JP3864036B2

JP3864036B2 - 液晶表示装置

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Publication number: JP3864036B2
Application number: JP2000151882A
Authority: JP
Inventors: 紀和小松; 正美林
Original assignee: Seiko Epson Corp; Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp; Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2000-05-23
Filing date: 2000-05-23
Publication date: 2006-12-27
Anticipated expiration: 2020-05-23
Also published as: JP2001330832A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に、ディスクリネーションが開口部に出ることを防ぎ、さらには表示領域の開口率を向上させることに好適なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor：以下適宜ＴＦＴと略称する）駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置においては、互いに対向する一対の基板間に液晶が挟持され、一対の基板のうち一方は縦横に夫々配列された多数の走査線及びデータ線並びにこれらの各交点に対応して多数の画素電極及びＴＦＴが設けられたＴＦＴアレイ基板とされている。さらに、一対の基板のうち他方の基板上には対向電極が設けられるとともに、ＴＦＴアレイ基板には、データ線に印加する電圧を制御しＴＦＴを介して画素電極の電圧を制御するデータ線駆動回路が設けられている。
【０００３】
例えば、図８及び図９に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０７は、ガラス基板１００上に、互いに交差して設けられた複数の走査線１０４（輪郭を実線で示す）及び複数のデータ線１０３（輪郭を２点鎖線で示す）と、走査線１０４とデータ線１０３との交差に対応して平坦化膜１１３上にマトリクス状に配置された画素電極１０１及び該画素電極１０１に接続された画素用のＴＦＴ１０２とを備えている。なお、図８中の符号１０６は容量線、１０９および１１０はコンタクトホール、１１１はドレイン電極、１１２は画素コンタクトホールを示している。また、図９中の符号１１４は層間絶縁膜、１１５は下地膜を示している。
【０００４】
また、対向基板又はＴＦＴアレイ基板１０７の少なくとも一方には、表面が一定のラビング方向に向けてラビング処理された配向膜（図示略）が液晶に接する面上に設けられている。この配向膜によって、液晶分子Ｌは、図９に示すように、ラビング方向Ｙに対して角度θなるプレチルト角をもって配向する。
【０００５】
従来、データ線駆動回路により、画素電極１０１にはＴＦＴ１０２を介してフィールドごとに反転した電圧が印加されるが、画面全体で同極性であるとフリッカとなる。そのため、例えば隣接する画素で電圧を逆極性とする画素反転駆動方式を用いている。しかし、隣接する画素に逆極性の電圧を印加すると、画素電極１０１間の境界領域には電位差が生じて液晶分子Ｌが電界の方向に沿って並び、液晶の配向が乱れたディスクリネーションＤと呼ばれる表示に使えない領域が生じる。そのため、当該境界領域に対応する部分には、ディスクリネーション部を隠すために遮光層（いわゆるブラックマトリクス）を設置している。
【０００６】
遮光層としては、近年、下部電極とされる半導体層との間で絶縁膜を介して蓄積容量を形成するために設けた金属配線の容量線１０６を、図８に示すように、データ線１０３及び走査線１０４に沿って形成するとともに、ソースコンタクトホール１０９に接続されるデータ線１０３の一部の幅を拡げて幅広部１０３ａを形成し、これらの容量線１０６及び幅広部１０３ａを、遮光パターンとして設けて、ブラックマトリクスとして機能させる手段が提案されている。
【０００７】
なお、これらの幅広部１０３ａ及び容量線１０６等のブラックマトリクスは、露光工程における画素電極１０１とのアライメントずれを考慮して画素電極１の周縁部分と一定の幅で重なり合うように形成されている。なお、図９を含め後述する図２、６、７の平面図において、画素電極と幅広部及び容量線との重なり部は、ハッチングで示す。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記液晶表示装置に関する技術では、以下の課題が残されている。すなわち、ディスクリネーションの出方は、図９に示すように、プレチルト角に影響され、ラビング方向Ｙ、すなわち明視方向によって決まるため、ディスクリネーションＤが画素電極１０１間の境界領域において非対称に生じてしまう。したがって、従来のように、画素電極の周縁部分に一様にブラックマトリクスを重ねている場合、開口部にディスクリネーションが部分的に出てしまったり（特に、中間調（グレー表示）の場合）、必要以上に遮光してしまい開口率を低下させてしまう等、表示品位を劣化させてしまうおそれがあった。
【０００９】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、ディスクリネーションが開口部に出ることを防ぐとともに表示領域の開口率を向上させることができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明の液晶表示装置は、互いに対向する一対の基板間に液晶が挟持されてなり、該一対の基板のうち一方の基板上に、互いに交差して設けられた複数の走査線及び複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリクス状に配置された画素電極及び該画素電極に接続されたスイッチング素子とを備えると共に、隣接する前記画素電極間の境界領域に対向して前記一対の基板の少なくとも一方に設置される遮光層と、前記一対の基板の少なくとも一方の前記液晶に接する面上に設けられ表面が一定のラビング方向に向けてラビング処理された配向膜とを備えた液晶表示装置であって、前記遮光層は、前記画素電極と重なり合う重なり部を有し、該重なり部は、前記画素電極の周縁部分のうち前記ラビング方向の逆方向側の周縁部分と重なる領域がラビング方向の順方向側の周縁部分と重なる領域よりも広く形成されていることを特徴とする。
【００１１】
この液晶表示装置では、遮光層が画素電極にオーバーラップしている重なり部において、画素電極の周縁部分のうちラビング方向の逆方向側の周縁部分と重なる領域（ディスクリネーションが大きい領域）がラビング方向の順方向側の周縁部分と重なる領域（ディスクリネーションが小さい領域）よりも広く形成されているので、ラビング方向で決まるディスクリネーションの大きさに応じて適切な大きさの遮光層が配置されて、開口部からディスクリネーションが出ることを防ぐことができるとともに、ディスクリネーションが小さい部分において必要以上に遮光しないことにより開口率を向上させることができる。
【００１２】
また、本発明の液晶表示装置では、前記重なり部において、前記画素電極の角部のうち前記ラビング方向の逆方向側の角部と重なる領域が他の角部と重なる領域よりも大きいことが好ましい。
この液晶表示装置では、重なり部において、画素電極の角部のうちラビング方向の逆方向側の角部と重なる領域（ディスクリネーションが最も大きい領域）が他の角部と重なる領域よりも大きいので、ディスクリネーションが顕著に生じる部分の重なり部を局所的に大きくすることにより、ディスクリネーションが開口部に出ることをより効果的に防ぐことができる。また、ディスクリネーションがあまりに生じない領域の重なり部を相対的に小さくでき、開口部が増えて開口率を向上させ、ＬＣＤを明るくしたり、逆にバックライトの省電力化を図ることができる。
【００１３】
また、本発明の液晶表示装置では、前記遮光層が、前記データ線の一部の幅を拡げた幅広部と、前記スイッチング素子に接続された第１の容量電極に絶縁膜を介して対向する蓄積容量用の第２の容量電極とで構成されることが好ましい。
この液晶表示装置では、遮光層が、データ線の幅広部と、蓄積容量用の第２の容量電極とで構成されるので、別個にブラックマトリクスとなる遮光層を設ける必要が無く、構造の簡略化及び製造工程の削減を図ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る第１実施形態を、図１から図５を参照しながら説明する。図１は、本実施形態の液晶表示装置の画像表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２はデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクス基板）における隣接する複数の画素群の平面図である。
【００１５】
［液晶装置要部の構成］
本実施形態の液晶表示装置におけるＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクス基板）７は、ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置に用いられるものである。このＴＦＴアレイ基板７において、図１に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、画素電極１と当該画素電極１を制御するためのデュアルゲート構造のＴＦＴ（スイッチング素子）２とからなり、画像信号を供給するデータ線３が当該ＴＦＴ２のソース領域に電気的に接続されている。データ線３に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線３同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ２のゲート電極に走査線４が電気的に接続されており、所定のタイミングで走査線４に対してパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極１は、ＴＦＴ２のドレイン領域に電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ２を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線３から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。なお、ＴＦＴ２は、２つのＴＦＴ２ａ、２ｂが互いのソース領域およびドレイン領域を共通にして直列に接続されたデュアルゲート構造を有するものである。
【００１６】
画素電極１を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光が変調し、階調表示を可能にする。ここで、画素電極１と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量５を付加する。こうすると画素電極１の電圧は、蓄積容量５によりソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、保持特性はさらに改善され、コントラスト比の高い液晶装置が実現できる。なお、本実施の形態では、蓄積容量５を形成する方法として、半導体層との間で容量を形成するための配線である容量線（第２の容量電極）６を設けている。
【００１７】
図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板７上には、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電膜からなる複数の画素電極１（輪郭を破線で示す）がマトリクス状に配置されており、画素電極１の紙面縦方向に延びる辺に沿ってデータ線３（輪郭を２点鎖線で示す）が設けられ、紙面横方向に延びる辺に沿って走査線４および容量線６（ともに輪郭を実線で示す）が設けられている。
【００１８】
本実施の形態において、走査線４は、複数のデータ線３に交差する主走査線４ａと、該主走査線４ａから分岐して延びた分岐走査線４ｂとを備え、ポリシリコン膜からなる半導体層（第１の容量電極）８（輪郭を１点鎖線で示す）には、分岐走査線４ｂおよび主走査線４ａに交差するＬ字状部８ａが形成されている。すなわち、このＬ字状部８ａは、主走査線４ａおよび分岐走査線４ｂと交差して、２つのチャネル領域を形成している。
【００１９】
半導体層８のＬ字状部８ａの両端にコンタクトホール９，１０が形成され、一方のコンタクトホール９はデータ線３と半導体層８のソース領域とを電気的に接続するソースコンタクトホールとなり、他方のコンタクトホール１０はドレイン電極１１（輪郭を２点鎖線で示す）と半導体層８のドレイン領域とを電気的に接続するドレインコンタクトホールとなっている。すなわち、ソースコンタクトホール９とドレインコンタクトホール１０とは、走査線４を挟んで互いに反対側に配設されている。また、ドレイン電極１１上のドレインコンタクトホール１０が設けられた側と反対側の端部には、ドレイン電極１１と画素電極１とを電気的に接続するための画素コンタクトホール１２が形成されている。
【００２０】
本実施の形態におけるＴＦＴ２は、半導体層８のＬ字状部８ａで主走査線４ａおよび分岐走査線４ｂに交差しており、半導体層８と走査線４が２回交差していることになるため、１つの半導体層上に２つのゲートを有するＴＦＴ、いわゆるデュアルゲート型ＴＦＴを構成する。また、容量線６は走査線４に沿って紙面横方向に並ぶ画素を貫くように延びるとともに、分岐した一部６ａがデータ線３に沿って紙面縦方向に延びている。そこで、ともにデータ線３に沿った半導体層８と容量線６とによって蓄積容量５が形成されている。なお、本実施形態では、分岐走査線４ｂの半分を、データ線３の幅を拡げた幅広部３ａで覆うことにより、この部分のチャネル領域に光が入ることを抑制している。
【００２１】
次に、ＴＦＴアレイ基板７の断面構造について説明すると、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板７はガラス基板４１を支持基板として内面上に下地絶縁膜４２を介してＴＦＴ２が形成されている。該ＴＦＴ２は、走査線４、当該走査線４からの電界によりチャネルが形成される半導体層８のチャネル領域５０、走査線４と半導体層８とを絶縁する絶縁薄膜であるゲート絶縁膜４４、データ線３、半導体層８のソース領域４９及びドレイン領域５１を備えている。
【００２２】
また、走査線４及びゲート絶縁膜４４上を含むガラス基板４１上には、ソース領域４９へ通じるソースコンタクトホール９及びドレイン領域５１へ通じるドレインコンタクトホール１０がそれぞれ形成された第１層間絶縁層５２が形成されている。つまり、データ線３は、第１層間絶縁層５２を貫通するソースコンタクトホール９を介してソース領域４９に電気的に接続されている。さらに、データ線３及び第１層間絶縁層５１上には、ドレイン領域５１へ通じるドレインコンタクトホール１０が形成された第２層間絶縁層５３が形成されている。つまり、ドレイン領域５１は、第１層間絶縁層５２及び第２層間絶縁層５３を貫通するドレインコンタクトホール１０を介してドレイン電極１１及び画素電極１に電気的に接続されている。また、第２層間絶縁層５３及び画素電極１上には、ラビング処理により一定のラビング方向Ｙに配向処理が施された配向膜５４が設けられている。この配向膜５４は、ポリイミド系の高分子樹脂からなる水平配向膜である。
【００２３】
なお、上記幅広部（遮光層）３ａ及び容量線（遮光層）６は、各画素の表示領域以外の領域を遮光するいわゆるブラックマトリクスとして機能する。すなわち、幅広部３ａ及び容量線６は、ディスクリネーション部を隠す機能に加え、対向基板１５の側からの入射光がＴＦＴ２の半導体層８におけるチャネル領域５０、ソース領域４９及びドレイン領域５１等に侵入することを防止すると共に、コントラスト比の向上、カラーフィルタ色材の混色防止等の機能を有している。
【００２４】
本実施形態では、幅広部３ａ及び容量線６と画素電極１との重なり部（図２中のハッチング部分）が、画素電極１の周縁部分のうちラビング方向Ｙの逆方向側の周縁部分（ディスクリネーションが大きい領域）と重なる領域がラビング方向Ｙの順方向側の周縁部分（ディスクリネーションが小さい領域）よりも広く形成されている。すなわち、重なり部ａより重なり部ｂの幅が広いとともに、重なり部ｄより重なり部ｃの幅が広く設定され、重なり部が左右及び上下で非対称になっている。なお、これらの重なり部ａ，ｂ，ｃ，ｄの幅は、その部分で生じるディスクリネーションの範囲に応じて決定される。
【００２５】
［液晶装置の全体構成］
次に、本実施形態のＴＦＴアレイ基板７を用いた液晶装置４０の全体構成について図４および図５を用いて説明する。
【００２６】
図４および図５において、ＴＦＴアレイ基板７の上には、シール材２８がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して額縁としての遮光膜２９が設けられている。シール材２８の外側の領域には、データ線駆動回路３０および外部回路接続端子３１がＴＦＴアレイ基板７の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路３２がこの一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線４に供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路３２は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路３０を画像表示領域の辺に沿って両側に配列してもよい。例えば、奇数列のデータ線３は画像表示領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ線３は前記画像表示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給するようにしてもよい。このようにデータ線３を櫛歯状に駆動するようにすれば、データ線駆動回路の占有面積を拡張することができるため、複雑な回路を構成することが可能となる。さらに、ＴＦＴアレイ基板７の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路３２間をつなぐための複数の配線３３が設けられている。また、内側に対向電極が形成された対向基板１５のコーナー部の少なくとも１箇所には、ＴＦＴアレイ基板７と対向基板１５との間で電気的導通をとるための導通材３４が設けられている。そして、シール材２８とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板１５が当該シール材２８によりＴＦＴアレイ基板７に固着されている。
【００２７】
本実施形態では、幅広部３ａ及び容量線６と画素電極１との重なり部において、画素電極１の周縁部分のうちラビング方向Ｙの逆方向側の周縁部分と重なる領域がラビング方向Ｙの順方向側と重なる領域よりも広く形成されているので、ラビング方向で決まるディスクリネーションの大きさに応じて適切な大きさのブラックマトリクス（重なり部）が配置されて、開口部からディスクリネーションが出ることを防ぐことができるとともに、ディスクリネーションが小さい部分において必要以上に遮光しないことにより開口率を向上させることができる。
【００２８】
なお、上記実施形態では、遮光層としてデータ線３の一部である幅広部３ａ及び容量線６を用いたが、これらとは別に遮光層を設けても構わない。例えば、対向基板１５の内側にブラックマトリクスを形成してもよい。
但し、本実施形態のようにデータ線３の幅広部３ａ及び容量線６をブラックマトリクスとしても機能させれば、別個にブラックマトリクスとなる遮光層を対向基板１５等に設ける必要が無く、構造の簡略化及び製造工程の削減を図ることができる。
【００２９】
次に、本発明の第２実施形態を、図６を参照して説明する。
【００３０】
第２実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、画素電極１０１が単純な矩形状に形成されているのに対し、第２実施形態では、画素電極２０１の角部のうち、図６中の左下に位置する角部が切り欠かれているため、容量線６による遮光層と画素電極２０１との重なる領域（重なり部）のうち、ラビング方向Ｙの逆方向側の角部２０１ａ（第１の角部）に重なる領域が他のすべての角部２０１ｂ、２０１ｃ、２０１ｄにおける重なり領域より広くなっているとともに、角部２０１ｂ（第２の角部）の部分が隣接する他の画素電極２０１から離間している点である。なお、画素電極２０１の形状変更に併せて、ドレインコンタクトホール１０及び画素コンタクトホール１２の位置も変更している。
【００３１】
すなわち、本実施形態では、ディスクリネーションが最も大きい領域の画素電極２０１の角部２０１ａと容量線６による遮光層との重なる領域が他の角部２０１ｂ、２０１ｃ、２０１ｄと重なる領域よりも広いので、ディスクリネーションが開口部に出ることをより効果的に防ぐことができるとともに、隣接する画素電極２０１間の間隔を一部において大きくすることができ、パターン残りによる欠陥等を減らすことができる。
【００３２】
次に、本発明の第３実施形態を、図７を参照して説明する。
【００３３】
第３実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、容量線６のうち走査線４に沿った部分が一定の幅であるのに対し、第２実施形態では、容量線３０６のうち走査線４に沿った部分の幅がラビング方向Ｙの逆方向側から順方向側に向けて（画素電極１の角部１ａから角部１ｂに向けて）漸次狭く形成され、画素電極１の角部のうちラビング方向Ｙの逆方向側の角部１ａに重なる領域が他の角部１ｂ、１ｃ、１ｄに重なる領域よりも大きい点である。
【００３４】
すなわち、本実施形態では、第２実施形態と同様に、ディスクリネーションが最も大きい領域の角部１ａと重なる領域が他の角部１ｂ、１ｃ、１ｄと重なる領域よりも広いので、ディスクリネーションが開口部に出ることをより効果的に防ぐことができる。また、角部１ｂと重なる領域が第１実施形態に比べて小さくして遮光を必要最低限に抑えているため、開口部が拡がって開口率を向上させることができ、ＬＣＤを明るくしたり、逆にバックライトの省電力化を図ることができる。
【００３５】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明の液晶表示装置によれば、遮光層の重なり部において、画素電極の周縁部分のうちラビング方向の逆方向側の周縁部分と重なる領域がラビング方向の順方向側の周縁領域と重なる領域よりも広く形成されているので、ラビング方向で決まるディスクリネーションの大きさに応じて適切な大きさの遮光層が配置され、開口部からディスクリネーションが出ることを防いで表示劣化を防ぐことができるとともに、ディスクリネーションが小さい部分において必要以上に遮光しないことにより開口率を向上させ、表示品質を向上させることができる。
【００３６】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１実施形態における液晶表示装置の等価回路図である。
【図２】本発明に係る第１実施形態における液晶表示装置の画素構成を示す要部の拡大平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図４】本発明に係る第１実施形態における液晶表示装置の全体構成を示す平面図である。
【図５】図４のＨ−Ｈ線矢視断面図である。
【図６】本発明に係る第２実施形態における液晶表示装置の画素構成を示す要部の拡大平面図である。
【図７】本発明に係る第３実施形態における液晶表示装置の画素構成を示す要部の拡大平面図である。
【図８】本発明に係る従来例における液晶表示装置の画素構成を示す要部の拡大平面図である。
【図９】本発明に係る従来例における液晶表示装置のラビング方向に対する液晶分子の配向を示す概略的な要部の断面図である。
【符号の説明】
１、２０１画素電極
２ＴＦＴ（スイッチング素子）
３データ線
３ａ幅広部（遮光層）
４走査線
６、３０６容量線（第２の容量電極、遮光層）
７ＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクス基板）
８半導体層（第１の容量電極）
１５対向基板
４０液晶表示装置
５４配向膜
Ｙラビング方向

Claims

互いに対向する一対の基板間に液晶が挟持されてなり、該一対の基板のうち一方の基板上に、互いに交差して設けられた複数の走査線及び複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリクス状に配置された画素電極及び該画素電極に接続されたスイッチング素子とを備えるとともに、隣接する前記画素電極間の境界領域に対向して前記一対の基板の少なくとも一方に設置される遮光層と、前記一対の基板の少なくとも一方の前記液晶に接する面上に設けられ表面が一定のラビング方向に向けてラビング処理された配向膜とを備えた液晶表示装置であって、
前記ラビング方向が前記画素電極の対角方向にほぼ沿っており、前記ラビング方向の逆方向側に対応した前記画素電極の第１の角部に前記走査線方向で隣接する前記画素電極の第２の角部が切り欠かれ、
前記遮光層は前記画素電極と重なり合う重なり部を有し、前記ラビング方向の逆方向側に対応した前記画素電極の前記第１の角部と前記遮光層との重なり部の領域が、前記画素電極の他の角部と前記遮光層との重なり部の領域よりも広く形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
互いに対向する一対の基板間に液晶が挟持されてなり、該一対の基板のうち一方の基板上に、互いに交差して設けられた複数の走査線及び複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマトリクス状に配置された画素電極及び該画素電極に接続されたスイッチング素子とを備えるとともに、隣接する前記画素電極間の境界領域に対向して前記一対の基板の少なくとも一方に設置される遮光層と、前記一対の基板の少なくとも一方の前記液晶に接する面上に設けられ表面が一定のラビング方向に向けてラビング処理された配向膜とを備えた液晶表示装置であって、
前記走査線に沿った部分の前記遮光層の幅が前記ラビング方向の逆方向側から順方向側に向けて漸次狭く形成され、
前記ラビング方向の逆方向側の前記画素電極の角部と前記遮光層との重なる領域が、前記画素電極の他の角部と前記遮光層との重なる領域よりも大きく形成されたことを特徴とする液晶表示装置。
前記遮光層は、前記データ線の一部の幅を拡げた幅広部と、前記スイッチング素子に接続された第１の容量電極に絶縁膜を介して対向する蓄積容量用の第２の容量電極とで構成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の液晶表示装置。