JP3913553B2 - レイテンシ制御回路及び制御方法並びにこれを備える同期式半導体メモリ装置 - Google Patents
レイテンシ制御回路及び制御方法並びにこれを備える同期式半導体メモリ装置 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は同期式半導体メモリ装置に係り、特に同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御回路及びレイテンシ制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近来、高速動作を実現するために同期式半導体メモリ装置が開発され、同期式半導体メモリ装置では命令が外部から印加される外部クロック、すなわちシステムクロックに同期して入力され、出力データがシステムクロックのエッジに同期して出力される。同期式半導体メモリ装置の内部では、内部クロック発生器から生じる内部クロックに同期してメモリセルアレイのデータが読出され、読出されたデータは遅延同期ループ回路から生じる出力制御クロックを利用して出力される。
【0003】
より詳細に説明すれば、内部クロック発生器がシステムクロックに応答して内部クロックを生じ、遅延同期ループ回路がシステムクロックに応答して出力制御クロックを生じる。次に、レイテンシ制御回路が出力制御クロックに応答して出力データの発生時点を決定するレイテンシ制御信号を生じる。出力バッファは、レイテンシ制御信号を所定時間遅延させた出力制御信号に応答し、メモリセルアレイから読出されたデータを外部に出力する。
【0004】
従って、同期式半導体メモリ装置では内部クロックに同期した読出しデータと出力制御クロック間のタイミングが正確に制御されてこそレイテンシが正確に制御されうる。CAS(Column Address Strobe)レイテンシは、同期式半導体メモリ装置の外部から読出し命令が印加されるシステムクロックサイクルから有効データが同期式半導体メモリ装置の外部に出力されるシステムクロックサイクルまでのクロックサイクルの数を意味する。
【0005】
図1は従来の同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御回路を示す回路図であり、図2は図1に示された従来の同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御方法を示すタイミング図である。ここでは、CASレイテンシが5であり、BL(BurstLength)が4である場合が示される。
【0006】
図1を参照すれば、従来のレイテンシ制御回路は読出し情報信号COSRを生じる部分11及び読出し情報信号COSRを遅延させてレイテンシ制御信号LATENCYを生じる部分13を備える。
【0007】
部分11は同期式半導体メモリ装置の内部クロック発生器から生じる内部クロックPCLKにより制御され、従って読出し情報信号COSRも内部クロックPCLKにより制御されて生じる。読出し情報信号COSRは同期式半導体メモリ装置の外部から読出し命令Ext−Read CMDが入力されればイネーブルされ、内部バースト終了信号Int−Burst−Endがイネーブルされるか、同期式半導体メモリ装置の外部からバースト中止命令Ext−Burst−Stop CMD及び読出しインタラプトプリチャージ命令Ext−RIP CMDのうちいずれか一つが入力されればディセーブルされる。
【0008】
部分13は、同期式半導体メモリ装置の遅延同期ループ回路から生じる出力制御クロックCLKDQにより制御される。部分13は、有効データが同期式半導体メモリ装置の外部に出力される時点を調節するために、CASレイテンシが5である場合、読出し情報信号COSRをサンプリングして出力制御クロックCLKDQに4回クロッキングを行う。すなわち、CASレイテンシが5である場合、部分13は読出し情報信号COSRを出力制御クロックCLKDQの4クロックサイクルだけ遅延させる。
【0009】
ところで、図2のタイミング図に示されるように、上昇エッジを基準として内部クロックPCLKは同期式半導体メモリ装置の外部から印加されるシステムクロックCLKに対して所定の位相差だけ遅れ、出力制御クロックCLKDQはシステムクロックCLKに対して所定の位相差だけ先んじる。すなわち、内部クロックPCLKの上昇エッジはシステムクロックCLKの上昇エッジに対して所定時間(t1)後に生じ、出力制御クロックCLKDQの上昇エッジはシステムクロックCLKの上昇エッジに対して所定時間t2前に生じる。
【0010】
一方、図2のタイミング図には示されていないが、システムクロックCLKの所定サイクルに読出し命令Ext−Read CMDが入力されれば、読出し情報信号COSRは部分11の内部パスの遅延により読出し命令Ext−ReadCMDが入力された時点から所定の遅延時間後に論理「ハイ」にイネーブルされる。また、図2のタイミング図に示されたように、読出し命令Ext−Read CMDが入力された後で、例えばシステムクロックCLKの3サイクル後(T時点の近く)に読出しインタラプトプリチャージ命令Ext−RIPが入力されれば、読出し情報信号COSRは部分11の内部パスの遅延によりT時点から所定の遅延時間t3後に論理「ロー」にディセーブルされる。次に、読出し情報信号COSRは出力制御クロックCLKDQの上昇エッジを利用して部分13でサンプリングされる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前述の従来のレイテンシ制御回路では、t3とt2との和がシステムクロックCLKの周期tCCを超える場合には、部分13により読出し情報信号COSRが正確にサンプリングされず、それによりレイテンシが正確に制御されえず、有効出力データDOUTが所望の時点より1クロックサイクル遅く出力される。結局、従来のレイテンシ制御回路ではシステムクロックCLKの周期tCCがt3とt2との和より大きくなければならない。
【0012】
例えば、t3が3ns(nano second)であってt2が3nsならば、tCCは6nsより大でなければならない。従って、同期式半導体メモリ装置内部の読出し動作と関連する他の部分が6ns以下で動作が可能であっても、レイテンシ制御回路の限界により周期tCCが6ns以下のシステムクロックCLKでは同期式半導体メモリ装置が正常に動作できない。すなわち、従来のレイテンシ制御回路を備える同期式DRAMはレイテンシ制御回路の限界により所定の周波数以上の高周波クロックでは動作できない短所がある。
【0013】
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、高周波動作を可能にする同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御回路を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、高周波動作を可能にするレイテンシ制御回路を備える同期式半導体メモリ装置を提供することを他の目的とする。
さらに、本発明は、高周波動作を可能にする同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御方法を提供することをさらに他の目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明による同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御回路は、読出し情報信号発生回路、遅延回路及びレイテンシ制御信号発生回路を備えることを特徴とする。
前記読出し情報信号発生回路は、前記同期式半導体メモリ装置の外部から印加される読出し命令に応答してイネーブルされ、前記同期式半導体メモリ装置の内部終了信号及び前記同期式半導体メモリ装置の外部から印加される中止命令のうちいずれか一つに応答してディセーブルされる読出し情報信号を生じる。前記遅延回路は、前記同期式半導体メモリ装置の外部から印加されるシステムクロックに対して所定の位相差だけ遅れる第1クロックに応答し、前記読出し情報信号を前記第1クロックの1サイクルだけ遅延させる。前記レイテンシ制御信号発生回路は、前記システムクロックに対して所定の位相差だけ先んじる第2クロックに応答し、前記遅延された読出し情報信号を前記第2クロックの第1論理状態区間中にサンプリングし、サンプリングされた信号を遅延させて出力データの発生時点を決定するレイテンシ制御信号を生じる。
【0015】
望ましい具体例によれば、前記内部終了信号は前記同期式半導体メモリ装置の内部において生じるバースト終了信号であり、前記中止命令は前記同期式半導体メモリ装置の外部から印加されるバースト中止命令及び読出しインタラプトプリチャージ命令のうちいずれか一つである。
望ましい具体例によれば、前記レイテンシ制御信号発生回路はラッチ、第1遅延回路及び第2遅延回路を備える。前記ラッチは、前記遅延された読出し情報信号を前記第2クロックの前記第1論理状態区間中にサンプリングする。前記第1遅延回路は、前記ラッチの出力信号を前記第2クロックの所定サイクル数だけ遅延させ、前記第2遅延回路は前記第1遅延回路の出力信号を遅延させて前記レイテンシ制御信号を出力する。
また、望ましい具体例によれば、前記第1論理状態は論理「ハイ」である。
【0016】
本発明による同期式半導体メモリ装置は、メモリセルアレイ、内部クロック発生器、遅延同期ループ回路、レイテンシ制御回路、出力制御回路及びデータ出力バッファを備えることを特徴とする。
前記内部クロック発生器は、外部から印加されるシステムクロックに応答して内部クロックを生じ、前記遅延同期ループ回路は前記システムクロックに応答して出力制御クロックを生じる。前記レイテンシ制御回路は、前記出力制御クロックに応答して出力データの発生時点を決定するレイテンシ制御信号を生じる。
特に、前記レイテンシ制御回路は、読出し情報信号発生回路、遅延回路及びレイテンシ制御信号発生回路を備える。前記読出し情報信号発生回路は、外部から印加される読出し命令に応答してイネーブルされ、内部終了信号及び中止命令のうちいずれか一つに応答してディセーブルされる読出し情報信号を生じる。前記遅延回路は、前記内部クロックに応答して前記読出し情報信号を前記内部クロックの1サイクルだけ遅延させる。前記レイテンシ制御信号発生回路は、前記出力制御クロックに応答し、前記遅延された読出し情報信号を前記出力制御クロックの第1論理状態区間中にサンプリングし、サンプリングされた信号を遅延させて前記レイテンシ制御信号を生じる。
前記出力制御回路は、前記レイテンシ制御信号を遅延させて出力制御信号を生じ、前記データ出力バッファは前記メモリセルアレイから読出されたデータを前記出力制御信号に応答して前記出力データとして外部に出力する。
【0017】
望ましい具体例によれば、前記内部クロックは前記システムクロックに対して所定の位相差だけ遅れ、前記出力制御クロックは前記システムクロックに対して所定の位相差だけ先んじる。
望ましい具体例によれば、前記内部終了信号は前記同期式半導体メモリ装置の内部において生じるバースト終了信号であり、前記中止命令は前記同期式半導体メモリ装置の外部から印加されるバースト中止命令及び読出しインタラプトプリチャージ命令のうちいずれか一つである。
望ましい具体例によれば、前記レイテンシ制御信号発生回路は、ラッチ、第1遅延回路及び第2遅延回路を備える。前記ラッチは前記遅延された読出し情報信号を前記出力制御クロックの前記第1論理状態区間中にサンプリングする。前記第1遅延回路は前記ラッチの出力信号を前記出力制御クロックの所定サイクル数だけ遅延させ、前記第2遅延回路は前記第1遅延回路の出力信号を遅延させて前記レイテンシ制御信号を出力する。
望ましい具体例によれば、前記第1論理状態は論理「ハイ」である。
【0018】
本発明による同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御方法は、外部から印加されるシステムクロックに応答して内部クロックを生じる段階、前記システムクロックに応答して出力制御クロックを生じる段階、外部から印加される読出し命令に応答してイネーブルされ、内部終了信号及び中止命令のうちいずれか一つに応答してディセーブルされる読出し情報信号を生じる段階、前記内部クロックに応答して前記読出し情報信号を前記内部クロックの1サイクルだけ遅延させる段階及び前記出力制御クロックに応答し、前記遅延された読出し情報信号を前記出力制御クロックの第1論理状態区間中にサンプリングし、サンプリングされた信号を遅延させて前記レイテンシ制御信号を生じる段階を備えることを特徴とする。
【0019】
望ましい具体例によれば、前記内部クロックは前記システムクロックに対して所定の位相差だけ遅れ、前記出力制御クロックは前記システムクロックに対して所定の位相差だけ先んじる。
望ましい具体例によれば、前記内部終了信号は前記同期式半導体メモリ装置の内部において生じるバースト終了信号であり、前記中止命令は前記同期式半導体メモリ装置の外部から印加されるバースト中止命令及び読出しインターラプトプレチャージ命令のうちいずれか一つである。
望ましい具体例によれば、前記レイテンシ制御信号を生じる段階は、前記遅延された読出し情報信号を前記出力制御クロックの前記第1論理状態区間中にサンプリングする段階、前記サンプリングされた信号を前記出力制御クロックの所定サイクル数だけ遅延させる段階及び前記所定サイクル数だけ遅延された信号を遅延させて前記レイテンシ制御信号を生じる段階を備える。
望ましい具体例によれば、前記第1論理状態は論理「ハイ」である。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を説明することにより、本発明を詳細に説明する。各図面に提示された同じ参照符号は同じ部材を示す。
【0021】
図3は本発明による同期式半導体メモリ装置の概略的なブロック図である。ここではデータ出力と関連する回路だけ示される。
図3を参照すれば、本発明による同期式半導体メモリ装置は、メモリセルアレイ31、内部クロック発生器32、遅延同期ループ回路33、レイテンシ制御回路34、出力制御回路35及びデータ出力バッファ36を備える。
【0022】
内部クロック発生器32は同期式半導体メモリ装置の外部から印加されるシステムクロックCLKに応答して内部クロックPCLKを生じ、遅延同期ループ回路33はシステムクロックCLKに応答して出力制御クロックCLKDQを生じる。図5のタイミング図に示されるように、上昇エッジを基準として内部クロックPCLKはシステムクロックCLKに対して所定の位相差だけ遅れ、出力制御クロックCLKDQはシステムクロックCLKに対して所定の位相差だけ先んじる。すなわち、内部クロックPCLKの上昇エッジはシステムクロックCLKの上昇エッジに対して所定時間(t1)後に生じ、出力制御クロックCLKDQの上昇エッジはシステムクロックCLKの上昇エッジに対して所定時間t2前に生じる。
【0023】
レイテンシ制御回路34は本発明の核心構成要素であり、外部から印加される読出し命令Ext−Read CMD、内部において生じる内部バースト終了信号Int−Burst−End、外部から印加されるバースト中止命令Ext−Burst−Stop CMD及び読出しインタラプトプリチャージ命令Ext−RIP CMDを受信する。レイテンシ制御回路34はこれらを受信して内部クロックPCLK及び出力制御クロックCLKDQに応答して出力データDOUTの発生時点を決定するレイテンシ制御信号LATENCYを生じる。レイテンシ制御回路34の構成及び動作は図4において詳細に説明される。
【0024】
出力制御回路35はレイテンシ制御信号LATENCYを受信して出力制御クロックCLKDQに応答し、前記レイテンシ制御信号LATENCYを1クロックサイクルだけ遅延させて出力制御信号PTRSTを生じる。データ出力バッファ36はメモリセルアレイ31から読出されたデータOUTを出力制御信号PTRSTに応答して出力データDOUTとして外部に出力する。
【0025】
図4は図3に示された本発明によるレイテンシ制御回路34の一実施形態を示す詳細回路図である。ここではCASレイテンシが5である場合が示される。
図4を参照すれば、本発明の一実施形態によるレイテンシ制御回路34は読出し情報信号発生回路41、遅延回路43及びレイテンシ制御信号発生回路45を備える。
【0026】
読出し情報信号発生回路41は、外部から印加される読出し命令Ext−Read CMDに応答して論理「ハイ」にイネーブルされ、内部において生じる内部バースト終了信号Int−Burst−End、外部から印加されるバースト中止命令Ext−Burst−Stop CMD及び読出しインタラプトプリチャージ命令Ext−RIP CMDのうちいずれか一つに応答して論理「ロー」にディセーブルされる読出し情報信号COSRを生じる。読出し情報信号発生回路41は内部パス41aないし41d、オアゲート41e及びラッチ41fを含み、内部パス41aないし41dはシステムクロックCLKに対して所定の位相差だけ遅れる内部クロックPCLKにより制御される。従って、読出し情報信号COSRも内部クロックPCLKにより制御されて生じる。
【0027】
遅延回路43は遅延フリップフロップより構成され、内部クロックPCLKに応答して読出し情報信号COSRを内部クロックPCLKの1サイクルだけ遅延させ、遅延された読出し情報信号COSRDを出力する。
【0028】
この場合、システムクロックCLKの所定サイクル中に読出し命令Ext−Read CMDが入力されれば、内部パス41aないし41dの遅延により読出し情報信号COSRは読出し命令Ext−Read CMDが入力される時点から比較的長い遅延時間後に論理「ハイ」にイネーブルされる。また、図5のタイミング図に示されるように、読出し命令Ext−Read CMDが入力された後で、例えばシステムクロックCLKの3サイクル後(T1時点の近く)に読出しインタラプトプリチャージ命令Ext−RIPが入力されれば、読出し情報信号COSRは内部パス41aないし41dの遅延によりT1時点から比較的長い遅延時間t3後に論理「ロー」にディセーブルされる。すなわち、読出し情報信号COSRは、内部パス41aないし41dの遅延により内部クロックPCLKに応答して遅延時間t3−t1後に論理「ロー」にディセーブルされる。
【0029】
一方、図5のタイミング図に示されるように遅延された読出し情報信号COSRDは、遅延回路43自体の遅延がほとんどないので、内部クロックPCLKに応答してほぼ直ちに論理「ロー」にディセーブルされる。すなわち、遅延された読出し情報信号COSRDはT2時点から比較的短い遅延時間t4後に論理「ロー」にディセーブルされる。
【0030】
レイテンシ制御信号発生回路45は、遅延された読出し情報信号COSRDを出力制御クロックCLKDQの論理「ハイ」状態区間中にサンプリングするレベルラッチ45a、出力制御クロックCLKDQに応答してレベルラッチ45aの出力を出力制御クロックCLKDQの2クロックサイクルだけ遅延させる第1遅延回路45b、レイテンシ制御信号発生回路45の全体遅延時間を調節するために第1遅延回路45bの出力を所定時間遅延させてレイテンシ制御信号LATENCYを出力する第2遅延回路45cを含む。第1遅延回路45bは直列連結された二つの遅延フリップフロップより構成される。
【0031】
従って、レイテンシ制御信号発生回路45は出力制御クロックCLKDQに応答し、遅延された読出し情報信号COSRDを出力制御クロックCLKDQの論理「ハイ」状態区間中にサンプリングする。これにより読出し情報信号COSRが出力制御クロックCLKDQの上昇エッジにおいてサンプリングされる従来の技術に比べてサンプリングマージンが向上する。また、レイテンシ制御信号発生回路45はサンプリングされた信号を出力制御クロックCLKDQの3クロックサイクルだけ遅延させてレイテンシ制御信号LATENCYを生じる。
【0032】
言い換えれば、CASレイテンシが5である場合、レイテンシ制御信号発生回路45は遅延された読出し情報信号COSRDを出力制御クロックCLKDQの論理「ハイ」状態区間中にサンプリングし、サンプリングされた信号に対して出力制御クロックCLKDQによりクロッキングを3回行う。
【0033】
図4に示された回路はCASレイテンシが5である場合を示し、CASレイテンシが大になる場合、第1遅延回路45b内のフリップフロップの個数が増え、CASレイテンシが小になる場合、第1遅延回路45b内のフリップフロップの個数が減る。
【0034】
図5は図3に示された本発明による同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御方法を示す動作タイミング図である。ここでは、CASレイテンシが5であってBLが4である場合が示される。以下、図5に示されたタイミング図を参照して図3に示された本発明による半導体メモリ装置の動作及びレイテンシ制御方法をもう少し説明する。
【0035】
同期式半導体メモリ装置の外部からシステムクロックCLKが入力されれば、内部クロック発生器32によりシステムクロックCLKに対して所定の位相差だけ遅れる内部クロックPCLKが生じる。すなわち、その上昇エッジがシステムクロックCLKの上昇エッジに対して所定時間t1後に生じる内部クロックPCLKが生じる。また、遅延同期ループ回路33によりシステムクロックCLKに対して所定の位相差だけ先んじる出力制御クロックCLKDQが生じる。すなわち、その上昇エッジがシステムクロックCLKの上昇エッジに対して所定時間t2前に生じる出力制御クロックCLKDQが生じる。
【0036】
次に、図5のタイミング図には示されていないが、T1時点の3サイクル前に外部から読出し命令Ext−Read CMDが入力されれば、レイテンシ制御回路34の読出し情報信号発生回路41により読出し情報信号COSRが論理「ハイ」にイネーブルされる。次に、外部からT1時点近くに、例えば読出しインタラプトプリチャージ命令Ext−RIP CMDが入力されれば、読出し情報信号発生回路41により読出し情報信号COSRがT1時点から比較的長い遅延時間t3後に論理「ロー」にディセーブルされる。その理由は前述したように、内部パス41aないし41dの遅延によるためである。
【0037】
次に、レイテンシ制御回路34の遅延回路43により読出し情報信号COSRが内部クロックPCLKの1クロックサイクルだけ遅延された信号、すなわち遅延された読出し情報信号COSRDが生じる。この時、遅延された読出し情報信号COSRDは、T2時点から比較的短い遅延時間t4後に論理「ロー」にディセーブルされる。その理由は前述したように、遅延回路43自体の遅延がほとんどないためである。
【0038】
次に、レイテンシ制御回路34のレイテンシ制御信号発生回路45により信号COSRDが出力制御クロックCLKDQの論理「ハイ」状態区間中にサンプリングされ、サンプリングされた信号が出力制御クロックCLKDQの3クロックサイクルだけ遅延されてレイテンシ制御信号LATENCYが生じる。次に、出力制御回路35によりレイテンシ制御信号LATENCYが出力制御クロックCLKDQの1サイクルだけ遅延された出力制御信号PTRSTが生じ、メモリセルアレイ31から読出されたデータOUTが出力制御信号PTRSTのイネーブル区間中にデータ出力バッファ36により出力データDOUTとして外部に出力される。
【0039】
以上のように、従来の技術では読出し情報信号COSRがC1サイクル中にサンプリングされるのに対して、本発明では遅延された読出し情報信号COSRDがC2サイクル中にサンプリングされる。一方、前述のようにシステムクロックCLKの周期tCCはt4とt2との和より大でなければならない。ところが、本発明ではt4がt3に比べてはるかに小であるために、システムクロックCLKの周波数マージンが従来の技術に比べてはるかに大きい。また、本発明では遅延された読出し情報信号COSRDが出力制御クロックCLKDQの論理「ハイ」状態区間中にサンプリングされるので、読出し情報信号COSRが出力制御クロックCLKDQの上昇エッジにおいてサンプリングされる従来の技術に比べてサンプリングマージンが向上する。
すなわち、本発明ではt3−t1がtCCより短く、t4とt2との和がtCCより短い条件さえ満足されれば動作周波数が向上する長所がある。
【0040】
以上により最適実施形態が開示された。ここで、特定の用語が用いられたが、これは単に本発明を説明するための目的で使われたものであり、意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために用いられたものではない。従って、本技術分野の通常の知識を有した者であるならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点が理解されるはずである。従って、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想により決まらねばならない。
【0041】
【発明の効果】
以上のように、本発明によるレイテンシ制御回路及び制御方法はシステムクロックの周波数マージンを向上させるので、動作周波数が向上する長所がある。また、これを備える同期式半導体メモリ装置も動作周波数が向上する長所がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御回路を示す回路図である。
【図2】図1に示された従来の同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御方法を示すタイミング図である。
【図3】本発明による同期式半導体メモリ装置の概略的なブロック図である。
【図4】図3に示された本発明によるレイテンシ制御回路の一実施形態を示す詳細回路図である。
【図5】図3に示された本発明による同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御方法を示す動作タイミング図である。
【符号の説明】
34 レイテンシ制御回路
41 読出し情報信号発生回路
41a〜41d 内部パス
41e オアゲート
41f ラッチ
43 遅延回路
45 レイテンシ制御信号発生回路
45a レベルラッチ
45b 第1遅延回路
45c 第2遅延回路
Claims (19)
- 出力データの発生時点を決定するレイテンシ制御信号を生じる同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御回路において、
読出し命令に応答してイネーブルされ、内部終了信号及び中止命令のうちいずれか一つに応答してディセーブルされる読出し情報信号を生じる読出し情報信号発生回路と、
前記半導体メモリ装置の外部から印加されるシステムクロックに対して所定の位相差だけ遅れる第1クロックに応答し、前記読出し情報信号を前記第1クロックの1サイクルだけ遅延させる遅延回路と、
前記システムクロックに対して所定の位相差だけ先んじる第2クロックに応答し、前記遅延された読出し情報信号を前記第2クロックの第1論理状態区間中にサンプリングし、サンプリングされた信号を遅延させて前記レイテンシ制御信号を生じるレイテンシ制御信号発生回路とを備えることを特徴とする同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御回路。 - 前記内部終了信号は、前記同期式半導体メモリ装置の内部において生じるバースト終了信号であることを特徴とする請求項1に記載の同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御回路。
- 前記中止命令は、前記同期式半導体メモリ装置の外部から印加されるバースト中止命令及び読出しインタラプトプリチャージ命令のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項1に記載の同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御回路。
- 前記レイテンシ制御信号発生回路は、
前記遅延された読出し情報信号を前記第2クロックの前記第1論理状態区間中にサンプリングするラッチと、
前記ラッチの出力信号を前記第2クロックの所定サイクル数だけ遅延させる第1遅延回路と、
この第1遅延回路の出力信号を遅延させて前記レイテンシ制御信号を出力する第2遅延回路とを備えることを特徴とする請求項1に記載の同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御回路。 - 前記第1論理状態は、論理「ハイ」であることを特徴とする請求項1に記載の同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御回路。
- メモリセルアレイと、
外部から印加されるシステムクロックに応答して内部クロックを生じる内部クロック発生器と、
前記システムクロックに応答して出力制御クロックを生じる遅延同期ループ回路と、
前記出力制御クロックに応答して出力データの発生時点を決定するレイテンシ制御信号を生じるレイテンシ制御回路と、
前記レイテンシ制御信号を遅延させて出力制御信号を生じる出力制御回路と、
前記メモリセルアレイから読出されたデータを前記出力制御信号に応答して前記出力データとして外部に出力するデータ出力バッファとを備え、
前記レイテンシ制御回路は、
外部から印加される読出し命令に応答してイネーブルされ、内部終了信号及び中止命令のうちいずれか一つに応答してディセーブルされる読出し情報信号を生じる読出し情報信号発生回路と、
前記内部クロックに応答して前記読出し情報信号を前記内部クロックの1サイクルだけ遅延させる遅延回路と、
前記出力制御クロックに応答し、前記遅延された読出し情報信号を前記出力制御クロックの第1論理状態区間中にサンプリングし、サンプリングされた信号を遅延させて前記レイテンシ制御信号を生じるレイテンシ制御信号発生回路とを備えることを特徴とする同期式半導体メモリ装置。 - 前記内部クロックは、前記システムクロックに対して所定の位相差だけ遅れることを特徴とする請求項6に記載の同期式半導体メモリ装置。
- 前記出力制御クロックは、前記システムクロックに対して所定の位相差だけ先んじることを特徴とする請求項6に記載の同期式半導体メモリ装置。
- 前記内部終了信号は、前記同期式半導体メモリ装置の内部において生じるバースト終了信号であることを特徴とする請求項6に記載の同期式半導体メモリ装置。
- 前記中止命令は、前記同期式半導体メモリ装置の外部から印加されるバースト中止命令及び読出しインタラプトプリチャージ命令のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項6に記載の同期式半導体メモリ装置。
- 前記レイテンシ制御信号発生回路は、
前記遅延された読出し情報信号を前記出力制御クロックの前記第1論理状態区間中にサンプリングするラッチと、
前記ラッチの出力信号を前記出力制御クロックの所定サイクル数だけ遅延させる第1遅延回路と、
この第1遅延回路の出力信号を遅延させて前記レイテンシ制御信号を出力する第2遅延回路とを備えることを特徴とする請求項6に記載の同期式半導体メモリ装置。 - 前記第1論理状態は、論理「ハイ」であることを特徴とする請求項6に記載の同期式半導体メモリ装置。
- 外部から印加されるシステムクロックに応答して内部クロックを生じる段階と、
前記システムクロックに応答して出力制御クロックを生じる段階と、
外部から印加される読出し命令に応答してイネーブルされ、内部終了信号及び中止命令のうちいずれか一つに応答してディセーブルされる読出し情報信号を生じる段階と、
前記内部クロックに応答して前記読出し情報信号を前記内部クロックの1サイクルだけ遅延させる段階と、
前記出力制御クロックに応答し、前記遅延された読出し情報信号を前記出力制御クロックの第1論理状態区間中にサンプリングし、サンプリングされた信号を遅延させて前記レイテンシ制御信号を生じる段階とを備えることを特徴とする同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御方法。 - 前記内部クロックは、前記システムクロックに対して所定の位相差だけ遅れることを特徴とする請求項13に記載の同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御方法。
- 前記出力制御クロックは、前記システムクロックに対して所定の位相差だけ先んじることを特徴とする請求項13に記載の同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御方法。
- 前記内部終了信号は、前記同期式半導体メモリ装置の内部において生じるバースト終了信号であることを特徴とする請求項13に記載の同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御方法。
- 前記中止命令は、前記同期式半導体メモリ装置の外部から印加されるバースト中止命令及び読出しインタラプトプリチャージ命令のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項13に記載の同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御方法。
- 前記レイテンシ制御信号を生じる段階は、
前記遅延された読出し情報信号を前記出力制御クロックの前記第1論理状態区間中にサンプリングする段階と、
前記サンプリングされた信号を前記出力制御クロックの所定サイクル数だけ遅延させる段階と、
前記所定サイクル数だけ遅延された信号を遅延させて前記レイテンシ制御信号を生じる段階とを備えることを特徴とする請求項13に記載の同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御方法。 - 前記第1論理状態は、論理「ハイ」であることを特徴とする請求項13に記載の同期式半導体メモリ装置のレイテンシ制御方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2001-002376 | 2001-01-16 | ||
KR10-2001-0002376A KR100378191B1 (ko) | 2001-01-16 | 2001-01-16 | 고주파 동작을 위한 레이턴시 제어회로 및 제어방법과이를구비하는 동기식 반도체 메모리장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002230973A JP2002230973A (ja) | 2002-08-16 |
JP3913553B2 true JP3913553B2 (ja) | 2007-05-09 |
Family
ID=19704680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002006516A Expired - Fee Related JP3913553B2 (ja) | 2001-01-16 | 2002-01-15 | レイテンシ制御回路及び制御方法並びにこれを備える同期式半導体メモリ装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6643215B2 (ja) |
JP (1) | JP3913553B2 (ja) |
KR (1) | KR100378191B1 (ja) |
TW (1) | TWI225655B (ja) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100425472B1 (ko) * | 2001-11-12 | 2004-03-30 | 삼성전자주식회사 | 동기식 반도체 메모리 장치의 출력 제어 신호 발생 회로및 출력 제어 신호 발생 방법 |
US7298667B2 (en) | 2002-07-10 | 2007-11-20 | Samsung Electronic Co., Ltd. | Latency control circuit and method of latency control |
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KR100468776B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | 클락 지터의 영향을 감소시킬 수 있는 동기식 반도체메모리장치 |
JP4005909B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2007-11-14 | スパンション インク | 半導体記憶装置、および半導体記憶装置の制御方法 |
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KR100540472B1 (ko) | 2003-10-31 | 2006-01-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 데이터 출력에 관한 동작마진이 향상된 메모리 장치 |
KR100670665B1 (ko) | 2005-06-30 | 2007-01-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 레이턴시 제어 회로 |
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JPWO2007116827A1 (ja) * | 2006-03-30 | 2009-08-20 | パナソニック株式会社 | 半導体記憶装置 |
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KR101290764B1 (ko) * | 2007-10-24 | 2013-07-30 | 삼성전자주식회사 | 고속동작에 적합한 입력 회로를 갖는 반도체 메모리 장치 |
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KR20110052941A (ko) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | 삼성전자주식회사 | 어디티브 레이턴시를 가지는 반도체 장치 |
JP5642524B2 (ja) * | 2010-12-13 | 2014-12-17 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体装置 |
JP2012190510A (ja) | 2011-03-11 | 2012-10-04 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
TWI448082B (zh) * | 2011-05-18 | 2014-08-01 | Nat Applied Res Laboratoires | 事件觸發脈波產生機制 |
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US10049707B2 (en) | 2016-06-03 | 2018-08-14 | Micron Technology, Inc. | Shifting data |
KR102573131B1 (ko) * | 2016-07-04 | 2023-09-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 고속 데이터 전송을 위한 메모리 장치 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09180435A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US5966343A (en) * | 1997-01-02 | 1999-10-12 | Texas Instruments Incorporated | Variable latency memory circuit |
US6243797B1 (en) * | 1997-02-18 | 2001-06-05 | Micron Technlogy, Inc. | Multiplexed semiconductor data transfer arrangement with timing signal generator |
US6205062B1 (en) * | 1998-11-13 | 2001-03-20 | Hyundai Electronics Industries Co. Ltd. | CAS latency control circuit |
KR100351889B1 (ko) | 1998-11-13 | 2002-11-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 카스(cas)레이턴시(latency) 제어 회로 |
JP4397076B2 (ja) * | 1999-08-20 | 2010-01-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
-
2001
- 2001-01-16 KR KR10-2001-0002376A patent/KR100378191B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-12-19 US US10/025,703 patent/US6643215B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-31 TW TW090133076A patent/TWI225655B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-01-15 JP JP2002006516A patent/JP3913553B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6643215B2 (en) | 2003-11-04 |
KR100378191B1 (ko) | 2003-03-29 |
TWI225655B (en) | 2004-12-21 |
US20020093871A1 (en) | 2002-07-18 |
JP2002230973A (ja) | 2002-08-16 |
KR20020061351A (ko) | 2002-07-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040625 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070131 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110209 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120209 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130209 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140209 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
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