
に、データ線についても走査線と同様に、配線抵抗を低
減する目的で、低抵抗かつ不透明の配線材料を使用する
必要がある。

【０００８】また、別な問題として、データ線信号によ
る電界を開口部の液晶に与えないようにするために、デ
ータ線を覆うように共通電極を形成すると、データ線と
共通電極との間の寄生容量が大きくなり、データ線信号
遅延が生じ易くなる。データ線信号遅延を防止するに
は、データ線と共通電極との間の寄生容量を小さくする
必要があるが、そのためデータ線とデータ線をシールド
する共通電極間に、低誘電率の層間膜を形成するか、高
誘電率の層間膜を厚く形成することにより、達成でき
る。そのため、ＬＣＤの表示を安定させるための十分大
きな蓄積容量は、データ線層とデータ線をシールドする
共通電極層との間において形成することはできず、共通
電極配線層とデータ線層との間に蓄積容量を形成する必
要があった。この場合、蓄積容量を増大させるには、共
通電極配線層とデータ線層との間の層間膜を薄膜化する
ことも一つの手段であるが、配線同士の電気的短絡によ
る歩留まり低下の確率が増大すること、ＴＦＴのスイッ
チ特性に影響を与えるというデメリットがあるため、Ｔ
ＦＴアレイとしては、走査線を挟んで２本の共通電極配
線を形成して蓄積容量面積を大きくすることが最も効果
的である。

【０００９】さらに別な問題として、ＩＰＳ−ＬＣＤに
おいては、図２２に示すように、共通電極と画素電極に
囲まれた縦長の領域をコラムと称するが、コラム終端に
おいては、液晶に印加される電界方向は複雑になるた
め、所望の方向に回転する液晶領域と、所望の方向とは
逆方向に回転する液晶領域の２つ液晶領域が形成される
現象が生じやすい。また、所望の方向とは逆方向に回転
する液晶領域は、正常に回転する液晶領域と比較して、
強電界を印加しないと液晶が回転しないため、この逆方
向に回転する液晶領域が発生している面積分はパネル透
過率にあまり寄与できず、パネル透過率を下げてしまう
という問題点があった。さらに、上記２つの領域の境界
は電界強度に依存なく液晶は殆ど回転しないため、領域
境界は単位画素内に発生する割合だけ、パネル透過率を
低下させてしまっていたため、高透過率を有するＩＰＳ
モードのＬＣＤにおいては、単位画素内において所望の
方向とは逆方向に回転する液晶領域を形成しない工夫が
必要であった。

【００１０】この液晶回転領域発生を防止する技術が特
許第２９７３９３４号公報（以下、従来例３と呼ぶ）に
おいて開示されている。この従来例３で記載されている
技術は、液晶を駆動するための電極（すなわち画素電極
と共通電極）を張り出す／引っ込める凹凸構造とするこ
とで、液晶に印加する電界を制御するものである。

【００１１】このように、コラム終端での複雑な電界方
向を規定するため、及び走査線電位をシールドするた
め、走査線を共通電極配線で挟む（すなわち単位素子当
たりに２本の共通電極配線を形成する）ことは、走査線
信号の漏れ電界による液晶の配向乱れ及び液晶の逆回転
を防止し、ＬＣＤとしての信頼性を向上させるために必
要であった。このようなことから、共通電極配線を単位
画素当たりに２本形成することで、ＬＣＤの表示を安定
化する蓄積容量も単位画素当たりに少なくとも２ヶ所に
形成することができるようにし、さらなる大きな蓄積容
量をとることができる。ここで、単位画素内において蓄
積容量が２箇所以上に分離されると、それぞれの部位が
蓄積容量として機能するためには、蓄積容量のデータ線
と同層の画素電位膜を共通配線に対して形成し、これら
の画素電位膜をＴＦＴを介して入力される画素電位と等
電位とする必要があった。

【００１２】このような２箇所の蓄積容量を構成する画
素電位膜を相互に電気接続して所定の電位に接続するた
めに両画素電位膜を導電層の一部を利用して相互に接続
する構成を採用すると、次のような問題が生じることが
判明した。

【００１３】第１は、２箇所の蓄積容量を構成する画素
電位膜を相互に接続する電位膜がデータ線と同層の金属
膜で形成され、この金属膜と画素電極が液晶セルのセル
厚方向に重畳されると、これらが重畳されている領域に
おいては、画素電極上の液晶が電界により回転しても、
その部分はパネル透過率に寄与できないため、全体とし
てのパネル透過率が低下するという問題点があった。

【００１４】第２は、液晶に印加する横電界は画素電極
と画素電位膜が積層している領域においては、２つの画
素電位膜をつなぐ金属膜と画素電極が異なる層から形成
されるため、それぞれをパターン化する際の層間の重ね
ずれが生じた場合に、画素電極電位となっている面積が
増加し、実効的な開口率を低下させ、透過率が下がると
いう問題点があった。

【００１５】第３は、２つの画素電位膜をつなぐ金属膜
が画素電極の下層に配置された櫛歯電極間においては、
電界が局所的に強くなり、単位素子内で電界強度がばら
つくことで、全白表示をした際の輝度が低下するという
問題点があった。

【００１６】その他、透明材料で構成される画素電極及
び共通電極の電極形状は、エッチングをする際に、下地
金属（走査線層及びデータ線層）の段差により、局所的
な電極断線が生じ、電極パターンに断線が生じること
で、部分的に液晶に横電界が印加されない表示不良が発
生することといった歩留まりを低下させる原因となって
いた。

【００１７】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであり、更なる高透過率を有するＩＰＳ型液晶表
示装置を製造し、かつその製造歩留まりを向上させるこ
とを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明は、画素電極と共
通電極の間に印加される能動素子基板の表面に略平行な
電界により液晶層の分子軸を能動素子基板に平行な面内
において回転させることにより表示を行う横電界方式の
アクティブマトリクス型液晶表示装置において、走査線
を挟んで共通電極配線が形成されており、各共通電極配
線毎にデータ線と同一層の画素電位膜が層間膜を挟んで
重畳されて表示状態を安定化させるための蓄積容量が形
成されており、単位画素当たりにぞれぞれ形成される、
前段の走査線近傍の共通電極配線に重畳される画素電位
膜と自段の走査線近傍の共通電極配線に重畳される画素
電位膜は、透明電極からなる画素電極により相互に接続
されていることを特徴とする。

【００１９】ここで、データ線と共通電極との層間に形
成される層間絶縁膜が無機膜単層であることが好まし
い。また、能動素子基板と液晶層を介して対向配置され
る対向基板には、単位画素に対応する色層が形成されて
おり、あるいは形成されていない構成とする。

【００２０】また、本発明は、画素電極と共通電極の間
に印加される能動素子基板の表面に略平行な電界により
液晶層の分子軸を能動素子基板に平行な面内において回
転させることにより表示を行う横電界方式のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置において、走査線を挟んで前
記共通電極配線が形成されており、各共通電極配線毎に
データ線と同一層の画素電位膜が層間膜を挟んで重畳さ
れて表示状態を安定化させるための蓄積容量が形成され
ており、単位画素当たりにぞれぞれ形成される、前段の
走査線近傍の共通電極配線に重畳される画素電位膜と自
段の走査線近傍の共通電極配線に重畳される画素電位膜
は、液晶層から最も遠い導電層で形成された接続電極に
より相互に接続されていることを特徴とする。

【００２１】ここで、接続電極は共通電極配線及び走査
線と同一層に形成される。あるいは、共通電極配線と走
査線は異なる層に形成されており、接続電極は共通電極
配線と同一層に形成される。

【００２２】さらに、本発明は前記本発明の横電界方式
のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、共通
電極及び画素電極はそれぞれ透明電極から成り、データ
線より液晶層に近い層上に形成されており、走査線近傍
を除いてデータ線は絶縁膜を挟んで共通電極によって完
全に覆われており、共通電極は各々の画素ごとにコンタ
クトホールを介して共通電極配線に接続されており、デ
ータ線が共通電極によって完全に覆われた領域において
は、データ線に対向する位置の対向基板に配されたブラ
ックマトリクスの幅はデータ線を覆うように形成された
共通電極の幅よりも小さい幅を有するように形成されて
おり、データ線を覆う共通電極と、これに隣接する画素
電極の間には平面上において遮光膜が存在しないように
形成されていることが好ましい。

【００２３】本発明によれば、特定の櫛歯間隔の液晶の
み強電界が印加されることによる白輝度低下を防止で
き、高透過率を有する横電界方式のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置を製造することができる。

【００２４】なお、本発明においては次の形態とするこ
とが好ましい。すなわち、画素電極と共通電極は同一層
に形成される。あるいは画素電極と共通電極は、絶縁膜
を介して異なる層に形成される。異なる層に形成するこ
とにより、液晶表示装置の製造に関して製造プロセスは
増加するが、画素電極と共通電極の配置に関する自由度
が上がり、更なる高透過率を有する横電界方式のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を製造することができ
る。

【００２５】また、画素電極と共通電極は、共通電極が
前記液晶層に配向膜を介して接する構成とすることによ
り、データ線とデータ線をシールドする共通電極との間
の寄生容量を小さくでき、データ線信号遅延を防止でき
るため、高開口率でかつ更なる表示均一化を有する横電
界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を製造す
ることができる。

【００２６】さらに、共通電極は、走査線、データ線、
共通電極配線の少なくとも一つに電気信号を入力する配
線端子部を構成する導電材料と同一層に形成することに
より、液晶表示装置の製造に関してプロセス増加無しに
高透過率を有する横電界方式のアクティブマトリクス型
液晶表示装置を製造することができる。

【００２７】さらに、画素電極と共通電極は、少なくと
も下地の共通電極配線及びデータ線に乗り上げるもしく
は乗り越える領域においては局所的に電極幅が太い構成
とすることにより、透明電極の局所的な断線を防止でき
るため、高透過率でかつ製造歩留まりの高い横電界方式
のアクティブマトリクス型液晶表示装置を製造すること
ができる。

【００２８】また、画素電極と共通電極の材料を、ＩＴ
ＯもしくはＩＺＯとすることにより、配向膜を介して液
晶駆動電極が液晶と接しても電気化学的に安定な材料を
用いることができるため、画素電極と共通電極が透明と
なり、液晶を駆動する櫛歯電極の上層に位置する液晶を
電界制御することで、高透過率を有する横電界方式のア
クティブマトリクス型液晶表示装置を製造することがで
きる。

【００２９】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）次に、本発明
の実施形態を図面を参照して説明する。図１〜図４に本
発明の第１の実施形態に係る横電界方式のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置を示す。図１は液晶表示装置１
を構成する能動素子基板の平面図、図２は図１のＦ−
Ｆ’線における箇所の液晶表示装置１１１の断面図であ
る。これらの図において、液晶表示装置１は、能動素子
基板１１と、対向基板１２と、前記能動素子基板１１と
対向基板１２との間に挟まれた状態で保持されている液
晶層１３を備えている。また、前記能動素子基板１１と
対向基板１２の各外側面にはそれぞれ偏光板１４，２１
を備えている。なお、本明細書では、前記能動素子基板
１１及び対向基板１２において、液晶層１３により近い
層を上側、液晶層１３からより遠い層を下側と称するこ
とにする。

【００３０】前記対向基板１２は、ガラス等の透明な絶
縁性基板からなる第２の透明基板１６の上面に複数の画
素領域を区画するための遮光膜としてのブラックマトリ
クス１７と、各画素領域に形成されるとともに、周辺部
において前記ブラックマトリクス１７に重なりあってい
る色層１８と、前記ブラックマトリクス１７と色層１８
の上に形成された透明なオーバーコート層からなる平坦
化膜１９から形成されている。前記色層１８は、赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の染料または顔料を含む
樹脂膜からなっている。また、液晶表示パネル表面から
の接触等による帯電が液晶層１３へ電気的な影響を与え
ることを防止するために、前記第２の透明基板１６の下
面には、透明な導電層１５が形成されている。

【００３１】前記能動素子基板１１は、同様な透明絶縁
性基板からなる第１の透明基板２２上に、第１の金属層
により形成される走査線２８、ゲート電極３０ｃ及び共
通電極配線２６ａ，２６ｂと、その上層に形成された第
１の層間絶縁膜２３と、前記第１の層間絶縁膜２３の上
層の前記ゲート電極を覆う領域に形成された島状の非晶
質（アモルファス）シリコン膜４１と、第２の金属層に
より形成されるデータ線２４、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ：Thin Film Transistor) ３０のソース電極３０ｂ、
及びドレイン電極３０ａと、この上に形成されて第２の
層間絶縁膜２５を構成する第１の絶縁膜２５ａ及び第２
の絶縁膜２５ｂと、その上に透明電極材料により形成さ
れた共通電極２６及び画素電極２７とを有する。

【００３２】さらに、前記能動素子基板１１と対向基板
１２とは、それぞれの上面に配向膜３１、配向膜２０を
配し、図１に示すように画素電極２７および共通電極２
６の延伸方向から、１０乃至３０°程度の角度を傾けた
所定の方向に液晶層１３がホモジニアス配向するように
ラビング処理がなされた後に、相互に対向配置される。
この角度を液晶分子の初期配向方位と言う。そして、前
記能動素子基板１１と対向基板１２とは、液晶層１３の
厚みを保持するためのスペーサー（図示せず）によって
前記配向膜３１，２０を所要間隙で対向した状態で、し
かも周囲をシール（図示せず）で囲った状態で貼り合わ
されており、この囲まれた間隙内に液晶が密封状態に充
填されて前記液晶層１３が形成されている。

【００３３】次に、前記能動素子基板１１の構成につい
て詳細に説明する。図３（ａ）は前記第１及び第２の金
属層まで形成した時点での平面図、図３（ｂ）は透明電
極材料の層の平面図である。また、図４は図１のＡ−
Ａ’線〜Ｅ−Ｅ’線の各断面図であり、前記ＴＦＴ３０
（Ａ−Ａ’）、単位画素領域の一部（Ｂ−Ｂ’）、共通
電極用コンタクトホール３９ａ（Ｃ−Ｃ’）、画素電位
膜４２ｂのコンタクトホール３９ｃ（Ｄ−Ｄ’）、画素
電極２７の一部（Ｅ−Ｅ’）、並びに図１〜３には表れ
ない共通電極配線の外部コンタクト部（Ｇ）とデータ線
の外部コンタクト部の接続部（Ｈ）の各断面構造をそれ
ぞれ示したものである。図３（ａ）に示すように、能動
素子基板１１の上面には、クロム等の低抵抗な金属材料
からなる第１の金属層により、走査用信号が供給される
走査線２８と、図には表れない周辺部において基準電位
が供給される共通電極配線２６がＸ方向（図の左右方
向）に延びるように形成されている。前記走査線２８は
画素領域のＹ方向（図の上下方向）単位ごとに配列さ
れ、共通電極配線２６は走査線２８をＹ方向に挟み込む
形で配置されている。また、同様にクロム等の低抵抗な
金属材料からなる第２の金属層により、データ信号が供
給されるデータ線２４が画素領域のＸ方向単位毎に配列
される。また、この第２の金属層により、後述するよう
にＴＦＴ３０のドレイン電極３０ａ及びソース電極３０
ｂが形成されるとともに、各画素領域内においてそれぞ
れ自段の走査線２８とＹ方向に前段の画素の走査線に近
接配置してそれぞれ２つの画素電位膜４２ａ，４２ｂが
形成されている。以下、前者を自段の画素電位膜、後者
を前段の画素電位膜と称する。

【００３４】前記ＴＦＴ３０は走査線２８とデータ線２
４との交点の近傍に各画素に対応して設けられている。
前記走査線の一部でゲート電極３０ｃが形成されてお
り、このゲート電極３０ｃを覆う第１層間絶縁膜上にア
イランド状にアモルファスシリコン４１が形成され、そ
の上に前記データ線２４と同じ第２の金属層によってド
レイン電極３０ａと、ソース電極３０ｂとが形成されて
いる。したがって、ゲート電極３０ｃは走査線２８と一
体であり、ドレイン電極３０ａはデータ線２４に電気的
に接続される。また、ソース電極３０ｂは前記２つの画
素電位膜４２ａ，２ｂのうち、自段の走査線２８に近接
配置された側の画素電位膜４２ａと一体に形成される。

【００３５】前記第２の金属層の上には、第２の層間絶
縁膜２５が形成される。ここでは、図４に示すように、
第２の層間絶縁膜２５は下層の第１の絶縁膜２５ａと上
層の第２の絶縁膜２５ｂの積層構造として形成されてい
る。なお、この第２の層間絶縁膜２５はここでは１ない
し２μｍの膜厚を有しているが、無機膜または有機膜の
何れかからなる単層膜として構成することができる。勿
論、他の膜厚、膜材料で構成することも可能である。そ
して、前記第２の層間絶縁膜２５の上に、図３（ｂ）に
示すように、ＩＴＯ（Indium Tin Oxside ）からなる透
明電極材料によって共通電極２６及び画素電極２７が形
成される。共通電極２６はＸ方向及びＹ方向にマトリク
スに近い形状に形成されており、前記共通電極配線とデ
ータ線の上側に沿って配設される。特に、データ線２４
が走査線２８と交差する領域及びその近傍の領域を除い
て、データ線の上側ではデータ線２４を完全に覆うよう
に幅広に形成されている。なお、共通電極２６と画素電
極２７に囲まれた縦長の領域をコラムと言い、各コラム
に画素が対応している。また、各画素においては共通電
極２６と画素電極２７は何れも櫛歯形状をなしており、
各電極の櫛歯は何れもデータ線２４と平行に延びている
とともに、共通電極２６と画素電極２７の櫛歯が相互に
噛み合うように、かつ両者の櫛歯が相互に隔置されるよ
うに配置されている。その上で、前記共通電極２６は、
共通電極用コンタクトホール３９ａを介して、画素毎に
共通電極配線２６ａ，２６ｂに接続される。また、画素
電極２７は前記自段の画素電位膜４２ａ、すなわちＴＦ
Ｔ３０のソース電極３０ｂと前段の画素電位膜４２ｂに
それぞれ画素電極用コンタクトホール３９ｂ，３９ｃを
介して電気接続されている。なお、これらコンタクトホ
ールの形状、配置は図示のものに限定されるものではな
い。

【００３６】一方、対向基板１２においては、図２に示
したように、前記ブラックマトリクス１７は、データ線
２４と平面上において重なり合う領域においては、隣の
画素から漏れ出る光を遮光するために存在するため、前
述のようにデータ線２４を完全に覆っている共通電極２
６よりも幅狭にできており、共通電極２６を透過する光
を遮らないように構成されている。

【００３７】以上の構成の横電界方式の本液晶表示装置
１においては、走査線２８を介して供給される走査用信
号により選択され、かつ、データ線２４を介して供給さ
れるデータ信号が書き込まれた画素において、共通電極
２６と画素電極２７との間で、前記第１及び第２の透明
基板１６，２２に平行な電界を生じさせ、この電界に従
って液晶分子の配向方向を前記両透明基板１６，２２と
平行な平面内において回転させ、所定の表示が行われ
る。

【００３８】そして、本液晶表示装置１においては、共
通電極２６及び画素電極２７は透明材料からなるため、
共通電極２６が占める領域の分だけ透明領域が増えるこ
とになり、開口率の向上を図ることができる。また、第
１の層間絶縁膜２３の上には、データ線２４とともに、
共通電極配線に重畳する形で第２の金属層からなる画素
電位膜４２ａ，４２ｂが形成されているが、これら画素
電位膜４２ａ，４２ｂは、２つの目的で形成される。一
つは液晶容量と電気的に並列接続される大きな蓄積容量
を形成するため、もう一つは液晶が逆回転方向に回転す
ることを防止する構造を形成するためである。第２の金
属層からなる画素電位膜４２ａ，４２ｂは単位画素当た
りにデータ線２４が延伸する方向に、少なくとも２ヶ所
に分離されることになるが、自段のゲート電極３０ｃ近
傍に形成される画素電位膜４２ａは、ＴＦＴ３０の第２
の金属層からなるソース電極３０ｂと一体化することで
電位供給され、前段の走査線２８ａ近傍の画素電位膜４
２ｂは、コンタクトホール３９ｂを介して同電位となる
画素電極２７とコンタクトホール３９ｃを介して接続さ
れている。

【００３９】このように透明材料からなる画素電極２７
を橋渡しとして少なくとも２ヶ所の画素電位膜４２ａ，
４２ｂを相互に接続することにより、画素の平面図上の
上下両側にそれぞれ蓄積容量部を形成することができる
ため、蓄積容量を大きくとることができ表示を安定化す
ることができる。また、単位画素当たりの少なくとも２
ヶ所の蓄積容量部を透明材料からなる画素電極２７によ
り接続するため、画素電極での透過光を遮光することな
く、コラム毎の電界強度が一定になるため、更なる高透
過率を有するＩＰＳ型液晶表示を製造することができ
る。なお、画素電位膜４２ａ，４２ｂ及び共通電極配線
２６ａ，２６ｂの縁部の形状を凹凸形状とすることで、
液晶の逆回転方向の回転を防止することが可能になる。

【００４０】ここで、共通電極２６は前述したように、
データ線２４が走査線２８と交差する領域及びその近傍
の領域を除いてデータ線２４を完全に覆うように形成さ
れている。すなわち、データ線２４の幅をＬ（Ｄ）、共
通電極２６の幅をＬ（ＣＯＭ）とすると、 Ｌ（ＣＯＭ）＞Ｌ（Ｄ） であり、かつ、データ線２４の幅Ｌ（Ｄ）は共通電極２
６の幅Ｌ（ＣＯＭ）に包含される。なお、データ線２４
が走査線２８と交差する領域及びその近傍の領域は段差
が大きいので、ショート防止のためにこの領域では、共
通電極２６はデータ線２４を覆っていない。

【００４１】以上のように、本液晶表示装置１において
は、共通電極２６がデータ線２４を完全に覆っているた
め、データ線２４の電界を共通電極２６がシールドする
ことができる。このため、共通電極２６がデータ線２４
を完全に覆っていない場合に、この部分とこれに隣接す
る画素電極２７との間に電界が発生し、この部分で液晶
は誤動作し、共通電極２６と画素電極２７との間の電位
差で決まらない動きを行って縦クロストークの原因とな
るが、このような問題が解消できる。本液晶表示装置１
においては、ほとんどの領域で共通電極２６はデータ線
２４を完全に覆うように形成されているが、共通電極２
６はデータ線２４の両側においてそれぞれ１．５μｍ以
上の張り出し幅を有していることが好ましい。

【００４２】さらに、縦クロストークの発生が抑制され
ることに伴い、データ線２４からの漏れ電界に起因して
発生する表示不良を防止するためのブラックマトリクス
１７の形成は不要となる。従って、ブラックマトリクス
１７はコントラストの改善のためにのみ形成すればよい
こととなり、ブラックマトリクス１７の幅を短縮するこ
とが可能である。ブラックマトリクス１７の幅を小さく
することに伴い、本液晶表示装置１における開口率を大
きくすることができる。

【００４３】このように、データ線２４上のブラックマ
トリクス１７の幅は共通電極２６の幅よりも小さく設定
され、上方から見た場合の平面図上、データ線を覆う共
通電極２６とこれに隣接する位置にある画素電極２７と
の間にはいかなる遮光膜も存在していない。また、ブラ
ックマトリクス１７はデータ線２４よりも小さい幅を有
しており、その全領域においてデータ線２４と重なり合
っている。すなわち、データ線２４の幅をＬ（Ｄ）、ブ
ラックマトリクス１７の幅をＬ（ＢＭ）とすると、 Ｌ（Ｄ）＞Ｌ（ＢＭ） であり、かつ、平面図上、ブラックマトリクス１７の幅
Ｌ（ＢＭ）はデータ線２４の幅Ｌ（Ｄ）に包含される。
ブラックマトリクス１７がデータ線２４より小さい幅を
有することにより、データ線２４を覆う透明な共通電極
２６のはみだし部分からの透過光を全て利用することが
でき、パネル透過率をさらに向上させることができる。
因みに、本実施形態におけるブラックマトリクス１７は
６μｍの幅を有しているが、この幅寸法は６μｍに限定
されるものではなく、６μｍ以上の任意の幅を有するこ
とが望ましい。６μｍ未満の場合、データ線２４からの
反射が大きくなるため、明るい使用環境では見えにくく
なる。

【００４４】ここで、対向基板１２のブラックマトリク
ス１７の幅が充分広い場合は、誤動作領域を観察者に対
して遮光すればよいが、本実施形態のようにブラックマ
トリクス１７がデータ線２４を完全には覆っていない場
合は、データ線２４の下方に共通電極２６に接続された
遮光層を設け、バックライトからの光を遮光することに
よって、誤動作領域を観察者に対して遮光することがで
きる。この遮光層が共通電極２６に接続されていない
と、電位的に不安定となり、画素電極２７との間にＤＣ
電界を発生させてしまうか、もしくはクロストークなど
の誤動作の原因と成り得る。具体的には、走査線２８を
形成する第１の金属層で共通電極配線２６ａに接続され
た遮光層を形成する。共通電極配線２６ａ，２６ｂはコ
ンタクトホール３９ａによって共通電極２６と接続され
ているので、共通電極配線２６ａ，２６ｂを遮光層にす
ることもできる。遮光層としては、例えばクロム、チタ
ン、モリブデン、タングステン、アルミなどの単層や、
これらの金属の積層構造を用いることができる。積層構
造を用いることにより、さらに低抵抗化を図ることがで
きる。

【００４５】本液晶表示装置１における共通電極２６は
透明材料であるＩＴＯから形成されているため、前述の
ように本液晶表示装置１における透明領域が増大して開
口率を高めることができるが、ＩＴＯのシート抵抗は１
００Ω／□程度と大きいという不利な点がある。しかし
ながら、共通電極２６を画素ごとに共通電極配線２６ａ
または２６ｂに接続して横方向に接続することで、共通
電極２６の配線全体の抵抗を下げ、かつ冗長性を持たせ
る効果がある。このように、共通電極２６をＩＴＯで構
成することにより、他の金属から構成する場合と比較し
て、本液晶表示装置１０の信頼性を向上させることがで
きる。

【００４６】なお、共通電極２６は本液晶表示装置１の
端子を被覆する材料と同一材料から形成することができ
る。すなわち、図４のＧに示す共通電極用コンタクト部
のように端子を共通電極２６のＩＴＯと同じ層で構成す
ることができる。図４のＨに示すデータ線端子、及び図
には表れない走査線端子も同様に共通電極２６のＩＴＯ
と同じ層で形成することができる。これにより、共通電
極２６は本液晶表示装置１０の端子部と同じ工程で、か
つ同じ材料で形成することが可能となり、ひいては、共
通電極２６の形成のために工程数が増加することを防止
することができる。

【００４７】また、本液晶表示装置１においては、共通
電極２６と画素電極２７とは何れも第２の層間絶縁膜２
５上に形成されている。このように、共通電極２６と画
素電極２７とを同層上に形成することにより、共通電極
２６と画素電極２７とを同一工程において、かつ、同一
材料で形成することができるようになり、ひいては、製
造効率を向上させることができる。

【００４８】また、共通電極２６とデータ線２４との間
に存在する第２の層間絶縁膜２５の膜厚（ｄ）と誘電率
（ε）の除算ｄ／εを十分大きくとることにより、デー
タ線２４と共通電極２６との間の寄生容量を低減させる
ことができる。

【００４９】また、図１に示すように、透明材料からな
る画素電極２６と共通電極２７は、少なくともこれより
下層の共通電極配線層及びデータ線層に乗り上げるもし
くは乗り越える領域においては、局所的に電極幅を太く
形成している。これにより、透明電極の局所的な断線を
防止できるため、高透過率でかつ製造歩留まりの高い横
電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を製造
することができる。

【００５０】以上説明した第１の実施形態の液晶表示装
置１の製造方法を図５〜図６を参照して説明する。な
お、これらの図で示される各断面部分は、図４に示した
断面図と同じ箇所の断面部分である。先ず、図５（ａ）
において、第１の透明基板２２としてのガラス基板上に
第１の金属層としてクロム層からなるゲート電極３０ｃ
及び共通電極配線２６ａ，２６ｂをフォトリソグラフィ
及びドライエッチングによりパターニングし、形成す
る。次いで、ゲート電極３０ｃ及び共通電極配線２６
ａ，２６ｂを覆って、前記透明基板２２上に酸化シリコ
ン膜（ＳｉＯ２ ）と窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）との
積層膜から成る第１の層間絶縁膜２３を一面に形成す
る。次いで、ａ（アモルファス）−Ｓｉ膜３２とｎ型不
純物を高濃度に含むｎ⁺ ａ−Ｓｉ膜３３の積層膜から成
るアモルファスシリコン４１を第１の層間絶縁膜２３の
上に一面に形成する。次いで、図５（ｂ）のように、前
記アモルファスシリコン膜３２，３３をフォトリソグラ
フィ及びドライエッチングによりＴＦＴの島状半導体層
となるようにパターニングする。

【００５１】次いで、図５（ｃ）のように、前記透明絶
縁性基板２２上に第２の金属層としてクロム層を一面に
堆積させ、このクロム層をフォトリソグラフィー及びド
ライエッチングによりパターニングし、第２の金属層で
ＴＦＴ３０のドレイン電極３０ａ、ソース電極３０ｂ、
データ線２４を形成する。この際に、蓄積容量として機
能するように、単位画素当たりに少なくとも２箇所に分
離して画素電位膜４２ａ，４２ｂを形成する。これらの
画素電位膜４２ａ，４２ｂは共通電極配線２６ａ及び２
６ｂに対してそれぞれ第１の層間絶縁膜２３を挟みこむ
形で重畳されてパターン形成される。また、２箇所の画
素電位膜４２ａ，４２ｂのうち、自段のゲート電極３０
ｃ近傍に配置される画素電位膜４２ａは前記ソース電極
３０ｂと一体化されて形成され、前段のゲート電極３０
ｃ近傍に配置される画素電位膜４２ｂは孤立パターンと
して形成される。

【００５２】次いで、図６（ａ）のように、ドレイン電
極３０ａとソース電極３０ｂとの間の開口部において、
アモルファスシリコン４１の途中まで、ｎ⁺ 型ａ−Ｓｉ
膜３３及びａ−Ｓｉ膜３２をドレイン電極３０ａ及びソ
ース電極３０ｂをマスクとしてエッチングし、ＴＦＴ３
０のチャネルを形成する。次いで、無機膜としての窒化
シリコン膜から成る第２の層間絶縁膜２５の第１の絶縁
膜２５ａを全面に堆積させる。次いで、その上に有機膜
としての感光性アクリル樹脂膜から成る第２の層間絶縁
膜２５の第２の絶縁膜２５ｂを堆積させる。次いで、図
６（ｂ）のように、前記第２の絶縁膜２５ｂの感光性ア
クリル樹脂膜を露光、現像、焼成し、自段のゲート電極
３０ｃ近傍に配置されるソース電極３０ｂの上方におい
て、第１の層間絶縁膜２３の窒化シリコン膜に到達する
画素電極用コンタクトホール３９ｂ、前段のゲート電極
近傍に配置されるコンタクトホール３９ｃを形成し、同
時に、共通電極配線２６ｂの上方において、第１の層間
絶縁膜２３の窒化シリコン膜に到達する共通電極用コン
タクトホール３９ａを形成する。

【００５３】次いで、図６（ｃ）のように、画素電極用
コンタクトホール３９ｂ，３９ｃ及び共通電極用コンタ
クトホール３９ａを介して、露出している第２の層間絶
縁膜２５の第１の絶縁膜２５ａの窒化シリコン膜をエッ
チングし、共通電極用コンタクトホール３９ａの場合に
は、さらに酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層膜
から成る第１の層間絶縁膜２３をエッチングし、画素電
極用コンタクトホール３９ｂ及び３９ｃ、共通電極用コ
ンタクトホール３９ａをそれぞれソース電極３０ｂ及び
画素電位膜４２ａ，４２ｂ、共通電極配線２６ａもしく
は２６ｂに到達させる。次いで、ＩＴＯ４６を全面に堆
積させ、各コンタクトホール３９ａ，３９ｂ，３９ｃの
内壁をＩＴＯ４６で覆うとともに、フォトリソグラフィ
及びエッチングにより、単位素子の形成領域内におい
て、ＩＴＯ４６からなる共通電極２６及び画素電極２７
を形成する。このようにして形成された能動素子基板１
１は、透明材料からなる画素電極２７により自段ゲート
電極３０ｃ近傍の蓄積容量部と前段ゲート電極３０ｄ近
傍の各画素電位膜４２ａ，４２ｂが画素電極２７を介し
て相互に接続され、これらにより２箇所において蓄積容
量が構成されることになる。

【００５４】対向基板１２については、図示は省略する
が、図２を参照すると、第２の透明基板としてのガラス
基板１６の所定の領域に対して遮光層１７、色層１８、
オーバーコート層１９を所定のパターンに形成して作成
した。また、ガラス基板１６には手で液晶パネルを触っ
た際に発生するチャージアップによる表示むらを防止す
るよう裏面にＩＴＯなどの透明導電膜１５をスパッタし
て形成した。

【００５５】このようにして得られた能動素子基板１１
と対向基板１２を所定の間隔を持つようセル内スペーサ
等（図示せず）で間隙を形成して、その中にネマティッ
ク液晶を封止して液晶層１３を形成し、液晶パネルを構
成した。液晶材料は誘電率異方性△εが正でその値が８
（５８９ｎｍ，２０℃）、屈折率異方性△ｎが０．０７
５、液晶の比抵抗が１．５ｘ１０¹²Ω・ｃｍのネマティ
ック液晶を使用した。液晶層の厚み（セルギャップ）は
４．０μｍとした。また、能動素子基板１１及び対向基
板１２のそれぞれの表面にオフセット印刷等の手法にて
配向膜３１及び２０を形成し、液晶分子を所定の方向に
並ばせるようラビング方法にて櫛歯電極の短手方向に対
して１５°傾けて平行配向するように液晶分子を配向さ
せた。さらに、両基板１１，１２の外側面にはそれぞれ
偏光板１４，２１を配設した。

【００５６】このようにして形成された液晶パネルにつ
いて、外部からの信号電圧により液晶の配向状態を変化
させることで液晶パネルを透過する光の強さを制御し、
液晶表示装置として階調表示を行なった。その際、画素
電極２７と共通電極２６との間に電位差を与えない場合
を黒表示とし、ガラス基板に対して概平行な電界を生む
ように、初期配向角度から略４５°液晶が回転して透過
光強度が最大になるよう電位差を与える場合に白表示と
して動作させた（ノーマリーブラック方式）。このよう
にして得られた液晶パネルを液晶表示装置として駆動装
置に組み込み表示を行い、高い透過率を有するＩＰＳ型
液晶表示装置が確認できた。

【００５７】（第２の実施形態）図７は本発明の第２の
実施形態にかかる能動素子基板の平面図、図８はそのＦ
−Ｆ’線に沿う部分の液晶表示装置２の断面図、図９
（ａ），（ｂ）は下層の金属層と上層の金属層のレイア
ウト図である。なお、第１の実施形態と等価な部分には
同一符号を付してある。以降の実施形態についても同様
である。本実施形態は第１の実施形態と比較すると、能
動素子基板１１において、自段ゲート電極近傍の画素電
位膜４２ａと前段ゲート電極近傍の画素電位膜４２ｂを
電気接続する構成が異なることを除けばその他は同一で
ある。すなわち、前記第１の実施形態では、前記２つの
画素電位膜４２ａ，４２ｂを透明材料である画素電極２
７を橋渡しとして接続しているが、本実施形態ではコン
タクトホール４４ａ，４４ｂを介して不透明材料である
走査線２８と同一層の接続電極４３で接続する。対向基
板１２については第１の実施形態と同じである。

【００５８】その製造方法は、第１０図の工程断面図を
参照すると、第１の実施形態の図５（ａ）の工程で、ガ
ラス基板２２上にクロム層からなるゲート電極３０ｃ及
び共通電極配線２６ａ，２６ｂをフォトリソグラフィ及
びドライエッチングによりパターニングして形成する
が、このとき同時に、図１０（ａ）に示すように、画素
領域のほぼ中央に共通電極配線２６ａ，２６ｂと直交す
る方向に向けて接続電極４３を形成する。この接続電極
４３の平面パターン形状は図９（ａ）に示す通りであ
る。次いで、第１の実施形態の図５（ｂ）から（ｃ）ま
での工程と同様に、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜と
の積層膜から成る第１の層間絶縁膜２３を一面に形成
し、さらにＴＦＴのアモルファスシリコン４１を島状半
導体層となるように形成する。

【００５９】次いで、図１０（ｂ）のように、自段のゲ
ート電極３０ｃ近傍及び前段のゲート電極３０ｄ近傍に
おいて、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層膜か
ら成る第１の層間絶縁膜２３をエッチングし、図９
（ａ）のように、接続電極用コンタクトホール４４ａ，
４４ｂを形成し、第１の金属層である接続電極４３に到
達させる。次いで、第２の金属層としてクロム層を一面
に堆積させ、このクロム層をフォトリソグラフィ及びド
ライエッチングによりパターニングし、第２の金属層で
ＴＦＴ５０のドレイン電極３０ａ、ソース電極３０ｂ、
データ線２４を形成する。この際、自段のゲート電極３
０ｃ近傍及び前段のゲート電極３０ｄ近傍においては、
第１の金属層からなる接続電極４３と第２の金属層から
なるソース電極３０ｂはコンタクトホール４４ａ，４４
ｂ及び接続電極４３を介して接続される。

【００６０】次いで、図１０（ｃ）のように、ドレイン
電極３０ａとソース電極３０ｂとの間の開口部におい
て、アモルファスシリコン膜の途中まで、ｎ⁺ 型ａ−Ｓ
ｉ膜３３及びａ−Ｓｉ膜３２をドレイン電極３０ａ及び
ソース電極３０ｂをマスクとしてエッチングし、ＴＦＴ
５０のチャネルを形成する。次いで、無機膜としての窒
化シリコン膜から成る第２の層間絶縁膜２５の第１の絶
縁膜２５ａを全面に堆積させる。次いで、窒化シリコン
膜から成る第２の層間絶縁膜２５の第１の絶縁膜２５ａ
の上に有機膜としての感光性アクリル樹脂膜から成る第
２の層間絶縁膜２５の第２の絶縁膜２５ｂを堆積させ
る。次いで、第２の層間絶縁膜の第２の膜２５ｂの感光
性アクリル樹脂膜を露光、現像、焼成し、ソース電極３
０ｂの上方において、第１の層間絶縁膜２３の窒化シリ
コン膜に到達する画素電極用コンタクトホール３９ｂを
形成し、同時に、共通電極配線２６ｂの上方において、
第１の層間絶縁膜２３の窒化シリコン膜に到達する共通
電極用コンタクトホール３９ａを形成する。

【００６１】次いで、画素電極用コンタクトホール３９
ｂ、共通電極用コンタクトホール３９ａを介して、露出
している第２の層間絶縁膜２５の第１の膜２５ａの窒化
シリコン膜をエッチングし、共通電極用コンタクトホー
ル３９ａの場合には、さらに酸化シリコン膜と窒化シリ
コン膜との積層膜から成る第１の層間絶縁膜２３をエッ
チングし、画素電極用コンタクトホール３９ｂ、共通電
極用コンタクトホール３９ａをそれぞれソース電極３０
ｂ、共通電極配線２６ａもしくは２６ｂに到達させる。
次いで、ＩＴＯ４６を全面に堆積させ、各コンタクトホ
ール３９ａ、３９ｂの内壁をＩＴＯ４６で覆うととも
に、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、単位
素子の形成領域内において、ＩＴＯ４６からなる共通電
極２６及び画素電極２７を形成する。

【００６２】このようにして形成された能動素子基板１
１は、液晶層から不透明材料からなるゲート電極層から
なる接続電極４３により自段のゲート電極３０ｃ近傍の
蓄積容量部と前段のゲート電極３０ｄ近傍の蓄積容量部
を２つのコンタクトホール４４ａ，４４ｂ及び接続電極
４３を介して接続することになる。

【００６３】そして、得られた能動素子基板１１と対向
基板１２の間に、第１の実施形態と同様な条件でネマテ
ィック液晶を封止して液晶層１３を形成し、液晶パネル
を構成した。そして、外部からの信号電圧により液晶の
配向状態を変化させることで液晶パネルを透過する光の
強さを制御し、液晶表示装置として階調表示を行なっ
た。その際、画素電極２７と共通電極２６との間に電位
差を与えない場合を黒表示とし、ガラス基板に対して概
平行な電界を生むように、初期配向角度から略４５°液
晶が回転して透過光強度が最大になるよう電位差を与え
る場合に白表示として動作させた（ノーマリーブラック
方式）。このようにして得られた液晶パネルを液晶表示
装置として駆動装置に組み込み表示を行い、高い透過率
を有するＩＰＳ型液晶表示装置が確認できた。

【００６４】特に、本実施形態では、前段のゲート電極
３０ｄの近傍に形成される画素電位膜４２ｂへの電気的
な接続は、液晶層１３から最も離れた共通電極配線２６
ａ，２６ｂと同じ層の接続電極４３により行っているの
で、当該接続電極４３は不透明材料であり、透明材料か
らなる画素電極での透過光を遮光することにはなるが、
接続電極４３は最も下層に形成されていて液晶層１３か
ら最も遠い導電層で構成されているため、当該接続電極
４３からの液晶への電界印加寄与は小さくなり、これに
よりコラム毎の電界強度のバラツキが小さくなり、高透
過率を有するＩＰＳ型液晶表示装置を得ることが可能に
なる。

【００６５】なお、この実施形態では、接続電極４３を
共通電極配線２６ａ，２６ｂと同じ層で形成している
が、共通電極配線２６ａ，２６ｂと走査線２８が異なる
層で形成される場合は、液晶層から最も遠い側の配線層
で接続電極４３を形成して、画素電位膜４２ａ，４２ｂ
の接続を行うようにすればよい。

【００６６】（第３の実施形態）図１１は本発明の第３
の実施形態にかかる能動素子基板の平面図、図１２はそ
のＦ−Ｆ’線に沿う部分の液晶表示装置３の断面図、図
１３は下層の導電層と上層の導電層のレイアウト図であ
る。本実施形態は第２の実施形態と比較すると、能動素
子基板１１において、第２の実施形態では２つの画素電
位膜４２ａ，４２ｂを走査線及び共通電極配線を形成す
るための不透明材料である第１の金属層からなる接続電
極４３を橋渡しとして接続しているが、本実施形態は走
査線と共通電極配線を互いに異なる層から形成し、共通
電極配線と同一層で形成した接続電極により接続する。
その他の構成及び対向基板１２については第２の実施形
態と同じである。

【００６７】この実施形態の製造方法は、図１４の断面
図を参照すると、透明絶縁性基板２２としてのガラス基
板上にクロム層からなる共通電極配線２６ａ，２６ｂ及
び接続電極４３をフォトリソグラフィ及びドライエッチ
ングによりパターニングし、形成する。次いで、共通電
極配線２６ａ及び接続電極４３を覆って、透明絶縁性基
板２２上に窒化シリコン膜から成る第３の層間絶縁膜４
５を一面に形成する。次いで、窒化シリコン膜から成る
第３の層間絶縁膜４５上に、第３の金属層としてクロム
層からなる走査線２８をフォトリソグラフィ及びドライ
エッチングによりパターニングし、形成する。次いで、
走査線２８を覆って、第３の層間絶縁膜４５上に、前記
各実施形態と同様に積層構造から成る第１の層間絶縁膜
２３を一面に形成する。

【００６８】次いで、ａ−Ｓｉ膜３２とｎ⁺ ａ−Ｓｉ膜
３３の積層膜から成るアモルファスシリコン膜を第１の
層間絶縁膜２３の上に一面に形成する。次いで、アモル
ファスシリコン膜３２，３３をフォトリソグラフィ及び
ドライエッチングにより薄膜トランジスタの島状半導体
層となるようにパターニングしアモルファスシリコン４
１を形成する。次いで、自段のゲート電極３０ｃ近傍及
び近傍前段のゲート電極３０ｄ近傍において、第１の層
間絶縁膜２３及び第３の層間絶縁膜４５を同時にエッチ
ングし、接続電極用コンタクトホール４４ａ，４４ｂを
形成し、接続電極４３に到達させる。

【００６９】次いで、クロム層を一面に堆積させ、この
クロム層をフォトリソグラフィ及びドライエッチングに
よりパターニングし、ＴＦＴ５０のドレイン電極３０
ａ、ソース電極３０ｂ、データ線２４、画素電位膜４２
ａ，４２ｂを形成する。なお、ソース電極３０ｂと画素
電位膜４２ａは一体に形成する。この際、自段のゲート
電極３０ｃ近傍及び前段のゲート電極３０ｄ近傍におい
ては、接続電極４３とソース電極３０ｂ（画素電位膜４
２ａ）と画素電位膜４２ｂはそれぞれコンタクトホール
４４ａ，４４ｂ及び接続電極４３を介して接続される。

【００７０】以下、第２の実施形態と同様であり、ドレ
イン電極３０ａとソース電極３０ｂとの間の開口部にお
いて、アモルファスシリコン膜の途中まで、ｎ⁺ 型ａ−
Ｓｉ膜３３及びａ−Ｓｉ膜３２をドレイン電極３０ａ及
びソース電極３０ｂをマスクとしてエッチングし、ＴＦ
Ｔ３０のチャネルを形成する。次いで、無機膜としての
窒化シリコン膜から成る第２の層間絶縁膜２５の第１の
絶縁膜２５ａを全面に堆積させる。次いで、窒化シリコ
ン膜から成る第２の層間絶縁膜２５の第１の絶縁膜２５
ａの上に有機膜としての感光性アクリル樹脂膜から成る
第２の層間絶縁膜２５の第２の絶縁膜２５ｂを堆積させ
る。次いで、第２の層間絶縁膜の第２の膜２５ｂの感光
性アクリル樹脂膜を露光、現像、焼成し、ソース電極３
０ｂの上方において、第１の層間絶縁膜２３の窒化シリ
コン膜に到達する画素電極用コンタクトホール３９ｂを
形成し、同時に、共通電極配線２６ｂの上方において、
第１の層間絶縁膜２３の窒化シリコン膜に到達する共通
電極用コンタクトホール３９ａを形成する。

【００７１】次いで、画素電極用コンタクトホール３９
ｂ、共通電極用コンタクトホール３９ａを介して、露出
している第２の層間絶縁膜２５の第１の膜２５ａの窒化
シリコン膜をエッチングし、共通電極用コンタクトホー
ル３９ａの場合には、さらに酸化シリコン膜と窒化シリ
コン膜との積層膜から成る第１の層間絶縁膜２３をエッ
チングし、画素電極用コンタクトホール３９ｂ、共通電
極用コンタクトホール３９ａをそれぞれソース電極３０
ｂ、共通電極配線２６ａもしくは２６ｂに到達させる。
次いで、ＩＴＯ４６を全面に堆積させ、各コンタクトホ
ール３９ａ、３９ｂの内壁をＩＴＯ４６で覆うととも
に、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、単位
素子の形成領域内において、ＩＴＯ４６からなる共通電
極２６及び画素電極２７を形成する。

【００７２】このようにして形成された能動素子基板１
１は、液晶層１３から最も遠い層である不透明材料の共
通電極配線と同一層からなる接続電極４３により、自段
のゲート電極３０ｃ近傍の画素電位膜と前段のゲート電
極３０ｄ近傍の画素電位膜を２つのコンタクトホール４
４ａ，４４ｂ及び接続電極４３を介して接続することに
なる。

【００７３】そして、得られた能動素子基板１１と対向
基板１２の間に、第１の実施形態と同様な条件でネマテ
ィック液晶１３を封止して液晶パネルを構成した。そし
て、外部からの信号電圧により液晶の配向状態を変化さ
せることで液晶パネルを透過する光の強さを制御し、液
晶表示装置として階調表示を行なった。その際、画素電
極２７と共通電極２６との間に電位差を与えない場合を
黒表示とし、ガラス基板に対して概平行な電界を生むよ
うに、初期配向角度から略45°液晶が回転して透過光強
度が最大になるよう電位差を与える場合に白表示として
動作させた（ノーマリーブラック方式）。このようにし
て得られた液晶パネルを液晶表示装置として駆動装置に
組み込み表示を行い、高い透過率を有するＩＰＳ型液晶
表示装置が確認できた。

【００７４】本実施形態においては、前段のゲート電極
３０ｄの近傍に形成される画素電位膜４２ｂへの電気的
な接続は、液晶層１３から最も離れた共通電極配線２６
ａ，２６ｂと同じ層の接続電極４３により行っているの
で、当該接続電極４３は不透明材料であり、透明材料か
らなる画素電極での透過光を遮光することにはなるが、
接続電極４３は最も下層に形成されていて液晶層１３か
ら最も遠い配線層で構成されているため、当該接続電極
４３からの液晶への電界印加寄与は小さくなり、これに
よりコラム毎の電界強度のバラツキが小さくなり、高透
過率を有するＩＰＳ型液晶表示装置を得ることが可能に
なる。

【００７５】（第４の実施形態）図１５は本発明の第４
の実施形態にかかる能動素子基板の平面図、図１６はそ
のＦ−Ｆ’線に沿う部分の液晶表示装置４の断面図であ
る。本実施形態は第１の実施形態と比較すると、能動素
子基板１１において、液晶を駆動するための透明電極で
ある画素電極２７と共通電極２６が層間絶縁膜を介して
異なる層に形成されていることを除けば、その他は同一
である。すなわち、２つの蓄積容量を構成するための画
素電位膜４２ａ，４２ｂを透明電極である画素電極２７
を橋渡しとして接続していることは第１の実施形態と同
じである。ここで、画素電極２７は第２の層間絶縁膜の
上に形成されているが、共通電極２６は画素電極の上に
形成された第４の層間絶縁膜の上に形成されている。ま
た、対向基板は第１の実施形態と同じである。

【００７６】この第４の実施形態の液晶表示装置の製造
方法では、第１の実施形態の製造方法を示す図５（ａ）
から図６（ｂ）までの工程は同じである。以降は、図１
７の断面図をを併せて参照すると、第２の層間絶縁膜２
５を形成した後、第２の層間絶縁膜の第２の絶縁膜２５
ｂの感光性アクリル樹脂膜を露光、現像、焼成し、自段
のゲート電極３０ｃ近傍に配置されるソース電極３０ｂ
の上方において、第１の層間絶縁膜２３の窒化シリコン
膜に到達する画素電極用コンタクトホール３９ｂ、前段
のゲート電極３０ｄ近傍に配置される共通電極用コンタ
クトホール３９ｃを形成し、同時に、共通電極配線２６
ｂの上方において、第１の層間絶縁膜２３の窒化シリコ
ン膜に到達する共通電極用コンタクトホール３９ａを形
成する。次いで、画素電極用コンタクトホール３９ｂ，
３９ｃ及び共通電極用コンタクトホール３９ａを介し
て、露出している第２の層間絶縁膜２５の第１の膜２５
ａの窒化シリコン膜をエッチングし、共通電極用コンタ
クトホール３９ａの場合には、さらに酸化シリコン膜と
窒化シリコン膜との積層膜から成る第１の層間絶縁膜２
３をエッチングし、画素電極用コンタクトホール３９ｂ
及び３９ｃ、共通電極用コンタクトホール３９ｃをそれ
ぞれ画素電位膜４２ａ及び４２ｂ、共通電極配線２６ｂ
に到達させる。

【００７７】次いで、ＩＴＯ４６を全面に堆積させ、各
コンタクトホール３９ａ、３９ｂ、３９ｃの内壁をＩＴ
Ｏ４６で覆うとともに、フォトリソグラフィー及びエッ
チングにより、単位素子の形成領域内において、ＩＴＯ
４６からなる画素電極２７を形成する。次いで、前記透
明絶縁性基板の上に、有機膜としての感光性アクリル樹
脂からなる第４の層間絶縁膜４７を堆積させる。次い
で、第４の層間絶縁膜４７を感光性アクリル樹脂膜を露
光、現像、焼成し、コンタクトホール３９ａを共通電極
配線２６ｂに到達させる。さらに、ＩＴＯ４６を全面に
堆積させ、各コンタクトホール３９ａ，３９ｂ，３９c
の内壁をＩＴＯ４６で覆うとともに、フォトリソグラフ
ィ及びエッチングにより、単位素子の形成領域内におい
て、ＩＴＯ４６からなる共通電極２６を形成する。この
ようにして形成された能動素子基板１１は、透明材料か
らなる画素電極２７により自段ゲート電極３０ｃ近傍の
画素電位膜４２ａと前段ゲート電極３０ｄ近傍の画素電
位膜４２ｂを相互に電気接続することになる。

【００７８】このようにして得られた能動素子基板１１
と対向基板１２の間に、第１の実施形態と同様な条件で
ネマティック液晶１３を封止して液晶パネルを構成し
た。そして、外部からの信号電圧により液晶の配向状態
を変化させることで液晶パネルを透過する光の強さを制
御し、液晶表示装置として階調表示を行なった。その
際、画素電極２７と共通電極２６との間に電位差を与え
ない場合を黒表示とし、ガラス基板に対して概平行な電
界を生むように、初期配向角度から略４５°液晶が回転
して透過光強度が最大になるよう電位差を与える場合に
白表示として動作させた（ノーマリーブラック方式）。
このようにして得られた液晶パネルを液晶表示装置とし
て駆動装置に組み込み表示を行い、高い透過率を有する
ＩＰＳ型液晶表示装置が確認できた。

【００７９】この実施形態のように、第４の層間絶縁膜
４７を介して共通電極２６と画素電極２７が互いに異な
る層で形成する場合、ＬＣＤの製造コストは増加する
が、電極設計の自由度が上昇するため、さらなる高透過
率化を図ることができる。このように、共通電極２６と
画素電極２７が互いに異なる層に形成される場合、ＬＣ
Ｄの表示の安定性及び信頼性の面からは、共通電極２６
を液晶層１３に配置したほうが好ましい。

【００８０】（第５の実施例）図１８は本発明の第５の
実施形態にかかる能動素子基板の平面図、図１９はその
Ｆ−Ｆ’線に沿う部分の液晶表示装置５の断面図であ
る。本実施形態は第１の実施形態と比較すると、能動素
子基板１１において、データ線２４とその上層の共通電
極２６との層間に形成される第２の層間絶縁膜２５が無
機膜単層であることを除けば、その他は同一である。ま
た、対向基板１２についても同じである。

【００８１】この第５の実施形態の製造方法は図５
（ａ）〜図６（ｃ）に示した第１の実施形態の製造工程
とほぼ同じであるが、図６（ａ）に示した第２の層間絶
縁膜の製造工程においては、無機膜としての窒化シリコ
ン膜から成る第２の層間絶縁膜２５を全面に堆積させ
る。次いで、第１の実施形態と同様に、自段のゲート電
極３０ｃ近傍に配置される第１の層間絶縁膜２３の窒化
シリコン膜に到達する画素電極用コンタクトホール３９
ｂ、前段のゲート電極３０ｄ近傍に配置されるコンタク
トホール３９ｃを形成し、同時に、共通電極配線２６ｂ
の上方において、第１の層間絶縁膜２３の窒化シリコン
膜に到達する共通電極用コンタクトホール３９ａを形成
する。共通電極用コンタクトホールの場合には、さらに
酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層膜から成る第
１の層間絶縁膜２３をエッチングし、共通電極用コンタ
クトホール３９ａを共通電極配線２６ａもしくは２６ｂ
に到達させる。

【００８２】以下、第１の実施形態と同じ工程により、
第５の実施形態の能動素子基板１１を製造する。このよ
うにして形成された能動素子基板１１は、透明材料から
なる画素電極２７により自段ゲート電極３０ｃ近傍の画
素電位膜４２ａと前段ゲート電極３０ｄ近傍の画素電位
膜４２ｂを相互に電気接続することになる。

【００８３】このようにして得られた能動素子基板１１
と対向基板１２の間に、第１の実施形態と同様な条件で
ネマティック液晶を封止して液晶層１３を形成し液晶パ
ネルを構成した。そして、外部からの信号電圧により液
晶の配向状態を変化させることで液晶パネルを透過する
光の強さを制御し、液晶表示装置として階調表示を行な
った。その際、画素電極２７と共通電極２６との間に電
位差を与えない場合を黒表示とし、ガラス基板に対して
概平行な電界を生むように、初期配向角度から略４５°
液晶が回転して透過光強度が最大になるよう電位差を与
える場合に白表示として動作させた（ノーマリーブラッ
ク方式）。このようにして得られた液晶パネルを液晶表
示装置として駆動装置に組み込み表示を行い、高い透過
率を有するＩＰＳ型液晶表示装置が確認できた。

【００８４】（第６の実施例）図２０は本発明の第６の
実施形態にかかる能動素子基板の平面図、図２１はその
Ｆ−Ｆ’線に沿う部分の液晶表示装置６の断面図であ
る。本実施形態は第１の実施形態と比較すると、能動素
子基板１１は同一であり、対向基板１２の構成が異なっ
ている。第６の実施形態では、対向基板１２に色層が形
成されていないことが第１の実施形態と相違している。

【００８５】すなわち、第６の実施形態の対向基板１２
については、第２の透明基板としてのガラス基板１６の
所定の領域に対して遮光層１７、オーバーコート層１９
を所定のパターンに形成して作成した。また、ガラス基
板１６には手で液晶パネルを触った際に発生するチャー
ジアップによる表示むらを防止するよう裏面にＩＴＯな
どの透明導電膜１５をスパッタして形成した。

【００８６】この実施形態ては、第１の実施形態と同様
な能動素子基板１１と、本実施形態の対向基板１２の間
に、第１の実施形態と同様な条件でネマティック液晶を
封止して液晶層１３を形成して液晶パネルを構成した。
そして、外部からの信号電圧により液晶の配向状態を変
化させることで液晶パネルを透過する光の強さを制御
し、液晶表示装置として階調表示を行なった。その際、
画素電極２７と共通電極２６との間に電位差を与えない
場合を黒表示とし、ガラス基板に対して概平行な電界を
生むように、初期配向角度から略４５°液晶が回転して
透過光強度が最大になるよう電位差を与える場合に白表
示として動作させた（ノーマリーブラック方式）。この
ようにして得られた液晶パネルを液晶表示装置として駆
動装置に組み込み表示を行い、高い透過率を有するＩＰ
Ｓ型液晶表示装置が確認できた。

【００８７】なお、前記各実施形態においては共に透明
材料からなる共通電極２６と画素電極１７は、高信頼性
の観点から前記したＩＴＯに限られるものではなく、Ｉ
ＺＯ（Indium Zn Oxide)からなる導電膜で構成してもよ
い。

【００８８】以上のように、第１ないし第６の実施形態
において、液晶駆動電極である共通電極と画素電極が直
線型構造についてのみ詳細に記述してきたが、製造コス
トを上げること無く、表示ムラを防止した液晶表示装置
を提供するという点に関しては、液晶駆動電極が折れ曲
った、いわゆるマルチドメイン単位素子構造について
も、共通電極配線に突起を設けると同様の効果を得るこ
とができる。この場合、更なる視野角を拡大する利点が
あり、液晶表示装置として好ましい。

【００８９】なお、上記の各実施形態の説明において
は、本発明の特徴となる部分について主に説明し、本分
野において通常の知識を有する者にとって既知の事項に
ついては特に詳述していないが、たとえ記載がなくても
これらの事項は上記の者にとっては類推可能な事項に属
する。

【００９０】

【発明の効果】以上のように、本発明に係る液晶表示装
置によれば、横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の単位画素当たりにぞれぞれ形成される、前段
の走査線近傍の共通電極配線に重畳される画素電位膜と
自段の走査線近傍の共通電極配線に重畳される画素電位
膜はを透明電極からなる画素電極により相互に接続した
構成とすることにより、あるいは、液晶層から最も遠い
層に形成された接続電極により相互に接続した構成とす
ることにより、製造コストを上げることなく、開口率を
向上させ、かつ製造歩留まりの高いＩＰＳモードの液晶
表示装置を提供することを達成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態における能動素子基板
の平面レイアウト図である。

【図２】図１のＦ−Ｆ’線に沿う液晶表示装置の断面図
である。

【図３】第１の実施形態における下層の導電層のレイア
ウトとその上層のＩＴＯ層のレイアウトをそれぞれ示す
平面図である。

【図４】図１のＡ−Ａ’〜Ｅ−Ｅ’線、及びコンタクト
部分の各断面図である。

【図５】第１の実施形態の製造方法の工程断面図のその
１である。

【図６】第１の実施形態の製造方法の工程断面図のその
２である。

【図７】第２の実施形態における能動素子基板の平面レ
イアウト図である。

【図８】図７のＦ−Ｆ’線に沿う液晶表示装置の断面図
である。

【図９】第２の実施形態における下層の導電層のレイア
ウトとその上層の導電層のレイアウトをそれぞれ示す平
面図である。

【図１０】第２の実施形態の製造方法の工程断面図であ
る。

【図１１】第３の実施形態における能動素子基板の平面
レイアウト図である。

【図１２】図１１のＦ−Ｆ’線に沿う液晶表示装置の断
面図である。

【図１３】第３の実施形態における下層の導電層のレイ
アウトとその上層の導電層のレイアウトをそれぞれ示す
平面図である。

【図１４】第３の実施形態の各部の断面図である。

【図１５】第４の実施形態における能動素子基板の平面
レイアウト図である。

【図１６】図１５のＦ−Ｆ’線に沿う液晶表示装置の断
面図である。

【図１７】第４の実施形態の各部の断面図である。

【図１８】第５の実施形態における能動素子基板の平面
レイアウト図である。

【図１９】図１８のＦ−Ｆ’線に沿う液晶表示装置の断
面図である。

【図２０】第６の実施形態における能動素子基板の平面
レイアウト図である。

【図２１】図２０のＦ−Ｆ’線に沿う液晶表示装置の断
面図である。

【図２２】液晶表示装置において逆方向に回転する液晶
領域を説明するための図である。

【符号の説明】

１〜６ 第１ないし第６の各実施形態の液晶表示装置 １１ 能動素子基板 １２ 対向基板 １３ 液晶層 １４ 偏光板 １５ 導電層 １６ 第２の透明基板 １７ ブラックマトリクス １８ 色層 １９ オーバーコート層 ２０，３１ 配向膜 ２１ 偏光板 ２２ 第１の透明基板 ２３ 第１の層間絶縁膜 ２４ データ線 ２５ 第２の層間絶縁膜 ２５ａ 第２の層間絶縁膜の第１の膜 ２５ｂ 第２の層間絶縁膜の第２の膜 ２６ 共通電極 ２６ａ，２６ｂ 共通電極配線 ２７ 画素電極 ２８ 走査線 ２９ 金属膜 ２９ａ 第１の金属層 ２９ｂ 第２の金属層 ３０ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ３０ａ ドレイン電極 ３０ｂ ソース電極 ３０ｃ 自段のゲート電極 ３０ｄ 前段のゲート電極 ３２ ａ−Ｓｉ膜 ３３ ｎ⁺ ａ−Ｓｉ膜 ３９ａ 共通電極用コンタクトホール ３９ｂ，３９ｃ 画素電極用コンタクトホール ３０ｄ 前段のゲート電極 ４１ 島状アモルファスシリコン ４２ａ 自段のゲート電極近傍のデータ線層の画素電位
膜 ４２ｂ 前段のゲート電極近傍のデータ線層の画素電位
膜 ４３ 接続電極 ４４ａ，４４ｂ 接続電極用コンタクトホール ４５ 第３の層間絶縁膜 ４６ ＩＴＯ ４７ 第４の層間絶縁膜

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 GA14 JA24 JA34 JA37 JA41 JA46 JB01 JB16 JB22 JB31 JB52 JB56 JB61 JB68 KA05 KB11 MA13 MA18 NA15 NA29 PA02 PA06 PA09 5C094 AA06 AA42 BA03 BA43 CA19 CA20 DA09 DB01 EA04 EB02 ED15 5F110 AA30 BB01 CC07 DD02 EE04 FF02 FF03 FF09 GG02 GG15 HK04 HK09 HK21 NN03 NN24 NN27 NN72 NN73

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 能動素子基板と、対向基板と、前記能動
   素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持さ
   れている液晶層とからなる液晶表示装置であって、前記
   能動素子基板は、少なくともゲート電極、ドレイン電
   極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべ
   き画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共
   通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備
   え、前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極
   は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、
   前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に
   接続されており、前記画素電極と前記共通電極の間に印
   加される前記能動素子基板の表面に略平行な電界により
   前記液晶層の分子軸を前記能動素子基板に平行な面内に
   おいて回転させることにより表示を行う横電界方式のア
   クティブマトリクス型液晶表示装置において、前記走査
   線を挟んで前記共通電極配線が形成されており、各共通
   電極配線毎に前記データ線と同一層の画素電位膜が層間
   膜を挟んで重畳されて表示状態を安定化させるための蓄
   積容量が形成されており、単位画素当たりにぞれぞれ形
   成される、前段の走査線近傍の共通電極配線に重畳され
   る画素電位膜と自段の走査線近傍の共通電極配線に重畳
   される画素電位膜は、透明電極からなる画素電極により
   相互に接続されていることを特徴とする横電界方式のア
   クティブマトリクス型液晶表示装置。
2. 【請求項２】 能動素子基板と、対向基板と、前記能動
   素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持さ
   れている液晶層とからなる液晶表示装置であって、前記
   能動素子基板は、少なくともゲート電極、ドレイン電
   極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべ
   き画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共
   通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備
   え、前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極
   は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、
   前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に
   接続されており、前記画素電極と前記共通電極の間に印
   加される前記能動素子基板の表面に略平行な電界により
   前記液晶層の分子軸を前記能動素子基板に平行な面内に
   おいて回転させることにより表示を行う横電界方式のア
   クティブマトリクス型液晶表示装置において、前記走査
   線を挟んで前記共通電極配線が形成されており、各共通
   電極配線毎に前記データ線と同一層の画素電位膜が層間
   膜を挟んで重畳されて表示状態を安定化させるための蓄
   積容量が形成されており、単位画素当たりにぞれぞれ形
   成される、前段の走査線近傍の共通電極配線に重畳され
   る画素電位膜と自段の走査線近傍の共通電極配線に重畳
   される画素電位膜は、前記液晶層から最も遠い導電層で
   形成された接続電極により相互に接続されていることを
   特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
   示装置。
3. 【請求項３】 前記データ線と前記共通電極との層間に
   形成される層間絶縁膜が無機膜単層であることを特徴と
   する請求項１に記載の横電界方式のアクティブマトリク
   ス型液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記対向基板には、前記単位画素に対応
   する色層が形成されていることを特徴とする請求項１に
   記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
   置。
5. 【請求項５】 前記対向基板には、前記単位画素に対応
   する色層が形成されていないことを特徴とする請求項１
   に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示
   装置。
6. 【請求項６】 前記接続電極は前記共通電極配線及び前
   記走査線と同一層に形成されていることを特徴とする請
   求項２に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液
   晶表示装置。
7. 【請求項７】 前記共通電極配線と前記走査線は異なる
   層に形成されており、前記接続電極は前記共通電極配線
   と同一層に形成されていることを特徴とする請求項２に
   記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
   置。
8. 【請求項８】 前記単位画素当たりの２つの画素電位膜
   は、前記データ線の延伸方向と略平行な方向に離れて配
   置され、配置されたそれぞれの領域においてコンタクト
   ホールを介して前記画素電極または接続電極に接続され
   ていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに
   記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
   置。
9. 【請求項９】 前記共通電極及び画素電極はそれぞれ透
   明電極から成り、前記データ線より前記液晶層に近い層
   上に形成されており、前記走査線近傍を除いて、前記デ
   ータ線は絶縁膜を挟んで前記共通電極によって完全に覆
   われており、前記共通電極は各々の画素ごとにコンタク
   トホールを介して前記共通電極配線に接続されており、
   前記データ線が前記共通電極によって完全に覆われた領
   域においては、前記データ線に対向する位置の前記対向
   基板に配されたブラックマトリクスの幅は前記データ線
   を覆うように形成された前記共通電極の幅よりも小さい
   幅を有するように形成されており、前記データ線を覆う
   共通電極と、これに隣接する前記画素電極の間には平面
   上において遮光膜が存在しないように形成されているこ
   とを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の横
   電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
10. 【請求項１０】 前記画素電極と前記共通電極は同一層
    に形成されることを特徴とする請求項９に記載の横電界
    方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
11. 【請求項１１】 前記画素電極と共通電極は、絶縁膜を
    介して異なる層に形成されることを特徴とする請求項９
    に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示
    装置。
12. 【請求項１２】 絶縁膜を介して異なる層に形成される
    前記画素電極と前記共通電極は、前記共通電極が前記液
    晶層に配向膜を介して接することを特徴とする請求項１
    １に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
    示装置。
13. 【請求項１３】 前記共通電極は、前記走査線、データ
    線、共通電極配線の少なくとも一つに電気信号を入力す
    る配線端子部を構成する導電材料と同一層に形成される
    ことを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載
    の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
14. 【請求項１４】 前記画素電極と共通電極は、少なくと
    も下地の共通電極配線及びデータ線に乗り上げるもしく
    は乗り越える領域においては局所的に電極幅が太いこと
    を特徴とする請求項１３に記載の横電界方式のアクティ
    ブマトリクス型液晶表示装置。
15. 【請求項１５】 前記画素電極と共通電極の材料は、Ｉ
    ＴＯもしくはＩＺＯであることを特徴とする請求項１乃
    至６に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
    表示装置。