CN103296030B - Tft-lcd阵列基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，通过增加第二存储电容满足了对存储电容值大小的要求；同时，所述第二存储电容由第一导电层、第二导电层以及设置于所述第一导电层和第二导电层之间的第二绝缘层形成，其中，第一导电层及第二导电层在像素单元内部分别与所述透明公共电极电位及像素电极电位电性连接，即形成所述第二存储电容的第一导电层及第二导电层不需要横穿整个像素单元以与像素单元外部的电位连接，而只需在像素单元内部分别与透明公共电极电位及像素电极电位电性连接即可。由此，在满足存储电容值的情况下，还可减小第二存储电容所占用的开口率，即增大像素单元的开口率，从而实现了像素单元具有较大的存储电容值及较高的开口率。

Description

TFT-LCD阵列基板
技术领域
本发明涉及液晶显示器技术领域，特别涉及一种TFT-LCD阵列基板。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）具有低电压、微功耗、显示信息量大、易于彩色化等优点，在当前的显示器市场占据了主导地位。其已被广泛应用于电子计算机、电子记事本、移动电话、摄像机、高清电视机等电子设备中。
薄膜晶体管液晶显示器包括对盒而成的阵列基板和彩膜基板，以及充满在阵列基板和彩膜基板之间的间隙内的液晶层。所述薄膜晶体管液晶显示器显示图像的基本原理是：通过在所述阵列基板和彩膜基板上施加作用于液晶层上的电场，控制所述液晶层的液晶分子的取向，从而控制穿透过液晶层的液晶分子的光线的多少，即达到调制通过液晶层的光强的目的。
其中，阵列基板一般包括多个由扫描线与数据线相互交叉形成的像素单元和多个设置在扫描线与数据线交叉处的薄膜晶体管（ThinFilmTransistor，TFT），每一像素单元具有一像素电极，该薄膜晶体管用于控制作用在该像素电极上电压的开关切换。
当一扫描信号被加载到薄膜晶体管时，该薄膜晶体管控制的像素单元被激活，数据信号（即显示信号）被施加到该像素单元的像素电极上。为达到高质量的显示效果，施加在像素电极上的电压必须保持某一常值直至下一扫描信号到来。然而，像素电极上用以维持电压的电荷通常会快速泄露，导致像素电极上的电压过早降低，从而降低薄膜晶体管液晶显示器的显示效果。因此，通常薄膜晶体管液晶显示器的每一像素单元会使用一存储电容来保持其像素电极的电压在预定时间内稳定不变。
现有技术中，常通过提供公共电压的透明公共电极、位于所述透明公共电极之上的像素电极以及设置于所述透明公共电极和像素电极之间的绝缘层形成存储电容，通过所述存储电容来保持像素电极的电压在预定时间内稳定不变。其中，为了保持像素电极的电压在预定时间内稳定不变，所述存储电容需要足够大，即需要满足一定的大小要求。
现有技术中，当通过透明公共电极、位于所述透明公共电极之上的像素电极以及设置于所述透明公共电极和像素电极之间的绝缘层形成的一存储电容不能满足电容大小的要求时，通常还通过金属公共电极、像素电极及金属公共电极和像素电极之间的绝缘层形成另一存储电容，通过该两个存储电容的总的电容值来满足存储电容大小的要求。
具体的，请参考图1a~1b，其为现有的TFT-LCD阵列基板的结构示意图，所述TFT-LCD阵列基板为一种IPS（In-PlaneSwitching，平面转换）型液晶显示面板的阵列基板，其中，为了图示的清楚，在图1a和图1b中，均未示出薄膜晶体管（TFT）以及多晶硅层。在图1a所示的TFT-LCD阵列基板中，在像素单元1a中设置有条状的透明公共电极10和像素电极11共同形成驱动液晶分子转动的平行电场，同时，通过透明公共电极10、位于所述透明公共电极10之上的像素电极11以及设置于所述透明公共电极10和像素电极11之间的绝缘层（图1a中未示出）还形成一存储电容。
在图1b所示的TFT-LCD阵列基板中，在一像素单元1b中形成了两个存储电容，分别是：通过透明公共电极10、位于所述透明公共电极10之上的像素电极11以及设置于所述透明公共电极10和像素电极11之间的绝缘层（图1b中未示出）形成的第一存储电容；及通过金属公共电极12、位于所述金属公共电极12之上的像素电极11以及设置于所述金属公共电极12和像素电极11之间的绝缘层（图1b中未示出）形成的第二存储电容。
在此，虽然像素单元1b中，通过增加一存储电容而满足了存储电容大小的要求，但同时，由于金属公共电极12的遮光作用，使得该像素单元1b的开口率大大的小于像素单元1a的开口率。特别的，所述金属公共电极12需要横穿整个像素单元1b，以与像素单元1b外部的公共电压的电位连接，由此，将极大地降低像素单元1b的开口率。此外，即使对于满足存储电容值而言，仅需部分的金属公共电极12即可，但是，由于金属公共电极12需要与像素单元1b外部的公共电压的电位连接（以提供形成存储电容所必须的电位），也无法减小金属公共电极12，从而无法提高像素单元1b的开口率。
以250PPI的像素单元设计为例，若需要的存储电容为180fF，利用像素单元1a的结构，通常只能得到150fF的存储电容值（即不能满足存储电容的设计要求），但其具有约79%的开口率；而利用像素单元1b的结构，能够得到180fF的存储电容值（即存储电容能够满足设计要求），但其开口率仅为73%，即存储电容值与开口率无法同时得到较大的满足。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT-LCD阵列基板，以解决现有技术的TFT-LCD阵列基板中像素单元的存储电容值与开口率无法同时得到较大的满足的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，所述TFT-LCD阵列基板上形成有多个像素单元，每个像素单元包括：
薄膜晶体管开关、像素电极、透明公共电极；
第一存储电容，所述第一存储电容由透明公共电极、位于所述透明公共电极之上的像素电极以及设置于所述透明公共电极和像素电极之间的第一绝缘层形成；
还包括：
第二存储电容，所述第二存储电容由第一导电层、第二导电层以及设置于所述第一导电层和第二导电层之间的第二绝缘层形成，其中，第一导电层及第二导电层在像素单元内部分别与所述透明公共电极电位及像素电极电位电性连接。
可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，所述像素单元依次包括：
多晶硅层、栅极绝缘层、栅极、钝化层、数据线和漏极金属、有机膜层、透明公共电极、第一绝缘层和像素电极；
其中所述多晶硅层包括沟道、源极和漏极。
可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，所述第一导电层和所述栅极为同层材料，并通过接触孔与所述透明公共电极连接；
所述第二导电层和所述多晶硅层的漏极为同层材料，并且和所述漏极连接在一起；
所述第二绝缘层为栅极绝缘层。
可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，所述第一导电层和所述栅极为同层材料，并通过一金属导垫与所述透明公共电极连接；
所述第二导电层和所述多晶硅层的漏极为同层材料，并且和所述漏极连接在一起；
所述第二绝缘层为栅极绝缘层。
可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，所述金属导垫和所述数据线和漏极金属为同一层并在同一制程步骤中形成，所述金属导垫的一侧通过接触孔和所述第一导电层连接，透明公共电极通过接触孔和所述金属导垫的另一侧连接。
可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，
所述第一导电层和所述栅极在同一制程步骤中形成；
所述第二导电层和所述多晶硅层的漏极在同一制程步骤中形成。
可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，
所述第一导电层和所述漏极金属为同层材料，并通过接触孔与所述透明公共电极连接；
所述第二导电层和所述栅极为同层材料，并且通过接触孔和所述漏极金属连接在一起；
所述第二绝缘层为钝化层。
可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，
所述第一导电层和所述漏极金属在同一制程步骤中形成；
所述第二导电层和所述栅极在同一制程步骤中形成。
可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，所述像素单元依次包括：
栅极、栅极绝缘层、多晶硅层、钝化层、数据线和漏极金属、有机膜层、透明公共电极、第一绝缘层和像素电极；
其中所述多晶硅层包括沟道、源极和漏极。
可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，
所述第一导电层和所述栅极为同层材料，并且通过接触孔和透明公共电极连接在一起；
所述第二导电层和所述漏极为同层材料，并且和所述漏极连接在一起；
所述第二绝缘层为栅极绝缘层。
可选地，所述第一导电层和所述栅极为同层材料，并通过一金属导垫与所述透明公共电极连接；
所述第二导电层和所述漏极为同层材料，并且和所述漏极连接在一起；
所述第二绝缘层为栅极绝缘层。
可选地，所述第一导电层和所述栅极在同一制程步骤中形成；所述第二导电层和所述漏极在同一制程步骤中形成。
在本发明提供的TFT-LCD阵列基板中，通过增加第二存储电容满足了对存储电容值大小的要求；同时，所述第二存储电容由第一导电层、第二导电层以及设置于所述第一导电层和第二导电层之间的第二绝缘层形成，其中，第一导电层及第二导电层在像素单元内部分别与所述透明公共电极电位及像素电极电位电性连接，即形成所述第二存储电容的第一导电层及第二导电层不需要横穿整个像素单元以与像素单元外部的电位连接，而只需在像素单元内部分别与透明公共电极电位及像素电极电位电性连接即可。由此，在满足存储电容值的情况下，便可减小第一导电层及第二导电层的大小，即增大像素单元的开口率，从而实现了像素单元具有较大的存储电容值及较高的开口率。
附图说明
图1a~1b为现有的TFT-LCD阵列基板的结构示意图；
图2a是本发明实施例一的TFT-LCD阵列基板的俯视结构示意图；
图2b是本发明实施例一的TFT-LCD阵列基板的剖面结构示意图；
图3是本发明实施例二的TFT-LCD阵列基板的剖面结构示意图；
图4是本发明实施例三的TFT-LCD阵列基板的剖面结构示意图；
图5是本发明实施例四的TFT-LCD阵列基板的剖面结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的TFT-LCD阵列基板作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
【实施例一】
请参考图2a及图2b，其中，图2a为本发明实施例一的TFT-LCD阵列基板的俯视结构示意图；图2b为本发明实施例一的TFT-LCD阵列基板的剖面结构示意图。需说明的是，所述TFT-LCD阵列基板上形成有多个像素单元，而在本实施例中，图2a及图2b仅示出了其中一个像素单元的结构示意图，此外，为了图示的清晰，图2a中并未将连接膜层的接触孔示出，但是，根据图2b的剖面示意图，将能够很清楚地看到膜层之间的接触孔（即在某一/多膜层中需要形成接触孔，以实现相隔的两个膜层之间的连接）。
本发明的核心在于形成第二存储电容的第一导电层与第二导电层无需连接像素单元外部的电位，同样能够与特定的电位连接而形成存储电容，具体的，从图2a所示的结构示意图中可见，第一导电层23及第二导电层25较小，特别的，可与图1b中的金属公共电极12相比较，在此没有超出扫描线27及数据线28所限定的像素单元的范围。因此，在本发明各实施例的介绍中，均重点强调第一导电层与第二导电层无需连接像素单元外部的电位，同样能够与特定的电位连接的实现方式，而关于像素单元与像素单元之间的排布，此为本领域的公知常识，因此，本申请对此不再强调。本领域技术人员根据本申请公开的内容：具体像素单元内部的结构，便可实现多个像素单元的情况。
具体的，如图2a及2b所示，像素单元2包括：
薄膜晶体管开关205、像素电极22、透明公共电极20，所述像素电极22和透明公共电极20之间可形成平行电场；
第一存储电容200，所述第一存储电容200由透明公共电极20、位于所述透明公共电极20之上的像素电极22以及设置于所述透明公共电极20和像素电极22之间的第一绝缘层21形成；
还包括：
第二存储电容206，所述第二存储电容206由第一导电层23、第二导电层25以及设置于所述第一导电层23和第二导电层25之间的第二绝缘层24形成，其中，第一导电层23及第二导电层25在像素单元2内部分别与所述透明公共电极20电位及像素电极22电位电性连接。
其中，多个像素单元2的透明公共电极20互相连接在一起，并与驱动电路提供的电位相连接，此为现有技术，本申请对此不再赘述。
通常的，像素单元2包括多晶硅层，所述多晶硅层包括沟道202、源极201和漏极203，其中通过离子注入工艺形成了薄膜晶体管的源极201及漏极203，同时，源极201和漏极203之间未掺杂（未进行离子注入工艺）的部分作为沟道202；位于所述多晶硅层之上的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层之上的栅极27及扫描线，所述栅极27与源极201、沟道202、漏极203共同形成TFT-LCD阵列基板的开关元件——薄膜晶体管205；位于所述栅极27之上的钝化层；及位于所述钝化层之上的数据线、源极金属28、漏极金属26；还包括所述数据线层和透明公共电极20之间的有机膜层204，所述有机膜层204的主要作用是平坦化，厚度较厚。
在本实施例中，为了更好地与现有的像素单元结构及其形成方法相兼容，所述第一导电层23和栅极27及扫描线为同层材料，特别的，通过同一工艺步骤形成；
所述第二导电层25和所述多晶硅层的源极201及漏极203为同层材料，特别的，所述第二导电层25与所述源极201及漏极203通过同一工艺步骤形成，具体地包括：同时沉积非晶硅层、同时激光晶化形成多晶硅层、同时刻蚀、同时离子掺杂形成第二导电层25、源极201及漏极203，并且所述第二导电层25和漏极203连接在一起；
其中，所述第一导电层23通过第四接触孔G24与所述透明公共电极20连接从而具备公共电极电位；而所述第二导电层25直接和漏极203连接而具备像素电极电位。另外，所述漏极203通过漏极金属26和像素电极22连接，所述源极201通过源极金属28和数据线连接。
为了进一步体现本实施例中所述TFT-LCD阵列基板的结构，特别是所述像素单元2的结构，接下去将对所述TFT-LCD阵列基板的形成方法予以描述。具体的，在本实施例中，所述TFT-LCD阵列基板通过如下工艺步骤实现：
步骤10：提供玻璃基板，在所述玻璃基板之上形成绝缘层（在此称为绝缘层A，在本实施例中，将在多个步骤中形成多个绝缘层，为此，后续形成的绝缘层分别通过附加字母“A、B、C……”加以区别），通常所述绝缘层A的材料为氮化硅；
步骤11：在所述绝缘层之上形成多晶硅层，在此，对所述多晶硅层执行光刻及刻蚀工艺，形成沟道202，然后，还执行离子注入工艺形成源极201、漏极203及第二导电层25，即相对于现有工艺，形成所述第二导电层25并没有增加工艺步骤，由此，便可降低制造成本；在本实施例中，所述第二导电层25与所述漏极203连接在一起；
步骤12：在所述多晶硅层之上形成绝缘层B，该绝缘层B即为隔离第二导电层25及后续形成的第一导电层23的第二绝缘层24，同时，为了与现有的TFT-LCD阵列基板的制造工艺相兼容，该绝缘层B将同时作为源极201、漏极203与后续形成的栅极27之间的隔离结构，即作为栅绝缘层，也就是说，在本实施例中，所述第二绝缘层24即由现有的栅绝缘层所形成；
步骤13：在所述绝缘层B之上形成第一金属层，对所述第一金属层执行光刻及刻蚀工艺，形成第一导电层23；在本实施例中，在形成所述第一导电层23的同时还形成栅极27及扫描线，即相对于现有工艺，形成所述第一导电层23并没有增加工艺步骤，由此，便可降低制造成本；
步骤14：在所述第一金属层之上形成绝缘层C，在此，所述绝缘层C将作为栅极27及扫描线与后续形成数据线28之间的隔离结构，即该绝缘层C就是像素单元的钝化层，通常，所述绝缘层C的材料为氧化硅或者氮化硅；在此，对所述钝化层执行光刻及刻蚀工艺，以形成多个接触孔，其中第一接触孔G21露出多晶硅层的源极201的部分，第二接触孔G22露出多晶硅层的漏极203的部分，同时还形成第四接触孔G24，露出第一导电层23的部分；
步骤15：在所述钝化层之上形成第二金属层，对所述第二金属层执行光刻及刻蚀工艺，形成数据线、源极金属28及漏极金属26；其中源极金属28和数据线连接，同时通过第一接触孔G21和源极201连接，可以将数据信号传输至源极201；漏极金属26通过第二接触孔G22与多晶硅层的漏极203连接；
步骤16：在所述第二金属层之上形成有机膜层204，对所述有机膜层204执行光刻及刻蚀工艺，露出第四接触孔G24，进而使第一导电层23的部分暴露出来；同时还形成第三接触孔G23，所述第三接触孔G23露出漏极金属26的部分；
步骤17：在所述有机膜层24之上形成透明公共电极20，所述透明公共电极20通过第四接触孔G24与所述第一导电层23连接；
步骤18：在所述透明公共电极20之上形成绝缘层D，该绝缘层D即为隔离透明公共电极20及后续形成的像素电极22的第一绝缘层21，同时，对该绝缘层D执行光刻及刻蚀工艺，露出第三接触孔G23，进而使漏极金属26的部分暴露出来；
步骤19：在所述第一绝缘层21之上形成像素电极22，所述像素电极22通过第三接触孔G23与漏极金属26连接。
通过上述工艺步骤便可形成第一存储电容200及第二存储电容206，其中，所述第二存储电容206由第一导电层23、第二导电层25以及设置于所述第一导电层23和第二导电层25之间的第二绝缘层24形成，其中，第一导电层23及第二导电层25在像素单元2内部分别与所述透明公共电极20电位及像素电极22电位电性连接。
在此，通过第一导电层23及第二导电层25在像素单元2内部分别与所述透明公共电极20电位及像素电极22电位电性连接，即形成所述第二存储电容206的第一导电层23及第二导电层25不需要横穿整个像素单元2以与像素单元2外部的电位连接，而只需在像素单元2内部分别与透明公共电极20电位及像素电极22电位电性连接即可。由此，在满足存储电容值的情况下，便可减小第一导电层23及第二导电层25的大小，即增大像素单元2的开口率，从而实现了像素单元2具有较大的存储电容值及较高的开口率。
在此，为了进一步说明通过本发明实施例提供的TFT-LCD阵列基板能够达到较大的存储电容值及较高的开口率的有益效果，发明人特针对250PPI像素单元的设计，即像素单元的长为102um，宽为34um为例，在满足180fF的存储电容的情况下，测得开口率能够达到77%，虽然相对于只有第一存储电容的情况，开口率略有减小，但是，相对于能够满足存储电容大小要求的情况，本实施例所提供的像素单元的开口率得到了极大地提高。因为本实施例中的像素单元无需使得第一导电层23或者第二导电层25横穿整个像素单元2，由此，便可减小第一导电层23或者第二导电层25的面积，从而相对于背景技术中的方案，本实施例所提供的像素单元，既具有较大的存储电容值又具有较高的开口率。
【实施例二】
请参考图3，其为本发明实施例二的TFT-LCD阵列基板的剖面示意图。如图3所示，所述TFT-LCD阵列基板上形成有多个像素单元，每个像素单元3包括：
薄膜晶体管开关305（图3中未示出）、像素电极32、透明公共电极30，所述像素电极32和透明公共电极30之间可形成平行电场；
第一存储电容300，所述第一存储电容300由透明公共电极30、位于所述透明公共电极30之上的像素电极32以及设置于所述透明公共电极30和像素电极32之间的第一绝缘层31形成；
还包括：
第二存储电容306，所述第二存储电容306由第一导电层33、第二导电层35以及设置于所述第一导电层33和第二导电层35之间的第二绝缘层34形成，其中，第一导电层33及第二导电层35在像素单元3内部分别与所述透明公共电极30电位及像素电极32电位电性连接。
本实施例二与实施例一的差别在于，第一导电层33并不是通过接触孔直接与透明公共电极30连接，而是通过金属导垫39与所述透明公共电极30连接。具体的，所述第一导电层33通过第三接触孔G33与先于所述金属导垫39的一侧连接，接着，所述金属导垫39的另一侧通过第四接触孔G34与所述透明公共电极30连接，从而实现了所述第一导电层33与所述透明公共电极30的电性连接。
相对于实施例一，在本实施例中，第一导电层33与透明公共电极30连接所需的第三接触孔G33和第四接触孔G34的深度都较浅，由此，能够保证所形成的接触孔的可靠性，进而保证TFT-LCD阵列基板的可靠性。
为了进一步体现本实施例中所述TFT-LCD阵列基板的结构，特别是所述像素单元3的结构，接下去将对所述TFT-LCD阵列基板的形成方法予以描述。具体的，在本实施例中，所述TFT-LCD阵列基板通过如下工艺步骤实现：
步骤20：提供玻璃基板，在所述玻璃基板之上形成绝缘层（在此称为绝缘层A，在本实施例中，将在多个步骤中形成多个绝缘层，为此，后续形成的绝缘层分别通过附加字母“A、B、C……”加以区别），通常所述绝缘层A的材料为氮化硅；
步骤21：在所述绝缘层之上形成多晶硅层，在此，对所述多晶硅层执行光刻及刻蚀工艺，形成沟道302，然后，还执行离子注入工艺形成源极301、漏极302及第二导电层35，即相对于现有工艺，形成所述第二导电层35并没有增加工艺步骤，由此，便可降低制造成本；在本实施例中，所述第二导电层35与所述漏极302连接在一起；
步骤22：在所述多晶硅层之上形成绝缘层B，该绝缘层B即为隔离第二导电层35及后续形成的第一导电层33的第二绝缘层34，同时，为了与现有的TFT-LCD阵列基板的制造工艺相兼容，该绝缘层B将同时作为源极301、漏极302与后续形成的栅极37之间的隔离结构，即作为栅绝缘层，也就是说，在本实施例中，所述第二绝缘层34即由现有的栅绝缘层所形成；
步骤23：在所述绝缘层B之上形成第一金属层，对所述第一金属层执行光刻及刻蚀工艺，形成第一导电层33；在本实施例中，在形成所述第一导电层33的同时还形成栅极37及扫描线，即相对于现有工艺，形成所述第一导电层33并没有增加工艺步骤，由此，便可降低制造成本；
步骤24：在所述第一金属层之上形成钝化层，在此，所述钝化层将作为栅极37及扫描线与后续形成数据线层之间的隔离结构，该钝化层也是一层绝缘层（即为绝缘层C），通常，所述钝化层的材料为氧化硅或者氮化硅；在此，对所述钝化层执行光刻及刻蚀工艺，以形成多个接触孔，其中第一接触孔G31露出多晶硅层的源极301的部分，第二接触孔G32露出多晶硅层的漏极303的部分，还有第三接触孔G33露出第一导电层33的部分；
步骤25：在所述钝化层之上形成第二金属层，对所述第二金属层执行光刻及刻蚀工艺，形成数据线、源极金属38、漏极金属36及金属导垫39，其中：源极金属38和数据线连接，同时所述源极金属38通过第一接触孔G31和源极301连接；漏极金属36通过第二接触孔G32与多晶硅层的漏极303连接；金属导垫39通过第三接触孔G33与第一导电层33连接；
步骤26：在所述第二金属层之上形成有机膜层304，对所述有机膜层304执行光刻及刻蚀工艺，形成第四接触孔G34露出所述金属导垫39，同时还形成第五接触孔G35露出漏极金属36的部分；
步骤27：在所述有机膜层304之上形成透明公共电极30，所述透明公共电极30通过步骤26中所形成的第四接触孔G34与所述金属导垫39连接，即第一导电层33和透明公共电极30电连接；
步骤28：在所述透明公共电极30之上形成绝缘层D，该绝缘层D即为隔离透明公共电极30及后续形成的像素电极32的第一绝缘层31，同时，对该绝缘层D执行光刻及刻蚀工艺，露出第五接触孔G35，进而露出漏极金属36的部分；
步骤29：在所述第一绝缘层31之上形成像素电极32，所述像素电极32通过第五接触孔G35与漏极金属36连接，由此，所述第二导电层35与所述像素电极32连接。
通过上述工艺步骤便可形成第一存储电容300及第二存储电容306，其中，所述第二存储电容306由第一导电层33、第二导电层35以及设置于所述第一导电层33和第二导电层35之间的第二绝缘层34形成，其中，第一导电层33及第二导电层35在像素单元3内部分别与所述透明公共电极30电位及像素电极32电位电性连接。
【实施例三】
请参考图4，其为本发明实施例三的TFT-LCD阵列基板的剖面示意图。如图4所示，每个像素单元4包括：
薄膜晶体管开关405、像素电极42、透明公共电极40，所述像素电极42和透明公共电极40之间可形成平行电场；
第一存储电容400，所述第一存储电容400由透明公共电极40、位于所述透明公共电极40之上的像素电极42以及设置于所述透明公共电极40和像素电极42之间的第一绝缘层41形成；
还包括：
第二存储电容406，所述第二存储电容406由第一导电层43、第二导电层45以及设置于所述第一导电层43和第二导电层45之间的第二绝缘层44形成，其中，第一导电层43及第二导电层45在像素单元4内部分别与所述透明公共电极40电位及像素电极42电位电性连接。
本实施例三与实施例一的差别在于，在本实施例三中，所述第一导电层43和漏极金属46为同层材料，并通过第四接触孔G44与所述透明公共电极40连接而具备公共电极电位；所述第二导电层45和所述栅极47及扫描线为同层材料，并且通过第三接触孔G43和所述漏极金属46连接在一起而具备像素电极电位；所述第二绝缘层44为钝化层。
为了进一步体现本实施例中所述TFT-LCD阵列基板的结构，特别是所述像素单元4的结构，接下去将对所述TFT-LCD阵列基板的形成方法予以描述。具体的，在本实施例中，所述TFT-LCD阵列基板通过如下工艺步骤实现：
步骤30：提供玻璃基板，在所述玻璃基板之上形成绝缘层（在此称为绝缘层A，在本实施例中，将在多个步骤中形成多个绝缘层，为此，后续形成的绝缘层分别通过附加字母“A、B、C……”加以区别），通常所述绝缘层A的材料为氮化硅；
步骤31：在所述绝缘层A之上形成多晶硅层，在此，对所述多晶硅层执行光刻及刻蚀工艺，形成沟道402，然后，还执行离子注入工艺形成源极401、漏极403；
步骤32：在所述多晶硅层之上形成绝缘层B，该绝缘层B为源极401、漏极403与后续形成的栅极47之间的隔离结构，即作为栅绝缘层；
步骤33：在所述绝缘层B之上形成第一金属层，对所述第一金属层执行光刻及刻蚀工艺，形成第二导电层45；在本实施例中，在形成所述第二导电层45的同时还形成栅极47及扫描线，即相对于现有工艺，形成所述第二导电层45并没有增加工艺步骤，由此，便可降低制造成本；
步骤34：在所述第一金属层之上形成钝化层，在此，所述钝化层将作为栅极47及扫描线与后续形成数据线48之间的隔离结构，该钝化层也是一层绝缘层（即为绝缘层C），通常，所述钝化层的材料为氧化硅或者氮化硅；同时，该钝化层即为隔离第二导电层45及后续形成的第一导电层43的第二绝缘层44；在此，对所述钝化层执行光刻及刻蚀工艺，以形成多个接触孔，其中：第一接触孔G41，所述第一接触孔G41露出源极401的部分，第二接触孔G42,露出漏极403的部分，第三接触孔G43露出第二导电层45的部分；
步骤35：在所述钝化层之上形成第二金属层，对所述第二金属层执行光刻及刻蚀工艺，形成源极金属48、漏极金属46及第一导电层43，其中源极金属46连接至数据线并且通过第一接触孔G41和源极401电连接，漏极金属46通过第二接触孔G42连接至漏极403，并且所述漏极金属46还通过第三接触孔G43与第二导电层45相连接，从而所述第二导电层45具备像素电极电位；
步骤36：在所述第二金属层之上形成有机膜层404，对所述有机膜层404执行光刻及刻蚀工艺，形成第四接触孔G44露出所述第一导电层43的部分，还形成第五接触孔G45露出漏极金属46的部分；
步骤37：在所述有机膜层404之上形成透明公共电极40，所述透明公共电极40通过步骤36中所形成的第四接触孔G44与所述第一导电层43连接，从而所述第一导电层43具备公共电极电位；
步骤38：在所述透明公共电极40之上形成绝缘层D，该绝缘层D即为隔离透明公共电极40及后续形成的像素电极42的第一绝缘层41，同时，对该绝缘层D执行光刻及刻蚀工艺，露出第五接触孔G45进而露出漏极金属46；
步骤39：在所述第一绝缘层41之上形成像素电极42，所述像素电极42通过第五接触孔G45与漏极金属46连接。
通过上述工艺步骤便可形成第一存储电容400及第二存储电容406，其中，所述第二存储电容406由第一导电层43、第二导电层45以及设置于所述第一导电层43和第二导电层45之间的第二绝缘层44形成，其中，第一导电层43及第二导电层45在像素单元4内部分别与所述透明公共电极40电位及像素电极42电位电性连接。
在本实施例三中，由于通过第二金属层形成第一导电层43，因此，第一导电层与透明公共电极40之间的距离减小了，由此，可使得连接第一导电层43及透明公共电极40的接触孔变浅，从而可保证接触孔的可靠性，进而保证TFT-LCD阵列基板的可靠性。
【实施例四】
请参考图5，其为本发明实施例四的TFT-LCD阵列基板的剖面示意图。如图5所示，每个像素单元5包括：
薄膜晶体管开关505（图5中未示出）、像素电极52、透明公共电极50，所述像素电极52和透明公共电极50可形成平行电场；
第一存储电容500，所述第一存储电容500由透明公共电极50、位于所述透明公共电极50之上的像素电极52以及设置于所述透明公共电极50和像素电极52之间的第一绝缘层51形成；
还包括：
第二存储电容506，所述第二存储电容506由第一导电层53、第二导电层55以及设置于所述第一导电层53和第二导电层55之间的第二绝缘层54形成，其中，第一导电层53及第二导电层55在像素单元5内部分别与所述透明公共电极50电位及像素电极52电位电性连接。
本实施例四与实施例一的差别在于，本实施例四中的栅极结构为底栅结构，而实施例一（包括实施例二、三）中的栅极结构为顶栅结构，可见，本发明所提供的TFT-LCD阵列基板并不限定栅极的结构，其既可以为顶栅结构也可以为底栅结构。
为了进一步体现本实施例中所述TFT-LCD阵列基板的结构，特别是所述像素单元5的结构，接下去将对所述TFT-LCD阵列基板的形成方法予以描述。具体的，在本实施例中，所述TFT-LCD阵列基板通过如下工艺步骤实现：
步骤40：提供玻璃基板，在所述玻璃基板之上形成绝缘层（在此称为绝缘层A，在本实施例中，将在多个步骤中形成多个绝缘层，为此，后续形成的绝缘层分别通过附加字母“A、B、C……”加以区别），通常所述绝缘层A的材料为氮化硅；
步骤41：在所述绝缘层之上形成第一金属层，对所述第一金属层执行光刻及刻蚀工艺，形成第一导电层53；在本实施例中，在形成所述第一导电层53的同时还形成栅极57及扫描线，即相对于现有工艺，形成所述第一导电层53并没有增加工艺步骤，由此，便可降低制造成本；
步骤42：在所述第一金属层之上形成绝缘层B，该绝缘层B为栅极57及扫描线与后续形成的源极501、漏极503之间的隔离结构，即作为栅绝缘层；
步骤43：在所述绝缘层B之上形成多晶硅层，在此，对所述多晶硅层执行光刻及刻蚀工艺形成沟道502，还执行离子注入工艺形成源极501、漏极503和第二导电层55，即相对于现有工艺，形成所述第二导电层55并没有增加工艺步骤，由此，便可降低制造成本；在本实施例中，所述第二导电层55与所述漏极503连接在一起，因此所述第二导电层55也具备像素电极的电位；
步骤44：在所述多晶硅层之上形成钝化层，该钝化层也是一层绝缘层（即为绝缘层C），通常，所述钝化层的材料为氧化硅或者氮化硅；在此，对所述钝化层执行光刻及刻蚀工艺，以形成多个接触孔，其中第一接触孔G51露出多晶硅层的源极501，第二接触孔G52露出多晶硅层的漏极503，第三接触孔G53露出第一导电层53的部分；
步骤45：在所述钝化层之上形成第二金属层，对所述第二金属层执行光刻及刻蚀工艺，形成数据线、源极金属58、漏极金属56，其中源极金属58通过第一接触孔G51和多晶硅层的源极501连接，漏极金属56通过第二接触孔G52与多晶硅层的漏极503连接；
步骤46：在所述第二金属层之上形成有机膜层504，对所述有机膜层504执行光刻及刻蚀工艺，露出第三接触孔G53进而露出所述第一导电层53，还形成第四接触孔G54，露出漏极金属56；
步骤47：在所述有机膜层之上形成透明公共电极50，所述透明公共电极50通过第三接触孔G53与所述第一导电层53连接；
步骤48：在所述透明公共电极50之上形成绝缘层D，该绝缘层D即为隔离透明公共电极50及后续形成的像素电极52的第一绝缘层51，同时，对该绝缘层D执行光刻及刻蚀工艺，露出第四接触孔G54进而露出漏极金属56；
步骤49：在所述第一绝缘层51之上形成像素电极52，所述像素电极52通过第四接触孔G54与漏极金属56连接。
通过上述工艺步骤便可形成第一存储电容500及第二存储电容506，其中，所述第二存储电容506由第一导电层53、第二导电层55以及设置于所述第一导电层53和第二导电层55之间的第二绝缘层54形成，其中，第一导电层53及第二导电层55在像素单元5内部分别与所述透明公共电极50电位及像素电极52电位电性连接。
同样地，在底栅结构TFT的结构中，还可以如同实施例三中那样，设置和数据线同层的金属导垫将第一导电层53和透明公共电极50电连接，比如先通过设置于钝化层中的一个接触孔露出第一导电层53的部分，然后用和数据线同层的金属作成金属导垫，所述金属导垫通过该接触孔和第一导电层53连接，再在有机膜层504内设置另一接触孔，通过所述另一接触孔将透明公共电极50和金属导垫连接，进而将第一导电层53和透明公共电极50电连接；这种结构可以使连接第一导电层53和透明公共电极50的接触孔的深度变浅，可提高制程的可靠性，具体地可参考实施例三和实施例四，此处不再详细描述。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (12)

1.一种IPS型TFT-LCD阵列基板，所述IPS型TFT-LCD阵列基板上形成有多个像素单元，每个像素单元包括：
薄膜晶体管开关、像素电极、透明公共电极，所述像素电极和透明公共电极之间形成平行电场；
多个像素单元的透明公共电极互相连接在一起，并与驱动电路提供的电位相连接；
第一存储电容，所述第一存储电容由透明公共电极、位于所述透明公共电极之上的像素电极以及设置于所述透明公共电极和像素电极之间的第一绝缘层形成；
其特征在于，还包括：
第二存储电容，所述第二存储电容由第一导电层、第二导电层以及设置于所述第一导电层和第二导电层之间的第二绝缘层形成，其中，第一导电层及第二导电层在像素单元内部分别与所述透明公共电极电位及像素电极电位电性连接；并且所述第一导电层及第二导电层设置在像素单元范围内。
2.如权利要求1所述的IPS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述像素单元依次包括：
多晶硅层、栅极绝缘层、栅极、钝化层、数据线、源极金属和漏极金属、有机膜层、透明公共电极、第一绝缘层和像素电极；
其中所述多晶硅层包括沟道、源极和漏极。
3.如权利要求2所述的IPS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，
所述第一导电层和所述栅极为同层材料，并通过接触孔与所述透明公共电极连接；
所述第二导电层和所述多晶硅层的漏极为同层材料，并且和所述漏极连接在一起；
所述第二绝缘层为栅极绝缘层。
4.如权利要求2所述的IPS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，
所述第一导电层和所述栅极为同层材料，并通过一金属导垫与所述透明公共电极连接；
所述第二导电层和所述多晶硅层的漏极为同层材料，并且和所述漏极连接在一起；
所述第二绝缘层为栅极绝缘层。
5.如权利要求4所述的IPS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，
所述金属导垫和所述数据线、源极金属和漏极金属为同一层并在同一制程步骤中形成，所述金属导垫的一侧通过接触孔和所述第一导电层连接，透明公共电极通过接触孔和所述金属导垫的另一侧连接。
6.如权利要求3或4任一所述的IPS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，
所述第一导电层和所述栅极在同一制程步骤中形成；
所述第二导电层和所述多晶硅层的漏极在同一制程步骤中形成。
7.如权利要求2所述的IPS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，
所述第一导电层和所述漏极金属为同层材料，并通过接触孔与所述透明公共电极连接；
所述第二导电层和所述栅极为同层材料，并且通过接触孔和所述漏极金属连接在一起；
所述第二绝缘层为钝化层。
8.如权利要求7所述的IPS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，
所述第一导电层和所述漏极金属在同一制程步骤中形成；
所述第二导电层和所述栅极在同一制程步骤中形成。
9.如权利要求1所述的IPS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述像素单元依次包括：
栅极、栅极绝缘层、多晶硅层、钝化层、数据线、源极金属和漏极金属、有机膜层、透明公共电极、第一绝缘层和像素电极；
其中所述多晶硅层包括沟道、源极和漏极。
10.如权利要求9所述的IPS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，
所述第一导电层和所述栅极为同层材料，并且通过接触孔和透明公共电极连接在一起；
所述第二导电层和所述漏极为同层材料，并且和所述漏极连接在一起；
所述第二绝缘层为栅极绝缘层。
11.如权利要求9所述的IPS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，
所述第一导电层和所述栅极为同层材料，并通过一金属导垫与所述透明公共电极连接；
所述第二导电层和所述漏极为同层材料，并且和所述漏极连接在一起；
所述第二绝缘层为栅极绝缘层。
12.如权利要求10或11所述的IPS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，
所述第一导电层和所述栅极在同一制程步骤中形成；
所述第二导电层和所述漏极在同一制程步骤中形成。
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