JP4404835B2 - 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
前記コンタクトホールは、画素の平面図において、前記共通電極配線が当該画素の内側に向けて延長する方向と、前記共通電極が前記共通電極配線から当該画素の中央に向けて延長する方向とのなす角度が90度以上になるような隅の位置の何れか一箇所に設けることが好ましい。
図1、図2及び図3に本発明の第1の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を示す。図1は、本実施形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置10の平面図、図2は図1のII−II線における断面図、図3は図1に示したアクティブマトリクス型液晶表示装置10の単位画素部分の回路図である。
図12は本発明の第2の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置40の平面図である。
図16は本発明の第3の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置50の断面図である。
図17は本発明の第4の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置60の断面図である。
図18は本発明の第5の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置70の断面図である。
図19は、第6の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置80の断面図である。
図20は、第7の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置90の断面図である。
図21は、本発明の第8の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置91の平面図である。本実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置91は、図20に示した第7の実施形態に係る液晶表示装置90の変形例に相当する。また、図22は、図21のa−a’の断面図である。また、図23は液晶表示装置91の別の断面図である。
図24は、本発明の第9の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置92の平面図である。本実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置92は、図21に示した第8の実施形態に係る液晶表示装置91の変形例に相当する。また、図25は、図24のb−b’の断面図である。
図26は、本発明の第10の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置93の平面図である。本実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置93は、図24に示した第9の実施形態に係る液晶表示装置92の変形例に相当する。また、図27は、図26のc−c’の断面図である。
図28は、本発明の第11の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置94の平面図である。本実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置94は、図26に示した第10の実施形態に係る液晶表示装置93の変形例に相当する。また、図29は、図28のd−d’の断面図である。
上述の第1乃至第11の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置10、40、50、60、70、80、90、91、92、93、94は何れもいわゆるシングルドメイン型の液晶表示装置である。
図32は、本発明の第13の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置100の断面図である。
図33は、本発明の第14の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置110の断面図である。
上述の第1乃至第12の実施形態においては、ブラックマトリクス層17は薄膜トランジスタ30を覆って薄膜トランジスタ30上にのみ孤立パターンとして形成されている。
上述の第1の実施形態に係る液晶表示装置10、第2の実施形態に係る液晶表示装置40、第3の実施形態に係る液晶表示装置50、第4の実施形態に係る液晶表示装置60、第5の実施形態に係る液晶表示装置70、第6の実施形態に係る液晶表示装置80、第7の実施形態に係る液晶表示装置90、第8の実施形態に係る液晶表示装置91、第9の実施形態に係る液晶表示装置92、第10の実施形態に係る液晶表示装置93、第11の実施形態に係る液晶表示装置94、第12の実施形態に係る液晶表示装置、第13の実施形態に係る液晶表示装置100、第14の実施形態に係る液晶表示装置110及び第15の実施形態に係る液晶表示装置は各種の電子機器に応用することが可能である。以下、その応用例を挙げる。
11 能動素子基板
12 対向基板
13 液晶層
16 透明絶縁性基板
17 ブラックマトリクス層
18 色層
19 オーバーコート層
20 走査線
20A、20B 保護回路配線
21 共通電極配線
22 透明絶縁性基板
23 ゲート絶縁膜
23a、23c コンタクトホール
24 データ線
24A、24B 保護回路配線
25 画素電極
25a 保護層としての透明電極
26 層間絶縁膜
26a 無機膜からなる層間絶縁膜
26b 有機膜からなる層間絶縁膜
27 共通電極
28 スペーサ
29 コンタクトホール
38 柱状パターン
40 第2の実施形態に係る液晶表示装置
41、42 保護回路
43 導電パターン
50 第3の実施形態に係る液晶表示装置
60 第4の実施形態に係る液晶表示装置
70 第5の実施形態に係る液晶表示装置
80 第6の実施形態に係る液晶表示装置
90 第7の実施形態に係る液晶表示装置
100 第9の実施形態に係る液晶表示装置
250 携帯型情報端末
275 携帯電話機
Claims (33)
- 能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とからなる液晶表示装置であって、
前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、
前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続されており、
前記画素電極と前記共通電極との間に印加される、前記能動素子基板の表面に略平行な電界により、前記液晶層の分子軸を前記能動素子基板に平行な面内において回転させることにより表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記走査線及び前記共通電極配線は同層に、かつ、相互に平行に形成されており、
前記データ線及び前記走査線は層間絶縁膜を介して前記共通電極に覆われており、
前記共通電極配線は前記走査線の片側に一本のみ形成されており、
前記共通電極は、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記共通電極配線と電気的に接続されており、
前記共通電極は前記走査線と前記共通電極配線との間のギャップをシールドするように形成され、
前記層間絶縁膜は有機膜と無機膜との積層からなり、前記有機膜からなる前記層間絶縁膜は、前記走査線上、前記データ線上、前記共通電極配線上及び前記薄膜トランジスタ上と、前記走査線上、前記データ線上、前記共通電極配線上及び前記薄膜トランジスタ上の近傍と、の前記共通電極のパターンの内側にのみ形成されていることを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とからなる液晶表示装置であって、
前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、
前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続されており、
前記画素電極と前記共通電極との間に印加される、前記能動素子基板の表面に略平行な電界により、前記液晶層の分子軸を前記能動素子基板に平行な面内において回転させることにより表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記走査線及び前記共通電極配線は同層に、かつ、相互に平行に形成されており、
前記データ線及び前記走査線は層間絶縁膜を介して前記共通電極に覆われており、
前記共通電極配線は前記走査線の片側に一本のみ形成されており、
前記共通電極は、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記共通電極配線と電気的に接続されており、
前記共通電極は前記走査線と前記共通電極配線との間のギャップをシールドするように形成され、
前記層間絶縁膜は有機膜と無機膜との積層からなり、前記有機膜からなる前記層間絶縁膜は、前記走査線上、前記データ線上及び前記薄膜トランジスタ上と、前記走査線上、前記データ線上及び前記薄膜トランジスタ上の近傍と、の前記共通電極のパターンの内側にのみ形成されていることを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とからなる液晶表示装置であって、
前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、
前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続されており、
前記画素電極と前記共通電極との間に印加される、前記能動素子基板の表面に略平行な電界により、前記液晶層の分子軸を前記能動素子基板に平行な面内において回転させることにより表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記走査線及び前記共通電極配線は同層に、かつ、相互に平行に形成されており、
前記データ線及び前記走査線は層間絶縁膜を介して前記共通電極に覆われており、
前記共通電極配線は前記走査線の片側に一本のみ形成されており、
前記共通電極は、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記共通電極配線と電気的に接続されており、
前記共通電極は前記走査線と前記共通電極配線との間のギャップをシールドするように形成され、
前記層間絶縁膜は有機膜と無機膜との積層からなり、前記有機膜からなる前記層間絶縁膜は、前記データ線上及び前記薄膜トランジスタ上と、前記データ線上及び前記薄膜トランジスタ上の近傍と、の前記共通電極のパターンの内側にのみ形成されていることを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とからなる液晶表示装置であって、
前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、
前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続されており、
前記画素電極と前記共通電極との間に印加される、前記能動素子基板の表面に略平行な電界により、前記液晶層の分子軸を前記能動素子基板に平行な面内において回転させることにより表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記走査線及び前記共通電極配線は同層に、かつ、相互に平行に形成されており、
前記データ線及び前記走査線は層間絶縁膜を介して前記共通電極に覆われており、
前記共通電極配線は前記走査線の片側に一本のみ形成されており、
前記共通電極は、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記共通電極配線と電気的に接続されており、
前記共通電極は前記走査線と前記共通電極配線との間のギャップをシールドするように形成され、
前記層間絶縁膜は有機膜と無機膜との積層からなり、前記有機膜からなる前記層間絶縁膜は、前記データ線上と、前記データ線上の近傍と、の前記共通電極のパターンの内側にのみ形成されていることを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 前記有機膜は感光性の樹脂材料からなるものであることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
- 前記有機膜は黒色有機材料からなることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
- 前記有機膜はノボラック系樹脂材料からなることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
- 前記薄膜トランジスタは前記走査線と前記データ線との交点に形成されており、前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極は前記データ線により直接的に形成されていることを特徴とする請求項1乃至7の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
- ブラックマトリクス層がマトリクス状に形成されていることを特徴とする請求項1乃至8の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
- ブラックマトリクス層は前記薄膜トランジスタを覆って前記薄膜トランジスタ上にのみ孤立パターンとして形成されていることを特徴とする請求項1乃至8の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
- 前記ブラックマトリクス層は1×1010Ω・cm以上の比抵抗を有する材料からなるものであることを特徴とする請求項9または10に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
- カラーフィルターを構成する色層は前記データ線と平行なエッジを有していることを特徴とする請求項1乃至11の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
- カラーフィルターを構成する各色層は隣接する色層との間に隙間なく、あるいは、隣接する色層と相互に重なり合って形成されていることを特徴とする請求項1乃至12の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
- 前記走査線と前記共通電極配線との間の任意の場所に配置されるように形成された、前記能動素子基板と前記対向基板との間のギャップを確保するための柱状パターンを備えることを特徴とする請求項1乃至13の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
- 前記液晶層を構成する液晶材はΔεが9以上であることを特徴とする請求項1乃至14の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
- 前記液晶層を構成する液晶材はΔεが11以上であることを特徴とする請求項1乃至14の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
- 前記液晶層を構成する液晶材はN/I点が摂氏80度以上であることを特徴とする請求項1乃至16の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
- 前記共通電極には前記薄膜トランジスタのチャネル上において開口部が形成されており、前記開口部の端部は前記チャネルの端部から所定の距離だけ離れていることを特徴とする請求項1乃至17の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
- 液晶分子の回転方向が同じとなるサブ画素領域において、液晶が逆方向に回転することを防止する逆回転防止構造をさらに備えており、
前記逆回転防止構造は、ラビング軸と前記サブ画素領域内で発生する電界の向きとの関係が、サブ画素領域内のすべての領域において、ラビング軸から同一方向への鋭角の回転により電界の向きと重なるように、前記画素電極及び前記共通電極の少なくとも何れか一方と等電位を与えられる補助電極を備えることを特徴とする請求項1乃至18の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 前記データ線は画面周辺部において、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記走査線と同層に形成された保護回路配線に電気的に接続されており、かつ、前記走査線は画面周辺部において、前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記データ線と同層に形成された保護回路配線に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至19の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
- 前記データ線は画面周辺部において、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上層に形成された導電パターンにより、前記走査線と同層に形成された保護回路配線に電気的に接続されており、かつ、前記走査線は画面周辺部において、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上層に形成された導電パターンによって、前記データ線と同層に形成された保護回路配線に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至19の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
- 請求項1乃至21の何れか一項に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置を搭載した電子機器。
- 能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とからなる液晶表示装置であって、
前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、
前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続されており、
前記画素電極と前記共通電極との間に印加される、前記能動素子基板の表面に略平行な電界により、前記液晶層の分子軸を前記能動素子基板に平行な面内において回転させることにより表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、
前記走査線及び前記共通電極配線を相互に平行に同層に、かつ、前記共通電極
配線を前記走査線の片側に一本のみ形成する過程と、
前記データ線及び前記走査線上に層間絶縁膜を形成する過程と、
前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する過程と、
前記層間絶縁膜上に、前記コンタクトホールを介して前記共通電極配線と電気的に接続するように、かつ、前記走査線と前記共通電極配線との間のギャップをシールドするように前記共通電極を形成する過程と、
前記層間絶縁膜を有機膜と無機膜との積層膜から形成し、前記有機膜からなる前記層間絶縁膜を、前記走査線上、前記データ線上、前記共通電極配線上及び前記薄膜トランジスタ上と、前記走査線上、前記データ線上、前記共通電極配線上及び前記薄膜トランジスタ上の近傍と、の前記共通電極のパターンの内側にのみ形成する過程と、
を備えることを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。 - 能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とからなる液晶表示装置であって、
前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、
前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続されており、
前記画素電極と前記共通電極との間に印加される、前記能動素子基板の表面に略平行な電界により、前記液晶層の分子軸を前記能動素子基板に平行な面内において回転させることにより表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、
前記走査線及び前記共通電極配線を相互に平行に同層に、かつ、前記共通電極配線を前記走査線の片側に一本のみ形成する過程と、
前記データ線及び前記走査線上に層間絶縁膜を形成する過程と、
前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する過程と、
前記層間絶縁膜上に、前記コンタクトホールを介して前記共通電極配線と電気的に接続するように、かつ、前記走査線と前記共通電極配線との間のギャップをシールドするように前記共通電極を形成する過程と、
前記層間絶縁膜を有機膜と無機膜との積層膜から形成し、前記有機膜からなる前記層間絶縁膜を、前記走査線上、前記データ線上及び前記薄膜トランジスタ上と、前記走査線上、前記データ線上及び前記薄膜トランジスタ上の近傍と、の前記共通電極のパターンの内側にのみ形成する過程と、
を備えることを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。 - 能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とからなる液晶表示装置であって、
前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、
前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続されており、
前記画素電極と前記共通電極との間に印加される、前記能動素子基板の表面に略平行な電界により、前記液晶層の分子軸を前記能動素子基板に平行な面内において回転させることにより表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、
前記走査線及び前記共通電極配線を相互に平行に同層に、かつ、前記共通電極配線を前記走査線の片側に一本のみ形成する過程と、
前記データ線及び前記走査線上に層間絶縁膜を形成する過程と、
前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する過程と、
前記層間絶縁膜上に、前記コンタクトホールを介して前記共通電極配線と電気的に接続するように、かつ、前記走査線と前記共通電極配線との間のギャップをシールドするように前記共通電極を形成する過程と、
前記層間絶縁膜を有機膜と無機膜との積層膜から形成し、前記有機膜からなる前記層間絶縁膜を、前記データ線上及び前記薄膜トランジスタ上と、前記データ線上及び前記薄膜トランジスタ上の近傍と、の前記共通電極のパターンの内側にのみ形成する過程と、
を備えることを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。 - 能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とからなる液晶表示装置であって、
前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、
前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続されており、
前記画素電極と前記共通電極との間に印加される、前記能動素子基板の表面に略平行な電界により、前記液晶層の分子軸を前記能動素子基板に平行な面内において回転させることにより表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、
前記走査線及び前記共通電極配線を相互に平行に同層に、かつ、前記共通電極配線を前記走査線の片側に一本のみ形成する過程と、
前記データ線及び前記走査線上に層間絶縁膜を形成する過程と、
前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する過程と、
前記層間絶縁膜上に、前記コンタクトホールを介して前記共通電極配線と電気的に接続するように、かつ、前記走査線と前記共通電極配線との間のギャップをシールドするように前記共通電極を形成する過程と、
前記層間絶縁膜を有機膜と無機膜との積層膜から形成し、前記有機膜からなる前記層間絶縁膜を、前記データ線上と、前記データ線上の近傍と、の前記共通電極のパターンの内側にのみ形成する過程と、
を備えることを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。 - ブラックマトリクス層を、前記薄膜トランジスタを覆って前記薄膜トランジスタ上にのみ孤立パターンとして形成する過程を備えることを特徴とする請求項23乃至26の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
- カラーフィルターを構成する色層を、前記データ線と平行なエッジを有するように形成する過程を備えることを特徴とする請求項23乃至27の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
- カラーフィルターを構成する色層を、各色層が隣接する色層との間に隙間なく、あるいは、隣接する色層と相互に重なり合うように、形成する過程を備えることを特徴とする請求項23乃至28の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
- 前記走査線と前記共通電極配線との間の任意の場所に配置されるように、前記能動素子基板と前記対向基板との間のギャップを確保するための柱状パターンを前記能動素子基板または前記対向基板上に形成する過程を備えることを特徴とする請求項23乃至29の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
- 前記共通電極に、前記薄膜トランジスタのチャネル上において、開口部を形成する過程を備え、前記開口部の端部は前記チャネルの端部から所定の距離だけ離れていることを特徴とする請求項23乃至30の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
- 前記データ線を、画面周辺部において、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記走査線と同層に形成された保護回路配線に電気的に接続し、
前記走査線を、画面周辺部において、前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記データ線と同層に形成された保護回路配線に電気的に接続する過程を備えることを特徴とする請求項23乃至31の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。 - 前記データ線を、画面周辺部において、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上層に形成された導電パターンにより、前記走査線と同層に形成された保護回路配線に電気的に接続し、
前記走査線を、画面周辺部において、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して形成された導電パターンによって、前記データ線と同層に形成された保護回路配線に電気的に接続する過程を備えることを特徴とする請求項23乃至31の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
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